TW201524117A

TW201524117A - 高頻零件

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Publication number: TW201524117A
Application number: TW103127208A
Authority: TW
Inventors: Mitsutoshi Imamura
Original assignee: Murata Manufacturing Co
Priority date: 2013-08-28
Filing date: 2014-08-08
Publication date: 2015-06-16
Also published as: US9473103B2; JP2015046788A; US20150061791A1; CN104426496B; CN104426496A; TWI562535B; JP5821914B2

Abstract

本發明能利用LC諧振電路之電感器實現較大之電感，並在不增加層疊體高度之情況下改善LC諧振電路之Q值。高頻零件(11)構成有具有第1端(SA)和第2端(SB)之橫向電感器(14A、14B)，並構成有在與橫向電感器(14A、14B)之第1端(SA)相連接之平面導體和與橫向電感器(14A、14B)之第2端(SB)相連接之平面導體之間夾設絕緣層而構成之電容器(15A、15B)，橫向電感器(14A、14B)呈捲繞至少多於一匝之螺旋狀。

Description

高頻零件

本發明涉及在將絕緣層進行層疊而成之層疊體之內部構成有LC諧振電路之高頻零件。

利用在層疊體之內部構成有LC諧振電路之零件作為高頻零件。對於如此之高頻零件，期待在構成小型之層疊體之同時提高LC諧振電路之Q值。

LC諧振電路之電感器有時在層疊體之內部由環狀之導體圖案構成，在此情況下，已知通過增大環路直徑，能改善LC諧振電路之Q值。但若增大電感器之環路直徑，則會導致層疊體之大型化，因此，在通過使電感器之環路直徑之大型化來改善LC諧振電路之Q值方面存在限制。

因此，作為電感器，有時構成橫向電感器，該橫向電感器以在與絕緣層之層疊方向正交之方向上延伸之捲繞軸為中心，在與該捲繞軸垂直之平面內將層間連接導體及線狀導體設置成環狀(例如，參照專利文獻1)。橫向電感器之環路之一部分由層間連接導體構成，因此，與全部由線狀導體構成之情況相比，能低電阻地構成。因此，將如此之橫向電感器用作LC諧振電路之電感器，能提高LC諧振電路中之Q值。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-244504號公報

然而，橫向電感器為了獲得電感需要增大環路直徑，從而使形成在層疊體之層疊方向上之層間連接導體變長，因此，難以同時實現層疊體之高度降低和電感之增大。尤其是，在使LC諧振電路對應較低之頻率區域之情況下，需要進一步增大橫向電感器之電感，降低高頻零件之高度變得非常困難。

因此，本發明之目的在於提供一種高頻零件，即使使用橫向電感器來改善LC諧振電路之Q值，也能在不增厚層疊體之情況下增大電感。

本發明之高頻零件包括：層疊體，該層疊體通過將複數個絕緣層進行層疊而構成；平面導體，該平面導體沿著所述絕緣層之表面擴展；線狀導體，該線狀導體沿著所述絕緣層之表面延伸；以及層間連接導體，該層間連接導體貫通所述絕緣層，其特徵在於，構成有橫向電感器，該橫向電感器具有第1端和第2端，並通過連接在所述第1端和所述第2端之間之所述線狀導體及所述層間連接導體將以與所述層疊體之層疊方向正交之方向作為捲繞軸方向，通過與所述橫向電感器之第1端相連接之第1平面導體、與所述橫向電感器之第2端相連接之第2平面導體、以及夾設在所述第1平面導體和所述第2平面導體之間之所述絕緣層構成電容器，所述橫向電感器呈沿著所述捲繞軸方向捲繞至少多於一匝之螺旋狀。

以下，在本發明中，將橫向電感器之一匝定義為：將層間連接導體、線狀導體、層間連接導體、線狀導體按照該順序環狀連接而構成，或者將線狀導體、層間連接導體、線狀導體、層間連接導體按照該順序環狀連接而構成。

在該結構中，由於構成具有設置在層疊體內部之螺旋狀之橫向電感器之LC諧振電路，因此，在LC諧振電路中能改善Q值，而且，與構成僅在單一平面內進行捲繞之環狀之電感器之情況相比，能抑制層疊體在層疊方向上之尺寸。

較佳為由所述橫向電感器及所述電容器形成之LC諧振電路構成有複數個，複數個LC諧振電路各自之橫向電感器之所述捲繞軸相互平行，在所述捲繞軸方向上觀察時，由所述線狀導體和所述層間連接導體形成之捲繞範圍至少一部分重合。由此，能通過調節各橫向電感器之捲繞範圍所重合之面積、沿著捲繞軸之配置間隔來調節LC諧振電路之間之耦合，能容易地設定濾波特性中之衰減極點和頻帶寬度。

也可以具備設置在所述層疊體之外表面之輸入輸出端子及接地端子，在所述捲繞軸方向上相鄰之至少一組所述橫向電感器各自之第1端與所述輸入輸出端子相連接，各自之第2端與所述接地端子側相連接，在所述層疊體之內部，所述第2端彼此接近。或者，也可以在所述層疊體之內部使所述第1端彼此接近。

在橫向電感器中，若使在捲繞軸方向上相鄰之一組橫向電感器以接地端子側之第2端彼此接近，則能增強橫向電感器之間之磁場引起之耦合度。又，若使一組橫向電感器以輸入輸出端子側之第1端彼此接近，則能減弱橫向電感器之間之磁場引起之耦合度。因此，通過確定層疊體內部之橫向電感器兩端之方向，也能設定橫向電感器之間之耦合度。

較佳為所述第1平面導體或所述第2平面導體設置在與作為所述橫向電感器之一部分之所述線狀導體相同之絕緣層表面上。通過該結構，能降低層疊體中之絕緣層之層疊數。

較佳為所述第2平面導體是與所述接地端子導通之接地導體，並設置在與所述橫向電感器相對之位置上，所述第1平面導體設置在所述層疊體內之所述橫向電感器與所述第2平面導體之間。由此，能抑制橫向電感器與接地導體之間產生之寄生電容。

較佳為所述高頻零件還具備使所述複數個LC諧振電路之間或所述輸入輸出端子與所述LC諧振電路之間進行耦合之耦合用電感器或耦合用電容器。由此，能擴大多階LC諧振電路之間之耦合度之調節範圍。

較佳為在所述捲繞軸方向觀察時，所述耦合用電容器或所述耦合用電感器設置在所述橫向電感器之捲繞範圍之內側。由此，能實現層疊體進一步之小型化、橫向電感器中之環路直徑之增大。

較佳為作為所述橫向電感器之一部分之所述線狀導體形成在複數個絕緣層上之、在所述層疊體之層疊方向觀察時相重合之位置上，複數個所述線狀導體通過所述層間連接導體並聯連接。由此，使橫向電感器之線狀導體多層化，增大線狀導體之實際截面積，從而使橫向電感器低電阻化。因此，能進一步提高LC並聯諧振電路之Q值。

較佳為使位於所述第1平面導體及所述第2平面導體之間之絕緣層之相對介電常數比其它絕緣層要大。由此，能增大LC諧振電路之電容器之電容，降低電極面積，抑制LC諧振電路之電容器和橫向電感器之間產生之寄生電容。

根據本發明之高頻零件，通過將LC諧振電路之電感器作為螺旋狀之橫向電感器構成，能實現較大之電感，抑制層疊體在層疊方向上之尺寸，還能改善LC諧振電路中之Q值。

CA‧‧‧捲繞軸

SA、SB‧‧‧端部

11、21、31、41、51、61、71、81、91、101‧‧‧高頻零件

12、22、32、42‧‧‧層疊體

13A、13B、23A、23B‧‧‧輸入輸出端子

13C、23C、34A‧‧‧接地端子

14A、14B、24A、24B‧‧‧横向電感器

15A、15B、25A、25B‧‧‧電容器

19、29、33B、43B‧‧‧接地導體

32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32J‧‧‧絕緣層

63‧‧‧短路用導體

圖1是本發明之實施方式1所涉及之高頻零件之等效電路圖。

圖2是本發明之實施方式1所涉及之高頻零件之立體圖、等效立體圖、及側剖面圖。

圖3是本發明之實施方式2之變形例所涉及之高頻零件之立體圖、等效立體圖、及側剖面圖。

圖4是本發明之實施方式3所涉及之高頻零件之等效電路圖。

圖5是本發明之實施方式3所涉及之高頻零件之分解立體圖。

圖6是本發明之實施方式3所涉及之高頻零件之示意立體圖及側剖面圖。

圖7是本發明之實施方式4所涉及之高頻零件之分解立體圖。

圖8是本發明之實施方式4所涉及之高頻零件之示意立體圖及側剖面圖。

圖9是本發明之實施方式3及4所涉及之高頻零件之濾波特性圖。

圖10是本發明之實施方式5所涉及之高頻零件之示意立體圖及濾波特性圖。

圖11是本發明之實施方式6所涉及之高頻零件之側剖面圖及濾波特性圖。

圖12是本發明之實施方式7所涉及之高頻零件之側剖面圖及濾波特性圖。

圖13是本發明之實施方式8所涉及之高頻零件之等效電路圖及濾波特性圖。

圖14是本發明之實施方式9所涉及之高頻零件之分解立體圖。

圖15是本發明之實施方式10所涉及之高頻零件之分解立體圖。

以下，對實施方式1所涉及的高頻零件進行說明。此處，以用作高頻濾波器的高頻零件為例進行說明，該高頻零件具有在通頻帶的高頻側及低頻側具有阻止頻帶的帶通濾波特性。

圖1是實施方式1所涉及之高頻零件11之等效電路圖。高頻零件11構成帶通濾波器，該帶通濾波器由輸入輸出端子P1、P2、電容器C1、C2、C12、電感器L1、L2構成。

電感器L1、L2具有與輸入輸出端子P1、P2相連接之第1 端SA、與接地端子相連接之第2端SB。電容器C1與電感器L1並聯連接，並與電感器L1一起構成諧振電路LC1。同樣地，電容器C2與電感器L2並聯連接，並與電感器L2一起構成諧振電路LC2。

在諧振電路LC1與諧振電路LC2之間連接有電容器C12。該電容器C12是使諧振電路LC1與諧振電路LC2之間進行電容耦合之耦合用電容器。又，諧振電路LC1和LC2之電感器L1和L2彼此之間進行感應耦合。

又，諧振電路LC1與輸入端子P1直接相連接，從而構成輸入部分之諧振電路。諧振電路LC2與輸出端子P2直接相連接，從而構成輸出部分之諧振電路。通過以上之電路部分，構成在輸入輸出端子P1和P2之間兩階並聯諧振電路進行耦合之帶通濾波器。

圖2(A)是實施方式1所涉及之高頻零件11之立體圖。高頻零件11具備長方體狀之層疊體12。

在以下之說明中，將圖2(A)中所示之層疊體12之左邊前側之面稱為正面，將層疊體12之右邊裡側之面稱為背面，將層疊體12之右邊前側之面稱為右側面，將層疊體12之左邊裡側之面稱為左側面。

層疊體12將與下表面及上表面垂直之方向作為層疊方向，層疊體12通過將複數個絕緣層進行層疊而構成。此外，層疊體12之絕緣層例如由熱塑性樹脂等樹脂材料、低溫燒結陶瓷等陶瓷材料構成。

在層疊體12之外表面設有輸入輸出端子13A、13B和接地端子13C。輸入輸出端子13A相當於圖1中之輸入端子P1，從層疊體12之上表面經由左側面延伸到下表面。輸入輸出端子13B相當於圖1中之輸出端子P2，從層疊體12之上表面經由右側面延伸到下表面。接地端子13C設置在層疊體12之下表面上。

圖2(B)是實施方式1所涉及之高頻零件11之透視立體圖。

在層疊體12之內部形成有在與絕緣層之層疊方向正交之方向上延伸之線狀導體161A、162A、163A、164A、165A、161B、162B、163B、 164B、165B、以及在絕緣層之面方向上擴展之平面導體18A、18B、19。線狀導體161A~165A、161B~165B及平面導體18A、18B、19例如由印刷形成之導電糊料之燒制體、利用光刻技術形成圖案之銅箔等構成。

又，在構成層疊體12之絕緣層上形成有在層疊方向上貫通各絕緣層之層間連接導體171A、172A、173A、174A、175A、176A、171B、172B、173B、174B、175B、176B。層間連接導體171A~176A、171B~176B例如通過在各絕緣層上設置通孔、將導電性糊料填充到通孔內並將導電性糊料進行燒結而形成。

然後，在層疊體12之內部構成有橫向電感器14A、橫向電感器14B、電容器15A、及電容器15B，其中，橫向電感器14A由線狀導體161A~165A及層間連接導體171A~176A構成，橫向電感器14B由線狀導體161B~165B及層間連接導體171B~176B構成，電容器15A由平面導體18A、19構成，電容器15B由平面導體18B、19構成。

橫向電感器14A相當於圖1中之電感器L1，在層疊體12之內部配置在中心之左側面側，從位於層疊體12之左側面側之第1端SA起到位於層疊體12之中心側之第2端SB，將層間連接導體171A、線狀導體161A、層間連接導體172A、線狀導體162A、層間連接導體173A、線狀導體163A、層間連接導體174A、線狀導體164A、層間連接導體175A、線狀導體165A、及層間連接導體176A按照該順序相連接而構成。由此，橫向電感器14A設置成以與層疊體12之層疊方向正交之方向、此處以在對層疊體12之左側面和右側面之間進行連接之方向上延伸之捲繞軸CA為中心，呈從第1端SA到第2端SB沿著捲繞軸CA前進之右螺紋狀(右螺旋狀)。

又，橫向電感器14B相當於圖1中之電感器L2，在層疊體 12之內部配置在中心之右側面側，從位於層疊體12之右側面側之第1端SA起到位於層疊體12之中心側之第2端SB，將層間連接導體176B、線狀導體165B、層間連接導體175B、線狀導體164B、層間連接導體174B、線狀導體163B、層間連接導體173B、線狀導體162B、層間連接導體172B、線狀導體161B、及層間連接導體171B按照該順序相連接而構成。由此，橫向電感器14B設置成以捲繞軸CA為中心，呈從第1端SA到第2端SB沿著捲繞軸CA前進之左螺紋狀(左螺旋狀)。

如此橫向電感器14A、14B通過將約2+(3/4)匝之層間連接導體與線狀導體相連接而構成。橫向電感器14A、14B之一匝是通過將兩個層間連接導體與兩個線狀導體環狀連接而構成的。如此橫向電感器14A、14B通過將至少比一匝要多之層間連接導體和線狀導體相連接而螺旋狀地構成，因此，與僅在單一平面內進行捲繞而環狀地構成之情況相比，能實現較大之電感，並且即使實現較大之電感也能抑制層疊體12在層疊方向上之尺寸之增大。

圖2(C)表示層疊體12中之橫向電感器14A、14B和電容器 15A、15B之配置位置之剖面圖，表示與層疊體12之正面及背面平行之面上之層疊體12之截面。

電容器15A相當於圖1中之電容器C1，通過使第1平面導體18A與第2平面導體19在夾著絕緣層之狀態下相對而形成。第1平面導體18A和橫向電感器14A之下面側之線狀導體162A、164A設置在同一層上，因此，能降低層疊體12中之絕緣層之層疊數。而且，第1平面導體18A 位於橫向電感器14A之左側面側，並連接有橫向電感器14A之左側面側之第1端SA，且與層疊體12之左側面之輸入輸出端子13A相連接。

又，電容器15B相當於圖1中之電容器C2，通過使第1平面導體18B與第2平面導體19在夾著絕緣層之狀態下相對而形成。第1平面導體18B和橫向電感器14B之下面側之線狀導體162B、164B設置在同一層上，因此，能降低層疊體12中之絕緣層之層疊數。而且，第1平面導體18B位於橫向電感器14B之右側面側，並連接有橫向電感器14B之右側面側之第1端SA，且與層疊體12之右側面之輸入輸出端子13B相連接。

第2平面導體(接地導體)19經由未圖示之層間連接導體與層疊體12之下表面之接地端子13C相連接。接地導體19設置在層疊體12之橫向電感器14A、14B之下面側，從上面側觀察層疊體12時，與橫向電感器14A、14B及電容器15A、15B之平面導體18A、18B重合。因此，能防止安裝高頻零件11之外部基板側之導體圖案等與高頻零件11內部之導體圖案進行耦合而對高頻零件11之濾波特性產生影響。又，將接地導體19作為構成電容器15A、15B之第2平面導體，因此，能降低層疊體12中之絕緣層之層疊數。在該接地導體19上之、層疊體12中之橫向電感器14A和橫向電感器14B之間之中心附近，分別連接有橫向電感器14A之右側面側(層疊體中心側)之第2端SB和橫向電感器14B之左側面側(層疊體中心側)之第2端SB。

又，圖1中之電容耦合用之電容器C12由橫向電感器14A 之線狀導體及層間連接導體與橫向電感器14B之線狀導體及層間連接導體沿著捲繞軸CA相對而產生之電容構成。

在沿著捲繞軸CA透視該層疊體12之情況下，配置成橫向電感器14A之捲繞範圍與橫向電感器14B之捲繞範圍相互重合。此外，各捲繞範圍既可全部重合，也可以一部分重合。

又，對於橫向電感器14A和橫向電感器14B中、各自之線狀導體、層間連接導體沿著捲繞軸CA相對之每個組，從輸入輸出端子13A、13B側朝接地導體19側之方向(圖2(B)中箭頭所示之信號之傳輸方向)一致。若如此將信號之傳輸方向一致之兩個橫向電感器相鄰配置，則在各自之捲繞範圍內產生之磁通之方向一致，在相互之磁通得到增強之方向上進行感應耦合(正耦合)。

又，對於橫向電感器14A和橫向電感器14B，使與各自之接地導體19側相連接之第2端SB彼此在層疊體12之中心附近接近，因此，與使橫向電感器14A和橫向電感器14B之第1端SA與第2端SB接近之情況相比，橫向電感器14A和橫向電感器14B之間之感應耦合變強。

此外，橫向電感器14A和橫向電感器14B中之一方也可以捲繞成使圖2(B)中箭頭所示之信號之傳輸方向變為相反方向。在此情況下，橫向電感器14A和橫向電感器14B各自在捲繞範圍內產生之磁通之方向相反，因此，在橫向電感器14A和橫向電感器14B之間，在相互之磁通減弱之方向上進行感應耦合(負耦合)。在此情況下，也能通過使橫向電感器14A和橫向電感器14B之接地導體19側之第2端SB彼此接近來提高負耦合之耦合度。

在以上結構之高頻零件11中，能構成在諧振電路LC1與諧振電路LC2之間感應耦合之耦合度較高之帶通濾波器。又，由於使用包含層間連接導體之橫向電感器14A、14B來構成諧振電路LC1、LC2，因此，能使帶通濾波器之濾波特性(通頻帶特性)為Q值較高。又，由於使用螺旋狀之橫向電感器14A、14B，因此，即使通過橫向電感器14A、14B實現較大之電感，也能抑制層疊體12在層疊方向上之尺寸。

又，在層疊體12中，使位於電容器15A和15B之平面導體之間之絕緣層(在圖2(C)中進行點表示之絕緣層)之相對介電常數比其它絕緣層之相對介電常數要高。即，在電容器15A、15B中，提高了兩個平面導體之間之相對介電常數。因此，能抑制構成電容器15A、15B之平面導體之相對面積，增大電容，能抑制電容器15A、15B與橫向電感器14A、14B之間產生之寄生電容。

接下來，對實施方式2所涉及之高頻零件21進行說明。實施方式2所涉及之高頻零件21是前述之實施方式1所涉及之高頻零件之變形例。圖3(A)是實施方式2所涉及之高頻零件21之立體圖。圖3(B)是實施方式2所涉及之高頻零件21之透視立體圖。

高頻零件21具備長方體狀之層疊體22。在層疊體22之外表面設有輸入輸出端子23A、23B和接地端子23C。層疊體22、輸入輸出端子23A、23B、接地端子23C分別是與實施方式1所涉及之層疊體、輸入輸出端子、接地端子相同之結構。在層疊體22之內部構成有：由線狀導體及層間連接導體構成之橫向電感器24A、24B；以及由平面導體構成之電容器25A、25B。

橫向電感器24A在層疊體22之內部配置在中心之左側面側，並從位於層疊體22之中心側之第1端SA起到位於層疊體22之左側面側之第2端SB設置成左螺紋狀(左螺旋狀)。橫向電感器24B在層疊體22之內部配置在中心之右側面側，並從位於層疊體22之中心側之第1端SA起到位於層疊體22之右側面側之第2端SB設置成右螺紋狀(右螺旋狀)。此處，橫向電感器24A、24B分別通過將約2+(3/4)匝之層間連接導體與線狀導體相連接而構成。橫向電感器24A、24B之一匝是通過將兩個層間連接導體與兩個線狀導體環狀連接而構成的。

圖3(C)表示層疊體22中之橫向電感器24A、24B和電容器 25A、25B之配置位置之剖面圖，表示與層疊體22之正面及背面平行之面上之層疊體22之截面。

電容器25A、25B分別設置在橫向電感器24A和橫向電感器 24B之間。具體而言，電容器25A配置在橫向電感器24A之右側面側。電容器25B配置在橫向電感器24B之左側面側。又，在構成電容器25A之第1平面導體上連接有橫向電感器24A之右側面側(層疊體中心側)之第1端SA，並通過在與電容器25A之第1平面導體相同之絕緣層表面上走線之引出佈線25C走線到層疊體22之左側面而與輸入輸出端子23A相連接。又，在構成電容器25B之第1平面導體上連接有橫向電感器24B之左側面側(層疊體中心側)之第1端SA，並通過在與電容器25B之第1平面導體相同之絕緣層表面上走線之引出佈線25C走線到層疊體22之右側面而與輸入輸出端子23B相連接。又，構成電容器25A、25B之第2平面導體作為接地導體29而構成。在該接地導體29上之層疊體22之左側面附近和右側面附近，分別連接有橫向電感器24A之左側面側之第2端SB和橫向電感器24B之右側面側之第2端SB。

即使是該結構，也配置成在從左側面側或右側面側沿著捲繞軸CA透視層疊體22時，橫向電感器24A之捲繞範圍與橫向電感器24B之捲繞範圍相互重合，橫向電感器24A與橫向電感器24B在相互之磁通得到增強之方向上進行感應耦合(正耦合)。

又，對於橫向電感器24A和橫向電感器24B，使與各自之輸入輸出端子23A、23B側相連接之第1端SA彼此在層疊體22之中心附近接近，因此，與使橫向電感器24A和橫向電感器24B之第1端SA與第2端SB接近之情況相比，橫向電感器24A和橫向電感器24B之間之感應耦合變弱。

此外，即使是該結構，也可以將橫向電感器24A和橫向電感器24B中之一方捲繞成使圖3(B)中箭頭所示之信號之傳輸方向為相反方向，使橫向電感器24A與橫向電感器24B之間在相互之磁通減弱之方向上進行感應耦合(負耦合)。即使在橫向電感器24A與橫向電感器24B進行負耦合之情況下，仍能通過使輸入輸出端子23A、23B側之第1端SA彼此接近來降低負耦合之耦合度。

如上所述，也可以構成使兩階諧振電路LC1與LC2在輸入輸出端子之間進行耦合之帶通濾波器。在如此之帶通濾波器中，通過確定橫向電感器L1、L2之兩端SA、SB之方向，能確定相鄰之橫向電感器L1和L2之間之感應耦合之耦合度，能容易地設定濾波電路中之衰減極點和頻帶寬度。

此外，在以上之說明中，顯示了在高頻零件中構成兩階諧振電路LC1、LC2之示例，但在高頻零件中構成之諧振電路既可以是一階也可以多於二階。

接下來，對本發明之實施方式3所涉及之高頻零件31進行說明。圖4是實施方式3所涉及之高頻零件31之等效電路圖。高頻零件31構成帶通濾波器，該帶通濾波器由輸入輸出端子P1、P2、電容器C1、C2、C3、C4、C12、C23、C34、電感器L1、L2、L3、L4構成。

電感器L1~L4具有輸入輸出端子P1、P2側之第1端SA、接地端子側之第2端SB。電容器C1與電感器L1並聯連接，並與電感器L1一起構成諧振電路LC1。同樣地，電容器C2與電感器L2並聯連接，並與電感器L2一起構成諧振電路LC2。電容器C3與電感器L3並聯連接，並與電感器L3一起構成諧振電路LC3。電容器C4與電感器L4並聯連接，並與電感器L4一起構成諧振電路LC4。

在諧振電路LC1與諧振電路LC2之間連接有電容器C12。同樣地，在諧振電路LC2與諧振電路LC3之間連接有電容器C23。在諧振電路LC3與諧振電路LC4之間連接有電容器C34。此等電容器C12、C23、C34是與諧振電路LC1~LC4之間進行電容耦合之耦合用電容器。

又，諧振電路LC1和LC2之電感器L1和L2彼此之間進行感應耦合。同樣地，諧振電路LC2和LC3之電感器L2和L3彼此之間也進行感應耦合。諧振電路LC3和LC4之電感器L3和L4彼此之間也進行感應耦合。

又，諧振電路LC1與輸入端子P1直接相連接，從而構成輸入部分之諧振電路。諧振電路LC4與輸出端子P2直接相連接，從而構成輸出部分之諧振電路。諧振電路LC2、LC3在諧振電路LC1和諧振電路LC4 之間進行耦合，分別構成中間部分之諧振電路。

通過以上之電路部分，構成在輸入輸出端子P1和P2之間四階並聯諧振電路進行耦合之帶通濾波器。

圖5是實施方式3所涉及之高頻零件31之分解立體圖。在以下之說明中，將圖5中所示之絕緣層之左邊前側之面稱為左側面，將絕緣層之右邊裡側之面稱為右側面，將絕緣層之右邊前側之面稱為正面，將絕緣層之左邊裡側之面稱為背面。

高頻零件31具備通過相互層疊來構成長方體狀之層疊體之絕緣層32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32J。絕緣層32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32J按照該順序從層疊體32之下面側層疊到上面側。在各絕緣層32A~32J之表面設有平面導體、線狀導體，設置在不同之層上之導體之間之連接經由設置在兩個導體之間之層間連接導體而得以實現。在絕緣層32A~32J各自之左側面及右側面形成有構成圖4中所示之輸入輸出端子P1、P2之電極(未圖示標號)之一部分。

絕緣層32A是露出至層疊體32之下表面之絕緣層，在絕緣層32A之下面側，從左側面側到右側面側依次形成有平面導體33A、34A、35A。平面導體33A是構成圖4中所示之輸入端子P1之電極之一部分。平面導體34A是接地端子。平面導體35A是構成圖4中所示之輸出端子P2之電極之一部分。

絕緣層32B在上面側形成有平面導體(接地導體)33B。接地導體33B與其下面1層之接地端子34A相連接。

在絕緣層32C之上面側，從左側面側到右側面側依次形成有平面導體33C、34C、35C、36C。平面導體33C與其下面第1層之接地導體33B相對而構成電容器C1。平面導體34C與其下面第1層之接地導體33B相對而構成電容器C2。平面導體35C與其下面第1層之接地導體33B相對而構成電容器C3。平面導體36C與其下面第1層之接地導體33B相對而構成電容器C4。

在絕緣層32D之上面側，從左側面側到右側面側依次形成有平面導體33D、34D。平面導體33D與其下面第1層之平面導體33C相連接，又，與其下面第1層之平面導體34C相對而構成耦合用電容器C12之一部分。平面導體34D與其下面第1層之平面導體36C相連接，又，與其下面第1層之平面導體35C相對而構成耦合用電容器C34之一部分。

在絕緣層32E之上面側，從左側面側到右側面側依次形成有平面導體33E、34E。平面導體33E與其下面第2層之平面導體34C相連接，又，與其下面第1層之平面導體33D相對而構成耦合用電容器C12之一部分。平面導體34E與其下面第2層之平面導體35C相連接，又，與其下面第1層之平面導體34D相對而構成耦合用電容器C34之一部分。

在第6層之絕緣層32F之上面側，從左側面側到右側面側依次形成有線狀導體331F、332F、341F、342F、351F、352F、361F、362F。

在第7層之絕緣層32G之上面側，從左側面側到右側面側依次形成有線狀導體33G、34G、35G、36G。線狀導體33G之正面側之端部與其下面第4層之平面導體33C及其下面第3層之平面導體33D相連接。線狀導體34G之正面側之端部與其下面第4層之平面導體34C及其下面第2層之平面導體33E相連接。線狀導體35G之正面側之端部與其下面第4 層之平面導體35C及其下面第2層之平面導體34E相連接。線狀導體36G之正面側之端部與其下面第4層之平面導體36C及其下面第3層之平面導體34D相連接。

在第8層之絕緣層32H之上面側，從左側面側到右側面側依次形成有線狀導體331H、332H、333H、341H、342H、343H、351H、352H、353H、361H、362H、363H。

線狀導體331H之正面側之端部與其下面第6層之接地導體 33B相連接，線狀導體331H之背面側之端部與其下面第2層之線狀導體331F相連接。線狀導體332H之正面側之端部與其下面第2層之線狀導體331F相連接，線狀導體332H之背面側之端部與其下面第2層之線狀導體332F相連接。線狀導體333H之正面側之端部與其下面第2層之線狀導體332F相連接，線狀導體333H之背面側之端部與其下面第1層之線狀導體33G相連接。由此，線狀導體331H~333H、線狀導體331F、332F、線狀導體33G與層間連接導體一起構成圖4中所示之電感器(橫向電感器)L1。

線狀導體341H之正面側之端部與其下面第2層之線狀導體 341F相連接，線狀導體341H之背面側之端部與其下面第1層之線狀導體34G相連接。線狀導體342H之正面側之端部與其下面第2層之線狀導體342F相連接，線狀導體342H之背面側之端部與其下面第2層之線狀導體341F相連接。線狀導體343H之正面側之端部與其下面第6層之接地導體33B相連接，線狀導體343H之背面側之端部與其下面第2層之線狀導體342F相連接。由此，線狀導體341H~343H、線狀導體341F、342F、線狀導體34G與層間連接導體一起構成圖4中所示之電感器(橫向電感器)L2。

線狀導體351H之正面側之端部與其下面第6層之接地導體 33B相連接，線狀導體351H之背面側之端部與其下面第2層之線狀導體351F相連接。線狀導體352H之正面側之端部與其下面第2層之線狀導體351F相連接，線狀導體352H之背面側之端部與其下面第2層之線狀導體352F相連接。線狀導體353H之正面側之端部與其下面第2層之線狀導體352F相連接，線狀導體353H之背面側之端部與其下面第1層之線狀導體35G相連接。由此，線狀導體351H~353H、線狀導體351F、352F、線狀導體35G與層間連接導體一起構成圖4中所示之電感器(橫向電感器)L3。

線狀導體361H之正面側之端部與其下面第2層之線狀導體 361F相連接，線狀導體361H之背面側之端部與其下面第1層之線狀導體36G相連接。線狀導體362H之正面側之端部與其下面第2層之線狀導體362F相連接，線狀導體362H之背面側之端部與其下面第2層之線狀導體361F相連接。線狀導體363H之正面側之端部與其下面第6層之接地導體33B相連接，線狀導體363H之背面側之端部與其下面第2層之線狀導體362F相連接。由此，線狀導體361H~363H、線狀導體361F、362F、線狀導體36G與層間連接導體一起構成圖4中所示之電感器(橫向電感器)L4。

第9層之絕緣層32J是露出至層疊體32之上表面之絕緣層，在絕緣層32J之上面側，從左側面側到右側面側依次形成有平面導體33J、34J。平面導體33J是構成圖4中所示之輸入端子P1之電極之一部分。平面導體34J是構成圖4中所示之輸出端子P2之電極之一部分。

圖6(A)為示意表示在高頻零件31中從橫向電感器L1~L4 之第2端SB到第1端SA，層間連接導體及線狀導體延伸之方向之立體圖。橫向電感器L1從位於層疊體32之右側面側(層疊體中心側)之第1端SA起到位於層疊體32之左側面側之第2端SB構成左螺紋狀(左螺旋狀)。橫向電感器L2從位於層疊體32之左側面側之第1端SA起到位於層疊體32之右側面側(層疊體中心側)之第2端SB構成右螺紋狀(右螺旋狀)。橫向電感器L3從位於層疊體32之右側面側之第1端SA起到位於層疊體32之左側面側(層疊體中心側)之第2端SB構成左螺紋狀(左螺旋狀)。橫向電感器L4從位於層疊體32之左側面側(層疊體中心側)之第1端SA起到位於層疊體32之右側面側之第2端SB構成右螺紋狀(右螺旋狀)。

圖6(B)為高頻零件31之剖面圖，表示與層疊體32之正面及背面平行之面上之層疊體32之截面。

電容器C1在層疊體32之內部配置在橫向電感器L1之下面側，第1平面導體與層疊體32之左側面之輸入端子P1相連接。橫向電感器L1在右側面側之第1端SA與電容器C1、C12及輸入端子P1相連接，在左側面側之第2端SB與接地導體33B直接相連接。

電容器C2在層疊體32之內部配置在橫向電感器L2之下面側。橫向電感器L2在左側面側之第1端SA與電容器C2、C12相連接，在右側面側之第2端SB與接地導體33B直接相連接。

電容器C3在層疊體32之內部配置在橫向電感器L3之下面側。橫向電感器L3在右側面側之第1端SA與電容器C3、C34相連接，在左側面側之第2端SB與接地導體33B直接相連接。

電容器C4在層疊體32之內部配置在橫向電感器L4之下面側，第1平面導體與層疊體32之右側面之輸入輸出端子P2相連接。橫向電感器L4在左側面側之第1端SA與電容器C4、C34及輸入輸出端子P2相連接，右側面側之第2端SB與接地導體33B直接相連接。

又，耦合用電容器C23係由橫向電感器L2與L3沿著捲繞軸CA接近、橫向電感器L2之線狀導體及層間連接導體與橫向電感器L3之線狀導體及層間連接導體相對而產生之電容構成。

即使是該結構，在從左側面側或右側面側沿著捲繞軸CA透視層疊體32之情況下，也配置成橫向電感器L1~L4之捲繞範圍相互重合。又，橫向電感器L1~L4捲繞成從輸入輸出端子P1、P2側之第1端SA到接地導體側之第2端SB，線狀導體及層間連接導體延伸之方向為相同方向，並在相互之磁通得到增強之方向上進行感應耦合(正耦合)。

然後，對於橫向電感器L1和橫向電感器L2，使各自之輸入輸出端子P1、P2側之第1端SA彼此接近。又，對於橫向電感器L3和橫向電感器L4，也使各自之輸入輸出端子P1、P2側之第1端SA彼此接近。另一方面，對於橫向電感器L2和橫向電感器L3，使各自之接地導體33B側之第2端SB彼此接近。因此，橫向電感器L1、橫向電感器L2、橫向電感器L3及橫向電感器L4中，相鄰之橫向電感器之間之感應耦合從橫向電感器L1側起到橫向電感器L4側依次為耦合度較低之鬆耦合、耦合度較高之緊耦合、耦合度較低之鬆耦合。

即使在以上結構之高頻零件31中，也構成包含層間連接導體之橫向電感器L1~L4作為諧振電路LC1~LC4之電感器，因此，能使帶通濾波器之濾波特性(通頻帶特性)具有較高之Q值。又，由於使用螺旋狀之橫向電感器L1~L4，因此，即使利用橫向電感器L1~L4實現較大之電感，也能抑制層疊體32在層疊方向上之尺寸。

此外，在上述之結構中，構成電容器C1~C4之第2平面導體作為共用之接地導體33B而構成，因此，能降低層疊體32中之絕緣層之層疊數。又，由於將構成電容器C1~C4之第1平面導體配置在接地導體33B與橫向電感器L1~L4之間，因此，能節約接地導體33B與橫向電感器L1~L4之間之間隔，能進一步提高分別包含橫向電感器L1~L4之諧振電路LC1~LC4中之Q值。

接下來，對實施方式4所涉及之高頻零件41進行說明。實施方式4所涉及之高頻零件41為前述之實施方式3所涉及之高頻零件之變形例。

圖7為實施方式4所涉及之高頻零件41之分解立體圖。圖 8(A)為示意表示在高頻零件41中從橫向電感器L1~L4之第2端SB到第1端SA，層間連接導體及線狀導體延伸之方向之立體圖。圖8(B)為高頻零件41之剖面圖，表示與層疊體42之正面及背面平行之面上之層疊體42之截面。

如圖7所示，高頻零件41之平面導體44C及平面導體43E 之形狀、平面導體45C及平面導體44E之形狀與前述之實施方式3所涉及之形狀不同，各個平面導體中之與層間連接導體相連接之連接位置變更到層疊體42之中心側。

又，構成橫向電感器L2之線狀導體441F、442F、44G、441H、 442H、443H之形狀、構成橫向電感器L3之線狀導體451F、452F、45G、451H、452H、453H之形狀與前述之實施方式3所涉及之形狀不同。具體而言，橫向電感器L2從位於層疊體42之右側面側之第1端SA起到位於層疊體42之左側面側之第2端SB構成左螺紋狀(左螺旋狀)。又，橫向電感器L3從位於層疊體42之左側面側之第1端SA起到位於層疊體42之右側面側之第2端SB構成右螺紋狀(右螺旋狀)。又，構成橫向電感器L2、L3之輸入輸出端子P1、P2側之第1端SA、接地導體側之第2端SB之層間連接導體之位置相互交換。

因此，即使是該結構，橫向電感器L1~L4中相鄰之各組橫向電感器彼此也捲繞成從輸入輸出端子P1、P2側之第1端SA到接地導體43B側之第2端SB，線狀導體及層間連接導體延伸之方向為相同方向，並在相互之磁通得到增強之方向上進行感應耦合(正耦合)。

然而，在該高頻零件41中，對於橫向電感器L1和橫向電感器L2，係將橫向電感器L1之第1端SA與橫向電感器L2之第2端SB接近配置。又，對於橫向電感器L3和橫向電感器L4，亦將橫向電感器L4之第1端SA與橫向電感器L3之第2端SB接近配置。因此，對於此等橫向電感器L1和L2之間以及橫向電感器L3和L4之間之感應耦合，既不是使第2端SB彼此之間接近時之緊耦合，也不是使第1端SA彼此之間接近時之鬆耦合，而是緊耦合和鬆耦合之中間強度之耦合度(中度耦合)。

另一方面，對於橫向電感器L2和橫向電感器L3，使各自之輸入輸出端子P1、P2側之第1端SA彼此接近。因此，在橫向電感器L2和L3之間之感應耦合為鬆耦合。因此，在該高頻零件41中，橫向電感器L1、橫向電感器L2、橫向電感器L3及橫向電感器L4中，相鄰之橫向電感器之間之感應耦合從橫向電感器L1側起到橫向電感器L4側依次為中度耦合、鬆耦合、中度耦合。

如上所述，也可以構成使四階諧振電路LC1~LC4在輸入輸出端子P1和P2之間進行耦合之帶通濾波器。在如此之帶通濾波器中，也能通過確定層疊體內部之橫向電感器L1~L4之兩端SA、SB之方向來確定相鄰之橫向電感器L1~L4之間之感應耦合之耦合度，能容易地調節濾波電路中之衰減極點和頻帶寬度。

接下來，對實施方式3所涉及之高頻零件31、實施方式4所涉及之高頻零件41各自之濾波特性(通頻帶特性)進行說明。

圖9(A)為舉例顯示高頻零件31中之濾波特性之圖。又，圖9(B)是舉例顯示高頻零件41中之濾波特性之圖。

如上所述，高頻零件31中，使輸入輸出部分之諧振電路LC1、LC4與中間部分之諧振電路LC2、LC3之間之感應耦合為鬆耦合，使中間部分之諧振電路LC2和LC3彼此之間之感應耦合為緊耦合。如該高頻零件31那樣，在具備包含輸入輸出部分之並聯諧振電路和二階以上之中間部分之並聯諧振電路之、四階以上之並聯諧振電路之帶通濾波器中，通過使中間部分之並聯諧振電路彼此之間之感應耦合為緊耦合，能擴大濾波特性(通頻帶特性)中之頻帶寬度。

又，高頻零件41中，使輸入輸出部分之諧振電路LC1、LC4與中間部分之諧振電路LC2、LC3之間之感應耦合為既不是緊耦合也不是鬆耦合之中度耦合，使中間部分之諧振電路LC2和LC3彼此之間之感應耦合為鬆耦合。如該高頻零件41那樣，在具備包含輸入輸出部分之並聯諧振電路和二階以上之中間部分之並聯諧振電路之、四階以上之並聯諧振電路之帶通濾波器中，通過使中間部分之並聯諧振電路彼此之間之感應耦合為鬆耦合，能使濾波特性(通頻帶特性)中之頻帶寬度變得狹窄。

接下來，對本發明之實施方式5所涉及之高頻零件51進行說明。實施方式5所涉及之高頻零件51是前述之實施方式3所涉及之高頻零件之變形例。

圖10(A)是示意表示在高頻零件51中從橫向電感器L1~L4 之第2端SB到第1端SA，層間連接導體及線狀導體延伸之方向之立體圖。

高頻零件51在構成輸入輸出部分之並聯諧振電路之橫向電感器L1和橫向電感器L4中，使輸入輸出端子P1、P2側之第1端SA之位置、接地導體側之第2端SB之位置構成為與前述之實施方式3所涉及之高頻零件相反。

在該結構中，如圖10(A)中之箭頭所示，橫向電感器L2和橫向電感器L3捲繞成從第1端SA側到第2端SB側，線狀導體及層間連接導體延伸之方向為相同方向，並在相互之磁通得到增強之方向上進行感應耦合(正耦合)。又，使橫向電感器L2和橫向電感器L3之第2端SB彼此接近，因此，橫向電感器L2和橫向電感器L3之間之感應耦合之耦合度有所提高。

另一方面，橫向電感器L1和橫向電感器L2捲繞成從第1 端SA側到第2端SB側，線狀導體及層間連接導體延伸之方向為相反方向，並在相互之磁通減弱之方向上進行感應耦合(負耦合)。又，對於橫向電感器L1和橫向電感器L2，由於將橫向電感器L1之第1端SA與橫向電感器L2之第2端SB接近配置，因此，以緊耦合和鬆耦合之中間強度之耦合度進行感應耦合(中度耦合)。同樣地，橫向電感器L4和橫向電感器L3捲繞成從第1端SA側到第2端SB側，線狀導體及層間連接導體延伸之方向為相反方向，並在相互之磁通減弱之方向上進行感應耦合(負耦合)。然後，對於橫向電感器L4和橫向電感器L3，由於將橫向電感器L4之第1端SA與橫向電感器L3之第2端SB接近配置，因此，以緊耦合和鬆耦合之中間強度之耦合度進行感應耦合(中度耦合)。

圖10(B)是舉例顯示高頻零件51中之濾波特性之圖。

如上所述，高頻零件51沒有改變中間部分之諧振電路LC2和LC3彼此之間之耦合，而是使輸入輸出部分之諧振電路LC1、LC4與中間部分之諧振電路LC2、LC3之間之感應耦合為負耦合，且為中度耦合。通常，在具備四階以上之並聯諧振電路之帶通濾波器中，通頻帶寬度受中間部分之並聯諧振電路彼此之間之感應耦合之耦合度之影響較大，受輸入輸出部分之並聯諧振電路和中間部分之並聯諧振電路之間之感應耦合之耦合度之影響較為輕微。因此，高頻零件51之濾波特性(通頻帶特性)中之頻帶寬度與前述之實施方式3所涉及之高頻零件相比沒有大之變化。

但輸入輸出部分之並聯諧振電路和中間部分之並聯諧振電路之間之感應耦合從正耦合變更為負耦合，因此，輸入輸出部分之並聯諧振電路和中間部分之並聯諧振電路之間之耦合中，電容性之偏置有所增強。因此，設置在輸入輸出部分之並聯諧振電路和中間部分之並聯諧振電路之間之耦合用電容器具有更小之電容即可。因此，能降低耦合用電容器之電極面積，或者僅利用輸入輸出部分之並聯諧振電路和中間部分之並聯諧振電路之間產生之電容來實現耦合用電容器。由此，能削減用於設置耦合用電容器之製造工序、以及在層疊體內部之設置空間，使高頻零件51小型且廉價。

此外，在前述之實施方式4所涉及之結構中，也同樣可以使構成輸入輸出部分之並聯諧振電路之諧振電感器之第1端SA和第2端SB進行互換。在此情況下，也同樣能在沒有較大地改變濾波特性(通頻帶特性)中之頻帶寬度之情況下，使輸入輸出部分之並聯諧振電路和中間部分之並聯諧振電路之間之耦合用電容器具有更小之電容。

接下來，對本發明之實施方式6所涉及之高頻零件61進行說明。實施方式6所涉及之高頻零件61是前述之實施方式3所涉及之高頻零件之變形例。

圖11(A)是高頻零件61之側剖面圖，表示與層疊體之正面及背面平行之面上之層疊體之截面。

高頻零件61與前述之實施方式3所涉及之高頻零件之不同之處在於，在構成中間部分之並聯諧振電路之橫向電感器L2和橫向電感器L3之間設有用於增強兩者之感應耦合之短路用導體63。短路用導體63作為對橫向電感器L2之接地導體側之第2端SB和橫向電感器L3之接地導體側之第2端SB之間進行連接之線狀導體而形成。通過設置如此之短路用導體63，能增強橫向電感器L2和橫向電感器L3之間之感應耦合。該結構並不限於本實施方式，也可以在其他實施方式中採用。

圖11(B)是舉例所示高頻零件61中之濾波特性之圖。

如上所述，高頻零件61通過設置短路用導體63，能增強橫向電感器L2和橫向電感器L3之間之感應耦合。因此，在該高頻零件61中，相比前述之實施方式3所涉及之高頻零件，能更加擴大濾波特性(通頻帶特性)中之頻帶寬度。

此外，在前述之實施方式4所涉及之結構中，如果設置短路用導體來增強中間部分之並聯諧振電路之間之感應耦合，則同樣能擴大濾波特性(通頻帶特性)中之頻帶寬度。

接下來，對本發明之實施方式7所涉及之高頻零件71進行說明。實施方式7所涉及之高頻零件71是前述之實施方式3所涉及之高頻零件之變形例。

圖12(A)是高頻零件71之側剖面圖，表示與層疊體之正面及背面平行之面上之層疊體之截面。

高頻零件71與前述之實施方式3所涉及之高頻零件之不同之處在於，在構成中間部分之並聯諧振電路之橫向電感器L2和橫向電感器L3之間，為了抑制兩者之感應耦合而設置由平面導體形成之耦合用電容器C23。耦合用電容器C23通過在分別與橫向電感器L2之接地導體側之第2端SB、橫向電感器L3之接地導體側之第2端SB相連接之平面導體之間夾設絕緣層而構成。通過設置由如此之平面導體形成之耦合用電容器C23，能增大耦合用電容器C23之電容，相對於中間部分之並聯諧振電路彼此之間之耦合，能增強電容性之偏置。該結構並不限於本實施方式，也可以在其他實施方式中採用。

圖12(B)是舉例顯示高頻零件71中之濾波特性之圖。

如上所述，高頻零件71通過設置由平面導體形成之耦合用電容器C23，能增大耦合用電容器C23之電容，相對於中間部分之並聯諧振電路彼此之間之耦合，能增強電容性之偏置。因此，在該高頻零件71中，能使濾波特性(通頻帶特性)中之頻帶寬度相比前述之實施方式3所涉及之高頻零件之頻帶寬度更為狹窄。

此外，在前述之實施方式4所涉及之結構中，如果設置由平面導體形成之耦合用電容器來增強中間部分之並聯諧振電路之間之電容耦合，則也同樣能使濾波特性(通頻帶特性)中之頻帶寬度變得狹窄。

接下來，對本發明之實施方式8所涉及之高頻零件81進行說明。實施方式8所涉及之高頻零件81是前述之實施方式3所涉及之高頻零件之變形例。

圖13(A)是高頻零件81之等效電路圖。

高頻零件81在輸入部分之諧振電路LC1和輸出部分之諧振電路LC4之間設有跨接耦合用之電容器C14這方面與前述之實施方式3所涉及之高頻零件不同。通過設置如此之跨接耦合用之電容器C14，能增加衰減極點來設定濾波特性。該結構並不限於本實施方式，也可以在其他實施方式中採用。

圖13(B)是舉例所示高頻零件81中之濾波特性之圖。

如上所述，高頻零件81通過設置跨接耦合用之電容器C14，在濾波特性中，能在通頻帶之低頻側增加衰減極點，由此，能容易地實現所希望之通過特性。

此外，在前述之實施方式4所涉及之結構中，如果設置跨接耦合用之電容器，則也同樣能增加衰減極點，容易地實現所希望之通過特性。

接下來，對本發明之實施方式9所涉及之高頻零件91進行說明。實施方式9所涉及之高頻零件91是前述之實施方式3所涉及之高頻零件之變形例。

圖14是實施方式9所涉及之高頻零件91之分解俯視圖。與圖5相比較可知，圖5之形成在絕緣層32F上之導體圖案在圖14中由形成在絕緣層32F1及絕緣層32F2這兩層上之導體圖案構成，在上述兩層導體圖案中，相對之各個線狀導體彼此之間並聯連接。同樣地，圖5之形成在絕緣層32G上之導體圖案在圖14中由形成在絕緣層32G1及絕緣層32G2這兩層上之導體圖案構成，在上述兩層導體圖案中，相對之各個線狀導體彼此之間並聯連接。又，圖5之形成在絕緣層32H上之導體圖案係在圖14中由形成在絕緣層32H1及絕緣層32H2這兩層上之導體圖案構成，在上述兩層導體圖案中，相對之各個線狀導體彼此之間並聯連接。

如此在橫向電感器L1~L4中，各自之構成相同匝數並在層疊方向上接近之兩個線狀導體通過層間連接導體並聯連接，因此，通過使構成橫向電感器之線狀導體多層化，由此，能增加線狀導體之實際截面積，降低佈線電阻。由此，能提高橫向電感器L1~L4各自構成之諧振電路LC1~LC4之Q值。

此外，也可以不使所有之線狀導體多層化，僅使其中任一個線狀導體多層化。又，使線狀導體多層化之結構並不限於本實施方式，也可以在其他實施方式中採用。總之，能增加線狀導體之實際截面積來降低佈線電阻，因此，能提高橫向電感器所構成之並聯諧振電路之Q值。

接下來，對本發明之實施方式10所涉及之高頻零件101進行說明。實施方式10所涉及之高頻零件101是前述之實施方式3所涉及之高頻零件之變形例。

圖15是實施方式10所涉及之高頻零件101之分解俯視圖。

高頻零件101具備電感器L0、L5。電感器L0、L5由在絕緣體層102G之表面上進行多次環繞而螺旋狀設置之線狀導體構成。在圖4所示之等效電路中，電感器L0串聯連接在輸入端子P1和諧振電路LC1之間。在圖4所示之等效電路中，電感器L5係串聯連接在輸出端子P2和諧振電路LC4之間。在圖15中，僅表示了與電感器L0、L5相連接之通孔導體，對其它通孔導體省略了表示。對於由其它通孔導體形成之佈線結構，與前述之實施方式3所涉及之高頻零件(圖5)相同。此等電感器L0、L5實現經由輸入輸出端子P1、P2之感應性之外部耦合。

電感器L0、L5也可以配置在橫向電感器L1~L4之捲繞範圍之外側，但此處配置在橫向電感器L1~L4之捲繞範圍之內側。由此，在橫向電感器L1~L4之捲繞範圍之外側不需要用於設置電感器L0、L5之設置空間，能使層疊體小型地構成。

此外，不僅電感器L0、L5那樣的、經由輸入輸出端子P1、P2實現感應性之外部耦合之電感器，還可以將用於實現電容性之外部耦合之電容器、使並聯諧振電路之間進行電容耦合之耦合用電容器、強化並聯諧振電路之間之感應耦合之耦合用電感器等配置在橫向電感器L1~L4之捲繞範圍之內側。

又，將其它電感器、電容器配置在橫向電感器之捲繞範圍之內側之結構並不限於本實施方式，也可以在其他實施方式中採用。總之，在橫向電感器L1~L4之捲繞範圍之外側不需要用於設置此等電感器、電容器之設置空間，能使層疊體小型地構成。

此外，本發明之高頻零件並不限於上述各實施方式中所示之諧振電路之階數，也可以由更多之諧振電路、或更少之諧振電路構成。又，作為高頻零件，除了構成帶通濾波器以外，也可以構成高通濾波器、低通濾波器、帶阻濾波器等，只要具備至少一個LC諧振電路，可以設置任意之電路結構。又，在上述任一實施方式中，諧振電路與輸入輸出端子之外部耦合也可以通過經由電感器之感應耦合來實現，或者通過經由電容器之電容耦合來實現，或者通過利用直接佈線之抽頭耦合來實現。又，較佳為採用至少實現一個緊耦合或鬆耦合之配置，多階LC諧振電路之感應耦合中之耦合度之組合並不限於上述情況。又，感應耦合既可以是正耦合也可以是負耦合，多階LC諧振電路之感應耦合中的正耦合與負耦合之組合也不限於上述情況。

此外，在構成至少包含輸入輸出部分和中間部分之多階LC 諧振電路之情況下，較佳為使構成中間部分之LC諧振電路之橫向電感器之線狀導體之寬度比構成輸入輸出部分之LC諧振電路之橫向電感器之線狀導體之寬度要寬，從而成為低電阻。由此，尤其能提高形成在中間部分之橫向電感器之Q值，較大地改善插入損耗。

11‧‧‧高頻零件

12‧‧‧層疊體

13A、13B‧‧‧輸入輸出端子

13C‧‧‧接地端子

14A、14B‧‧‧橫向電感器

15A、15B‧‧‧電容器

18A、18B‧‧‧平面導體

19‧‧‧接地導體

161A、162A、163A、164A、165A、161B、162B、163B、164B、165B‧‧‧線狀導體

171A、172A、173A、174A、175A、176A、171B、172B、173B、174B、175B、176B‧‧‧連接導體

SA‧‧‧第1端

CA‧‧‧捲繞軸

Claims

一種高頻零件，該高頻零件包括：層疊體，該層疊體通過將複數個絕緣層進行層疊而構成；平面導體，該平面導體沿著所述絕緣層之表面擴展；線狀導體，該線狀導體沿著所述絕緣層之表面延伸；以及層間連接導體，該層間連接導體貫通所述絕緣層，其特徵在於，構成有橫向電感器，該橫向電感器具有第1端和第2端，並通過連接於所述第1端和所述第2端之間之所述線狀導體及所述層間連接導體將與所述層疊體之層疊方向正交之方向作為捲繞軸方向，通過與所述橫向電感器之第1端相連接之第1平面導體、與所述橫向電感器之第2端相連接之第2平面導體、以及夾設在所述第1平面導體和所述第2平面導體之間之所述絕緣層構成電容器，所述橫向電感器呈沿著所述捲繞軸方向捲繞至少多於一匝之螺旋狀。
如申請專利範圍第1項之高頻零件，其特徵在於，由所述橫向電感器及所述電容器形成之LC諧振電路構成有複數個，複數個LC諧振電路各自之橫向電感器之所述捲繞軸方向相互平行，在所述捲繞軸方向觀察時，由所述線狀導體和所述層間連接導體形成之捲繞範圍至少一部分重合。
如申請專利範圍第2項之高頻零件，其特徵在於，具備形成在所述層疊體之外表面之輸入輸出端子及接地端子，在所述捲繞軸方向上相鄰之至少一組所述橫向電感器各自之第1端與所述輸入輸出端子相連接，各自之第2端與所述接地端子相連接，在所述層疊體之內部，所述第2端彼此接近。
如申請專利範圍第2項之高頻零件，其特徵在於，具備形成在所述層疊體之外表面之輸入輸出端子及接地端子，在所述捲繞軸方向上相鄰之至少一組所述橫向電感器各自之第1端與所述輸入輸出端子相連接，各自之第2端與所述接地端子相連接，在所述層疊體之內部，所述第1端彼此接近。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之高頻零件，其特徵在於，所述第1平面導體或所述第2平面導體設置在與作為所述橫向電感器之一部分之所述線狀導體相同之絕緣層表面上。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之高頻零件，其特徵在於，所述第2平面導體是與所述接地端子導通之接地導體，並設置在與所述橫向電感器相對之位置上，所述第1平面導體設置在所述層疊體內之所述橫向電感器與所述第2平面導體之間。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之高頻零件，其特徵在於，所述高頻零件還具備使所述複數個LC諧振電路之間或所述輸入輸出端子與所述LC諧振電路之間進行耦合之耦合用電感器或耦合用電容器。
如申請專利範圍第7項之高頻零件，其特徵在於，在所述捲繞軸方向觀察時，所述耦合用電容器或所述耦合用電感器設置在所述橫向電感器之捲繞範圍之內側。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之高頻零件，其特徵在於，作為所述橫向電感器之一部分之所述線狀導體形成在複數個絕緣層上之、在所述層疊體之層疊方向觀察時相重合之位置上，複數個所述線狀導體通過所述層間連接導體並聯連接。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之高頻零件，其特徵在於，位於所述第1平面導體及所述第2平面導體之間之絕緣層之相對介電常數比其它絕緣層要大。