JP5821914B2

JP5821914B2 - 高周波部品

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Inventors: 光利今村
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Filing date: 2013-08-28
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Description

この発明は、絶縁層を積層した積層体の内部にＬＣ共振回路を構成した高周波部品に関するものである。

高周波部品として、積層体の内部にＬＣ共振回路を構成したものが利用されている。このような高周波部品は、積層体を小型に構成しつつ、ＬＣ共振回路のＱ値を向上させることが期待される。

ＬＣ共振回路のインダクタは、積層体の内部でループ状の導体パターンで構成される場合があり、その場合には、ループ径を大きくすることで、ＬＣ共振回路のＱ値が改善されることが知られている。ただし、インダクタのループ径を大きくすると積層体の大型化が招かれるため、インダクタのループ径の大型化によってＬＣ共振回路のＱ値を改善することには限界があった。

そこで、インダクタとして、絶縁層の積層方向に直交する方向に延びる巻回軸を中心に、当該巻回軸に垂直な平面内で層間接続導体および線状導体をループ状に設けた横巻インダクタが構成されることがある（例えば特許文献１参照。）。横巻インダクタは、ループの一部が層間接続導体で構成されるため、全体を線状導体によって構成する場合に比べて低抵抗に構成することができる。したがって、このような横巻インダクタをＬＣ共振回路のインダクタとして利用することで、ＬＣ共振回路におけるＱ値を向上させることができる。

特開２０１１−２４４５０４号公報

しかしながら、横巻インダクタは、インダクタンスを稼ぐためにはループ径を大きくする必要があり、積層体の積層方向に形成される層間接続導体が長くなるため、積層体の低背化とインダクタンスの増大を両立させることが難しかった。特に、ＬＣ共振回路を低い周波数領域に対応させる場合には、横巻インダクタのインダクタンスをより大きくする必要があり、高周波部品の低背化が極めて困難であった。

そこで本発明の目的は、横巻インダクタを用いてＬＣ共振回路のＱ値を改善しても、積層体を厚くすることなくインダクタンスを増大させることができる、高周波部品を提供することにある。

この発明は、複数の絶縁層を積層した積層体と、前記絶縁層の表面に沿って拡がる平面導体と、前記絶縁層の表面に沿って延びる線状導体と、前記絶縁層を貫通する層間接続導体と、を備える高周波部品であって、第１端と第２端とを有し、前記第１端と前記第２端との間に接続される前記線状導体および前記層間接続導体により、前記積層体の積層方向と直交する方向を巻回軸方向とする横巻インダクタが構成され、前記横巻インダクタの第１端に接続される第１の平面導体と、前記横巻インダクタの第２端に接続される第２の平面導体と、前記第１の平面導体と前記第２の平面導体との間に介在する前記絶縁層とによりキャパシタが構成され、前記横巻インダクタは、前記巻回軸方向に沿って少なくとも１ターンより多く巻回された螺旋状であることを特徴とする。

以下、この発明では横巻インダクタの１ターンを、層間接続導体、線状導体、層間接続導体、線状導体をこの順番でループ状に接続して構成されるもの、または、線状導体、層間接続導体、線状導体、層間接続導体をこの順番でループ状に接続して構成されるものと定義する。

この構成では、積層体の内部に設けられる螺旋状の横巻インダクタを有するＬＣ共振回路を構成するため、ＬＣ共振回路においてＱ値を改善でき、その上、単一平面内のみで巻回するループのインダクタを構成する場合に比べて、積層体の積層方向の寸法を抑制できる。

前記横巻インダクタおよび前記キャパシタによるＬＣ共振回路が複数構成されており、複数のＬＣ共振回路それぞれの横巻インダクタは、前記巻回軸が互いに平行であり、前記巻回軸方向に視て、前記線状導体と前記層間接続導体とによる巻回範囲が少なくとも一部で重なっていることが好ましい。これにより、各横巻インダクタの巻回範囲が重なる面積や、巻回軸に沿った配置間隔を調整して、ＬＣ共振回路間の結合を調整することができ、フィルタ特性における減衰極や帯域幅を設定することが容易になる。

前記積層体の外面に設けられた入出力端子および接地端子を備え、前記巻回軸方向に隣接する少なくとも一組みの前記横巻インダクタは、それぞれの第１端が前記入出力端子側に接続され、それぞれの第２端が前記接地端子側に接続され、前記積層体の内部で前記第２端同士が近接されていてもよい。または、前記積層体の内部で前記第１端同士が近接されていてもよい。

横巻インダクタにおいては、巻回軸方向に隣接する一組みの横巻インダクタを、接地端子側の第２端同士で近接させると、横巻インダクタ間の磁界による結合度を強めることができる。また、一組みの横巻インダクタを、入出力端子側の第１端同士で近接させると、横巻インダクタ間の磁界による結合度を弱めることができる。したがって、積層体の内部での横巻インダクタの両端の向きを定めることによっても、横巻インダクタ間の結合度を設定することができる。

前記第１の平面導体または前記第２の平面導体は、前記横巻インダクタの一部である前記線状導体と同じ絶縁層表面に設けられていることが好ましい。この構成により、積層体における絶縁層の積層数を低減することができる。

前記第２の平面導体は、前記接地端子に導通する接地導体であって前記横巻インダクタに対向する位置に設けられており、前記第１の平面導体は、前記積層体内における前記横巻インダクタと前記第２の平面導体との間に設けられていることが好ましい。これにより、横巻インダクタと接地導体との間に発生する寄生容量を抑制できる。

前記高周波部品は、前記複数のＬＣ共振回路の間または前記入出力端子と前記ＬＣ共振回路との間を結合させる結合用インダクタまたは結合用キャパシタを更に備えることが好ましい。このことにより、複数段のＬＣ共振回路間の結合度の調整範囲を広げることができる。

前記結合用キャパシタまたは前記結合用インダクタは、前記巻回軸方向に視て、前記横巻インダクタの巻回範囲の内側に設けられていることが好ましい。これにより、積層体の更なる小型化や、横巻インダクタにおけるループ径の増大を図ることができる。

前記横巻インダクタの一部である前記線状導体は、前記積層体の積層方向に視て重なる位置で複数の絶縁層に形成されていて、これら複数の線状導体が前記層間接続導体により並列接続されていることが好ましい。これにより、横巻インダクタの線状導体が複層化され、線状導体の実効断面積が増大し、横巻インダクタは低抵抗化される。したがって、ＬＣ並列共振回路のＱ値をさらに高めることができる。

前記第１の平面導体および前記第２の平面導体の間に位置する絶縁層は、他の絶縁層よりも比誘電率が大きいことが好ましい。これにより、ＬＣ共振回路のキャパシタのキャパシタンスを大きくすることや、電極面積を低減してＬＣ共振回路のキャパシタと横巻インダクタとの間に発生する寄生容量を抑制できる。

この発明の高周波部品によれば、ＬＣ共振回路のインダクタを、螺旋状の横巻インダクタとして構成することにより、大きなインダクタンスを実現しながら、積層体の積層方向での寸法を抑制でき、また、ＬＣ共振回路におけるＱ値を改善できる。

本発明の第１の実施形態に係る高周波部品の等価回路図である。本発明の第１の実施形態に係る高周波部品の斜視図、等価斜視図、および側面断面図である。本発明の第２の実施形態の変形例に係る高周波部品の斜視図、等価斜視図、および側面断面図である。本発明の第３の実施形態に係る高周波部品の等価回路図である。本発明の第３の実施形態に係る高周波部品の分解斜視図である。本発明の第３の実施形態に係る高周波部品の模式的な斜視図および側面断面図である。本発明の第４の実施形態に係る高周波部品の分解斜視図である。本発明の第４の実施形態に係る高周波部品の模式的な斜視図および側面断面図である。本発明の第３および第４の実施形態に係る高周波部品のフィルタ特性図である。本発明の第５の実施形態に係る高周波部品の模式的な斜視図およびフィルタ特性図である。本発明の第６の実施形態に係る高周波部品の側面断面図およびフィルタ特性図である。本発明の第７の実施形態に係る高周波部品の側面断面図およびフィルタ特性図である。本発明の第８の実施形態に係る高周波部品の等価回路図およびフィルタ特性図である。本発明の第９の実施形態に係る高周波部品の分解斜視図である。本発明の第１０の実施形態に係る高周波部品の分解斜視図である。

以下、第１の実施形態に係る高周波部品について説明する。ここでは、通過帯域の高周波側および低周波側に阻止帯域を有するバンドパスフィルタ特性を有する高周波フィルタとして使用される高周波部品を例に説明する。

図１は、第１の実施形態に係る高周波部品１１の等価回路図である。高周波部品１１は、入出力端子Ｐ１，Ｐ２と、キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ１２と、インダクタＬ１，Ｌ２と、からなるバンドパスフィルタを構成している。

インダクタＬ１，Ｌ２は、入出力端子Ｐ１、Ｐ２に接続される第１端ＳＡと、接地端子に接続される第２端ＳＢとを有している。キャパシタＣ１は、インダクタＬ１と並列に接続され、インダクタＬ１とともに共振回路ＬＣ１を構成している。同様に、キャパシタＣ２は、インダクタＬ２と並列に接続され、インダクタＬ２とともに共振回路ＬＣ２を構成している。

共振回路ＬＣ１と共振回路ＬＣ２との間にはキャパシタＣ１２が接続されている。このキャパシタＣ１２は、共振回路ＬＣ１と共振回路ＬＣ２との間を容量結合させる結合用キャパシタである。また、共振回路ＬＣ１，ＬＣ２のインダクタＬ１，Ｌ２同士は誘導結合している。

また、共振回路ＬＣ１は、入力端子Ｐ１に対して直接接続されており、入力段の共振回路を構成している。共振回路ＬＣ２は、出力端子Ｐ２に対して直接接続されており、出力段の共振回路を構成している。以上の回路部分によって、入出力端子Ｐ１、Ｐ２間で２段の並列共振回路が結合するバンドパスフィルタが構成されている。

図２（Ａ）は、第１の実施形態に係る高周波部品１１の斜視図である。高周波部品１１は、直方体状の積層体１２を備えている。

以下の説明では、図２（Ａ）中に示す積層体１２の左手前側の面を正面と称し、積層体１２の右手奥側の面を背面と称し、積層体１２の右手前側の面を右側面と称し、積層体１２の左手奥側の面を左側面と称する。

積層体１２は、下面および上面に垂直な方向を積層方向として、複数の絶縁層を積層して構成されている。なお、積層体１２の絶縁層は、例えば、熱可塑性樹脂などの樹脂材や、低温焼結セラミックスなどのセラミック材により構成される。

積層体１２の外面には、入出力端子１３Ａ，１３Ｂと接地端子１３Ｃとが設けられている。入出力端子１３Ａは、図１における入力端子Ｐ１に相当し、積層体１２の上面から左側面を経由して下面まで延びている。入出力端子１３Ｂは、図１における出力端子Ｐ２に相当し、積層体１２の上面から右側面を経由して下面まで延びている。接地端子１３Ｃは、積層体１２の下面に設けられている。

図２（Ｂ）は、第１の実施形態に係る高周波部品１１の透過斜視図である。

積層体１２の内部には、絶縁層の積層方向に直交する方向に延びる線状導体１６１Ａ，１６２Ａ，１６３Ａ，１６４Ａ，１６５Ａ，１６１Ｂ，１６２Ｂ，１６３Ｂ，１６４Ｂ，１６５Ｂと、絶縁層の面方向に広がる平面導体１８Ａ，１８Ｂ，１９とが形成されている。線状導体１６１Ａ〜１６５Ａ，１６１Ｂ〜１６５Ｂおよび平面導体１８Ａ，１８Ｂ，１９は、例えば、印刷形成された導電ペーストの焼成体や、フォトリソグラフィプロセスによりパターニングされた銅箔などからなる。

また、積層体１２を構成する絶縁層には、各絶縁層を積層方向に貫通する層間接続導体１７１Ａ，１７２Ａ，１７３Ａ，１７４Ａ，１７５Ａ，１７６Ａ，１７１Ｂ，１７２Ｂ，１７３Ｂ，１７４Ｂ，１７５Ｂ，１７６Ｂが形成されている。層間接続導体１７１Ａ〜１７６Ａ，１７１Ｂ〜１７６Ｂは、例えば、各絶縁層にビアホールを設け、ビアホール内に導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを焼結して形成されている。

そして、積層体１２の内部には、線状導体１６１Ａ〜１６５Ａおよび層間接続導体１７１Ａ〜１７６Ａからなる横巻インダクタ１４Ａと、線状導体１６１Ｂ〜１６５Ｂおよび層間接続導体１７１Ｂ〜１７６Ｂからなる横巻インダクタ１４Ｂと、平面導体１８Ａ，１９からなるキャパシタ１５Ａと、平面導体１８Ｂ，１９からなるキャパシタ１５Ｂと、が構成されている。

横巻インダクタ１４Ａは、図１におけるインダクタＬ１に相当し、積層体１２の内部で中心よりも左側面側に配されており、積層体１２の左側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体１２の中心側に位置する第２端ＳＢに掛けて、層間接続導体１７１Ａ、線状導体１６１Ａ、層間接続導体１７２Ａ、線状導体１６２Ａ、層間接続導体１７３Ａ、線状導体１６３Ａ、層間接続導体１７４Ａ、線状導体１６４Ａ、層間接続導体１７５Ａ、線状導体１６５Ａ、および層間接続導体１７６Ａを、この順に接続して構成されている。これにより、横巻インダクタ１４Ａは、積層体１２の積層方向に対して直交する方向、ここでは、積層体１２の左側面と右側面との間を結ぶ方向に延びる巻回軸ＣＡを中心に、第１端ＳＡから第２端ＳＢにかけて巻回軸ＣＡに沿って進む右ねじ状（右螺旋状）に設けられている。

また、横巻インダクタ１４Ｂは、図１におけるインダクタＬ２に相当し、積層体１２の内部の中心よりも右側面側に配されており、積層体１２の右側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体１２の中心側に位置する第２端ＳＢに掛けて、層間接続導体１７６Ｂ、線状導体１６５Ｂ、層間接続導体１７５Ｂ、線状導体１６４Ｂ、層間接続導体１７４Ｂ、線状導体１６３Ｂ、層間接続導体１７３Ｂ、線状導体１６２Ｂ、層間接続導体１７２Ｂ、線状導体１６１Ｂ、および層間接続導体１７１Ｂを、この順に接続して構成されている。これにより、横巻インダクタ１４Ｂは、巻回軸ＣＡを中心に、第１端ＳＡから第２端ＳＢにかけて巻回軸ＣＡに沿って進む左ねじ状（左螺旋状）に設けられている。

このように横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂは、は約２＋（３／４）ターン分の層間接続導体と線状導体とを接続して構成されている。横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂの１ターンは、２つの層間接続導体と２つの線状導体とをループ状に接続して構成されるものである。このように、横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂを、少なくとも１ターン分よりも多くの層間接続導体と線状導体とを接続して螺旋状に構成することにより、単一平面内のみで巻回するループ状に構成される場合に比べて、大きなインダクタンスを実現することができ、大きなインダクタンスを実現しても積層体１２の積層方向での寸法が増大することを抑制できる。

図２（Ｃ）は、積層体１２における横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂとキャパシタ１５Ａ，１５Ｂとの配置位置を示す断面図であり、積層体１２の正面および背面と平行な面での積層体１２の断面を示している。

キャパシタ１５Ａは、図１におけるキャパシタＣ１に相当し、第１の平面導体１８Ａと第２の平面導体１９とが絶縁層を介在した状態で対向して形成されている。第１の平面導体１８Ａは、横巻インダクタ１４Ａの下面側の線状導体１６２Ａ，１６４Ａと同一の層に設けられており、このため、積層体１２における絶縁層の積層数が低減されている。そして、第１の平面導体１８Ａは、横巻インダクタ１４Ａの左側面側に位置していて、横巻インダクタ１４Ａの左側面側の第１端ＳＡが接続され、且つ、積層体１２の左側面の入出力端子１３Ａに接続されている。

また、キャパシタ１５Ｂは、図１におけるキャパシタＣ２に相当し、第１の平面導体１８Ｂと第２の平面導体１９とが絶縁層を介在した状態で対向して形成されている。第１の平面導体１８Ｂは、横巻インダクタ１４Ｂの下面側の線状導体１６２Ｂ，１６４Ｂと同一の層に設けられており、このため、積層体１２における絶縁層の積層数が低減されている。そして、第１の平面導体１８Ｂは、横巻インダクタ１４Ｂの右側面側に位置していて、横巻インダクタ１４Ｂの右側面側の第１端ＳＡが接続され、且つ、積層体１２の右側面の入出力端子１３Ｂに接続されている。

第２の平面導体（接地導体）１９は、図示していない層間接続導体を介して積層体１２の下面の接地端子１３Ｃに接続している。接地導体１９は、積層体１２の横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂよりも下面側に設けられており、積層体１２を上面側から視て横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂおよびキャパシタ１５Ａ，１５Ｂの平面導体１８Ａ，１８Ｂに重なっている。このため、高周波部品１１が実装される外部基板側の導体パターンなどが、高周波部品１１の内部の導体パターンに結合して、高周波部品１１のフィルタ特性に影響が及ぶことを防ぐことができる。また、接地導体１９を、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂを構成する第２の平面導体としているため、積層体１２における絶縁層の積層数が低減されている。この接地導体１９には、積層体１２における横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとの間の中心付近で、横巻インダクタ１４Ａの右側面側（積層体中心側）の第２端ＳＢと横巻インダクタ１４Ｂの左側面側（積層体中心側）の第２端ＳＢとがそれぞれ接続されている。

また、図１における容量結合用のキャパシタＣ１２は、横巻インダクタ１４Ａの線状導体および層間接続導体と、横巻インダクタ１４Ｂの線状導体および層間接続導体とが、巻回軸ＣＡに沿って対向することで生じる容量により構成されている。

この積層体１２を巻回軸ＣＡに沿って透視した場合に、横巻インダクタ１４Ａの巻回範囲と、横巻インダクタ１４Ｂの巻回範囲とは、互いに重なるように配置されている。なお、各巻回範囲は全面が重なっていても、一部が重なっていてもよい。

そして、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとにおいて、それぞれの線状導体や層間接続導体が巻回軸ＣＡに沿って対向する組ごとに、入出力端子１３Ａ，１３Ｂ側から接地導体１９側に向かう方向（図２（Ｂ）中に矢印で示す信号の伝搬方向）が一致している。このように信号の伝搬方向が一致する２つの横巻インダクタが隣接配置されていると、それぞれの巻回範囲に発生する磁束の向きが一致し、互いの磁束が強めあう向きに誘導結合（正結合）することになる。

また、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとは、それぞれの接地導体１９側に接続される第２端ＳＢ同士を積層体１２の中心付近で近接させているので、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとで第１端ＳＡと第２端ＳＢとを近接させる場合よりも、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとの間の誘導結合は強くなる。

なお、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとの一方が、図２（Ｂ）中に矢印で示す信号の伝搬方向が逆向きになるように巻回されていてもよい。この場合には、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとのそれぞれで、巻回範囲に発生する磁束の向きが逆になるため、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとの間は、互いの磁束が弱めあう向きに誘導結合（負結合）することになる。この場合にも、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとで、接地導体１９側の第２端ＳＢ同士を近接させることで、負結合の結合度を高めることができる。

以上の構成の高周波部品１１においては、共振回路ＬＣ１と共振回路ＬＣ２との間での誘導結合の結合度が高いバンドパスフィルタを構成することができる。そして、層間接続導体を含む横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂを用いて共振回路ＬＣ１，ＬＣ２を構成するために、バンドパスフィルタのフィルタ特性（通過帯域特性）をＱ値の高いものにできる。そして螺旋状の横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂを用いているために、横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂで大きなインダクタンスを実現しても、積層体１２の積層方向の寸法を抑制できる。

また、積層体１２においては、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂの平面導体間に位置する絶縁層（図２（Ｃ）においてドット表示する絶縁層）は、他の絶縁層よりも比誘電率を高いものにしている。すなわち、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂにおいて、２つの平面導体の間の比誘電率を高くしている。このため、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂを構成する平面導体の対向面積を抑制しながらキャパシタンスを大きくすることができ、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂと横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂとの間に発生する寄生容量を抑制できる。

次に、第２の実施形態に係る高周波部品２１について説明する。第２の実施形態に係る高周波部品２１は、先の第１の実施形態に係る高周波部品の変形例である。図３（Ａ）は、第２の実施形態に係る高周波部品２１の斜視図である。図３（Ｂ）は、第２の実施形態に係る高周波部品２１の透過斜視図である。

高周波部品２１は、直方体状の積層体２２を備えている。積層体２２の外面には、入出力端子２３Ａ，２３Ｂと接地端子２３Ｃとが設けられている。積層体２２、入出力端子２３Ａ，２３Ｂ、接地端子２３Ｃは、それぞれ、第１の実施形態に係る積層体、入出力端子、接地端子と同様な構成である。積層体２２の内部には、線状導体および層間接続導体からなる横巻インダクタ２４Ａ，２４Ｂと、平面導体からなるキャパシタ２５Ａ，２５Ｂと、が構成されている。

横巻インダクタ２４Ａは、積層体２２の内部で中心よりも左側面側に配されており、積層体２２の中心側に位置する第１端ＳＡから、積層体２２の左側面側に位置する第２端ＳＢに掛けて、左ねじ状（左螺旋状）に設けられている。横巻インダクタ２４Ｂは、積層体２２の内部の中心よりも右側面側に配されており、積層体２２の中心側に位置する第１端ＳＡから、積層体２２の右側面側に位置する第２端ＳＢに掛けて右ねじ状（右螺旋状）に設けられている。横巻インダクタ２４Ａ，２４Ｂそれぞれは、ここでは約２＋（３／４）ターン分の層間接続導体と線状導体とを接続して構成されている。横巻インダクタ２４Ａ，２４Ｂの１ターンは、２つの層間接続導体と２つの線状導体とをループ状に接続して構成されるものである。

図３（Ｃ）は、積層体２２における横巻インダクタ２４Ａ，２４Ｂとキャパシタ２５Ａ，２５Ｂとの配置位置を示す断面図であり、積層体２２の正面および背面と平行な面での積層体２２の断面を示している。

キャパシタ２５Ａ，２５Ｂそれぞれは、横巻インダクタ２４Ａと横巻インダクタ２４Ｂとの間に設けられている。具体的には、キャパシタ２５Ａは、横巻インダクタ２４Ａの右側面側に配されている。キャパシタ２５Ｂは、横巻インダクタ２４Ｂの左側面側に配されている。そして、キャパシタ２５Ａを構成する第１の平面導体には、横巻インダクタ２４Ａの右側面側（積層体中心側）の第１端ＳＡが接続されており、キャパシタ２５Ａの第１の平面導体と同じ絶縁層表面を引き回される引出配線２５Ｃによって積層体２２の左側面まで引き回されて入出力端子２３Ａに接続されている。また、キャパシタ２５Ｂを構成する第１の平面導体は、横巻インダクタ２４Ｂの左側面側（積層体中心側）の第１端ＳＡが接続されており、キャパシタ２５Ｂの第１の平面導体と同じ絶縁層表面を引き回される引出配線２５Ｃによって積層体２２の右側面まで引き回されて入出力端子２３Ｂに接続されている。また、キャパシタ２５Ａ，２５Ｂを構成する第２の平面導体は、接地導体２９として構成されている。この接地導体２９には、積層体２２における左側面の近傍と右側面の近傍とのそれぞれで、横巻インダクタ２４Ａの左側面側の第２端ＳＢと横巻インダクタ２４Ｂの右側面側の第２端ＳＢとがそれぞれ接続されている。

この構成でも、積層体２２を左側面側や右側面側から巻回軸ＣＡに沿って透視した場合に、横巻インダクタ２４Ａの巻回範囲と横巻インダクタ２４Ｂの巻回範囲とは、互いに重なるように配置され、横巻インダクタ２４Ａと横巻インダクタ２４Ｂとは、互いの磁束が強めあう向きに誘導結合（正結合）している。

また、横巻インダクタ２４Ａと横巻インダクタ２４Ｂとは、それぞれの入出力端子２３Ａ，２３Ｂ側に接続される第１端ＳＡ同士を積層体２２の中心付近で近接させているので、横巻インダクタ２４Ａと横巻インダクタ２４Ｂとで第１端ＳＡと第２端ＳＢとを近接させる場合よりも、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとの間の誘導結合は弱くなる。

なお、この構成でも、横巻インダクタ２４Ａと横巻インダクタ２４Ｂとの一方を、図３（Ｂ）中に矢印で示す信号の伝搬方向が逆向きになるように巻回させて、横巻インダクタ２４Ａと横巻インダクタ２４Ｂとの間を、互いの磁束が弱めあう向きに誘導結合（負結合）させてもよい。横巻インダクタ２４Ａと横巻インダクタ２４Ｂとが負結合する場合にも、やはり、入出力端子２３Ａ，２３Ｂ側の第１端ＳＡ同士を近接させることで、負結合の結合度を低減することができる。

以上のように、２段の共振回路ＬＣ１，ＬＣ２を入出力端子間で結合させたバンドパスフィルタを構成してもよい。このようなバンドパスフィルタにおいては、横巻インダクタＬ１，Ｌ２の両端ＳＡ，ＳＢの向きを定めることによって、隣接する横巻インダクタＬ１，Ｌ２間の誘導結合の結合度を定めることができ、フィルタ回路における減衰極や帯域幅を容易に設定できる。

なお、以上の説明では、高周波部品に２段の共振回路ＬＣ１，ＬＣ２を構成する例を示したが、高周波部品に構成される共振回路は１段であってもよく、２段より多くてもよい。

次に、本発明の第３の実施形態に係る高周波部品３１について説明する。図４は、第３の実施形態に係る高周波部品３１の等価回路図である。高周波部品３１は、入出力端子Ｐ１，Ｐ２と、キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ１２，Ｃ２３，Ｃ３４と、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４と、からなるバンドパスフィルタを構成している。

インダクタＬ１〜Ｌ４は、入出力端子Ｐ１、Ｐ２側の第１端ＳＡと、接地端子側の第２端ＳＢとを有している。キャパシタＣ１は、インダクタＬ１と並列に接続され、インダクタＬ１とともに共振回路ＬＣ１を構成している。同様に、キャパシタＣ２は、インダクタＬ２と並列に接続され、インダクタＬ２とともに共振回路ＬＣ２を構成している。キャパシタＣ３は、インダクタＬ３と並列に接続され、インダクタＬ３とともに共振回路ＬＣ３を構成している。キャパシタＣ４は、インダクタＬ４と並列に接続され、インダクタＬ４とともに共振回路ＬＣ４を構成している。

共振回路ＬＣ１と共振回路ＬＣ２との間にはキャパシタＣ１２が接続されている。同様に、共振回路ＬＣ２と共振回路ＬＣ３との間にはキャパシタＣ２３が接続されている。共振回路ＬＣ３と共振回路ＬＣ４との間にはキャパシタＣ３４が接続されている。これらのキャパシタＣ１２，Ｃ２３，Ｃ３４は、共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４との間を容量結合させる結合用キャパシタである。

また、共振回路ＬＣ１，ＬＣ２のインダクタＬ１，Ｌ２同士は誘導結合している。同様に、共振回路ＬＣ２，ＬＣ３のインダクタＬ２，Ｌ３同士も誘導結合している。共振回路ＬＣ３，ＬＣ４のインダクタＬ３，Ｌ４同士も誘導結合している。

また、共振回路ＬＣ１は、入力端子Ｐ１に対して直接接続されており、入力段の共振回路を構成している。共振回路ＬＣ４は、出力端子Ｐ２に対して直接接続されており、出力段の共振回路を構成している。共振回路ＬＣ２，ＬＣ３は、共振回路ＬＣ１と共振回路ＬＣ４との間に結合しており、それぞれ中間段の共振回路を構成している。

以上の回路部分によって、入出力端子Ｐ１、Ｐ２間に４段の並列共振回路が結合するバンドパスフィルタが構成されている。

図５は、第３の実施形態に係る高周波部品３１の分解斜視図である。以下の説明では、図５中に示す絶縁層の左手前側の面を左側面と称し、絶縁層の右手奥側の面を右側面と称し、絶縁層の右手前側の面を正面と称し、絶縁層の左手奥側の面を背面と称しする。

高周波部品３１は、互いに積層されることで直方体状の積層体を構成する絶縁層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅ，３２Ｆ，３２Ｇ，３２Ｈ，３２Ｊを備えている。絶縁層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅ，３２Ｆ，３２Ｇ，３２Ｈ，３２Ｊは、この順に、積層体３２の下面側から上面側にかけて積層される。各絶縁層３２Ａ〜３２Ｊの表面には、平面導体や線状導体が設けられ、異なる層に設けられる導体間の接続は、両導体の間に設けられる層間接続導体を介して実現される。絶縁層３２Ａ〜３２Ｊそれぞれの左側面および右側面には、図４に示した入出力端子Ｐ１，Ｐ２を構成する電極（符号不図示）の一部が形成されている。

絶縁層３２Ａは、積層体３２の下面に露出する絶縁層であり、下面側に平面導体３３Ａ，３４Ａ，３５Ａが左側面側から右側面側に掛けて順に形成されている。平面導体３３Ａは、図４に示した入出力端子Ｐ１を構成する電極の一部である。平面導体３４Ａは接地端子である。平面導体３５Ａは、図４に示した入出力端子Ｐ２を構成する電極の一部である。

絶縁層３２Ｂは、上面側に平面導体（接地導体）３３Ｂが形成されている。接地導体３３Ｂは、１つ下層の接地端子３４Ａに接続される。

絶縁層３２Ｃは、上面側に平面導体３３Ｃ，３４Ｃ，３５Ｃ，３６Ｃが左側面側から右側面側に掛けて順に形成されている。平面導体３３Ｃは、１つ下層の接地導体３３Ｂと対向してキャパシタＣ１を構成している。平面導体３４Ｃは、１つ下層の接地導体３３Ｂと対向してキャパシタＣ２を構成している。平面導体３５Ｃは、１つ下層の接地導体３３Ｂと対向してキャパシタＣ３を構成している。平面導体３６Ｃは、１つ下層の接地導体３３Ｂと対向してキャパシタＣ４を構成している。

絶縁層３２Ｄは、上面側に平面導体３３Ｄ，３４Ｄが左側面側から右側面側に掛けて順に形成されている。平面導体３３Ｄは、１つ下層の平面導体３３Ｃに接続されており、また、１つ下層の平面導体３４Ｃと対向して結合用キャパシタＣ１２の一部を構成している。平面導体３４Ｄは、１つ下層の平面導体３６Ｃに接続されており、また、１つ下層の平面導体３５Ｃと対向して結合用キャパシタＣ３４の一部を構成している。

絶縁層３２Ｅは、上面側に平面導体３３Ｅ，３４Ｅが左側面側から右側面側に掛けて順に形成されている。平面導体３３Ｅは、２つ下層の平面導体３４Ｃに接続されており、また、１つ下層の平面導体３３Ｄと対向して結合用キャパシタＣ１２の一部を構成している。平面導体３４Ｅは、２つ下層の平面導体３５Ｃに接続されており、また、１つ下層の平面導体３４Ｄと対向して結合用キャパシタＣ３４の一部を構成している。

第６層目の絶縁層３２Ｆは、上面側に線状導体３３１Ｆ，３３２Ｆ，３４１Ｆ，３４２Ｆ，３５１Ｆ，３５２Ｆ，３６１Ｆ，３６２Ｆが左側面側から右側面側に掛けて順に形成されている。

第７層目の絶縁層３２Ｇは、上面側に線状導体３３Ｇ，３４Ｇ，３５Ｇ，３６Ｇが左側面側から右側面側に掛けて順に形成されている。線状導体３３Ｇは、正面側の端部が、４つ下層の平面導体３３Ｃ、および、３つ下層の平面導体３３Ｄに接続されている。線状導体３４Ｇは、正面側の端部が、４つ下層の平面導体３４Ｃ、および、２つ下層の平面導体３３Ｅに接続されている。線状導体３５Ｇは、正面側の端部が、４つ下層の平面導体３５Ｃ、および、２つ下層の平面導体３４Ｅに接続されている。線状導体３６Ｇは、正面側の端部が、４つ下層の平面導体３６Ｃ、および、３つ下層の平面導体３４Ｄに接続されている。

第８層目の絶縁層３２Ｈは、上面側に線状導体３３１Ｈ，３３２Ｈ，３３３Ｈ，３４１Ｈ，３４２Ｈ，３４３Ｈ，３５１Ｈ，３５２Ｈ，３５３Ｈ，３６１Ｈ，３６２Ｈ，３６３Ｈが左側面側から右側面側に掛けて順に形成されている。

線状導体３３１Ｈは、正面側の端部が６つ下層の接地導体３３Ｂに接続されており、背面側の端部が２つ下層の線状導体３３１Ｆに接続されている。線状導体３３２Ｈは、正面側の端部が２つ下層の線状導体３３１Ｆに接続されており、背面側の端部が２つ下層の線状導体３３２Ｆに接続されている。線状導体３３３Ｈは、正面側の端部が２つ下層の線状導体３３２Ｆに接続されており、背面側の端部が１つ下層の線状導体３３Ｇに接続されている。これにより、線状導体３３１Ｈ〜３３３Ｈと線状導体３３１Ｆ，３３２Ｆと線状導体３３Ｇとが、層間接続導体とともに図４に示したインダクタ（横巻インダクタ）Ｌ１を構成している。

線状導体３４１Ｈは、正面側の端部が２つ下層の線状導体３４１Ｆに接続されており、背面側の端部が１つ下層の線状導体３４Ｇに接続されている。線状導体３４２Ｈは、正面側の端部が２つ下層の線状導体３４２Ｆに接続されており、背面側の端部が２つ下層の線状導体３４１Ｆに接続されている。線状導体３４３Ｈは、正面側の端部が６つ下層の接地導体３３Ｂに接続されており、背面側の端部が２つ下層の線状導体３４２Ｆに接続されている。これにより、線状導体３４１Ｈ〜３４３Ｈと線状導体３４１Ｆ，３４２Ｆと線状導体３４Ｇとが、層間接続導体とともに図４に示したインダクタ（横巻インダクタ）Ｌ２を構成している。

線状導体３５１Ｈは、正面側の端部が６つ下層の接地導体３３Ｂに接続されており、背面側の端部が２つ下層の線状導体３５１Ｆに接続されている。線状導体３５２Ｈは、正面側の端部が２つ下層の線状導体３５１Ｆに接続されており、背面側の端部が２つ下層の線状導体３５２Ｆに接続されている。線状導体３５３Ｈは、正面側の端部が２つ下層の線状導体３５２Ｆに接続されており、背面側の端部が１つ下層の線状導体３５Ｇに接続されている。これにより、線状導体３５１Ｈ〜３５３Ｈと線状導体３５１Ｆ，３５２Ｆと線状導体３５Ｇとが、層間接続導体とともに図４に示したインダクタ（横巻インダクタ）Ｌ３を構成している。

線状導体３６１Ｈは、正面側の端部が２つ下層の線状導体３６１Ｆに接続されており、背面側の端部が１つ下層の線状導体３６Ｇに接続されている。線状導体３６２Ｈは、正面側の端部が２つ下層の線状導体３６２Ｆに接続されており、背面側の端部が２つ下層の線状導体３６１Ｆに接続されている。線状導体３６３Ｈは、正面側の端部が６つ下層の接地導体３３Ｂに接続されており、背面側の端部が２つ下層の線状導体３６２Ｆに接続されている。これにより、線状導体３６１Ｈ〜３６３Ｈと線状導体３６１Ｆ，３６２Ｆと線状導体３６Ｇとが、層間接続導体とともに図４に示したインダクタ（横巻インダクタ）Ｌ４を構成している。

第９層目の絶縁層３２Ｊは、積層体３２の上面に露出する絶縁層であり、上面側に平面導体３３Ｊ，３４Ｊが左側面側から右側面側に掛けて順に形成されている。平面導体３３Ｊは、図４に示した入出力端子Ｐ１を構成する電極の一部である。平面導体３４Ｊは、図４に示した入出力端子Ｐ２を構成する電極の一部である。

図６（Ａ）は、高周波部品３１において、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の第２端ＳＢから第１端ＳＡに掛けて、層間接続導体および線状導体が延びる方向を模式的に示す斜視図である。横巻インダクタＬ１は、積層体３２の右側面側（積層体中心側）に位置する第１端ＳＡから、積層体３２の左側面側に位置する第２端ＳＢに掛けて左ねじ状（左螺旋状）に構成されている。横巻インダクタＬ２は、積層体３２の左側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体３２の右側面側（積層体中心側）に位置する第２端ＳＢに掛けて右ねじ状（右螺旋状）に構成されている。横巻インダクタＬ３は、積層体３２の右側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体３２の左側面側（積層体中心側）に位置する第２端ＳＢに掛けて左ねじ状（左螺旋状）に構成されている。横巻インダクタＬ４は、積層体３２の左側面側（積層体中心側）に位置する第１端ＳＡから、積層体３２の右側面側に位置する第２端ＳＢに掛けて右ねじ状（右螺旋状）に構成されている。

図６（Ｂ）は、高周波部品３１の断面図であり、積層体３２の正面および背面と平行な面での積層体３２の断面を示している。

キャパシタＣ１は、積層体３２の内部で横巻インダクタＬ１の下面側に配置されており、第１の平面導体が積層体３２の左側面の入出力端子Ｐ１に接続されている。横巻インダクタＬ１は、右側面側の第１端ＳＡでキャパシタＣ１，Ｃ１２および入出力端子Ｐ１に接続され、左側面側の第２端ＳＢで接地導体３３Ｂに直接接続されている。

キャパシタＣ２は、積層体３２の内部で横巻インダクタＬ２の下面側に配置されている。横巻インダクタＬ２は、左側面側の第１端ＳＡでキャパシタＣ２，Ｃ１２に接続され、右側面側の第２端ＳＢで接地導体３３Ｂに直接接続されている。

キャパシタＣ３は、積層体３２の内部で横巻インダクタＬ３の下面側に配置されている。横巻インダクタＬ３は、右側面側の第１端ＳＡでキャパシタＣ３，Ｃ３４に接続され、左側面側の第２端ＳＢで接地導体３３Ｂに直接接続されている。

キャパシタＣ４は、積層体３２の内部で横巻インダクタＬ４の下面側に配置されており、第１の平面導体が積層体３２の右側面の入出力端子Ｐ２に接続されている。横巻インダクタＬ４は、左側面側の第１端ＳＡでキャパシタＣ４，Ｃ３４および入出力端子Ｐ２に接続され、右側面側の第２端ＳＢで接地導体３３Ｂに直接接続されている。

また、結合用キャパシタＣ２３は、横巻インダクタＬ２，Ｌ３が巻回軸ＣＡに沿って近接し、横巻インダクタＬ２の線状導体および層間接続導体と、横巻インダクタＬ３の線状導体および層間接続導体とが対向することにより発生する容量によって構成されている。

この構成でも、積層体３２を左側面側や右側面側から巻回軸ＣＡに沿って透視した場合に、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の巻回範囲は互いに重なるように配置されている。そして、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４は、入出力端子Ｐ１，Ｐ２側の第１端ＳＡから、接地導体側の第２端ＳＢに掛けて、線状導体および層間接続導体が延びる方向が同方向になるように巻回されて、互いの磁束が強めあう向きに誘導結合（正結合）している。

そして、横巻インダクタＬ１と横巻インダクタＬ２とは、それぞれの入出力端子Ｐ１，Ｐ２側の第１端ＳＡ同士を近接させている。また、横巻インダクタＬ３と横巻インダクタＬ４も、それぞれの入出力端子Ｐ１，Ｐ２側の第１端ＳＡ同士を近接させている。一方、横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３とは、それぞれの接地導体３３Ｂ側の第２端ＳＢ同士を近接させている。このため、横巻インダクタＬ１と横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３と横巻インダクタＬ４とのうち、隣接する横巻インダクタの間の誘導結合は、横巻インダクタＬ１側から横巻インダクタＬ４側に掛けて、順に、結合度の低い粗結合、結合度の高い密結合、結合度の低い粗結合となる。

以上の構成の高周波部品３１においても、共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４のインダクタとして、層間接続導体を含む横巻インダクタＬ１〜Ｌ４を構成しているため、バンドパスフィルタのフィルタ特性（通過帯域特性）をＱ値の高いものにできる。そして、螺旋状の横巻インダクタＬ１〜Ｌ４を用いているために、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４で大きなインダクタンスを実現しても、積層体３２の積層方向での寸法を抑制できる。

なお、上述の構成では、キャパシタＣ１〜Ｃ４を構成する第２の平面導体は、共通の接地導体３３Ｂとして構成しているため、積層体３２における絶縁層の積層数を低減できる。また、キャパシタＣ１〜Ｃ４を構成する第１の平面導体を、接地導体３３Ｂと横巻インダクタＬ１〜Ｌ４との間に配置しているため、接地導体３３Ｂと横巻インダクタＬ１〜Ｌ４との間の間隔を稼ぎ、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４それぞれを含む共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４におけるＱ値をさらに向上させることができる。

次に、第４の実施形態に係る高周波部品４１について説明する。第４の実施形態に係る高周波部品４１は、先の第３の実施形態に係る高周波部品の変形例である。

図７は、第４の実施形態に係る高周波部品４１の分解斜視図である。図８（Ａ）は、高周波部品４１において、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の第２端ＳＢから第１端ＳＡに掛けて、層間接続導体および線状導体が延びる方向を模式的に示す斜視図である。図８（Ｂ）は、高周波部品４１の断面図であり、積層体４２の正面および背面と平行な面での積層体４２の断面を示している。

高周波部品４１は、図７に示すように、平面導体４４Ｃおよび平面導体４３Ｅの形状と、平面導体４５Ｃおよび平面導体４４Ｅの形状が、先の第３の実施形態に係る形状と相違しており、それぞれの平面導体における層間接続導体との接続位置が、積層体４２の中心側に変更されている。

また、横巻インダクタＬ２を構成する線状導体４４１Ｆ，４４２Ｆ，４４Ｇ，４４１Ｈ，４４２Ｈ，４４３Ｈの形状と、横巻インダクタＬ３を構成する線状導体４５１Ｆ，４５２Ｆ，４５Ｇ，４５１Ｈ，４５２Ｈ，４５３Ｈの形状が、先の第３の実施形態に係る形状と相違している。具体的には、横巻インダクタＬ２は、積層体４２の右側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体４２の左側面側に位置する第２端ＳＢに掛けて左ねじ状（左螺旋状）に構成されている。また、横巻インダクタＬ３は、積層体４２の左側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体４２の右側面側に位置する第２端ＳＢに掛けて右ねじ状（右螺旋状）に構成されている。そして、横巻インダクタＬ２，Ｌ３の入出力端子Ｐ１，Ｐ２側の第１端ＳＡと、接地導体側の第２端ＳＢとを構成する層間接続導体の位置が交代させられている。

したがって、この構成でも、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４のうち隣接する各組の横巻インダクタ同士は、入出力端子Ｐ１，Ｐ２側の第１端ＳＡから、接地導体４３Ｂ側の第２端ＳＢに掛けて、線状導体および層間接続導体が延びる方向が同方向になるように巻回されて、互いの磁束が強めあう向きに誘導結合（正結合）している。

しかしながら、この高周波部品４１においては、横巻インダクタＬ１と横巻インダクタＬ２とは、横巻インダクタＬ１の第１端ＳＡと、横巻インダクタＬ２の第２端ＳＢとを近接させて配置されている。また、横巻インダクタＬ３と横巻インダクタＬ４も、横巻インダクタＬ４の第１端ＳＡと、横巻インダクタＬ３の第２端ＳＢとを近接させて配置されている。したがって、これらの横巻インダクタＬ１，Ｌ２間および横巻インダクタＬ３，Ｌ４間の誘導結合は、第２端ＳＢ同士を近接させた場合の密結合でも、第１端ＳＡ同士を近接させた場合の粗結合でもなく、密結合と粗結合との中間の強さの結合度（中間結合）となる。

一方、横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３とは、それぞれの入出力端子Ｐ１，Ｐ２側の第１端ＳＡ同士を近接させている。このため、横巻インダクタＬ２，Ｌ３間の誘導結合は粗結合となる。したがって、この高周波部品４１においては、横巻インダクタＬ１と横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３と横巻インダクタＬ４とのうち、隣接する横巻インダクタの間の誘導結合が、横巻インダクタＬ１側から横巻インダクタＬ４側に掛けて、順に、中間結合、粗結合、中間結合となる。

以上のように、４段の共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４を入出力端子Ｐ１、Ｐ２間で結合させたバンドパスフィルタを構成してもよい。このようなバンドパスフィルタにおいても、積層体の内部での横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の両端ＳＡ，ＳＢの向きを定めることによって、隣接する横巻インダクタＬ１〜Ｌ４間の誘導結合の結合度を定めることができ、フィルタ回路における減衰極や帯域幅を容易に調整できる。

次に、第３の実施形態に係る高周波部品３１と、第４の実施形態に係る高周波部品４１とのそれぞれのフィルタ特性（通過帯域特性）について説明する。

図９（Ａ）は、高周波部品３１におけるフィルタ特性を例示する図である。また、図９（Ｂ）は、高周波部品４１におけるフィルタ特性を例示する図である。

高周波部品３１は、前述のように、入出力段の共振回路ＬＣ１，ＬＣ４と、中間段の共振回路ＬＣ２，ＬＣ３との間での誘導結合を粗結合とし、中間段の共振回路ＬＣ２，ＬＣ３同士の誘導結合を密結合としたものである。この高周波部品３１のように、入出力段の並列共振回路と２段以上の中間段の並列共振回路とを含む、４段以上の並列共振回路を備えるバンドパスフィルタにおいては、中間段の並列共振回路同士の誘導結合を、密結合とすることで、フィルタ特性（通過帯域特性）における帯域幅を広くすることができる。

また、高周波部品４１は、入出力段の共振回路ＬＣ１，ＬＣ４と、中間段の共振回路ＬＣ２，ＬＣ３との間での誘導結合を密結合でも粗結合でもない中間結合とし、中間段の共振回路ＬＣ２，ＬＣ３同士の誘導結合を粗結合としたものである。この高周波部品４１のように、入出力段の並列共振回路と２段以上の中間段の並列共振回路とを含む、４段以上の並列共振回路を備えるバンドパスフィルタにおいては、中間段の並列共振回路同士の誘導結合を、粗結合とすることで、フィルタ特性（通過帯域特性）における帯域幅を狭くすることができる。

次に、本発明の第５の実施形態に係る高周波部品５１について説明する。第５の実施形態に係る高周波部品５１は、先の第３の実施形態に係る高周波部品の変形例である。

図１０（Ａ）は、高周波部品５１において、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の第２端ＳＢから第１端ＳＡに掛けて、層間接続導体および線状導体が延びる方向を模式的に示す斜視図である。

高周波部品５１は、入出力段の並列共振回路を構成する横巻インダクタＬ１と横巻インダクタＬ４とにおいて、入出力端子Ｐ１、Ｐ２側の第１端ＳＡの位置と、接地導体側の第２端ＳＢの位置とを、先の第３の実施形態に係る高周波部品と逆に構成したものである。

この構成では、横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３とは、図１０（Ａ）中に矢印で示すように第１端ＳＡ側から第２端ＳＢ側に線状導体および層間接続導体が延びる方向が同方向になるように巻回されて、互いの磁束が強めあう向きに誘導結合（正結合）している。また、横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３とは、第２端ＳＢ同士を近接させているために、横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３との間の誘導結合は結合度が高くなる。

一方、横巻インダクタＬ１と横巻インダクタＬ２とは、第１端ＳＡ側から第２端ＳＢ側に線状導体および層間接続導体が延びる方向が逆方向になるように巻回されて、互いの磁束が弱めあう向きに誘導結合（負結合）する。そして、横巻インダクタＬ１と横巻インダクタＬ２とは、横巻インダクタＬ１の第１端ＳＡと、横巻インダクタＬ２の第２端ＳＢとを近接させて配置されているため、密結合と粗結合との中間の強さの結合度で誘導結合（中間結合）する。同様に、横巻インダクタＬ４と横巻インダクタＬ３とは、第１端ＳＡ側から第２端ＳＢ側に線状導体および層間接続導体が延びる方向が逆方向になるように巻回されて、互いの磁束が弱めあう向きに誘導結合（負結合）する。そして、横巻インダクタＬ４と横巻インダクタＬ３とは、横巻インダクタＬ４の第１端ＳＡと、横巻インダクタＬ３の第２端ＳＢとを近接させて配置されているため、密結合と粗結合との中間の強さの結合度で誘導結合（中間結合）する。

図１０（Ｂ）は、高周波部品５１におけるフィルタ特性を例示する図である。

高周波部品５１は、前述のように、中間段の共振回路ＬＣ２，ＬＣ３同士の結合は変えずに、入出力段の共振回路ＬＣ１、ＬＣ４と中間段の共振回路ＬＣ２，ＬＣ３との間の誘導結合を負結合、且つ、中間結合としたものである。通常、４段以上の並列共振回路を備えるバンドパスフィルタにおいて通過帯域幅は、中間段の並列共振回路同士での誘導結合の結合度に大きな影響を受け、入出力段の並列共振回路と中間段の並列共振回路との間での誘導結合の結合度による影響は軽微である。したがって、高周波部品５１のフィルタ特性（通過帯域特性）における帯域幅は、先の第３の実施形態に係る高周波部品と大きく変わることが無い。

ただし、入出力段の並列共振回路と中間段の並列共振回路との間での誘導結合が正結合から負結合に変更されることで、入出力段の並列共振回路と中間段の並列共振回路との間での結合は、容量性のバイアスが強まる。このため、入出力段の並列共振回路と中間段の並列共振回路との間に設ける結合用キャパシタは、より小さなキャパシタンスでよい。このため、結合用キャパシタの電極面積を低減したり、入出力段の並列共振回路と中間段の並列共振回路との間に生じる容量だけで結合用キャパシタを実現したりすることができる。これにより、結合用キャパシタを設けるための製造工程や、積層体内部への設置スペースを削減して、高周波部品５１を小型で低廉なものにすることが可能になる。

なお、先の第４の実施形態に係る構成においても、同様に入出力段の並列共振回路を構成する共振インダクタの第１端ＳＡと第２端ＳＢとを入れ替えてもよい。この場合にも、同様に、フィルタ特性（通過帯域特性）における帯域幅を大きく変えること無く、入出力段の並列共振回路と中間段の並列共振回路との間の結合用キャパシタを、より小さなキャパシタンスにすることができる。

次に、本発明の第６の実施形態に係る高周波部品６１について説明する。第６の実施形態に係る高周波部品６１は、先の第３の実施形態に係る高周波部品の変形例である。

図１１（Ａ）は、高周波部品６１の側面断面図であり、積層体の正面および背面と平行な面での積層体の断面を示している。

高周波部品６１は、中間段の並列共振回路を構成する横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３との間に、両者の誘導結合を増強するための短絡用導体６３を設けた点で、先の第３の実施形態に係る高周波部品と相違している。短絡用導体６３は、横巻インダクタＬ２の接地導体側の第２端ＳＢと、横巻インダクタＬ３の接地導体側の第２端ＳＢとの間を接続する線状導体として形成されている。このような短絡用導体６３を設けることで、横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３との間の誘導結合を強めることができる。この構成は、本実施形態に限ること無く、他の実施形態においても採用することができる。

図１１（Ｂ）は、高周波部品６１におけるフィルタ特性を例示する図である。

高周波部品６１は、前述のように、短絡用導体６３を設けることで、横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３との間の誘導結合を強めたものである。したがって、この高周波部品６１では、フィルタ特性（通過帯域特性）における帯域幅を、先の第３の実施形態に係る高周波部品よりも広くすることができる。

なお、先の第４の実施形態に係る構成においても、短絡用導体を設けて中間段の並列共振回路間の誘導結合を強めれば、同様に、フィルタ特性（通過帯域特性）における帯域幅を広くすることができる。

次に、本発明の第７の実施形態に係る高周波部品７１について説明する。第７の実施形態に係る高周波部品７１は、先の第３の実施形態に係る高周波部品の変形例である。

図１２（Ａ）は、高周波部品７１の側面断面図であり、積層体の正面および背面と平行な面での積層体の断面を示している。

高周波部品７１は、中間段の並列共振回路を構成する横巻インダクタＬ２と横巻インダクタＬ３との間に、両者の誘導結合を抑制するために、平面導体による結合用キャパシタＣ２３を設けた点で、先の第３の実施形態に係る高周波部品と相違している。結合用キャパシタＣ２３は、横巻インダクタＬ２の接地導体側の第２端ＳＢと、横巻インダクタＬ３の接地導体側の第２端ＳＢとのそれぞれに接続された平面導体の間に絶縁層を介在させて構成している。このような平面導体による結合用キャパシタＣ２３を設けることで、結合用キャパシタＣ２３のキャパシタンスを大きくし、中間段の並列共振回路同士の結合に対して、容量性のバイアスを強めることができる。この構成は、本実施形態に限ること無く、他の実施形態においても採用することができる。

図１２（Ｂ）は、高周波部品７１におけるフィルタ特性を例示する図である。

高周波部品７１は、前述のように、平面導体による結合用キャパシタＣ２３を設けることで、結合用キャパシタＣ２３のキャパシタンスを大きくし、中間段の並列共振回路同士の結合に対して、容量性のバイアスを強めたものである。したがって、この高周波部品７１では、フィルタ特性（通過帯域特性）における帯域幅を、先の第３の実施形態に係る高周波部品よりも狭くすることができる。

なお、先の第４の実施形態に係る構成においても、平面導体による結合用キャパシタを設けて中間段の並列共振回路間の容量結合を強めれば、同様に、フィルタ特性（通過帯域特性）における帯域幅を狭くすることができる。

次に、本発明の第８の実施形態に係る高周波部品８１について説明する。第８の実施形態に係る高周波部品８１は、先の第３の実施形態に係る高周波部品の変形例である。

図１３（Ａ）は、高周波部品８１の等価回路図である。

高周波部品８１は、入力段の共振回路ＬＣ１と、出力段の共振回路ＬＣ４との間に、飛び結合用のキャパシタＣ１４を設けた点で、先の第３の実施形態に係る高周波部品と相違している。このような飛び結合用のキャパシタＣ１４を設けることで、減衰極を増やしてフィルタ特性を設定することが可能になる。この構成は、本実施形態に限ること無く、他の実施形態においても採用することができる。

図１３（Ｂ）は、高周波部品８１におけるフィルタ特性を例示する図である。

高周波部品８１は、前述のように、飛び結合用のキャパシタＣ１４を設けることで、フィルタ特性において、通過帯域の低周波数側に減衰極を増やし、これにより所望の通過特性を実現することを容易にしたものである。

なお、先の第４の実施形態に係る構成においても、飛び結合用のキャパシタを設ければ、同様に、減衰極を増やして、所望の通過特性を実現することが容易になる。

次に、本発明の第９の実施形態に係る高周波部品９１について説明する。第９の実施形態に係る高周波部品９１は、先の第３の実施形態に係る高周波部品の変形例である。

図１４は、第９の実施形態に係る高周波部品９１の分解平面図である。図５と比較すれば明らかなように、図５の絶縁層３２Ｆに形成された導体パターンは、図１３では絶縁層３２Ｆ１および絶縁層３２Ｆ２の２層に形成された導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。同様に、図５の絶縁層３２Ｇに形成された導体パターンは、図１３では絶縁層３２Ｇ１および絶縁層３２Ｇ２の２層に形成された導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。また、図５の絶縁層３２Ｈに形成された導体パターンは、図１３では絶縁層３２Ｈ１および絶縁層３２Ｈ２の２層に形成された導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。

このようにして、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４のそれぞれにおいて、同じターンを構成しつつ積層方向に近接する２つの線状導体が、層間接続導体により並列接続されているので、横巻インダクタを構成する線状導体が複層化されており、これによって、線状導体の実効断面積が増加し、配線抵抗が低下する。これにより、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４それぞれが構成する共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４のＱ値を高めることができる。

なお、すべての線状導体を複層化せずに、いずれかの線状導体のみを複層化するようにしてもよい。また、線状導体を複層化する構成は、本実施形態に限ること無く、他の実施形態においても採用することができる。いずれにしても、線状導体の実効断面積を増加させて配線抵抗を低下させることができるので、横巻インダクタが構成する並列共振回路のＱ値を高めることができる。

次に、本発明の第１０の実施形態に係る高周波部品１０１について説明する。第１０の実施形態に係る高周波部品１０１は、先の第３の実施形態に係る高周波部品の変形例である。

図１５は、第１０の実施形態に係る高周波部品１０１の分解平面図である。

高周波部品１０１は、インダクタＬ０，Ｌ５を備えている。インダクタＬ０，Ｌ５は、絶縁体層１０２Ｇの表面で複数回ループするヘリカル状に設けられた線状導体からなる。インダクタＬ０は、図４に示した等価回路において、入力端子Ｐ１と共振回路ＬＣ１との間に直列に接続されるものである。インダクタＬ５は、図４に示した等価回路において、出力端子Ｐ２と共振回路ＬＣ４との間に直列に接続されるものである。図１５においては、インダクタＬ０，Ｌ５に接続されるビア導体のみを表示しており、その他のビア導体については表示を省いている。その他のビア導体による配線構造については、先の第３の実施形態にかかる高周波部品（図５）と同様である。これらのインダクタＬ０，Ｌ５は、入出力端子Ｐ１、Ｐ２を介した誘導性の外部結合を実現するものである。

インダクタＬ０，Ｌ５は、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の巻回範囲の外側に配置することもできるが、ここでは、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の巻回範囲の内側に配置している。これにより、インダクタＬ０，Ｌ５を設けるための設置スペースが、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の巻回範囲の外側に不要になり、積層体を小型に構成することができる。

なお、インダクタＬ０，Ｌ５のような、入出力端子Ｐ１、Ｐ２を介した誘導性の外部結合を実現するものだけではなく、容量性の外部結合を実現するためのキャパシタや、並列共振回路間を容量結合させる結合用キャパシタ、並列共振回路間の誘導結合を強化する結合用インダクタなどを、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の巻回範囲の内側に配置してもよい。

また、横巻インダクタの巻回範囲の内側に他のインダクタやキャパシタを配置する構成は、本実施形態に限ること無く、他の実施形態においても採用することができる。いずれにしても、それらのインダクタやキャパシタを設けるための設置スペースが、横巻インダクタＬ１〜Ｌ４の巻回範囲の外側に不要になり、積層体を小型に構成することができる。

なお、本発明の高周波部品は、上述の各実施形態において示した共振回路の段数に限られるものでは無く、より多くの共振回路や、より少ない共振回路により構成されていてもよい。また、高周波部品としては、バンドパスフィルタを構成するものの他、ハイパスフィルタや、ローパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタなどを構成するものであってもよく、少なくとも１つのＬＣ共振回路を備えるならば、どのような回路構成を設けてもよい。また、上述のいずれの実施形態においても、共振回路と入出力端子との外部結合は、インダクタを介した誘導結合により実現してもよく、また、キャパシタを介した容量結合により実現してもよく、また、直接配線によるタップ結合により実現してもよい。さらには、少なくとも１つ、密結合または粗結合を実現するような配置を採用すれば好適であり、複数段のＬＣ共振回路の誘導結合における結合度の組み合わせは、上述したものに限られない。また、誘導結合が正結合であっても負結合であってもよく、複数段のＬＣ共振回路の誘導結合における正結合と負結合との組み合わせも、上述したものに限られない。

なお、少なくとも入出力段と中間段とを含む複数段のＬＣ共振回路を構成する場合には、中間段のＬＣ共振回路を構成する横巻インダクタは、入出力段のＬＣ共振回路を構成する横巻インダクタよりも線状導体の幅を広くして、低抵抗にすると好適である。このようにすれば、特に中間段に形成される横巻インダクタのＱ値を高めて、挿入損失を大きく改善することができる。

ＣＡ…巻回軸
ＳＡ，ＳＢ…端部
１１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１，９１，１０１…高周波部品
１２，２２，３２，４２…積層体
１３Ａ，１３Ｂ，２３Ａ，２３Ｂ…入出力端子
１３Ｃ，２３Ｃ，３４Ａ…接地端子
１４Ａ，１４Ｂ，２４Ａ，２４Ｂ…横巻インダクタ
１５Ａ，１５Ｂ，２５Ａ，２５Ｂ…キャパシタ
１９，２９，３３Ｂ，４３Ｂ…接地導体
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅ，３２Ｆ，３２Ｇ，３２Ｈ，３２Ｊ…絶縁層
６３…短絡用導体

Claims

複数の絶縁層を積層した積層体と、前記絶縁層の表面に沿って拡がる平面導体と、前記絶縁層の表面に沿って延びる線状導体と、前記絶縁層を貫通する層間接続導体と、前記積層体の外面に形成された入出力端子および接地端子と、を備える高周波部品であって、
第１端と第２端とを有し、前記第１端と前記第２端との間に接続される前記線状導体および前記層間接続導体により、前記積層体の積層方向と直交する方向を巻回軸方向とする横巻インダクタが構成され、
前記横巻インダクタの第１端に接続される第１の平面導体と、前記横巻インダクタの第２端に接続される第２の平面導体と、前記第１の平面導体と前記第２の平面導体との間に介在する前記絶縁層とによりキャパシタが構成され、
前記横巻インダクタは、前記巻回軸方向に沿って少なくとも１ターンより多く巻回された螺旋状であり、
前記横巻インダクタおよび前記キャパシタによるＬＣ共振回路が複数構成されており、複数のＬＣ共振回路それぞれの横巻インダクタは、前記巻回軸方向が互いに平行であり、前記巻回軸方向に視て、前記線状導体と前記層間接続導体とによる巻回範囲が少なくとも一部で重なり、
前記巻回軸方向に隣接する少なくとも一組の前記横巻インダクタは、それぞれの第１端が前記入出力端子に接続され、それぞれの第２端が前記接地端子に接続され、前記積層体の内部で前記第１端同士が近接されている、
高周波部品。
前記第１の平面導体または前記第２の平面導体は、前記横巻インダクタの一部である前記線状導体と同じ絶縁層表面に設けられている、
請求項１に記載の高周波部品。
前記第２の平面導体は、前記接地端子に導通する接地導体であって前記横巻きインダクタに対向する位置に設けられており、
前記第１の平面導体は、前記積層体内における前記横巻インダクタと前記第２の平面導体との間に設けられている、
請求項１に記載の高周波部品。
前記高周波部品は、前記複数のＬＣ共振回路の間または前記入出力端子と前記ＬＣ共振回路との間を結合させる結合用インダクタまたは結合用キャパシタを更に備える、
請求項１〜３のいずれかに記載の高周波部品。
前記結合用キャパシタまたは前記結合用インダクタは、前記巻回軸方向に視て、前記横巻インダクタの巻回範囲の内側に設けられている、請求項４に記載の高周波部品。
前記横巻インダクタの一部である前記線状導体は、前記積層体の積層方向に視て重なる位置で複数の絶縁層に形成されていて、これら複数の線状導体が前記層間接続導体により並列接続されている、
請求項１〜５のいずれかに記載の高周波部品。
前記第１の平面導体および前記第２の平面導体の間に位置する絶縁層は、他の絶縁層よりも比誘電率が大きい、
請求項１〜６のいずれかに記載の高周波部品。