TWI492446B - Electronic Parts - Google Patents

Description

電子零件

本發明係關於一種電子零件，更特定而言，係關於具備由複數個LC並聯諧振器構成之帶通濾波器之電子零件。

作為習知電子零件，例如，已知專利文獻1揭示之積層帶通濾波器。該積層帶通濾波器具備積層體及複數個LC並聯諧振器。積層體係複數個電介質層積層而構成。各LC並聯諧振器係藉由電容器電極與電感器電極構成。電感器電極係形成為環狀。此外，各LC並聯諧振器之環面彼此重疊。在上述積層帶通濾波器，由於環面彼此重疊，因此能提高相鄰之LC並聯諧振器之電感器電極間之耦合度，可謀求廣帶域化。

然而，在具備由複數個LC並聯諧振器構成之帶通濾波器之電子零件，會有為了獲得所欲特性而欲降低LC並聯諧振器之電感器電極間之耦合度之情形。在專利文獻1揭示之積層帶通濾波器，作為使相鄰之LC並聯諧振器間之耦合度下降之方法，可舉出使LC並聯諧振器間之距離增加。然而，若使LC並聯諧振器間之距離增加，則會有積層帶通濾波器大型化之問題。

專利文獻1：國際公開第2007/119356號小冊子

因此，本發明之目的在於提供一種不使元件大型化且能使LC並聯諧振器之線圈間之耦合度降低之電子零件。

本發明一形態之電子零件，具備：積層體，係藉由複數個絕緣體層積層而構成；環狀之第一LC並聯諧振器及第二LC並聯諧振器，係由在積層方向延伸之通孔導體及設在該絕緣體層上之導體層構成，且構成帶通濾波器；該第一LC並聯諧振器之第1環面與該第二LC並聯諧振器之第2環面在積層方向彼此平行，且從該第1環面之法線方向俯視時，在至少一部分彼此重疊；該第1環面在積層方向之上側及/或下側從該第2環面露出。

根據本發明，不使元件大型化且能調整LC並聯諧振器之線圈間之耦合度。

以下，說明本發明實施形態之電子零件。

(電子零件之構成)

以下，參照圖式說明本發明一實施形態之電子零件之構成。圖1係本發明實施形態之電子零件10之外觀立體圖。圖2係電子零件10之積層體12之分解立體圖。圖3係電子零件10之等效電路圖。圖1及圖2中，z軸方向表示積層方向。又，x軸方向表示沿著電子零件之長邊之方向，y軸方向表示沿著電子零件10之短邊之方向。

電子零件10，如圖1及圖2所示，具備積層體12、外部電極14(14a~14d)、LC並聯諧振器LC1~LC3及引出導體層20(20a,20b),28(28a,28b)。

積層體12，如圖2所示，係藉由由陶瓷電介質構成之絕緣體層16(16a~16g)積層而構成，呈長方體狀。又，積層體12內設LC並聯諧振器LC1~LC3。

外部電極14a，如圖1所示，係設在x軸方向之負方向側之側面，作為輸入電極使用。外部電極14b，係設在x軸方向之正方向側之側面，作為輸出電極使用。外部電極14c，係設在y軸方向之負方向側之側面，作為地電極使用。外部電極14d，係設在y軸方向之正方向側之側面，作為地電極使用。

絕緣體層16，如圖2所示，呈長方形狀，例如，藉由陶瓷電介質構成。絕緣體層16a~16g，在z軸方向依序排列積層。以下，將絕緣體層16之z軸方向之正方向側之面稱為表面，將絕緣體層16之z軸方向之負方向側之面稱為背面。

LC並聯諧振器LC1包含線圈L1及電容器C1。更詳細而言，LC並聯諧振器LC1係由通孔導體b1~b9、電容器導體層22a、線圈導體層24a及接地導體層26構成，呈環狀。

電容器C1係藉由電容器導體層22a及接地導體層26構成。接地導體層26為設在LC並聯諧振器LC1之z軸方向之最負方向側之導體層，設在絕緣體層16g之表面上。接地導體層26呈長方形狀，覆蓋絕緣體層16g之大致整面。電容器導體層22a為隔著絕緣體層16f與接地導體層26對向之導體層，設在絕緣體層16f之表面上。藉此，在電容器導體層22a與接地導體層26之間產生靜電容。電容器導體層22a呈在y軸方向具有長邊方向之長方形狀，設在較絕緣體層16f之對角線之交叉點更靠x軸方向之負方向側。

線圈L1係藉由通孔導體b1~b9及線圈導體層24a構成。通孔導體b1~b4分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16e。又，通孔導體b4之z軸方向之負方向側之端部係連接於電容器導體層22a。藉此，通孔導體b1~b4構成連接於電容器導體層22a且在z軸方向延伸之一條通孔導體。通孔導體b5~b9分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16f，設在較通孔導體b1~b4更靠y軸方向之正方向側。又，通孔導體b9之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層26。藉此，通孔導體b5~b9構成連接於接地導體層26且在z軸方向延伸之一條通孔導體。

線圈導體層24a為設在LC並聯諧振器LC1之z軸方向之最正方向側之導體層，設在絕緣體層16b之表面上。線圈導體層24a呈在y軸方向具有長邊方向之長方形狀，設在較絕緣體層16b之對角線之交叉點更靠x軸方向之負方向側。此外，線圈導體層24a係連接於由通孔導體b1~b4構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部與由通孔導體b5~b9構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部。亦即，通孔導體b1之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24a之y軸方向之負方向側之端部。通孔導體b5之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24a之y軸方向之正方向側之端部。

如此，線圈L1呈以通孔導體b4與電容器導體層22a之連接點為一端，經由通孔導體b1~b4、線圈導體層24a、通孔導體b5~b9而以通孔導體b9與接地導體層26為另一端之字型。

以上述方式構成之LC並聯諧振器LC1，形成與yz平面平行之環面S1。環面S1為由LC並聯諧振器LC1形成之長方形狀之假想平面。

LC並聯諧振器LC2包含線圈L2及電容器C2。更詳細而言，LC並聯諧振器LC2係由通孔導體b10~b16、電容器導體層22b、線圈導體層24b及接地導體層26構成，呈環狀。

電容器C2係藉由電容器導體層22b及接地導體層26構成。接地導體層26為設在LC並聯諧振器LC2之z軸方向之最負方向側之導體層，設在絕緣體層16g之表面上。接地導體層26呈長方形狀，覆蓋絕緣體層16g之大致整面。亦即，電容器C2之接地導體層26與電容器C1之接地導體層26共通，設在相同之絕緣體層16g之表面上。電容器導體層22b為隔著絕緣體層16f與接地導體層26對向之導體層，設在絕緣體層16f之表面上。藉此，在電容器導體層22b與接地導體層26之間產生靜電容。電容器導體層22b呈在y軸方向具有長邊方向之長方形狀，設在絕緣體層16f之對角線之交叉點上。

線圈L2係藉由通孔導體b10~b16及線圈導體層24b構成。通孔導體b10~b12分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16e。又，通孔導體b12之z軸方向之負方向側之端部係連接於電容器導體層22b。藉此，通孔導體b10~b12構成連接於電容器導體層22b且在z軸方向延伸之一條通孔導體。通孔導體b13~b16分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16f，設在較通孔導體b10~b12更靠y軸方向之正方向側。又，通孔導體b16之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層26。藉此，通孔導體b13~b16構成連接於接地導體層26且在z軸方向延伸之一條通孔導體。

線圈導體層24b為設在LC並聯諧振器LC2之z軸方向之最正方向側之導體層，設在絕緣體層16c之表面上。線圈導體層24b呈在y軸方向具有長邊方向之長方形狀，設在絕緣體層16c之對角線之交叉點上。此外，線圈導體層24b係連接於由通孔導體b10~b12構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部與由通孔導體b13~b16構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部。亦即，通孔導體b10之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24b之y軸方向之負方向側之端部。通孔導體b13之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24b之y軸方向之正方向側之端部。

如此，線圈L2呈以通孔導體b12與電容器導體層22b之連接點為一端，經由通孔導體b10~b12、線圈導體層24b、通孔導體b13~b16而以通孔導體b16與接地導體層26為另一端之字型。

以上述方式構成之LC並聯諧振器LC2，形成與yz平面平行之環面S2。環面S2為由LC並聯諧振器LC2形成之長方形狀之假想平面。

LC並聯諧振器LC3包含線圈L3及電容器C3。更詳細而言，LC並聯諧振器LC3係由通孔導體b17~b25、電容器導體層22c、線圈導體層24c及接地導體層26構成，呈環狀。

電容器C3係藉由電容器導體層22c及接地導體層26構成。接地導體層26為設在LC並聯諧振器LC3之z軸方向之最負方向側之導體層，設在絕緣體層16g之表面上。接地導體層26呈長方形狀，覆蓋絕緣體層16g之大致整面。亦即，電容器C3之接地導體層26與電容器C1,C2之接地導體層26共通，設在相同之絕緣體層16g之表面上。電容器導體層22c為隔著絕緣體層16f與接地導體層26對向之導體層，設在絕緣體層16f之表面上。藉此，在電容器導體層22c與接地導體層26之間產生靜電容。電容器導體層22c呈在y軸方向具有長邊方向之長方形狀，設在較絕緣體層16f之對角線之交叉點更靠x軸方向之正方向側。

線圈L3係藉由通孔導體b17~b25及線圈導體層24c構成。通孔導體b17~b20分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16e。又，通孔導體b20之z軸方向之負方向側之端部係連接於電容器導體層22c。藉此，通孔導體b17~b20構成連接於電容器導體層22c且在z軸方向延伸之一條通孔導體。通孔導體b21~b25分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16f，設在較通孔導體b17~b20更靠y軸方向之正方向側。又，通孔導體b25之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層26。藉此，通孔導體b21~b25構成連接於接地導體層26且在z軸方向延伸之一條通孔導體。

線圈導體層24c為設在LC並聯諧振器LC3之z軸方向之最正方向側之導體層，設在絕緣體層16b之表面上。線圈導體層24c呈在y軸方向具有長邊方向之長方形狀，設在較絕緣體層16b之對角線之交叉點更靠x軸方向之正方向側。此外，線圈導體層24c係連接於由通孔導體b17~b20構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部與由通孔導體b21~b25構成之一條通孔導體之z軸方向之正方向側之端部。亦即，通孔導體b17之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24c之y軸方向之負方向側之端部。通孔導體b21之z軸方向之正方向側之端部係連接於線圈導體層24c之y軸方向之正方向側之端部。

如此，線圈L3呈以通孔導體b20與電容器導體層22c之連接點為一端，經由通孔導體b17~b20、線圈導體層24c、通孔導體b21~b25而以通孔導體b25與接地導體層26為另一端之字型。

以上述方式構成之LC並聯諧振器LC3，形成與yz平面平行之環面S3。環面S3為由LC並聯諧振器LC3形成之長方形狀之假想平面。

LC並聯諧振器LC1~LC3之環面S1~S3與yz平面平行(亦即，與z軸方向平行且彼此平行)，從x軸方向(亦即，環面S1~S3之法線方向)俯視時，在至少一部分重疊。此外，環面S1與環面S3夾著環面S2。藉此，如圖3所示，LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC2之線圈L2電磁耦合。又，LC並聯諧振器LC2之線圈L2與LC並聯諧振器LC3之線圈L3電磁耦合。

又，在LC並聯諧振器LC1,LC3設在Z軸方向之最正方向側之線圈導體層24a,24c係設在絕緣層16b之表面上，該絕緣層16b係設在較在LC並聯諧振器LC2設在z軸方向之最正方向側之線圈導體層24b更靠z軸方向之正方向側。藉此，環面S1,S3，在z軸方向之正方向側從環面S2露出。藉此，LC並聯諧振器LC1之環面S1之一部分與LC並聯諧振器LC3之環面S3之一部分對向。其結果，線圈L1與線圈L3電磁耦合。以上述方式構成之LC並聯諧振器LC1~LC3構成帶通濾波器。

引出導體層20a設在絕緣體層16f之表面上，連接於電容器導體層22a且引出至絕緣體層16f之x軸方向之負方向側之短邊。藉此，引出導體層20a連接於外部電極14a。其結果，LC並聯諧振器LC1在電容器C1與線圈L1之間與外部電極14a電氣連接。

引出導體層20b設在絕緣體層16f之表面上，連接於電容器導體層22c且引出至絕緣體層16f之x軸方向之正方向側之短邊。藉此，引出導體層20b連接於外部電極14b。其結果，LC並聯諧振器LC3在電容器C3與線圈L3之間與外部電極14b電氣連接。

引出導體層28a設在絕緣體層16g之表面上，連接於接地導體層26且引出至絕緣體層16g之y軸方向之負方向側之長邊。藉此，引出導體層28a連接於外部電極14c。其結果，LC並聯諧振器LC1~LC3分別在電容器C1~C3與線圈L1~L3之間與外部電極14c電氣連接。

引出導體層28b設在絕緣體層16g之表面上，連接於接地導體層26且引出至絕緣體層16g之y軸方向之正方向側之長邊。藉此，引出導體層28b連接於外部電極14d。其結果，LC並聯諧振器LC1~LC3分別在電容器C1~C3與線圈L1~L3之間與外部電極14d電氣連接。

接著，參照圖1至圖3說明電子零件10之動作之一例。首先，從外部電極14a輸入之具有正電壓之高頻訊號Sig1，如圖3所示，從x軸方向之正方向側俯視時，順時針流動。

線圈L1與線圈L2電磁耦合。藉此，若高頻訊號Sig1從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC1順時針流動，則高頻訊號Sig2因電磁感應從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC2逆時針流動。

線圈L2與線圈L3電磁耦合。藉此，若高頻訊號Sig2從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC2逆時針流動，則高頻訊號Sig3因電磁感應從x軸方向之正方向側俯視時在LC並聯諧振器LC3順時針流動。藉此，高頻訊號Sig3從外部電極14b輸出。此外，由於線圈L1與線圈L3亦彼此電磁耦合，因此高頻訊號Sig1,Sig3之功率亦被其影響。

此處，LC並聯諧振器LC1~LC3分別具有藉由線圈L1~L3及電容器C1~C3決定之固有之諧振頻率。此外，LC並聯諧振器LC1~LC3之阻抗，在此等諧振頻率變高。藉此，藉由此等諧振頻率決定之既定頻帶之高頻訊號Sig3從外部電極14b輸出。

(電子零件之製造方法)

接著，參照圖1及圖2說明電子零件10之製造方法。

首先，準備待作為絕緣體層16之陶瓷坯片。接著，在待作為絕緣體層16b~16f之陶瓷坯片分別形成通孔導體b1~b25。具體而言，對待作為絕緣體層16b~16f之陶瓷坯片照射雷射束以形成通孔。接著，對該通孔藉由印刷塗布等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或此等之合金等之導電性糊。

接著，在待作為絕緣體層16b,16c,16f,16g之陶瓷坯片上，以網版印刷法或光微影法等方法塗布以Ag、Pd、Cu、Au或此等之合金等為主成分之導電性糊，藉此形成引出導體層20a,20b、電容器導體層22a,22b、線圈導體層24a~24c、接地導體層26及引出導體層28a,28b。此外，在引出導體層20a,20b、電容器導體層22a,22b、線圈導體層24a~24c之形成時，進行對通孔之導電性糊之填充亦可。

接著，將各陶瓷坯片積層。具體而言，配置待作為絕緣體層16g之陶瓷坯片。接著，在待作為絕緣體層16g之陶瓷坯片上配置待作為絕緣體層16f之陶瓷坯片。之後，使待作為絕緣體層16f之陶瓷坯片對待作為絕緣體層16g之陶瓷坯片壓接。之後，針對待作為絕緣體層16e,16d,16c,16b,16a之陶瓷坯片亦同樣地依此順序積層及壓接。藉由以上步驟，形成母積層體。對此母積層體藉由靜水壓加壓等施加正式壓接。

接著，藉由切刀將母積層體裁切成既定尺寸之積層體12。對此未燒成之積層體12進行脫結合劑處理及燒成。

藉由以上步驟，獲得燒成後之積層體12。對積層體12施加筒式加工，進行去角。之後，在積層體12之表面藉由例如浸漬法等方法塗布及燒接主成分為銀之電極糊，形成待作為外部電極14之銀電極。

最後，在銀電極之表面施加Ni鍍敷/Sn鍍敷，藉此形成外部電極14。經由以上步驟，完成圖1所示之電子零件10。

(效果)

根據以上述方式構成之電子零件10，不使元件大型化且能調整LC並聯諧振器LC1~LC3之線圈L1~L3間之耦合度。例如，在具備由複數個LC並聯諧振器構成之帶通濾波器之電子零件，會有為了獲得所欲特性而欲降低LC並聯諧振器之線圈間之耦合度之情形。在專利文獻1揭示之積層帶通濾波器，作為使相鄰之LC並聯諧振器之線圈間之耦合度下降之方法，可舉出使LC並聯諧振器間之距離增加。然而，若使LC並聯諧振器間之距離增加，則會有積層帶通濾波器大型化之問題。

另一方面，在電子零件10，LC並聯諧振器LC1之環面S1，在z軸方向之正方向側從LC並聯諧振器LC2之環面S2露出。亦即，在電子零件10，藉由使LC並聯諧振器LC2之z軸方向之高度變低，縮小LC並聯諧振器LC1之環面S1與LC並聯諧振器LC2之環面S2對向之面積。其結果，在電子零件10之LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2之耦合度，較LC並聯諧振器LC2之環面S2之高度與LC並聯諧振器LC1之環面S1之高度相等之電子零件之LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2之耦合度小。此外，關於LC並聯諧振器LC2與LC並聯諧振器LC3之耦合度亦可謂相同。如上述，在電子零件10，不使元件大型化且能使LC並聯諧振器LC1~LC3之耦合度降低。

又，在電子零件10，設在LC並聯諧振器LC1,LC3之z軸方向之最正方向側之導體層(線圈導體層24a,24c)係設在絕緣層16b之表面上，該絕緣層16b係設在較設在LC並聯諧振器LC2之z軸方向之最正方向側之導體層(線圈導體層24b)更靠z軸方向之正方向側。藉此，LC並聯諧振器LC1,LC3之環面S1,S3，在z軸方向之正方向側從LC並聯諧振器LC2之環面S2露出而成為彼此對向。因此，在電子零件10之線圈L1,L3間之耦合度，較環面S1,S3未從環面S2露出之電子零件之線圈L1,L3間之耦合度高。如上述，藉由以高耦合度使未相鄰之線圈L1,L3耦合，如後述，能將電子零件10之特性調整至所欲特性。

又，在電子零件10，接地導體層26係作為電容器C1~C3之接地導體層使用。因此，不須將接地導體層26分別設在電容器C1~C3。又，接地導體層26係設在LC並聯諧振器LC1~LC3之z軸方向之最負方向側。藉此，在設有接地導體層26之絕緣體層16g未設置通孔導體。因此，接地導體層26無須具有避開通孔導體之形狀，因此可覆蓋絕緣體層16g之大致整面。其結果，可抑制雜訊從電子零件10漏出至外部或雜訊從外部侵入至電子零件10。

(其他實施形態)

此外，電子零件10並不限於上述實施形態所示之電子零件10，在其要旨範圍內可進行各種變更。

上述實施形態之電子零件10具備LC並聯諧振器LC1~LC3。然而，電子零件10內設之LC並聯諧振器之數並不限於此。圖4(a)至圖4(h)分別為第1變形例之電子零件10a至第8變形例之電子零件10h之剖面構造圖。

電子零件10a~10h具備LC並聯諧振器LC1~LC5。在電子零件10a，LC並聯諧振器LC1,LC5較LC並聯諧振器LC2~LC4更往z軸方向之正方向側露出。藉此，LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC5之線圈L5成為電磁耦合。又，在電子零件10b，LC並聯諧振器LC1,LC5較LC並聯諧振器LC2~LC4更往z軸方向之正方向側及負方向側露出。藉此，LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC5之線圈L5成為電磁耦合。如上述，使夾著三個LC並聯諧振器LC2~LC4之二個LC並聯諧振器LC1,LC5之線圈L1,L5電磁耦合亦可。

又，在電子零件10c，LC並聯諧振器LC1,LC3,LC5較LC並聯諧振器LC2,LC4更往z軸方向之正方向側露出。藉此，LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC3之線圈L3成為電磁耦合。同樣地，LC並聯諧振器LC3與LC並聯諧振器LC5成為電磁耦合。又，在電子零件10d，LC並聯諧振器LC1,LC3,LC5之線圈L1,L3,L5較LC並聯諧振器LC2,LC4之線圈L2,L4更往z軸方向之正方向側及負方向側露出。藉此，LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC3之線圈L3成為電磁耦合。同樣地，LC並聯諧振器LC3之線圈L3與LC並聯諧振器LC5之線圈L5成為電磁耦合。如上述，使三個LC並聯諧振器LC1,LC3,LC5之線圈L1,L3,L5電磁耦合亦可。

又，在電子零件10e，LC並聯諧振器LC2,LC4較LC並聯諧振器LC1,LC3,LC5更往z軸方向之正方向側露出。藉此，LC並聯諧振器LC2之線圈L2與LC並聯諧振器LC4之線圈L4成為電磁耦合。又，在電子零件10f，LC並聯諧振器LC2,LC4較LC並聯諧振器LC1,LC3,LC5更往z軸方向之正方向側及負方向側露出。藉此，LC並聯諧振器LC2之線圈L2與LC並聯諧振器LC4之線圈L4成為電磁耦合。如上述，位於第偶數段之二個LC並聯諧振器LC2,LC4之線圈L2,L4電磁耦合亦可。

又，在電子零件10g，LC並聯諧振器LC1,LC2,LC4,LC5較LC並聯諧振器LC3更往z軸方向之正方向側露出。藉此，LC並聯諧振器LC2之線圈L2與LC並聯諧振器LC4之線圈L4成為電磁耦合。又，在電子零件10h，LC並聯諧振器LC1,LC2,LC4,LC5較LC並聯諧振器LC3更往z軸方向之正方向側及負方向側露出。藉此，LC並聯諧振器LC2之線圈L2與LC並聯諧振器LC4之線圈L4成為電磁耦合。如上述，藉由僅使LC並聯諧振器LC1~LC5中之LC並聯諧振器LC3構成較短，使LC並聯諧振器LC2,LC4之線圈L2,L4電磁耦合亦可。

此外，電子零件10,10a~10h具備三個或五個LC並聯諧振器。然而，LC並聯諧振器之數並不限於此，只要為複數個即可。

(關於未相鄰之LC並聯諧振器彼此之耦合)

以下，參照圖式說明未相鄰之LC並聯諧振器之耦合。本申請發明人為了調查使未相鄰之LC並聯諧振器彼此對向耦合導致之電子零件10之特性之變化，進行以下之電腦模擬。具體而言，在具有六個LC並聯諧振器LC1~LC6之電子零件10，使對向之LC並聯諧振器彼此變化，以調查高頻訊號之通過特性之變化。

首先，作為第1模擬，調查使LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC3從LC並聯諧振器LC2露出之電子零件10(以下，第1模型)之高頻訊號之通過特性。圖5及圖6係顯示第1模擬結果之圖表。縱軸係顯示衰減量，橫軸係顯示頻率。

在圖5所示之第1模型，在高頻訊號之通帶之高頻側或低頻側形成衰減極。圖5中，衰減極形成在高頻訊號之通帶之高頻側之端。如圖5所示，藉由調整LC並聯諧振器LC1,LC3間之耦合度，可調整衰減極之位置。

接著，作為第2模擬，調查使LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC4從LC並聯諧振器LC2,LC3露出之電子零件10(第2模型)之高頻訊號之通過特性。圖7係顯示第2模擬結果之圖表。縱軸係顯示衰減量，橫軸係顯示頻率。

如圖7所示，在第2模型，在高頻訊號之通帶之高頻側及低頻側之兩側形成衰減極。此外，亦會有依LC並聯諧振器LC1~LC6之特性而不形成衰減極之情形。在此情形，較電子零件10之通帶高之區域及低之區域之衰減量變小。

接著，作為第3模擬，調查使LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC3從LC並聯諧振器LC2露出之電子零件10(第3模型)、及使LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC5從LC並聯諧振器LC2~LC4露出之電子零件10(第4模型)之高頻訊號之通過特性。圖8係顯示第3模擬結果之圖表。縱軸係顯示衰減量，橫軸係顯示頻率。

如圖8所示，可知相較於第3模型，第4模型之衰減極之深度變淺。其原因可認為是相較於第4模型，第3模型中LC並聯諧振器彼此之耦合度低。

接著，作為第4模擬，調查使LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC3從LC並聯諧振器LC2露出且使LC並聯諧振器LC3與LC並聯諧振器LC5從LC並聯諧振器LC4露出之電子零件10(第5模型)之高頻訊號之通過特性。圖9係顯示第4模擬結果之圖表。縱軸係顯示衰減量，橫軸係顯示頻率。

如圖9所示，在第5模型，藉由在二個部位LC並聯諧振器彼此耦合，形成二個衰減極。此外，二個衰減極依LC並聯諧振器LC1~LC6之特性形成在高頻訊號之通帶之高頻側與低頻側之兩方或形成在高頻訊號之通帶之高頻側或低頻側之任一者。

接著，作為第5模擬，調查使LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC4從LC並聯諧振器LC2,LC3,LC5,LC6露出之電子零件10(第6模型)之高頻訊號之通過特性。圖10係顯示第5模擬結果之圖表。縱軸係顯示衰減量，橫軸係顯示頻率。

如圖10所示，在第6模型，在通帶之高頻側及通帶之低頻側分別形成二個衰減極。

如上述，本發明在電子零件有用，尤其是在不使元件大型化且能調整LC並聯諧振器之耦合度之點優異。

C1~C3‧‧‧電容器

L1~L3‧‧‧線圈

LC1~LC6‧‧‧LC並聯諧振器

S1~S3‧‧‧環面

b1~b25‧‧‧通孔導體

10,10a~10h‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

14a~14d‧‧‧外部電極

16a~16g‧‧‧絕緣體層

20a,20b,28a,28b‧‧‧引出導體層

22a~22c‧‧‧電容器導體層

24a~24c‧‧‧線圈導體層

26‧‧‧接地導體層

圖1係本發明實施形態之電子零件之外觀立體圖。

圖2係電子零件之積層體之分解立體圖。

圖3係電子零件之等效電路圖。

圖4(a)至圖4(h)分別為第1變形例之電子零件至第8變形例之電子零件之剖面構造圖。

圖5係顯示第1模擬結果之圖表。

圖6係顯示第1模擬結果之圖表。

圖7係顯示第2模擬結果之圖表。

圖8係顯示第3模擬結果之圖表。

圖9係顯示第4模擬結果之圖表。

圖10係顯示第5模擬結果之圖表。

C1~C3．．．電容器

L1~L3．．．線圈

LC1~LC3．．．LC並聯諧振器

S1~S3．．．環面

b1~b25．．．通孔導體

12．．．積層體

16a~16g．．．絕緣體層

20a,20b,28a,28b．．．引出導體層

22a~22c．．．電容器導體層

24a~24c．．．線圈導體層

Claims (3)

1. 一種電子零件，具備：積層體，係由複數個絕緣體層積層而構成；環狀之第一LC並聯諧振器至第三LC並聯諧振器，係由在積層方向延伸之通孔導體及設在該絕緣體層上之導體層構成，且構成帶通濾波器；該第一LC並聯諧振器之第1環面與該第二LC並聯諧振器之第2環面與該第三LC並聯諧振器之第3環面平行於積層方向且彼此平行，並從該第1環面之法線方向俯視時，在至少一部分彼此重疊；該第1環面與該第3環面夾著該第2環面；設在該第一LC並聯諧振器之積層方向最上側之該導體層及設在該第三LC並聯諧振器之積層方向最上側之該導體層，係設在相較於設在該第二LC並聯諧振器之積層方向最上側之該絕緣體層設在積層方向上側之該絕緣體層上。
2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，設在該第一LC並聯諧振器之積層方向最下側之該導體層、設在該第二LC並聯諧振器之積層方向最下側之該導體層、及設在該第三LC並聯諧振器之積層方向最下側之該導體層，係設在相同之該絕緣體層上。
3. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，該第一LC並聯諧振器包含線圈及電容器；該電容器，包含：接地導體層，係由設在該第一LC並聯諧振器之積層方 向最下側之該導體層構成；電容器導體層，係由隔著該絕緣體層與該接地導體層對向之該導體層構成；該線圈，包含：第1線圈通孔導體，係由連接於該電容器導體且在積層方向延伸之該通孔導體構成；第2線圈通孔導體，係由連接於該接地導體層且在積層方向延伸之該通孔導體構成；線圈導體層，係由連接於該第1線圈通孔導體之積層方向上側之端部與該第2線圈通孔導體之積層方向上側之端部之該導體層構成。