TWI535204B - 電子零件 - Google Patents

Description

電子零件

本發明係關於一種電子零件，尤其是關於一種內置有帶通濾波器的電子零件。

作為習知的電子零件，例如，已知有專利文獻1中記載的積層帶通濾波器。圖9，係專利文獻1所記載的積層帶通濾波器500的分解立體圖。

積層帶通濾波器500，具備有積層體502及LC並聯諧振器504、506、508、510、512。積層體502，係積層複數個絕緣體層而構成。LC並聯諧振器504、506、508、510、512，係由導體層及通孔導體構成，且在從與積層方向正交的方向俯視觀察時呈環狀。LC並聯諧振器504、506、508、510、512的環形(loop)面相互地重疊。

在如以上般構成的積層帶通濾波500中，LC並聯諧振器504、506、508、510、512的環形面稍有偏離。藉此，使LC並聯諧振器504、506、508、510、512彼此的耦合度下降，而可謀求積層帶通濾波器500的通頻帶之窄頻帶化。

然而，一旦在LC並聯諧振器504、506、508、510、512彼此的耦合度下降，則高頻訊號變得難以通過LC並聯諧振器之間，且產生通 頻帶內的高頻訊號的傳輸損耗。其結果為，積層帶通濾波器500的插入損耗增大。

專利文獻1：國際公開第2007/119356號公報

因此，本發明之目的在於提供一種電子零件，係能夠謀求通頻帶之窄頻帶化，並且能減少通頻帶內的高頻訊號的傳輸損耗。

本發明之一實施形態的電子零件，具備有：積層體，係由積層複數個絕緣體層而構成；以及第1LC並聯諧振器及第2LC並聯諧振器，係具有於積層方向延伸的通孔導體、及設置在上述絕緣體層上的導體層，且呈環形，並構成帶通濾波器；由上述第1LC並聯諧振器包圍的第1環形面，與由上述第2LC並聯諧振器包圍的第2環形面平行，且在從該第2環形面的法線方向俯視觀察時，落在該第2環形面內。

根據本發明，能夠謀求通頻帶之窄頻帶化，並且能減少通頻帶內的高頻訊號的傳輸損耗。

B1~B6‧‧‧通孔導體

C1~C3，Ca~Cc‧‧‧電容器

L1~L3‧‧‧線圈

LC1~LC5‧‧‧LC並聯諧振器

S1~S5‧‧‧環形面

10，10a~10e‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

16a~16i‧‧‧絕緣體層

24a~24c‧‧‧線圈導體層

圖1係本發明之實施形態的電子零件的外觀立體圖。

圖2係電子零件的積層體的分解立體圖。

圖3係電子零件的等效電路圖。

圖4係表示模擬結果的圖形。

圖5係第1變形例之電子零件的積層體的分解立體圖。

圖6係第2變形例之電子零件的積層體的分解立體圖。

圖7係第3變形例之電子零件的積層體的分解立體圖。

圖8(a)及圖8(b)分別係第4變形例之電子零件及第5變形例之電子零件的剖面構造圖。

圖9係專利文獻1所記載的積層帶通濾波器的分解立體圖。

以下，針對本發明的實施形態之電子零件進行說明。

(電子零件的構成)以下，針對本發明的一實施形態之電子零件的構成，一邊參照圖式一邊進行說明。圖1係本發明之實施形態的電子零件10的外觀立體圖。圖2係電子零件10的積層體12的分解立體圖。圖3係電子零件10的等效電路圖。在圖1及圖2中，z軸方向表示絕緣體層16的積層方向。此外，x軸方向表示沿著電子零件10的長邊的方向，而y軸方向表示沿著電子零件10的短邊的方向。

如圖1和圖2所示，電子零件10，具備有：積層體12、外部電極14(14a~14d)、LC並聯諧振器LC1~LC3、電容器Ca~Cc、以及引出導體層20(20a、20b)、34(34a、34b)。

如圖2所示，積層體12，藉由將由陶瓷電介質所構成的絕緣體層16(16a~16i)積層而構成，且呈長方體狀。此外，積層體12內置有LC並聯諧振器LC1~LC3及電容器Ca~Cc。

如圖1所示，外部電極14a設置於x軸方向的負方向側的側面，且作為輸入電極。外部電極14b設置於x軸方向的正方向側的側面，且作為輸出電極。外部電極14c設置於y軸方向的負方向側的側面，且作為接地電極。外部電極14d設置於y軸方向的正方向側的側面，且作為接地電極。

如圖2所示，絕緣體層16呈長方形狀，例如由陶瓷電介質構成。絕緣體層16a~16i，以在z軸方向按此順序排列之方式積層。於以下，將絕緣體層16的z軸方向的正方向側之面稱為表面，將絕緣體層16的z軸方向的負方向側之面稱為背面。

在從z軸方向俯視觀察時，LC並聯諧振器LC1~LC3，從x軸方向的負方向側往正方向側按照該順序排列，構成帶通濾波器。

LC並聯諧振器LC1，包含有線圈L1及電容器C1。更具體而言，LC並聯諧振器LC1，由通孔導體b1~b11、電容器導體層22a、23a、線圈導體層24a及接地導體層32構成，且呈環形。

電容器C1，由電容器導體層22a、23a、及接地導體層32構成。接地導體層32，係覆蓋絕緣體層16i之表面上之大致整面的呈長方形狀的導體層。電容器導體層22a，係隔著絕緣體層16g、16h而與接地導體層32相對向的導體層，且設於絕緣體層16g的表面上。藉此，在電容器導體層22a與接地導體層32之間產生靜電電容。電容器導體層22a，呈現為在y軸方向具有長邊方向的長方形狀，並設置於較絕緣體層16g的對角線之交點更為x軸方向的負方向側。

電容器導體層23a，係隔著絕緣體層16h而與接地導體層32相對向的導體層，並設置於絕緣體層16h的表面上。藉此，在電容器導體層23a與接地導體層32之間產生靜電電容。電容器導體層23a，呈現為在y軸方向具有長邊方向的長方形狀，並設置於較絕緣體層16h的對角線之交點更為x軸方向的負方向側。

線圈I1包含有通孔導體b1~b11及線圈導體層24a。線圈導 體層24a，設置在絕緣體層16c的表面上，且係於y軸方向延伸的線狀之導體。線圈導體層24a，設置於較絕緣體層16c的對角線之交點更為x軸方向的負方向側。

通孔導體b1~b5分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16g。通孔導體b1之z軸方向的正方向側的端部，與線圈導體層24a之y軸方向的負方向側的端部相連接。此外，通孔導體b4之z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層22a相連接。通孔導體b5之z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層23a相連接。藉此，通孔導體b1~b5，構成從線圈導體層24a之y軸方向的負方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一根通孔導體B1，且與電容器導體層22a、23a相連接。

通孔導體b6~b11分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16h，並設置在較通孔導體b1~b5更為y軸方向的正方向側。通孔導體b6之z軸方向的正方向側的端部，與線圈導體層24a之y軸方向的正方向側的端部相連接。此外，通孔導體b11之z軸方向的負方向側的端部，與接地導體層32相連接。藉此，通孔導體b6~b11，構成從線圈導體層24a的y軸方向的正方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一根通孔導體B2，並與接地導體層32相連接。

如上所述，線圈L1，係在yz平面，以通孔導體b5與電容器導體層23a的連接點為一端，並經由通孔導體b1~b5、線圈導體層24a、通孔導體b6~b11，並以通孔導體b11與接地導體層32的連接點為另一端，且呈環形狀。

如上所述般構成的LC並聯諧振器LC1，形成有與yz平面平 行之環形面S1。環形面S1，係指由LC並聯諧振器LC1所包圍的長方形狀的假想平面。

LC並聯諧振器LC2，包含有線圈L2及電容器C2。更具體而言，LC並聯諧振器LC2，由通孔導體b21~b33、電容器導體層22b、23b、線圈導體層24b及接地導體層32構成，且呈環形。

電容器C2，由電容器導體層22b、23b、及接地導體層32構成。接地導體層32，係覆蓋絕緣體層16i之表面上之大致整面的呈長方形狀的導體層。電容器導體層22b，係隔著絕緣體層16g、16h而與接地導體層32相對向的導體層，且設於絕緣體層16g的表面上。藉此，在電容器導體層22b與接地導體層32之間產生靜電電容。電容器導體層22b，呈現為在y軸方向具有長邊方向的長方形狀，並設置於絕緣體層16g的對角線之交點上。

電容器導體層23b，係隔著絕緣體層16h而與接地導體層32相對向的導體層，且設置於絕緣體層16h的表面上。藉此，在電容器導體層23b與接地導體層32之間產生靜電電容。電容器導體層23b，呈現為在y軸方向具有長邊方向的長方形狀，並設置於絕緣體層16h的對角線上。

線圈L2，包含有通孔導體b21~b33及線圈導體層24b。線圈導體層24b，設置在絕緣體層16b的表面上，且係於y軸方向延伸的線狀之導體。線圈導體層24b，設置於絕緣體層16b的對角線之交點上。藉此，線圈導體層24b，設置於較線圈導體層24a更為z軸方向的正方向側。此外，線圈導體層24b的y軸方向的長度，較線圈導體層24a的y軸方向的長度為長。

通孔導體b21~b26分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16g。通孔導體b21之z軸方向的正方向側的端部，與線圈導體層24b之y軸方向的負方向側的端部相連接。此外，通孔導體b25之z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層22b相連接。通孔導體b26之z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層23b相連接。藉此，通孔導體b21~b26，構成從線圈導體層24b的y軸方向的負方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一根通孔導體B3，且與電容器導體層22b、23b相連接。通孔導體B3較通孔導體B1為長。

通孔導體b27~b33分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16h，並設置在較通孔導體b21~b26更為y軸方向的正方向側。通孔導體b27之z軸方向的正方向側的端部，與線圈導體層24b之y軸方向的正方向側的端部相連接。此外，通孔導體b33之z軸方向的負方向側的端部，與接地導體層32相連接。藉此，通孔導體b27~b33，構成從線圈導體層24b的y軸方向的正方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一根通孔導體B4，且與接地導體層32相連接。通孔導體B4較通孔導體B2為長。

此外，線圈導體層24b的y軸方向的長度，較線圈導體層24a的y軸方向的長度為長。藉此，通孔導體B3與通孔導體B4之間的間隔，較通孔導體B1與通孔導體B2之間的間隔為寬。

如上所述，線圈L2，係在yz平面，以通孔導體b26與電容器導體層23b的連接點為一端，並經由通孔導體b21~b26、線圈導體層24b、通孔導體b27~b33，並以通孔導體b33與接地導體層32的連接點為另一端，且呈環形狀。

如上所述般構成的LC並聯諧振器LC2，形成有與yz平面平行的環形面S2。環形面S2，係指由LC並聯諧振器LC2所包圍的長方形狀之假想平面。

LC並聯諧振器LC3，包含有線圈L3及電容器C3。更詳細而言，LC並聯諧振器LC3，由通孔導體b41~b51、電容器導體層22c、23c、線圈導體層24c及接地導體層32構成，且呈環形。

電容器C3，由電容器導體層22c、23c及接地導體層32構成。接地導體層32，係覆蓋絕緣體層16i之表面上的大致整面之呈長方形狀的導體層。電容器導體層22c，係隔著絕緣體層16g、16h而與接地導體層32相對向的導體層，且設於絕緣體層16g的表面上。藉此，在電容器導體層22c與接地導體層32之間產生靜電電容。電容器導體層22c，呈現為在y軸方向具有長邊方向的長方形狀，並設置於較絕緣體層16g的對角線之交點更為x軸方向的正方向側。

電容器導體層23c，係隔著絕緣體層16h而與接地導體層32相對向的導體層，且設置於絕緣體層16h的表面上。藉此，在電容器導體層23c與接地導體層32之間產生靜電電容。電容器導體層23c，呈現為在y軸方向具有長邊方向的長方形狀，並設置於較絕緣體層16h的對角線之交點更為x軸方向的正方向側。

線圈L3，包含有通孔導體b41~b51及線圈導體層24c。線圈導體層24c，設置在絕緣體層16c的表面上，係於y軸方向延伸的線狀之導體。線圈導體層24c，設置於較絕緣體層16c的對角線之交點更為x軸方向的正方向側。線圈導體層24c的y軸方向的長度，係與線圈導體層24a的 y軸方向的長度相等。

通孔導體b41~b45分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16g。通孔導體b41之z軸方向的正方向側的端部，與線圈導體層24c之y軸方向的負方向側的端部相連接。此外，通孔導體b44之z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層22c相連接。通孔導體b45之z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層23c相連接。藉此，通孔導體b41~b45，構成從線圈導體層24c的y軸方向的負方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一根通孔導體B5，且與電容器導體層22c、23c相連接。通孔導體B5的長度，係與通孔導體B1的長度相等。

通孔導體b46~b51分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16h，並設置在較通孔導體b41~b45更為y軸方向的正方向側。通孔導體b46之z軸方向的正方向側的端部，與線圈導體層24c之y軸方向的正方向側的端部相連接。此外，通孔導體b51之z軸方向的負方向側的端部，與接地導體層32相連接。藉此，通孔導體b46~b51，構成從線圈導體層24c的y軸方向的正方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一根通孔導體B6，且與接地導體層32相連接。通孔導體B6的長度，係與通孔導體B2的長度相等。

此外，線圈導體層24c的y軸方向的長度，係與線圈導體層24a的y軸方向的長度相等。藉此，通孔導體B3與通孔導體B4之間的間隔，較通孔導體B5與通孔導體B6之間的間隔為寬。

如上所述，線圈L3，係在yz平面，以通孔導體b45與電容器導體層23c的連接點為一端，並經由通孔導體b41~b45、線圈導體層24c、 通孔導體b46~b51，並以通孔導體b51與接地導體層32的連接點為另一端，且呈環形狀。

如上所述般構成的LC並聯諧振器LC3，形成有與yz平面平行的環形面S3。環形面S3，係指由LC並聯諧振器LC3所包圍的長方形狀的假想平面。

LC並聯諧振器LC1~LC3的環形面S1~S3，係與yz平面平行(亦即，與z軸方向平行，且與y軸方向平行)。環形面S1與環形面S3夾著環形面S2。藉此，如圖3所示，LC並聯諧振器LC1的線圈L1與LC並聯諧振器LC2的線圈L2電磁耦合。此外，LC並聯諧振器LC2的線圈L2與LC並聯諧振器LC3的線圈L3電磁耦合。

此外，線圈導體層24b，設置於較線圈導體層24a、24c更為z軸方向的正方向側。進一步地，線圈導體層24b的y軸方向的長度，較線圈導體層24a、24c的y軸方向的長度為長。藉此，在從x軸方向(亦即，環形面S1~S3的法線方向)俯視觀察時，環形面S1、S3落在環形面S2內。亦即，從x軸方向俯視觀察時，環形面S1、S3未超出環形面S2。

電容器Ca，由電容器導體層22a、26a及耦合導體層28構成。耦合導體層28，設置在絕緣體層16f的表面上，呈T字形。進一步地，耦合導體層28，與通孔導體b24的z軸方向的負方向側的端部及通孔導體b25的z軸方向的正方向側的端部相連接。電容器導體層22a，係隔著絕緣體層16f而與耦合導體層28相對向的導體層，且設置於絕緣體層16g的表面上。電容器導體層26a，係隔著絕緣體層16e而與耦合導體層28相對向的導體層，且設置於絕緣體層16e的表面上。藉此，在電容器導體層22a、26a與 耦合導體層28之間產生靜電電容，形成電容器Ca。電容器導體層26a，呈現為在y軸方向具有長邊方向的長方形狀，並設置於較絕緣體層16e的對角線之交點更為x軸方向的負方向側。

此外，電容器導體層26b，係經由通孔導體b24而與耦合導體層28相連接的導體層，且設置於絕緣體層16e的表面上。電容器導體層26b，呈現為在y軸方向具有長邊方向的長方形狀，並設置於絕緣體層16e的對角線之交點上。此外，電容器導體層22b，經由通孔導體b25而與耦合導體層28相連接；電容器導體層23b，經由通孔導體b25、b26而與耦合導體層28相連接。如上所述，LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2透過電容器Ca進行電容耦合。

電容器Cb，由電容器導體層22c、26c及耦合導體層28構成。耦合導體層28，設置在絕緣體層16f的表面上，呈T字形。進一步地，耦合導體層28，與通孔導體b24的z軸方向的負方向側的端部及通孔導體b25的z軸方向的正方向側的端部相連接。電容器導體層22c，係隔著絕緣體層16f而與耦合導體層28相對向的導體層，且設置於絕緣體層16g的表面上。電容器導體層26c，係隔著絕緣體層16e而與耦合導體層28相對向的導體層，且設置於絕緣體層16e的表面上。藉此，在電容器導體層22c、26c與耦合導體層28之間產生靜電電容，形成電容器Cb。電容器導體層26c，呈現為在y軸方向具有長邊方向的長方形狀，並設置於較絕緣體層16e的對角線之交點更為x軸方向的正方向側。

如上所述，LC並聯諧振器LC3與LC並聯諧振器LC2，透過電容器Cb進行電容耦合。藉此形成電容器Cb。

電容器Cc，由電容器導體層26a、26c及耦合導體層30構成。耦合導體層30，設置在絕緣體層16d的表面上，並在x軸方向延伸。藉此，耦合導體層30，隔著絕緣體層16d而與電容器導體層26a、26c相對向。其結果為，在電容器導體層26a與耦合導體層30之間，產生靜電電容，並在電容器導體層26c與耦合導體層30之間，產生靜電電容。如上所述，電容器導體層26a、26c透過耦合導體層30進行電容耦合。藉此形成電容器Cc。

另外，電容器導體層26b的y軸方向的長度，較電容器導體層26a、26c的y軸方向的長度為短。藉此，耦合導體層30，在從z方向俯視觀察時，不與電容器導體層26b相重疊。

引出導體層20a，設置於絕緣體層16g的表面上，與電容器導體層22a相連接，並且往絕緣體層16g的x軸方向的負方向側的短邊引出。藉此，引出導體層20a與外部電極14a相連接。其結果為，LC並聯諧振器LC1經由引出導體層20a而與外部電極14a電連接。

引出導體層20b，設置於絕緣體層16g的表面上，與電容器導體層22c相連接，並且往絕緣體層16g的x軸方向的正方向側的短邊引出。藉此，引出導體層20b與外部電極14b相連接。其結果為，LC並聯諧振器LC3經由引出導體層20b而與外部電極14b電連接。

引出導體層34a，設置於絕緣體層16i的表面上，與接地導體層32相連接，並且往絕緣體層16i的y軸方向的負方向側的長邊引出。藉此，引出導體層34a與外部電極14c相連接。其結果為，LC並聯諧振器LC1~LC3分別經由引出導體層34a而與外部電極14c電連接。

引出導體層34b，設置於絕緣體層16i的表面上，與接地導 體層32相連接，並且往絕緣體層16i的y軸方向的正方向側的長邊引出。藉此，引出導體層34b與外部電極14d相連接。其結果為，LC並聯諧振器LC1~LC3分別經由引出導體層34b而與外部電極14d電連接。

接下來，針對電子零件10的動作的一個示例，一邊參照圖1至圖3一邊進行說明。如圖3所示，首先，從外部電極14a輸入的高頻訊號Sig1流過LC並聯諧振器LC1。

線圈L1與線圈L2電磁耦合。藉此，高頻訊號Sig1一旦於LC並聯諧振器LC1流動，則高頻訊號Sig2藉由電磁感應而於LC並聯諧振器LC2流動。

線圈L2與線圈L3電磁耦合。藉此，高頻訊號Sig2一旦於LC並聯諧振器LC2流動，則高頻訊號Sig3藉由電磁感應而於LC並聯諧振器LC3流動。藉此，高頻訊號Sig3從外部電極14b輸出。

此處，LC並聯諧振器LC1~LC3分別具有由線圈L1~L3及電容器C1~C3所決定的固有的諧振頻率。而且，LC並聯諧振器LC1~LC3的阻抗，在該等之諧振頻率中變大。藉此，由該等之諧振頻率所決定的既定頻帶的高頻訊號Sig3從外部電極14b輸出。

(電子零件的製造方法)接下來，針對電子零件10的製造方法，一邊參照圖1及圖2一邊進行說明。

首先，準備用以成為絕緣體層16的陶瓷胚片(green sheet)。接著，在用以成為絕緣體層16b~16h的陶瓷胚片之各個，形成通孔導體b1~b11、b21~b33、b41~b51。具體而言，對用以成為絕緣體層16b~16h的陶瓷胚片照射雷射光束，而形成通孔。接著，對該通孔，利用印刷塗布等 方法填充Ag、Pd、Cu、Au或該等之合金等的導電性糊料。

接著，在用以成為絕緣體層16b~16i的陶瓷胚片上，利用網版印刷法或光刻法等方法塗布以Ag、Pd、Cu、Au或該等之合金等為主成分的導電性糊料，藉此形成引出導體層20a、20b、電容器導體層22a~22c、23a~23c、26a~26c、線圈導體層24a~24c、耦合導體層28、30、接地導體層32及引出導體層34a、34b。另外，亦可在引出導體層20a、20b、電容器導體層22a~22c、23a~23c、26a~26c、線圈導體層24a~24c、耦合導體層28、30、接地導體層32及引出導體層34a、34b之形成時，進行對通孔填充導電性糊料。

接著，將各陶瓷胚片進行積層。具體而言，係配置用以成為絕緣體層16i的陶瓷胚片。接著，在用以成為絕緣體層16i的陶瓷胚片上，配置用以成為絕緣體層16h的陶瓷胚片。之後，將用以成為絕緣體層16h的陶瓷胚片，對用以成為絕緣體層16i的陶瓷胚片壓接。之後，亦針對用以成為16g、16f、16e、16d、16c、16b、16a的陶瓷胚片同樣地按照該順序進行積層與壓接。藉由上述之步驟，形成母積層體。利用靜水壓壓機等，對該母積層體實施正式壓接。

接著，利用切刀刃將母積層體切割成既定尺寸的積層體12。對該未燒成的積層體12進行脫黏合劑處理及燒成。

藉由以上之步驟，可得經燒成的積層體12。對積層體12實施滾筒加工，並進行倒角。之後，在積層體12的表面，利用例如浸漬法等方法塗布主成分為銀的電極糊料及進行燒結，藉此形成用以成為外部電極14的銀電極。

最後，對銀電極的表面實施鍍Ni/鍍Sn，藉此形成外部電極14。經由以上之步驟，完成圖1所示般的電子零件10。

(效果)根據以上般構成的電子零件10，能夠謀求通頻帶之窄頻帶化。更詳細而言，在電子零件10中，環形面S1、S3，在從x軸方向俯視觀察時，落在環形面S2內。藉此，通孔導體B3，在從x軸方向俯視觀察時，不與通孔導體B1、B5相重疊。同樣地，通孔導體B4，在從x軸方向俯視觀察時，不與通孔導體B2、B6相重疊。此外，線圈導體層24b，在從x軸方向俯視觀察時，不與線圈導體層24a、24c相重疊。藉此，在電子零件10中，通孔導體B3與通孔導體B1、B5間的電磁耦合、通孔導體B4與通孔導體B2、B6間的電磁耦合、以及線圈導體層24b與線圈導體層24a、24c間的電磁耦合變弱。藉此，能夠使在電子零件10中，LC並聯諧振器LC1、LC2間的耦合度、以及LC並聯諧振器LC2、LC3間的耦合度降低。其結果為，在電子零件10中，可謀求通頻帶之窄頻帶化。

此外，根據電子零件10，能減少高頻訊號的傳輸損耗。更詳細而言，環形面S1、S3，在從x軸方向俯視觀察時，落在環形面S2內。亦即，在電子零件10中，使環形面S2大於環形面S1、S3。藉此，使得從x軸方向觀察到的線圈L2的內徑，較線圈L1、L3的內徑為大。其結果為，線圈L2的阻抗值變大，LC並聯諧振器LC2的Q值變大。一旦LC並聯諧振器LC2的Q值變大，則LC並聯諧振器LC2中的高頻訊號的傳輸損耗得以減少。由以上，根據電子零件10，通頻帶內的高頻訊號的傳輸損耗得以減少。

此外，根據電子零件10，設置在3個LC並聯諧振器LC1 ~LC3內的x軸方向中央的LC並聯諧振器LC2的Q值變大。藉此，在電子零件10中，尤其是通頻帶的低頻區域中的插入損耗得以減少。

此外，根據電子零件10，能夠抑制因製造偏差而造成通過特性的變動。更詳細而言，在電子零件10中，環形面S1、S3，在從x軸方向俯視觀察時，落在環形面S2內。因此，即使由於積層偏移等導致於環形面S1~S3產生了偏差，亦能抑制環形面S1、S3超出於環形面S2外。其結果為，抑制因積層偏移而導致的LC並聯諧振器LC1~LC3間的耦合度變動。由以上，根據電子零件10，抑制了因製造偏差而導致的通過特性的變動。

此外，根據電子零件10，形成電容器Cc的耦合導體層30，從z軸方向觀察，不與電容器導體層26b相重疊。因此，在形成諧振器LC1與諧振器LC3間的耦合電容時，不會在耦合導體層30與諧振器LC2之間形成不需要的電容。藉此，諧振器間的耦合電容的設計變得容易。

本發明人為了更確認電子零件10所發揮的效果，進行了於以下說明的電腦模擬。更詳細而言，作成了電子零件10的第1模型、以及比較例之電子零件的第2模型。比較例之電子零件，在從x軸方向俯視觀察時，三個LC並聯諧振器的環形面的大小一致，從x軸方向觀察，具有三個環形面幾乎相重疊的構造。本發明人對第1模型及第2模型的通過特性進行了研究。所謂的通過特性，係從外部電極14b輸出的輸出訊號相對於從外部電極14a輸入的輸入訊號的衰減量。

圖4係表示模擬結果的圖形。縱軸表示衰減量，橫軸表示頻率。圖4(a)係表示2.0GHz~3.5GHz的通過特性的圖形，圖4(b)係將圖4(a) 的圖形的2.0GHz~3.0GHz放大後的圖形。

如圖4(a)所示可知：例如在衰減量為-1.8dB時，第1模型的通頻帶，較第2模型的通頻帶為窄。亦即可知：在從x軸方向俯視觀察時，環形面S1、S3落在環形面S2內，藉此可謀求在電子零件10中，高頻訊號的通頻帶之窄頻帶化。

此外，如圖4(b)所示可知：第1模型的通頻帶的低頻區域(2.5GHz附近)的衰減量，較第2模型的通頻帶的低頻區域(2.5GHz附近)的衰減量為小。由此可知：在電子零件10中，設置在三個LC並聯諧振器LC1~LC3內的x軸方向中央的LC並聯諧振器LC2的Q值變大，藉此可謀求通頻帶的低頻區域中的插入損耗之下降。

(第1變形例)於以下，針對第1變形例之電子零件10a，一邊參照圖式一邊進行說明。圖5係第1變形例之電子零件10a的積層體12a的分解立體圖。在圖5中，對於與電子零件10相同的構成，標記與電子零件10相同的參照符號。關於電子零件10a的外觀立體圖，沿用圖1。

電子零件10與電子零件10a的不同處，係設置電容器C2的位置。更詳細而言，如圖2所示，在電子零件10中，電容器C2與通孔導體B3相連接。另一方面，在電子零件10a中，電容器C2與通孔導體B4相連接。關於電子零件10的其他之構成，因與電子零件10相同而省略說明。

亦在如以上般構成的電子零件10a中，與電子零件10同樣地，能夠謀求通過特性之窄頻帶化，並且減少高頻訊號的傳輸損耗。尤其是，根據電子零件10a，與電子零件10同樣地，能夠謀求通頻帶的低頻區域中的插入損耗之降低。此外，根據電子零件10a，與電子零件10同樣地， 抑制因製造偏差而造成的通過特性的變動。

(第2變形例)於以下，針對第2變形例之電子零件10b，一邊參照圖式一邊進行說明。圖6係第2變形例之電子零件10b的積層體12b的分解立體圖。在圖6中，對於與電子零件10相同的構成，標記與電子零件10相同的參照符號。關於電子零件10b的外觀立體圖，沿用圖1。

電子零件10與電子零件10b的不同處，係線圈導體層24b的線寬。更詳細而言，在電子零件10中，線圈導體層24a~24c的線寬相等。另一方面，在電子零件10b中，線圈導體層24b的線寬，較線圈導體層24a、24c的線寬為大。藉此，使得LC並聯諧振器LC2的直流電阻值減低，LC並聯諧振器LC2的Q值變大。其結果為，在電子零件10b中，更能夠減低通頻帶中的高頻訊號的傳輸損耗。尤其是，在電子零件10b中，更能夠謀求通頻帶的低頻區域中的插入損耗之降低。

(第3變形例)於以下，針對第3變形例之電子零件10c，一邊參照圖式一邊進行說明。圖7係第3變形例之電子零件10c的積層體12c的分解立體圖。在圖7中，對於與電子零件10a相同的構成，標記與電子零件10a相同的參照符號。關於電子零件10c的外觀立體圖，沿用圖1。

電子零件10a與電子零件10c的不同處，係通孔導體B3、B4的粗細。更詳細而言，在電子零件10a中，通孔導體B1~B6的粗細相等。另一方面，在電子零件10c中，通孔導體B3、B4的粗細，較通孔導體B1、B2、B5、B6的粗細為大。藉此，使得LC並聯諧振器LC2的直流電阻值降低，LC並聯諧振器LC2的Q值變大。其結果為，在電子零件10c中，更能夠降低通頻帶中的高頻訊號的傳輸損耗。尤其是，在電子零件10c中， 更能謀求通頻帶的低頻區域中的插入損耗之降低。

(第4變形例及第5變形例)電子零件10、10a~10c，具備有LC並聯諧振器LC1~LC3。然而，電子零件10、10a~10c所內置的LC並聯諧振器的數量並不局限於此。圖8(a)及圖8(b)分別係第4變形例之電子零件10d及第5變形例之電子零件10e的剖面構造圖。

電子零件10d，具備有LC並聯諧振器LC1~LC4。在電子零件10d中，LC並聯諧振器LC1、LC4的環形面S1、S4，在從x軸方向俯視觀察時，落在LC並聯諧振器LC2、LC3的環形面S2、S3內。在電子零件10d中，使第2段及第3段的LC並聯諧振器LC2、LC3的環形面S2、S3增大，藉此與電子零件10同樣地，可謀求通頻帶的低頻區域中的插入損耗之降低。此外，亦可使第2段及第3段的LC並聯諧振器LC2、LC3的環形面S2、S3中的任一者增大。亦可在增大環形面S2的情形下，增大環形面S4。亦可在增大環形面S3的情形下，增大環形面S1。

電子零件10e，具備有LC並聯諧振器LC1~LC5。在電子零件10e中，LC並聯諧振器LC1、LC3、LC5的環形面S1、S3、S5，在從x軸方向俯視觀察時，落在LC並聯諧振器LC2、LC4的環形面S2、S4內。在電子零件10e中，增大第2段及第4段的LC並聯諧振器LC2、LC4的環形面S2、S4，藉此與電子零件10同樣地，可謀求通頻帶的低頻區域中的插入損耗之降低。此外，亦可增大第2段及第4段的LC並聯諧振器LC2、LC4的環形面S2、S4中的任一個。亦可在增大環形面S2的情形下，增大環形面S5。亦可在增大環形面S4的情形下，增大環形面S1。

(其他的實施方式)另外，電子零件10，並不局限於上述實 施形態所示的電子零件10、10a~10e，可以在其要旨的範圍內進行變化。

另外，LC並聯諧振器的數量亦可為2個。

此外，也可將電子零件10、10a~10e的構成組合起來。

本發明對於電子零件係有貢獻的，尤其是在能夠謀求通過特性之窄頻帶化，並且能夠降低通頻帶中的高頻訊號的傳輸損耗方面，表現優異。

12‧‧‧積層體

28、30‧‧‧耦合導體層

32‧‧‧接地導體層

B1~B6‧‧‧通孔導體

C1~C3、Ca~Cc‧‧‧電容器

L1~L3‧‧‧線圈

LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器

S1~S3‧‧‧環形面

b1~b11、b21~b33、b41~b45、b46~b51‧‧‧通孔導體

20a、20b、34a、34b‧‧‧引出導體層

22a~22c、23a~23c、26a~26c‧‧‧電容器導體層

24a~24c‧‧‧線圈導體層

Claims (9)

1. 一種電子零件，其特徵在於，具備：積層體，係由積層複數個絕緣體層而構成；以及第1LC並聯諧振器及第2LC並聯諧振器，係具有於積層方向延伸的通孔導體、及設置在所述絕緣體層上的導體層，且呈環形，並構成帶通濾波器；由所述第1LC並聯諧振器包圍的第1環形面，與由所述第2LC並聯諧振器包圍的第2環形面平行，且在從該第2環形面的法線方向俯視觀察時，落在該第2環形面內；所述電子零件，進一步具備：第3LC並聯諧振器，係具有於積層方向延伸的通孔導體、及設置在所述絕緣體層上的導體層，且呈環形，並與所述第1LC並聯諧振器及所述第2LC並聯諧振器一起構成帶通濾波器；所述第1LC並聯諧振器、所述第2LC並聯諧振器及所述第3LC並聯諧振器，在從積層方向俯視觀察時，係以該順序排列。
2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，由所述第3LC並聯諧振器包圍的第3環形面，與所述第2環形面平行，且在從該第2環形面的法線方向俯視觀察時，落在該第2環形面內。
3. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，所述第1LC並聯諧振器，包含：線狀的第1導體層、以及從該第1導體層的兩端朝向積層方向的下側延伸的第1通孔導體及第2通孔導體；所述第2LC並聯諧振器，包含：線狀的第2導體層、以及從該第2導 體層的兩端朝向積層方向的下側延伸的第3通孔導體及第4通孔導體。
4. 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，所述第2導體層，設置在較所述第1導體層更為積層方向的上側。
5. 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，所述第3通孔導體與所述第4通孔導體間的間隔，較所述第1通孔導體與所述第2通孔導體間的間隔為寬。
6. 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，所述第2導體層的線寬，較所述第1導體層的線寬為大。
7. 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，所述第3通孔導體的粗細及所述第4通孔導體的粗細，較所述第1通孔導體的粗細及所述第2通孔導體的粗細為大。
8. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其進一步具備電容器；所述第1LC並聯諧振器，包含第1電容器導體層；所述第3LC並聯諧振器，包含第3電容器導體層；所述電容器，係由所述第1電容器導體層、所述第3電容器導體層、以及與所述第1電容器導體層及所述第3電容器導體層相對向之耦合導體層構成。
9. 如申請專利範圍第8項之電子零件，其中，所述第2LC並聯諧振器，包含有不與所述耦合導體層相對向之第2電容器導體層。