TWI521867B - 濾波器 - Google Patents

濾波器 Download PDF

Info

Publication number
TWI521867B
TWI521867B TW102121321A TW102121321A TWI521867B TW I521867 B TWI521867 B TW I521867B TW 102121321 A TW102121321 A TW 102121321A TW 102121321 A TW102121321 A TW 102121321A TW I521867 B TWI521867 B TW I521867B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
axis direction
conductor layer
hole conductors
parallel
layer
Prior art date
Application number
TW102121321A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201412017A (zh
Inventor
今村光利
Original Assignee
村田製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 村田製作所股份有限公司 filed Critical 村田製作所股份有限公司
Publication of TW201412017A publication Critical patent/TW201412017A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI521867B publication Critical patent/TWI521867B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/12—Bandpass or bandstop filters with adjustable bandwidth and fixed centre frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/09—Filters comprising mutual inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1708—Comprising bridging elements, i.e. elements in a series path without own reference to ground and spanning branching nodes of another series path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1783—Combined LC in series path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description

濾波器
本發明係關於一種濾波器，更特定而言，係關於一種包含有多個LC並聯諧振器的濾波器。
作為與習知的濾波器相關的發明，例如已知有專利文獻1記載的積層帶通濾波器。圖19，係專利文獻1記載的積層帶通濾波器500的分解立體圖。
積層帶通濾波器500，具備有：積層體502及LC並聯諧振器504、506、508、510、512。積層體502，以積層多個絕緣體層之方式構成。LC並聯諧振器504、506、508、510、512，由導體層及通孔導體構成，且在從與積層方向正交的方向俯視觀察時，呈環(loop)狀。LC並聯諧振器504、506、508、510、512的環路面相互重疊。
在積層帶通濾波器500中，LC並聯諧振器504、506、508、510、512的環路面稍有偏離。藉此，使LC並聯諧振器504、506、508、510、512彼此的耦合度下降，從而能夠謀求積層帶通濾波器500的通頻帶之窄頻帶化。其結果為，可得到具有所希望的通過特性的積層帶通濾波器500。
如上所述，期望有一種能得到所希望的通過特性的濾波器。
專利文獻1：國際公開第2007/119356號刊物
此處，本發明的目的在於，提供一種能夠容易地獲得所希望的通過特性的濾波器。
本發明的一實施形態之濾波器，其特徵在於，具備有：積層體，係積層多個絕緣體層而構成；以及多個LC並聯諧振器，係於所述積層體中沿著與積層方向正交的第1方向排列，且包含有線圈及電容器；在第1方向相鄰的所述LC並聯諧振器彼此，相互地進行電磁耦合；所述各個電容器，具有：電容器導體層；以及隔著所述絕緣體層與所述電容器導體層相對向的接地導體層；所述各個線圈，具有：線路導體層，係設置於所述絕緣體層上；第1通孔導體，係從與積層方向及第1方向正交的第2方向中的所述線路導體層的一端朝向積層方向的一側延伸，並與所述電容器導體層電連接；以及第2通孔導體，係從第2方向中的所述線路導體層的另一端朝向積層方向的一側延伸，並與所述接地導體層電連接；在第1方向相鄰的所述第1通孔導體間的第1距離，與在第1方向上相鄰的所述第2通孔導體間的第2距離不同。
根據本發明，能夠容易地獲得所希望的通過特性。
A‧‧‧平行部
B‧‧‧彎曲部
C1~C6‧‧‧電容器
L1~L3‧‧‧線圈
LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器
b1~b17、b21~b42、b51~b67‧‧‧通孔導體
10、10a‧‧‧濾波器
12‧‧‧積層體
14a~14c‧‧‧外部電極
16a~16k‧‧‧絕緣體層
18a~18f‧‧‧線路導體層
22a~22c、26a~26c、28、32a、32b‧‧‧電容器導體層
30‧‧‧接地導體層
圖1，係本發明的實施形態的濾波器的外觀立體圖。
圖2，係濾波器的積層體的分解立體圖。
圖3，係濾波器的等效電路圖。
圖4，係從z軸方向俯視觀察第1模型的線路導體層時的圖。
圖5，係從z軸方向俯視觀察第2模型的線路導體層時的圖。
圖6，係從z軸方向俯視觀察第3模型的線路導體層時的圖。
圖7，係從z軸方向俯視觀察第4模型的線路導體層時的圖。
圖8，係表示第1模型的模擬結果的曲線圖。
圖9，係表示第2模型的模擬結果的曲線圖。
圖10，係表示第3模型的模擬結果的曲線圖。
圖11，係表示第4模型的模擬結果的曲線圖。
圖12，係變形例的積層體的分解立體圖。
圖13，係從z軸方向俯視觀察第5模型的線路導體層時的圖。
圖14，係從z軸方向俯視觀察第6模型的線路導體層時的圖。
圖15，係從z軸方向俯視觀察第7模型的線路導體層時的圖。
圖16，係表示第5模型的模擬結果的曲線圖。
圖17，係表示第6模型的模擬結果的曲線圖。
圖18，係表示第7模型的模擬結果的曲線圖。
圖19，係專利文獻1記載的積層帶通濾波器的分解立體圖。
以下，將針對本發明的實施形態的濾波器進行說明。
(濾波器的構成)於以下，一邊參照圖式，一邊針對本發明的一實施形態的濾波器的構成進行說明。圖1，係本發明的實施形態的濾波器10的外觀立體圖。圖2，係濾波器10的積層體12的分解立體圖。圖3，係濾波器10的等效電路圖。在圖1及圖2中，z軸方向表示絕緣體層16的積層方向。此外，x軸方向表示沿著濾波器10的長邊之方向，y軸方向表示 沿著濾波器10的短邊之方向。x軸方向、y軸方向以及z軸方向相互正交。
如圖1及圖2所示，濾波器10，具備有：積層體12、外部電極14(14a~14c)、LC並聯諧振器LC1~LC3、電容器C4~C6、以及通孔導體b16、b17、b34~b42、b66、b67。
如圖2所示，積層體12，藉由積層由陶瓷電介質所構成的絕緣體層16a~16k而構成，且呈長方體狀。此外，積層體12內置有LC並聯諧振器LC1~LC3以及電容器C4~C6。
如圖2所示，絕緣體層16a~16k呈長方形狀，例如由陶瓷電介質構成。絕緣體層16a~16k，以從z軸方向的正方向側往負方向側按此順序排列的方式積層。於以下，將絕緣體層16的z軸方向的正方向側的面稱為表面，將絕緣體層16的z軸方向的負方向側的面稱為背面。
LC並聯諧振器LC1~LC3，沿x軸方向排列。於本實施形態中，在從z軸方向俯視觀察時，LC並聯諧振器LC1~LC3按照該順序從x軸方向的負方向側往正方向側排列。而且，在y軸方向相鄰的LC並聯諧振器LC1~LC3，藉由相互地進行電磁耦合，而構成帶通濾波器。
如圖3所示，LC並聯諧振器LC1，包含有線圈L1及電容器C1。更詳細而言，LC並聯諧振器LC1，由通孔導體b1~b15、線路導體層18a、18b、電容器導體層26a、32a以及接地導體層30構成，且呈環形狀。
電容器C1，具有電容器導體層26a、32a以及接地導體層30。接地導體層30，係呈十字型的導體層，且由端部30a、中央部30b及端部30c構成。中央部30b，係設置於絕緣體層16i的表面中央的長方形的導體層。端部30a，係從中央部30b的x軸方向的負方向側的邊朝向x軸方向的 負方向側突出的長方形的導體。端部30c，係從中央部30b的x軸方向的正方向側的邊朝向x軸方向的正方向側突出的長方形的導體。
電容器導體層26a，係隔著絕緣體層16g、16h而與接地導體層30的端部30a相對向的導體層，且設於絕緣體層16g的表面上。藉此，在電容器導體層26a與接地導體層30之間產生靜電電容。電容器導體層26a，呈現為於y軸方向具有長邊方向的長方形狀，設置於較絕緣體層16g的對角線交點更為x軸方向的負方向側。
電容器導體層32a，係隔著絕緣體層16i而與接地導體層30的端部30a相對向的導體層，且設於絕緣體層16j的表面上。藉此，在電容器導體層32a與接地導體層30之間產生靜電電容。電容器導體層32a呈現為於y軸方向具有長邊方向的長方形狀，設置於較絕緣體層16j的對角線交點更為x軸方向的負方向側。藉由將電容器導體層26a與接地導體層30之間的靜電電容，與電容器導體層32a與接地導體層30之間的靜電電容並聯連接，而形成有電容器C1。
線圈L1，具有通孔導體b1~b15及線路導體層18a、18b。線路導體層18a，設置於絕緣體層16b的表面上，且係呈L字型的線狀導體。更詳細而言，線路導體層18a，由平行部A及彎曲部B構成。平行部A，於y軸方向延伸。彎曲部B，從平行部A的y軸方向的正方向側的端部往x軸方向的正方向側延伸。如以上般構成的線路導體層18a，設置於較絕緣體層16b的對角線交點更為x軸方向的負方向側。
線路導體層18b，設置於絕緣體層16c的表面上，且係呈L字型的線狀導體。更詳細而言，線路導體層18b，由平行部A及彎曲部B 構成。平行部A，於y軸方向延伸。彎曲部B，從平行部A的y軸方向的正方向側的端部往x軸方向的正方向側延伸。如以上般構成的線路導體層18b，設置於較絕緣體層16c的對角線交點更為x軸方向的負方向側。
通孔導體b1~b7分別於z軸方向貫通絕緣體層16b~16h。通孔導體b1的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18a的彎曲部B的x軸方向的正方向側的端部連接。通孔導體b2的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18b的彎曲部B的x軸方向的正方向側的端部連接。此外，通孔導體b7的z軸方向的負方向側的端部，與接地導體層30連接。藉此，通孔導體b1~b7，構成從線路導體層18a、18b的y軸方向的正方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且與接地導體層30連接。
通孔導體b8~b15分別於z軸方向貫通絕緣體層16b~16i，且設置於較通孔導體b1~b7更為y軸方向的負方向側。通孔導體b8的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18a的平行部A的y軸方向的負方向側的端部連接。通孔導體b9的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18b的平行部A的y軸方向的負方向側的端部連接。此外，通孔導體b12的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層26a連接。此外，通孔導體b15的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層32a連接。藉此，通孔導體b8~b15，構成從線路導體層18a、18b的y軸方向的負方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且與電容器導體層26a、32a連接。
如上所述，線圈L1，以通孔導體b7與接地導體層30的連 接點作為一端，經由通孔導體b1~b7、線路導體層18a、18b、及通孔導體b8~b15，以通孔導體b15與電容器導體層32a的連接點作為另一端，構成環形狀。
如以上般構成的LC並聯諧振器LC1，在從z軸方向俯視觀察時，形成有彎曲成L字型的環路面。LC並聯諧振器LC1的環路面，係指由LC並聯諧振器LC1包圍的假想平面。
如圖3所示，LC並聯諧振器LC2，包含有線圈L2及電容器C2。更詳細而言，LC並聯諧振器LC2，由通孔導體b21~b33、線路導體層18c、18d、電容器導體層26b、28以及接地導體層30構成，且呈環形狀。
電容器C2，具有電容器導體層26b、28及接地導體層30。接地導體層30，係呈十字型的導體層。
電容器導體層26b，係隔著絕緣體層16g、16h而與接地導體層30的中央部30b相對向的導體層，且設於絕緣體層16g的表面上。藉此，在電容器導體層26b與接地導體層30之間產生靜電電容。電容器導體層26b，呈現為於x軸方向具有長邊方向的長方形，設置於絕緣體層16g的對角線交點附近。
電容器導體層28，係隔著絕緣體層16h而與接地導體層30的中央部30b相對向的導體層，且設置於絕緣體層16h的表面上。藉此，在電容器導體層28與接地導體層30之間產生靜電電容。電容器導體層28，呈現為於x軸方向具有長邊方向的長方形狀，設置於較絕緣體層16h的對角線交點更為y軸方向的負方向側。藉由將電容器導體層26b與接地導體層30之間的靜電電容，與電容器導體層28與接地導體層30之間的靜電電容 並聯連接，而形成電容器C2。
線圈L2，具有通孔導體b21~b33及線路導體層18c、18d。線路導體層18c，設置於絕緣體層16b的表面上，且係於y軸方向延伸的呈直線狀的線狀之導體。線路導體層18c，由平行部A構成。如以上般構成的線路導體層18c，設置於絕緣體層16b的對角線的附近。
線路導體層18d，設置於絕緣體層16c的表面上，且係於y軸方向延伸的呈直線狀的線狀之導體。線路導體層18d，由平行部A構成。如以上般構成的線路導體層18d，設置於絕緣體層16c的對角線的附近。
通孔導體b21~b27分別於z軸方向貫通絕緣體層16b~16h。通孔導體b21的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18c的y軸方向的正方向側的端部連接。通孔導體b2的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18b的y軸方向的正方向側的端部連接。此外，通孔導體b27的z軸方向的負方向側的端部，與接地導體層30連接。藉此，通孔導體b21~b27，構成從線路導體層18c、18d的y軸方向的正方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且與接地導體層30連接。
通孔導體b28~b33分別於z軸方向貫通絕緣體層16b~16g，設置於較通孔導體b21~b27更為y軸方向的負方向側。通孔導體b28的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18c的y軸方向的負方向側的端部連接。通孔導體b29的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18d的y軸方向的負方向側的端部連接。此外，通孔導體b32的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層26b連接。此外，通孔導體b33的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層28連接。藉此，通孔導體b28~b33，構 成從線路導體層18c、18d的y軸方向的負方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且與電容器導體層26b、28連接。
如上所述，線圈L2，以通孔導體b27與接地導體層30的連接點作為一端，經由通孔導體b21~b27、線路導體層18c、18d、及通孔導體b28~b33，成為以通孔導體b33與電容器導體層28的連接點作為另一端之環形狀。
如以上般構成的LC並聯諧振器LC2，形成有與yz平面平行的環路面。LC並聯諧振器LC2的環路面，係指由LC並聯諧振器LC2包圍的長方形狀的假想平面。
如圖3所示，LC並聯諧振器LC3，包含有線圈L3及電容器C3。更詳細而言，LC並聯諧振器LC3，由通孔導體b51~b65、線路導體層18e、18f、電容器導體層26c、32b以及接地導體層30構成，且呈環形狀。
電容器C3，具有電容器導體層26c、32b及接地導體層30。接地導體層30，係呈十字型的導體層。
電容器導體層26c，係隔著絕緣體層16g、16h而與接地導體層30的端部30c相對向的導體層，且設於絕緣體層16g的表面上。藉此，在電容器導體層26c與接地導體層30之間產生靜電電容。電容器導體層26c，呈現為於y軸方向具有長邊方向的長方形狀，設置於較絕緣體層16g的對角線交點更為x軸方向的正方向側。
電容器導體層32b，係隔著絕緣體層16i而與接地導體層30的端部30c相對向的導體層，且設於絕緣體層16j的表面上。藉此，在電容器導體層32b與接地導體層30之間產生靜電電容。電容器導體層32b，呈 現為於y軸方向具有長邊方向的長方形狀，設置於較絕緣體層16j的對角線交點更為x軸方向的正方向側。藉由將電容器導體層26c與接地導體層30之間的靜電電容，與電容器導體層32b與接地導體層30之間的靜電電容並聯連接，而形成電容器C3。
線圈L3，具有通孔導體b51~b65及線路導體層18e、18f。線路導體層18e，設置於絕緣體層16b的表面上，且係呈L字型的線狀之導體。更詳細而言，線路導體層18e，由平行部A及彎曲部B構成。平行部A，於y軸方向延伸。彎曲部B，從平行部A的y軸方向的正方向側的端部朝向x軸方向的負方向側延伸。如以上般構成的線路導體層18e，設置於較絕緣體層16b的對角線交點更為x軸方向的正方向側。
線路導體層18f，設置於絕緣體層16c的表面上，且係呈L字型的線狀之導體。更詳細而言，線路導體層18f，由平行部A及彎曲部B構成。平行部A，於y軸方向延伸。彎曲部B，從平行部A的y軸方向的正方向側的端部朝向x軸方向的負方向側延伸。如以上般構成的線路導體層18f，設置於較絕緣體層16c的對角線交點更為x軸方向的正方向側。
通孔導體b51~b57分別於z軸方向貫通絕緣體層16b~16h。通孔導體b51的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18e的彎曲部B的x軸方向的負方向側的端部連接。通孔導體b52的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18f的彎曲部B的x軸方向的負方向側的端部連接。此外，通孔導體b57的z軸方向的負方向側的端部，與接地導體層30連接。藉此，通孔導體b51~b57，構成從線路導體層18e、18f的y軸方向的正方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且與接 地導體層30連接。
通孔導體b58~b65分別於z軸方向貫通絕緣體層16b~16i，設置於較通孔導體b51~b57更為y軸方向的負方向側。通孔導體b58的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18e的平行部A的y軸方向的負方向側的端部連接。通孔導體b59的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18f的平行部A的y軸方向的負方向側的端部連接。此外，通孔導體b62的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層26c連接。此外，通孔導體b65的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層32b連接。藉此，通孔導體b58~b65，構成從線路導體層18e、18f的y軸方向的負方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且與電容器導體層26c、32b連接。
如上所述，線圈L3，呈環形狀，該環形狀係在yz平面中，以通孔導體b57與接地導體層30的連接點作為一端，經由通孔導體b51~b57、線路導體層18e、18f、及通孔導體b58~b65，而以通孔導體b65與電容器導體層32b的連接點作為另一端。
如以上般構成的LC並聯諧振器LC3，從z軸方向俯視觀察時，形成彎曲成L字型的環路面。LC並聯諧振器LC3之環路面，係指由LC並聯諧振器LC3包圍的假想平面。
LC並聯諧振器LC1的環路面與LC並聯諧振器LC3的環路面，夾著LC並聯諧振器LC2的環路面。藉此，如圖3所示，LC並聯諧振器LC1的線圈L1與LC並聯諧振器LC2的線圈L2電磁耦合。此外，LC並聯諧振器LC2的線圈L2與LC並聯諧振器LC3的線圈L3電磁耦合。
此外，線路導體層18a、18e呈L字型。而且，於線路導體層18a的y軸方向的正方向側的端部，連接有通孔導體b1~b7，而於線路導體層18a的y軸方向的負方向側的端部，連接有通孔導體b8~b15。進一步地，於線路導體層18c的y軸方向的正方向側的端部，連接有通孔導體b21~b27，而於線路導體層18c的y軸方向的負方向側的端部，連接有通孔導體b28~b33。進一步地，於線路導體層18e的y軸方向的正方向側的端部，連接有通孔導體b51~b57，而於線路導體層18e的y軸方向的負方向側的端部，連接有通孔導體b58~b65。
藉此，在y軸方向相鄰的通孔導體b1~b7與通孔導體b21~b27之間的距離，與在y軸方向相鄰的通孔導體b8~b15與通孔導體b28~b33之間的距離有所不同。在本實施形態中，通孔導體b8~b15與通孔導體b28~b33之間的距離，較通孔導體b1~b7與通孔導體b21~b27之間的距離大。
同樣地，在y軸方向相鄰的通孔導體b51~b57與通孔導體b21~b27之間的距離，與在y軸方向相鄰的通孔導體b58~b65與通孔導體b28~b33之間的距離有所不同。在本實施形態中，通孔導體b58~b65與通孔導體b28~b33之間的距離，較通孔導體b51~b57與通孔導體b21~b27之間的距離大。距離，意指從z軸方向俯視觀察時的直線距離。
此外，線路導體層18a~18f的平行部A，在從z軸方向俯視觀察時，從與電容器導體層32a、28、32b連接的通孔導體b8~b15、b28~b33、b58~b65起相互平行地往y軸方向的正方向側延伸。
電容器C4，具有電容器導體層22a、22b及耦合導體層24a。 耦合導體層24a，設置在絕緣體層16f的表面上，並於x軸方向延伸。電容器導體層22a，係隔著絕緣體層16e而與耦合導體層24a相對向的導體層，且設置於絕緣體層16e的表面上。電容器導體層22a，與通孔導體b10、b11連接。電容器導體層22b，係隔著絕緣體層16e而與耦合導體層24a相對向的導體層，且設置於絕緣體層16e的表面上。電容器導體層22b，與通孔導體b30、b31連接。藉此，在電容器導體層22a、22b與耦合導體層24a之間產生靜電電容，形成電容器C4。如上所述，LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2透過電容器C4進行電容耦合。
電容器C5，具有電容器導體層22b、22c及耦合導體層24b。耦合導體層24b，設置在絕緣體層16f的表面上，並於x軸方向延伸。電容器導體層22c，係隔著絕緣體層16e而與耦合導體層24b相對向的導體層，且設置於絕緣體層16e的表面上。電容器導體層22c，與通孔導體b60、b61連接。電容器導體層22b，係隔著絕緣體層16e而與耦合導體層24b相對向的導體層，且設置於絕緣體層16e的表面上。藉此，在電容器導體層22b、22c與耦合導體層24b之間產生靜電電容，形成電容器C5。如上所述，LC並聯諧振器LC3與LC並聯諧振器LC2透過電容器C5進行電容耦合。
電容器C6，具有電容器導體層22a、22c及耦合導體層20。耦合導體層20，設置在絕緣體層16d的表面上，並於x軸方向延伸。藉此，耦合導體層20，隔著絕緣體層16d而與電容器導體層22a、22c相對向。其結果為，在電容器導體層22a與耦合導體層20之間產生靜電電容，並在電容器導體層22b與耦合導體層20之間產生靜電電容。如上所述，電容器導體層22a、22c，透過耦合導體層20進行電容耦合。藉此，形成有電容器C6。 如上所述，LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC3透過電容器C6進行電容耦合。
如圖1所示，外部電極14a，設置於積層體12中的z軸方向的負方向側的底面，而使用作為輸入電極。亦即，外部電極14a，設置於絕緣體層16k的背面上。外部電極14b，設置於積層體12中的z軸方向的負方向側的底面，且使用作為接地電極。亦即，外部電極14b，設置於絕緣體層16k的背面上。外部電極14c，設置於積層體12中的z軸方向的負方向側的底面，且使用作為輸出電極。亦即，外部電極14c，設置於絕緣體層16k的背面上。外部電極14a~14c，依該順序從x軸方向的負方向側往正方向側排列。
通孔導體b16、b17，於z軸方向貫通絕緣體層16j、16k，並連接有電容器導體層32a與外部電極14a。通孔導體b66、b67，於z軸方向貫通絕緣體層16j、16k，並連接有電容器導體層32b與外部電極14c。通孔導體b34~b36，於z軸方向貫通絕緣體層16i~16k，並連接有接地導體層30與外部電極14b。通孔導體b37~b39，於z軸方向貫通絕緣體層16i~16k，並連接有接地導體層30與外部電極14b。通孔導體b40~b42，於z軸方向貫通絕緣體層16i~16k，並連接有接地導體層30與外部電極14b。
接著，針對濾波器10的動作的一例，一邊參照圖1至圖3一邊進行說明。首先，如圖3所示，從外部電極14a輸入的高頻訊號Sig1流過LC並聯諧振器LC1。
線圈L1與線圈L2電磁耦合。由此，一旦高頻訊號Sig1於LC並聯諧振器LC1流動，則高頻訊號Sig2藉由電磁感應而於LC並聯諧振 器LC2流動。
線圈L2與線圈L3電磁耦合。由此，一旦高頻訊號Sig2於LC並聯諧振器LC2流動，則高頻訊號Sig3藉由電磁感應而於LC並聯諧振器LC3流動。藉此，高頻訊號Sig3，從外部電極14c輸出。
此處，LC並聯諧振器LC1~LC3分別具有由線圈L1~L3及電容器C1~C3所決定的固有的諧振頻率。而且，LC並聯諧振器LC1~LC3的阻抗，在該等之諧振頻率中變高。藉此，由該等之諧振頻率所決定的既定的頻帶的高頻訊號Sig3，並不透過外部電極14b流往接地，而係從外部電極14c輸出。
(濾波器的製造方法)接著，針對濾波器10的製造方法，一邊參照圖1及圖2一邊進行說明。
首先，準備用以成為絕緣體層16a~16k的陶瓷坯片(ceramic green sheet)。接著，於用以成為絕緣體層16b~16k的陶瓷坯片之各個，形成通孔導體b1~b17、b21~b42、b51~b67。詳細而言，係對用以成為絕緣體層16b~16k的陶瓷坯片照射雷射光束而形成通孔。接著，針對該通孔，利用印刷塗布等方法，填充Ag、Pd、Cu、Au或該等之合金等的導電性糊料(paste)。
接著，於用以成為絕緣體層16b~16j的陶瓷坯片的表面上，利用篩網(screen)印刷法或光蝕刻法(photolithography)等方法塗布以Ag、Pd、Cu、Au或該等之合金等為主要成分的導電性糊料，藉此形成線路導體層18a~18f、耦合導體層20、24a、24b、電容器導體層22a~22c、26a~26c、28、32a、32b及接地導體層30。於用以成為絕緣體層16k的陶瓷坯片的背面上， 利用篩網印刷法或光蝕刻法等方法塗布以Ag、Pd、Cu、Au或該等的合金等為主要成分的導電性糊料，藉此形成用以成為外部電極14a~14c的導體電極。另外，在導體電極、線路導體層18a~18f、耦合導體層20、24a、24b、電容器導體層22a~22c、26a~26c、28、32a、32b及接地導體層30之形成時，亦可進行對通孔導體填充導電性糊料。
接著，將各陶瓷坯片進行積層。具體而言，係將用以成為絕緣體層16k的陶瓷坯片進行配置。接著，在用以成為絕緣體層16k的陶瓷坯片上配置用以成為絕緣體層16j的陶瓷坯片。之後，將用以成為絕緣體層16j的陶瓷坯片，對著用以成為絕緣體層16k的陶瓷坯片進行壓接。之後，針對用以成為16i、16h、16g、16f、16e、16d、16c、16b、16a的陶瓷坯片，亦同樣地按照該順序進行積層及壓接。藉由以上之步驟，形成母積層體。對該母積層體，利用靜水壓衝壓(press)等而實施正式壓接。
接著，利用切刀刃將母積層體切成既定尺寸的積層體12。對該未燒成的積層體12，進行脫黏合劑處理及燒成。
藉由以上之步驟，可得到經燒成的積層體12。對積層體12，實施滾筒(barrel)加工，進行倒角。
最後，對導體電極的表面，實施鍍Ni/鍍Sn，藉此形成外部電極14a~14c。經過以上之步驟，完成如圖1所示般的濾波器10。
(效果)根據如以上般構成的濾波器10，能容易地獲得所希望的通過特性。更詳細而言，在濾波器10中，通孔導體b8~b15與通孔導體b28~b33之間的距離，較通孔導體b1~b7與通孔導體b21~b27之間的距離大。通孔導體b58~b65與通孔導體b28~b33之間的距離，較通孔導 體b51~b57與通孔導體b21~b27之間的距離大。藉此，在濾波器10中，與接地導體層30連接的通孔導體b1~b7、通孔導體b21~b27及通孔導體b51~b57彼此，較與電容器導體層32a、28、32b連接的通孔導體b8~b15、通孔導體b28~b33及通孔導體b58~b65彼此更接近。一旦與接地導體層連接的通孔導體彼此接近，則磁場耦合相對地變較強，能謀求通頻帶之窄頻帶化。另一方面，一旦與電容器導體層連接的通孔導體彼此接近，則電容耦合相對地變較強，能謀求通頻帶之寬頻帶化。由此，在濾波器10中，能謀求通頻帶之窄頻帶化。
如上所述，根據濾波器10，使通孔導體b8~b15與通孔導體b28~b33之間的距離，不同於通孔導體b1~b7與通孔導體b21~b27之間的距離，且使通孔導體b58~b65與通孔導體b28~b33之間的距離，不同於通孔導體b51~b57與通孔導體b21~b27之間的距離。藉此，能使濾波器10的通頻帶改變。亦即，能容易地在濾波器10中獲得所希望的通過特性。
此外，在濾波器10中，藉由於以下說明的理由，亦能使濾波器10的通頻帶改變。更詳細而言，線路導體層18a~18f的平行部A，在從z軸方向俯視觀察時，從與電容器導體層32a、28、32b連接的通孔導體b8~b15、通孔導體b28~b33及通孔導體b58~b65起相互平行地往y軸方向的正方向側延伸。亦即，線路導體層18a、18c、18e的平行部A以分離的狀態平行地延伸。同樣地，線路導體層18b、18d、18f的平行部A以分離的狀態平行地延伸。藉此，線路導體層18a、18c、18e彼此的磁場耦合、以及線路導體層18b、18d、18f彼此的磁場耦合變弱。其結果為，在濾波器10中，可謀求濾波器10的通頻帶之寬頻帶化。如上所述，藉由改變線路導體 層18a~18f的形狀，亦能使濾波器10的通頻帶改變。亦即，能容易地在濾波器10中獲得所希望的通過特性。
本申請的發明人，為了使濾波器10所發揮的效果更為明確，進行了於以下說明的電腦模擬。更詳細而言，係作成了濾波器10的第1模型至第3模型，以及比較例之濾波器的第4模型。圖4，係從z軸方向俯視觀察第1模型的線路導體層18a、18c、18e時的圖。圖5，係從z軸方向俯視觀察第2模型的線路導體層18a、18c、18e時的圖。圖6，係從z軸方向俯視觀察第3模型的線路導體層18a、18c、18e時的圖。圖7，係從z軸方向俯視觀察第4模型的線路導體層118a、118c、118e時的圖。
如圖4所示，在第1模型中，線路導體層18a、18c、18e的平行部A相互接近。亦即，在從z軸方向俯視觀察時，線路導體層18a、18c、18e的平行部A，從與接地導體層30連接的通孔導體b1~b7、通孔導體b21~b27及通孔導體b51~b57起相互平行地往y軸方向的負方向側延伸。而且，線路導體層18a的彎曲部B，從平行部A的y軸方向的負方向側的端部往x軸方向的負方向側延伸。線路導體層18e的彎曲部B，從平行部A的y軸方向的負方向側的端部往x軸方向的正方向側延伸。
如圖5所示，在第2模型中，線路導體層18a、18c、18e，在從z軸方向俯視觀察時呈直線狀，而隨著愈往y軸方向的正方向側，相互的距離變小。
如圖6所示，在第3模型中，線路導體層18a、18c、18e的平行部A相互分離。亦即線路導體層18a、18c、18e的平行部A，在從z軸方向俯視觀察時，從與電容器導體層32a、28、32b連接的通孔導體b8~b15、 通孔導體b28~b33及通孔導體b58~b65起相互平行地往y軸方向的正方向側延伸。而且，線路導體層18a的彎曲部B，從平行部A的y軸方向的正方向側的端部往x軸方向的正方向側延伸。線路導體層18e的彎曲部B，從平行部A的y軸方向的正方向側的端部往x軸方向的負方向側延伸。第3模型，具有與圖2所示的濾波器10相同的構造。
如圖7所示，在第4模型中，線路導體層118a、118c、118e呈現於y軸方向延伸的直線狀。亦即，線路導體層118a、118c、118e成為相互平行。
本申請的發明人，針對第1模型至第4模型的通過特性及反射特性進行了調查。所謂的通過特性，係指從外部電極14c輸出的輸出訊號相對於從外部電極14a輸入的輸入訊號之衰減量與輸入訊號的頻率之間的關係。所謂的反射特性，係指從外部電極14a輸出的反射訊號相對於從外部電極14a輸入的輸入訊號之衰減量與輸入訊號的頻率之間的關係。圖8，係表示了第1模型的模擬結果的曲線圖。圖9，係表示了第2模型的模擬結果的曲線圖。圖10，係表示了第3模型的模擬結果的曲線圖。圖11，係表示了第4模型的模擬結果的曲線圖。縱軸表示衰減量，橫軸表示頻率。
若將圖8至圖10的曲線圖與圖11的曲線圖進行比較，則可知第1模型至第3模型的通頻帶，較第4模型的通頻帶窄。由此，與接地導體層30連接的通孔導體b1~b7、通孔導體b21~b27及通孔導體b51~b57彼此，較與電容器導體層32a、28、32b連接的通孔導體b8~b15、通孔導體b28~b33及通孔導體b58~b65彼此更接近，藉此可知，能夠謀求濾波器10的窄頻帶化。
此外，若將圖8至圖10進行比較，則可知第1模型的通頻帶最窄，而第3模型的通頻帶最寬。由於在第1模型中，平行部A相接近，因此LC並聯諧振器LC1~LC3彼此的磁場耦合較強。因此可知，在第1模型中，能夠謀求窄頻帶化。另一方面，由於在第3模型中，平行部A相分離，因此LC並聯諧振器LC1~LC3彼此的磁場耦合較弱。因此可知，在第3模型中，能夠謀求寬頻帶化。從以上可知，藉由改變線路導體層18a~18f的形狀，亦能改變濾波器10的通過特性。
(變形例)於以下，針對變形例之濾波器10a，一邊參照圖式一邊進行說明。圖12，係變形例之濾波器10a的積層體12的分解立體圖。在圖12中，針對與濾波器10相同的構成，標記了與濾波器10相同的參照符號。關於濾波器10a的外觀立體圖，則沿用圖1。此外，關於濾波器10a的等效電路圖，則沿用圖3。
濾波器10與濾波器10a的不同點在於，與電容器導體層32a、28、32b電連接的通孔導體b8、b9、通孔導體b28、b29及通孔導體b58、b59彼此，較與接地導體層30電連接的通孔導體b1、b2、通孔導體b21、b22及通孔導體b51、b52彼此更接近。
更詳細而言，如圖3所示，LC並聯諧振器LC1，包含有線圈L1及電容器C1。更詳細而言，LC並聯諧振器LC1，由通孔導體b1~b15、線路導體層18a、18b、電容器導體層26a、32a、接地導體層30以及連接導體層40a、42a構成，且呈環形狀。
濾波器10a的電容器C1，係與濾波器10的電容器C1相同，因此省略說明。
線圈L1，具有通孔導體b1~b15、線路導體層18a、18b及連接導體層40a、42a。線路導體層18a，設置於絕緣體層16b的表面上，且係呈L字型的線狀之導體。更詳細而言，線路導體層18a，由平行部A及彎曲部B構成。平行部A，於y軸方向延伸。彎曲部B，從平行部A的y軸方向的負方向側的端部往x軸方向的正方向側延伸。如以上般構成的線路導體層18a，設置於較絕緣體層16b的對角線交點更為x軸方向的負方向側。
線路導體層18b，設置於絕緣體層16c的表面上，且係呈L字型的線狀之導體。更詳細而言，線路導體層18b，由平行部A及彎曲部B構成。平行部A，於y軸方向延伸。彎曲部B，從平行部A的y軸方向的負方向側的端部往x軸方向的正方向側延伸。如以上般構成的線路導體層18b，設置於較絕緣體層16c的對角線交點更為x軸方向的負方向側。
連接導體層40a，設置在絕緣體層16d的表面上，並於x軸方向延伸。連接導體層40a，設置於較絕緣體層16d的對角線交點更為x軸方向的負方向側、以及更為y軸方向的正方向側。連接導體層42a，設置在絕緣體層16d的表面上，並於x軸方向延伸。連接導體層42a，設置於較絕緣體層16d的對角線交點更為x軸方向的負方向側、以及更為y軸方向的負方向側。
通孔導體b1、b2分別於z軸方向貫通絕緣體層16b、16c。通孔導體b1的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18a的平行部A的y軸方向的正方向側的端部連接。通孔導體b2的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18b的平行部A的y軸方向的正方向側的端部連接。此外，通孔導體b2的z軸方向的負方向側的端部，與連接導體層40a的x 軸方向的負方向側的端部連接。
通孔導體b3~b7分別於z軸方向貫通絕緣體層16d~16h。通孔導體b3的z軸方向的正方向側的端部，與連接導體層40a的x軸方向的正方向側的端部連接。此外，通孔導體b7的z軸方向的負方向側的端部，與接地導體層30連接。藉此，通孔導體b1、b2，構成從線路導體層18a、18b的y軸方向的正方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且透過通孔導體b3~b7而與接地導體層30電連接。
通孔導體b8、b9分別於z軸方向貫通絕緣體層16b、16c。通孔導體b8的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18a的彎曲部B的x軸方向的正方向側的端部連接。通孔導體b9的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18b的彎曲部B的x軸方向的正方向側的端部連接。此外，通孔導體b9的z軸方向的負方向側的端部，與連接導體層42a的x軸方向的正方向側的端部連接。
通孔導體b10~b15分別於z軸方向貫通絕緣體層16d~16i。通孔導體b10的z軸方向的正方向側的端部，與連接導體層42a的x軸方向的負方向側的端部連接。此外，通孔導體b12的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層26a連接。此外，通孔導體b15的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層32a連接。藉此，通孔導體b8、b9，構成從線路導體層18a、18b的y軸方向的負方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且透過通孔導體b10~b15而與電容器導體層26a、32a連接。
濾波器10a的LC並聯諧振器LC2，係與濾波器10的LC並聯諧振器LC2相同，因此省略說明。
如圖3所示，LC並聯諧振器LC3，包含有線圈L3及電容器C3。更詳細而言，LC並聯諧振器LC3，由通孔導體b51~b65、線路導體層18e、18f、電容器導體層26c、32b、接地導體層30以及連接導體層40b、42b構成，且呈環形狀。
濾波器10a的電容器C3，係與濾波器10的電容器C3相同，因此省略說明。
線圈L3，具有通孔導體b51~b65、線路導體層18e、18f以及連接導體層40b、42b。線路導體層18e，設置於絕緣體層16b的表面上，且係呈L字型的線狀之導體。更詳細而言，線路導體層18e，由平行部A及彎曲部B構成。平行部A，於y軸方向延伸。彎曲部B，從平行部A的y軸方向的負方向側的端部往x軸方向的負方向側延伸。如以上般構成的線路導體層18e，設置於較絕緣體層16b的對角線交點更為x軸方向的正方向側。
線路導體層18f，設置於絕緣體層16c的表面上，且係呈L字型的線狀之導體。更詳細而言，線路導體層18f，由平行部A及彎曲部B構成。平行部A，於y軸方向延伸。彎曲部B，從平行部A的y軸方向的負方向側的端部往x軸方向的負方向側延伸。如以上般構成的線路導體層18f，設置於較絕緣體層16c的對角線交點更為x軸方向的正方向側。
連接導體層40b，設置在絕緣體層16d的表面上，且於x軸方向延伸。連接導體層40b，設置於較絕緣體層16d的對角線交點更為x軸方向的正方向側、以及更為y軸方向的正方向側。連接導體層42b，設置在絕緣體層16d的表面上，且於x軸方向延伸。連接導體層42b，設置於較絕 緣體層16d的對角線交點更為x軸方向的正方向側、以及更為y軸方向的負方向側。
通孔導體b51、b52分別於z軸方向貫通絕緣體層16b、16c。通孔導體b51的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18e的平行部A的y軸方向的正方向側的端部連接。通孔導體b52的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18f的平行部A的y軸方向的正方向側的端部連接。此外，通孔導體b52的z軸方向的負方向側的端部，與連接導體層40b的x軸方向的正方向側的端部連接。
通孔導體b53~b57分別於z軸方向貫通絕緣體層16d~16h。通孔導體b53的z軸方向的正方向側的端部，與連接導體層40b的x軸方向的負方向側的端部連接。此外，通孔導體b57的z軸方向的負方向側的端部，與接地導體層30連接。藉此，通孔導體b51、b52，構成從線路導體層18e、18f的y軸方向的正方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且透過通孔導體b53~b57與接地導體層30電連接。
通孔導體b58、b59分別於z軸方向貫通絕緣體層16b、16c。通孔導體b58的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18e的彎曲部B的x軸方向的負方向側的端部連接。通孔導體b59的z軸方向的正方向側的端部，與線路導體層18f的彎曲部B的x軸方向的負方向側的端部連接。此外，通孔導體b59的z軸方向的負方向側的端部，與連接導體層42b的x軸方向的負方向側的端部連接。
通孔導體b60~b65分別於z軸方向貫通絕緣體層16d~16i。通孔導體b60的z軸方向的正方向側的端部，與連接導體層42b的x軸方向 的正方向側的端部連接。此外，通孔導體b62的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層26c連接。此外，通孔導體b65的z軸方向的負方向側的端部，與電容器導體層32b連接。藉此，通孔導體b58、b59，構成從線路導體層18e、18f的y軸方向的負方向側的端部朝向z軸方向的負方向側延伸的一通孔導體，且透過通孔導體b60~b65而與電容器導體層26c、32b連接。
濾波器10a的電容器C4~C6，係與濾波器10的電容器C4~C6相同，因此省略說明。
(效果)根據如以上般構成的濾波器10a，能容易地獲得所希望的通過特性。更詳細而言，在濾波器10a中，通孔導體b8、b9與通孔導體b28、b29之間的距離，較通孔導體b1、b2與通孔導體b21、b22之間的距離小。通孔導體b58、b59與通孔導體b28、b29之間的距離，較通孔導體b51、b52與通孔導體b21、b22之間的距離小。藉此，在濾波器10a中，與接地導體層30電連接的通孔導體b1、b2、通孔導體b21、b22及通孔導體b51、b52彼此，較與電容器導體層32a、28、32b電連接的通孔導體b8、b9、通孔導體b28、b29及通孔導體b58、b59彼此更為接近。一旦與接地導體層連接的通孔導體彼此接近，則磁場耦合相對地變較強，能謀求通頻帶之窄頻帶化。另一方面，一旦與電容器導體層連接的通孔導體彼此接近，則電容耦合相對地變較強，能謀求通頻帶之寬頻帶化。由此，在濾波器10a中，能謀求通頻帶之寬頻帶化。
如上所述，根據濾波器10a，使通孔導體b8、b9與通孔導體b28、b29之間的距離，不同於通孔導體b1、b2與通孔導體b21、b22之間的距離，且使通孔導體b58、b59與通孔導體b28、b29之間的距離，不同於通 孔導體b51、b52與通孔導體b21、b22之間的距離。藉此，能使濾波器10a的通頻帶改變。亦即，能容易地在濾波器10a中獲得所希望的通過特性。
此外，在濾波器10a中，藉由於以下說明的理由，亦能使濾波器10a的通頻帶改變。更詳細而言，線路導體層18a~18f的平行部A，在從z軸方向俯視觀察時，從與接地導體層30電連接的通孔導體b1、b2、通孔導體b21、b22及通孔導體b51、b52起相互平行地往y軸方向的負方向側延伸。亦即，線路導體層18a、18c、18e的平行部A以分離的狀態平行地延伸。同樣地，線路導體層18b、18d、18f的平行部A以分離的狀態平行地延伸。藉此、線路導體層18a、18c、18e彼此的磁場耦合、以及線路導體層18b、18d、18f彼此的磁場耦合變弱。其結果為，在濾波器10a中，可謀求濾波器10a的通頻帶之寬頻帶化。如上所述，藉由改變線路導體層18a~18f的形狀，亦能使濾波器10a的通頻帶改變。亦即，能容易地在濾波器10a中獲得所希望的通過特性。
本申請的發明人，為了使濾波器10a所發揮的效果更為明確，進行了於以下說明的電腦模擬。更詳細而言，係作成了濾波器10a的第5模型至第7模型。圖13，係從z軸方向俯視觀察第5模型的線路導體層18a、18c、18e時的圖。圖14，係從z軸方向俯視觀察第6模型的線路導體層18a、18c、18e時的圖。圖15，係從z軸方向俯視觀察第7模型的線路導體層18a、18c、18e時的圖。
如圖13所示，在第5模型中，線路導體層18a、18c、18e的平行部A相互接近。亦即，線路導體層18a、18c、18e的平行部A，在從z軸方向俯視觀察時，從與電容器導體層32a、28、32b電連接的通孔導體 b8、b9、通孔導體b28、b29及通孔導體b58、b59起相互平行地往y軸方向的正方向側延伸。而且，線路導體層18a的彎曲部B，從平行部A的y軸方向的正方向側的端部往x軸方向的負方向側延伸。線路導體層18e的彎曲部B，從平行部A的y軸方向的正方向側的端部往x軸方向的正方向側延伸。
如圖14所示，在第6模型中，線路導體層18a、18c、18e，在從z軸方向俯視觀察時，呈直線狀，而隨著愈往y軸方向的正方向側，相互的距離變寬。
如圖15所示，在第7模型中，線路導體層18a、18c、18e的平行部A相互分離。亦即，線路導體層18a、18c、18e的平行部A，在從z軸方向俯視觀察時，從與接地導體層30電連接的通孔導體b1、b2、通孔導體b21、b22及通孔導體b51、b52起相互平行地往y軸方向的負方向側延伸。而且，線路導體層18a的彎曲部B，從平行部A的y軸方向的負方向側的端部往x軸方向的正方向側延伸。線路導體層18e的彎曲部B，從平行部A的y軸方向的負方向側的端部往x軸方向的負方向側延伸。第7模型，具有與圖12所示的濾波器10a相同的構造。
本申請的發明人，對第5模型至第7模型的通過特性及反射特性進行了調查。圖16，係表示了第5模型的模擬結果的曲線圖。圖17，係表示第6模型的模擬結果的曲線圖。圖18，係表示第7模型的模擬結果的曲線圖。縱軸表示衰減量，橫軸表示頻率。
一旦將圖16至圖18的曲線圖與圖11的曲線圖進行比較，則可知第5模型至第7模型的通頻帶，較第4模型的通頻帶寬。因此，與電容器導體層32a、28、32b電連接的通孔導體b8、b9、通孔導體b28、b29 及通孔導體b58、b59彼此，較與接地導體層30電連接的通孔導體b1、b2、通孔導體b21、b22及通孔導體b51、b52彼此更接近，藉此可知，能謀求濾波器10a之寬頻帶化。
此外，若將圖16至圖18進行比較，則可知第5模型的通頻帶最窄，而第7模型的通頻帶最寬。由於在第5模型中，平行部A相接近，因此LC並聯諧振器LC1~LC3彼此的磁場耦合較強。因此可知，在第5模型中，可謀求窄頻帶化。另一方面，由於在第7模型中，平行部A相分離，因此LC並聯諧振器LC1~LC3彼此的磁場耦合較弱。因此可知，在第7模型中，可謀求寬頻帶化。由以上可知，藉由改變線路導體層18a~18f的形狀，亦能使濾波器10a的通過特性改變。
(其他的實施形態)另外，本發明之濾波器，並不限於所述濾波器10、10a，亦可在其要旨之範圍內進行變更。
另外，LC並聯諧振器的數量，亦可以是2個，亦可以是4個以上。
本發明係對濾波器具有貢獻性，尤其是在能夠容易地獲得所希望的通過特性這一點上相當優異。
A‧‧‧平行部
B‧‧‧彎曲部
C4~C6‧‧‧電容器
LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器
b1~b17、b21~b42、b51~b67‧‧‧通孔導體
10‧‧‧濾波器
12‧‧‧積層體
14a~14c‧‧‧外部電極
16a~16k‧‧‧絕緣體層
18a~18f‧‧‧線路導體層
20、24a、24b‧‧‧耦合導體層
22a~22c、26a~26c、28、32a、32b‧‧‧電容器導體層
30‧‧‧接地導體層
30a、30c‧‧‧端部
30b‧‧‧中央部

Claims (4)

  1. 一種濾波器，其特徵在於，具備有：積層體，係積層多個絕緣體層而構成；以及多個LC並聯諧振器，係於所述積層體中沿著與積層方向正交的第1方向排列，且包含有線圈及電容器；在第1方向相鄰的所述LC並聯諧振器彼此，相互地進行電磁耦合；所述各個電容器，具有：電容器導體層；以及接地導體層，係隔著所述絕緣體層與所述電容器導體層相對向；所述各個線圈，具有：線路導體層，係設置於所述絕緣體層上；第1通孔導體，係從與積層方向及第1方向正交的第2方向中的所述線路導體層的一端朝向積層方向的一側延伸，並與所述電容器導體層電連接；以及第2通孔導體，係從第2方向中的所述線路導體層的另一端朝向積層方向的一側延伸，並與所述接地導體層電連接；在第1方向相鄰的所述第1通孔導體間的第1距離，小於在第1方向相鄰的所述第2通孔導體間的第2距離。
  2. 如申請專利範圍第1項的濾波器，其中，在從積層方向俯視觀察時，所述多個線路導體層，分別具有從所述多個第2通孔導體起相互平行地延伸的平行部。
  3. 如申請專利範圍第1項的濾波器，其中， 在從積層方向俯視觀察時，所述多個線路導體層，分別具有從所述多個第1通孔導體起相互平行地延伸的平行部。
  4. 如申請專利範圍第1項的濾波器，其中，在從積層方向俯視觀察時，所述多個線路導體層，分別呈直線狀。
TW102121321A 2012-09-05 2013-06-17 濾波器 TWI521867B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012195398A JP5799918B2 (ja) 2012-09-05 2012-09-05 フィルタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201412017A TW201412017A (zh) 2014-03-16
TWI521867B true TWI521867B (zh) 2016-02-11

Family

ID=50186720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102121321A TWI521867B (zh) 2012-09-05 2013-06-17 濾波器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9252737B2 (zh)
JP (1) JP5799918B2 (zh)
CN (1) CN103684326B (zh)
TW (1) TWI521867B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5057001B2 (ja) * 2011-02-16 2012-10-24 株式会社村田製作所 電子部品
JP6314861B2 (ja) * 2015-01-29 2018-04-25 株式会社村田製作所 電子部品
JP6406423B2 (ja) * 2015-02-23 2018-10-17 株式会社村田製作所 電子部品
JP6380315B2 (ja) * 2015-09-26 2018-08-29 株式会社村田製作所 積層型ｌｃフィルタ
JP6380321B2 (ja) * 2015-09-29 2018-08-29 株式会社村田製作所 Ｌｃ並列共振器および積層帯域通過フィルタ
WO2017203892A1 (ja) * 2016-05-24 2017-11-30 株式会社村田製作所 積層型電子部品
JP7232083B2 (ja) 2019-03-05 2023-03-02 太陽誘電株式会社 フィルタ
CN114285387B (zh) * 2021-12-09 2023-05-09 电子科技大学 一种小型lc滤波器及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3718874A (en) * 1970-12-29 1973-02-27 Sossen E Etched inductance bandpass filter
JP3127792B2 (ja) 1995-07-19 2001-01-29 株式会社村田製作所 Ｌｃ共振器およびｌｃフィルタ
US6133809A (en) * 1996-04-22 2000-10-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. LC filter with a parallel ground electrode
US7671706B2 (en) * 2006-04-14 2010-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd High frequency multilayer bandpass filter
CN102647165B (zh) * 2006-04-14 2015-04-01 株式会社村田制作所 分层带通滤波器
JP4811935B2 (ja) * 2006-07-27 2011-11-09 株式会社村田製作所 ノイズフィルタアレイ
TWI398984B (zh) * 2008-05-23 2013-06-11 Murata Manufacturing Co Laminated bandpass filter
JP5057001B2 (ja) * 2011-02-16 2012-10-24 株式会社村田製作所 電子部品
TWI502802B (zh) * 2011-03-25 2015-10-01 Murata Manufacturing Co Electronic Parts

Also Published As

Publication number Publication date
TW201412017A (zh) 2014-03-16
US20140062616A1 (en) 2014-03-06
US9252737B2 (en) 2016-02-02
JP5799918B2 (ja) 2015-10-28
CN103684326B (zh) 2017-04-12
CN103684326A (zh) 2014-03-26
JP2014053689A (ja) 2014-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI521867B (zh) 濾波器
TWI492446B (zh) Electronic Parts
TWI488430B (zh) 高頻濾波器
JP5765315B2 (ja) 積層バランスフィルタ
JP5516160B2 (ja) フィルタ回路及び電子部品
TW201019526A (en) Laminated balance filter
US9013249B2 (en) Electronic component
TWI535204B (zh) 電子零件
TWI584704B (zh) Electronic Parts
TWI572084B (zh) filter
JP2014068211A (ja) 方向性結合回路装置
TWI502802B (zh) Electronic Parts
JP2012114308A (ja) 電子部品の製造方法