JP2012114308A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】歩留まりの低下を発生させることなく、インダクタンス値の調整を行うことができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の絶縁体層16が積層されてなる積層体12であって、コンデンサC1,C2及び該コンデンサC1,C2よりもz軸方向の正方向側に設けられているコイルL1,L2からなるLC共振器を内蔵する積層体12を形成する。積層体12のz軸方向の正方向側の主面にコイルL1,L2のインダクタンス値を調整するための調整層50を形成する。
【選択図】図2
【解決手段】複数の絶縁体層16が積層されてなる積層体12であって、コンデンサC1,C2及び該コンデンサC1,C2よりもz軸方向の正方向側に設けられているコイルL1,L2からなるLC共振器を内蔵する積層体12を形成する。積層体12のz軸方向の正方向側の主面にコイルL1,L2のインダクタンス値を調整するための調整層50を形成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、電子部品の製造方法に関し、より特定的には、LC共振器を内蔵している積層体を備えた電子部品の製造方法に関する。
従来の電子部品の製造方法としては、例えば、特許文献1に記載の積層フィルタの周波数調整方法が知られている。以下に、特許文献1に記載の積層フィルタについて説明する。
特許文献1に記載の積層フィルタは、積層体、インダクタ電極、キャパシタ電極及びトリミング電極を備えている。積層体は、複数の誘電体層が積層されることにより構成されている。インダクタ電極は、誘電体層上に設けられ、インダクタを構成している。キャパシタ電極及びインダクタ電極は、誘電体層上に設けられている。キャパシタ電極とインダクタ電極とは、誘電体層を介して対向することにより、キャパシタを構成している。そして、インダクタとキャパシタとはフィルタ回路を構成している。以上のような積層フィルタでは、焼成後に、トリミング電極を削ることにより、キャパシタの容量値を調整して、積層フィルタの周波数を調整している。
しかしながら、特許文献1に記載の積層フィルタの周波数調整方法では、歩留まりが悪くなるという問題がある。より詳細には、積層フィルタの周波数調整方法では、積層体12の焼成後にトリミング電極を削っている。そのため、積層体に外力が加わる。この際に、積層体や外部電極に破損が生じるおそれがある。その結果、積層フィルタの周波数調整方法では、積層フィルタの歩留まりの低下が生じる。
そこで、本発明の目的は、歩留まりの低下を発生させることなく、インダクタンス値の調整を行うことができる電子部品の製造方法を提供することである。
本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体であって、コンデンサ及び該コンデンサよりも積層方向の上側に設けられているコイルを内蔵する積層体を形成する第1の工程と、前記積層体を焼成する第2の工程と、前記積層体の積層方向の上側の主面に前記コイルのインダクタンス値を調整するための調整層を形成する第3の工程と、を備えていること、を特徴とする。
本発明によれば、歩留まりの低下を発生させることなく、インダクタンス値の調整を行うことができる。
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。
(電子部品の構成)
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態に係る電子部品10の外観斜視図である。図2は、電子部品10の積層体12の分解斜視図である。図3は、電子部品10の等価回路図である。図1及び図2において、z軸方向は、積層方向を示す。また、x軸方向は、電子部品の長辺に沿った方向を示し、y軸方向は、電子部品10の短辺に沿った方向を示す。
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態に係る電子部品10の外観斜視図である。図2は、電子部品10の積層体12の分解斜視図である。図3は、電子部品10の等価回路図である。図1及び図2において、z軸方向は、積層方向を示す。また、x軸方向は、電子部品の長辺に沿った方向を示し、y軸方向は、電子部品10の短辺に沿った方向を示す。
電子部品10は、図1ないし図3に示すように、積層体12、外部電極14(14a〜14d)、コンデンサC3、LC並列共振器LC1,LC2(図3参照)、引き出し導体層19(19a,19b),20(20a,20b),24(24a,24b),30(30a,30b),34(34a,34b),38(38a,38b)及び調整層50を備えている。
積層体12は、図2に示すように、セラミック誘電体からなる絶縁体層16(16a〜16i)が積層されることにより構成され、直方体状をなしている。また、積層体12は、コンデンサC3,LC並列共振器LC1,LC2を内蔵している。
外部電極14aは、図1に示すように、x軸方向の負方向側の側面に設けられており、入力電極として用いられる。外部電極14bは、x軸方向の正方向側の側面に設けられ、出力電極として用いられる。外部電極14cは、y軸方向の負方向側の側面に設けられ、グランド電極として用いられる。外部電極14dは、y軸方向の正方向側の側面に設けられ、グランド電極として用いられる。
絶縁体層16は、図2に示すように、長方形状をなしており、例えば、セラミック誘電体により構成されている。絶縁体層16a〜16iは、z軸方向においてこの順に並ぶように積層されている。以下では、絶縁体層16のz軸方向の正方向側の面を表面と称し、絶縁体層16のz軸方向の負方向側の面を裏面と称す。
LC並列共振器LC1は、図2に示すように、コイルL1及びコンデンサC1を含んでいる。コイルL1は、図2に示すように、コイル導体層18aにより構成されている。コイル導体層18aは、x軸方向の負方向側から正方向側に蛇行しながら進行するミアンダ形状をなす線状導体層である。
コンデンサC1は、コンデンサ導体層32a及びグランド導体層36により構成されている。グランド導体層36は、長方形状をなしており、絶縁体層16hの表面の略全面を覆っている。コンデンサ導体層32aは、絶縁体層16gを介してグランド導体層36に対向している導体層であり、絶縁体層16gの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層32aとグランド導体層36との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層32aは、長方形状をなしており、絶縁体層16gの対角線の交点よりもx軸方向の負方向側に設けられている。
引き出し導体層19aは、絶縁体層16bの表面上に設けられており、コイル導体層18aのx軸方向の負方向側の端部に接続されていると共に、絶縁体層16bのx軸方向の負方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層19aは、外部電極14aに接続されている。引き出し導体層20aは、絶縁体層16bの表面上に設けられており、コイル導体層18aのx軸方向の正方向側の端部に接続されていると共に、絶縁体層16bのy軸方向の負方向側の長辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層20aは、外部電極14cに接続されている。引き出し導体層20bは、絶縁体層16bの表面上に設けられており、コイル導体層18aのx軸方向の正方向側の端部に接続されていると共に、絶縁体層16bのy軸方向の正方向側の長辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層20bは、外部電極14dに接続されている。
引き出し導体層34aは、絶縁体層16gの表面上に設けられており、コンデンサ導体層32aに接続されていると共に、絶縁体層16gのx軸方向の負方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層34aは、外部電極14aに接続されている。
引き出し導体層38aは、絶縁体層16hの表面上に設けられており、グランド導体層36に接続されていると共に、絶縁体層16hのy軸方向の負方向側の長辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層38aは、外部電極14cに接続されている。引き出し導体層38bは、絶縁体層16hの表面上に設けられており、グランド導体層36に接続されていると共に、絶縁体層16hのy軸方向の正方向側の長辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層38bは、外部電極14dに接続されている。
以上のように、コイルL1とコンデンサC1とは、図3に示すように、外部電極14aと外部電極14c,14dとの間に並列に接続されることにより、LC並列共振器LC1を構成している。
LC並列共振器LC2は、コイルL2及びコンデンサC2を含んでいる。コイルL2は、コンデンサC2よりもz軸方向の正方向側に設けられており、コイル導体層18bにより構成されている。コイル導体層18bは、x軸方向の正方向側から負方向側に蛇行しながら進行するミアンダ形状をなす線状導体層である。コイル導体層18bのx軸方向の負方向側の端部は、引き出し導体層20aのy軸方向の正方向側の端部、引き出し導体層20bのy軸方向の負方向側の端部及びコイル導体層18aのx軸方向の正方向側の端部に接続されている。
コンデンサC2は、コンデンサ導体層32b及びグランド導体層36により構成されている。グランド導体層36についてはすでに説明を行ったので、これ以上の説明を省略する。コンデンサ導体層32bは、絶縁体層16gを介してグランド導体層36に対向している導体層であり、絶縁体層16gの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層32bとグランド導体層36との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層32bは、長方形状をなしており、絶縁体層16gの対角線の交点よりもx軸方向の正方向側に設けられている。
引き出し導体層19bは、絶縁体層16bの表面上に設けられており、コイル導体層18bのx軸方向の正方向側の端部に接続されていると共に、絶縁体層16bのx軸方向の正方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層19bは、外部電極14bに接続されている。
引き出し導体層34bは、絶縁体層16gの表面上に設けられており、コンデンサ導体層32bに接続されていると共に、絶縁体層16gのx軸方向の正方向側の短辺に引き出されている。これにより、引き出し導体層34bは、外部電極14bに接続されている。
以上のように、コイルL2とコンデンサC2とは、図3に示すように、外部電極14bと外部電極14c,14dとの間に並列に接続されることにより、LC並列共振器LC2を構成している。
コンデンサC3は、コンデンサ導体層22(22a,22b),26,28(28a,28b)により構成されている。コンデンサ導体層26は、長方形をなしており、絶縁体層16eの表面に設けられている。コンデンサ導体層22aは、絶縁体層16dを介してコンデンサ導体層26に対向している導体層であり、絶縁体層16dの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層22aとコンデンサ導体層26との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層22aは、長方形状をなしており、絶縁体層16dの対角線の交点よりもx軸方向の負方向側に設けられている。コンデンサ導体層22bは、絶縁体層16dを介してコンデンサ導体層26に対向している導体層であり、絶縁体層16dの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層22bとコンデンサ導体層26との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層22bは、長方形状をなしており、絶縁体層16dの対角線の交点よりもx軸方向の正方向側に設けられている。
コンデンサ導体層28aは、絶縁体層16eを介してコンデンサ導体層26に対向している導体層であり、絶縁体層16fの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層28aとコンデンサ導体層26との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層28aは、長方形状をなしており、絶縁体層16eの対角線の交点よりもx軸方向の負方向側に設けられている。コンデンサ導体層28bは、絶縁体層16eを介してコンデンサ導体層26に対向している導体層であり、絶縁体層16fの表面上に設けられている。これにより、コンデンサ導体層28bとコンデンサ導体層26との間には静電容量が発生している。コンデンサ導体層28bは、長方形状をなしており、絶縁体層16fの対角線の交点よりもx軸方向の正方向側に設けられている。
以上のように、コンデンサC3は、図3に示すように、外部電極14aと外部電極14bとの間に接続されている。
調整層50は、コイルL1,L2のインダクタンス値を調整するために、積層体12のz軸方向の正方向側の主面上に設けられている。具体的には、調整層50は、導電性材料により作製されており、z軸方向から平面視したときに、コイルL1,L2に重なっている。これにより、コイルL1,L2が発生した磁束が調整層50を通過するようになる。これにより、磁束は、調整層50を通過する際に渦電流を発生させ、消失する。その結果、コイルL1,L2が発生する磁束の本数が減り、コイルL1,L2のインダクタンス値が低下する。
以上のように構成された電子部品10では、コイルL1とコイルL2とが電磁界結合している。これにより、電子部品10は、バンドパスフィルタを構成している。
また、電子部品10では、図2に示すように、コイルL1,L2は、コンデンサC1〜C3よりz軸方向の正方向側に設けられている。これにより、積層体12において、コイルL1,L2よりもz軸方向の正方向側には調整層50以外の導体層が設けられていない。
次に、電子部品10の動作の一例について、図1ないし図3を参照しながら説明する。例えば、正の電位を持つ高周波信号Sig1は、外部電極14aから入力される。そして、高周波信号Sig1は、LC並列共振器LC1を通過し、外部電極14c,14dを介してグランドへと流れる。
LC並列共振器LC1とLC並列共振器LC2とは、電磁界結合している。よって、高周波信号Sig1が、LC並列共振器LC1を通過すると、高周波信号Sig2が、電磁誘導により、グランドから外部電極14c,14dを介して外部電極14bへと流れる。これにより、高周波信号Sig2は、外部電極14bから出力される。
ここで、LC並列共振器LC1,LC2はそれぞれコイルL1,L2及びコンデンサC1,C2により定まる固有の共振周波数を有している。そして、LC並列共振器LC1,LC2のインピーダンスは、これらの共振周波数において高くなる。これにより、これらの共振周波数により定まる所定の周波数帯域の高周波信号Sig2が外部電極14bから出力される。
(電子部品の製造方法)
次に、電子部品10の製造方法について図1及び図2を参照しながら説明する。
次に、電子部品10の製造方法について図1及び図2を参照しながら説明する。
まず、絶縁体層16となるべきセラミックグリーンシートを準備する。次に、絶縁体層16b,16d〜16hとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ag,Pd,Cu,Auやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体層18、コンデンサ導体層22,26,28,32及び引き出し導体層19,20,24,30,34,38を形成する。
次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、絶縁体層16iとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。次に、絶縁体層16iとなるべきセラミックグリーンシート上に絶縁体層16hなるべきセラミックグリーンシートを配置する。この後、絶縁体層16hとなるべきセラミックグリーンシートを絶縁体層16iとなるべきセラミックグリーンシートに対して圧着する。この後、16g,16f,16e,16d,16c,16b,16aとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。以上の工程により、複数の絶縁体層16となるべきセラミックグリーンシートが積層されてなるマザー積層体であって、コンデンサC1〜C3及び該コンデンサC1〜C3よりもz軸方向の正方向側に設けられているコイルL1,L2を内蔵するマザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体12にカットする。この未焼成の積層体12に、脱バインダー処理及び焼成を施す。
以上の工程により、焼成された積層体12が得られる。積層体12に、バレル加工を施して、面取りを行う。その後、積層体12の表面に、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストを塗布及び焼き付けすることにより、外部電極14となるべき銀電極を形成する。更に、銀電極の表面に、Niめっき/Snめっきを施すことにより、外部電極14を形成する。
最後に、z軸方向から平面視したときに、コイルL1,L2と重なるように、積層体12のz軸方向の正方向側の主面にコイルL1,L2のインダクタンス値を調整するための調整層50を形成する。調整層50は、例えば、紫外線硬化性の導電性材料を塗布して、UVを照射することにより形成することができる。また、導電性ペーストを塗布して、所定の温度を加えて、焼き付けることで形成することもできる。以上の工程を経て、図1に示すような電子部品10が完成する。
(効果)
以上のように構成された電子部品10の製造方法によれば、歩留まりの低下を発生させることなく、インダクタンス値の調整を行うことができる。より詳細には、特許文献1に記載の積層フィルタの周波数調整方法では、焼成後に、トリミング電極を削っている。そのため、積層体に外力が加わる。この際に、積層体や外部電極に破損が生じるおそれがある。その結果、積層フィルタの周波数調整方法では、積層フィルタの歩留まりの低下が生じる。
以上のように構成された電子部品10の製造方法によれば、歩留まりの低下を発生させることなく、インダクタンス値の調整を行うことができる。より詳細には、特許文献1に記載の積層フィルタの周波数調整方法では、焼成後に、トリミング電極を削っている。そのため、積層体に外力が加わる。この際に、積層体や外部電極に破損が生じるおそれがある。その結果、積層フィルタの周波数調整方法では、積層フィルタの歩留まりの低下が生じる。
一方、電子部品10の製造方法では、積層体12の焼成後に、調整層50を塗布することにより、コイルL1,L2のインダクタンス値を調整している。調整層50の塗布時に積層体12にかかる外力は、トリミング電極を削る際に積層体にかかる外力に比べて小さい。そのため、調整層50の形成の際に、積層体12や外部電極14に破損が生じることが抑制される。よって、電子部品10の製造方法によれば、歩留まりの低下を発生させることなく、インダクタンス値の調整を行うことができる。
また、特許文献1に記載の積層フィルタの周波数調整方法では、積層体の焼成後にトリミング電極を削っている。そのため、トリミング電極の形成工程及びトリミング電極の削除工程の2つの工程が必要である。
一方、電子部品10の製造方法では、調整層50を形成することにより、コイルL1,L2のインダクタンス値を調整している。そのため、調整層50を削除する工程が不要である。その結果、電子部品10の製造方法では、製造工程数が削減され、電子部品10の製造コストが低減される。
また、電子部品10の製造方法では、z軸方向から平面視したときに、調整層50は、コイルL1,L2と重なっている。そのため、コイルL1,L2が発生した磁束は、調整層50において渦電流に変換されやすくなる。すなわち、電子部品10の製造方法では、コイルL1,L2のインダクタンス値をより効果的に下げることが可能となる。
また、電子部品10の製造方法では、コイルL1,L2は、コンデンサC1〜C3よりもz軸方向の正方向側に設けられている。そのため、コイルL1,L2が発生した磁束がコンデンサC1〜C3によって遮られなくなる。その結果、コイルL1,L2が発生した磁束は、調整層50を通過しやすくなる。すなわち、調整層50によって、コイルL1,L2のインダクタンス値をより効果的に下げることが可能となる。
更に、電子部品10の製造方法では、コイルL1,L2よりもz軸方向の正方向側に調整層50以外の導体層が設けられていない。すなわち、電子部品10では、コイルL1、L2が発生した磁束を遮る導体層が積層体12内に存在しない。そのため、電子部品10の製造方法では、調整層50によって、コイルL1,L2のインダクタンス値をより効果的に下げることが可能となる。
(その他の実施形態)
本発明の電子部品の製造方法は、前記実施形態に示した電子部品10の製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
本発明の電子部品の製造方法は、前記実施形態に示した電子部品10の製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
なお、電子部品10の製造方法では、調整層50は、導電性材料により作製されているものとしたが、磁性体材料によって作製されていてもよい。調整層50が磁性体材料により作成されている場合には、コイルL1,L2のインダクタンス値は増加する。
以上のように、本発明は、電子部品の製造方法に有用であり、特に、歩留まりの低下を発生させることなく、インダクタンス値の調整を行うことができる点において優れている。
C1〜C3 コンデンサ
L1,L2 コイル
LC1,LC2 LC並列共振器
10 電子部品
12 積層体
14a〜14d 外部電極
16a〜16i 絶縁体層
50 調整層
L1,L2 コイル
LC1,LC2 LC並列共振器
10 電子部品
12 積層体
14a〜14d 外部電極
16a〜16i 絶縁体層
50 調整層
Claims (5)
- 複数の絶縁体層が積層されてなる積層体であって、コンデンサ及び該コンデンサよりも積層方向の上側に設けられているコイルを内蔵する積層体を形成する第1の工程と、
前記積層体を焼成する第2の工程と、
前記積層体の積層方向の上側の主面に前記コイルのインダクタンス値を調整するための調整層を形成する第3の工程と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記調整層は、導電性材料からなること、
を特徴とする請求項1に記載の電子部品の製造方法。 - 前記調整層は、磁性体材料からなること、
を特徴とする請求項1に記載の電子部品の製造方法。 - 前記第3の工程では、積層方向から平面視したときに、前記コイルに重なるように前記調整層を形成すること、
を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 - 前記第1の工程では、前記コイルよりも積層方向の上側に前記調整層以外の導体層が設けられないように、前記積層体を形成すること、
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
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CN109003778A (zh) * | 2017-06-06 | 2018-12-14 | 株式会社村田制作所 | Lc复合部件 |
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