CN109003778A - Lc复合部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种既能抑制线圈的Q值的降低又能将谐振点形成于更加靠低频侧的LC复合部件。LC复合部件具有基体、设置于基体内并呈螺旋状卷绕的线圈以及设置于基体内的线圈的外周侧的电容器，从线圈的轴向观察，基体为矩形，电容器配置于基体的至少两条边与线圈之间。

Description

LC复合部件
技术领域
本发明涉及LC复合部件。
背景技术
以往，作为LC复合部件，有在日本特开2001-134732号公报(专利文献1)中记载的LC复合部件。该LC复合部件具有长方体状的片体、设置于片体的螺旋状的线圈导体层以及设置于片体的电容器导体层。线圈导体层和电容器导体层设置于同一层。从线圈导体层的轴向观察，电容器导体层配置于片体的一条边与线圈之间。
专利文献1：日本特开2001-134732号公报
然而，本申请发明者发现，若实际制造并使用上述以往那样的LC复合部件，则存在以下问题。
电容器导体层配置于片体的狭小区域，所以电容器导体层的面积较小。因此，能够取得的电容器导体层的电容较小，无法将谐振点形成于低频侧。
针对于此，考虑了通过将线圈导体层形成于电容器导体层以外的层来增大电容器导体层的面积。但是，电容器导体层的面积越大，与线圈导体层的重叠越大，在线圈导体层产生的磁通由电容器导体层遮蔽，因此线圈的L值的取得效率降低。由此，存在线圈的Q值降低、谐振峰值降低、带宽扩大而无法获得目标滤波器特性的情况。
发明内容
因此，本发明的课题在于提供既能抑制线圈的Q值的降低又能将谐振点形成于更加靠低频侧的LC复合部件。
为解决所述课题，作为本发明的一个方式的LC复合部件具备：
基体；
线圈，其设置于所述基体内，呈螺旋状卷绕；以及
电容器，其设置于所述基体内的所述线圈的外周侧，
从所述线圈的轴向观察，所述基体是矩形，所述电容器配置于所述基体的至少两条边与所述线圈之间。
采用本发明的LC复合部件，无需将电容器与线圈重叠，便能增大电容器能够取得的电容，因此既能抑制谐振电路的Q值的降低，又能将谐振点形成于低频侧。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，
所述基体是长方体状，
所述线圈包括与所述基体的一个面平行地卷绕的多个线圈导体层，
所述电容器包括与所述一个面平行并且相互对置的多个电容器导体层，
从所述一个面的垂直方向观察，所述电容器与所述线圈不重叠，
所述线圈导体层和所述电容器导体层具有从与所述垂直方向正交的方向观察相重叠的第一线圈导体层和第一电容器导体层，
所述第一电容器导体层具有与所述第一线圈导体层对置的对置部，
从所述垂直方向观察，所述对置部配置于所述一个面的至少两条边与所述第一线圈导体层之间。
采用所述实施方式，LC复合部件为层叠构造，能够实现小型低矮化。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，所述第一线圈导体层和所述第一电容器导体层配置于同一层。
采用所述实施方式，LC图案形成于同一层，因此能够减少杂散电容的差别，实现小偏差的特性。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，所述线圈的轴线与所述基体的安装面平行。
采用所述实施方式，线圈的轴线与基体的安装面平行，因此在已将基体的安装面安装在安装基板上时，线圈的磁通不被安装基板遮蔽，因此能够抑制线圈的Q值的降低。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，
还具备分别与所述线圈的第一端、第二端电连接的第一外部电极、第二外部电极，
所述基体具有使所述第一外部电极、所述第二外部电极都暴露的安装面，
所述安装面相对于所述一个面为垂直。
采用所述实施方式，线圈的轴线与基体的安装面平行，因此在已将基体的安装面安装在安装基板上时，线圈的磁通不被安装基板遮蔽，因此能够抑制线圈的Q值的降低。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，从所述线圈的轴向观察，所述电容器的同所述线圈对置的对置部中的至少一半区域，与所述线圈的同所述电容器对置的对置部平行。
采用所述实施方式，电容器为沿线圈的外周的形状，因此，随着电容器的面积变大，在电容器的对置部和线圈的对置部处的杂散电容变大。由此，电容器的电容变大，能够将谐振点形成于低频侧。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，所述电容器的对置部和所述线圈的对置部为曲线。
采用所述实施方式，电容器的对置部和线圈的对置部为曲线，因此电容器的面积变大，另外，电容器的对置部的面积和线圈的对置部的面积变大，电容器的对置部和线圈的对置部处的杂散电容变大。由此，电容器的电容变大，能够将谐振点形成于低频侧。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，从所述线圈的轴向观察，所述线圈的旋回形状为圆形或者椭圆形。
采用所述实施方式，线圈的旋回形状为圆形或者椭圆形，因此能够减少线圈的反射损耗，从而能够抑制线圈的Q值的降低。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，所述电容器配置于所述基体的安装面与所述线圈之间。
采用所述实施方式，能够将线圈与基体的安装面分离配置，在已将基体的安装面安装在安装基板上时，能够减小线圈的磁通与安装基板之间的干扰，能够抑制线圈的Q值的降低。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，
所述基体具有与所述安装面邻接且相互对置的第一端面、第二端面，
所述第一外部电极在所述第一端面暴露，所述第二外部电极在所述第二端面暴露。
采用所述实施方式，第一外部电极从第一端面暴露，第二外部电极从第二端面暴露，因此在第一端面、第二端面处也能固定于安装基板，能够提高固定力。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，所述第一外部电极、所述第二外部电极在与所述安装面对置的所述基体的顶面都没有暴露。
采用所述实施方式，能够将第一外部电极和第二外部电极设为L形电极，从而能够抑制线圈的Q值的降低。
另外，在LC复合部件的一个实施方式中，所述第一外部电极、所述第二外部电极包括埋入所述基体的外部电极导体层。
采用所述实施方式，能够将第一外部电极和第二外部电极埋入基体，因此能够实现小型化，精度良好地形成外部电极导体层的位置，能够将特性差别设为小偏差。
采用作为本发明的一个方式的LC复合部件，既能抑制线圈的Q值的降低又能将谐振点形成于更加低频侧。
附图说明
图1是示出LC复合部件的第一实施方式的透视立体图。
图2是LC复合部件的分解俯视图。
图3是示出LC复合部件的第二实施方式的分解俯视图。
图4A是示出LC复合部件的第一比较例的透视立体图。
图4B是示出LC复合部件的第二比较例的透视立体图。
图5是示出谐振频率与S21的关系的图表。
附图标记说明
1、1A…LC复合部件；10…基体；11…绝缘层；15…第一端面；16…第二端面；17…底面(安装面)；18…顶面；19…侧表面；20…线圈；21…第一引出导体层；22…第二引出导体层；25…线圈导体层；25A…第一线圈导体层；26…对置部；30…第一外部电极；33…第一外部电极导体层；40…第二外部电极；43…第二外部电极导体层；50、50A…电容器；51…第一引出导体层；52…第二引出导体层；53…电容器导体层；53A…第一电容器导体层；56…对置部；A…层叠方向；L…轴线。
具体实施方式
以下，根据图示的实施方式详细说明本发明的一个实施方式。
(第一实施方式)
图1是示出LC复合部件的第一实施方式的透视立体图。图2是LC复合部件的分解俯视图。如图1和图2所示，LC复合部件1具有基体10、设置于基体10内的线圈20、设置于基体10内的电容器50以及设置于基体10的第一外部电极30和第二外部电极40。在图1中，将基体10描绘成透明，以便能够容易地理解构造，但基体10也可以是半透明、不透明的，还可以着色。
线圈20的第一端与第一外部电极30连接，线圈20的第二端与第二外部电极40连接。电容器50与线圈20以并联的方式电连接。LC复合部件1构成LC并联谐振器。线圈20和电容器50经由第一外部电极30、第二外部电极40与未图示的安装基板电连接。
基体10是层叠多个绝缘层11而构成的。绝缘层11例如由以硼珪酸玻璃为主要成分的材料、铁氧体、树脂等材料构成。此外，基体10存在因烧制等而致使多个绝缘层11彼此的界面不明确的情况。基体10形成为近似长方体状。基体10的表面具有第一端面15、与第一端面15对置的第二端面16、连接于第一端面15与第二端面16之间的底面17、与底面17对置的顶面18以及相互对置的2个侧表面19、19(图1的正反面)。第一外部电极30和第二外部电极40都在底面17暴露，使得底面17成为供LC复合部件1安装于安装基板的安装面。第一端面15、第二端面16、底面17以及顶面18是与绝缘层11的层叠方向A平行的面。2个侧表面19、19在层叠方向A上对置。这里，本申请中的“平行”并不局限于严密的平行关系，考虑到现实的差别范围，也包括实质性的平行关系。在图2中，示出从下层朝向上层沿着图1的层叠方向A的层。
线圈20例如由Ag、Cu、Au、以它们为主要成分的合金等导电性材料构成。线圈20沿绝缘层11的层叠方向A，呈螺旋状卷绕。线圈20的轴线L与基体10的底面(安装面)17平行。线圈20的轴线L是指线圈20的螺旋状部分的中心轴线。
线圈20包括在绝缘层11上呈平面状地卷绕的多个线圈导体层25。这样，线圈20由能够实施微细加工的线圈导体层25构成，由此能够实现LC复合部件1的小型化、低矮化。在层叠方向A上相邻的线圈导体层25经由在厚度方向上贯通绝缘层11的导通(Via)导体层，以串联的方式电连接。这样，多个线圈导体层25一边相互以串联的方式电连接一边构成螺旋。具体而言，线圈20具有相互以串联的方式电连接且圈数不足一圈的多个线圈导体层25层叠而成的结构，线圈20是立体螺旋形状。此时，能够减少在线圈导体层25内产生的寄生电容、在线圈导体层25间产生的寄生电容，能够提高LC复合部件1的Q值。
线圈20具有：第一引出导体层21，其与第一外部电极30连接；和第二引出导体层22，其与第二外部电极40连接。第一引出导体层21与层叠方向A上的一个最外端的线圈导体层25连接，第二引出导体层22与层叠方向A上的另一个最外端的线圈导体层25连接。在本实施方式中，线圈导体层25、第一引出导体层21、第二引出导体层22以及第一外部电极30、第二外部电极40一体化，不存在明确的边界，但并不局限于此，也可以是它们各自利用不同种类的材料、不同种类的加工方法形成，由此而存在边界。此外，具体而言，从层叠方向A观察，第一引出导体层21和第二引出导体层22能够作为与线圈20的多个线圈导体层25重叠而成的线圈旋回形状部分相分离的部分，与线圈导体层25区别。
从线圈20的轴线L方向观察，线圈20的旋回形状是圆形。线圈20的旋回形状是多个线圈导体层25重叠而形成的形状。此外，线圈20的旋回形状并不局限于该形状，例如，也可以是椭圆形、矩形或者其它多边形等。
电容器50位于由线圈导体层25重叠而成的线圈旋回形状部分的外周侧位置。从线圈20的轴线L方向观察，基体10为矩形，从轴线L方向观察，电容器50配置于基体10的侧表面19的三条边(相当于第一端面15、第二端面16以及底面17)与线圈20之间。电容器50配置为包围线圈20的靠基体10的三条边一侧。具体而言，电容器50包括与基体10的第一端面15对置的第一边部、与基体10的第二端面16对置的第二边部以及与基体10的底面17对置的第三边部。
电容器50例如由Ag、Cu、Au、以这些为主要成分的合金等导电性材料构成。电容器50包括设置于绝缘层11上的多个电容器导体层53。多个电容器导体层53沿层叠方向A与第一外部电极30和第二外部电极40交替连接。即，在层叠方向A上相邻的电容器导体层53中的一个电容器导体层53经由第一引出导体层51与第一外部电极30连接，在层叠方向A上相邻的电容器导体层53中的另一个电容器导体层53经由第二引出导体层52与第二外部电极40连接。
电容器50包括与线圈20对置的对置部56，线圈20包括与电容器50对置的对置部26。从线圈20的轴线L方向观察，对置部56与对置部26平行。对置部56和对置部26为曲线。此外，只要对置部56中的至少一半区域与对置部26平行即可。
第一外部电极30和第二外部电极40例如由Ag、Cu、Au、以它们为主要成分的合金等导电性材料构成。第一外部电极30跨第一端面15和底面17地形成。第二外部电极40跨第二端面16和底面17地形成。第一外部电极30和第二外部电极40表面暴露地埋入基体10。第一外部电极30从第一端面15暴露，第二外部电极40从第二端面16暴露，因此在第一端面15、第二端面16处也能固定于安装基板，从而能够提高固定力。另外，能够将第一外部电极30和第二外部电极40设定为L形电极，从而能够抑制线圈20的Q值的降低。
第一外部电极30和第二外部电极40具有层叠多个埋入于基体10(绝缘层11)中的第一外部电极导体层33和第二外部电极导体层43起来的结构。由此，能够在基体10内埋入外部电极30、40，因此与在基体10上外装外部电极的结构相比，能够实现LC复合部件1的小型化。另外，能够在同一工序中形成线圈20和外部电极30、40，通过减小线圈20与外部电极30、40之间的位置关系的差别，能够减小LC复合部件1的电气特性(ElectricalCharacteristic)的差别。
在所述LC复合部件1中，线圈导体层25和电容器导体层53具有配置于同一层的第一线圈导体层25A和第一电容器导体层53A，第一电容器导体层53A具有与第一线圈导体层25A对置的对置部56，从层叠方向A观察，对置部56配置于侧表面19的三条边与第一线圈导体层25A之间。
即，对置部56与第一线圈导体层25A形成杂散电容，但在LC复合部件1中，第一电容器导体层53A在第一线圈导体层25A的三个方向上具有对置部56，因此能够增大在第一电容器导体层53A的单位面积上形成的杂散电容。因此，能够增大电容器50的单位体积的有效电容，能够将谐振点形成于低频侧。另外，第一线圈导体层25A和第一电容器导体层53A形成于同一层，因此能够减小杂散电容的差别，能够实现小偏差的特性。
另外，从层叠方向A观察，电容器50不与线圈20重叠。这样，在LC复合部件1中，电容器50的单位体积的有效电容增大，因此无需将电容器导体层53与线圈导体层25重叠，便能增大电容器50的电容。即，既能抑制线圈20的Q值的降低，又能将谐振点形成于更加靠低频侧。
另外，线圈20的轴线L与基体10的底面(安装面)17平行，因此已在将基体10的底面17安装在安装基板上时，线圈20的磁通不被安装基板遮蔽。由此，能够抑制线圈20的L值的取得效率降低，能够抑制线圈20的Q值的降低。
另外，对置部56与对置部26平行，因此电容器50是沿着线圈20的外周的形状。由此，随着电容器50的面积增大，对置部56与对置部26处的杂散电容变大。因此，电容器50的电容变大，能够将谐振点形成于低频侧。
另外，对置部56和对置部26是曲线，因此电容器50的面积变大，另外，对置部56和对置部26的面积变大，对置部56和对置部26处的杂散电容变大。故而，电容器50的电容变大，能够将谐振点形成于低频侧。
另外，线圈20的旋回形状是圆形或者椭圆形，因此能够减少线圈20的反射损耗，从而能够抑制线圈20的Q值的降低。
另外，电容器50配置于基体10的底面17与线圈20之间，因此能够将线圈20与基体10的底面17分离地配置。由此，在将基体10的底面17安装在了安装基板上时，能够减小线圈20的磁通与安装基板之间的干扰，能够抑制线圈的Q值的降低。
(第二实施方式)
图3是示出LC复合部件的第二实施方式的分解俯视图。第二实施方式的电容器的位置与第一实施方式的电容器的位置不同。以下说明该不同的结构。在第二实施方式中，与第一实施方式相同的附图标记是与第一实施方式相同的结构，因此省略其说明。
如图3所示，在第二实施方式的LC复合部件1A中，电容器50A配置于基体10的两条边(第二端面16和顶面18)与线圈20之间。第一外部电极30从基体10的第一端面15的底面17延伸至顶面18，第二外部电极40从基体10的第二端面16的底面17延伸至顶面18。因此，线圈20位于靠第一外部电极30侧的位置，电容器50A位于靠第二外部电极40侧的位置。
与第一实施方式相同，电容器50A包括多个电容器导体层53。多个电容器导体层53沿层叠方向A与第一外部电极30和第二外部电极40交替连接。与第一实施方式相同，线圈20包括多个线圈导体层25。层叠方向A上的一端的线圈导体层25与第一外部电极30连接，层叠方向A上的另一端的线圈导体层25与第二外部电极40连接。
采用所述LC复合部件1A，电容器50A配置于基体10的两条边与线圈20之间，因此与所述第一实施方式相同，能够将谐振点形成于低频侧，能够增大衰减量。
此外，本发明并不局限于上述实施方式，能够在不脱离本发明的主旨的范围内变更设计。例如，可以将第一实施方式和第二实施方式的各自特征点进行各种组合。
在所述实施方式中，从线圈的轴向观察，电容器配置于基体的两条边与线圈之间或者配置于基体的三条边与线圈之间，但也可以是，从线圈的轴向观察，电容器配置于基体的四条边与线圈之间。即，电容器只要配置于基体的至少两条边与线圈之间即可。换言之，从基体的一个面的垂直方向观察，与基体的一个面平行地卷绕的第一电容器导体层的对置部配置于基体的一个面的至少两条边与第一线圈导体层之间。
在所述实施方式中，使第一外部电极、第二外部电极的从基体暴露的部分保持原样，但也可以对第一外部电极、第二外部电极的从基体暴露的部分实施Ni、Cu、Sn等的镀敷。
在所述实施方式中，第一外部电极、第二外部电极设置于基体的底面和端面，但也可以仅设置于基体的底面，还可以在底面、顶面以及端面都暴露。此外，在第一外部电极、第二外部电极在基体的端面形成暴露的情况下，在将基体向安装基板进行安装时，焊料形成焊脚，能够提高LC复合部件与安装基板的固定力。另外，在第一外部电极、第二外部电极在基体的顶面都没有暴露的情况下，既能确保上述固定力，又能减小线圈的磁通与第一外部电极、第二外部电极之间的干扰，还能抑制线圈的Q值的降低。
在所述实施方式中，LC复合部件构成LC并联谐振器，但也可以构成LC串联谐振器，还可以构成其它LC电路。
本发明的LC复合部件能够应用于例如部件的在长度方向(例如与层叠方向A垂直且从第一端面朝向第二端面的方向)上的尺寸为0.4mm、在宽度方向(例如层叠方向A)上的尺寸为0.2mm、在高度方向(例如与层叠方向A垂直且从底面朝向顶面的方向)上的尺寸为0.3mm的小型部件。此外，在长度方向上的尺寸、在宽度方向上的尺寸、在高度方向上的尺寸也可以分别为0.6mm、0.3mm、0.4mm，还可以分别为1.0mm、0.5mm、0.7mm。并且，在宽度方向上的尺寸和在高度方向上的尺寸也可以相等。
(实验例)
接下来，对第一实施方式(图1)与第一比较例和第二比较例的模拟结果进行说明。
如图4A所示，第一比较例的LC复合部件100A是如日本特开2001-134732号公报所示的LC复合部件。从线圈20的轴线L方向观察，电容器150A配置于基体10的底面17与线圈20之间。
如图4B所示，第二比较例的LC复合部件100B是如日本特开2005-184127号公报所示的LC复合部件。电容器150B配置于与线圈20的内径部(线圈20的轴线L)重叠的位置。
在图4A和图4B中，与第一实施方式(图1)相同的附图标记是与第一实施方式相同的结构，故省略其说明。
第一实施方式与第一比较例和第二比较例的模拟结果如表1和图5所示。
在表1中，“电极厚度”表示外部电极在线圈的轴向上的厚度，“基体厚度”表示基体在线圈的轴向上的厚度，“f”表示谐振频率，“L”表示500MHz下的电感值，“C”表示电容器电容，“S21”表示衰减特性。
在图5中，用实线L0表示第一实施方式，用虚线L1表示第一比较例，用单点划线L2表示第二比较例。
[表1]
第一实施方式 第一比较例 第二比较例
电极厚度[μm] 7.00 7.00 7.00
基体厚度[μm] 7.70 7.70 7.70
f[GHz] 2.39 2.67 2.56
L(@500MHz)[nH] 2.20 2.18 1.67
C[pF] 2.03 1.63 2.33
S21[dB] -16.57 -18.43 -12.22
如表1和图5所示，在第一实施方式中，与第一比较例相比，得以缩小了谐振频率。谐振频率f用f＝1/(2π√(LC))表示，由电容器电容、电感值决定。在第一实施方式中，与第一比较例相比，能够增大电容器的面积，并且增加线圈与电容器之间的杂散电容，因此得以取得较大的电容器电容。由此，得以将谐振频率的范围设计得较大。
另外，在第一实施方式中，与第二比较例相比可知，谐振频率减小。在第二比较例中，由于能够增大电容器面积，因此能够增大电容器电容，但是由于电容器遮蔽线圈的磁通，因此L值的取得效率降低，由此，在第二比较例中，与第一实施方式相比，谐振频率增大了。另外，衰减量由线圈、电容器的Q值决定，但在第二比较例中，L值的取得效率降低，由此线圈的Q值降低，从而衰减量减小(S21增大)。
根据这些结果，在第一实施方式中，与第一比较例、第二比较例相比，既得以扩大了谐振频率的设计范围又得以增大了衰减量。
具体而言，在第一比较例中，能够增大衰减量，但无法取得电容，因此谐振频率的设定范围(在低频侧)变小。在第二比较例中，能够将电容取得得比第一比较例大，因此得以将谐振频率设定于更加低频侧，但线圈的Q值下降使得衰减量减小。
在第一实施方式中，既能抑制衰减量的降低，又能将谐振频率设定于更加靠低频侧。另外，在第一实施方式中，与第二比较例进行了比较时，电容略微变小，但能够在与电容变小的程度相等或更大程度上增大L值，因此能够将谐振频率设定于最低频侧。并且，越缩小C的面积，越能将谐振频率设定得高。因此，第一实施方式能够最大范围地设定谐振频率。
(制法的实施例)
接下来，对第一实施方式的制作方法的实施例进行说明。
首先，形成最下层的绝缘层(第一工序)。具体而言，在8英寸大小见方的载体膜等基材之上打印玻璃等绝缘膏，将该绝缘膏在紫外线下全面曝光，由此形成最下位的绝缘层。为了对安装时的芯片侧滚等进行检测，最下位的绝缘层优选为与铠装、其它绝缘层是不同颜色。对绝缘层的材料使用玻璃膏(烧制后相对介电常数为6)。
之后，在最下位的绝缘层之上形成布线图案(第二工序)。具体而言，通过印刷，在最下位的绝缘层之上涂敷感光性电极膏，利用光刻蚀法形成布线图案(内部电极)。此时，同时预形成外部电极。此外，作为内部电极形成的线圈图案和电容器图案的层数、图案粗细、匝数，根据希望取得的L值、C值设定为所希望的值。线圈图案以圆形形成。电容器图案避开线圈的内径部分而配置，并且在与线圈图案同一层上在线圈图案的三个方向上形成。电容器的对置部与线圈的对置部由曲线形成。
之后，形成电容器图案上的绝缘层或者线圈图案和电容器图案上的绝缘层(第三工序)。在线圈图案上，利用光刻蚀法等形成具有导通孔(Via Hole)的绝缘层。此时，在外部电极上以沿外部电极形状的形状在绝缘层上预形成槽图案。之后，再次在绝缘层上形成布线图案，由此将电极膏填充于槽内，与外部电极连接。此外，根据线圈图案和电容器图案的层数设定，存在在加工层只有电容器图案的情况，但是在该情况下，不形成导通孔(ViaHole)，而仅预形成呈沿外部电极形状的形状的槽图案。
之后，各层的电容器图案与左右各外部电极交替连接，设定为形成了并联电容器的构造。
之后，在线圈图案中，至少在最初的层的图案和最后的层的图案上设置引出导体层，将其与同各引出导体层对置的外部电极连接。电容器图案的形状和线圈图案的形状优选设定为180℃旋转对称的形状，以免产生产品的方向性。
之后，通过反复实施第二工序、第三工序，形成与外部电极构成为一体的线圈图案和电容器图案的并联谐振电路。
之后，作为最终工序，利用切割机或切断机(Guillotine)等，将经由前述工序制成的层叠体进行切割，分割为芯片。烧制芯片，形成所希望大小的芯片。此时，烧制会使芯片收缩，因此考虑收缩率，预分割芯片。接着，将Ni、Cu、Sn等镀敷于这些外部电极，结束芯片线圈的制造。

Claims (12)

1.一种LC复合部件，其中，具备：
基体；
线圈，其设置于所述基体内，呈螺旋状卷绕；以及
电容器，其设置于所述基体内的所述线圈的外周侧，
从所述线圈的轴向观察，所述基体是矩形，所述电容器配置于所述基体的至少两条边与所述线圈之间。
2.根据权利要求1所述的LC复合部件，其中，
所述基体是长方体状，
所述线圈包括与所述基体的一个面平行地卷绕的多个线圈导体层，
所述电容器包括与所述一个面平行并且相互对置的多个电容器导体层，
从所述一个面的垂直方向观察，所述电容器与所述线圈不重叠，
所述线圈导体层和所述电容器导体层具有从与所述垂直方向正交的方向观察相重叠的第一线圈导体层和第一电容器导体层，
所述第一电容器导体层具有与所述第一线圈导体层对置的对置部，
从所述垂直方向观察，所述对置部配置于所述一个面的至少两条边与所述第一线圈导体层之间。
3.根据权利要求2所述的LC复合部件，其中，
所述第一线圈导体层和所述第一电容器导体层配置于同一层。
4.根据权利要求1所述的LC复合部件，其中，
所述线圈的轴线与所述基体的安装面平行。
5.根据权利要求2或3所述的LC复合部件，其中，
还具备分别与所述线圈的第一端、第二端电连接的第一外部电极、第二外部电极，
所述基体具有使所述第一外部电极、所述第二外部电极都暴露的安装面，
所述安装面相对于所述一个面为垂直。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的LC复合部件，其中，
从所述线圈的轴向观察，所述电容器的同所述线圈对置的对置部中的至少一半区域，与所述线圈的同所述电容器对置的对置部平行。
7.根据权利要求6所述的LC复合部件，其中，
所述电容器的对置部和所述线圈的对置部为曲线。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的LC复合部件，其中，
从所述线圈的轴向观察，所述线圈的旋回形状为圆形或者椭圆形。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的LC复合部件，其中，
所述电容器配置于所述基体的安装面与所述线圈之间。
10.根据权利要求5所述的LC复合部件，其中，
所述基体具有与所述安装面邻接且相互对置的第一端面、第二端面，
所述第一外部电极在所述第一端面暴露，所述第二外部电极在所述第二端面暴露。
11.根据权利要求10所述的LC谐振部件，其中，
所述第一外部电极、所述第二外部电极在与所述安装面对置的所述基体的顶面都没有暴露。
12.根据权利要求5所述的LC复合部件，其中，
所述第一外部电极、所述第二外部电极包括埋入所述基体的外部电极导体层。
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