CN107527721B - 共模扼流线圈 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有三个线圈导体的共模扼流线圈，减小了各线圈导体间产生的寄生电容的偏差。本发明一实施方式的共模扼流线圈具有：设置于第一绝缘体内的第一线圈形成面上并围绕线圈轴卷绕的第一线圈导体、设置于第一绝缘体内的第二线圈形成面上并围绕线圈轴卷绕的第二线圈导体、设置于第一绝缘体内的第三线圈形成面上并围绕线圈轴卷绕的第三线圈导体。其中，第一线圈导体、第二线圈导体和第三线圈导体在从沿着线圈轴的轴向观察的俯视时的第一区域彼此平行地延伸。其中，在第一区域中，在以包含线圈轴的平面截断的截面观察时，第一线圈导体、第二线圈导体和第三线圈导体的第n圈中的从径向内侧起的排列顺序与第n+1圈相反。

Description

共模扼流线圈
技术领域
本发明涉及用于从传输差动信号的差动传输电路去除共模噪声的共模扼流线圈。更具体地说，本发明涉及适用于每1路使用3个信号线传输差动信号的差动传输电路的共模扼流线圈。
背景技术
在移动设备内，作为用于在处理器与外围设备之间传输数据的标准，MIPI(mobileindustry processor interface：移动行业处理器接口)联盟规定的MIPID－PHY(以下简称为“D－PHY”。)是公知的。在现在正在普及的基于D－PHY的移动设备中，典型的是，使用4路数据信号线和1路时钟信号线对信号进行差动传输。D－PHY中，规定每1路使用2个信号线传输差动信号，所以总共使用10个信号线。在D－PHY中，最大可实现2.5G比特/秒的数据传输。
近年来，随着移动设备所搭载的摄像机或显示器等外围设备的高性能化，要求移动设备内的数据传输的进一步高速化。因此，MIPI联盟在2011年作为新的物理层的标准制定了M－PHY。在M－PHY中，每1路能够实现最大5.8G比特/秒的数据传输。
但是，为了遵照M－PHY，需要对在D－PHY应用中所设计的物理层进行大幅度变更。来自D－PHY的大幅度的变更的必要性成为妨碍M－PHY的普及的主要因素。于是，为了沿用D－PHY的物理层并且实现数据传输的高速化，在2014年制定了C－PHY。在C－PHY中，使用与D－PHY同样的物理层的构成，规定每1路使用三个信号线对信号进行差动传输。这样，在C－PHY中，不必对D－PHY的物理层施加大的变更，通过将每1路的信号线从2个增加为3个，实现数据传输的进一步的高速化。
在MIPI联盟的网页(http：//mipi.org/specifications/physica1-layer)中公开了D－PHY、M－PHY和C－PHY的方法。
为了从传输差动信号的差动传输电路去除共模噪声，使用共模扼流线圈。共模扼流线圈具有多个线圈导体，这些线圈作为对共模噪声产生大的阻抗的电感器发挥作用，由此，能够从差动传输电路将共模噪声去除。现有共模扼流线圈例如在特开2003－77727号公报、特开2007－－150209号公报、特开2013－153184号公报、特开2014－179570号公报、特开2015－012167号公报等中公开。
共模扼流线圈优选的是去除共模噪声，而且信号波形不会劣化。因此，共模扼流线圈所具有的各线圈构成为其特性阻抗与差动传输线路的各信号线的特性阻抗相匹配。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003－77727号公报
专利文献2：日本特开2007－150209号公报
专利文献3：日本特开2013－153184号公报
专利文献4：日本特开2014－179570号公报
专利文献5：日本特开2015－012167号公报
发明所要解决的课题
共模扼流线圈为了发挥作为电感器的作用，具有形成为螺旋状的多个线圈导体。例如，遵照MIPI C－PHY的差动传输电路用的共模扼流线圈，具有对应于该电路的每1路信号线的个数的三个螺旋状的线圈导体。这种具有三个线圈导体的共模扼流线圈，优选的是该三个线圈导体之间的特性阻抗(差动阻抗)均与该差动传输电路的特性阻抗相匹配。
为了使各线圈导体之间的特性阻抗与差动传输电路的特性阻抗相匹配，优选的是各线圈导体之间的特性阻抗没有偏差。为此，优选的是，各线圈导体之间产生的寄生电容也没有偏差。因此，通常，为了消除各圈中的线圈导体之间的寄生电容的偏差，各个三个线圈导体彼此间保持等间隔来卷绕。
但是，如果三个线圈导体彼此保持等间隔地卷绕多圈，由于在处于相邻的圈的线圈导体之间产生的寄生电容，各线圈导体间的寄生电容往往会产生偏差。例如，共模扼流线圈具有第一线圈导体～第三线圈导体这三个线圈导体的情况下，即使以使得在某一圈中第一线圈导体与第二线圈导体之间的寄生电容、第二线圈导体与第三线圈导体之间的寄生电容、第三线圈导体与第一线圈导体之间的寄生电容彼此相同的方式配置各线圈导体，由于在与相邻的圈的线圈导体之间产生的寄生电容，各线圈导体间的寄生电容也会产生偏差。即，由于各导体线圈以等间隔被卷绕，因此在某一圈中处于最外侧的线圈导体和在与该外侧相邻的圈中处于最内侧的线圈导体为不同种类的线圈导体，因此在这些线圈导体之间就会产生比较大的寄生电容。这样，若将线圈导体彼此以等间隔进行卷绕，虽然能够是在同一圈内各线圈导体间的寄生电容不会产生偏差，但因与相邻的圈的线圈导体之间产生的寄生电容，各线圈导体间的寄生电容就会产生偏差。而且，由于跨该相邻的圈而产生的寄生电容的影响，不能使各线圈导体之间的特性阻抗全部与差动传输电路的特性阻抗相匹配。
发明内容
本案提供一种具有三个线圈导体的共模扼流线圈，用于减小各线圈导体间产生的寄生电容的偏差的改进。本发明在其一个方式中，目的在于，提供一种共模扼流线圈，通过在与相邻的圈的线圈导体之间产生的寄生电容抑制各线圈导体间的寄生电容的偏差。本发明的其以外的目的通过说明书整体的记载能够了解。
用于解决课题的技术方案
本发明的一实施方式的共模扼流线圈，具有：设置于第一绝缘体内的第一线圈形成面上的、围绕线圈轴卷绕的第一线圈导体；
设置于所述第一绝缘体内的第二线圈形成面上的、围绕所述线圈轴卷绕的第二线圈导体；和
设置于所述第一绝缘体内的第三线圈形成面上的、围绕所述线圈轴卷绕的第三线圈导体。
在该实施方式中，在从沿着所述线圈轴的轴向俯视时的第一区域中，所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体互相平行地延伸，
在该实施方式中，在所述第一区域中，在以包含所述线圈轴的平面截断的截面中观察时，所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体的在第n圈的从径向内侧起的排列顺序与在第n+1圈相反，(其中，n为n+1不超过所述第一线圈导体的圈数、所述第二线圈导体的圈数和所述第三线圈导体的圈数中的任一者的正实数)。例如在第n圈中，从内侧起依次配置第一线圈导体、第二线圈导体、第三线圈导体时，在第n+1圈中，从内侧起依次配置第三线圈导体、第二线圈导体、第一线圈导体。
通过这样的各线圈导体的配置，在相邻的圈中，能够将相同的线圈导体彼此以最近距离配置。例如，在第n圈中，从内侧起按第一线圈导体、第二线圈导体、第三线圈导体的顺序配置，在第n+1圈中，从内侧起依次配置第三线圈导体、第二线圈导体、第一线圈导体，在这种情况下，在该第n圈的圈与第n+1圈的圈之间，第三线圈导体以最近距离配置。因此，第n+1圈中的第三线圈导体与第n圈中的第一线圈导体和第二线圈导体之间的距离，比第n+1圈中的第三线圈导体与第n圈中的第三线圈导体的距离长。另一方面，在以等间隔卷绕各线圈导体的现有共模扼流线圈中，例如在第n圈中，从内侧起依次配置第一线圈导体、第二线圈导体、第三线圈导体时，在第n+1圈中，也从内侧起依次第一线圈导体、第二线圈导体、第三线圈导体。在该情况下，在该相邻的第n圈与第n+1圈中，第三线圈导体与第一线圈导体配置为最近距离。
众所周知，两个导体间的距离越长，该导体间产生的电容越小。根据上述的实施方式，在相邻的第n圈与第n+1圈中，能够使相同的线圈导体彼此(例如，第三线圈导体彼此)的距离比不同的线圈导体彼此的距离短。因此，根据上述的实施方式，与在相邻的圈中不同的线圈导体彼此的距离最短的现有共模扼流线圈相比较，能够抑制与相邻的圈的线圈导体之间产生的寄生电容引起的各线圈导体间的寄生电容的偏差。在本说明书中，除进行了另外说明的情况或上下文上应理解为另外的意思的情况以外，在称为“寄生电容”的情况下，是指在共模扼流线圈的线圈导体与其它导体之间产生的寄生电容，是对共模扼流线圈的线圈导体间的特性阻抗造成影响的寄生电容。
在本发明的另一实施方式中，在所述第一区域，所述第一线圈导体的第n+1圈的线段、所述第二线圈导体的第n+1圈的线段和所述第三线圈导体的第n+1圈的线段，设置成关于通过所述第一线圈导体的第n圈的线段与第n+1圈的线段的中点且与所述线圈轴平行地延伸的第一假想平面，分别与所述第一线圈导体的第n圈的线段、所述第二线圈导体的第n圈的线段和所述第三线圈导体的第n圈的线段面对称。
根据该实施方式，在相邻的第n圈与第n+1圈中，能够使相同的线圈导体彼此的距离比不同的线圈导体彼此的距离短。因此，与在相邻的圈中不同的线圈导体彼此的距离最短的现有共模扼流线圈相比较，能够抑制与相邻的圈的线圈导体之间产生的寄生电容引起的各线圈导体间的寄生电容的偏差。
发明的效果
根据本说明书的公开内容，在具有三个线圈导体的共模扼流线圈中，能够减小各线圈导体间的寄生电容的偏差。
附图说明
图1是本发明一实施方式的共模扼流线圈的立体图。
图2是本发明一实施方式的共模扼流线圈的分解立体图。
图3是表示图2的共模扼流线圈所具有的第一绝缘层和形成于该第一绝缘层的第一导体层的俯视图。
图4是表示图2的共模扼流线圈所具有的第二绝缘层和形成于该第二绝缘层的第二导体层的俯视图。
图5是表示图2的共模扼流线圈所具有的第三绝缘层和形成于该第三绝缘层的第三导体层的俯视图。
图6是表示图2的共模扼流线圈所具有的第四绝缘层和形成于该第四绝缘层的第四导体层的俯视图。
图7是将图4的第二导体层22重叠在图3的第一导体层12来表示的示意性的俯视图。
图8是示意性地表示以A－A线截断图2的共模扼流线圈的截面中的第一导体层、第二导体层及第三导体层的截面图。
图9是现有共模扼流线圈的对应于图8的示意性的截面图。
图10是现有共模扼流线圈的对应于图8的示意性的截面图。
图11是本发明的另一实施方式的共模扼流线圈的分解立体图。
图12是表示图11的共模扼流线圈所具有的第一绝缘层和形成于该第一绝缘层的第一导体层的俯视图。
图13表示图11的共模扼流线圈所具有的第二绝缘层和形成于该第二绝缘层上的第二导体层的俯视图。
图14是将图13的第二导体层122重叠在图12的第一导体层112来表示的示意性的俯视图。
图15是表示图11的共模扼流线圈所具有的第三绝缘层和形成于该第三绝缘层的第三导体层的俯视图。
图16是示意性地表示以B－B线截断图11的共模扼流线圈的截面中的第一导体层、第二导体层和第三导体层的截面图。
图17是本发明的另一实施方式的共模扼流线圈的分解立体图。
图18是示意性地表示将图17的共模扼流线圈截断的截面的截面图。
符号说明
1、101、201 共模扼流线圈
3、103、203 层叠体
5a、5b、6a、6b、7a、7b 端子电极
11、111 第一绝缘层
21、121 第二绝缘层
31、131 第三绝缘层
12、112 第一导体层
22、122 第二导体层
32、132 第三导体层
211 第四绝缘层
221 第五绝缘层
231 第六绝缘层
212 第四导体层
222 第五导体层
232 第六导体层
13、23、33、113、123、133、213、223、233 线圈导体
U1、U2 线圈单元
具体实施方式
下面，参照适当的附图，对本发明的各种实施方式进行说明。另外，在多个附图中，对于共同的构成要素，贯穿该多个附图附带了同一参照符号。为了方便说明，各附图未必是按照正确的比例尺进行记载，在这一点上要注意。
图1是本发明一实施方式的共模扼流线圈的立体图。图1所示的共模扼流线圈1具有下部虚设绝缘层2、层叠体3、上部虚设绝缘层4和端子电极5a、5b、6a、6b、7a、7b。虚设绝缘层2、4分别是由磁性材料或非磁性材料构成的层，具有优异的绝缘性。在虚设绝缘层2、4由磁性材料构成的情况下，作为该磁性材料能够使用Ni－Zn－Cu系铁氧体。共模扼流线圈1例如具有1.25mm×1.0mm×0.5mm的尺寸。
端子电极5a、5b、6a、6b、7a、7b设置于层叠体3的侧面，如图所示延伸至共模扼流线圈1的上表面和下表面。端子电极5a、5b、6a、6b、7a、7b例如通过在层叠体3的侧面涂敷Ag糊膏来形成。
接下来，参照图2～图6对层叠体3进行说明。如图2的分解立体图所示，在本发明的一实施方式中，层叠体3具有下部磁性层8、上部磁性层9、层叠在这些磁性层之间的第一绝缘层11、第一导体层12、第二绝缘层21、第二导体层22、第三绝缘层31、第三导体层32、引出电极用绝缘层41、引出导体层42和绝缘覆盖层51。
下部磁性层8和上部磁性层9分别是由磁性材料构成的层。作为该磁性材料，例如能够使用Ni－zn－Cu系铁氧体。
第一绝缘层11、第二绝缘层21、第三绝缘层31、引出电极用绝缘层41和绝缘覆盖层51都是由非磁性材料构成的层，具有优异的绝缘性。作为该非磁性材料，例如能够使用各种树脂材料(例如，聚酰亚胺树脂、环氧树脂和这些树脂以外的树脂材料)、各种电介质陶瓷(硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃和晶质硅的混合物及他们以外的电介质陶瓷)及非磁性的各种铁氧体(例如Zn－Cu系铁氧体)。在本发明的一实施方式中，作为该非磁性材料，例如使用介电常数为20以下的各种铁氧体材料、介电常数为10以下的各种树脂材料或各种电介质陶瓷材料、或者介电常数为6以下的各种电介质陶瓷材料。
第一导体层12、第二导体层22、第三导体层32和引出导体层42由Ag等金属材料构成。优选的是，该金属材料为导电性和加工性优异的材料。作为该金属材料，除Ag以外还能够使用Cu或A1。
上述的各磁性层、各绝缘性和各导体层的材料均为例示，能够根据共模扼流线圈1的要求的性能或要求的特性，除在本说明书中明确地说明的材料以外，也能够使用各种材料。
在图示的层叠体3中，在下部磁性层8上形成有第一绝缘层11。在本说明书中提及上下方向的情况下，除非上下文中被另外解释的情况外，将图2的上方设为上、将图2的下方设为下。
在第一绝缘层11之上形成有第一导体层12。如图3所示，第一导体层12具有线圈导体13、一端被连接于该线圈导体13的外侧端部的引出导体14、一端被连接于该线圈导体13的内侧端部的引出导体15、连接于引出导体14的引出电极16。引出电极16与端子电极5a电连接。线圈导体13具有围绕线圈轴CA卷绕多次而成的螺旋状的形状。线圈轴CA是在层叠体3的层叠方向(即，共模扼流线圈1的上下方向)上延伸的假想的轴线。在一实施方式中，线圈轴CA在与第一绝缘层11大致正交的方向上延伸。
在第一导体层12之上形成有第二绝缘层21。在该第二绝缘层21之上形成有第二导体层22。如图4所示，第二导体层22具有螺旋形状的线圈导体23、一端被连接于该线圈导体23的外侧端部的引出导体24、一端被连接于该线圈导体23的内侧端部的引出导体25、连接于引出导体24的引出电极26。引出电极26与端子电极6a电连接。线圈导体23具有围绕线圈轴CA卷绕多次而成的螺旋状的形状。
在第二导体层22之上形成有第三绝缘层31。在该第三绝缘层31之上形成有第三导体层32。如图5所示，第三导体层32具有螺旋形状的线圈导体33、一端被连接于该线圈导体33的外侧端部的引出导体34、一端被连接于该线圈导体33的内侧端部的引出导体35、连接于引出导体34的引出电极36。引出电极36与端子电极7a电连接。线圈导体33具有围绕线圈轴CA卷绕多次而成的螺旋状的形状。
在该第三导体层32之上形成有引出电极用绝缘层41。在该引出电极用绝缘层41之上形成有引出导体层42。引出导体层42具有引出导体43a、引出导体43b、引出导体43c、连接于引出导体43a的引出电极44a、连接于引出导体43b的引出电极44b、连接于引出导体43c的引出电极44c。引出电极44a与端子电极5b电连接。引出电极44b与端子电极6b电连接。引出电极44c与端子电极7b电连接。
为了将第一导体层12的引出导体15的端部与引出导体43a的端部连接，在第一绝缘层11形成有焊垫P17、在第二绝缘层21形成有通孔TH27、在第三绝缘层31形成有通孔TH37、在引出电极用绝缘层41形成有通孔TH47。通孔TH27、TH37、TH47通过在第二绝缘层21、第三绝缘层31和形成于引出电极用绝缘层41的贯通孔中埋入Ag等金属材料而形成。为了将第二导体层22的引出导体25的端部与引出导体43b的端部连接，在第二绝缘层21形成有焊垫P28、在第三绝缘层31形成有通孔TH38、在引出电极用绝缘层41形成有通孔TH48。为了将第三导体层32的引出导体35的端部与引出导体43c的端部连接，在第三绝缘层31形成有焊垫P39、在引出电极用绝缘层41形成有通孔TH49。这些焊垫和通孔各自与焊垫P17和通孔TH27分别同样地形成。
通过上述构成和配置，在共模扼流线圈1中，端子电极5a、6a、7a与端子电极5b、6b、7b之间设有3个线圈。即，线圈导体13的外侧端经由引出导体14和引出电极16与端子电极5a电连接，线圈导体13的内侧端经由引出导体15、焊垫P17、通孔TH27、通孔TH37、通孔TH47、引出导体43a和引出电极44a与端子电极5b电连接，所以，在端子电极5a与端子电极5b之间构成包含线圈导体13的第一线圈。另外，线圈导体23的外侧端经由引出导体24和引出电极26与端子电极6a电连接，线圈导体23的内侧端经由引出导体25、焊垫P28、通孔TH38、通孔TH48、引出导体43b和引出电极44b与端子电极6b电连接，所以，在端子电极6a和端子电极6b之间构成包含线圈导体23的第二线圈。进而，线圈导体33的外侧端经由引出导体34和引出电极36与端子电极7a电连接，线圈导体33的内侧端经由引出导体35、焊垫P39、通孔TH49、引出导体43c和引出电极44c与端子电极7b电连接，所以在端子电极7a和端子电极7b之间构成包含线圈导体33的第三线圈。该三个线圈分别是形成于平面上的平面线圈。该三个线圈例如分别与遵照MIPI联盟制定的C－PHY的差动传输电路中的三个信号线连接。
接下来，对共模扼流线圈1的制造方法的一例进行说明。首先，制作成为下部虚设绝缘层2、上部虚设绝缘层4、下部磁性层8和上部磁性层9的磁性体片。为了制作该磁性体片，在以FeO2、CuO、ZnO、NiO为主材料的煅烧(预烧制)粉碎后的Ni－Zn－Cu系铁氧体微粉末中添加缩丁醛树脂和溶剂制成浆料。用刮刀涂敷该浆料并使其达到一定的厚度。使该涂敷的浆料干燥，将该干燥后的浆料按规定尺寸切断，由此分别得到成为下部虚设绝缘层2、上部虚设绝缘层4、下部磁性层8和上部磁性层9的磁性体片。
接下来，制作成为第一绝缘层11、第二绝缘层21、第三绝缘层31、引出电极用绝缘层41和绝缘覆盖层51的非磁性体片。为了制成该非磁性体片，在以FeO2、CuO、ZnO为主材料的煅烧粉碎后的Zn－Cu系铁氧体微粉末中添加缩丁醛树脂和溶剂制成浆料。用刮刀涂敷该浆料使其达到一定的厚度。使该涂敷的浆料干燥，将该干燥后的浆料按规定尺寸切断，由此分别获得成为第一绝缘层11、第二绝缘层21、第三绝缘层31、引出电极用绝缘层41和绝缘覆盖层51的非磁性体片。在各非磁性体片，在对应于各通孔的位置形成贯通孔。该贯通孔例如是通过对磁性体片进行冲裁或对磁性体片照射激光进行穿孔而形成。
通过使用网版在这样制成的非磁性体片中对应于第一绝缘层11的非磁性体片上印刷Ag糊膏，形成对应于第一导体层12的图案。同样地，通过使用网版在对应于第二绝缘层21的非磁性体片上印刷Ag糊膏，形成对应于第二导体层22的图案，通过使用网版在对应于第三绝缘层31的非磁性体片上印刷Ag糊膏，形成对应于第三导体层22的图案，使用网版在对应于引出电极用绝缘层41的非磁性体片上印刷Ag糊膏，形成对应于引出导体层42的图案。各焊垫也与对应于第一导体层12或第二导体层22的图案一起形成。另外，在形成于各非磁性体片的贯通孔中埋入Ag。第一导体层12、第二导体层22、第三导体层22和引出导体层42使用公知的各种方法形成。例如，这些导体层的形成能够使用利用掩模的蒸镀、溅射等薄膜工艺、对用薄膜工艺等形成的种子层的镀敷和纳米压印那样的微转印工艺等。在通过印刷或微转印工艺制成的导体中，难以增大相对于该导体的宽度的高度(高宽比)，通常不到1，但在通过薄膜工艺或镀敷制成的导体中，容易对高宽比进行调整，例如也能够形成为1以上。因此，通过薄膜工艺或镀敷形成第一导体层12、第二导体层22、第三导体层22和引出导体层42的导体图案，由此使寄生电容的设计变得容易。
接下来，将如上所述制成的多个磁性体片和非磁性体片，按图2所示的顺序进行层叠，使所印刷的导体图案通过通孔被导通。这样被层叠在一起的多个磁性体片和多个非磁性体片经被压接。将该压接后的层叠体按规定尺寸切断，将该切断后的层叠体在规定温度下进行烧制，由此形成层叠体芯片。接下来，在这样形成的层叠体芯片的侧面涂敷Ag糊膏后进行烤制(烧附)，形成端子电极5a、5b、6a、6b、7a、7b。但是，材料使用各种树脂材料时，不进行烧制而是通过在所形成的层叠体芯片的侧面涂敷Ag导电性树脂糊膏并进行加热固化而形成端子电极5a、5b、6a、6b、7a、7b。这样，制成共模扼流线圈1。上述的共模扼流线圈1的制作方法只不过是一个例子，能够应用本发明的共模扼流线圈的制成方法不限于如上所述的方法。
再次参照图3～图5并参照图7，对线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33的俯视图的配置进一步进行说明。如图3所示，线圈导体13由设置于引出导体14的端部和引出导体15的端部之间的螺旋形状的线段构成。如图4所示，线圈导体23由设置于引出导体24的端部和引出导体25的端部之间的螺旋形状的线段构成。如图5所示，线圈导体33由设置于引出导体34的端部和引出导体35的端部之间的螺旋形状的线段构成。在本发明一实施方式中，线圈导体33形成为在俯视图中与线圈导体13相同的形状。另外，在本发明的一实施方式中，线圈导体33配置于在俯视图中与线圈导体13重叠(重复)的位置。
图7是为了进一步说明线圈导体13和线圈导体23的配置，而将第二导体层22重叠在第一导体层12上来表示的示意性的俯视图。在图7中，用虚线表示线圈导体13，用实线表示线圈导体23。如图7所示，在俯视观察共模扼流线圈1时(即，从沿着线圈轴CA的轴向观察共模扼流线圈1)时，线圈导体13的线段和线圈导体23的线段在第一区域R1以彼此平行地延伸的方式构成和配置。另一方面，在俯视观察共模扼流线圈1时，线圈导体13的线段和线圈导体23的线段在第二区域R2以彼此交叉的方式构成和配置。
如图7所示，在线圈导体13和线圈导体23的第一圈(为了方便，各线圈导体的圈数设定为从外侧开始数。)中，在直到要进入第二区域R2的跟前的第一区域R1，在俯视图中，线圈导体23配置于比线圈导体13靠外侧。在第二区域R2，线圈导体13和线圈导体23的平行的配置破坏，两者以线圈导体23向内侧进入而线圈导体13向外侧出来的方式相交叉。在通过第二区域R2后再次进入第一区域R1时，线圈导体13比线圈导体23靠外侧的路与线圈导体23平行地延伸。线圈导体13和线圈导体23通过第一区域R1后维持该配置不变在周向上延伸。在第二圈当要进入第二区域R2时，与第一圈的情况相反，两者以线圈导体13向内侧进入而线圈导体23向外侧出来的方式相交叉。在该第二圈的圈中当从第二区域R2穿过再次进入第一区域R1时，线圈导体23比线圈导体13靠外侧的路与线圈导体13平行地延伸。线圈导体13和线圈导体23通过第一区域R1维持该配置不变而在周向延伸，进入第三圈。以下同样，线圈导体13和线圈导体23在周向上一直延伸至分别与引出导体15和引出导体25连接。如上所述，在本发明一实施方式中，线圈导体33配置为在俯视图中与线圈导体13重叠(重复)。在该情况下，参照图7对线圈导体13进行描述的情况，均适用于线圈导体33。例如，在俯视图中看，线圈导体33在第一圈中配置于线圈导体23的内侧直到第二区域R2的跟前为止，但在第一圈中通过第二区域R2之后，变为通过比线圈导体23靠外侧的路。该配置一直持续至在第二圈再次通过第二区域R2。
要注意，即使线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33在俯视图中相交叉，各线圈导体彼此也电绝缘这一点。即，在第二区域R2，线圈导体13的线段和线圈导体23的线段也是在上下方向上离开地配置，因此，线圈导体13的线段和线圈导体23电绝缘。在以包含线圈轴CA的平面截断共模扼流线圈1后的截面剖视时，在区域R2中，线圈导体13的线段和线圈导体23彼此离开地配置。
在图7所示的实施方式中，将线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33的左上的拐角周边设为第二区域，但第二区域能够设置在各线圈的圈上的任意位置。例如，也能够将各线圈导体的右上的拐角周边设为第二区域，或者也能够将拐角以外的部分设为第二区域。优选的是，线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33的线段在第一区域R1中的长度比在第二区域R2中的长度长。通过加长在第一区域R1中的各线圈导体的线段，能够增加各线圈导体平行配置的区间。由此，能够维持在处于同一圈的线圈导体间产生的寄生电容的平衡。
接下来，参照图8进一步对线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33的配置进行说明。图8是示意性地表示用包含线圈轴CA的平面将共模扼流线圈1截断的截面(例如，图3～图5所示的用A－A线截断的截面)的截面图。在图8所示的实施方式中，线圈导体33配置于在俯视图中与线圈导体13重叠的位置。
如参照图7所进行的说明，在第一圈中要通过第二区域R2的跟前，线圈导体23配置于比线圈导体13和线圈导体33靠外侧。在第二圈中，该配置交换，线圈导体13和线圈导体33配置于比线圈导体23靠外侧。换言之，在用包含线圈轴CA的平面截断的截面进行截面观察时，第n圈中的线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33的从径向内侧起的排列顺序成为与在第n+1圈中的排列顺序相反。例如在第一圈中，从径向内侧起，以线圈导体13(或线圈导体33)、线圈导体23的顺序排列，但在第二圈中则与之相反，以线圈导体23、线圈导体13(或线圈导体33)的顺序排列。该配置在第三圈中进一步交换，在第四圈也进一步交换。其结果是，如图8所示，线圈导体23在第一圈和第三圈中配置于比线圈导体13和线圈导体33靠外侧，而在第二圈和第四圈中配置于比线圈导体13和线圈导体33靠内侧。换言之，线圈导体13和线圈导体33在第一圈和第三圈中配置于比线圈导体23靠内侧，而在第二圈和第四圈中配置于线圈导体23靠外侧。由此，各线圈导体的第一圈的配置和第二圈的配置关于通过该第一圈和第二圈之间的假想平面VS1为面对称。即，线圈导体13的第二圈的线段配置于与线圈导体13的第一圈的线段关于假想平面VS1面对称的位置。关于线圈导体23和线圈导体33也适用同样的关系。该假想平面VS1是在通过线圈导体23的第一圈的线段与第二圈的线段的中点、且在垂直于图2等所示的各绝缘层的方向上延伸的假想平面。同样地，各线圈导体的第二圈的配置和第三圈的配置关于通过该第二圈与第三圈之间的假想平面VS2为面对称，第三圈的配置和第四圈的配置关于通过该第三圈与第四圈之间的假想平面VS3为面对称。本领域技术人员清楚，关于以上的线圈导体的位置关系的说明，同样也适用于各线圈导体被卷绕5圈以上的情况。图8中，线圈导体13和线圈导体33在俯视图中配置于相同的位置，但如上所述，线圈导体13和线圈导体33也能够配置于在俯视图中不同的位置。例如在第一圈的圈中，也能够将线圈导体33配置于比线圈导体13靠外侧。在该例中，在第一圈的圈中的各线圈导体的从径向内侧起的排列顺序为：线圈导体13、线圈导体33、线圈导体23。在该情况下，在第一圈的圈中的各线圈导体的从径向内侧起的排列顺序和第一圈中的排列顺序相反，所以成为线圈导体23、线圈导体33、线圈导体13。
在本发明一实施方式中，线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33配置为：在第一区域R1中，在线圈导体13与线圈导体23之间产生的寄生电容C12、在线圈导体23与线圈导体33之间产生的寄生电容C23和在线圈导体33与线圈导体13之间产生的寄生电容C31分别相等(即，Cl2＝C23＝C31)。这样，通过使在同一圈中的线圈导体间的寄生电容分别相等，能够使得线圈导体13与线圈导体23之间的特性阻抗Z12、线圈导体23与线圈导体33之间的特性阻抗Z23和线圈导体33与线圈导体13之间的特性阻抗Z31的匹配，不会因这些线圈导体间的寄生电容而被破坏。在图8所示的例子中，在同一圈中，线圈导体13的线段与线圈导体23的线段隔开距离L12地配置，线圈导体23的线段与线圈导体33的线段隔开距离L23地配置，线圈导体33的线段与线圈导体13的线段隔开距离L31地配置。
因线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33形成为螺旋状，所以在各圈中的这些线圈导体的线段与处于与该各圈相邻的圈中的线圈导体的线段之间也会产生寄生电容。因此，为了维持特性阻抗Z12、特性阻抗Z23和特性阻抗Z31的平衡，使这些特性阻抗与差动传输电路的特性阻抗相匹配，需要使各线圈导体间的特性阻抗的平衡不会因在不同的圈中的线段彼此间的寄生电容的影响而被破坏。对于在不同的圈中的线段彼此间的寄生电容，除图8以外还参照图9和图10进行说明。
图9和图10是现有共模扼流线圈的与图8相对应的示意性的截面图。在现有共模扼流线圈中配置螺旋状的三个线圈导体的情况下，各线圈导体以在其整个区间与其它线圈导体平行的方式构成和配置。如果将三个线圈导体(在图9和图10中，线圈导体A1、线圈导体A2和线圈导体A3)在其全长上与其它线圈导体平行配置，则即使圈改变，各线圈导体的相对配置也是固定的。即，如图9所示，线圈导体A1、线圈导体A2和线圈导体A3的配置从第一圈至第四圈都是相同的。在该情况下，假设即使以在同一圈内三个线圈导体间的寄生电容相等的方式配置各线圈导体，在与相邻的圈的线圈导体之间也会产生较大的寄生电容，因此在各线圈导体间，寄生电容产生偏差。例如在图9所示的例子中，第一圈的线圈导体A3和第二圈的线圈导体A2相邻配置，另外，第一圈的线圈导体A1和第二圈的线圈导体A2相邻配置，所以，这些相邻配置的导体间产生较大的寄生电容。由此，各线圈导体间的寄生电容的平衡就会被破坏。例如在图9的例子中，第一圈的线圈导体A1与第二圈的线圈导体A2之间的寄生电容、和第一圈的线圈导体A3与第二圈的线圈导体A2之间的寄生电容较大，因此在线圈导体A1与线圈导体A2之间产生的寄生电容和在线圈导体A2与线圈导体A3之间产生的寄生电容，就比在线圈导体A1与线圈导体A3之间产生的寄生电容变大。
与此不同，本发明的实施方式的共模扼流线圈1中，由于线圈导体23在第一圈靠外侧配置，并且在第二圈靠内侧配置，因此第一圈的线圈导体33与第二圈的线圈导体23的距离D23比图9所示的现有共模扼流线圈中的第一圈的线圈导体A3与第二圈的线圈导体A2的距离D23’大幅度变大。同样地，本发明的实施方式的共模扼流线圈1中的第一圈的线圈导体13与第二圈的线圈导体23的距离D12，比图9所示的现有共模扼流线圈中的第一圈的线圈导体A1与第二圈的线圈导体A2的距离D12’大幅度变大。因此，在本发明的实施方式的共模扼流线圈1中，第一圈的线圈导体13与第二圈的线圈导体23之间的寄生电容和第一圈的线圈导体33与第二圈的线圈导体23之间的寄生电容基本能够忽略，因此在线圈导体间产生的寄生电容的平衡不会被破坏。即，即使考虑相邻的圈的线圈导体产生的寄生电容的影响，也能够使在线圈导体13与线圈导体23之间产生的寄生电容C12、在线圈导体23与线圈导体33之间产生的寄生电容C23、以及在线圈导体33和线圈导体13之间产生的寄生电容C31各自大致相等(即，能够形成C12≒C23≒C31)。因此，根据上述的线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33的配置，也能够维持各线圈导体间的特性阻抗的平衡。
如图10所示，通过增大相邻的圈彼此的间隔，即使维持图9所示的现有线圈导体的配置不变，也能够抑制与处于其它圈的线圈导体之间的寄生电容造成的各线圈导体间的寄生电容的平衡的破坏。例如在图10所示的例子中，尽可能扩大第一圈与第二圈之间的间隔，与此相应地使得第一圈的线圈导体A3与第二圈的线圈导体A2之间的距离D23”比图9所示的对应的距离D23’变长，另外，第一圈的线圈导体A1与第二圈的线圈导体A2之间的距离D12”比图9所示的对应的距离D12’变长。但是，当增大相邻的圈彼此的间隔时，共模扼流线圈的尺寸就会变大。另外，通过减少各线圈导体的圈数，维持现有线圈导体的配置不变，能够抑制与处于其它圈的线圈导体之间的寄生电容造成的各线圈导体间的寄生电容的平衡的破坏。但是，当减少了线圈导体的圈数时，公共阻抗(Common impedance)就会降低，因此共模扼流线圈的共模噪声去除特性劣化。
与此不同，在图8所示的本发明的一实施方式的共模扼流线圈1中，在用包含线圈轴CA的平面截断的截面剖视时，第n圈中的线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33的从径向内侧起的排列顺序与第n+1圈中的排列顺序相反，所以，即使缩短相邻的圈中的线圈导体间的距离，也能够减小其相邻的圈中的线圈导体间产生的寄生电容。例如，如图8所示，能够使线圈导体13的第一圈的线段与第二圈的线段之间的距离Dl1和线圈导体33的第一圈的线段与第二圈的线段之间的距离D33比同一圈内的线圈导体13与线圈导体23之间的距离Ll2、线圈导体23与线圈导体33之间的距离L23和线圈导体33与线圈导体13之间的距离L31的任一个都短。
如以上说明的那样，本发明的实施方式的共模扼流线圈1能够使三个线圈导体间的特性阻抗平衡，且不会使共模噪声去除特性劣化。另外，由于三个线圈导体间的特性阻抗平衡，所以能够使各线圈导体间的特性阻抗与差动传输电路的特性阻抗相匹配。
接下来，参照图11～图16对本发明的另一实施方式的共模扼流线圈进行说明。图11是本发明的另一实施方式的共模扼流线圈101的分解立体图。对图11所示的共模扼流线圈101的构成要素中与图2所示的共模扼流线圈1的构成要素相同或类似的构成要素，标注与图2同样的参照符号，对这些相同或类似的构成要素，省略详细的说明。
图11所示的共模扼流线圈101在下部虚设绝缘层2与上部虚设绝缘层4之间具有层叠体103。在本发明的一实施方式中，层叠体103具有：下部磁性层8、上部磁性层9、层叠在这些磁性层之间的第一绝缘层111、第一导体层112、第二绝缘层121、第二导体层122、第三绝缘层131、第三导体层132、引出电极用绝缘层41、引出导体层42和绝缘覆盖层51。
如图11所示，第一绝缘层111形成在下部磁性层8之上。在第一绝缘层111之上形成有第一导体层112。在第一导体层112之上形成有第二绝缘层121。在该第二绝缘层121之上形成有第二导体层122。在该第二导体层122之上形成有第三绝缘层131。在该第三绝缘层131之上形成有第三导体层132。
接下来，参照图12和图13对第一导体层112和第二导体层122进行说明。如图13所示，第二导体层122具有：线圈导体113、一端被连接于该线圈导体113的外侧端部的引出导体114、一端被连接于该线圈导体113的内侧端部的引出导体115、连接于引出导体114的引出电极116。引出电极116与端子电极5a电连接。线圈导体113具有围绕线圈轴CA卷绕多圈而成的螺旋状的形状。该第二导体层122还具有：线圈导体123a2、线圈导体123b2、线圈导体123c2、线圈导体123d2、一端被连接于该线圈导体123a2的外侧端部的引出导体124、一端被连接于该线圈导体123d2的内侧端部的引出导体125、连接于引出导体124的引出电极126。引出电极126与端子电极6a电连接。
在第二绝缘层121上，设置有用于将构成第二导体层122的导体与构成第一导体层112的导体连接的多个通孔。具体地说，在第二绝缘层121，在线圈导体123a2的内侧端部形成有通孔TH321，在线圈导体123b2的外侧端部形成有通孔TH322，在线圈导体123b2的内侧端部形成有通孔TH323，在线圈导体123c2的外侧端部形成有通孔TH324，在线圈导体123c2的内侧端部形成有通孔TH325，在线圈导体123d2的外侧端部形成有通孔TH326，在线圈导体123d2的内侧端部形成有通孔TH327。另外，在第二绝缘层121上，在引出导体125的外侧端部形成有通孔TH328。
如图12所示，第一绝缘层111具有：线圈导体123a1、线圈导体123b1、线圈导体123c1和线圈导体123dl。另外，在第一绝缘层111，设置有用于将这些线圈导体与第二导体层122对应的导体连接的多个通孔。具体地说，在第一绝缘层111中，在线圈导体123a1的外侧端部形成有焊垫P311，在线圈导体123a1的内侧端部形成有焊垫P312，在线圈导体123b1的外侧端部形成有焊垫P313，在线圈导体123b1的内侧端部形成有焊垫P314，在线圈导体123c1的外侧端部形成有焊垫P315，在线圈导体123c1的内侧端部形成有焊垫P316，在线圈导体123d1的外侧端部形成有焊垫P317，在线圈导体123d1的内侧端部形成有焊垫P318。在从线圈轴CA的轴向观察共模扼流线圈101的俯视图中，焊垫P311、P312、P313、P314、P315、P316、P317、P318分别形成于与通孔TH321、TH322、TH323、TH324、TH325、TH326、TH327、TH328对应的位置。通孔TH321、TH322、TH323、TH324、TH325、TH326、TH327、TH328通过在形成于第二绝缘层121的贯通孔中埋入Ag等金属材料来形成。
这样形成的第一绝缘层111、第一导体层112、第二绝缘层121和第二导体层122，以构成第一导体层112的导体和构成第二导体层122的导体经由焊垫P311、P312、P313、P314、P315、P316、P317、P318和通孔TH321、TH322、TH323、TH324、TH325、TH326、TH327、TH328被导通的方式层叠。这样，通过层叠第一绝缘层111、第一导体层112、第二绝缘层121和第二导体层122，由线圈导体123a2、经由通孔TH321和焊垫P311与该线圈导体123a2连接的线圈导体123a1、经由焊垫P312和通孔TH322与该线圈导体123a1连接的线圈导体123b2、经由通孔TH323和焊垫P313与该线圈导体123b2连接的线圈导体123b1、经由焊垫P314和通孔TH324与该线圈导体123b1连接的线圈导体123c2、经由通孔TH325和焊垫P315与该线圈导体123c2连接的线圈导体123c1、经由焊垫P316和通孔TH326与该线圈导体123c1连接的线圈导体123d2、以及经由通孔TH327和焊垫P317与该线圈导体123d2连接的线圈导体123d1构成线圈导体123。
另外，在第一绝缘层111、第一导体层112、第二绝缘层121和第二导体层122层叠而成的层叠体中，构成第一导体层112和第二导体层122的各导体层的导体，在从沿着线圈轴CA方向的轴向观察的俯视图中，配置如图14所示。图14是为了进一步说明构成第一导体层112和第二导体层122的各导体层的导体的配置，将第二导体层122重叠在第一导体层112上来表示的示意性的俯视图。在图14中，用虚线表示构成第一导体层112的线圈导体123a1、线圈导体123b1、线圈导体123c1和线圈导体123d1，用实线表示构成第二导体层122的各导体。
如图14所示，在从沿着线圈轴CA的轴向俯视观察共模扼流线圈101时，线圈导体113的线段和线圈导体123的线段在第一区域R1以彼此平行地延伸的方式构成和配置。另一方面，在对共模扼流线圈101进行俯视观察时，线圈导体113的线段和线圈导体123的线段在第二区域R2中以彼此交叉的方式构成和配置。从沿着线圈轴CA的轴向观察共模扼流线圈101时，线圈导体113的线段和线圈导体123的线段的配置大致和图7所示的线圈导体13和线圈导体23的配置是相同的。即，在线圈导体113的线段和线圈导体123的第一圈中，在直到要进入第二区域R2的跟前的第一区域R1中，在俯视图中，线圈导体123配置于比线圈导体113靠外侧。在第二区域R2，线圈导体113和线圈导体123的平行的配置被破坏，两者以线圈导体123向内侧进入而线圈导体113向外侧出来的方式相交叉。以下同样，线圈导体113和线圈导体123每重叠一圈就将通路从内侧的路变更至外侧的路、或者从外侧的路变更至内侧的路，并且分别一直延伸至引出导体115的内侧端部和引出导体125的内侧端部。
如上所述，在第二导体层122之上形成有第三绝缘层131。在该第三绝缘层131之上形成有第三导体层132。参照图15对该第三导体层132的构成进行说明。如图所示，第三导体层132具有：螺旋形状的线圈导体133、一端被连接于该线圈导体133的外侧端部的引出导体134、一端被连接于线圈导体133的内侧端部的引出导体135、连接于引出导体134的引出电极136。引出电极136与端子电极7a电连接。线圈导体33具有围绕线圈轴CA卷绕多圈而成的螺旋状的形状。在该第三导体层132之上形成有引出电极用绝缘层41。
为了连接第二导体层112的引出导体115的端部与引出导体43a的端部，在第二绝缘层121形成有焊垫P117，在第三绝缘层131形成有通孔TH137，在引出电极用绝缘层41形成有通孔TH47。通孔TH137、TH47通过在形成于第二绝缘层121、第三绝缘层131和引出电极用绝缘层41的贯通孔中埋入Ag等金属材料来形成。为了连接第二导体层122的引出导体125的端部与引出导体43b的端部，在第二绝缘层121形成有焊垫P128，在第三绝缘层131形成有通孔TH138，在引出电极用绝缘层41形成有通孔TH48。为了连接第三导体层132的引出导体135的端部和引出导体43c的端部，在第三绝缘层131形成有焊垫P139，在引出电极用绝缘层41形成有通孔TH49。这些通孔各自都与通孔TH137同样地形成。
通过上述的构成和配置，在共模扼流线圈101中，在端子电极5a、6a、7a和端子电极5b、6b、7b之间设置有三个线圈。即，线圈导体113的外侧端经由引出导体114和引出电极116与端子电极5a电连接，线圈导体113的内侧端经由引出导体115、焊垫P117、通孔TH137、通孔TH47、引出导体43a和引出电极44a与端子电极5b电连接，所以，在端子电极5a与端子电极5b之间，构成包含线圈导体113的第一线圈。另外，线圈导体123的外侧端经由引出导体124和引出电极126与端子电极6a电连接，线圈导体123的内侧端经由引出导体125、焊垫P128、通孔TH138、通孔TH48、引出导体43b和引出电极44b与端子电极6b电连接，所以，在端子电极6a与端子电极6b之间构成包含线圈导体123的第二线圈。进而，线圈导体133的外侧端经由引出导体134和引出电极136与端子电极7a电连接，线圈导体133的内侧端经由引出导体135、焊垫P139、通孔TH49、引出导体43c和引出电极44c与端子电极7b电连接，所以，在端子电极7a与端子电极7b之间构成包含线圈导体133的第三线圈。该三个线圈都是在平面上形成的平面线圈。
上述的共模扼流线圈101能够利用与共模扼流线圈1同样的方法制成。
接下来，参照图16进一步对线圈导体113、线圈导体123和线圈导体133的配置进行说明。图16是示意性地表示以包含线圈轴CA的平面将共模扼流线圈101截断后的截面(例如，用图13和图15所示的B－B线截断后的截面)的截面图。
如参照图14所进行的说明，在第一圈中在要通过第二区域R2的跟前，线圈导体123(线圈导体123a2)配置于比线圈导体113靠外侧。在第二圈，该配置交换，线圈导体113配置于比线圈导体123(线圈导体123b2)靠外侧。线圈导体133配置于线圈导体113和线圈导体123之间。换言之，在以包含线圈轴CA的平面截断的截面进行截面观察时，第n圈中的线圈导体113、线圈导体123和线圈导体133的从径向内侧起的排列顺序与第n+1圈中的排列顺序相反。即，在第一圈中，从径向内侧起以线圈导体113、线圈导体133、线圈导体123的顺序排列，而在第二圈中，与之相反，以线圈导体123、线圈导体133、线圈导体113的顺序排列。该配置在第三圈中进一步交换，在第四圈中也进一步交换。
由此，各线圈导体的第一圈的配置与第二圈的配置关于通过该第一圈与第二圈之间的假想平面VS1为面对称。同样地，各线圈导体的第二圈的配置与第三圈的配置关于通过该第二圈与第三圈之间的假想平面VS2为面对称，第三圈的配置与第四圈的配置关于通过该第三圈与第四圈之间的假想平面VS3为面对称。
在本发明的一实施方式中，线圈导体113、线圈导体123和线圈导体133配置为：在第一区域R1中，在线圈导体113与线圈导体123之间产生的寄生电容、在线圈导体123与线圈导体133之间产生的寄生电容和在线圈导体133与线圈导体113之间产生的寄生电容分别相等。
在上述的共模扼流线圈101中，在以包含线圈轴CA的平面截断的截面进行截面观察时，第n圈中的线圈导体113、线圈导体133、线圈导体123的从径向内侧起的排列顺序与在第n+1圈中的排列顺序相反，所以，能够将相邻的圈中相同的线圈导体彼此以最近距离配置。因此，与在相邻的圈中不同的线圈导体彼此的距离最短的现有共模扼流线圈相比较，能够抑制在与相邻的圈的线圈导体之间产生的寄生电容造成的各线圈导体间的寄生电容的偏差。
另外，在共模扼流线圈101中，在以包含线圈轴CA的平面截断的截面进行截面观察时，在第n圈中的线圈导体113、线圈导体133、线圈导体123的从径向内侧起的排列顺序与在第n+1圈中的排列顺序相反，所以，即使缩短相邻的圈中的线圈导体间的距离，也能够减小在该相邻的圈中的线圈导体间产生的寄生电容。因此，在共模扼流线圈101中，能够使三个线圈导体间的特性阻抗平衡，且不会使共模噪声除去特性劣化。
接下来，参照图17和图18对本发明的另一实施方式的共模扼流线圈进行说明。图17是本发明的另一实施方式的共模扼流线圈201的分解立体图。对图17所示的共模扼流线圈201的构成要素中与图2所示的共模扼流线圈1的构成要素相同或类似的构成要素，标注与图2同样的参照符号，对于这些相同或类似的构成要素，省略详细的说明。
图17所示的共模扼流线圈201，在下部虚设绝缘层2和上部虚设绝缘层4之间具有层叠体203。在本发明的一实施方式中，层叠体203具有下部磁性层8、上部磁性层9、第一线圈单元U1、第二线圈单元U2和绝缘覆盖层51。
如图所示，第一线圈单元U1形成在下部磁性层8之上。该第一线圈单元U1具有第一绝缘层11、第一导体层12、第二绝缘层21、第二导体层22、第三绝缘层31和第三导体层32。关于第一绝缘层11、第一导体层12、第二绝缘层21、第二导体层22、第三绝缘层31和第三导体层32，与图2所示的共模扼流线圈1同样地构成。
第二线圈单元U2形成在第一线圈单元U1之上。该第二线圈单元U2自下而上依次具有：第四绝缘层211、第四导体层212、第五绝缘层221、第五导体层222、第六绝缘层231和第六导体层232。第四绝缘层211和在其之上形成的第四导体层212分别与第三绝缘层31和在其之上形成的第三导体层32同样地构成，第五绝缘层221和在其之上形成的第五导体层222分别与第二绝缘层21和在其之上形成的第二导体层22同样地构成，第六绝缘层231和在其之上形成的第六导体层232分别与第一绝缘层11和在其之上形成的第一导体层12同样地构成。更具体地说，第四导体层212具有：螺旋形状的线圈导体213、一端被连接于该线圈导体213的外侧端部的引出导体214、一端被连接于该线圈导体213的内侧端部的引出导体215、和连接于引出导体214的引出电极216。引出电极216与端子电极7b电连接。另外，第五导体层222具有：螺旋形状的线圈导体223、一端被连接于该线圈导体223的外侧端部的引出导体224、一端被连接于该线圈导体223的内侧端部的引出导体225、和被连接于引出导体224的引出电极226。引出电极226与端子电极6b电连接。另外，第六导体层232具有：螺旋形状的线圈导体233、一端被连接于该线圈导体233的外侧端部的引出导体234、一端被连接于该线圈导体233的内侧端部的引出导体235、和被连接于引出导体234的引出电极236。引出电极236与端子电极5b电连接。在俯视图中，线圈导体213形成为与线圈导体33相同的形状，配置在与线圈导体33重叠的位置。另外，在俯视图中，线圈导体223形成为与线圈导体23相同的形状，配置于与线圈导体23重叠的位置。另外，在俯视图中，线圈导体233形成为与线圈导体13相同的形状，配置于和线圈导体13重叠的位置。
在第四绝缘层211形成有通孔TH217和通孔TH218、TH219，在第五绝缘层221形成有通孔TH227、TH228，在第六绝缘层231形成有通孔TH237。这些通孔各自都与通孔TH27同样地形成。
通过上述的构成和配置，在共模扼流线圈201中，在端子电极5a、6a、7a和端子电极5b、6b、7b之间设置有三个线圈。即，在端子电极5a与端子电极5b之间形成有由引出电极16、引出导体14、线圈导体13、引出导体15、焊垫P17、通孔TH27、TH37、TH217、TH227、TH237、引出导体235、线圈导体233、引出导体234和引出电极236构成的第一线圈。另外，在端子电极6a与端子电极6b之间，形成有由引出电极26、引出导体24、线圈导体23、引出导体25、焊垫P28、通孔TH38、TH218、TH228、引出导体225、线圈导体223、引出导体224和引出电极226构成的第二线圈。另外，在端子电极7a与端子电极7b之间形成有由引出电极36、引出导体34、线圈导体33、引出导体35、焊垫P39、通孔TH219、引出导体215、线圈导体213、引出导体214和引出电极216构成的第三线圈。
上述的共模扼流线圈201利用与共模扼流线圈1同样的方法来制成。
接下来，参照图18参照对线圈导体13、线圈导体23、线圈导体33、线圈导体213、线圈导体223、线圈导体233的配置进一步进行说明。图18是示意性地表示在第一区域R1以包含线圈轴CA的平面将共模扼流线圈201截断的截面(例如，以对应于图3所示的A－A线的面截断的截面)的截面图。线圈单元U1中的各线圈导体的配置与图8所示的各线圈导体的配置是相同的。即，在以包含线圈轴CA的平面截断的截面进行截面观察时，第n圈中的线圈导体13、线圈导体23和线圈导体33的从径向内侧起的排列顺序与第n+1圈中的排列顺序相反。例如，在第一圈中，径向内侧起以线圈导体13(或线圈导体33)、线圈导体23的顺序排列，而在第二圈中，与此相反地以线圈导体23、线圈导体13(或线圈导体33)的顺序排列。另外，在线圈单元U2中也同样，在以包含线圈轴CA的平面截断的截面中进行截面观察时，第n圈中的线圈导体213、线圈导体223和线圈导体233的从径向内侧起的排列顺序与第n+1圈中的排列顺序相反。例如，在第一圈中，从径向内侧起以线圈导体213(或线圈导体233)、线圈导体223的顺序排列，而在第二圈中与此相反地以线圈导体223、线圈导体213(或线圈导体233)的顺序排列。
在上述的共模扼流线圈201中，在以包含线圈轴CA的平面截断的截面中进行截面观察时，在第n圈中的线圈导体213、线圈导体223、线圈导体233的从径向内侧起的排列顺序与在第n+1圈中的排列顺序相反，所以，在相邻的圈中能够将相同的线圈导体彼此以最近距离配置。因此，与在相邻的圈中不同的线圈导体彼此的距离为最短的现有共模扼流线圈相比较，能够抑制在与相邻的圈的线圈导体之间产生的寄生电容造成的各线圈导体间的寄生电容的偏差。
另外，在本发明一实施方式的共模扼流线圈201中，在以包含线圈轴CA的平面截断的截面中进行截面观察时，线圈单元U1所包含的的各线圈导体的配置与线圈单元U2所包含的的各线圈导体的配置，关于通过线圈单元U1与线圈单元U2之间的假想平面VS4为面对称。即，线圈单元U2的线圈导体213配置于与构成线圈单元U1的线圈导体中该线圈导体213被电连接的线圈导体33关于假想平面VS4面对称的位置，线圈单元U2的线圈导体223配置于与构成线圈单元U1的线圈导体中该线圈导体223被电连接的线圈导体23关于假想平面VS4面对称的位置，线圈单元U2的线圈导体233配置于与构成线圈单元U1的线圈导体中该线圈导体233被电连接的线圈导体13关于假想平面VS4面对称的位置。该假想平面VS4处于线圈单元U1与线圈单元U2之间，是在垂直于线圈轴CA的方向上延伸的(或在平行于绝缘层11等的各绝缘层的方向延伸)假想平面。换言之，在本发明一实施方式的共模扼流线圈201中，在以包含线圈轴CA的平面截断的截面中进行截面观察时，构成第一线圈导体的线圈导体(即，线圈导体13和线圈导体233)、构成第二线圈导体的线圈导体(即，线圈导体23和线圈导体223)和构成第三线圈导体的线圈导体(即，线圈导体33和线圈导体213)的沿着线圈轴CA方向的排列顺序，在线圈单元U1与线圈单元U2中相反。即，在线圈单元U1中，从线圈轴CA方向的下侧起，以第一线圈导体的线圈导体13、第二线圈导体的线圈导体23、第三线圈导体的线圈导体33的顺序排列，而在线圈单元U2中，与此相反地从该线圈轴CA方向的下侧起，以第三线圈导体的线圈导体213、第二线圈导体的线圈导体223、第一线圈导体的线圈导体233的顺序排列。
这样，因为构成第一线圈导体的线圈导体、构成第二线圈导体的线圈导体和构成第三线圈导体的线圈导体的沿着线圈轴CA方向的排列顺序在线圈单元U1与线圈单元U2中相反，所以，在层叠方向上相邻的线圈单元中能够将相同的线圈导体彼此以最近距离配置。因此，能够抑制在层叠方向上相邻的线圈单元间产生的寄生电容造成的各线圈导体间的寄生电容的偏差。另外，即使缩短在线圈轴CA方向上相邻的线圈单元U1与线圈单元U2之间的线圈导体间的距离(例如，线圈导体33与线圈导体213之间的距离D33)，也能够减小在该线圈轴CA方向上相邻的各线圈单元中的线圈导体间产生的寄生电容。
除线圈单元U1和线圈单元U2以外，还能够追加设置另外的线圈单元。例如，能够准备与线圈单元U1同样构成的追加的线圈单元，以在线圈轴CA方向上与线圈单元U2相邻的方式配置该追加的线圈单元。在该情况下，追加的线圈单元与线圈单元U2相邻设置在与线圈单元U1相反的一侧。
能够对在线圈轴CA方向上层叠的各个线圈单元施加各式各样的变形。例如，也能够按照图11所示的实施方式的具有第一绝缘层111、第一导体层112、第二绝缘层121、第二导体层122、第三绝缘层131和第三导体层132的方式构成多个线圈单元。这样构成的该多个线圈单元配置为在线圈轴CA方向上彼此相邻。另外，该多个线圈单元配置为：各线圈单元中所包含的各线圈导体的配置关于通过该多个线圈单元之间的假想平面为面对称。
如以上说明，在本发明的各种实施方式的共模扼流线圈中，能够使三个线圈导体间的特性阻抗平衡，且不会使共模噪声除去特性劣化。另外，由于三个线圈导体间的特性阻抗是平衡的，所以能够使各线圈导体间的特性阻抗与差动传输电路的特性阻抗相匹配。
在本说明书中所说明的各构成要素的尺寸、材料和配置不限定于在实施方式中被明确地说明的尺寸、材料和配置，该各构成要素能够按照具有本发明的范围中能够包含的任意的尺寸、材料和配置的方式进行变形。另外，也能够将在本说明书没有明确地说明的构成要素附加在所说明的实施方式中，或者也能够将在各实施方式中所说明的构成要素的一部分省略。

Claims (23)

1.一种共模扼流线圈，其特征在于，包括：
设置于第一绝缘体内的第一线圈形成面上的、围绕线圈轴卷绕的第一线圈导体；
设置于所述第一绝缘体内的第二线圈形成面上的、围绕所述线圈轴卷绕的第二线圈导体；和
设置于所述第一绝缘体内的第三线圈形成面上的、围绕所述线圈轴卷绕的第三线圈导体，
在从沿着所述线圈轴的轴向俯视时的第一区域中，所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体互相平行地延伸，
在所述第一区域中，在以包含所述线圈轴的平面将所述共模扼流线圈截断而得到的截面中观察时，所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体的在第n圈的从径向内侧起向径向外侧去的排列顺序与在第n+1圈的从径向内侧起向径向外侧去的排列顺序相反，其中，
n为满足n+1不超过所述第一线圈导体的圈数、所述第二线圈导体的圈数和所述第三线圈导体的圈数中的任一者的条件的正整数。
2.根据权利要求1所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第一线圈导体与所述第二线圈导体、所述第二线圈导体与所述第三线圈导体、或者所述第三线圈导体与所述第一线圈导体，在从所述轴向俯视时形成为相同的形状。
3.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于：
在所述第一区域中，所述第一线圈导体的第n+1圈的线段、所述第二线圈导体的第n+1圈的线段和所述第三线圈导体的第n+1圈的线段，设置成关于通过所述第一线圈导体的第n圈的线段与第n+1圈的线段的中点且与所述线圈轴平行地延伸的第一假想平面，分别与所述第一线圈导体的第n圈的线段、所述第二线圈导体的第n圈的线段和所述第三线圈导体的第n圈的线段面对称。
4.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于：
在所述第一区域中，在所述第一线圈导体的第n圈的线段与所述第二线圈导体的第n圈的线段之间产生的寄生电容、在所述第一线圈导体的第n圈的线段与所述第三线圈导体的第n圈的线段之间产生的寄生电容、和在所述第二线圈导体的第n圈的线段与所述第三线圈导体的第n圈的线段之间产生的寄生电容彼此相等。
5.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第一线圈形成面、所述第二线圈形成面和所述第三线圈形成面为彼此不同的面。
6.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第一线圈形成面与所述第二线圈形成面、所述第二线圈形成面与所述第三线圈形成面、或所述第三线圈形成与所述第一线圈形成面为相同的面。
7.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于：
在从所述轴向俯视时的第二区域中所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体设置成：在从所述轴向俯视时，与其它线圈导体中的至少一者相交叉，并且在以包含所述线圈轴的平面截断的截面中观察时彼此不交叉。
8.根据权利要求7所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第一线圈导体的第n圈的线段、所述第二线圈导体的第n圈的线段和所述第三线圈导体的第n圈的线段，在所述第一区域中的长度均比在所述第二区域中的长度长。
9.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体的第n圈的线段中位于最内侧的线段与所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体的第n+1圈的线段中位于最外侧的线段的距离，比所述第一区域的第n圈中的所述第一线圈导体与所述第二线圈导体的距离、所述第一区域的第n圈中的所述第二线圈导体与所述第三线圈导体的距离、和所述第一区域的第n圈中的所述第三线圈导体与所述第一线圈导体的距离的任一者都短，并且比所述第一区域的第n+1圈中的所述第一线圈导体与所述第二线圈导体的距离、所述第一区域的第n+1圈中的所述第二线圈导体与所述第三线圈导体的距离、和所述第一区域的第n+1圈中的所述第三线圈导体与所述第一线圈导体的距离的任一者都短，
第n圈比第n+1圈靠外侧。
10.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于：
具有：包括所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体的第一线圈单元；和与所述第一线圈单元相对设置的第二线圈单元，
所述第二线圈单元包括：
设置于第二绝缘体内的第四线圈形成面上的、围绕所述线圈轴卷绕的第四线圈导体；
设置于所述第二绝缘体内的第五线圈形成面上的、围绕所述线圈轴卷绕的第五线圈导体；和
设置于所述第二绝缘体内的第六线圈形成面上的、围绕所述线圈轴卷绕的第六线圈导体，
所述第六线圈导体与所述第一线圈导体电连接，
所述第五线圈导体与所述第二线圈导体电连接，
所述第四线圈导体与所述第三线圈导体电连接，
所述第二线圈单元构成为：关于位于所述第一线圈单元与所述第二线圈单元之间的与所述线圈轴垂直的第二假想平面，所述第六线圈导体与所述第一线圈导体面对称，所述第五线圈导体与所述第二线圈导体面对称，并且所述第四线圈导体与所述第三线圈导体面对称。
11.根据权利要求10所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体中最靠近所述第二线圈单元配置的线圈导体，与所述第四线圈导体、所述第五线圈导体和所述第六线圈导体中最靠近所述第一线圈单元配置的线圈导体的距离，比所述第一区域的任一圈中的所述第一线圈导体与所述第二线圈导体的距离、所述第一区域的所述任一圈中的所述第二线圈导体与所述第三线圈导体的距离、和所述第一区域的所述任一圈中的所述第三线圈导体与所述第一线圈导体的距离的任一者都短。
12.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于，还包括：
第一端子电极；
第二端子电极；
第三端子电极；
第四端子电极；
第五端子电极；和
第六端子电极，
所述第一线圈导体设置在所述第一端子电极与所述第二端子电极之间，
所述第二线圈导体设置在所述第三端子电极与所述第四端子电极之间，
所述第三线圈导体设置在所述第五端子电极与所述第六端子电极之间。
13.根据权利要求10所述的共模扼流线圈，其特征在于，还包括：
第一端子电极；
第二端子电极；
第三端子电极；
第四端子电极；
第五端子电极；和
第六端子电极，
所述第一线圈导体和所述第六线圈导体设置在所述第一端子电极与所述第二端子电极之间，
所述第二线圈导体和所述第五线圈导体设置在所述第三端子电极与所述第四端子电极之间，
所述第三线圈导体和所述第四线圈导体设置在所述第五端子电极与所述第六端子电极之间。
14.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第一绝缘体由非磁性材料构成。
15.根据权利要求10所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第二绝缘体由非磁性材料构成。
16.根据权利要求14所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第一绝缘体由树脂或电介质陶瓷构成。
17.根据权利要求15所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述第二绝缘体由树脂或电介质陶瓷构成。
18.根据权利要求1或2所述的共模扼流线圈，其特征在于：
还包括设置于所述第一绝缘体的上部的绝缘性的上部虚设层和设置于所述第一绝缘体的下部的绝缘性的下部虚设层，
所述上部虚设层和所述下部虚设层由磁性材料构成。
19.根据权利要求10所述的共模扼流线圈，其特征在于：
还包括设置于所述第一绝缘体的上部的绝缘性的上部虚设层和设置于所述第二绝缘体的下部的绝缘性的下部虚设层，
所述上部虚设层和所述下部虚设层由磁性材料构成。
20.根据权利要求18所述的共模扼流线圈，其特征在于：
所述磁性材料为Ni－Zn－Cu系铁氧体。
21.根据权利要求18所述的共模扼流线圈，其特征在于：
还具有连接所述上部虚设层与所述下部虚设层的磁芯，
所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体围绕所述磁芯卷绕。
22.根据权利要求19所述的共模扼流线圈，其特征在于：
还具有连接所述上部虚设层和所述下部虚设层的磁芯，
所述第一线圈导体、所述第二线圈导体、所述第三线圈导体、所述第四线圈导体、所述第五线圈导体和所述第六线圈导体围绕所述磁芯卷绕。
23.一种共模扼流线圈，其特征在于，包括：
设置于绝缘体内的第一线圈形成面的、围绕线圈轴卷绕的第一线圈导体；
设置于所述绝缘体内的第二线圈形成面的、围绕所述线圈轴卷绕的第二线圈导体；和
设置于所述绝缘体内的第三线圈形成面的、围绕所述线圈轴卷绕的第三线圈导体，
在从沿着所述线圈轴的轴向俯视时的第一区域中，所述第一线圈导体、所述第二线圈导体和所述第三线圈导体互相平行地延伸，
在所述第一区域中，所述第一线圈导体的第n+1圈的线段、所述第二线圈导体的第n+1圈的线段和所述第三线圈导体的第n+1圈的线段，设置成关于通过所述第一线圈导体的第n圈的线段与第n+1圈的线段的中点且与所述线圈轴平行地延伸的假想平面，分别与所述第一线圈导体的第n圈的线段、所述第二线圈导体的第n圈的线段和所述第三线圈导体的第n圈的线段面对称，其中，
n为满足n+1不超过所述第一线圈导体的圈数、所述第二线圈导体的圈数和所述第三线圈导体的圈数中的任一者的条件的正整数，
在从沿着所述线圈轴的轴向俯视时的所述第一区域中，所述第一线圈导体不与所述第二线圈导体重叠，所述第三线圈导体不与所述第二线圈导体重叠。
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