JP2005244443A - Ｌｃ複合部品 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、ハイパスフィルタに用いられる性能を実現しつつ、電子機器の短小化、小型化を実現するＬＣ複合部品を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基体２と基体２に設けられた第一〜第三端子部５ａ、５ｂ、５ｃと、基体２上に設けられたスパイラル導体部３ａ、３ｂと、基体２内部であって、基体２上に設けられたスパイラル導体部３ａ、３ｂと対向する内層導体６ａ、６ｂを有し、第一〜第三端子部５ａ、５ｂ、５ｃがそれぞれ相互に電気的に非導通であり、スパイラル導体部３ａ、３ｂが、第一〜第三端子部５ａ、５ｂ、５ｃの間のいずれかの位置に設けられた構成とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、移動体通信やパーソナルコンピュータなどの無線通信を行う電子機器等に好適に用いられるＬＣ複合部品に関するものである。なお、ここで、Ｌはインダクタ成分を表すものであり、Ｃは容量成分を表している。

コードレス電話・携帯電話において、コスト削減・携帯電話の小型化を図るために部品の小型化・点数削減が望まれている。また、ノートブック型パソコンなどの携帯型モバイル電子機器においても、無線ＬＡＮなどを用いたデータ通信を行うものが増えており、これらの電子機器内部部品の小型化・部品点数削減が望まれている。

ＬＣ複合部品としては、無線通信回路において所望の周波数帯域の信号を選択的に通過させ不要な信号を減衰させる目的で各種フィルタ回路として用いられることが多い。フィルタには特定の帯域の周波数を通過させるバンドパスフィルタや低周波数帯域のみを通過させるローパスフィルタ、あるいは高周波帯域のみを通過させるハイパスフィルタなどがある。

従来においては、これらのフィルタは個別チップ部品であるインダクタ部品とコンデンサ部品を用いて無線機器の基板上でＬＣ回路が実現された上で、フィルタが構成される場合がある。また誘電体フィルタ、表面弾性波フィルタ、積層ＬＣフィルタ等のフィルタ機能を有する複合部品も使用され、広帯域用途としては積層ＬＣフィルタが用いられることが多い。

図１２は従来の技術における積層ＬＣフィルタの断面図であり、図１３は従来の技術における積層ＬＣフィルタの斜視図である。
特開平１１−１４６６９２号公報 特開平１−２５９５１８号公報

しかしながら、フィルタに必要となる減衰特性やその減衰曲線特性などについては、インダクタ成分でＬと容量成分であるＣの等価回路とその値で決定され、これらのいずれかの値を変化させることで、フィルタ特性などを所望のものとする。このとき、ＧＨｚ（ギガヘルツ）帯域などで用いられるフィルタを実現するには、一定以上のインピーダンスが必要となり、このためにはインダクタ値、もしくは容量値を適宜に制御する必要がある。

しかしながら、積層型の素子でフィルタを構成する場合には、インダクタ成分Ｌは積層体内部での印刷などによるため、値が小さくしかできず、必要な減衰特性を得るためには、容量成分を増加させる必要があるため、積層体の材料の改良や、積層体の積層数の増加などの余分な工数やコストがかかり、どうしても小型化や低コスト化に限界がある問題があった。

また、一定の小型化が要求される素子で、小型化を実現するのにはおのずと限界があると言う問題があった。

更に、インダクタ成分を発生させるパターン印刷などは、積層体内部に形成され、インダクタ成分を発生させる印刷パターンは、積層体の焼成前に形成する必要があるため、積
相後にどうしても、その値に変化が生じるなどの問題により、精度の高いフィルタを実現することが困難であった。

また、高周波帯域を通過させるハイパスフィルタでは、インダクタ成分を接地させる必要があるが、従来の積層体方式では、例えば積層体にビアホールなどを設けて内部のインダクタを外部の接地面に接続させるなどの必要があり、余分な工程がかかる上、部品の信頼性などにも問題があった。

また、従来の積層ＬＣフィルタ等のＬＣ複合部品では、図１２の断面図から明らかな通りセラミクス内部の電極より構成されるために複雑な工程を要しコスト削減が困難となる。また、工程が複雑であり工程数が増加することにより特性ばらつきの要因を多く含むことになる。特に、外部回路との接合では基板上の回路パターンとインピーダンスを整合するためにフィルタ内部の回路定数を微調整が出来ないので、外部の整合回路が別途必要となり携帯端末の小型化が困難となる問題があった。

また図１３の斜視図からも明らかな通り、インダクタンスを平面で構成するために大きなインダクタンス値を得るためにはパターンが大きくなり、部品サイズを小さく抑えることが困難になる問題もあった。

一方、個別チップ部品でＬＣ回路を構成することで任意の定数が得ることができ、基板回路設計の自由度が向上するが、複合部品に対し部品点数が多くなり実装面積が広くなり基板、更には電子機器の小型化が困難となる問題があった。勿論部品点数が多いことで、コスト増加の要因になる問題があった。

本発明は、無線通信機器に用いる回路基板の設計自由度を十分に確保しつつ、携帯端末などの電子機器の小型化・低価格を実現できるＬＣ複合部品を供給することを目的とする。

本発明は、基体と基体に設けられた第一〜第三端子部と、基体上に設けられたスパイラル導体部と、基体内部であって、基体上に設けられたスパイラル導体部と対向する内層導体を有し、第一〜第三端子部がそれぞれ相互に電気的に非導通であり、スパイラル導体部が、第一〜第三端子部の間のいずれかの位置に設けられた構成とする。

本発明の構成により、フィルタ特性を決定するための要因としての、容量成分Ｃよりも、インダクタ成分Ｌの寄与度を大きくすることができ、小型化と低コストを追求することができるにも係らず、高いフィルタ特性を実現することが可能となる。特に、小型化、低コスト化を阻害する、積層体の積層数を増加させたり、高価な材料を検討したり必要が無くなる効果も高い。

また、導電膜により覆われた基体の一部をトリミングして形成されたスパイラル導体部をインダクタ成分とし、導体の全周に渡って設けられたギャップ部を、ギャップ部間で結合した結合容量成分とし、スパイラル導体部と内層電極間を絶縁層間で結合した結合容量成分とすることで、等価回路において、インダクタ成分Ｌと容量成分Ｃとが接続された「ＬＣ複合回路」を構成することが可能となる。

更に、基体の外部にスパイラル導体部を設け、これとつながる端子部も外部に設けられることで、インダクタ成分を接地に接続することと同等の等価回路を実現することが可能となり、積層型などでは高コストなどであった、ハイパスフィルタを容易に構成すること
ができる。

特に、インダクタ成分を発生させるスパイラル導体部と並列に容量を発生させる内層導体を、基体内部に配置して実現することで、ハイパスフィルタとなる等価回路を実現することができ、インダクタ成分となるスパイラル導体部と容量成分となるギャップ部を、精度が高く、工程が少ないトリミングにより形成することで、歩留まりが高く低コストでＬＣ複合部品を提供することが可能となる。このため、部品の信頼性も非常に高いものとなる。

当然ながら、トリミングにおいては非常に微調整されたスパイラル形成が可能であるので、非常に精度の高いインダクタ成分ならびに容量成分を一つの素子体に形成することができる。

また、導電膜に覆われた基体をトリミングして回路定数を設定できるので無線機器基板パターンに応じた定数を微調整設定することが可能となり、無線機器の部品点数の削減、コストの削減、実装面積の削減が可能となって、電子機器の形状や性能仕様に容易に対応することができる。

更に、インダクタ成分を立体的にスパイラル状に構成することが可能となるので、容易に大きなインダクタ値を得ることができ、部品の小型化、実装面積の削減が可能となり、電子機器の形状や性能仕様に容易に対応することができる。

更に、インダクタ成分を立体的にスパイラル状に構成することが可能となるので、容易に大きなインダクタ値を得ることができ、部品の小型化、実装面積の削減が可能となり、電子機器の形状や性能仕様に容易に対応することができる。

また、スパイラル導体部を信号の入力・出力に対し対称回路として配置することで、実装方向性の無いＬＣ複合部品を提供することもできる。

また、内層導体と別に、内部独立導体を形成してインダクタ成分を調整することで、フィルタでの減衰特性における極の形成の自由度を高めることが可能となり、減衰特性の向上を容易に実現することができる。

本発明の請求項１に記載の発明は、基体と基体に設けられた第一〜第三端子部と、基体上に設けられたスパイラル導体部と、基体内部であって、基体上に設けられたスパイラル導体部と対向する内層導体を有し、第一〜第三端子部がそれぞれ相互に電気的に非導通であり、スパイラル導体部が、第一〜第三端子部の間のいずれかの位置に設けられたことを特徴とするＬＣ複合部品であって、単一かつ非常に小型の素子でＬＣ回路を実現でき、電子機器の短小化、小型化を実現する。

本発明の請求項２に記載の発明は、第一端子部と第二端子部が基体において一対に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＬＣ複合部品であって、実装を容易とする構造とすることができる。

本発明の請求項３に記載の発明は、第三端子部が第一端子部と第二端子部との間に設けられることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか１に記載のＬＣ複合部品であって、ハイパスフィルタを実現する等価回路となるためにインダクタ成分を接地接続できるようにすることができる。

本発明の請求項４に記載の発明は、第三端子部が基体の略中央に設けられていることを特徴とすることを請求項１〜３いずれか１に記載のＬＣ複合部品であって、左右対称として実装の方向性を無くし、更にハイパスフィルタを実現する等価回路を実現することが可能となる。

本発明の請求項５に記載の発明は、スパイラル導体部が、第一端子部と第二端子部との間に複数設けられることを特徴とする請求項１〜４いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、インダクタ成分を増加させることができる。

本発明の請求項６に記載の発明は、スパイラル導体部が、第一端子部と第三端子部との間のみ、もしくは第二端子部と第三端子部との間のみに設けられたことを特徴とする請求項１〜５いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、簡単な構造でハイパスフィルタを形成することができる。

本発明の請求項７に記載の発明は、スパイラル導体部が、第一端子部と第三端子部との間、および第二端子部と第三端子部との間のそれぞれに設けられたことを特徴とする請求項１〜５いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、左右いずれに実装したとしても動作するフィルタを実現することができる。

本発明の請求項８に記載の発明は、スパイラル導体部が、複数設けられたことを特徴とする請求項６乃至７のいずれかに記載のＬＣ複合部品であって、ハイパスフィルタを構成するのに必要となるインダクタ成分を増加させることができる。

本発明の請求項９に記載の発明は、スパイラル導体部が第三端子部を基準に鏡面対称に配置されることを特徴とする請求項６〜８いずれか１に記載のＬＣ複合部品であって、左右対称の回路を構成することができる。

本発明の請求項１０に記載の発明は、スパイラル導体部が第三端子部を基準に回転対称に配置されることを特徴とする請求項６〜８いずれか１に記載のＬＣ複合部であって、実装方向性をなくすことができる。

本発明の請求項１１に記載の発明は、第一端子部と第二端子部が、対向する面と容量結合していることを特徴とする請求項１〜１０いずれか１記載ＬＣ複合部品であって、ハイパスフィルタを実現する等価回路に必要な容量成分を発生させることができる。

本発明の請求項１２に記載の発明は、内層導体が対向するスパイラル導体部と容量結合していることを特徴とする請求項１〜１１いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、ハイパスフィルタを実現する等価回路となる、接地されるインダクタ成分と並列に発生する容量成分を生じさせることができる。

本発明の請求項１３に記載の発明は、内層導体が、対向するスパイラル導体部が設けられている、基体の面と略平行であることを特徴とする請求項１〜１２いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、インダクタ成分と並列となる容量成分の発生をバランスよく、適切に行うことを可能とする。

本発明の請求項１４に記載の発明は、内層導体は、電気的に他の部分と導通していないことを特徴とする請求項１〜１３いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、インダクタ成分に対して発生する容量成分を、並列接続とすることができる。

本発明の請求項１５に記載の発明は、基体の外周が、単層または多層の導電膜で覆われ
ており、導電膜がエッチング、もしくはトリミング、もしくは切削されることで、スパイラル導体部が形成されることを特徴とする請求項１〜１４いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、容易な製造工程で、低コストで、高精度にＬＣ複合部品を製造することができる。

本発明の請求項１６に記載の発明は、第一端子部と第二端子部が、基体の外周を覆う単層または多層の導電膜が、エッチング、もしくはトリミング、もしくは切削されることでギャップ部が基体の外周に渡って形成されることで、構成されることを特徴とする請求項１〜１５いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、第一端子部と第二端子部における容量成分の発生を実現し、しかも容易な製造工程で、低コストで、高精度にＬＣ複合部品を製造することができる。

本発明の請求項１７に記載の発明は、第一端子部および第二端子部が、ギャップ部において、対向する面と容量結合することを特徴とする請求項１６に記載のＬＣ複合部品であって、第一端子部と第二端子部における容量成分の発生を実現することができる。

本発明の請求項１８に記載の発明は、スパイラル導体部において、スパイラル導体部を形成する線間で容量成分を発生していることを特徴とする請求項１〜１７いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、各インダクタ成分と並列となる容量成分が発生する。

本発明の請求項１９に記載の発明は、スパイラル導体部の線間で発生する容量成分が、スパイラル導体部に対して並列接続される容量成分となっていることを特徴とする請求項１８に記載のＬＣ複合部であって、各インダクタ成分と並列となる容量成分が発生する。

本発明の請求項２０に記載の発明は、基体の外周がほぼ同じ外周を有するストレート構造であることを特徴とする請求項１〜１９いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、生産工程を簡略化でき、生産性を向上させることができる。

本発明の請求項２１に記載の発明は、基体の外周が、第一〜第三端子部以外の部分で段落ちしていることを特徴とする請求項１〜１９いずれか１記載のＬＣ複合部部品であって、耐久性を向上させることができる。

本発明の請求項２２に記載の発明は、基体形状が角柱、円柱、三角柱、多角柱のいずれかからなることを特徴とする請求項１〜２１いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、耐久性を向上させることができる。

本発明の請求項２３に記載の発明は、基体において、少なくともスパイラル導体部を覆う保護膜が設けられたことを特徴とする請求項１〜２２いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、容易かつ低コストに耐久性を向上させることができる。

本発明の請求項２４に記載の発明は、保護膜に塗布塗料もしくはチューブ状樹脂のいずれかを使用したことを特徴とする請求項２３記載のＬＣ複合部品であって、フィルタ性能への影響を与えることなく、容易に耐久性を向上させることが可能となる。

本発明の請求項２５に記載の発明は、塗布塗料に電着塗料、転写塗料、ガラス、低温焼結セラミクスのいずれか一つ以上を使用したことを特徴とする請求項２４記載のＬＣ複合部品であって、簡単な材料により、保護を実現して、容易に耐久性を向上させることができる。

本発明の請求項２６に記載の発明は、基体の材料に比誘電率１〜１５０のセラミクスを
用いることを特徴とする請求項１〜２５いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、廉価で、耐久性が高く、十分な容量成分を確保できる。

本発明の請求項２７に記載の発明は、基体内部に、内層導体とは別個の内部独立導体が設けられたことを特徴とする請求項１〜２６いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、カットオフ周波数を変化させること無く、フィルタの減衰特性曲線における極の発生位置を変化させることができ、フィルタ性能を向上させることができる。

本発明の請求項２８に記載の発明は、内部独立導体は、スパイラル導体部により生じる磁束を減衰させることを特徴とする請求項２７に記載のＬＣ複合部品であって、カットオフ周波数を変化させること無く、フィルタの減衰特性曲線における極の発生位置を変化させることができ、フィルタ性能を向上させることができる。

本発明の請求項２９に記載の発明は、第一端子部と第二端子部とが信号線路上に接続されることを特徴とする請求項１〜２８いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、ハイパスフィルタを構成することができる。

本発明の請求項３０に記載の発明は、第三端子部が、接地部に接続されることを特徴とする請求項１〜２９いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、ハイパスフィルタを構成することができる。

本発明の請求項３１に記載の発明は、ＬＣ部品が、高周波帯域の信号を通過させるハイパスフィルタであることを特徴とする請求項１〜３０いずれか１記載のＬＣ複合部品であって、積層タイプでは高コストで、大型になっていたハイパスフィルタを小型でかつ低コストで実現できる。

本発明の請求項３２に記載の発明は、請求項１〜３１いずれか１記載のＬＣ複合部品と、ＬＣ複合部品が実装され、信号線路と接地部を有する実装基板と、第一端子部と第二端子部が信号線路上に電気的に接続され、第三端子部が接地部に接続されたことを特徴とする実装部品であって、積層タイプでは高コストで、大型になっていたハイパスフィルタとなる実装部品を小型でかつ低コストで実現できる。

以下、図面を用いて説明する。

（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図であり、図１（ｂ）は本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の断面図である。図２、図３、図４はそれぞれ本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図である。図５、図６、図７はそれぞれ本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の等価回路図である。図８は本発明の実施の形態１におけるシミュレーション結果を示す図である。

１はＬＣ複合部品、２は基体、３ａ、３ｂはスパイラル導体部、４ａ、４ｂはギャップ部、５ａは第一端子部、５ｂは第二端子部、５ｃは第三端子部、６ａ、６ｂは内層導体、７は保護膜、８、９、１０は接合膜である。

Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、ＣＰ１、ＣＰ２はそれぞれ容量成分であり、Ｌ１、Ｌ２はそれぞれインダクタ成分である。

最初に、図１（ａ）、図１（ｂ）、図２を用いてＬＣ複合部品の各部の詳細について説明する。

まず、基体２について説明する。

基体２は絶縁性を有する材料で構成される。基体２の構成材料としては、チタン酸バリウム、アルミナ、アルミナを主成分とした材料、フォルステライト、磁性フェライト、酸化シリコン等の材料が好適に用いられ、特に比誘電率の大きなチタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料を用いることで大きな容量を得ることができる、またアルミナやアルミナを主成分とする材料を用いることで、高周波に対応できる電子部品を得ることができ、しかも強度なども高く、加工性も良い。

基体２には、その全体（端部、側部を始め、側面全周に）に銅、銀、金、ニッケル等の導電材料で構成された導電膜が単層乃至複数積層され、導電性を有する表面が形成される。導電膜はめっき、蒸着、スパッタ、ペースト、ＣＶＤ法、印刷法などが用いられる。また、基体材料に用いられるセラミクスの比誘電率は１〜１５０程度が望ましい。これにより、基体２の表面全体が電気的に導通する導電膜が形成される。これにより、アルミナなどの誘電性材料で構成されている基体２が、容量成分を全体として有することになる。

なお、後で述べるが、端部となる端面を除いて導電膜を形成してもよいものである。

図１（ａ）などにおいては、基体２は四角形状で表されているが、円柱状体や底面が５角形以上の多角柱状体でも良い。あるいは三角柱でも良い。

次に、基体２の形成に絡むため、内層導体６ａ、６ｂについて先に説明する。

内層導体６ａ、６ｂは、白金、タングステン、パラジウム、銅、金、ニッケル、銀、あるいはこれらの合金、その他の金属の板、あるいは、ペースト、あるいはパターンなどで形成され、基体２内部に形成される。また、このとき、図１（ｂ）に示されるように、基体２の対向する２面において、これらの２面に形成されているスパイラル導体部３ａ、３ｂと対向する面に形成される。

また、後で述べるが、内層導体と、スパイラル導体部３ａ、３ｂとの間が、容量結合する必要があるので、内層導体６ａ、６ｂと基体２の対向する表面（すなわち対向するスパイラル導体部３ａ、３ｂ）との間の距離は、容量結合が可能であり、所望とするフィルタ特性に合わせた容量成分を発生させる距離とすることが好ましい。

また、容量結合をより適切に生じさせるために、スパイラル導体部３ａ、３ｂが形成する平面、すなわち、基体２の面であって、内層導体６ａ、６ｂが対向する面と、内層導体６ａ、６ｂが略平行となることも好適である。これにより、生じさせる容量成分を、それぞれの箇所でアンバランスにすることが無くなるなどのメリットがある。

この、内層導体６ａ、６ｂを形成する方法の一つとして、まず、基体２をスリップキャスティング法などで材料をシート状に成型し、一部のシートに内層導体６ａ、６ｂとなるパターンをスクリーン印刷などで形成する（もちろん、金属膜を形成したり、金属板、金属ペーストなどにより内層導体６ａ、６ｂをシートに形成したりしてもよい）。印刷に使用する導体のペーストはアルミナなどの高温焼結材料に対しては白金ペーストやタングステンペーストを用いることで、焼結時の酸化や拡散が防がれる。ガラスセラミクスなどの低温焼結材料では銀や銅のペーストを用いても良い。パターンを施されたシートとパターンの無いシートを多層重ねた後、焼成することで図１（ｂ）に示されるような内層導体６ａ、６ｂを形成することも可能である。

また、このように内層導体６ａ、６ｂが形成されることで、内層導体６ａ、６ｂは、基体２表面の導電膜や、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂなどとは電気的に導通していない状態となる。

次に、スパイラル導体部３ａ、３ｂについて説明する。

スパイラル導体部３ａ、３ｂは基体の外周の全周に渡って設けられており、インダクタンス成分を形成する。例えば、スパイラル導体部３ａ、３ｂの巻数や溝幅、溝深さなどを調整することでインダクタンス値を調整することが可能である。スパイラル導体部３ａ、３ｂはギャップ部と第三端子部５ｃとの間に形成され、図１に表されるように、第三端子部５ｃと第一〜第二端子部５ａ、５ｂのそれぞれとの間にスパイラル導体部３ａ、３ｂが設けられてもよく、あるいは、第一〜第二端子部５ａ、５ｂと第三端子部５ｃとの間の一方にのみに設けられても良い。また、第一〜第二端子部５ａ、５ｂと第三端子部５ｃとの間の双方にスパイラル導体部３ａ、３ｂが設けられる場合には、第三端子部５ｃを基準にして対称に形成されることで、第三端子部５ｃを中心とした対称回路となりＬＣ複合部品の実装の方向性を無くすことができる。実装の方向性がなくなることで、いずれの方向に実装した場合であっても、後に述べる同一の特性を有するフィルタとして働くため、実装ミスをなくし、結果として歩留まり向上や低コスト化を実現することができる。対称にスパイラル導体部を構成する場合、図１は第三端子部５ｃを基準に１８０度回転対称の位置に互いのスパイラル導体部を配置しているが、図２に示すように第三端子部５ｃを基準に１８０度鏡面対称の位置に互いのスパイラル導体部を配置してもよい、スパイラル導体部３ａ、３ｂが発生する、インダクタンス成分の磁界方向の互いの方向性が変化させることでインダクタンス間の磁界結合の結合力を調整することができる。

また、ギャップ部４ａ、４ｂと第三端子部間にはスパイラル導体部が一つではなく、２以上設けられても良い。

次に、ギャップ部４ａ、４ｂについて説明する。

ギャップ部４ａ、４ｂは、基体２に一対設けられ、それぞれが、基体２の全側面を完全に分断して、導電膜を剥ぎ取ることで形成される。ギャップ部４ａ、４ｂにより、基体２において、スパイラル導体部３ａ、３ｂなどが存在する中央付近と、導電膜が分断されるため、電気的には非導通の状態が生じる。ここで、ギャップ部４ａ、４ｂは、対向する面において結合容量を発生し、容量成分を形成する。すなわち、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂとこれと対向する面において容量成分を形成することが可能となる。なお、第一端子部５ａと第二端子部５ｂは基体２において一対として形成される。

なお、ギャップ部の溝幅などを調整することで容量値を調整可能であり、用途に応じた容量成分を形成することが可能である。

また、ギャップ部４ａ、４ｂは一対の端子部となる第一端子部５ａ、第二端子部５ｂを形成するために作られるので、製造の容易性などから、基体２の両端部に近い位置に設けられることが好ましいが、もちろん、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂとして確保するべき面積や、容量成分の値などの都合に応じて、更に中央付近に形成されてもよいものである。

第一端子部５ａ、第二端子部５ｂおよび、第三端子部５ｃを形成するためのギャップ部４ａ、４ｂなどは、基体２上を覆う導電膜を、レーザーや砥石などでトリミングすることにより、形成される。また、その溝幅や深さなどを適宜調整することで、対向する面同士で発生する容量成分を調整することが可能となるため、適宜、これらを調整することも好
適である。

なお、レーザートリミングなど以外に、フォトリソ技術を用いて、ほぼ全面に形成された導電膜にレジストを設け、エッチングなどで形成しても良い。

なお、ここではギャップ部として説明したが、これは第一端子部５ａ、第二端子部５ｂを形成し、それぞれにおいて容量結合を発生させるために、設けられるものであり、ギャップ部と呼ばれるものではなく、溝、切り取り、切削、剥ぎ取り、切り込みなど、いずれのものであってもよいものである。

次に、第一、第ニ端子部５ａ、５ｂ、第三端子部５ｃについて説明する。

第一端子部５ａ〜第三端子部５ｃは、相互に電気的に非導通となっている。

なお、第一端子部５ａ〜第三端子部５ｃは、明細書、請求の範囲において、明示するためにつけた名称であり、第一〜第三という数字には特に構成としての要件はなく、それぞれ入れ替わっても良く、別の名称であってもよいものである。

第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃは、上記のように基体２を覆う導電膜にトリミングなどにより設けられたギャップ部４ａ、４ｂが形成されることで構成される。更に、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃは導電材料による導電膜で構成されている。

これは、上記のように、基体２全体に形成された導電膜にギャップ部を設けることで形成されてもよく、あらかじめ、ギャップ部が設けられた基体２表面に、ギャップ部を回避した上で、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃ表面にも導電幕を形成することで実現される。あるいは、導電性能や強度調整などのために、更に多層の導電膜を形成してもよく、スパイラル導体部３ａ、３ｂなどが存在する基体２の表面と異なり、その導電膜材料や層構造が異なってもよいものである。

また、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは基体２に設けられた一対の端子部となり、両端に形成されるのが普通であるが、例えば両端部には突出部などが存在する場合などには、両端でなくともよい。あるいは、基体２の途中部分に形成されても良く、それぞれが対照となる位置ではなく、非対称となる位置に設けられても良い。

また、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは基板に実装されるため、実装ランドとの親和性の高いめっき層構造などを形成することも好適である。

第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは基体２の端面と、基体１の側面にそれぞれ設けられればよいが、端面には導電膜を形成せず、基体２の側面にのみ設けられてもよい。あるいは側面のうち一部分の側面においてのみ形成されてもよい。

また、第三端子部５ｃは、基体２の途中部分であって、第一端子部５ａと第二端子部５ｂとの間に設けられればよいが、基体２の略中央に設けられることで、ＬＣ複合部品１の左右対称性を確保することができるメリットがある。もちろん、左右などのいずれかに偏移して配置されてもよいものである。

ここで、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂと第三端子部５ｃは実装基板に実装される。例えば、実装基板に設けられた実装ランドなどに半田付けなどにより形成されるものである。

ここで、一対となる第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは、実装基板上の信号線上に実装されて、電気信号が入力し、出力する。これに対して、第三端子部５ｃは接地部に接続され、図５、図６により、後で説明されるような等価回路が実現されて、ハイパスフィルタが実現される。

次に、図３、図４を用いて、他の形状などの場合について説明する。

図３には保護膜７が施されたＬＣ複合部品が表されている。図４には基体２が第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃを除いた全周に渡って段落ちされている場合が表されている。

まず保護膜７について説明する。

保護膜７は、少なくともスパイラル導体部３ａ、３ｂ及びギャップ部４ａ、４ｂを覆うように設けられる。勿論第一〜第三端子部５ａ、５ｂ、５ｃを除いた基体２の全周に設けられてもよい。保護膜７は絶縁性の材料で構成されており、樹脂やセラミックが好適に用いられ、具体的にはエポキシ樹脂などの樹脂材料や酸化シリコンなどの絶縁膜が挙げられる。

保護材７は塗布、電着法、静電塗装などの各種方法を用いて形成される。また、チューブ状保護膜を用いて形成されてもよい。チューブ状保護膜は、チューブ形状をした保護膜を基体２周囲に装着し、熱を加えて圧着させて実現される。チューブ状保護膜はスパイラル導体部やギャップ部を覆うように形成されるため、スパイラル導体部３ａ、３ｂやギャップ部４ａ、４ｂの溝内部に保護膜が流れ込まない。このため、チューブ状保護膜を設けることによるスパイラル導体部特性、即ち、インダクタ特性の変動が生じることはないメリットがある。好ましくはチューブ状保護膜としては樹脂製でしかも熱収縮性のあるものを選ぶことが好ましい。これは、基体２にチューブ状保護膜を被せ、熱処理することでチューブが収縮し、確実にチューブ状保護膜を基体２上に形成することができるからである。

また塗布塗料としては電着塗料、転写塗料、ガラス、低温焼結セラミクスのいずれか、もしくはこれらを組み合わせて使用することが好適である。

保護膜７が設けられることで、基体２の導電膜への損傷やスパイラル導体部３ａ、３ｂやギャップ部４ａ、４ｂの溝などの損傷を防止することが可能となる。特に運搬時や実装時の衝撃や熱から守ることが可能となる。

接合膜８、９、１０は、Ｓｎ単体やＳｎに鉛以外の元素を添加したいわゆる鉛フリー半田で構成される。なお、本実施の形態では、回路基盤上に実装するときなどに接合性を良くするために接合膜８、９、１０を設けたが、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃで十分な場合には接合膜８、９、１０は特に設ける必要はない。また、より好ましくは第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃと接合膜８、９、１０の間に半田食われを防止し、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃの耐候性などを防止するために、ニッケルもしくはニッケル合金の膜を設けることが好ましい。

また、図４に示すように、基体２において第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃを残して全周に渡って段落ちを設けることも好適である。段落ちを設けることで、実装時に回路基板とスパイラル導体部３ａ、３ｂが直接接することがなくなり、特性への影響が生じないからである。また保護膜７が設けられた場合には、保護膜７の高さが第一
〜第三端子部５ａ、５ｂ、５ｃの高さとほぼ同じ程度になりうるため、実装時に第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃの実装不具合が生じることがなく、素子立ちなどの問題も生じない。更に保護膜７を厚く形成でき、スパイラル導体部３ａ、３ｂなどの耐候性を向上させることができる。ここで、段落ちをさせた場合であっても図１、図２に示す構成と同様の効果を有することはもちろんである。

次に、以上のような構成によるＬＣ複合部品の動作メカニズムについて説明する。

以上の構成により、まずスパイラル導体部３ａ、３ｂと第一端子部５ａ、と第二端子部５ｂにとおいて生じるインダクタ成分と容量成分により、ハイパスフィルタ特性が発生する。すなわち、図１においてスパイラル導体部３ａのインダクタ値をＬ１、スパイラル導体部３ｂのインダクタ値をＬ２、第一端子部５ａ、と第二端子部５ｂにおける結合容量の値はＣ１、Ｃ２、内層導体６ａ、６ｂとスパイラル３ａ、３ｂ間の結合容量がＣ３となり、図５に示されるハイパスフィルタ等価回路図となる。

ここで、図６に示される等価回路により、高周波帯域のみを通過させるハイパスフィルタ特性を有する。即ち、接地にインダクタ成分Ｌ１が接続され、これと並列となる容量成分Ｃ１、Ｃ２が接続されることが、ハイパスフィルタの特性を有する基本的な回路構成となる。従来の技術における積層タイプの素子では、このような回路構成を形成することは非常に面倒であった。

ここで、図５のＣ３、Ｌ１、Ｌ２をＹ−Δ変換すると図６に表される等価回路になる。この図６は上記に記載の通り、図１〜図４に表される本発明の構成により実現される等価回路であり、結果として、ハイパスフィルタを実現する図５の等価回路が構成されることがわかる。

この図６の回路はハイパスフィルタのＴ型回路として一般に知られているが、インダクタ成分のインピーダンスＺは（数１）で表され、容量成分のインピーダンスＺ（数２）より周波数が高くなるほどインダクタンス成分は高インピーダンスとなり容量成分は低インピーダンスとなるので信号は回路を流れやすくなるハイパス特性となる。

このＬＣ複合回路１を信号線路上に実装し、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂの一方から信号が入力し、他方から信号が出力する場合には、ある帯域の信号のみを通過させるハイパスフィルタとして動作する。

さらに、このとき第三端子部５ｃを接地に接続することで通過帯域低周波の信号を確実に除去することができる。

更に、スパイラル導体部３ａ、３ｂにおいてインダクタンス成分を持つと共にスパイラル線間に電界結合を生じて図７に示す様に寄生容量として等価回路上インダクタンスに並
列に配置される容量Ｃｐ１、Ｃｐ２が発生する。入力された信号は容量Ｃｐ１を通過する信号と、インダクタンスＬ１を通過する信号とに別れる。このとき二つの経路の位相の変化インダクタンス部は９０度変化し、容量部は−９０度変化する。再び合成される信号は１８０度逆相の信号となりＣｐ１とＬ１の並列共振回路の共振周波数ｆｒ１において信号は０となる。共振条件である（数３）より共振周波数ｆｒ１が算出される。更にＣｐ２を通過する信号と、インダクタンスＬ２を通過する信号も同様にＣｐ２とＬ２の並列共振回路の共振周波数ｆｒ２において信号は０となる。以上の結果フィルタ特性は周波数ｆｒ１とｆｒ２に極をもつ減衰特性を示す。

図８にはこのＬＣ複合部品１をハイパスフィルタとして実験した実験結果が記載されており、等価回路を表す図７に記載の条件に基づいて実験した結果が示されている。図８から明らかな通り、６ＧＨｚ以上の信号を帯域通過させるハイパスフィルタとなっている。また２ＧＨｚと４ＧＨｚに極が発生しており、減衰曲線のカーブが十分に急峻で、性能の高いハイパスフィルタになっていることがわかる。この極は、スパイラル導体部３ａ、３ｂの溝間で発生する容量Ｃｐ１、Ｃｐ２により実現される。

更に、図には示されていないが、基体内部に内層導体６ａ、６ｂとは別個、独立した、独立内部導体を形成し、スパイラル導体部３ａ、３ｂから生じる磁束を低減させることができ、これにより、図５などの等価回路に示されるＬ１、Ｌ２などを調整して、極の発生位置を変化させて、フィルタとしてのカットオフ特性を変化させることが可能となる。しかも、インダクタ成分と並列に発生している容量成分Ｃｐ１、Ｃｐ２の存在により、フィルタ特性としてのカットオフ周波数を変えることなく、極の発生周波数のみを変えることができるという、フィルタ特性向上の大きなメリットがある。

勿論、インダクタンス値Ｌ１、Ｌ２ならびに容量値Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３を数値調整することが可能であるので、ハイパスフィルタとしたときのカットオフ周波数を変化させることは可能である。これらは、スパイラル導体部３ａ、３ｂやギャップ部４ａ、４ｂ、の溝幅、溝深さ、あるいは内層導体６ａ、６ｂの大きさ、面積、材質などを適宜変えることで実現できる。

ＬＣ複合部品として従来の技術では、積層ＬＣフィルタの１６０８サイズが最小であるが、本発明の実施例では１００５サイズ、更には０６０３サイズにて、スパイラル導体にて１〜５６ｎＨのインダクタンスを得ることができ、基体材料に比誘電率１〜１５０のセラミクスを用いることでギャップ部の容量は幅０．０１〜０．１ｍｍのギャップで０．１〜１０ｐＦの容量を得ることができるので超小型０６０３サイズのＬＣ複合部品を実現することができ、従来の積層ＬＣフィルタに比べて非常に小型の部品でフィルタを構成することが可能となる。部品が小型になることで、実装面積を低減することができ、全体としてこれを組み込む電子機器を小型化することも可能となる。

もちろん、これ以外の素子サイズであっても同様である。

また、インダクタを積層内部に構成した上で、積層部を容量成分とする積層型のＬＣ複合部品にくらべて、容量値とインダクタ値をトリミングにより決定することができるので、数値調整も非常に容易である。特に、トリミングという工程によりインダクタ値と容量
値を同時に決定することが可能となり、同種の作業で、インダクタと容量を形成することができるため、転写や印刷などによりインダクタを形成した後に、積層を行うなどの複雑な工程を必要とする積層タイプのＬＣ複合部品に比べて、その工程は非常に簡略化される。工程が簡略化されることでばらつきを抑え、低コストも実現される。

また、トリミングという精度の高い手段を用いるので、精度の高い部品が実現され、積層する場合にどうしても生じうる容量値やインダクタ値のばらつきも少なくなるので、歩留まりも高くなり、低コスト化も容易に実現することが可能である。また、容量成分として、ギャップ部４ａの結合容量を用いることができるので、容量成分の決定や微調整も容易となるメリットがある。

ここで、フィルタなどのＬＣ複合部品は、そのフィルタ特性を十分に確保するために、一定のインピーダンスを必要とし、これは容量成分、もしくはインダクタ成分の適宜な大きさにより決められる。従来技術の積層型などの素子では容量成分の調整を重視し、結果として素子が大型化したり、精度が悪くなったり、あるいはコストが高くなったりしていた。

また、本発明は、容量成分ではなくてインダクタ成分に着目してＬＣ複合部品を実現した。即ち、基体２表面に導電膜を形成して、これにスパイラル導体部３ａ、３ｂを形成することで、十分なインダクタ値を得ることで、積層タイプなどでは容量値の確保に必要となる大型化や高コスト化を簡単に回避することに着想したものである。

しかも、素子を大型化することなく小型化し、更に、容量成分を増加させるために高価な材料の選択なども不要となり低コストとなるメリットを有している。更に、従来の積層型の素子では面倒であった、ハイパスフィルタを実現する図６の等価回路を実現するために、まず図５に示される等価回路を実現するために、内層導体６ａ,６ｂをスパイラル導体部３ａ、３ｂと対向する構成に至ったものである。

これに加えて、独立内層導体を設けることで、磁束密度を簡単に減衰させて通過周波数を変えることなく、極の発生周波数を簡単に変化させることができることにも着想し、積層タイプなどでは困難だった性能向上を達成できたものである。

以上より、歩留まりが高く低コストであって、非常に小型で精度の高いＬＣ複合部品を実現することができ、更に、高周波帯域のみを通過させる、ハイパスフィルタを実現することが可能となる。

（実施の形態２）
次に、ＬＣ複合部品の工法について説明する。

図９、図１０は本発明の実施の形態２におけるＬＣ複合部品の工法図である。

１１は回転支持台であり、１２はモーターであり、１３はレーザー照射器であり、１４は導電膜付基体であり、１５はスパイラル溝である。導電膜付基体１４は実施の形態１で説明したとおり、アルミナもしくはアルミナを主成分とするセラミック材料等の絶縁体もしくは誘電体材料などをプレス加工、押し出し法等を施して形成される。更に導電膜付基体１４の導電膜は、銅、銀、金、ニッケル等の導電材料で構成された導電膜を単層乃至複数積層されて形成される。

図９に示すとおり、回転支持台１１に導電膜付基体１４が設置され、モーター１２により回転され、レーザー照射器１３からレーザー光線が導電膜付基体１４に照射されるとと
もに、レーザー照射器１３かもしくは回転支持台１１の少なくとも一方を移動させることでスパイラル溝１５が形成される。このとき、スパイラル溝１５は確実に導電膜を超えて掘削され、スパイラル状の導電膜が残り、これによりスパイラル状の導電膜を有するスパイラル導体部３ａ、３ｂが形成される。モーター１２は逆回転もできるようにすることで複数のスパイラルを鏡面対称形状に形成することもできる。

また、図１０に示すとおり、回転支持台１１に導電膜付基体１４が設置され、モーター１２により回転され、レーザー照射器１３からレーザー光線が導電膜付基体１４に照射されることでギャップ溝４ａ、４ｂが形成される。

図９、図１０の動作をレーザー照射のＯＮ、ＯＦＦとモーター回転とレーザー照射器１３かもしくは回転支持台１１の少なくとも一方の移動をプログラム制御することで同一基体に複数のスパイラル導体部とギッャプ部を構成することができる。

また、一定の幅に渡ってスパイラル溝１５を形成した後、レーザー照射器１３からのレーザー照射を停止することで、導電膜付基体１４上にスパイラル溝１５が形成されない導体部１７が形成される。これを所望の回数繰り返すことで、スパイラル溝１５を有する複数のスパイラル溝１５と複数の導体部１７とが交互に形成される。なお、レーザー照射ではなく、砥石などの切削加工を用いても良い。もちろん、スパイラル導体部を１箇所のみ形成する場合には、一箇所のみレーザー照射を行って、レーザー照射を終了することで実現される。

（実施の形態３）
図１１は本発明の実施の形態３における電子回路の一部の概略図である。無線端末などの種々の電子機器の電子回路の一部である。３１、３２は信号の線路であり。３３、３４はアース線路である。３５は本発明のＬＣ複合部品である。図１１においてＬＣ複合部品３５の第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは信号線路３１、３２に接続され、３１から入力した信号に対し本発明のＬＣ複合部品の共振周波数に通過帯域中心周波数を有する濾波処理をした信号を３２に出力する回路を構成できる。第三端子部５ｃはアース線路３３、３４に接続され、不要な信号をアースに短絡している。

なお、図１１は、何らかの実装基板において、実施の形態１、２で説明したＬＣ複合部品が接続された場合が表されているものである。

このような回路が組み込まれることで、ノイズ除去のため或いは周波数選択のためのハイパスフィルタとして用いられたりすることができる。このときには、非常に小型の素子体としてＬＣ複合部品３５を構成することが可能であるので、電子回路も小型化することができ、結果としてこれが組み込まれる電子機器が小型化される。また、ＬＣ複合部品が歩留まり高く低コストであるので、電子機器の低コストも実現され、実装後の動作不良などを低減することが可能となって、電子機器の信頼性を高めることも可能となる。

本発明は、基体と基体に設けられた第一〜第三端子部と、基体上に設けられたスパイラル導体部と、基体内部であって、基体上に設けられたスパイラル導体部と対向する内層導体を有し、第一〜第三端子部がそれぞれ相互に電気的に非導通であり、スパイラル導体部が、第一〜第三端子部の間のいずれかの位置に設けられた構成を有することで、ハイパスフィルタを実現し、フィルタ性能を確保しつつ、電子機器の小型化、低コスト化が不可欠な用途にも適用できる。

（ａ）本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図、（ｂ）本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の断面図 本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図 本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図 本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図 本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の等価回路図 本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の等価回路図 本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の等価回路図 本発明の実施の形態１におけるシミュレーション結果を示す図 本発明の実施の形態２におけるＬＣ複合部品の工法図 本発明の実施の形態２におけるＬＣ複合部品の工法図 本発明の実施の形態３における電子回路の一部の概略図 従来の技術における積層ＬＣフィルタの断面図 従来の技術における積層ＬＣフィルタの斜視図

符号の説明

１ ＬＣ複合部品
２ 基体
３ａ、３ｂ スパイラル導体部
４ａ、４ｂ ギャップ部
５ａ 第一端子部
５ｂ 第二端子部
５ｃ 第三端子部
７ 保護膜
８、９、１０ 接合膜
１１ 回転支持台
１２ モーター
１３ レーザー照射器
１４ 導電膜付基体
１５ スパイラル溝
１６ ギャップ溝
１７ 導体部
１８ 内層導体
３１ 信号線入力
３２ 信号線出力
３３ アース線入力
３４ アース線出力

Claims (32)

1. 基体と、
   前記基体に設けられた第一〜第三端子部と、
   前記基体上に設けられたスパイラル導体部と、
   前記基体内部であって、前記基体上に設けられたスパイラル導体部と対向する内層導体を有し、
   前記第一〜第三端子部がそれぞれ相互に電気的に非導通であり、
   前記スパイラル導体部が、前記第一〜第三端子部の間のいずれかの位置に設けられたことを特徴とするＬＣ複合部品。
2. 前記第一端子部と第二端子部が前記基体において一対に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＬＣ複合部品。
3. 前記第三端子部が前記第一端子部と第二端子部との間に設けられることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか１に記載のＬＣ複合部品。
4. 前記第三端子部が前記基体の略中央に設けられていることを特徴とすることを請求項１〜３いずれか１に記載のＬＣ複合部品。
5. 前記スパイラル導体部が、前記第一端子部と第二端子部との間に複数設けられることを特徴とする請求項１〜４いずれか１記載のＬＣ複合部品。
6. 前記スパイラル導体部が、前記第一端子部と第三端子部との間のみ、もしくは前記第二端子部と前記第三端子部との間のみに設けられたことを特徴とする請求項１〜５いずれか１記載のＬＣ複合部品。
7. 前記スパイラル導体部が、前記第一端子部と前記第三端子部との間、および前記第二端子部と前記第三端子部との間のそれぞれに設けられたことを特徴とする請求項１〜５いずれか１記載のＬＣ複合部品。
8. 前記スパイラル導体部が、複数設けられたことを特徴とする請求項６乃至７のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
9. 前記スパイラル導体部が前記第三端子部を基準に鏡面対称に配置されることを特徴とする請求項６〜８いずれか１に記載のＬＣ複合部品。
10. 前記スパイラル導体部が前記第三端子部を基準に回転対称に配置されることを特徴とする請求項６〜８いずれか１に記載のＬＣ複合部品。
11. 前記第一端子部と前記第二端子部が、対向する面と容量結合していることを特徴とする請求項１〜１０いずれか１記載のＬＣ複合部品。
12. 前記内層導体が前記対向するスパイラル導体部と容量結合していることを特徴とする請求項１〜１１いずれか１記載のＬＣ複合部品。
13. 前記内層導体が、前記対向するスパイラル導体部が設けられている、前記基体の面と略平行であることを特徴とする請求項１〜１２いずれか１記載のＬＣ複合部品。
14. 前記内層導体は、電気的に他の部分と導通していないことを特徴とする請求項１〜１３い
    ずれか１記載のＬＣ複合部品。
15. 前記基体の外周が、単層または多層の導電膜で覆われており、前記導電膜がエッチング、もしくはトリミング、もしくは切削されることで、前記スパイラル導体部が形成されることを特徴とする請求項１〜１４いずれか１記載のＬＣ複合部品。
16. 前記第一端子部と第二端子部が、前記基体の外周を覆う単層または多層の導電膜が、エッチング、もしくはトリミング、もしくは切削されることでギャップ部が前記基体の外周に渡って形成されることで、構成されることを特徴とする請求項１〜１５いずれか１記載のＬＣ複合部品。
17. 前記第一端子部および第二端子部が、前記ギャップ部において、対向する面と容量結合することを特徴とする請求項１６に記載のＬＣ複合部品。
18. 前記スパイラル導体部において、スパイラル導体部を形成する線間で容量成分を発生していることを特徴とする請求項１〜１７いずれか１記載のＬＣ複合部品。
19. 前記スパイラル導体部の線間で発生する容量成分が、前記スパイラル導体部に対して並列接続される容量成分となっていることを特徴とする請求項１８に記載のＬＣ複合部品。
20. 前記基体の外周がほぼ同じ外周を有するストレート構造であることを特徴とする請求項１〜１９いずれか１記載のＬＣ複合部品。
21. 前記基体の外周が、前記第一〜第三端子部以外の部分で段落ちしていることを特徴とする請求項１〜１９いずれか１記載のＬＣ複合部品。
22. 前記基体形状が角柱、円柱、三角柱、多角柱のいずれかからなることを特徴とする請求項１〜２１いずれか１記載のＬＣ複合部品。
23. 前記基体において、少なくとも前記スパイラル導体部を覆う保護膜が設けられたことを特徴とする請求項１〜２２いずれか１記載のＬＣ複合部品。
24. 前記保護膜に塗布塗料もしくはチューブ状樹脂のいずれかを使用したことを特徴とする請求項２３記載のＬＣ複合部品。
25. 前記塗布塗料に電着塗料、転写塗料、ガラス、低温焼結セラミクスのいずれか一つ以上を使用したことを特徴とする請求項２４記載のＬＣ複合部品。
26. 前記基体の材料に比誘電率１〜１５０のセラミクスを用いることを特徴とする請求項１〜２５いずれか１記載のＬＣ複合部品。
27. 前記基体内部に、前記内層導体とは別個の内部独立導体が設けられたことを特徴とする請求項１〜２６いずれか１記載のＬＣ複合部品。
28. 前記内部独立導体は、前記スパイラル導体部により生じる磁束を減衰させることを特徴とする請求項２７に記載のＬＣ複合部品。
29. 前記第一端子部と第二端子部とが信号線路上に接続されることを特徴とする請求項１〜２８いずれか１記載のＬＣ複合部品。
30. 前記第三端子部が、接地部に接続されることを特徴とする請求項１〜２９いずれか１記載のＬＣ複合部品。
31. 前記ＬＣ部品が、高周波帯域の信号を通過させるハイパスフィルタであることを特徴とする請求項１〜３０いずれか１記載のＬＣ複合部品。
32. 請求項１〜３１いずれか１記載のＬＣ複合部品と、
    前記ＬＣ複合部品が実装され、信号線路と接地部を有する実装基板と、
    前記第一端子部と第二端子部が前記信号線路上に電気的に接続され、前記第三端子部が前記接地部に接続されたことを特徴とする実装部品。

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