TWI572084B - filter - Google Patents

Description

濾波器

本發明係關於一種濾波器，更特定而言，係關於包含複數個LC並聯諧振器之濾波器。

作為習知濾波器相關發明，已知有例如專利文獻1記載之積層帶通濾波器。圖14係專利文獻1記載之積層帶通濾波器500之分解立體圖。

積層帶通濾波器500具備電介質層502a~502g及LC並聯諧振器504,516。電介質層502a~502g呈長方形，從上往下依序積層。

LC並聯諧振器504係藉由電感器電極506、通孔電極508,510及電容器電極512、接地電極514構成。電容器電極512係設在電介質層502f上。接地電極514係設在電介質層502g上。電容器電極512與接地電極514，藉由隔著電介質層502f對向而構成電容器。

電感器電極506係設在電介質層502b上且往前後方向延伸之線狀導體。通孔電極508在積層方向貫通電介質層502b~502e。通孔電極508之上端連接於電感器電極506之後端，通孔電極508之下端連接於電容器電極512。通孔電極510在積層方向貫通電介質層502b~502f。通孔電極510之上端連接於電感器電極506之前端，通孔電極510之下端連接於接地電極514。藉此，電感器電極506及通孔電極508,510構成電感器。

LC並聯諧振器516係藉由電感器電極518、通孔電極520,522及電容器電極524構成。電容器電極524係設在電介質層502f上。接地電極514與電容器電極524，藉由隔著電介質層502f對向而構成電容器。

電感器電極518係設在電介質層502b上且往前後方向延伸之線狀導體。通孔電極520在積層方向貫通電介質層502b~502e。通孔電極520之上端連接於電感器電極518之後端，通孔電極520之下端連接於電容器電極524。通孔電極522在積層方向貫通電介質層502b~502f。通孔電極522之上端連接於電感器電極518之前端，通孔電極522之下端連接於接地電極514。藉此，電感器電極518及通孔電極520,522構成電感器。

在以上述方式構成之積層帶通濾波器500，二個LC並聯諧振器504,516在左右方向排列。藉此，LC並聯諧振器504,516電磁耦合，構成帶通濾波器。

然而，在專利文獻1記載之積層帶通濾波器500，如以下說明，不易使LC並聯諧振器504,516間之電容耦合變強。更詳細而言，在積層帶通濾波器500，為了獲得所欲通過特性，調整LC並聯諧振器504,516間之電容耦合。在欲使積層帶通濾波器500之通帶變廣之情形，使LC並聯諧振器504,516間之電容耦合變強即可。在此情形，使LC並聯諧振器504,516間之距離變小即可。藉此，形成在通孔電極508與通孔電極520之間之電容變大，形成在通孔電極510與通孔電極522之間之電容變大。其結果，較通帶低頻側之訊號容易通過LC並聯諧振器504,516間。因此，積層帶通濾波器500之通帶變廣。

然而，若LC並聯諧振器504,516間之距離過小，則會有在 通孔電極508,520間及通孔電極510,522間產生短路之虞。是以，在積層帶通濾波器500，為了滿足所欲頻率特性，會有不易使LC並聯諧振器504,516間之電容耦合變強之情形。

專利文獻1：日本特開2011-71921號公報

因此，本發明之目的在於提供一種能使LC並聯諧振器間之電容耦合變強之濾波器。

本發明一形態之濾波器，具備：積層體，由複數個絕緣體層積層而構成；複數個LC並聯諧振器，在該積層體沿著與積層方向正交之第1方向排列，且包含線圈及電容器；以及耦合用導體層，係設在該絕緣體層上；在第1方向相鄰之該LC並聯諧振器彼此電磁耦合；該各線圈，具有：線路導體層，係設在該絕緣體層上；第1通孔導體，從該線路導體層朝向積層方向之一方側延伸，且電氣連接於該電容器之一方之導體層；以及第2通孔導體，從該線路導體層朝向積層方向之一方側延伸，且電氣連接於該電容器之另一方之導體層；該耦合用導體層使電容形成於在第1方向相鄰之二個該線路導體層間。

根據本發明，能使LC並聯諧振器間之電容耦合變強。

C1~C5‧‧‧電容器

L1~L3‧‧‧線圈

LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器

b1~b7,b11~b19,b21~b27,b30,b41~b44,b51~b54,b61~b64‧‧‧通孔導體

10,10a~10e‧‧‧濾波器

12‧‧‧積層體

14a~14c‧‧‧外部電極

16a~16j‧‧‧絕緣體層

18a~18e‧‧‧線路導體層

20,40,42,50,52,60‧‧‧耦合用導體層

26a~26c‧‧‧電容器導體層

30‧‧‧接地導體層

圖1係本發明實施形態之濾波器之外觀立體圖。

圖2係濾波器之積層體之分解立體圖。

圖3係濾波器之等效電路圖。

圖4係顯示第1模型之模擬結果之圖表。

圖5係顯示第2模型之模擬結果之圖表。

圖6係顯示第3模型之模擬結果之圖表。

圖7係顯示第4模型之模擬結果之圖表。

圖8係顯示第5模型之模擬結果之圖表。

圖9係第1變形例之濾波器之積層體之分解立體圖。

圖10係第2變形例之濾波器之積層體之分解立體圖。

圖11係第3變形例之濾波器之積層體之分解立體圖。

圖12係第4變形例之濾波器之積層體之分解立體圖。

圖13係第5變形例之濾波器之積層體之分解立體圖。

圖14係專利文獻1記載之積層帶通濾波器之分解立體圖。

以下，說明本發明實施形態之濾波器。

(濾波器之構成)

以下，參照圖式說明本發明一實施形態之濾波器之構成。圖1係本發明實施形態之濾波器10之外觀立體圖。圖2係濾波器10之積層體12之分解立體圖。圖3係濾波器10之等效電路圖。圖1及圖2中，z軸方向表示絕緣體層16之積層方向。又，x軸方向表示沿著濾波器10之長邊之方向，y軸方向表示沿著濾波器10之短邊之方向。X軸方向、y軸方向及z軸方向彼此正交。

濾波器10，如圖1及圖2所示，具備積層體12、外部電極14a~14c、LC並聯諧振器LC1~LC3、電容器C4,C5及通孔導體b6,b7,b14~b19, b26,b27。

積層體12，如圖2所示，藉由由陶瓷電介質構成之絕緣體層16a~16g積層而構成，呈長方體狀。又，積層體12內設有LC並聯諧振器LC1~LC3及電容器C4,C5。

絕緣體層16a~16g，如圖2所示，呈長方形，由例如陶瓷電介質構成。絕緣體層16a~16g，從z軸方向之正方向側往負方向側依序排列積層。以下，將絕緣體層16之z軸方向之正方向側之面稱為表面，將絕緣體層16之z軸方向之負方向側之面稱為背面。

LC並聯諧振器LC1~LC3沿著x軸方向排列。本實施形態中，LC並聯諧振器LC1~LC3，從z軸方向俯視時，從x軸方向之負方向側往正方向側依序排列。此外，相鄰之LC並聯諧振器LC1~LC3，藉由彼此電磁耦合，構成帶通濾波器。

LC並聯諧振器LC1，如圖3所示，包含線圈L1及電容器C1。LC並聯諧振器LC1，如圖2所示，由通孔導體b1~b5、線路導體層18a、電容器導體層26a、及接地導體層30構成，呈環狀。

電容器C1具有電容器導體層26a及接地導體層30。接地導體層30為呈T字形之導體層，由端部30a、中央部30b及端部30c構成。中央部30b為設在絕緣體層16e之表面之中央之長方形之導體層。端部30a為從中央部30b之x軸方向之負方向側之邊朝向x軸方向之負方向側突出之長方形之導體。端部30c為從中央部30b之x軸方向之正方向側之邊朝向x軸方向之正方向側突出之長方形之導體。

電容器導體層26a係隔著絕緣體層16e與接地導體層30之 端部30a對向之導體層，設在絕緣體層16f之表面上。藉此，在電容器導體層26a與接地導體層30之間產生靜電容，形成電容器C1。電容器導體層26a呈在y軸方向具有長邊方向之長方形，設在較絕緣體層16f之對角線之交叉點更靠x軸方向之負方向側。

線圈L1具有通孔導體b1~b5及線路導體層18a。線路導體層18a為設在絕緣體層16c之表面上且呈往y軸方向延伸之直線狀之導體。線路導體層18a設在較絕緣體層16c之對角線之交叉點更靠x軸方向之負方向側。

通孔導體b1~b3分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16e。通孔導體b1之z軸方向之正方向側之端部係連接於線路導體層18a之y軸方向之正方向側之端部。通孔導體b2之z軸方向之正方向側之端部係連接於通孔導體b1之z軸方向之負方向側之端部。通孔導體b2之z軸方向之負方向側之端部係連接於通孔導體b3之z軸方向之正方向側之端部。通孔導體b3之z軸方向之負方向側之端部係連接於電容器導體層26a。藉此，通孔導體b1~b3構成從線路導體層18a之y軸方向之正方向側之端部朝向z軸方向之負方向側延伸之一個通孔導體且連接於電容器導體層26a。

通孔導體b4,b5分別在z軸方向貫通絕緣體層16c,16d，設在較通孔導體b1~b3更靠y軸方向之負方向側。通孔導體b4之z軸方向之正方向側之端部係連接於線路導體層18a之y軸方向之負方向側之端部。通孔導體b4之z軸方向之負方向側之端部係連接於通孔導體b5之z軸方向之正方向側之端部。通孔導體b5之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層30。藉此，通孔導體b4,b5構成從線路導體層18a之y軸方向之負方 向側之端部朝向z軸方向之負方向側延伸之一個通孔導體且連接於接地導體層30。

如上述，線圈L1呈以通孔導體b5與接地導體層30之連接點為一端經由通孔導體b4,b5、線路導體層18a、通孔導體b1~b3而以通孔導體b3與電容器導體層26a之連接點為另一端之環狀。

以上述方式構成之LC並聯諧振器LC1形成與yz平面平行之環面。LC並聯諧振器LC1之環面為LC並聯諧振器LC1所圍繞之假想平面。

LC並聯諧振器LC2，如圖3所示，包含線圈L2及電容器C2。LC並聯諧振器LC2，如圖2所示，由通孔導體b11~b13、線路導體層18b、電容器導體層26b、及接地導體層30構成，呈環狀。

電容器C2具有電容器導體層26b及接地導體層30。接地導體層30為呈T字形之導體層。

電容器導體層26b係隔著絕緣體層16d與接地導體層30之中央部30b對向之導體層，設在絕緣體層16d之表面上。藉此，在電容器導體層26b與接地導體層30之間產生靜電容，形成電容器C2。電容器導體層26b呈在x軸方向具有長邊方向之長方形，設在絕緣體層16d之對角線之交叉點附近。

線圈L2具有通孔導體b11~b13及線路導體層18b。線路導體層18b為設在絕緣體層16c之表面上且呈往y軸方向延伸之直線狀之導體。線路導體層18b設在絕緣體層16c之對角線附近。

通孔導體b11,b12分別在z軸方向貫通絕緣體層16c,16d。 通孔導體b11之z軸方向之正方向側之端部係連接於線路導體層18b之y軸方向之正方向側之端部。通孔導體b11之z軸方向之負方向側之端部係連接於通孔導體b12之z軸方向之正方向側之端部。通孔導體b12之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層30。藉此，通孔導體b11~b12構成從線路導體層18b之y軸方向之正方向側之端部朝向z軸方向之負方向側延伸之一個通孔導體且連接於接地導體層30。

通孔導體b13在z軸方向貫通絕緣體層16c，設在較通孔導體b11,b12更靠y軸方向之負方向側。通孔導體b13之z軸方向之正方向側之端部係連接於線路導體層18b之y軸方向之負方向側之端部。通孔導體b13之z軸方向之負方向側之端部係連接於電容器導體層26b。藉此，通孔導體b13從線路導體層18b之y軸方向之負方向側之端部朝向z軸方向之負方向側延伸且連接於電容器導體層26b。

如上述，線圈L2呈以通孔導體b12與接地導體層30之連接點為一端經由通孔導體b11,b12、線路導體層18b、通孔導體b13而以通孔導體b13與電容器導體層26b之連接點為另一端之環狀。

以上述方式構成之LC並聯諧振器LC2形成與yz平面平行之環面。LC並聯諧振器LC2之環面為LC並聯諧振器LC2所圍繞之假想平面。

LC並聯諧振器LC3，如圖3所示，包含線圈L3及電容器C3。LC並聯諧振器LC3，如圖2所示，由通孔導體b21~b25、線路導體層18c、電容器導體層26c、及接地導體層30構成，呈環狀。

電容器C3具有電容器導體層26c及接地導體層30。接地導 體層30為呈T字形之導體層。

電容器導體層26c係隔著絕緣體層16e與接地導體層30之端部30c對向之導體層，設在絕緣體層16f之表面上。藉此，在電容器導體層26c與接地導體層30之間產生靜電容，形成電容器C3。電容器導體層26c呈在y軸方向具有長邊方向之長方形，設在較絕緣體層16f之對角線之交叉點更靠x軸方向之正方向側。

線圈L3具有通孔導體b21~b25及線路導體層18c。線路導體層18c為設在絕緣體層16c之表面上且呈往y軸方向延伸之直線狀之導體。線路導體層18c設在較絕緣體層16c之對角線之交叉點更靠x軸方向之正方向側。

通孔導體b21~b23分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16e。通孔導體b21之z軸方向之正方向側之端部係連接於線路導體層18c之y軸方向之正方向側之端部。通孔導體b21之z軸方向之負方向側之端部係連接於通孔導體b22之z軸方向之正方向側之端部。通孔導體b22之z軸方向之負方向側之端部係連接於通孔導體b23之z軸方向之正方向側之端部。通孔導體b23之z軸方向之負方向側之端部係連接於電容器導體層26c。藉此，通孔導體b21~b23構成從線路導體層18c之y軸方向之正方向側之端部朝向z軸方向之負方向側延伸之一個通孔導體且連接於電容器導體層26c。

通孔導體b24,b25分別在z軸方向貫通絕緣體層16c,16d,設在較通孔導體b21~b23更靠y軸方向之負方向側。通孔導體b24之z軸方向之正方向側之端部係連接於線路導體層18c之y軸方向之負方向側之端部。通孔導體b24之z軸方向之負方向側之端部係連接於通孔導體b25之z 軸方向之正方向側之端部。通孔導體b25之z軸方向之負方向側之端部係連接於接地導體層30。藉此，通孔導體b24,b25構成從線路導體層18c之y軸方向之負方向側之端部朝向z軸方向之負方向側延伸之一個通孔導體且連接於接地導體層30。

如上述，線圈L3呈以通孔導體b25與接地導體層30之連接點為一端經由通孔導體b24,b25、線路導體層18c、通孔導體b21~b23而以通孔導體b23與電容器導體層26c之連接點為另一端之環狀。

以上述方式構成之LC並聯諧振器LC3形成與yz平面平行之環面。LC並聯諧振器LC3之環面為LC並聯諧振器LC3所圍繞之假想平面。

LC並聯諧振器LC1之環面與LC並聯諧振器LC3之環面夾著LC並聯諧振器LC2之環面。藉此，如圖3所示，LC並聯諧振器LC1之線圈L1與LC並聯諧振器LC2之線圈L2電磁耦合。又，LC並聯諧振器LC2之線圈L2與LC並聯諧振器LC3之線圈L3電磁耦合。

電容器C4具有線路導體層18a、耦合用導體層20、及通孔導體b30。電容器C5具有線路導體層18c、耦合用導體層20、及通孔導體b30。

耦合用導體層20係設在絕緣體層16b之表面上，呈T字形。更詳細而言，耦合用導體層20由耦合部20a及連接部20b構成。耦合部20a在於x軸方向相鄰之LC並聯諧振器LC1,LC2間形成電容，且在於x軸方向相鄰之LC並聯諧振器LC2,LC3間形成電容。耦合部20a為往x軸方向延伸之長方形導體，從z軸方向俯視時，與線路導體層18a~18c重疊。藉此， 耦合用導體層20隔著絕緣體層16b與線路導體層18a對向，且隔著絕緣體層16b與線路導體層18c對向。連接部20b從耦合部20a之x軸方向之中央朝向y軸方向之負方向側突出。通孔導體b30在z軸方向貫通絕緣體層16b。通孔導體b30之z軸方向之正方向側之端部係連接於連接部20b。通孔導體b30之z軸方向之負方向側之端部係連接於線路導體層18b。亦即，耦合用導體層20係透過通孔導體b30連接於線路導體層18b。在耦合用導體層20與線路導體層18a之間產生靜電容，形成電容器C4。電容器C4使LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2電容耦合。又，在耦合用導體層20與線路導體層18c之間亦產生靜電容，形成電容器C5。電容器C5使LC並聯諧振器LC2與LC並聯諧振器LC3電容耦合。

外部電極14a，如圖1所示，在積層體12係設在z軸方向之負方向側之底面，用作為輸入電極。亦即，外部電極14a，係設在絕緣體層16g之背面上。外部電極14b，在積層體12係設在z軸方向之負方向側之底面，用作為接地電極。亦即，外部電極14b，係設在絕緣體層16g之背面上。外部電極14c，在積層體12係設在z軸方向之負方向側之底面，用作為輸出電極。亦即，外部電極14c，係設在絕緣體層16g之背面上。外部電極14a~14c從x軸方向之負方向側往正方向側依序排列。

通孔導體b6,b7在z軸方向貫通絕緣體層16f,16g，將電容器導體層26a與外部電極14a加以連接。通孔導體b26,b27在z軸方向貫通絕緣體層16f,16g，將電容器導體層26c與外部電極14c加以連接。通孔導體b14~b16在z軸方向貫通絕緣體層16e~16g，將接地導體層30與外部電極14b加以連接。通孔導體b17~b19在z軸方向貫通絕緣體層16e~16g，將接 地導體層30與外部電極14b加以連接。

接著，參照圖1至圖3說明濾波器10之動作之一例。首先，從外部電極14a輸入之高頻訊號Sig1，如圖3所示，在LC並聯諧振器LC1流動。

線圈L1與線圈L2電磁耦合。因此，高頻訊號Sig1流至LC並聯諧振器LC1後，高頻訊號Sig2藉由電磁感應流至LC並聯諧振器LC2。

線圈L2與線圈L3電磁耦合。因此，高頻訊號Sig2流至LC並聯諧振器LC2後，高頻訊號Sig3藉由電磁感應流至LC並聯諧振器LC3。藉此，高頻訊號Sig3從外部電極14b輸出。

此處，LC並聯諧振器LC1~LC3分別具有由線圈L1~L3及電容器C1~C3決定之固有之諧振頻率。此外，LC並聯諧振器LC1~LC3之阻抗在此等諧振頻率變高。藉此，由此等諧振頻率決定之既定頻帶之高頻訊號Sig3不會透過外部電極14b往接地流動，而從外部電極14c輸出。

(濾波器之製造方法)

接著，參照圖1及圖2說明濾波器10之製造方法。

首先，準備待成為絕緣體層16a~16g之陶瓷坏片。接著，在待成為絕緣體層16b~16g之陶瓷坏片之各個形成通孔導體b1~b7,b11~b19,b21~b27,b30。具體而言，對待成為絕緣體層16b~16g之陶瓷坏片照射雷射束以形成通孔。接著，對此通孔藉由印刷塗布等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或此等之合金等之導電性糊。

接著，在待成為絕緣體層16b~16f之陶瓷坏片之表面上，以網版印刷法或光微影法等方法塗布以Ag、Pd、Cu、Au或此等之合金等為主 成分之導電性糊，藉此形成線路導體層18a~18c、耦合用導體層20、電容器導體層26a~26c、及接地導體層30。在待成為絕緣體層16g之陶瓷坏片之表面上，以網版印刷法或光微影法等方法塗布以Ag、Pd、Cu、Au或此等之合金等為主成分之導電性糊，藉此形成待成為外部電極14a~14c之導體電極。此外，導體電極、線路導體層18a~18c、耦合用導體層20、電容器導體層26a~26c、及接地導體層30之形成時，對通孔進行導電性糊之填充亦可。

接著，將各陶瓷坏片加以積層。具體而言，配置待成為絕緣體層16g之陶瓷坏片。接著，在待成為絕緣體層16g之陶瓷坏片上配置待成為絕緣體層16f之陶瓷坏片。之後，將待成為絕緣體層16f之陶瓷坏片壓接於待成為絕緣體層16g之陶瓷坏片。之後，針對待成為絕緣體層16e,16d,16c,16b,16a之陶瓷坏片亦同樣地依此順序積層及暫時壓接。藉由以上步驟，形成母積層體。在此母積層體，藉由靜水壓加壓等施以正式壓接。

接著，藉由切刀將母積層體裁切成既定尺寸之積層體12。在此未燒成之積層體12施以脫結合劑處理及燒成。

藉由以上步驟，獲得已燒成之積層體12。在積層體12施以筒式加工，進行去角。

最後，在導體電極之表面施以鍍Ni/鍍Sn，藉此形成外部電極14a~14c。經由以上步驟，完成圖1所示之濾波器10。

(效果)

根據以上述方式構成之濾波器10，可增強LC並聯諧振器LC1,LC2間之電容耦合及LC並聯諧振器LC2,LC3間之電容耦合。更詳細而言，在專利文獻1記載之積層帶通濾波器500，藉由形成在通孔電極508,520間之電 容及形成在通孔電極510,522間之電容，LC並聯諧振器504與LC並聯諧振器516電容耦合。通孔電極508,510,520,522較細。因此，若欲在通孔電極508,510間及通孔電極510,522間形成大電容，則必須使通孔電極508,520間之距離及通孔電極510,522間之距離變短。

然而，若通孔電極508,520間之距離及通孔電極510,522間之距離過短，則會有在通孔電極508,520間及通孔電極510,522間產生短路之虞。是以，在積層帶通濾波器500，為了滿足所欲頻率特性，會有不易增強LC並聯諧振器504,516間之電容耦合之情形。

因此，在濾波器10，耦合用導體層20使電容形成於在x軸方向相鄰之二個線路導體層18a,18b間及在x軸方向相鄰之二個線路導體層18b,18c間之各個。由於耦合用導體層20係設在絕緣體層16b上之導體層，因此隔著絕緣體層16b與線路導體層18a,18c對向。因此，在耦合用導體層20與線路導體層18a之間及耦合用導體層20與線路導體層18c之間形成較大電容。藉此，不使LC並聯諧振器LC1,LC2間之距離及LC並聯諧振器LC2,LC3間之距離變短即可在LC並聯諧振器LC1,LC2間及LC並聯諧振器LC2,LC3間形成大電容。如上述，根據濾波器10，可增強LC並聯諧振器LC1,LC2間之電容耦合及LC並聯諧振器LC2,LC3間之電容耦合。

本申請發明人為了使濾波器10達成之效果更明確，進行以下說明之電腦模擬。更詳細而言，作成濾波器10之第1模型至第3模型及比較例之濾波器之第4模型及第5模型。

第1模型為耦合用導體層20之y軸方向之寬度為125μm之濾波器10。第2模型為耦合用導體層20之y軸方向之寬度為150μm之濾 波器10。第3模型為耦合用導體層20之y軸方向之寬度為100μm之濾波器10。

第4模型為未設置耦合用導體層20之濾波器。第5模型為在未設置耦合用導體層20之濾波器，使LC並聯諧振器LC1~LC3較第4模型接近以增強LC並聯諧振器LC1~LC3間之耦合量之模型。

本申請發明人調查第1模型至第5模型之通過特性及反射特性。通過特性係從外部電極14b輸出之輸出訊號相對於從外部電極14a輸入之輸入訊號之衰減量與輸入訊號之頻率之關係。反射特性係從外部電極14a輸出之反射訊號相對於從外部電極14a輸入之輸入訊號之衰減量與輸入訊號之頻率之關係。圖4係顯示第1模型之模擬結果之圖表。圖5係顯示第2模型之模擬結果之圖表。圖6係顯示第3模型之模擬結果之圖表。圖7係顯示第4模型之模擬結果之圖表。圖8係顯示第5模型之模擬結果之圖表。縱軸表示衰減量，橫軸表示頻率。

根據圖7之圖表，可知第4模型之通帶非常狹窄。其原因在於，因為未設置耦合用導體層20，圖3之電容器C4,C5之電容值非常小。通帶係圖中之通過特性之衰減量最低之點與3dB衰減量與通過特性交叉之二點之頻率之差分。

又，根據圖8之圖表，可知第5模型之通帶較第4模型之通帶廣。藉由使LC並聯諧振器LC1~LC3間之距離變短，電容器C4,C5之電容值變大，濾波器之通帶變廣。然而，即使是第5模型，相較於第1模型，並不可謂通帶充分地變廣。

若比較圖4至圖6之圖表與圖7及圖8之圖表，可知第1模 型至第3模型之通帶較第4模型及第5模型之通帶廣。藉此，可知藉由設置耦合用導體層20能使濾波器10之通帶變廣。

再者，根據圖4至圖6之圖表，可知第2模型之通帶最廣，第3模型之通帶最窄。其原因在於，第2模型之耦合用導體層20之y軸方向之寬度最大，第3模型之耦合用導體層20之y軸方向之寬度最小。亦即，可知隨著耦合用導體層20之y軸方向之寬度變大，電容器C4,C5之電容值變大，濾波器10之通帶變廣。

(第1變形例)

以下，參照圖式說明第1變形例之濾波器10a。圖9係第1變形例之濾波器10a之積層體12之分解立體圖。圖9中，對與濾波器10相同之構成賦予與濾波器10相同之參照符號。關於濾波器10a之外觀立體圖援用圖1。又，關於濾波器10a之等效電路圖援用圖3。

濾波器10與濾波器10a之不同點在於替代耦合用導體層20而設置耦合用導體層40,42之點。更詳細而言，電容器C4包含線路導體層18a,18b及耦合用導體層40。耦合用導體層40係設在絕緣層16b之表面上，從z軸方向俯視時，與在x軸方向相鄰之線路導體層18a,18b重疊。亦即，耦合用導體層40隔著絕緣體層16b與在x軸方向相鄰之線路導體層18a,18b對向。藉此，在耦合用導體層40與線路導體層18a之間形成電容，在耦合用導體層40與線路導體層18b之間形成電容。其結果，在線路導體層18a,18b間形成電容，於在x軸方向相鄰之LC並聯諧振器LC1,LC2間形成電容(電容器C4)。然而，耦合用導體層40，從z軸方向俯視時，與線路導體層18c不重疊，因此於在x軸方向不相鄰之線路導體層18a,18c間未形成電容。

又，電容器C5包含線路導體層18a,18b及耦合用導體層42。耦合用導體層42係設在絕緣層16b之表面上，從z軸方向俯視時，與在x軸方向相鄰之線路導體層18b,18c重疊。亦即，耦合用導體層42隔著絕緣體層16b與在x軸方向相鄰之線路導體層18b,18c對向。藉此，在耦合用導體層42與線路導體層18b之間形成電容，在耦合用導體層42與線路導體層18c之間形成電容。其結果，在線路導體層18b,18c間形成電容，於在x軸方向相鄰之LC並聯諧振器LC2,LC3間形成電容(電容器C5)。然而，耦合用導體層42，從z軸方向俯視時，與線路導體層18a不重疊，因此於在x軸方向不相鄰之線路導體層18a,18c間未形成電容。

濾波器10a之其他構成與濾波器10相同，因此省略說明。

根據以上述方式構成之濾波器10a，與濾波器10同樣地，可增強LC並聯諧振器LC1,LC2間之電容耦合及LC並聯諧振器LC2,LC3間之電容耦合。

(第2變形例)

以下，參照圖式說明第2變形例之濾波器10b。圖10係第2變形例之濾波器10b之積層體12之分解立體圖。圖10中，對與濾波器10相同之構成賦予與濾波器10相同之參照符號。關於濾波器10b之外觀立體圖援用圖1。又，關於濾波器10b之等效電路圖援用圖3。

濾波器10與濾波器10b之不同點在於替代耦合用導體層20而設置耦合用導體層60之點。更詳細而言，在濾波器10b，未設置絕緣體層16b，設有絕緣體層16h,16i。絕緣體層16h,16i積層於絕緣體層16c,16d之間。

耦合用導體層60具有與耦合用導體層20相同之形狀，設在絕緣體層16h之表面上。藉此，耦合用導體層60設在較線路導體層18a~18c更靠z軸方向之負方向側。

又，在絕緣體層16h設有通孔導體b41,b43,b51,b53,b61,b63。通孔導體b41連接於通孔導體b1。通孔導體b43連接於通孔導體b4。通孔導體b51連接於通孔導體b11。通孔導體b53連接於通孔導體b13。通孔導體b61連接於通孔導體b21。通孔導體b63連接於通孔導體b24。

又，在絕緣體層16i之表面上設有線路導體層18d,18e。線路導體層18d，從z軸方向俯視時，以與線路導體層18a一致之狀態重疊。耦合用導體層60，在z軸方向設在線路導體層18a,18d之間。因此，線路導體層18a,18d從z軸方向之兩側與耦合用導體層60對向。藉此，在線路導體層18a,18d與耦合用導體層60之間形成電容，於在x軸方向相鄰之LC並聯諧振器LC1,LC2之間形成電容(電容器C4)。

線路導體層18e，從z軸方向俯視時，以與線路導體層18c一致之狀態重疊。耦合用導體層60，在z軸方向設在線路導體層18c,18e之間。因此，線路導體層18c,18e從z軸方向之兩側與耦合用導體層60對向。藉此，在線路導體層18c,18e與耦合用導體層60之間形成電容，於在x軸方向相鄰之LC並聯諧振器LC2,LC3之間形成電容(電容器C5)。

再者，在絕緣體層16i設有通孔導體b42,b44,b52,b54,b62,b64。通孔導體b42連接於通孔導體b41及通孔導體b2。通孔導體b44連接於通孔導體b43及通孔導體b5。通孔導體b52連接於通孔導體b51及通孔導體b12。通孔導體b54連接於通孔導體b53及電容器導體層26b。通孔導 體b62連接於通孔導體b61及通孔導體b22。通孔導體b64連接於通孔導體b63及通孔導體b25。亦即，在濾波器10b，在LC並聯諧振器LC1並聯有線路導體層18a,18d，在LC並聯諧振器LC2並聯有線路導體層18c,18e。

濾波器10b之其他構成與濾波器10相同，因此省略說明。

根據以上述方式構成之濾波器10b，與濾波器10同樣地，可增強LC並聯諧振器LC1,LC2間之電容耦合及LC並聯諧振器LC2,LC3間之電容耦合。

又，在濾波器10b，耦合用導體層60除了與線路導體層18a對向外，亦與線路導體層18d對向。藉此，濾波器10b之電容器C4之電容值較濾波器10之電容器C4之電容值大。同樣地，耦合用導體層60除了與線路導體層18c對向外，亦與線路導體層18e對向。藉此，濾波器10b之電容器C5之電容值較濾波器10之電容器C5之電容值大。

(第3變形例)

以下，參照圖式說明第3變形例之濾波器10c。圖11係第3變形例之濾波器10c之積層體12之分解立體圖。圖11中，對與濾波器10相同之構成賦予與濾波器10相同之參照符號。關於濾波器10c之外觀立體圖援用圖1。又，關於濾波器10c之等效電路圖援用圖3。

濾波器10b與濾波器10c之不同點在於替代耦合用導體層60而設置耦合用導體層50,52之點。更詳細而言，電容器C4包含線路導體層18a,18b,18d及耦合用導體層50。耦合用導體層50係設在絕緣層16h之表面上，從z軸方向俯視時，與線路導體層18a,18b,18d重疊。亦即，耦合用導體層50隔著絕緣體層16c與線路導體層18a,18b對向，且隔著絕緣體層 16h與線路導體層18d對向。藉此，在耦合用導體層50與線路導體層18a之間形成電容，在耦合用導體層50與線路導體層18b之間形成電容，在耦合用導體層50與線路導體層18d之間形成電容。其結果，在線路導體層18a,18d與線路導體層18b間形成電容，於在x軸方向相鄰之LC並聯諧振器LC1,LC2間形成電容(電容器C4)。然而，耦合用導體層50，從z軸方向俯視時，與線路導體層18c,18e不重疊，因此於在x軸方向不相鄰之線路導體層18a,18d與線路導體層18c,18e間未形成電容。

又，電容器C5包含線路導體層18b,18c,18e及耦合用導體層52。耦合用導體層52係設在絕緣層16h之表面上，從z軸方向俯視時，與線路導體層18b,18c,18e重疊。亦即，耦合用導體層52隔著絕緣體層16c與線路導體層18b,18c對向，且隔著絕緣體層16h與線路導體層18e對向。藉此，在耦合用導體層52與線路導體層18c之間形成電容，在耦合用導體層52與線路導體層18b之間形成電容，在耦合用導體層52與線路導體層18e之間形成電容。其結果，在線路導體層18c,18e與線路導體層18b間形成電容，於在x軸方向相鄰之LC並聯諧振器LC2,LC3間形成電容(電容器C5)。然而，耦合用導體層52，從z軸方向俯視時，與線路導體層18a,18d不重疊，因此於在x軸方向不相鄰之線路導體層18a,18d與線路導體層18c,18e間未形成電容。

濾波器10c之其他構成與濾波器10b相同，因此省略說明。

根據以上述方式構成之濾波器10c，與濾波器10b同樣地，可增強LC並聯諧振器LC1,LC2間之電容耦合及LC並聯諧振器LC2,LC3間之電容耦合。

又，在濾波器10c，耦合用導體層50除了與線路導體層18a對向外，亦與線路導體層18d對向。藉此，濾波器10c之電容器C4之電容值較濾波器10a之電容器C4之電容值大。同樣地，耦合用導體層52除了與線路導體層18c對向外，亦與線路導體層18e對向。藉此，濾波器10c之電容器C5之電容值較濾波器10a之電容器C5之電容值大。

(第4變形例)

以下，參照圖式說明第4變形例之濾波器10d。圖12係第4變形例之濾波器10d之積層體12之分解立體圖。圖12中，對與濾波器10相同之構成賦予與濾波器10相同之參照符號。關於濾波器10d之外觀立體圖援用圖1。又，關於濾波器10d之等效電路圖援用圖3。

如圖12之濾波器10d，組合圖9之濾波器10a與圖11之濾波器10c亦可。亦即，濾波器10d具有耦合用導體層40,42,50,52。因此，耦合用導體層40,42,50,52，在z軸方向係設在線路導體層18a~18c之兩側。藉此，濾波器10d之電容器C4,C5之電容值較濾波器10a,10c之電容器C4,C5之電容值大。

(第5變形例)

以下，參照圖式說明第5變形例之濾波器10e。圖13係第5變形例之濾波器10e之積層體12之分解立體圖。圖13中，對與濾波器10相同之構成賦予與濾波器10相同之參照符號。關於濾波器10e之外觀立體圖援用圖1。又，關於濾波器10e之等效電路圖援用圖3。

如圖13之濾波器10e，組合圖2之濾波器10與圖10之濾波器10b亦可。亦即，濾波器10e具有耦合用導體層20,60。因此，耦合用導 體層20,60，在z軸方向係設在線路導體層18a~18c之兩側。藉此，濾波器10e之電容器C4,C5之電容值較濾波器10,10b之電容器C4,C5之電容值大。

(其他實施形態)

此外，本發明之濾波器並不限於濾波器10,10a~10e，在其要旨範圍內可進行各種變更。

例如，不是外部電極14a,14c與電容器電極26a,26c之連接透過通孔導體之構造，而是透過由絕緣體層構成之電容取出之構造亦可。

又，LC並聯諧振器之數量只要為三個以上即可。

本發明在濾波器有用，尤其是，在能使LC並聯諧振器間之電容耦合變強之點優異。

C1~C5‧‧‧電容器

LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器

b1~b7,b11~b19,b21~b27,b30‧‧‧通孔導體

10‧‧‧濾波器

12‧‧‧積層體

14a~14c‧‧‧外部電極

16a~16g‧‧‧絕緣體層

18a~18c‧‧‧線路導體層

20‧‧‧耦合用導體層

20a‧‧‧耦合部

20b‧‧‧連接部

26a~26c‧‧‧電容器導體層

30‧‧‧接地導體層

30a,30c‧‧‧端部

30b‧‧‧中央部

Claims (13)

1. 一種濾波器，具備：積層體，由複數個絕緣體層積層而構成；複數個LC並聯諧振器，在該積層體沿著與積層方向正交之第1方向排列，且包含線圈及電容器；以及耦合用導體層，係設在該絕緣體層上；在第1方向相鄰之該LC並聯諧振器彼此電磁耦合；該各線圈，具有：線路導體層，係設在該絕緣體層上；第1通孔導體，從該線路導體層朝向積層方向之一方側延伸，且電氣連接於該電容器之一方之導體層；以及第2通孔導體，從該線路導體層朝向積層方向之一方側延伸，且電氣連接於該電容器之另一方之導體層；該耦合用導體層使電容形成於在第1方向相鄰之二個該線路導體層間。
2. 如申請專利範圍第1項之濾波器，其中，該耦合用導體層不會使電容形成於在第1方向不相鄰之該線路導體層間。
3. 如申請專利範圍第1或2項之濾波器，其中，該耦合用導體層係透過通孔導體連接於在第1方向相鄰之二個該線路導體層中之一方之該線路導體層，且隔著該絕緣體層與另一方之該線路導體層對向。
4. 如申請專利範圍第1或2項之濾波器，其中，該耦合用導體層隔著該絕緣體層與在第1方向相鄰之二個該線路導體層對向。
5. 如申請專利範圍第1或2項之濾波器，其中，該耦合用導體層，在積 層方向係設在該線路導體層之兩側。
6. 如申請專利範圍第3項之濾波器，其中，該耦合用導體層，在積層方向係設在該線路導體層之兩側。
7. 如申請專利範圍第4項之濾波器，其中，該耦合用導體層，在積層方向係設在該線路導體層之兩側。
8. 如申請專利範圍第1或2項之濾波器，其中，在第1方向相鄰之該LC並聯諧振器中之至少一方具備複數個該線路導體層；該耦合用導體層，在積層方向係設在複數個該線路導體層之間。
9. 如申請專利範圍第3項之濾波器，其中，在第1方向相鄰之該LC並聯諧振器中之至少一方具備複數個該線路導體層；該耦合用導體層，在積層方向係設在複數個該線路導體層之間。
10. 如申請專利範圍第4項之濾波器，其中，在第1方向相鄰之該LC並聯諧振器中之至少一方具備複數個該線路導體層；該耦合用導體層，在積層方向係設在複數個該線路導體層之間。
11. 如申請專利範圍第5項之濾波器，其中，在第1方向相鄰之該LC並聯諧振器中之至少一方具備複數個該線路導體層；該耦合用導體層，在積層方向係設在複數個該線路導體層之間。
12. 如申請專利範圍第6項之濾波器，其中，在第1方向相鄰之該LC並聯諧振器中之至少一方具備複數個該線路導體層；該耦合用導體層，在積層方向係設在複數個該線路導體層之間。
13. 如申請專利範圍第7項之濾波器，其中，在第1方向相鄰之該LC並聯諧振器中之至少一方具備複數個該線路導體層； 該耦合用導體層，在積層方向係設在複數個該線路導體層之間。