CN103457563B - 电子元器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子元器件，能够在使通过特性窄带化的同时，还能够减少高频信号的传输损耗。层叠体(12)通过层叠多层绝缘体层(16)而得以构成。LC并联谐振器(LC1、LC2)具有在z轴方向上延伸的过孔导体以及设置在绝缘体层上的导体层，并呈环形，构成带通滤波器。由LC并联谐振器(LC1)包围的环形面(S1)与由LC并联谐振器(LC2)包围的环形面(S2)平行，并且，在从x轴方向俯视时，落在环形面(S2)内。

Description

电子元器件

技术领域

本发明涉及一种电子元器件，尤其涉及一种内置有带通滤波器的电子元器件。

背景技术

作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献1中记载的层叠带通滤波器。图9是专利文献1所记载的层叠带通滤波器500的分解立体图。

层叠带通滤波器500包括：层叠体502以及LC并联谐振器504、506、508、510、512。层叠体502通过层叠多层绝缘体层而得以构成。LC并联谐振器504、506、508、510、512由导体层以及过孔导体构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，呈环形。LC并联谐振器504、506、508、510、512的环形面相互重叠。

如上那样构成的层叠带通滤波500中，LC并联谐振器504、506、508、510、512的环形面稍有偏离。由此，LC并联谐振器504、506、508、510、512之间的耦合度得以下降，从而能够使层叠带通滤波器500的通频带变窄。

然而，在LC并联谐振器504、506、508、510、512之间的耦合度下降的情况下，高频信号变得难以通过LC并联谐振器之间，从而产生通频带内的高频信号的传输损耗。其结果是，层叠带通滤波器500的插入损耗增大。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开专利第2007/119356号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

因此，本发明的目的在于提供一种电子元器件，能够在使通频带变窄的同时，减少通频带内的高频信号的传输损耗。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的一个实施方式所涉及的电子元器件包括：层叠体，该层叠体通过层叠多层绝缘体层而得以构成；以及第1LC并联谐振器以及第2LC并联谐振器，该第1LC并联谐振器以及第2LC并联谐振器具有在层叠方向上延伸的过孔导体、以及设置在上述绝缘体层上的导体层，且呈环形，并构成带通滤波器，由上述第1LC并联谐振器包围的第1环形面与由上述第2LC并联谐振器包围的第2环形面平行，并且，在从该第2环形面的法线方向俯视时，该第1环形面落在该第2环形面内。

发明效果

根据本发明，能够在使通频带变窄的同时，减少通频带内的高频信号的传输损耗。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的电子元器件的外观立体图。

图2是电子元器件的层叠体的分解立体图。

图3是电子元器件的等效电路图。

图4是表示模拟结果的曲线图。

图5是第1实施例所涉及的电子元器件的层叠体的分解立体图。

图6是第2实施例所涉及的电子元器件的层叠体的分解立体图。

图7是第3实施例所涉及的电子元器件的层叠体的分解立体图。

图8(a)及图8(b)分别是第4实施例所涉及的电子元器件及第5实施例所涉及的电子元器件的截面结构图。

图9是专利文献1所记载的层叠带通滤波器的分解立体图。

实施方式

下面，对本发明的实施方式所涉及的电子元器件进行说明。

(电子元器件的结构)

下面，参照附图、对本发明的一个实施方式所涉及的电子元器件的结构进行说明。图1是本发明的实施方式所涉及的电子元器件10的外观立体图。图2是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。图3是电子元器件10的等效电路图。图1及图2中，z轴方向表示绝缘体层16的层叠方向。另外，x轴方向表示沿着电子元器件10的长边的方向，而y轴方向表示沿着电子元器件10的短边的方向。

如图1和图2所示，电子元器件10包括：层叠体12、外部电极14(14a～14d)、LC并联谐振器LC1～LC3、电容器Ca～Cc、以及引出导体层20(20a、20b)、34(34a、34b)。

如图2所示，层叠体12通过将由陶瓷电介质所构成的绝缘体层16(16a～16i)进行层叠而得以构成，且呈长方体状。另外，层叠体12内置有LC并联谐振器LC1～LC3以及电容器Ca～Cc。

如图1所示，外部电极14设置于x轴方向的负方向侧的侧面上，且被用作为输入电极。外部电极14b设置于x轴方向的正方向侧的侧面上，且被用作为输出电极。外部电极14c设置于y轴方向的负方向侧的侧面上，且被用作为接地电极。外部电极14d设置于y轴方向的正方向侧的侧面上，且被用作为接地电极。

如图2所示，绝缘体层16呈长方形状，例如由陶瓷电介质构成。绝缘体层16a～16i以在z轴方向上按此顺序排列的方式进行层叠。下面，将绝缘体层16的z轴方向的正方向侧的面称为表面，而将绝缘体层16的z轴方向的负方向侧的面称为背面。

在从z轴方向俯视时，LC并联谐振器LC1～LC3按照该顺序从x轴方向的负方向侧向正方向侧排列，并构成带通滤波器。

LC并联谐振器LC1包含线圈L1和电容器C1。更具体而言，LC并联谐振器LC1由过孔导体b1～b11、电容器导体层22a、23a、线圈导体层24a以及接地导体层32构成，且呈环形。

电容器C1由电容器导体层22a、23a以及接地导体层32构成。接地导体层32是几乎覆盖绝缘体层16i整个表面的、呈长方形的导体层。电容器导体层22a是隔着绝缘体层16g、16h来与接地导体层32相对的导体层，并设于绝缘体层16g的表面上。由此，在电容器导体层22a与接地导体层32之间产生静电电容。电容器导体层22a呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于较绝缘体层16g的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。

电容器导体层23a是隔着绝缘体层16h来与接地导体层32相对的导体层，并设置于绝缘体层16h的表面上。由此，在电容器导体层23a与接地导体层32之间产生静电电容。电容器导体层23a呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于较绝缘体层16h的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。

线圈L1包含过孔导体b1～b11以及线圈导体层24a。线圈导体层24a设置在绝缘体层16c的表面上，是沿y轴方向延伸的线状导体。线圈导体层24a设置于较绝缘体层16c的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。

过孔导体b1～b5分别在z轴方向上贯通绝缘体层16c～16g。过孔导体b1在z轴方向的正方向侧的端部与线圈导体层24a在y轴方向的负方向侧的端部相连接。另外，过孔导体b4在z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层22a相连接。过孔导体b5在z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层23a相连接。由此，过孔导体b1～b5构成从线圈导体层24a的y轴方向的负方向侧的端部向z轴方向的负方向侧延伸的一根过孔导体B1，并与电容器导体层22a、23a相连接。

过孔导体b6～b11分别在z轴方向上贯通绝缘体层16c～16h，并设置在较过孔导体b1～b5、更靠y轴方向的正方向侧。过孔导体b6在z轴方向的正方向侧的端部与线圈导体层24a在y轴方向的正方向侧的端部相连接。另外，过孔导体b11在z轴方向的负方向侧的端部与接地导体层32相连接。由此，过孔导体b6～b11构成从线圈导体层24a的y轴方向的正方向侧的端部向z轴方向的负方向侧延伸的一根过孔导体B2，并与接地导体层32相连接。

如上所述，线圈L1在yz平面上呈环形，其将过孔导体b5与电容器导体层23a的连接点作为一端，并经由过孔导体b1～b5、线圈导体层24a、过孔导体b6～b11，将过孔导体b11与接地导体层32的连接点作为另一端。

如上所述构成的LC并联谐振器LC1形成平行于yz平面的环形面S1。环形面S1是指由LC并联谐振器LC1所包围的长方形假想平面。

LC并联谐振器LC2包含线圈L2和电容器C2。更具体而言，LC并联谐振器LC2由过孔导体b21～b33、电容器导体层22b、23b、线圈导体层24b以及接地导体层32构成，且呈环形。

电容器C2由电容器导体层22b、23b以及接地导体层32构成。接地导体层32是几乎覆盖绝缘体层16i整个表面的、呈长方形的导体层。电容器导体层22b是隔着绝缘体层16g、16h来与接地导体层32相对的导体层，并设于绝缘体层16g的表面上。由此，在电容器导体层22b与接地导体层32之间产生静电电容。电容器导体层22b呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于绝缘体层16g的对角线交点上。

电容器导体层23b是隔着绝缘体层16h来与接地导体层32相对的导体层，并设置于绝缘体层16h的表面上。由此，在电容器导体层23b与接地导体层32之间产生静电电容。电容器导体层23b呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于绝缘体层16h的对角线上。

线圈L2包含过孔导体b21～b33以及线圈导体层24b。线圈导体层24b设置在绝缘体层16b的表面上，是沿y轴方向延伸的线状导体。线圈导体层24b设置于绝缘体层16b的对角线交点上。由此，线圈导体层24b设置于较线圈导体层24a、更靠z轴方向的正方向侧。另外，线圈导体层24b的y轴方向的长度比线圈导体层24a的y轴方向的长度要长。

过孔导体b21～b26分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b～16g。过孔导体b21在z轴方向的正方向侧的端部与线圈导体层24b在y轴方向的负方向侧的端部相连接。另外，过孔导体b25在z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层22b相连接。过孔导体b26在z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层23b相连接。由此，过孔导体b21～b26构成从线圈导体层24b的y轴方向的负方向侧的端部向z轴方向的负方向侧延伸的一根过孔导体B3，并与电容器导体层22b、23b相连接。过孔导体B3比过孔导体B1要长。

过孔导体b27～b33分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b～16h，并设置在较过孔导体b21～b26、更靠y轴方向的正方向侧。过孔导体b27在z轴方向的正方向侧的端部与线圈导体层24b在y轴方向的正方向侧的端部相连接。另外，过孔导体b33在z轴方向的负方向侧的端部与接地导体层32相连接。由此，过孔导体b27～b33构成从线圈导体层24b的y轴方向的正方向侧的端部向z轴方向的负方向侧延伸的一根过孔导体B4，并与接地导体层32相连接。过孔导体B4比过孔导体B2要长。

另外，线圈导体层24b的y轴方向的长度比线圈导体层24a的y轴方向的长度要长。由此，过孔导体B3与过孔导体B4之间的间隔要大于过孔导体B1与过孔导体B2之间的间隔。

如上所述，线圈L2在yz平面上呈环形，其将过孔导体b26与电容器导体层23b的连接点作为一端，并经由过孔导体b21～b26、线圈导体层24b、过孔导体b27～b33，将过孔导体b33与接地导体层32的连接点作为另一端。

如上所述构成的LC并联谐振器LC2形成平行于yz平面的环形面S2。环形面S2是指由LC并联谐振器LC2所包围的长方形假想平面。

LC并联谐振器LC3包含线圈L3和电容器C3。更详细而言，LC并联谐振器LC3由过孔导体b41～b51、电容器导体层22c、23c、线圈导体层24c以及接地导体层32构成，且呈环形。

电容器C3由电容器导体层22c、23c以及接地导体层32构成。接地导体层32是几乎覆盖绝缘体层16i整个表面的、呈长方形的导体层。电容器导体层22c是隔着绝缘体层16g、16h来与接地导体层32相对的导体层，并设于绝缘体层16g的表面上。由此，在电容器导体层22c与接地导体层32之间产生静电电容。电容器导体层22c呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于较绝缘体层16g的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。

电容器导体层23c是隔着绝缘体层16h来与接地导体层32相对的导体层，并设置于绝缘体层16h的表面上。由此，在电容器导体层23c与接地导体层32之间产生静电电容。电容器导体层23c呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于较绝缘体层16h的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。

线圈L3包含过孔导体b41～b51以及线圈导体层24c。线圈导体层24c设置在绝缘体层16c的表面上，是沿y轴方向延伸的线状导体。线圈导体层24c设置于较绝缘体层16c的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。线圈导体层24c的y轴方向的长度与线圈导体层24a的y轴方向的长度相等。

过孔导体b41～b45分别在z轴方向上贯通绝缘体层16c～16g。过孔导体b41在z轴方向的正方向侧的端部与线圈导体层24c在y轴方向的负方向侧的端部相连接。另外，过孔导体b44在z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层22c相连接。过孔导体b45在z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体层23c相连接。由此，过孔导体b41～b45构成从线圈导体层24c的y轴方向的负方向侧的端部向z轴方向的负方向侧延伸的一根过孔导体B5，并与电容器导体层22c、23c相连接。过孔导体B5的长度与过孔导体B1的长度相等。

过孔导体b46～b51分别在z轴方向上贯通绝缘体层16c～16h，并设置在较过孔导体b41～b45、更靠y轴方向的正方向侧。过孔导体b46在z轴方向的正方向侧的端部与线圈导体层24c在y轴方向的正方向侧的端部相连接。另外，过孔导体b51在z轴方向的负方向侧的端部与接地导体层32相连接。由此，过孔导体b46～b51构成从线圈导体层24c的y轴方向的正方向侧的端部向z轴方向的负方向侧延伸的一根过孔导体B6，并与接地导体层32相连接。过孔导体B6的长度与过孔导体B2的长度相等。

另外，线圈导体层24c的y轴方向的长度与线圈导体层24a的y轴方向的长度相等。由此，过孔导体B3与过孔导体B4之间的间隔要大于过孔导体B5与过孔导体B6之间的间隔。

如上所述，线圈L3在yz平面上呈环形，其将过孔导体b45与电容器导体层23c的连接点作为一端，并经由过孔导体b41～b45、线圈导体层24c、过孔导体b46～b51，将过孔导体b51与接地导体层32的连接点作为另一端。

如上所述构成的LC并联谐振器LC3形成平行于yz平面的环形面S3。环形面S3是指由LC并联谐振器LC3所包围的长方形假想平面。

LC并联谐振器LC1～LC3的环形面S1～S3与yz平面平行(即，与z轴方向平行，且与y轴方向平行)。环形面S1和环形面S3夹着环形面S2。由此，如图3所示，LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC2的线圈L2电磁耦合。另外，LC并联谐振器LC2的线圈L2与LC并联谐振器LC3的线圈L3电磁耦合。

另外，线圈导体层24b设置于较线圈导体层24a、24c、更靠z轴方向的正方向侧。并且，线圈导体层24b的y轴方向的长度比线圈导体层24a、24c的y轴方向的长度要长。由此，在从x轴方向(即、环形面S1～S3的法线方向)俯视时，环形面S1、S3落在环形面S2中。即，从x轴方向俯视时，环形面S1、S3不会超出环形面S2。

电容器Ca由电容器导体层22a、26a以及耦合导体层28构成。耦合导体层28设置在绝缘体层16f的表面上，呈T字形。并且，耦合导体层28与过孔导体b24的z轴方向的负方向侧的端部及过孔导体b25的z轴方向的正方向侧的端部相连接。电容器导体层22a是隔着绝缘体层16f来与耦合导体层28相对的导体层，设置于绝缘体层16g的表面上。电容器导体层26a是隔着绝缘体层16e来与耦合导体层28相对的导体层，设置于绝缘体层16e的表面上。由此，在电容器导体层22a、26a与耦合导体层28之间产生静电电容，从而形成电容器Ca。电容器导体层26a呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于较绝缘体层16e的对角线交点、更靠x轴方向的负方向侧。

另外，电容器导体层26b是经由过孔导体b24来与耦合导体层28相连接的导体层，设置于绝缘体层16e的表面上。电容器导体层26b呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于绝缘体层16e的对角线交点上。另外，电容器导体层22b经由过孔导体b25与耦合导体层28相连接，电容器导体层23b经由过孔导体b25、b26与耦合导体层28相连接。如上所述，LC并联谐振器LC1与LC并联谐振器LC2通过电容器Ca进行电容耦合。

电容器Cb由电容器导体层22c、26c以及耦合导体层28构成。耦合导体层28设置在绝缘体层16f的表面上，呈T字形。并且，耦合导体层28与过孔导体b24的z轴方向的负方向侧的端部及过孔导体b25的z轴方向的正方向侧的端部相连接。电容器导体层22c是隔着绝缘体层16f来与耦合导体层28相对的导体层，设置于绝缘体层16g的表面上。电容器导体层26c是隔着绝缘体层16e来与耦合导体层28相对的导体层，设置于绝缘体层16e的表面上。由此，在电容器导体层22c、26c与耦合导体层28之间产生静电电容，从而形成电容器Cb。电容器导体层26c呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并设置于较绝缘体层16e的对角线交点、更靠x轴方向的正方向侧。

如上所述，LC并联谐振器LC3与LC并联谐振器LC2通过电容器Cb进行电容耦合。从而形成电容器Cb。

电容器Cc由电容器导体层26a、26c以及耦合导体层30构成。耦合导体层30设置在绝缘体层16d的表面上，并在x轴方向上延伸。由此，耦合导体层30隔着绝缘体层16d来与电容器导体层26a、26c相对。其结果是，在电容器导体层26a与耦合导体层30之间，产生静电电容，并在电容器导体层26c与耦合导体层30之间，产生静电电容。如上所述，电容器导体层26a、26c通过耦合导体层30进行电容耦合。从而形成电容器Cc。

此外，电容器导体层26b的y轴方向的长度比电容器导体层26a、26c的y轴方向的长度要短。由此，从z方向俯视时，耦合导体层30不与电容器导体层26b相重叠。

引出导体层20a设置于绝缘体层16g的表面上，与电容器导体层22a相连接，并向绝缘体层16g的x轴方向的负方向侧的短边引出。由此，引出导体层20a与外部电极14a相连接。其结果是，LC并联谐振器LC1经由引出导体层20a来与外部电极14a电连接。

引出导体层20b设置于绝缘体层16g的表面上，与电容器导体层22c相连接，并向绝缘体层16g的x轴方向的正方向侧的短边引出。由此，引出导体层20b与外部电极14b相连接。其结果是，LC并联谐振器LC3经由引出导体层20b来与外部电极14b电连接。

引出导体层34a设置于绝缘体层16i的表面上，与接地导体层32相连接，并向绝缘体层16i的y轴方向的负方向侧的长边引出。由此，引出导体层34a与外部电极14c相连接。其结果是，LC并联谐振器LC1～LC3分别经由引出导体层34a来与外部电极14c电连接。

引出导体层34b设置于绝缘体层16i的表面上，与接地导体层32相连接，并向绝缘体层16i的y轴方向的正方向侧的长边引出。由此，引出导体层34b与外部电极14d相连接。其结果是，LC并联谐振器LC1～LC3分别经由引出导体层34b来与外部电极14d电连接。

接下来，参照图1至图3，对电子元器件10的动作的一个示例进行说明。如图3所示，首先，从外部电极14a输入的高频信号Sig1流过LC并联谐振器LC1。

线圈L1与线圈L2电磁耦合。由此，在高频信号Sig1流过LC并联谐振器LC1后，高频信号Sig2由于电磁感应而流过LC并联谐振器LC2。

线圈L2与线圈L3电磁耦合。由此，在高频信号Sig2流过LC并联谐振器LC2后，高频信号Sig3由于电磁感应而流过LC并联谐振器LC3。由此，从外部电极14b输出高频信号Sig3。

这里，LC并联谐振器LC1～LC3分别具有由线圈L1～L3以及电容器C1～C3所确定的固有的谐振频率。而且，LC并联谐振器LC1～LC3的阻抗在这些谐振频率下会变大。由此，从外部电极14b输出由这些谐振频率所确定的规定频带的高频信号Sig3。

(电子元器件的制造方法)

接下来，参照图1和图2，对电子元器件10的制造方法进行说明。

首先，准备要成为绝缘体层16的陶瓷生片。接下来，分别在要成为绝缘体层16b～16h的陶瓷生片上形成过孔导体b1～b11，b21～b33，b41～b51。具体而言，用激光束照射要成为绝缘体层16b～16h的陶瓷生片，从而形成过孔。接下来，利用印刷涂布等方法将Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等导电性糊料填充到该过孔中。

接下来，利用丝网印刷法或光刻法等方法在要成为绝缘体层16b～16i的陶瓷生片上涂布以Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等为主要成分的导电性糊料，从而形成引出导体层20a、20b、电容器导体层22a～22c、23a～23c、26a～26c、线圈导体层24a～24c、耦合导体层28、30、接地导体层32以及引出导体层34a、34b。此外，也可以在形成引出导体层20a、20b、电容器导体层22a～22c、23a～23c、26a～26c、线圈导体层24a～24c、耦合导体层28、30、接地导体层32以及引出导体层34a、34b时，对过孔填充导电性糊料。

接下来，将各陶瓷生片进行层叠。具体而言，配置要成为绝缘体层16i的陶瓷生片。接下来，在要成为绝缘体层16i的陶瓷生片上配置要成为绝缘体层16h的陶瓷生片。之后，在要成为绝缘体层16i的陶瓷生片上压接要成为绝缘体层16h的陶瓷生片。之后，对要成为16g、16f、16e、16d、16c、16b、16a的陶瓷生片也同样地按照该顺序进行层叠与压接。通过上述工序，形成母层叠体。利用静水压冲压等来对该母层叠体实施正式压接。

接着，利用切刀刃将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体12。对该未烧成的层叠体12进行脱粘合剂处理及烧成。

通过上述工序，得到烧成后的层叠体12。对层叠体12实施滚筒加工，并进行倒角。之后，通过利用例如浸渍法等方法、在层叠体12的表面上涂布主要成分为银的电极糊料并进行烧结，从而形成要成为外部电极14的银电极。

最后，通过对银电极的表面实施镀Ni/镀Sn，从而形成外部电极14。经过上述工序，图1所示的电子元器件10得以完成。

(效果)

根据上述那样构成的电子元器件10，能够使通频带变窄。更详细而言，在电子元器件10中，从x轴方向俯视时，环形面S1、S3落在环形面S2内。由此，从x轴方向俯视时，过孔导体B3不与过孔导体B1、B5相重叠。同样，从x轴方向俯视时，过孔导体B4不与过孔导体B2、B6相重叠。另外，从x轴方向俯视时，线圈导体层24b不与线圈导体层24a、24c相重叠。由此，在电子元器件10中，过孔导体B3与过孔导体B1、B5间的电磁耦合、过孔导体B4与过孔导体B2、B6间的电磁耦合、以及线圈导体层24b与线圈导体层24a、24c间的电磁耦合变弱。由此，能够使电子元器件10中，LC并联谐振器LC1、LC2间的耦合度、以及LC并联谐振器LC2、LC3间的耦合度降低。其结果是，在电子元器件10中，可以使通频带变窄。

另外，根据电子元器件10，能减少高频信号的传输损耗。更详细而言，从x轴方向俯视时，环形面S1、S3落在环形面S2内。即，在电子元器件10中，使环形面S2大于环形面S1、S3。由此，使得从x轴方向观察到的线圈L2的内径比线圈L1、L3的内径要大。其结果是，线圈L2的阻抗值变大，LC并联谐振器LC2的Q值变大。在LC并联谐振器LC2的Q值变大的情况下，LC并联谐振器LC2中的高频信号的传输损耗得以减少。由此，根据电子元器件10，通频带内的高频信号的传输损耗得以减少。

另外，根据电子元器件10，设置在3个LC并联谐振器LC1～LC3内的x轴方向中央的LC并联谐振器LC2的Q值变大。由此，在电子元器件10中，特别是通频带的低频区域中的插入损耗得以减少。

另外，根据电子元器件10，能够抑制因制造偏差而造成通过特性发生变动。更详细而言，电子元器件10中，在从x轴方向俯视时，环形面S1、S3落在环形面S2内。因此，即使由于层叠偏离等使得环形面S1～S3上产生偏差，也能抑制环形面S1、S3超出环形面S2。其结果是，抑制了因层叠偏离而引起的LC并联谐振器LC1～LC3间的耦合度变动。如上所述，根据电子元器件10，抑制了因制造偏差而引起的通过特性的变动。

另外，根据电子元器件10，从z轴方向观察，形成电容器Cc的耦合导体层30不与电容器导体层26b相重叠。因此，在形成谐振器LC1与谐振器LC3间的耦合电容时，不会在耦合导体层30与谐振器LC2之间形成不需要的电容。由此，谐振器间的耦合电容的设计变得容易。

本申请的发明人为了明确电子元器件10所起到的效果，进行了如下说明的计算机模拟。更详细而言，生成了电子元器件10的第1模型以及比较例所涉及的电子元器件的第2模型。从x轴方向俯视时，比较例所涉及的电子元器件的三个LC并联谐振器的环形面的大小相等，从x轴方向观察，具有三个环形面几乎相重叠的结构。本申请的发明人对第1模型以及第2模型的通过特性进行了研究。所谓通过特性就是从外部电极14b输出的输出信号相对于从外部电极14a输入的输入信号的衰减量。

图4是表示模拟结果的曲线图。纵轴表示衰减量，而横轴表示频率。图4(a)是表示2.0GHz～3.5GHz内的通过特性的曲线图，而图4(b)是将图4(a)的曲线图的2.0GHz～3.0GHz放大后的曲线图。

如图4(a)所示可知：例如，在衰减量为-1.8dB时，第1模型的通频带要比第2模型的通频带窄。即，可知：在从x轴方向俯视时，环形面S1、S3落在环形面S2内，由此，在电子元器件10中，高频信号的通频带变窄。

另外，如图4(b)所示可知：第1模型的通频带的低频区域(2.5GHz附近)的衰减量要比第2模型的通频带的低频区域(2.5GHz附近)的衰减量小。由此可知：在电子元器件10中，设置在三个LC并联谐振器LC1～LC3内的x轴方向中央的LC并联谐振器LC2的Q值变大，由此，通频带的低频区域的插入损耗得以下降。

(第1实施例)

下面，参照附图、对第1实施例所涉及的电子元器件10a进行说明。图5是第1实施例所涉及的电子元器件10a的层叠体12a的分解立体图。图5中，对与电子元器件10相同的结构赋予与电子元器件10相同的参照标号。对于电子元器件10a的外观立体图，使用图1。

电子元器件10与电子元器件10a的不同处在于设置电容器C2的位置。更详细而言，如图2所示，在电子元器件10中，电容器C2与过孔导体B3相连接。另一方面，在电子元器件10a中，电容器C2与过孔导体B4相连接。电子元器件10的其它结构与电子元器件10相同，因此省略说明。

在如上构成的电子元器件10a中，也与电子元器件10相同，能够在使通频带变窄的同时，减少高频信号的传输损耗。特别是，根据电子元器件10a，与电子元器件10相同，能够减少通频带的低频区域的插入损耗。另外，根据电子元器件10a，与电子元器件10相同，因制造偏差而造成的通过特性的变动得以抑制。

(第2实施例)

下面，参照附图、对第2实施例所涉及的电子元器件10b进行说明。图6是第2实施例所涉及的电子元器件10b的层叠体12b的分解立体图。图6中，对与电子元器件10相同的结构赋予与电子元器件10相同的参照标号。对于电子元器件10b的外观立体图，使用图1。

电子元器件10与电子元器件10b的不同处在于线圈导体层24b的线宽。更详细而言，在电子元器件10中，线圈导体层24a～24c的线宽相等。另一方面，在电子元器件10b中，线圈导体层24b的线宽比线圈导体层24a、24c的线宽要宽。由此，LC并联谐振器LC2的直流电阻值得以减小，LC并联谐振器LC2的Q变大。其结果是，在电子元器件10b中，能够进一步减小通频带内的高频信号的传输损耗。特别是，在电子元器件10b中，通频带的低频区域中的插入损耗得以进一步减少。

(第3实施例)

下面，参照附图、对第3实施例所涉及的电子元器件10c进行说明。图7是第3实施例所涉及的电子元器件10c的层叠体12c的分解立体图。图7中，对与电子元器件10a相同的结构赋予与电子元器件10a相同的参照标号。对于电子元器件10c的外观立体图，使用图1。

电子元器件10a与电子元器件10c的不同处在于过孔导体B3、B4的粗细。更详细而言，在电子元器件10a中，过孔导体B1～B6的粗细相等。另一方面，在电子元器件10c中，过孔导体B3、B4的粗细比过孔导体B1、B2、B5、B6的粗细要粗。由此，LC并联谐振器LC2的直流电阻值得以减小，LC并联谐振器LC2的Q值变大。其结果是，在电子元器件10c中，能够减小通频带内的高频信号的传输损耗。特别是，在电子元器件10c中，通频带内的低频区域中的插入损耗得以进一步减少。

(第4实施例以及第5实施例)

电子元器件10、10a～10c包括LC并联谐振器LC1～LC3。然而，电子元器件10、10a～10c所内置的LC并联谐振器的数量并不局限于此。图8(a)及图8(b)分别是第4实施例所涉及的电子元器件10d及第5实施例所涉及的电子元器件10e的截面结构图。

电子元器件10d包括LC并联谐振器LC1～LC4。电子元器件10d中，在从x轴方向俯视时，LC并联谐振器LC1、LC4的环形面S1、S4落在LC并联谐振器LC2、LC3的环形面S2、S3内。在电子元器件10d中，通过增大第2级及第3级的LC并联谐振器LC2、LC3的环形面S2、S3，由此与电子元器件10同样，减小了通频带的低频区域中的插入损耗。另外，也可以增大第2级及第3级的LC并联谐振器LC2、LC3的环形面S2、S3中的某一个。也可以在增大环形面S2的情况下，增大环形面S4。也可以在增大环形面S3的情况下，增大环形面S1。

电子元器件10e包括LC并联谐振器LC1～LC5。电子元器件10e中，在从x轴方向俯视时，LC并联谐振器LC1、LC3、LC5的环形面S1、S3、S5落在LC并联谐振器LC2、LC4的环形面S2、S4内。在电子元器件10e中，通过增大第2级及第4级的LC并联谐振器LC2、LC4的环形面S2、S4，由此与电子元器件10同样，减小了通频带的低频区域中的插入损耗。另外，也可以增大第2级及第4级的LC并联谐振器LC2、LC4的环形面S2、S4中的某一个。也可以在增大环形面S2的情况下，增大环形面S5。也可以在增大环形面S4的情况下，增大环形面S1。

(其它的实施方式)

此外，电子元器件10并不局限于上述实施方式所示的电子元器件10、10a～10e，可以在其主旨的范围内进行变更。

此外，LC并联谐振器的数量也可以是2个。

另外，也可以将电子元器件10、10a～10e的结构组合起来。

工业上的实用性

本发明适用于电子元器件，特别是在如下方面较有优势，即能够在使通频带变窄的同时，还能减少通频带内的高频信号的传输损耗。

标号说明

B1～B6 过孔导体

C1～C3，Ca～Cc 电容器

L1～L3 线圈

LC1～LC5 LC并联谐振器

S1～S5 环形面

10，10a～10e 电子元器件

12 层叠体

16a～16i 绝缘体层

24a～24c 线圈导体层

Claims (8)

1.一种电子元器件，包括：

层叠体，该层叠体通过层叠多层绝缘体层而得以构成；

第1LC并联谐振器以及第2LC并联谐振器，该第1LC并联谐振器以及第2LC并联谐振器具有在层叠方向上延伸的过孔导体、以及设置在所述绝缘体层上的导体层，且呈环形，并构成带通滤波器；以及

第3LC并联谐振器，该第3LC并联谐振器具有在层叠方向上延伸的过孔导体、以及设置在所述绝缘体层上的导体层，且呈环形，并与所述第1LC并联谐振器以及所述第2LC并联谐振器一起构成带通滤波器，

在从层叠方向俯视时，以所述第1LC并联谐振器、所述第2LC并联谐振器以及所述第3LC并联谐振器的顺序进行排列，该电子元器件的特征在于，

由所述第1LC并联谐振器包围的第1环形面以及由所述第3LC并联谐振器包围的第3环形面与由所述第2LC并联谐振器包围的第2环形面平行，并且，在从该第2环形面的法线方向俯视时，落在该第2环形面内，

所述第1环形面的面积以及所述第3环形面的面积比所述第2环形面的面积小，

未设置除所述第1至第3LC并联谐振器以外的LC并联谐振器。

2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，

所述第1LC并联谐振器包含：线状的第1导体层、以及从该第1导体层的两端向层叠方向的下侧延伸的第1过孔导体以及第2过孔导体，

所述第2LC并联谐振器包含：线状的第2导体层、以及从该第2导体层的两端向层叠方向的下侧延伸的第3过孔导体以及第4过孔导体。

3.如权利要求2所述的电子元器件，其特征在于，

所述第2导体层设置在较所述第1导体层、更靠层叠方向的上侧。

4.如权利要求2或3所述的电子元器件，其特征在于，

所述第3过孔导体与所述第4过孔导体间的间隔比所述第1过孔导体与所述第2过孔导体间的间隔要大。

5.如权利要求2或3所述的电子元器件，其特征在于，

所述第2导体层的线宽比所述第1导体层的线宽要宽。

6.如权利要求2或3所述的电子元器件，其特征在于，

所述第3过孔导体的粗细及所述第4过孔导体的粗细比所述第1过孔导体的粗细及所述第2过孔导体的粗细要粗。

7.如权利要求2或3所述的电子元器件，其特征在于，

还包括电容器，

所述第1LC并联谐振器包含第1电容器导体层，

所述第3LC并联谐振器包含第3电容器导体层，

所述电容器包括：

所述第1电容器导体层；

所述第3电容器导体层；以及

耦合导体层，该耦合导体层与所述第1电容器导体层以及所述第3电容器导体层相对。

8.如权利要求7所述的电子元器件，其特征在于，

所述第2LC并联谐振器包含第2电容器导体层，该第2电容器导体层不与所述耦合导体层相对。