JP5907124B2 - 高周波部品およびフィルタ部品 - Google Patents

Description

この発明は、積層体にＬＣ回路を構成した高周波部品に関するものである。

高周波部品として、積層体にＬＣ回路を構成したものが利用されている。このようなＬＣ回路を有する高周波部品は、多様な周波数に対応することや、急峻な減衰極を有するフィルタ特性を実現することなどが求められるため、ＬＣ回路を構成する共振回路の段数やＬＣ回路の回路定数を適切に設定する必要がある。

ＬＣ回路を構成するインダクタを、コイル状の導体パターンにより構成する場合には、コイル開口を大きくすることや、または、コイルの巻回数を多くすることにより、インダクタンスを大きくすることができる。しかしながら、コイル開口を大きくしたり、コイルの巻回数を多くしたりすると、積層体が大型化してしまう。そこで、積層体を大型化することなくコイルの巻回数を増やすために、平面内で複数ターン巻回されたスパイラル状に導体パターンを形成することがある（特許文献１，２参照）。

特許文献１では、積層体を構成する絶縁層の積層方向に延びる巻回軸を中心に、積層体の各層に平行な平面内で複数ターン巻回されたスパイラル状に導体パターンを設けてコイルを構成している。特許文献２では、積層体を構成する絶縁層の積層方向に直交する方向に延びる巻回軸を中心に、積層体の各層に直交する平面内で複数ターン巻回されたスパイラル状に導体パターンを設けてコイルを構成している。

以下、積層体の各層の積層方向に直交する方向に延びる巻回軸を中心に巻回されたコイルを横巻コイルと称し、積層体の各層の積層方向に延びる巻回軸を中心に巻回されたコイルを縦巻コイルと称する。

特開平１０−６５４７６号公報 特許３９２０２９４号

上述のような横巻コイルや縦巻コイルを積層体内に構成すれば、比較的大きなインダクタンスを稼ぐことができる。しかしながら、ＬＣ回路を構成するインダクタを横巻コイルや縦巻コイルで構成したとしても、ＬＣ回路を構成するキャパシタの構成によっては、積層体をあまり小さくすることができなかった。

そこで本発明の目的は、積層体の小型化に適したＬＣ回路を設けた高周波部品を提供することにある。

この発明は、複数の絶縁体層を積層方向に積層した積層体と、前記絶縁体層の表面に沿って延びる線状導体と、前記絶縁体層を貫通する層間接続導体と、前記絶縁体層の表面に沿って拡がる平面導体と、を備える高周波部品において、前記積層方向と直交する方向に延びる巻回軸を中心に、当該巻回軸と垂直な平面内で複数ターン巻回するスパイラル状に前記線状導体および前記層間接続導体を設けて構成された横巻コイルと、前記絶縁体層を介在させて対向する前記平面導体で構成されており、前記横巻コイルの巻回軸に沿って視て前記横巻コイルのコイル開口内に配置されている内側キャパシタと、を備えることを特徴とする。

この構成では、横巻コイルが線状導体よりも低抵抗な層間接続導体を含んで構成されるので、横巻コイルを含むＬＣ共振回路を構成すると、縦巻コイルによりＬＣ共振回路を構成する場合に比べて、ＬＣ共振回路におけるＱ値を改善することができる。また、横巻コイルのコイル開口内に内側キャパシタを配することにより、内側キャパシタの配置に必要な絶縁体層の層数や面積を削減でき、積層体を小型化できる。その上、横巻コイルと内側キャパシタとを接続するために要する接続配線を短縮化でき、接続配線に生じる寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスを削減して、横巻コイルの本来の特性をそのままＬＣ回路に利用することができる。また、横巻コイルが巻回されている面と内側キャパシタの平面導体とが直交することになるので、内側キャパシタの影響で横巻コイルの本来の特性が大きく変動することが無く、良好な高周波特性を容易に実現できる。

上記高周波部品は、前記絶縁体層を介在させて対向する前記平面導体で構成されており、前記横巻コイルの巻回軸に沿って視て前記横巻コイルのコイル開口範囲外に配置された外側キャパシタをさらに備え、前記外側キャパシタおよび前記横巻コイルを含むＬＣ共振回路が構成されていることが好ましい。これにより、例えば、内側キャパシタと外側キャパシタとのうちの、電極面積がより大きいキャパシタを外側キャパシタとして横巻コイルの外側に配置すれば、横巻コイルと内側キャパシタとの間に生じる寄生容量を小さくでき、寄生容量によって横巻コイルのインダクタンスの値が変動することを防ぐことができる。

前記内側キャパシタと前記外側キャパシタとのうちの少なくとも一方の平面導体間に位置する絶縁体層は、比誘電率が他の絶縁層よりも大きくなるように構成されていることが好ましい。これにより、内側キャパシタや外側キャパシタのキャパシタンスを大きくすることや、電極面積を低減することができる。内側キャパシタにおいて絶縁体層の比誘電率が大きい場合には、内側キャパシタの電極面積を低減でき、内側キャパシタと横巻コイルとの間で生じる寄生容量を抑制できる。外側キャパシタにおいて絶縁体層の比誘電率が大きい場合には、その絶縁体層の影響で横巻コイルの特性が変動することを防ぐことができる。

上記高周波部品は、前記積層方向に延びる巻回軸を中心に巻回された前記線状導体を含んで構成された縦巻コイルをさらに備え、この縦巻コイルは、前記横巻コイルの巻回軸に沿って視て、前記横巻コイルのコイル開口内に配置されていることが好ましい。これにより、横巻コイルのコイル開口内に設ける縦巻コイルの配置に必要な絶縁体層の層数や面積を削減でき、積層体を小型化できる。そして、このように横巻コイルと縦巻コイルとを配置しても、横巻コイルが巻回されている面と縦巻きコイルが巻回されている面とが直交することになるので、両コイルの本来の特性が大きく変動することを防ぐことができる。このことによっても、良好な高周波特性を容易に実現できる。

前記横巻コイルを構成する複数の線状導体のうち、異なるターンを構成しつつ積層方向に近接する少なくとも２つの線状導体が、異なる線路幅で設けられていることが好ましい。これにより、横巻コイルを構成する線状導体の形成位置に製造ずれがあったとしても、線状導体間の対向面積や、内側キャパシタとの対向面積が安定したものになる。

なお、横巻コイルの両端の一方を横巻コイルの始点とし、他方を横巻コイルの終点として、横巻コイルの１ターン目は、横巻コイルの始点から続いて巻回される２つの層間接続導体および２つの線状導体により構成される部分である。横巻コイルの２ターン目は、横巻コイルの１ターン目から続いて巻回される、２つの層間接続導体と２つの線状導体により構成される部分、または、多くとも２つの層間接続導体と２つの線状導体により構成される横巻コイルの終点までの部分である。横巻コイルの３ターン目以降も、横巻コイルの２ターン目と同様である。すなわち、横巻コイルの１ターンとは、横巻コイルの始点や先のターンから続いて巻回される、２つの層間接続導体と２つの線状導体により構成される部分、または、多くとも２つの層間接続導体と２つの線状導体により構成される横巻コイルの終点までの部分である。

前記横巻コイルを構成する複数の線状導体のうち、同じターンを構成しつつ積層方向に近接する少なくとも２つの線状導体が、前記層間接続導体により並列接続されていることが好ましい。これにより、横巻コイルの線状導体を複層化することができ、線状導体の実効断面積が増大し、横巻コイルを低抵抗化できる。したがって、ＬＣ共振回路のＱ値を高めることができる。

上述の高周波部品にフィルタ回路を構成したフィルタ部品であって、前記フィルタ回路は、それぞれに前記横巻コイルを含む複数のＬＣ共振回路を備え、各ＬＣ共振回路を構成する横巻コイルは、互いの巻回軸が並行し、巻回軸に沿って視て互いのコイル開口が重なっていることを特徴とすることが好ましい。これにより、複数段のＬＣ共振回路の間が各横巻コイルを介して磁界結合するので、各横巻コイルの形状や配置を調整することにより、ＬＣ共振回路間の結合（共振器間結合）を調整することができる。これにより、フィルタ部品のフィルタ特性において減衰極などを制御することが可能になる。

前記内側キャパシタは、前記ＬＣ共振回路間を結合させる共振器間結合用キャパシタを構成していることが好ましい。これにより、複数段のＬＣ共振回路の間を、共振器間結合用キャパシタを構成する内側キャパシタを介して容量結合させながら、複数段のＬＣ共振回路の間を接続する配線経路を短縮化できるので、高周波部品の挿入損失を低減して良好なフィルタ特性を実現することができる。

前記複数のＬＣ共振回路は、入出力段のＬＣ共振回路と、前記入出力段のＬＣ共振回路の間に結合する中間段のＬＣ共振回路と、を含んでおり、前記中間段のＬＣ共振回路に含まれる前記横巻コイルは、前記入出力段のＬＣ共振回路に含まれる前記横巻コイルよりも、前記横巻コイルを構成する線状導体の幅が広いことが好ましい。これにより、中間段のＬＣ共振回路のＱ値が特に改善されるため、高周波部品の挿入損失を大きく改善することができる。

この発明の高周波部品によれば、横巻コイルの巻回軸に沿って視て、横巻コイルのコイル開口内に内側キャパシタが配置されているため、内側キャパシタの配置に必要な絶縁体層の層数や面積を削減でき、積層体のサイズを小型化できる。その上、横巻コイルと内側キャパシタとを接続するために要する接続配線を短縮化でき、また、横巻コイルの導体パターンと内側キャパシタの平面導体との位置関係が直交するので、良好な高周波特性を容易に実現できる。

本発明の第１の実施形態に係る高周波部品の等価回路図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波部品の透過斜視図および模式断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波部品の分解平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波部品の変形例についての分解平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波部品のフィルタ特性図である。 本発明の第２の実施形態に係る高周波部品の等価回路図およびフィルタ特性図である。 本発明の第２の実施形態に係る高周波部品の透過斜視図および模式断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る高周波部品の分解平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る高周波部品の等価回路図およびフィルタ特性図である。 本発明の第３の実施形態に係る高周波部品の透過斜視図および模式断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る高周波部品の分解平面図である。

以下、第１の実施形態に係る高周波部品について説明する。ここで示す高周波部品は、通過帯域の低周波側に阻止帯域を有するハイパスフィルタを構成するものである。

図１は、第１の実施形態に係る高周波部品１の等価回路図である。高周波部品１は、入出力ポートＰ１，Ｐ２と、キャパシタＣ０，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ１０，Ｃ１２，Ｃ２３，Ｃ３４，Ｃ４０と、インダクタＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５と、からなるハイパスフィルタを構成している。

高周波部品１において、インダクタＬ１とキャパシタＣ１とで直列共振回路ＬＣ１が構成されている。同様に、インダクタＬ２とキャパシタＣ２とで直列共振回路ＬＣ２が構成されている。インダクタＬ３とキャパシタＣ３とで直列共振回路ＬＣ３が構成されている。インダクタＬ４とキャパシタＣ４とで直列共振回路ＬＣ４が構成されている。共振回路ＬＣ１とＬＣ２との間にはキャパシタＣ１２が接続されている。同様に、共振回路ＬＣ２とＬＣ３との間にはキャパシタＣ２３が接続されている。共振回路ＬＣ３とＬＣ４との間にはキャパシタＣ３４が接続されている。以上の回路部分によって、４段の共振回路がキャパシタを介して結合されたハイパスフィルタの回路が構成されている。

ハイパスフィルタを構成する４段の共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４のうち、直列共振回路ＬＣ１は入力段の共振回路であり、外部結合用のキャパシタＣ１０を介して入力ポートＰ１に結合している。直列共振回路ＬＣ２は中間段（２段目）の共振回路であり、入力段の直列共振回路ＬＣ１にキャパシタＣ１２を介して結合している。直列共振回路ＬＣ３は中間段（３段目）の共振回路であり、２段目の直列共振回路ＬＣ２にキャパシタＣ２３を介して結合している。直列共振回路ＬＣ４は、出力段の共振回路であり、３段目の直列共振回路ＬＣ３にキャパシタＣ３４を介して結合し、外部結合用のキャパシタＣ４０を介して出力ポートＰ２に結合している。

また、入力ポートＰ１とキャパシタＣ１０との間には、シリーズ接続のインダクタＬ０およびシャント接続のキャパシタＣ０によるインピーダンス整合回路が接続されている。同様に、出力ポートＰ２とキャパシタＣ４０との間には、シリーズ接続のインダクタＬ５およびシャント接続のキャパシタＣ５によるインピーダンス整合回路が接続されている。

上記共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４のうち、互いに隣接する共振回路のインダクタ（共振インダクタ）同士は電磁界結合する。すなわち、インダクタＬ１とインダクタＬ２は電磁界結合する。同様に、インダクタＬ２とインダクタＬ３は電磁界結合する。インダクタＬ３とインダクタＬ４は電磁界結合する。したがって、共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４は、キャパシタ（結合キャパシタ）Ｃ１２，Ｃ２３，Ｃ３４による容量結合と、インダクタ（共振インダクタ）Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４間の電磁界結合との両方により結合する。

図２（Ａ）は、第１の実施形態に係る高周波部品１の透過斜視図である。

高周波部品１は、直方体状の積層体２を備えている。以下の説明では、図２（Ａ）中に示す積層体２の左手前側の面を正面と称し、積層体２の右手奥側の面を背面と称し、積層体２の右手前側の面を右側面と称し、積層体２の左手奥側の面を左側面と称し、積層体２の上側の面を天面と称し、積層体２の下側の面を底面と称する。

積層体２は、底面および天面に垂直な方向を積層方向として、複数の絶縁体層を積層して構成されている。なお、積層体２の絶縁体層は、例えば、熱可塑性樹脂などの樹脂材や、低温焼結セラミックスなどのセラミック材により構成される。また、積層体２を構成する絶縁体層の層間には、積層方向に直交する方向に延びる線状導体が形成されている。また、積層体２を構成する絶縁体層の層間には、積層方向に直交する方向に広がる平面導体が形成されている。なお、線状導体は、例えば、印刷形成された導電ペーストの焼成体や、フォトリソグラフィプロセスによりパターニングされた銅箔などからなる。また、積層体２を構成する各絶縁体層には、各絶縁層を積層方向に貫通する層間接続導体が形成されている。なお、層間接続導体は、例えば、各絶縁層にビアホールを設け、ビアホール内に導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを金属化させて形成されている。

積層体２の外面には、入出力電極３Ａ，３Ｂとグランド電極３Ｃとが設けられている。積層体２の内部には、横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄと、縦巻コイル５Ａ，５Ｂと、内側キャパシタ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅと、外側キャパシタ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆと、が設けられている。

入出力電極３Ａは、積層体２の天面から左側面を経由して底面まで延びている。入出力電極３Ｂは、積層体２の天面から右側面を経由して底面まで延びている。グランド電極３Ｃは、積層体２の底面に設けられている。

横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄは、積層体２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄそれぞれは、少なくとも３つ以上の層間接続導体と、少なくとも３つ以上の線状導体とを接続して構成されている。各横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄは、いずれも積層体２を構成する絶縁体層の積層方向に対して直交する方向に延びる巻回軸、ここでは、積層体２の左側面と右側面との間を結ぶ方向に延びる巻回軸を中心に、積層体２の天面および底面と直交し、左側面および右側面と平行な一つの平面内で複数ターン巻回されたスパイラル状に形成されている。横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄは、線状導体よりも低抵抗な層間接続導体を含むものであり、これらの横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄを含んで共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４を構成することにより、共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４は高いＱ値を有するものになる。

縦巻コイル５Ａ，５Ｂは、積層体２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。縦巻コイル５Ａ，５Ｂそれぞれは、積層体２の天面と底面とを結ぶ絶縁体層の積層方向に延びる巻回軸を中心に、積層体２の天面および底面と平行な平面内で巻回されたループ状に形成された複数の線状導体を、絶縁体層の積層方向に接続してヘリカル状に形成されている。横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄや縦巻コイル５Ａ，５Ｂを構成する、層間接続導体と線状導体との具体的な構成については後述する。

内側キャパシタ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅは、積層体２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。内側キャパシタ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅそれぞれは、積層体２の天面および底面と平行である平面導体同士が絶縁体層を介在した状態で対向して形成されている。

外側キャパシタ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆは、積層体２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。外側キャパシタ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆそれぞれは、積層体２の天面および底面と平行である平面導体同士が絶縁体層を介在した状態で対向して形成されている。なお、ここでは、外側キャパシタ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆを構成する平面導体の一方を共通電極であるグランド電極ＧＮＤとしている。内側キャパシタ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅや外側キャパシタ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆを構成する平面導体の具体的な構成については後述する。

積層体２に設けられた各構成と、図１に示した回路の各回路素子との対応関係は次のとおりである。入出力電極３Ａは、図１における入力ポートＰ１に相当する。入出力電極３Ｂは、図１における出力ポートＰ２に相当する。横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄは、図１における共振インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４に相当する。縦巻コイル５Ａ，５Ｂは、図１におけるインピーダンス整合回路のインダクタＬ０，Ｌ５に相当する。内側キャパシタ６Ｂ，６Ｃ，６Ｄは、図１における共振器間結合用のキャパシタＣ１２，Ｃ２３，Ｃ３４に相当する。外側キャパシタ７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅは、図１における共振用のキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４にそれぞれ相当する。内側キャパシタ６Ａ，６Ｅは、図１における外部結合用のキャパシタＣ１０，Ｃ４０にそれぞれ相当する。外側キャパシタ７Ａ，７Ｆは、図１におけるインピーダンス整合回路のキャパシタＣ０，Ｃ５にそれぞれ相当する。

図２（Ｂ）は、積層体２における横巻コイル４Ａ〜４Ｄと縦巻コイル５Ａ，５Ｂとの配置位置を示す模式的な側面図である。図２（Ｃ）は、積層体２における内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅと外側キャパシタ７Ａ〜７Ｆとの配置位置を示す模式的な断面図である。図２（Ｂ），２（Ｃ）は、いずれも積層体２の正面および背面と平行な面での積層体２の断面図である。

横巻コイル４Ａ〜４Ｄのうち隣接する横巻コイルのコイル開口は、互いに対向しており、積層体２を左側面側や右側面側から、横巻コイル４Ａ〜４Ｄの巻回軸に沿って透視した場合に、横巻コイル４Ａ〜４Ｄそれぞれのコイル開口が重なって一致するように配置されている。したがって、横巻コイル４Ａ〜４Ｄは互いに電磁界結合する。ここで、積層体２を左側面側や右側面側から透視した場合に、横巻コイル４Ａ〜４Ｄそれぞれのコイル開口が重なる積層体２の領域を、内側領域９として図２（Ｂ）および図２（Ｃ）中に示している。

そして、この構成では、縦巻コイル５Ａ，５Ｂと内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅとを、内側領域９、即ち、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル開口内に配置している。このため、積層体２においては、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル開口範囲外に、縦巻コイル５Ａ，５Ｂおよび内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅを配置するためのスペースが不要となり、積層体２の底面積や絶縁層の層数を低減して積層体２を小型に構成することができる。または、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル巻回数を増やすことやコイル開口を大きくすることで、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのインダクタンスを大きくすることができる。横巻コイル４Ａ〜４Ｄのインダクタンスを大きくすれば、遮断周波数の低いハイパスフィルタを構成できる。

また、この構成では、横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄと縦巻コイル５Ａ，５Ｂと内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅとを接続するために要する接続配線を短縮できる。これにより、接続配線に生じる寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスによって、フィルタ特性が劣化することが抑制される。特には、共振器間結合用のキャパシタＣ１２，Ｃ２３，Ｃ３４および外部結合用のキャパシタＣ１０，Ｃ４０や、入出力部に設けられるインピーダンス整合用のインダクタＬ０，Ｌ５を、横巻コイル４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄのコイル開口内（内側領域９）に設けることで、入出力ポートＰ１，Ｐ２間の接続配線を短縮化でき、高周波部品１（ハイパスフィルタ）の挿入損失を大幅に低減できる。

さらには、縦巻コイル５Ａ，５Ｂを構成する線状導体や、内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅを構成する平面導体は、横巻コイル４Ａ〜４Ｄが巻回されている面に対して直交している。このため、内側領域９において、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル開口内に発生する磁束は、横巻コイル４Ａ〜４Ｄの巻回軸に沿う方向、すなわち積層体２の左側面と右側面とを結ぶ方向に沿って発生するが、縦巻コイル５Ａ，５Ｂを構成する線状導体や、内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅを構成する平面導体は、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル開口内に発生する磁束と並行し、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル開口内に発生する磁束を殆ど妨げることが無いので、横巻コイル４Ａ〜４Ｄの特性に影響を及ぼし難い。また、縦巻コイル５Ａ，５Ｂが巻回されている面は、横巻コイル４Ａ〜４Ｄが巻回されている面に対して直交する。このため、縦巻コイル５Ａ，５Ｂのコイル開口内に発生する磁束は、積層体２の天面と底面とを結ぶ方向（積層方向）に沿って発生し、縦巻コイル５Ａ，５Ｂと横巻コイル４Ａ〜４Ｄとは電磁界結合し難い。したがって、この高周波部品１は、フィルタ特性の設定が容易である。

また、ここでは、共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４を、外側キャパシタ７Ｂ〜７Ｅにより構成している。共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４は、内側キャパシタとして構成することもできるが、共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４のキャパシタンスが大きい場合には大きな電極面積を要することになるため、共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４を内側キャパシタとして構成すると、横巻コイル４Ａ〜４Ｄとの間に生じる不要な結合が大きくなり、フィルタ特性を劣化させてしまう。そのため、ここでは、大きな電極面積を要する共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４を、外側キャパシタ７Ａ〜７Ｆで構成し、フィルタ特性が劣化することを防いでいる。

また、ここでは、外側キャパシタ７Ａ〜７Ｆの平面導体間に位置する絶縁体層（図２（Ａ）において表示色濃度を異ならせて表示している底面近傍の絶縁体層）は、他の絶縁体層よりも比誘電率を高いものにしている。すなわち、外側キャパシタ７Ａ〜７Ｆにおいて、２つの平面導体の間の比誘電率を高くしている。このため、外側キャパシタ７Ａ〜７Ｆのキャパシタンスをより大きくすることができる。

なお、内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅの平面導体間に位置する絶縁体層においても、他の絶縁体層よりも比誘電率を高くしてもよい。その場合には、内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅの電極面積を縮小化できるため、内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅと横巻コイル４Ａ〜４Ｄとの間に生じる不要な結合をさらに低減して、横巻コイル４Ａ〜４Ｄの特性や、共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４によるフィルタ特性をより良好なものにすることができる。

図３Ａは、積層体２の各絶縁体層に形成された導体パターン（線状導体および平面導体）を示す積層体２の分解平面図である。図中には、積層体２の底面側から天面側にかけて、第１層目から第１５層目までの導体パターンを順に示している。

なお、図中で第Ｎ層目の導体パターンに付している符号Ａ〜Ｄは、以下では符号Ｎ−Ａ，Ｎ−Ｂ，Ｎ−Ｃ，Ｎ−Ｄと読み替えて説明を行う。また、各層に付している矢印つきの丸印は、層間接続導体の接続位置と接続方向とを示している。具体的には、上向きの矢印は、一つ前の層（底面側）の導体パターンに接続されることを示し、下向きの矢印は一つ後の層（天面側）の導体パターンに接続されることを示し、上下両向きの矢印は上下両方の層（底面側および天面側）の導体パターンに接続されることを示している。

第１層目の導体パターンは、積層体２の底面に露出する導体パターンであり、平面導体１−Ａ，１−Ｂ，１−Ｃを含んでいる。平面導体１−Ａは、図２に示した入出力電極３Ａの一部を構成している。平面導体１−Ｂは、図２に示したグランド電極３Ｃを構成している。平面導体１−Ｃは、図２に示した入出力電極３Ｂの一部を構成している。

第２層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体２−Ａを含んでいる。平面導体２−Ａは、層間接続導体を介して平面導体１−Ｂ（グランド電極３Ｃ）に接続され、図２に示したグランド電極ＧＮＤを構成していている。

第３層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体３−Ａ，３−Ｂ，３−Ｃ，３−Ｄを含んでいる。平面導体３−Ａは、平面導体２−Ａと対向して図２に示した外側キャパシタ７Ｂを構成している。平面導体３−Ｂは、平面導体２−Ａと対向して図２に示した外側キャパシタ７Ｃを構成している。平面導体３−Ｃは、平面導体２−Ａと対向して図２に示した外側キャパシタ７Ｄを構成している。平面導体３−Ｄは、平面導体２−Ａと対向して図２に示した外側キャパシタ７Ｅを構成している。

第４層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体４−Ａ，４−Ｂを含んでいる。平面導体４−Ａは、平面導体２−Ａと対向して図２に示した外側キャパシタ７Ａを構成している。平面導体４−Ｂは、平面導体２−Ａと対向して図２に示した外側キャパシタ７Ｆを構成している。

第５層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体５−Ａ，５−Ｂを含んでいる。線状導体５−Ａは、図２に示した横巻コイル４Ａの一部を構成している。線状導体５−Ｂは、図２に示した横巻コイル４Ｄの一部を構成している。

第６層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体６−Ａ，６−Ｂ，６−Ｃ，６−Ｄを含んでいる。線状導体６−Ａは、図２に示した横巻コイル４Ａの一部を構成している。線状導体６−Ｂは、図２に示した横巻コイル４Ｂの一部を構成している。線状導体６−Ｃは、図２に示した横巻コイル４Ｃの一部を構成している。線状導体６−Ｄは、図２に示した横巻コイル４Ｄの一部を構成している。

第７層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体７−Ａ，７−Ｂ，７−Ｃ，７−Ｄを含んでいる。線状導体７−Ａは、図２に示した横巻コイル４Ａの一部を構成している。線状導体７−Ｂは、図２に示した横巻コイル４Ｂの一部を構成している。線状導体７−Ｃは、図２に示した横巻コイル４Ｃの一部を構成している。線状導体７−Ｄは、図２に示した横巻コイル４Ｄの一部を構成している。

第８層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体８−Ａ，８−Ｂを含んでいる。線状導体８−Ａは、側面の入出力電極３Ａに接続されており、図２に示した縦巻コイル５Ａの一部を構成している。線状導体８−Ｂは、側面の入出力電極３Ｂに接続されており、図２に示した縦巻コイル５Ｂの一部を構成している。

第９層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体９−Ａ，９−Ｂを含んでいる。線状導体９−Ａは、図２に示した縦巻コイル５Ａの一部を構成している。線状導体９−Ｂは、図２に示した縦巻コイル５Ｂの一部を構成している。

第１０層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体１０−Ａ，１０−Ｂ，１０−Ｃ，１０−Ｄを含んでいる。平面導体１０−Ａは、図２に示した内側キャパシタ６Ａの一部を構成している。平面導体１０−Ｂは、図２に示した内側キャパシタ６Ｃの一部を構成している。平面導体１０−Ｃは、図２に示した内側キャパシタ６Ｃの一部を構成している。平面導体１０−Ｄは、図２に示した内側キャパシタ６Ｅの一部を構成している。

第１１層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体１１−Ａ，１１−Ｂ，１１−Ｃを含んでいる。平面導体１１−Ａは、図２に示した内側キャパシタ６Ａの一部を構成している。平面導体１１−Ｂは、図２に示した内側キャパシタ６Ｃの一部を構成している。平面導体１１−Ｃは、図２に示した内側キャパシタ６Ｅの一部を構成している。

第１２層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体１２−Ａ，１２−Ｂ，１２−Ｃ，１２−Ｄを含んでいる。平面導体１２−Ａは、図２に示した内側キャパシタ６Ａの一部と、内側キャパシタ６Ｂの一部とを構成している。平面導体１２−Ｂは、図２に示した内側キャパシタ６Ｃの一部と、内側キャパシタ６Ｂの一部とを構成している。平面導体１２−Ｃは、図２に示した内側キャパシタ６Ｃの一部と、内側キャパシタ６Ｄの一部とを構成している。平面導体１２−Ｄは、図２に示した内側キャパシタ６Ｅの一部と、内側キャパシタ６Ｄの一部とを構成している。

第１３層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体１３−Ａ，１３−Ｂを含んでいる。平面導体１３−Ａは、図２に示した内側キャパシタ６Ｂの一部を構成している。平面導体１３−Ｂは、図２に示した内側キャパシタ６Ｄの一部を構成している。

第１４層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体１４−Ａ，１４−Ｂ，１４−Ｃ，１４−Ｄを含んでいる。線状導体１４−Ａは、図２に示した横巻コイル４Ａの一部を構成している。線状導体１４−Ｂは、図２に示した横巻コイル４Ｂの一部を構成している。線状導体１４−Ｃは、図２に示した横巻コイル４Ｃの一部を構成している。線状導体１４−Ｄは、図２に示した横巻コイル４Ｄの一部を構成している。

第１５層目の導体パターンは、積層体２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体１５−Ａ，１５−Ｂ，１５−Ｃ，１５−Ｄを含んでいる。線状導体１５−Ａは、図２に示した横巻コイル４Ａの一部を構成している。線状導体１５−Ｂは、図２に示した横巻コイル４Ｂの一部を構成している。線状導体１５−Ｃは、図２に示した横巻コイル４Ｃの一部を構成している。線状導体１５−Ｄは、図２に示した横巻コイル４Ｄの一部を構成している。

即ち、第１１層の平面導体１１−Ａが、第１０層の平面導体１０−Ａおよび第１２層の平面導体１２−Ａに対向して、図２に示した内側キャパシタ６Ａが構成されている。なお、第１０層の平面導体１０−Ａと第１２層の平面導体１２−Ａとは、層間接続導体を介して導通している。第１３層の平面導体１３−Ａが、第１２層の平面導体１２−Ａおよび平面導体１２−Ｂに対向して、図２に示した内側キャパシタ６Ｂが構成されている。第１１層の平面導体１１−Ｂが、第１０層の平面導体１０−Ｂおよび第１２層の平面導体１２−Ｂに対向するとともに、第１０層の平面導体１０−Ｃおよび第１２層の平面導体１２−Ｃに対向して、図２に示した内側キャパシタ６Ｃが構成されている。第１０層の平面導体１０−Ｂと第１２層の平面導体１２−Ｂとは、層間接続導体を介して導通している。また、第１０層の平面導体１０−Ｃと第１２層の平面導体１２−Ｃとは、層間接続導体を介して導通している。第１３層の平面導体１３−Ｂが、第１２層の平面導体１２−Ｃおよび平面導体１２−Ｄに対向して、図２に示した内側キャパシタ６Ｄが構成されている。第１１層の平面導体１１−Ｃが、第１０層の平面導体１０−Ｄおよび第１２層の平面導体１２−Ｄに対向して、図２に示した内側キャパシタ６Ｅが構成されている。第１０層の平面導体１０−Ｄと第１２層の平面導体１２−Ｄとは、層間接続導体を介して導通している。

第５層の線状導体５−Ａと、第１５層の線状導体１５−Ａと、第６層の線状導体６−Ａと、第１４層の線状導体１４−Ａと、第７層の線状導体７−Ａと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図２に示した横巻コイル４Ａが構成されている。第１５層の線状導体１５−Ｂと、第６層の線状導体６−Ｂと、第１４層の線状導体１４−Ｂと、第７層の線状導体７−Ｂと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図２に示した横巻コイル４Ｂが構成されている。第１５層の線状導体１５−Ｃと、第６層の線状導体６−Ｃと、第１４層の線状導体１４−Ｃと、第７層の線状導体７−Ｃと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図２に示した横巻コイル４Ｃが構成されている。第５層の線状導体５−Ｂと、第１５層の線状導体１５−Ｄと、第６層の線状導体６−Ｄと、第１４層の線状導体１４−Ｄと、第７層の線状導体７−Ｄと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図２に示した横巻コイル４Ｄが構成されている。

第８層の線状導体８−Ａと、第９層の線状導体９−Ａと、をそれぞれの導体層においてループ状に形成し、それぞれの一端でヘリカル状に接続して、図２に示した縦巻コイル５Ａが構成されている。第８層の線状導体８−Ｂと、第９層の線状導体９−Ｂと、をそれぞれの導体層においてループ状に形成し、それぞれの一端でヘリカル状に接続して、図２に示した縦巻コイル５Ｂが構成されている。

なお、横巻コイル４Ａを構成する線状導体５−Ａ、線状導体７−Ａ、および、線状導体１４−Ａは、線路幅が比較的狭く、線状導体６−Ａおよび線状導体１５−Ａは、線路幅が比較的広く形成されている。同様に、横巻コイル４Ｂを構成する線状導体７−Ｂ、および、線状導体１４−Ｂは、線路幅が比較的狭く、線状導体６−Ｂおよび線状導体１５−Ｂの組は、線路幅が比較的広く形成されている。横巻コイル４Ｃを構成する線状導体７−Ｃ、および、線状導体１４−Ｃは、線路幅が比較的狭く、線状導体６−Ｃおよび線状導体１５−Ｃは、線路幅が比較的広く形成されている。横巻コイル４Ｄを構成する線状導体５−Ｂ、線状導体７−Ｄ、および、線状導体１４−Ｄは、線路幅が比較的狭く、線状導体６−Ｄおよび線状導体１５−Ｄは、線路幅が比較的広くなっている。

このように、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのそれぞれにおいて、異なるターンを構成しつつ積層方向に近接する２つの線状導体が、異なる線路幅で設けられている。これにより、線状導体の形成位置に製造時の位置ずれがあったとしても、線状導体間の対向面積が安定したものになる。その上、各横巻コイル４Ａ〜４Ｄと内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅとの間に発生する寄生容量も安定したものになり、寄生容量の影響で各横巻コイル４Ａ〜４Ｄの実効的なインダクタンスの値が変動することも、殆ど無くなる。これらのことにより、各横巻コイル４Ａ〜４Ｄのインダクタンスの値を安定させることができる。

また、ここでは、横巻コイル４Ａと横巻コイル４Ｂとはコイル巻回方向を異ならせている。横巻コイル４Ｂと横巻コイル４Ｃとはコイル巻回方向を一致させている。横巻コイル４Ｃと横巻コイル４Ｄとはコイル巻回方向を相違させている。そして、横巻コイル４Ａと横巻コイル４Ｂとの配置間隔、および、横巻コイル４Ｃと横巻コイル４Ｄとの配置間隔は、横巻コイル４Ｂと横巻コイル４Ｃとの配置間隔よりも狭くしている。これらのように、隣接する横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル巻回方向および配置間隔を調整することにより、横巻コイル４Ａ〜４Ｄ間の電磁界結合を調整し、ひいては、ＬＣ共振回路の共振器間結合を調整し、フィルタ特性を制御している。本構成のように、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル開口内に内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅや縦巻コイル５Ａ，５Ｂを配置すると、横巻コイル４Ａ〜４Ｄの内側キャパシタ６Ａ〜６Ｅや縦巻コイル５Ａ，５Ｂによる配置制約が低減したものになり、横巻コイル４Ａ〜４Ｄの配置間隔を変えることが容易である。

図３Ｂは、第１の実施形態に係る高周波部品１の変形例についての分解平面図である。図３Ａと比較すれば明らかなように、図３Ａの第５層目の導体パターンは図３ＢではLayer05AおよびLayer05Bの２層の導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。同様に、図３Ａの第６層目の導体パターンは図３ＢではLayer06AおよびLayer06Bの２層の導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。また、図３Ａの第７層目の導体パターンは図３ＢではLayer07AおよびLayer07Bの２層の導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。図３Ａの第８層目の導体パターンは図３ＢではLayer08AおよびLayer08Bの２層の導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。図３Ａの第９層目の導体パターンは図３ＢではLayer09AおよびLayer09Bの２層の導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。さらに、図３Ａの第１４層目の導体パターンは図３ＢではLayer14AおよびLayer14Bの２層の導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。また、図３Ａの第１５層目の導体パターンは図３ＢではLayer15AおよびLayer15Bの２層の導体パターンで構成されており、これら２層の導体パターンにおいて対向する個々の線状導体同士が並列接続されている。

このようにして、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのそれぞれにおいて、同じターンを構成しつつ積層方向に近接する２つの線状導体が、層間接続導体により並列接続されているので、横巻コイルを構成する線状導体が複層化されており、これによって、線状導体の実効断面積が増加するため、配線抵抗が低下する。これにより、横巻コイル４Ａ〜４Ｄそれぞれが構成する直列共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４のＱ値を高めることができる。

図４は、本実施形態の高周波部品１のフィルタ特性を例示する図である。高周波部品１が構成するハイパスフィルタは、４段の直列共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４を共振器間結合させてなるため、共振器間結合により調整される複数の減衰極を有するフィルタ特性となる。

図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、急峻な減衰極を実現する場合のフィルタ特性を示している。図４（Ａ）は、横巻コイル４Ａ〜４Ｄを、上述のコイル巻回方向の設定とし、また、配置間隔を所定の間隔とする場合のフィルタ特性を示している。図４（Ｂ）は、横巻コイル４Ｂ，４Ｃの配置間隔を、図４（Ａ）の設定よりも狭めた場合のフィルタ特性を示している。図４（Ｃ）は、横巻コイル４Ｂ，４Ｃの配置間隔を、図４（Ａ）の設定よりも広げた場合のフィルタ特性を示している。図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示されているように、高周波部品１では、横巻コイル４Ａ〜４Ｄの配置間隔の設定によって共振器間結合を調整することにより、減衰極の深さを設定することができる。

また、図４（Ｄ）は、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル巻回方向を、図４（Ａ）の設定と異ならせ、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル巻回方向を全て一致させた場合のフィルタ特性を示している。図４（Ａ）および図４（Ｄ）に示されているように、高周波部品１では、横巻コイル４Ａ〜４Ｄのコイル巻回方向の設定によって共振器間結合を調整することにより、複数の減衰極の周波数間隔を異ならせることができ、例えば、複数の減衰極を狭い周波数帯域に集中させて急峻な減衰極を実現したり、複数の減衰極の周波数間隔を広げて広帯域な阻止帯域を実現したりすることができる。

このように、本実施形態の高周波部品１によれば、ＬＣ共振回路のキャパシタンスを調整することなく、横巻コイル４Ａ〜４Ｄの配置間隔、およびコイル巻回方向の調整によって、共振器間結合を制御し、フィルタ特性を調整することが可能である。

次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波部品について説明する。ここで示す高周波部品は、通過帯域の高周波側に阻止帯域を有するローパスフィルタを構成するものである。

図５（Ａ）は、第２の実施形態に係る高周波部品１１の等価回路図である。高周波部品１１は、入出力ポートＰ１，Ｐ２と、キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２２と、インダクタＬ１，Ｌ２と、からなるローパスフィルタを構成する。図５（Ｂ）は、ローパスフィルタのフィルタ特性を例示する図である。

高周波部品１１において、インダクタＬ１とキャパシタＣ１とで並列共振回路ＬＣ１が構成されていて、インダクタＬ２とキャパシタＣ２とで並列共振回路ＬＣ２が構成されている。これら共振回路ＬＣ１，ＬＣ２が入力ポートＰ１と出力ポートＰ２との間にシリーズに接続されている。共振回路ＬＣ１の入力側にはキャパシタＣ１１がシャントに接続されている。共振回路ＬＣ１の出力側であり且つ共振回路ＬＣ２の入力側にはキャパシタＣ１２がシャントに接続されている。共振回路ＬＣ２の出力側にはキャパシタＣ２２がシャントに接続されている。

図６（Ａ）は、第２の実施形態に係る高周波部品１１の透過斜視図である。

高周波部品１１は、積層体１２を備えている。積層体１２は直方体状であり、底面および天面に垂直な方向を積層方向として、複数の絶縁体層を積層して構成されている。また、積層体１２を構成する絶縁体層の層間には、積層方向に直交する方向に延びる線状導体が形成されている。また、積層体１２を構成する絶縁体層の層間には、積層方向に直交する方向に拡がる平面導体が形成されている。また、積層体１２を構成する各絶縁体層には、各絶縁層を積層方向に貫通する層間接続導体が形成されている。積層体１２の外面には、入出力電極１３Ａ，１３Ｂと、グランド電極１３Ｃと、が設けられている。積層体１２の内部には、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂと、内側キャパシタ１６Ａ，１６Ｂと、外側キャパシタ１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃと、が設けられている。

入出力電極１３Ａは、積層体１２の天面から左側面を経由して底面まで延びている。入出力電極１３Ｂは、積層体１２の天面から右側面を経由して底面まで延びている。グランド電極１３Ｃは、積層体１２の底面に設けられている。

横巻コイル１４Ａ，１４Ｂは、積層体１２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。横巻コイル１４Ａ，１４Ｂそれぞれは、少なくとも３つ以上の層間接続導体と、少なくとも３つ以上の線状導体とを接続して構成されている。各横巻コイル１４Ａ，１４Ｂは、積層体１２を構成する絶縁体層の積層方向に対して直交する方向に延びる巻回軸、ここでは、積層体１２の左側面と右側面との間を結ぶ方向に延びる巻回軸を中心に、積層体１２の天面および底面と直交し、左側面および右側面と平行な平面内で複数ターン巻回されたスパイラル状に形成されている。

内側キャパシタ１６Ａ，１６Ｂは、積層体１２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。内側キャパシタ１６Ａ，１６Ｂそれぞれは、積層体１２の天面および底面と平行である平面導体同士が絶縁体層を介在した状態で対向して形成されている。

外側キャパシタ１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃは、積層体１２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。外側キャパシタ１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃそれぞれは、積層体１２の天面および底面と平行である平面導体同士が絶縁体層を介在した状態で対向して形成されている。なお、ここでは、外側キャパシタ１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃを構成する平面導体の一方を共通電極であるグランド電極ＧＮＤとしている。

積層体１２に設けられた各構成と、図５（Ａ）に示した回路の各回路素子との対応関係は次のとおりである。入出力電極１３Ａ，１３Ｂは、図５（Ａ）における入力ポートＰ１，Ｐ２に相当する。横巻コイル１４Ａ，１４Ｂは、図５（Ａ）における共振用インダクタＬ１，Ｌ２に相当する。内側キャパシタ１６Ａ，１６Ｂは、図５（Ａ）における共振用キャパシタＣ１，Ｃ２に相当する。外側キャパシタ１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃは、図５（Ａ）におけるキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２２に相当する。

図６（Ｂ）は、積層体１２における横巻コイル１４Ａ，１４Ｂと、内側キャパシタ１６Ａ，１６Ｂと、外側キャパシタ１７Ａ〜１７Ｃとの配置位置を示す模式的な断面図である。図６（Ｂ）は、積層体１２の正面および背面と平行な面での積層体１２の断面図である。

横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのうち隣接する横巻コイルのコイル開口は、それぞれの正面に互いが対向しており、積層体１２を左側面側や右側面側から、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂの巻回軸に沿って透視した場合に、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂそれぞれのコイル開口が重なって一致するように配置されている。したがって、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂは互いに電磁界結合する。ここで、積層体１２を左側面側や右側面側から透視した場合に、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂそれぞれのコイル開口が重なる積層体１２の領域を、内側領域１９として図６（Ｂ）中に示している。

そして、この構成では、内側キャパシタ１６Ａ，１６Ｂを内側領域１９、即ち、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのコイル開口内に配置している。このため、積層体１２においては、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのコイル開口範囲外に、内側キャパシタ１６Ａ，１６Ｂを配置するためのスペースが不要となり、積層体１２の底面積や絶縁層の層数を低減して積層体１２を小型に構成することができる。または、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのコイル巻回数やコイル開口を大きくして、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのインダクタンスを大きくすることができる。

キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２２は、外側キャパシタ１７Ａ〜１７Ｃにより構成している。キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２２は、内側キャパシタとして構成することもできるが、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２２のキャパシタンスが大きい場合には大きな電極面積を要することになるため、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２２を内側キャパシタとして構成すると、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂとの間に生じる不要な結合が大きくなって横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのコイル特性や、共振回路ＬＣ１，ＬＣ２によるフィルタ特性が劣化することがある。そのため、ここでは、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２２を外側キャパシタ１７Ａ〜１７Ｃとして構成して、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのコイル特性や、共振回路ＬＣ１，ＬＣ２によるフィルタ特性が劣化することを防いでいる。

また、この構成では、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂと内側キャパシタ１６Ａ，１６Ｂとを接続するために要する接続配線を短縮することができ、接続配線に生じる寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスによって、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのコイル特性や、共振回路ＬＣ１，ＬＣ２によるフィルタ特性が劣化することを抑制している。

図７は、高周波部品１１を構成する積層体１２の各絶縁体層に形成された導体パターン（線状導体および平面導体）を示す積層体１２の分解平面図である。図中には、積層体１２の底面側から天面側にかけて、第１層から第９層までの導体パターンを順に示している。

第１層目の導体パターンは、積層体１２の底面に露出する導体パターンであり、平面導体１−Ａ，１−Ｂ，１−Ｃを含んでいる。平面導体１−Ａは、図６に示した入出力電極１３Ａの一部を構成している。平面導体１−Ｂは、図６に示したグランド電極１３Ｃを構成している。平面導体１−Ｃは、図６に示した入出力電極１３Ｂの一部を構成している。

第２層目の導体パターンは、積層体１２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体２−Ａを含んでいる。平面導体２−Ａは、層間接続導体を介して平面導体１−Ｂ（グランド電極１３Ｃ）に接続され、グランド電極ＧＮＤを構成している。

第３層目の導体パターンは、積層体１２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体３−Ａ，３−Ｂ，３−Ｃを含んでいる。平面導体３−Ａは、平面導体２−Ａと対向して図６に示した外側キャパシタ１７Ａを構成している。平面導体３−Ｂは、平面導体２−Ａと対向して図６に示した外側キャパシタ１７Ｂを構成している。平面導体３−Ｃは、平面導体２−Ａと対向して図６に示した外側キャパシタ１７Ｃを構成している。

第４層目の導体パターンは、積層体１２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体４−Ａ，４−Ｂを含んでいる。線状導体４−Ａは、図６に示した横巻コイル１４Ａの一部を構成している。線状導体４−Ｂは、図６に示した横巻コイル１４Ｂの一部を構成している。

第５層目の導体パターンは、積層体１２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体５−Ａ，５−Ｂを含んでいる。線状導体５−Ａは、図６に示した横巻コイル１４Ａの一部を構成している。線状導体５−Ｂは、図６に示した横巻コイル１４Ｂの一部を構成している。

第６層の導体パターンは、積層体１２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体６−Ａを含んでいる。平面導体６−Ａは図６に示した内側キャパシタ１６Ａの一部と、内側キャパシタ１６Ｂの一部とを構成している。

第７層の導体パターンは、積層体１２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体７−Ａ，７−Ｂを含んでいる。平面導体７−Ａは図６に示した内側キャパシタ１６Ａの一部を構成している。平面導体７−Ｂは図６に示した内側キャパシタ１６Ｂの一部を構成している。

第８層目の導体パターンは、積層体１２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体８−Ａ，８−Ｂを含んでいる。線状導体８−Ａは、図６に示した横巻コイル１４Ａの一部を構成している。線状導体８−Ｂは、図６に示した横巻コイル１４Ｂの一部を構成している。

第９層目の導体パターンは、積層体１２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体９−Ａ，９−Ｂを含んでいる。線状導体９−Ａは、図６に示した横巻コイル１４Ａの一部を構成している。線状導体９−Ｂは、図６に示した横巻コイル１４Ｂの一部を構成している。

即ち、第６層の平面導体６−Ａが、第７層の平面導体７−Ａに対向して、図６に示した内側キャパシタ１６Ａが構成されている。第６層の平面導体６−Ａが、第７層の平面導体７−Ｂに対向して、図６に示した内側キャパシタ１６Ｂ構成されている。

第４層の線状導体４−Ａと、第９層の線状導体９−Ａと、第５層の線状導体５−Ａと、第８層の線状導体８−Ａと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図６に示した横巻コイル１４Ａが構成されている。第４層の線状導体４−Ｂと、第９層の線状導体９−Ｂと、第５層の線状導体５−Ｂと、第８層の線状導体８−Ｂと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図６に示した横巻コイル１４Ｂ構成されている。

この第２の実施形態においても、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのそれぞれにおいて、異なるターンを構成しつつ積層方向に近接する２つの線状導体が、異なる線路幅で設けられている。これにより、線状導体の形成位置に製造ずれがあったとしても、線状導体間の対向面積が安定したものになる。このため、各横巻コイル１４Ａ，１４Ｂのインダクタンスの値を安定させることができる。

また、いずれかの、または、すべての線状導体を複層化してもよい。そのことによって、線状導体の実効断面積が増加するため、配線抵抗が低下する。これにより、横巻コイル１４Ａ，１４Ｂそれぞれが構成する共振回路ＬＣ１，ＬＣ２のＱ値を高めることができる。

次に、本発明の第３の実施形態に係る高周波部品について説明する。ここで示す高周波部品は、通過帯域の高周波側および低周波側に阻止帯域を有するバンドパスフィルタを構成するものである。

図８（Ａ）は、第３の実施形態に係る高周波部品２１の等価回路図である。高周波部品２１は、入出力ポートＰ１，Ｐ２と、キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ１０，Ｃ１２，Ｃ２３，Ｃ３４，Ｃ４０と、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４と、からなるバンドパスフィルタを構成するものである。図８（Ｂ）は、高周波部品２１のフィルタ特性を例示する図である。

高周波部品２１において、インダクタＬ１とキャパシタＣ１とで並列共振回路ＬＣ１が構成されている。同様に、インダクタＬ２とキャパシタＣ２とで並列共振回路ＬＣ２が構成されている。インダクタＬ３とキャパシタＣ３とで並列共振回路ＬＣ３が構成されている。インダクタＬ４とキャパシタＣ４とで並列共振回路ＬＣ４が構成されている。共振回路ＬＣ１とＬＣ２との間にはキャパシタＣ１２が接続されている。同様に、共振回路ＬＣ２とＬＣ３との間にはキャパシタＣ２３が接続されている。共振回路ＬＣ３とＬＣ４との間にはキャパシタＣ３４が接続されている。以上の回路部分によって、４段の共振回路がキャパシタを介して結合されたバンドパスフィルタの基本回路が構成されている。

バンドパスフィルタを構成する４段の共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４のうち、並列共振回路ＬＣ１は入力段の共振回路であり、外部結合用のキャパシタＣ１０を介して入力ポートＰ１に結合している。並列共振回路ＬＣ２は中間段（２段目）の共振回路であり、入力段の並列共振回路ＬＣ１にキャパシタＣ１２を介して結合している。並列共振回路ＬＣ３は中間段（３段目）の共振回路であり、２段目の並列共振回路ＬＣ２にキャパシタＣ２３を介して結合している。並列共振回路ＬＣ４は、出力段の共振回路であり、３段目の並列共振回路ＬＣ３にキャパシタＣ３４を介して結合し、外部結合用のキャパシタＣ４０を介して出力ポートＰ２に結合している。

即ち、この高周波部品２１において、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４は、それぞれ、共振回路ＬＣ１，ＬＣ２，ＬＣ３，ＬＣ４の共振用インダクタとして作用する。キャパシタＣ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９は、共振回路ＬＣ１，ＬＣ２，ＬＣ３，ＬＣ４の共振用キャパシタとして作用する。キャパシタＣ１２，Ｃ２３，Ｃ３４は、共振回路ＬＣ１，ＬＣ２，ＬＣ３，ＬＣ４の間を接続する共振器間結合用キャパシタとして作用する。キャパシタＣ１０，Ｃ４０は、共振回路ＬＣ１，ＬＣ２，ＬＣ３，ＬＣ４を入出力ポートＰ１，Ｐ２と結合させる外部結合用キャパシタとして作用する。

また、上記共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４のうち、近接する共振回路ＬＣ１とＬＣ２は互いに電磁界結合する。同様に、共振回路ＬＣ３とＬＣ４は互いに電磁界結合する。すなわち、インダクタＬ１とＬ２は電磁界結合し、インダクタＬ３とＬ４は電磁界結合する。

図９（Ａ）は、第３の実施形態に係る高周波部品２１の透過斜視図である。

高周波部品２１は、積層体２２を備えている。積層体２２は直方体状であり、底面および天面に垂直な方向を積層方向として、複数の絶縁体層を積層して構成されている。また、積層体２２を構成する絶縁体層の層間には、積層方向に直交する方向に延びる線状導体が形成されている。また、積層体２２を構成する絶縁体層の層間には、積層方向に直交する方向に拡がる平面導体が形成されている。また、積層体２２を構成する各絶縁体層には、各絶縁層を積層方向に貫通する層間接続導体が形成されている。積層体２２の外面には、入出力電極２３Ａ，２３Ｂと、グランド電極２３Ｃと、が設けられている。積層体２２の内部には、横巻コイル２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄと、内側キャパシタ２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄ，２６Ｅと、外側キャパシタ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，２７Ｄと、が設けられている。

入出力電極２３Ａは、積層体２２の天面から左側面を経由して底面まで延びている。入出力電極２３Ｂは、積層体２２の天面から右側面を経由して底面まで延びている。グランド電極２３Ｃは、積層体２２の底面に設けられている。

横巻コイル２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄは、積層体２２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。横巻コイル２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄそれぞれは、少なくとも３つ以上の層間接続導体と、少なくとも３つ以上の線状導体とを接続して構成されている。各横巻コイル２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄは、積層体２２を構成する絶縁体層の積層方向に対して直交する方向に延びる巻回軸、ここでは、積層体２２の左側面と右側面との間を結ぶ方向に延びる巻回軸を中心に、積層体２２の天面および底面と直交し、左側面および右側面と平行な平面内で複数ターン巻回されたスパイラル状に形成されている。

内側キャパシタ２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄ，２６Ｅは、積層体２２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。内側キャパシタ２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄ，２６Ｅそれぞれは、積層体２２の天面および底面と平行である平面導体同士が絶縁体層を介在した状態で対向して形成されている。

外側キャパシタ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，２７Ｄは、積層体２２の内部で、左側面側から右側面側にかけて順に配列されている。外側キャパシタ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，２７Ｄそれぞれは、積層体２２の天面および底面と平行である平面導体同士が絶縁体層を介在した状態で対向して形成されている。なお、ここでは、外側キャパシタ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，２７Ｄを構成する平面導体の一方を共通電極であるグランド電極ＧＮＤとしている。

積層体２２に設けられた各構成と、図８（Ａ）に示した回路の各回路素子との対応関係は次のとおりである。入出力電極２３Ａは、図８（Ａ）における入力ポートＰ１に相当する。入出力電極２３Ｂは、図８（Ａ）における出力ポートＰ２に相当する。横巻コイル２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄは、図８（Ａ）における共振用インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４に相当する。内側キャパシタ２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄは、図８（Ａ）における共振器間結合用キャパシタＣ１２，Ｃ２３，Ｃ３４に相当する。内側キャパシタ２６Ａ，２６Ｅは、図８（Ａ）における外部結合用キャパシタＣ１０，Ｃ４０に相当する。外側キャパシタ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，２７Ｄは、図８（Ａ）における共振用キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に相当する。

図９（Ｂ）は、積層体２２における横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄの配置位置を示す模式的な断面図である。図９（Ｃ）は、積層体２２における内側キャパシタ２６Ａ〜２６Ｅと、外側キャパシタ２７Ａ〜２７Ｄとの配置位置を示す模式的な断面図である。図９（Ｂ）および図９（Ｃ）は、積層体２２の正面および背面と平行な面での積層体２２の断面図である。

横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのうち隣接する横巻コイルのコイル開口は、それぞれの正面に互いが対向しており、積層体２２を左側面側や右側面側から、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄの巻回軸に沿って透視した場合に、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄそれぞれのコイル開口が重なって一致するように配置されている。したがって、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄは互いに電磁界結合している。ここで、積層体２２を左側面側や右側面側から透視した場合に、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄそれぞれのコイル開口が重なる積層体２２の領域を、内側領域２９として図９（Ｂ）および図９（Ｃ）中に示している。

そして、この構成では、内側キャパシタ２６Ａ〜２６Ｅを、内側領域２９、即ち、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのコイル開口内に配置している。このため、積層体２２においては、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのコイル開口範囲外に、内側キャパシタ２６Ａ〜２６Ｅを配置するためのスペースが不要となり、積層体２２の底面積や層数を低減して積層体２２を小型に構成することができる。または、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのコイル巻回数を増やすことやコイル開口を大きくすることで、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのインダクタンスを大きくすることができる。

また、ここでは、共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４を外側キャパシタ２７Ａ〜２７Ｄとして構成している。共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４は、内側キャパシタとして構成することもできるが、共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４のキャパシタンスが大きい場合には大きな電極面積を要することになるため、共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４を内側キャパシタとして構成すると、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄとの間に生じる不要な結合が大きくなって横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのコイル特性や、共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４によるフィルタ特性が劣化することがある。そのため、ここでは、共振用キャパシタＣ１〜Ｃ４を外側キャパシタ２７Ａ〜２７Ｄとして構成し、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのコイル特性や、共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４によるフィルタ特性が劣化することを防いでいる。

また、この構成では、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄと内側キャパシタ２６Ａ〜２６Ｅとを接続するために要する接続配線を短縮することができ、接続配線に生じる寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスによって、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのコイル特性や、共振回路ＬＣ１〜ＬＣ４によるフィルタ特性が劣化することを抑制している。

図１０は、高周波部品２１を構成する積層体２２の各絶縁体層に形成された導体パターン（線状導体および平面導体）を示す積層体２２の分解平面図である。図中には、積層体２２の底面側から天面側にかけて、第１層から第１２層までを順に示している。

第１層目の導体パターンは、積層体２２の底面に露出する導体パターンであり、平面導体１−Ａ，１−Ｂ，１−Ｃを含んでいる。平面導体１−Ａは、図９に示した入出力電極２３Ａの一部を構成している。平面導体１−Ｂは、図９に示したグランド電極２３Ｃを構成している。平面導体１−Ｃは、図９に示した入出力電極２３Ｂの一部を構成している。

第２層目の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体２−Ａを含んでいる。平面導体２−Ａは、層間接続導体を介して平面導体１−Ｂ（グランド電極２３Ｃ）に接続され、グランド電極ＧＮＤを構成している。

第３層目の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体３−Ａ，３−Ｂ，３−Ｃ，３−Ｄを含んでいる。平面導体３−Ａは、平面導体２−Ａと対向して図９に示した外側キャパシタ２７Ａを構成している。平面導体３−Ｂは、平面導体２−Ａと対向して図９に示した外側キャパシタ２７Ｂを構成している。平面導体３−Ｃは、平面導体２−Ａと対向して図９に示した外側キャパシタ２７Ｃを構成している。平面導体３−Ｄは、平面導体２−Ａと対向して図９に示した外側キャパシタ２７Ｄを構成している。

第４層目の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体４−Ａ，４−Ｂを含んでいる。線状導体４−Ａは、図９に示した横巻コイル２４Ａの一部を構成している。線状導体４−Ｂは、図９に示した横巻コイル２４Ｄの一部を構成している。

第５層目の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体５−Ａ，５−Ｂ，５−Ｃ，５−Ｄを含んでいる。線状導体５−Ａは、図９に示した横巻コイル２４Ａの一部を構成している。線状導体５−Ｂは、図９に示した横巻コイル２４Ｂの一部を構成している。線状導体５−Ｃは、図９に示した横巻コイル２４Ｃの一部を構成している。線状導体５−Ｄは、図９に示した横巻コイル２４Ｄの一部を構成している。

第６層目の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体６−Ａ，６−Ｂ，６−Ｃ，６−Ｄを含んでいる。線状導体６−Ａは、図９に示した横巻コイル２４Ａの一部を構成している。線状導体６−Ｂは、図９に示した横巻コイル２４Ｂの一部を構成している。線状導体６−Ｃは、図９に示した横巻コイル２４Ｃの一部を構成している。線状導体６−Ｄは、図９に示した横巻コイル２４Ｄの一部を構成している。

第７層の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体７−Ａ，７−Ｂ，７−Ｃ，７−Ｄを含んでいる。平面導体７−Ａは図９に示した内側キャパシタ２６Ａの一部を構成している。平面導体７−Ｂは図９に示した内側キャパシタ２６Ｃの一部を構成している。平面導体７−Ｃは図９に示した内側キャパシタ２６Ｃの一部を構成している。平面導体７−Ｄは図９に示した内側キャパシタ２６Ｅの一部を構成している。

第８層の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体８−Ａ，８−Ｂ，８−Ｃを含んでいる。平面導体８−Ａは図９に示した内側キャパシタ２６Ａの一部を構成している。平面導体８−Ｂは図９に示した内側キャパシタ２６Ｃの一部を構成している。平面導体８−Ｃは図９に示した内側キャパシタ２６Ｅの一部を構成している。

第９層の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体９−Ａ，９−Ｂ，９−Ｃ，９−Ｄを含んでいる。平面導体９−Ａは図９に示した内側キャパシタ２６Ａの一部と、内側キャパシタ２６Ｂの一部とを構成している。平面導体９−Ｂは図９に示した内側キャパシタ２６Ｃの一部と、内側キャパシタ２６Ｂの一部とを構成している。平面導体９−Ｃは図９に示した内側キャパシタ２６Ｃの一部と、内側キャパシタ２６Ｄの一部とを構成している。平面導体９−Ｄは図９に示した内側キャパシタ２６Ｅの一部と、内側キャパシタ２６Ｄの一部とを構成している。

第１０層の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、平面導体１０−Ａ，１０−Ｂを含んでいる。平面導体１０−Ａは図９に示した内側キャパシタ２６Ｂの一部を構成している。平面導体１０−Ｂは図９に示した内側キャパシタ２６Ｄの一部を構成している。

第１１層目の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体１１−Ａ，１１−Ｂ，１１−Ｃ，１１−Ｄを含んでいる。線状導体１１−Ａは、図９に示した横巻コイル２４Ａの一部を構成している。線状導体１１−Ｂは、図９に示した横巻コイル２４Ｂの一部を構成している。線状導体１１−Ｃは、図９に示した横巻コイル２４Ｃの一部を構成している。線状導体１１−Ｄは、図９に示した横巻コイル２４Ｄの一部を構成している。

第１２層目の導体パターンは、積層体２２の内部に形成される導体パターンであり、線状導体１２−Ａ，１２−Ｂ，１２−Ｃ，１２−Ｄを含んでいる。線状導体１２−Ａは、図９に示した横巻コイル２４Ａの一部を構成している。線状導体１２−Ｂは、図９に示した横巻コイル２４Ｂの一部を構成している。線状導体１２−Ｃは、図９に示した横巻コイル２４Ｃの一部を構成している。線状導体１２−Ｄは、図９に示した横巻コイル２４Ｄの一部を構成している。

即ち、第８層の平面導体８−Ａが、第７層の平面導体７−Ａおよび第９層の平面導体９−Ａに対向して、図９に示した内側キャパシタ２６Ａが構成されている。なお、第７層の平面導体７−Ａと第９層の平面導体９−Ａとは、層間接続導体を介して導通している。第１０層の平面導体１０−Ａが、第９層の平面導体９−Ａおよび平面導体９−Ｂに対向して、図９に示した内側キャパシタ２６Ｂが構成されている。第８層の平面導体８−Ｂが、第７層の平面導体７−Ｂおよび平面導体７−Ｃと、第９層の平面導体９−Ｂおよび平面導体９−Ｃに対向して、図９に示した内側キャパシタ２６Ｃが構成されている。なお、第７層の平面導体７−Ｂと第９層の平面導体９−Ｂとは、層間接続導体を介して導通している。また、第７層の平面導体７−Ｃと第９層の平面導体９−Ｃとは、層間接続導体を介して導通している。第１０層の平面導体１０−Ｂが、第９層の平面導体９−Ｃおよび平面導体９−Ｄに対向して、図９に示した内側キャパシタ２６Ｄが構成されている。第８層の平面導体８−Ｃが、第７層の平面導体７−Ｄおよび第９層の平面導体９−Ｄに対向して、図９に示した内側キャパシタ２６Ｅが構成されている。なお、第７層の平面導体７−Ｄと第９層の平面導体９−Ｄとは、層間接続導体を介して導通している。

第４層の線状導体４−Ａと、第１２層の線状導体１２−Ａと、第５層の線状導体５−Ａと、第１１層の線状導体１１−Ａと、第６層の線状導体６−Ａと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図９に示した横巻コイル２４Ａが構成されている。第１２層の線状導体１２−Ｂと、第５層の線状導体５−Ｂと、第１１層の線状導体１１−Ｂと、第６層の線状導体６−Ｂと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図９に示した横巻コイル２４Ｂが構成されている。第１２層の線状導体１２−Ｃと、第５層の線状導体５−Ｃと、第１１層の線状導体１１−Ｃと、第６層の線状導体６−Ｃと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図９に示した横巻コイル２４Ｃが構成されている。第４層の線状導体４−Ｂと、第１２層の線状導体１２−Ｄと、第５層の線状導体５−Ｄと、第１１層の線状導体１１−Ｄと、第６層の線状導体６−Ｄと、を順に層間接続導体を介してスパイラル状に接続して、図９に示した横巻コイル２４Ｄが構成されている。

なお、この第３の実施形態においても、横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのそれぞれにおいて、異なるターンを構成しつつ積層方向に近接する２つの線状導体が、異なる線路幅で設けられている。これにより、線状導体の形成位置に製造ずれがあったとしても、線状導体間の対向面積が安定したものになる。このため、各横巻コイル２４Ａ〜２４Ｄのインダクタンスの値を安定させることができる。

また、いずれかの、または、すべての線状導体を複層化してもよい。そのことによって、線状導体の実効断面積が増加するため、配線抵抗が低下する。これにより、横巻コイル２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄそれぞれが構成する共振回路ＬＣ１，ＬＣ２，ＬＣ３，ＬＣ４のＱ値を高めることができる。

以上の各実施形態に示したように、本発明の高周波部品は多様なＬＣ共振回路を構成することができ、いずれの場合であっても横巻コイルと内側キャパシタとを設けることにより、積層体を小型化することができる。

なお、上述の各実施形態においては、横巻コイルにより、ＬＣ共振回路の共振用インダクタを構成する例を示したが、横巻コイルはその他のインダクタ、例えば、ＬＣ共振回路の間を結合させる共振器間結合用インダクタや、ＬＣ共振回路と入出力端子との間を結合させる外部端子結合用インダクタなどを構成してもよい。また、内側キャパシタによりＬＣ共振回路の間を結合させる共振器間結合用キャパシタを構成する例を示したが、内側キャパシタはその他のキャパシタ、例えば、ＬＣ共振回路の共振用キャパシタや、ＬＣ共振回路と入出力端子との間を結合させる外部結合用キャパシタなどを構成してもよい。また、縦巻コイルによりＬＣ共振回路とシリーズに接続されるインダクタを構成する例を示したが、縦巻コイルはその他のインダクタ、例えば、ＬＣ共振回路の一部を構成する共振用インダクタや、ＬＣ共振回路の間を結合させる共振器間結合用インダクタなどを構成してもよい。今回の実施例においては、特定の段数における実施例ではあるが、実施例の段数に限らず、発明の範囲内で多段化しても良く、実施例に示されていないが、帯域阻止フィルタに適用しても良い。

また、上述のいずれの実施形態においても、共振回路と入出力端子との外部結合は、インダクタを介した電磁界結合により実現してもよく、また、キャパシタを介した容量結合により実現してもよく、また、直接配線によるタップ結合により実現してもよい。

なお、少なくとも入出力段と中間段とを含む複数段のＬＣ共振回路を構成する場合には、中間段のＬＣ共振回路を構成する横巻コイルは、入出力段のＬＣ共振回路を構成する横巻コイルよりも線状導体の幅を広くして、低抵抗にすると好適である。このようにすれば、特に中間段に形成される横巻コイルのＱ値を高めて、挿入損失を大きく改善することができる。

Ｐ１，Ｐ２…入出力ポート
ＬＣ１，ＬＣ２，ＬＣ３，ＬＣ４…共振回路
１，１１，２１…高周波部品
２，１２，２２…積層体
３Ａ，３Ｂ，１３Ａ，１３Ｂ，２３Ａ，２３Ｂ…入出力電極
３Ｃ，１３Ｃ，２３Ｃ…グランド電極
４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，１４Ａ，１４Ｂ，２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄ…横巻コイル
５Ａ，５Ｂ…縦巻コイル
６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，１６Ａ，１６Ｂ，２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄ，２６Ｅ…内側キャパシタ
７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆ，１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，２７Ｄ…外側キャパシタ
９，１９，２９…内側領域

Claims (13)

1. 複数の絶縁体層を積層方向に積層した積層体と、前記絶縁体層の表面に沿って延びる線状導体と、前記絶縁体層を貫通する層間接続導体と、前記絶縁体層の表面に沿って拡がる平面導体とを備える高周波部品において、
   前記積層方向と直交する方向に延びる巻回軸を中心に、当該巻回軸と垂直な平面内で複数ターン巻回されたスパイラル状に前記線状導体および前記層間接続導体を設けてなる横巻コイルと、
   前記絶縁体層を介在させて対向する前記平面導体で構成されており、前記横巻コイルの巻回軸に沿って視て前記横巻コイルのコイル開口内に配置されている内側キャパシタと、
   を備え、
   複数の前記横巻きコイルを、前記巻回軸に沿って並ぶように設け、
   前記複数の横巻きコイルそれぞれを、前記内側キャパシタのいずれかの平面導体に前記層間接続導体を介して接続することにより、前記複数の横巻きコイルをそれぞれ個別のインダクタとして前記内側キャパシタとともに接続した回路を構成し、
   互いに隣接する前記横巻コイル間の間隔が、一部の前記横巻コイル間で他の前記横巻きコイル間とは異なる、高周波部品。
2. 前記横巻コイルの巻回方向が、一部の前記横巻コイルで他の前記横巻きコイルとは異なる、請求項１に記載の高周波部品。
3. 複数の絶縁体層を積層方向に積層した積層体と、前記絶縁体層の表面に沿って延びる線状導体と、前記絶縁体層を貫通する層間接続導体と、前記絶縁体層の表面に沿って拡がる平面導体とを備える高周波部品において、
   前記積層方向と直交する方向に延びる巻回軸を中心に、当該巻回軸と垂直な平面内で複数ターン巻回されたスパイラル状に前記線状導体および前記層間接続導体を設けてなる横巻コイルと、
   前記絶縁体層を介在させて対向する前記平面導体で構成されており、前記横巻コイルの巻回軸に沿って視て前記横巻コイルのコイル開口内に配置されている内側キャパシタと、
   を備え、
   複数の前記横巻きコイルを、前記巻回軸に沿って並ぶように設け、
   前記複数の横巻きコイルそれぞれを、前記内側キャパシタのいずれかの平面導体に前記層間接続導体を介して接続することにより、前記複数の横巻きコイルをそれぞれ個別のインダクタとして前記内側キャパシタとともに接続した回路を構成し、
   前記横巻コイルの巻回方向が、一部の前記横巻コイルで他の前記横巻きコイルとは異なる、高周波部品。
4. 前記絶縁体層を介在させて対向する前記平面導体で構成されており、前記横巻コイルの巻回軸に沿って視て、前記横巻コイルよりも外側に配置された外側キャパシタと、
   前記積層体の表面に設けられた第１の入出力電極および第２の入出力電極と、
   を更に備え、
   前記第１の入出力電極と前記第２の入出力電極との間に直列に接続された全てのキャパシタを前記内側キャパシタで構成し、前記第１の入出力電極と前記第２の入出力電極との間からグランドまでの間に接続されたキャパシタを前記外側キャパシタで構成した、
   請求項１〜３のいずれかに記載の高周波部品。
5. 複数の絶縁体層を積層方向に積層した積層体と、前記絶縁体層の表面に沿って延びる線状導体と、前記絶縁体層を貫通する層間接続導体と、前記絶縁体層の表面に沿って拡がる平面導体とを備える高周波部品において、
   前記積層方向と直交する方向に延びる巻回軸を中心に、当該巻回軸と垂直な平面内で複数ターン巻回されたスパイラル状に前記線状導体および前記層間接続導体を設けてなる横巻コイルと、
   前記絶縁体層を介在させて対向する前記平面導体で構成されており、前記横巻コイルの巻回軸に沿って視て前記横巻コイルのコイル開口内に配置されている内側キャパシタと、
   前記絶縁体層を介在させて対向する前記平面導体で構成されており、前記横巻コイルの巻回軸に沿って視て、前記横巻コイルよりも外側に配置された外側キャパシタと、
   前記積層体の表面に設けられた第１の入出力電極および第２の入出力電極と、
   を備え、
   複数の前記横巻きコイルを、前記巻回軸に沿って並ぶように設け、
   前記第１の入出力電極と前記第２の入出力電極との間に直列に接続された全てのキャパシタを前記内側キャパシタで構成し、前記第１の入出力電極と前記第２の入出力電極との間からグランドまでの間に接続されたキャパシタを前記外側キャパシタで構成し、前記複数の横巻きコイルそれぞれを、前記内側キャパシタのいずれかの平面導体に前記層間接続導体を介して接続することにより、前記複数の横巻きコイルをそれぞれ個別のインダクタとして構成した、
   高周波部品。
6. 前記内側キャパシタと前記外側キャパシタとのうちの少なくとも一方の平面導体間に位置する絶縁体層は、比誘電率が他の絶縁層よりも大きくなるように構成されている、請求項４または請求項５に記載の高周波部品。
7. 複数の前記内側キャパシタを、前記巻回軸に沿って並ぶように設けた、請求項１〜６のいずれかに記載の高周波部品。
8. 前記積層方向に延びる巻回軸を中心に巻回された前記線状導体を含んで構成される縦巻コイルをさらに備え、
   前記縦巻コイルは、前記横巻コイルの巻回軸に沿って視て、前記横巻コイルのコイル開口内に配置されている、請求項１〜７のいずれかに記載の高周波部品。
9. 前記横巻コイルを構成する複数の線状導体のうち、異なるターンを構成しつつ積層方向に近接する２つの線状導体が、異なる線路幅で設けられている、請求項１〜８のいずれかに記載の高周波部品。
10. 前記横巻コイルを構成する複数の線状導体のうち、同じターンを構成しつつ積層方向に近接する２つの線状導体が、前記層間接続導体により並列接続されている、請求項１〜９のいずれかに記載の高周波部品。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載の高周波部品にフィルタ回路を構成したフィルタ部品であって、
    前記フィルタ回路は、それぞれに前記横巻コイルを含む複数のＬＣ共振回路を備え、
    各ＬＣ共振回路を構成する横巻コイルは、互いの巻回軸が並行し、巻回軸に沿って視て互いのコイル開口が重なっていることを特徴とする、フィルタ部品。
12. 前記内側キャパシタは、前記複数のＬＣ共振回路の間を結合させる共振器間結合用キャパシタを構成している、請求項１１に記載のフィルタ部品。
13. 前記複数のＬＣ共振回路は、入出力段のＬＣ共振回路と、前記入出力段のＬＣ共振回路の間に結合する中間段のＬＣ共振回路と、を含んでおり、
    前記中間段のＬＣ共振回路に含まれる前記横巻コイルは、前記入出力段のＬＣ共振回路に含まれる前記横巻コイルよりも、前記横巻コイルを構成する線状導体の幅が広い、請求項１１または１２に記載のフィルタ部品。