TWI505300B - Electronic Parts - Google Patents

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TWI505300B
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Description

電子零件
本發明係關於一種電子零件，更特定而言，係關於具備3個以上之LC並聯諧振器之電子零件。
作為習知電子零件相關之發明，已知有例如專利文獻1記載之三維螺旋電感器。該三維螺旋電感器係設在積層體內且在與積層方向正交之方向延伸之捲繞軸之周圍旋繞之螺旋狀之線圈。此種三維螺旋電感器係用於例如低通濾波器。
使用有三維螺旋電感器之低通濾波器，係例如三維螺旋電感器及電容器所構成之複數個LC並聯諧振器串聯而構成。三維螺旋電感器呈螺旋狀，因此相較於漩渦狀之電感器，具有較大之空芯徑。是以，三維螺旋電感器，相較於漩渦狀之電感器，可獲得較高Q值。因此，可謀求降低低通濾波器之插入損耗。
然而，在低通濾波器，三維螺旋電感器係配置成以彼此之捲繞軸大致一致之方式排列成一列。因此，三維螺旋電感器彼此過於接近，三維螺旋電感器彼此之電磁耦合變強。因此，在低通濾波器，高頻訊號容易在三維螺旋電感器間傳送。其結果，在低通濾波器之通帶以外之帶域無法獲得充分之衰減量。
專利文獻1：日本特開2006-190934號公報(圖16a)
因此，本發明之目的在於提供一種可謀求降低插入損耗並同時在通帶以外之帶域獲得充分之衰減量之電子零件。
本發明一形態之電子零件，具備：元件本體；以及串聯之第一LC並聯諧振器至第n(n係3以上之整數)LC並聯諧振器；該第一LC並聯諧振器至該第nLC並聯諧振器分別包含第一電感器至第n電感器及第一電容器至第n電容器；該第一電感器至該第n電感器係以在第1方向依序排列之方式設在該元件本體；該第一電感器及該第n電感器呈在沿著該第1方向之捲繞軸旋繞之漩渦狀；該第二電感器至該第n-1電感器中之至少一個電感器呈在沿著該第1方向之捲繞軸旋繞之螺旋狀。
根據本發明，可謀求降低插入損耗並同時在通帶以外之帶域獲得充分之衰減量。
C1~C7‧‧‧電容器
L1~L3‧‧‧電感器
LC1~LC3‧‧‧LC並聯諧振器
v1~v22‧‧‧通孔導體
10‧‧‧電子零件
12‧‧‧積層體
14a~14h‧‧‧外部端子
16a~16z,16aa~16ii‧‧‧絕緣體層
18a~18p,22a~22u,26a~26p‧‧‧電感器導體
20a,20b,24a,24b‧‧‧連接導體
28a,28b,30a,30b,32a,32b,34a,34b,36a,36b,38a,38b,40a~40c‧‧‧電容器導體
42‧‧‧接地導體
圖1A係本申請發明之電子零件10之等效電路圖。
圖1B係圖1A之電子零件10之外觀立體圖。
圖2A係電子零件10之積層體12之分解立體圖。
圖2B係電子零件10之積層體12之分解立體圖。
圖2C係電子零件10之積層體12之分解立體圖。
圖2D係電子零件10之積層體12之分解立體圖。
圖3係顯示電子零件10之通過特性之圖表。
以下，說明本發明實施形態之電子零件。
(電子零件之構成)
以下，參照圖式說明本發明一實施形態之濾波器之構成。圖1A係本申請發明之電子零件10之等效電路圖。圖1B係圖1A之電子零件10之外觀立體圖。圖2A至圖2D係電子零件10之積層體12之分解立體圖。以下，上下方向顯示絕緣體層16之積層方向。又，從上側俯視時，將沿著電子零件10之長邊之方向定義成前後方向，將沿著電子零件10之短邊之方向定義成左右方向。上下方向、前後方向及左右方向彼此正交。
電子零件10之等效電路，如圖1A所示，具備LC並聯諧振器LC1~LC3、電容器C4~C7及外部端子14a~14h。LC並聯諧振器LC1包含電感器L1及電容器C1。LC並聯諧振器LC2包含電感器L2及電容器C2。LC並聯諧振器LC3包含電感器L3及電容器C3。又，LC並聯諧振器LC1~LC3，在外部端子14a與外部端子14b之間依序串聯。又，LC並聯諧振器LC2之諧振頻率較LC並聯諧振器LC1之諧振頻率及LC並聯諧振器LC3之諧振頻率低。
電容器C4係連接於外部端子14a與LC並聯諧振器LC1之連接點與外部端子14c~14h之間。電容器C5係連接於LC並聯諧振器LC1與LC並聯諧振器LC2之連接點與外部端子14c~14h之間。電容器C6係連接於LC並聯諧振器LC2與LC並聯諧振器LC3之連接點與外部端子14c~14h之間。電容器C7係連接於LC並聯諧振器LC3與外部端子14b之連接點與外部端子14c~14h之間。
上述電子零件10係用作為低通濾波器。外部端子14a及外 部端子14b係用作為輸出入端子，外部端子14c~14h係用作為接地端子。
電子零件10，如圖1B及圖2A至圖2D所示，具備積層體12、外部端子14a~14h、電感器導體18a~18p,22a~22u,26a~26p、連接導體20a,20b,24a,24b、電容器導體28a,28b,30a,30b,32a,32b,34a,34b,36a,36b,38a,38b,40a~40c、接地導體42、及通孔導體v1~v22。
積層體12，如圖1B及圖2A至圖2D所示，係藉由絕緣體層16a~16z,16aa~16ii在上下方向積層而構成，呈長方體狀。又，積層體12內設有LC並聯諧振器LC1~LC3及電容器C4~C7。
絕緣體層16a~16z,16aa~16ii，如圖2A至圖2D所示，呈長方形，由例如與各導體同時燒成之陶瓷介電質構成。絕緣體層16a~16z,16aa~16ii，從上側往下側依序排列積層。在以下，將絕緣體層16a~16z,16aa~16ii上側之面稱為表面，將絕緣體層16a~16z,16aa~16ii下側之面稱為背面。此外，作為絕緣體層16a~16z,16aa~16ii，亦可使用樹脂層。
電感器L1呈在與前後方向平行之捲繞軸旋繞之漩渦狀，設在積層體12之前面附近。又，電感器L1由電感器導體18a~18p及通孔導體v1~v5構成。電感器導體18a~18c分別係設在絕緣體層16b~16d表面之線狀導體層，從絕緣體層16b~16d前側短邊之中央朝向後側稍微延伸後，朝向右側延伸之導體。電感器導體18a~18c之右端分別位於絕緣體層16b~16d右前方之角附近。
電感器導體18d分別係設在絕緣體層16z表面之線狀導體層，沿著絕緣體層16z前側短邊延伸。電感器導體18d之右端，從上側俯視時，與電感器導體18a~18c之右端重疊。
電感器導體18e~18g分別係設在絕緣體層16h~16j表面之線狀導體層，沿著絕緣體層16h~16j前側短邊延伸。電感器導體18e~18g之左端，從上側俯視時，與電感器導體18d之左端重疊。
電感器導體18h~18j分別係設在絕緣體層16w~16y表面之線狀導體層，沿著絕緣體層16w~16y前側短邊延伸。電感器導體18h~18j之右端，從上側俯視時，與電感器導體18e~18g之右端重疊。
電感器導體18k~18m分別係設在絕緣體層16k~16m表面之線狀導體層，沿著絕緣體層16k~16m前側短邊延伸。電感器導體18k~18m之左端，從上側俯視時，與電感器導體18h~18j之左端重疊。
電感器導體18n~18p分別係設在絕緣體層16t~16v表面之線狀導體層，從絕緣體層16t~16v前側短邊之右端附近朝向左側稍微延伸後，朝向後側延伸之導體。電感器導體18n~18p之右端，從上側俯視時，與電感器導體18k~18m之右端重疊。
通孔導體v1係在上下方向貫通絕緣體層16b~16y之層間連接導體。此外，通孔導體v1係藉由貫通絕緣體層16b~16y之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v1將電感器導體18a~18c之右端與電感器導體18d之右端加以連接。
通孔導體v2係在上下方向貫通絕緣體層16h~16y之層間連接導體。此外，通孔導體v2係藉由貫通絕緣體層16h~16y之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v2將電感器導體18d之左端與電感器導體18e~18g之左端加以連接。
通孔導體v3係在上下方向貫通絕緣體層16h~16x之層間連 接導體。此外，通孔導體v3係藉由貫通絕緣體層16h~16x之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v3將電感器導體18e~18g之右端與電感器導體18h~18j之右端加以連接。
通孔導體v4係在上下方向貫通絕緣體層16k~16x之層間連 接導體。此外，通孔導體v4係藉由貫通絕緣體層16k~16x之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v4將電感器導體18h~18j之左端與電感器導體18k~18m之左端加以連接。
通孔導體v5係在上下方向貫通絕緣體層16k~16u之層間連 接導體。此外，通孔導體v5係藉由貫通絕緣體層16k~16u之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v5將電感器導體18k~18m之右端與電感器導體18n~18p之右端加以連接。
此處，電感器導體18a~18c之一部分、電感器導體18d~18m 及電感器導體18n~18p，從上側俯視時彼此重疊。因此，電感器L1，從前側俯視時，呈在實質相同之平面上從外周側朝向中心往逆時針方向旋繞之漩渦狀。
電感器L3呈在與前後方向平行之捲繞軸旋繞之漩渦狀，設 在積層體12之後面附近。電感器L3具有與以往通過絕緣體層16a~16z,16aa~16ii之對角線之交差點之上下方向延伸之線為中心軸使電感器L1旋轉180°者相同之構造。又，電感器L3由電感器導體26a~26p及通孔導體v16~v20構成。
電感器導體26a~26c分別係設在絕緣體層16t~16v表面之線 狀導體層，從絕緣體層16t~16v前後方向之中央後側朝向後側延伸後，在絕 緣體層16t~16v之後側之短邊附近朝向左側延伸之導體。電感器導體26a~26c之左端分別位於絕緣體層16t~16v左後方之角附近。
電感器導體26d~26f分別係設在絕緣體層16k~16m表面之線 狀導體層，沿著絕緣體層16k~16m後側短邊延伸。電感器導體26d~26f之左端，從上側俯視時，與電感器導體26a~26c之左端重疊。
電感器導體26g~26i分別係設在絕緣體層16w~16y表面之線 狀導體層，沿著絕緣體層16w~16y後側短邊延伸。電感器導體26g~26i之右端，從上側俯視時，與電感器導體26d~26f之右端重疊。
電感器導體26j~26l分別係設在絕緣體層16h~16j表面之線狀 導體層，沿著絕緣體層16h~16j後側短邊延伸。電感器導體26j~26l之左端，從上側俯視時，與電感器導體26g~26i之左端重疊。
電感器導體26m分別係設在絕緣體層16z表面之線狀導體 層，沿著絕緣體層16z後側短邊延伸。電感器導體26m之右端，從上側俯視時，與電感器導體26j~26l之右端重疊。
電感器導體26n~26p分別係設在絕緣體層16b~16d表面之線 狀導體層，從絕緣體層16b~16d後側短邊之左端附近朝向右側稍微延伸後，朝向後側延伸且引出至絕緣體層16b~16d後側短邊之中央之導體。電感器導體26n~26p之左端，從上側俯視時，與電感器導體26m之左端重疊。
通孔導體v16係在上下方向貫通絕緣體層16k~16u之層間連 接導體。此外，通孔導體v16係藉由貫通絕緣體層16k~16u之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v16將電感器導體26a~26c之左端與電感器導體26d~26f之左端加以連接。
通孔導體v17係在上下方向貫通絕緣體層16k~16x之層間連 接導體。此外，通孔導體v17係藉由貫通絕緣體層16k~16x之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v17將電感器導體26d~26f之右端與電感器導體26g~26i之右端加以連接。
通孔導體v18係在上下方向貫通絕緣體層16h~16x之層間連 接導體。此外，通孔導體v18係藉由貫通絕緣體層16h~16x之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v18將電感器導體26g~26i之左端與電感器導體26j~26l之左端加以連接。
通孔導體v19係在上下方向貫通絕緣體層16h~16y之層間連 接導體。此外，通孔導體v19係藉由貫通絕緣體層16h~16y之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v19將電感器導體26j~26l之右端與電感器導體26m之右端加以連接。
通孔導體v20係在上下方向貫通絕緣體層16b~16y之層間連 接導體。此外，通孔導體v20係藉由貫通絕緣體層16b~16y之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v20將電感器導體26m之左端與電感器導體26n~26p之左端加以連接。
此處，電感器導體26a~26c之一部分、電感器導體26d~26m 及電感器導體26n~26p，從上側俯視時彼此重疊。因此，電感器L3，從前側俯視時，呈在實質相同之平面上從中心朝向外周側往逆時針方向旋繞之漩渦狀。
電感器L2呈在與前後方向平行之捲繞軸旋繞之螺旋狀，設 在積層體12之前後方向之中央附近。亦即，電感器L2係設在電感器L1與 電感器L3之間。藉此，電感器L1~L3從前側往後側依序排列。此外，呈漩渦狀之電感器L1,L3與呈螺旋狀之電感器L2在構造上之較大差異，係是否以在前後方向具有既定長度之狀態形成在積層體12。
又，電感器L2由電感器導體22a~22u及通孔導體v8~v13構 成。電感器導體22a~22c分別係設在絕緣體層16t~16v表面之線狀導體層，從絕緣體層16t~16v之前後方向之中央前側朝向後側稍微延伸後，朝向右側延伸之導體。電感器導體22a~22c之右端分別位於絕緣體層16t~16v右側之長邊附近。
電感器導體22a~22f分別係設在絕緣體層16b~16d表面之線 狀導體層，在絕緣體層16b~16d之前後方向之中央之稍微前側往左右方向延伸。電感器導體22a~22f之右端，從上側俯視時，與電感器導體22a~22c之右端重疊。
電感器導體22g~22i分別係設在絕緣體層16q~16s表面之線 狀導體層，在絕緣體層16q~16s之前後方向之中央之稍微前側往左右方向延伸。其中，電感器導體22g~22i以朝向右後側延伸之方式相對於左右方向稍微傾斜。電感器導體22g~22i之左端，從上側俯視時，與電感器導體22d~22f之左端重疊。
電感器導體22j~22l分別係設在絕緣體層16e~16g表面之線狀導體層，在絕緣體層16e~16g之前後方向之中央往左右方向延伸。電感器導體22j~22l之右端，從上側俯視時，與電感器導體22g~22i之右端重疊。
電感器導體22m~22o分別係設在絕緣體層16n~16p表面之線狀導體層，在絕緣體層16n~16p之前後方向之中央之稍微後側往左右方向延 伸。其中，電感器導體22m~22o以朝向右後側延伸之方式相對於左右方向稍微傾斜。電感器導體22m~22o之左端，從上側俯視時，與電感器導體22j~22l之左端重疊。
電感器導體22p~22r分別係設在絕緣體層16b~16d表面之線 狀導體層，在絕緣體層16b~16d之前後方向之中央之稍微後側往左右方向延伸。電感器導體22p~22r之右端，從上側俯視時，與電感器導體22m~22o之右端重疊。
電感器導體22s~22u分別係設在絕緣體層16t~16v表面之線 狀導體層，在絕緣體層16t~16v之前後方向之中央之稍微後側從絕緣體層16t~16v之左側長邊附近朝向右後側延伸後朝向後側稍微延伸之導體。電感器導體22s~22u之左端，從上側俯視時，與電感器導體22p~22r之左端重疊。
如上述，電感器導體22d~22f與電感器導體22j~22l與電感 器導體22p~22r從前側往後側排列且彼此平行。又，電感器導體22g~22i與電感器導體22m~22o從前側往後側排列且彼此平行。再者，電感器導體22g~22i及電感器導體22m~22o係設在位於電感器導體22d~22f、電感器導體22j~22l及電感器導體22p~22r下側之絕緣體層。
通孔導體v8係在上下方向貫通絕緣體層16b~16u之層間連 接導體。此外，通孔導體v8係藉由貫通絕緣體層16b~16u之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v8將電感器導體22a~22c之右端與電感器導體22d~22f之右端加以連接。
通孔導體v9係在上下方向貫通絕緣體層16b~16r之層間連 接導體。此外，通孔導體v9係藉由貫通絕緣體層16b~16r之各個之複數個 通孔導體相連而構成。通孔導體v9將電感器導體22d~22f之左端與電感器導體22g~22i之左端加以連接。
通孔導體v10係在上下方向貫通絕緣體層16e~16r之層間連 接導體。此外，通孔導體v10係藉由貫通絕緣體層16e~16r之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v10將電感器導體22g~22i之右端與電感器導體22j~22l之右端加以連接。
通孔導體v11係在上下方向貫通絕緣體層16e~16o之層間連 接導體。此外，通孔導體v11係藉由貫通絕緣體層16e~16o之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v11將電感器導體22j~22l之左端與電感器導體22m~22o之左端加以連接。
通孔導體v12係在上下方向貫通絕緣體層16b~16o之層間連 接導體。此外，通孔導體v12係藉由貫通絕緣體層16b~16o之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v12將電感器導體22m~22o之右端與電感器導體22p~22r之左端加以連接。
通孔導體v13係在上下方向貫通絕緣體層16b~16u之層間連 接導體。此外，通孔導體v13係藉由貫通絕緣體層16b~16u之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v13將電感器導體22p~22r之左端與電感器導體22s~22u之右端加以連接。
上述電感器L2，呈從前側俯視時一邊往順時針方向旋繞一 邊朝向後側行進之螺旋狀。
上述電感器L1~L3，從前側俯視時彼此重疊。因此，電感器 L1~L3彼此電磁耦合。
電容器C1由電容器導體30a,30b,28a,28b構成。更詳細而 言，電容器導體30a,30b係分別設在絕緣體層16cc,16ee之表面，設在絕緣體層16cc,16ee之右半部分且前半部分之區域之長方形導體層。又，電容器導體30a,30b係分別引出至絕緣體層16cc,16ee前側短邊之中央。電容器導體28a,28b係分別設在絕緣體層16aa,16dd之表面，設在絕緣體層16aa,16dd之右半部分且前半部分之區域之長方形導體層。電容器導體28a,28b，從上側俯視時，與電容器導體30a,30b重疊。藉此，電容器導體28a係隔著絕緣體層16aa,16bb與電容器導體30a對向，電容器導體28b係隔著絕緣體層16cc與電容器導體30a對向，且隔著絕緣體層16dd與電容器導體30b對向。
電容器C2由電容器導體32a,32b,38a,38b,40a~40c構成。更 詳細而言，電容器導體32a,32b係分別設在絕緣體層16ee,16gg之表面，設在絕緣體層16ee,16gg之左半部分且前半部分之區域之長方形導體層。又，電容器導體38a,38b係分別設在絕緣體層16ee,16gg之表面，設在絕緣體層16ee,16gg之左半部分且後半部分之區域之長方形導體層。電容器導體40a,40b,40c係設在絕緣體層16aa,16dd,16ff之表面，在絕緣體層16aa,16dd,16ff之左半部分之區域往前後方向延伸之呈帶狀之導體層。電容器導體40a~40c，從上側俯視時，與電容器導體32a,32b,38a,38b重疊。藉此，電容器導體32a,38a係隔著絕緣體層16dd與電容器導體40b對向，且隔著絕緣體層16ee與電容器導體40c對向，電容器導體32b,38b係隔著絕緣體層16ff與電容器導體40c對向。
電容器C3由電容器導體36a,36b,34a,34b構成。更詳細而言，電容器導體36a,36b係分別設在絕緣體層16cc,16ee之表面，設在絕緣 體層16cc,16ee之右半部分且後半部分之區域之長方形導體層。又，電容器導體36a,36b係分別引出至絕緣體層16cc,16ee後側短邊之中央。電容器導體34a,34b係分別設在絕緣體層16aa,16dd之表面，設在絕緣體層16aa,16dd之右半部分且後半部分之區域之長方形導體層。電容器導體34a,34b，從上側俯視時，與電容器導體36a,36b重疊。藉此，電容器導體34a係隔著絕緣體層16aa,16bb與電容器導體36a對向，電容器導體34b係隔著絕緣體層16cc與電容器導體36a對向，且隔著絕緣體層16dd與電容器導體36b對向。
電容器C4由電容器導體30b及接地導體42構成。更詳細而 言，接地導體42係覆蓋絕緣體層16hh之大致整面之長方形導體層，從上側俯視時，與電容器導體30b重疊。藉此，電容器導體30b係隔著絕緣體層16ee~16gg與接地導體42對向。又，接地導體42係引出至左側長邊之三處及右側長邊之三處。
電容器C5由電容器導體32b及接地導體42構成。更詳細而 言，接地導體42，從上側俯視時，與電容器導體32b重疊。藉此，電容器導體32b係隔著絕緣體層16ff,16gg與接地導體42對向。
電容器C6由電容器導體38b及接地導體42構成。更詳細而 言，接地導體42，從上側俯視時，與電容器導體38b重疊。藉此，電容器導體38b係隔著絕緣體層16gg與接地導體42對向。
電容器C7由電容器導體36b及接地導體42構成。更詳細而 言，接地導體42，從上側俯視時，與電容器導體36b重疊。藉此，電容器導體36b係隔著絕緣體層16gg與接地導體42對向。
通孔導體v6,v7,v21及連接導體20a,20b構成將LC並聯諧 振器LC1與LC並聯諧振器LC2之間與電容器C5加以連接之連接部。更詳細而言，連接導體20a,20b係分別設在絕緣體層16z,16bb之表面，在絕緣體層16z,16bb之前半部分之區域往前後方向延伸之線狀導體層。連接導體20a,20b之前端，從上側俯視時，與電感器導體18n~18p之後端重疊。連接導體20a,20b之後端，從上側俯視時，與電感器導體22a~22c之左端重疊。
通孔導體v6係在上下方向貫通絕緣體層16t~16aa之層間連 接導體。此外，通孔導體v6係藉由貫通絕緣體層16t~16aa之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v6將電感器導體18n~18p之後端與連接導體20a,20b之前端加以連接。
通孔導體v7係在上下方向貫通絕緣體層16t~16aa之層間連 接導體。此外，通孔導體v7係藉由貫通絕緣體層16t~16aa之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v7將電感器導體22a~22c之左端與連接導體20a,20b之後端加以連接。因此，通孔導體v6,v7及連接導體20a,20b將電感器L1與電感器L2加以連接。
通孔導體v21係在上下方向貫通絕緣體層16z~16ff之層間連 接導體。此外，通孔導體v21係藉由貫通絕緣體層16z~16ff之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v21將連接導體20a,20b之前後方向之中央與電容器導體28a,28b,32a,32b加以連接。因此，通孔導體v21將連接導體20a,20b與電容器C1,C2,C5加以連接。
通孔導體v14,v15,v22及連接導體24a,24b構成將LC並聯 諧振器LC2與LC並聯諧振器LC3之間與電容器C6加以連接之連接部。更詳細而言，連接導體24a,24b係分別設在絕緣體層16z,16bb之表面，在絕 緣體層16z,16bb之後半部分之區域往前後方向延伸之線狀導體層。連接導體24a,24b之前端，從上側俯視時，與電感器導體22s~22u之右端重疊。連接導體24a,24b之後端，從上側俯視時，與電感器導體26a~26c之前端重疊。
通孔導體v14係在上下方向貫通絕緣體層16t~16aa之層間連 接導體。此外，通孔導體v14係藉由貫通絕緣體層16t~16aa之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v14將電感器導體22s~22u之右端與連接導體24a,24b之前端加以連接。
通孔導體v15係在上下方向貫通絕緣體層16t~16aa之層間連 接導體。此外，通孔導體v15係藉由貫通絕緣體層16t~16aa之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v15將電感器導體26a~26c之前端與連接導體24a,24b之後端加以連接。因此，通孔導體v14,v15及連接導體24a,24b將電感器L2與電感器L3加以連接。
通孔導體v22係在上下方向貫通絕緣體層16z~16ff之層間連 接導體。此外，通孔導體v22係藉由貫通絕緣體層16z~16ff之各個之複數個通孔導體相連而構成。通孔導體v22將連接導體24a,24b之前後方向之中央與電容器導體34a,34b,38a,38b加以連接。因此，通孔導體v22將連接導體24a,24b與電容器C2,C3,C6加以連接。
外部端子14a，如圖1B所示，係設成在積層體12之前面往 上下方向延伸。藉此，外部端子14a與電感器導體18a~18c及電容器導體30a,30b連接。亦即，外部端子14a與電感器L1及電容器C1,C4連接。
外部端子14b，如圖1B所示，係設成在積層體12之後面往上下方向延伸。藉此，外部端子14b與電感器導體26n~26p及電容器導體 36a,36b連接。亦即，外部端子14b與電感器L3及電容器C3,C7連接。
外部端子14c~14e，如圖1B所示，係設成在積層體12之左 面從前側往後側依序排列。又，外部端子14c~14e往上下方向延伸。藉此，外部端子14c~14e與接地導體42連接。亦即，外部端子14c~14e與電容器C4~C7連接。
外部端子14f~14h，如圖1B所示，係設成在積層體12之右 面從前側往後側依序排列。又，外部端子14f~14h往上下方向延伸。藉此，外部端子14f~14h與接地導體42連接。亦即，外部端子14f~14h與電容器C4~C7連接。
(電子零件之製造方法)
接著，參照圖1及圖2說明電子零件10之製造方法。
首先，準備待成為絕緣體層16a~16z,16aa~16ii之陶瓷坯片。接著，在待成為絕緣體層16b~16z,16aa~16ff之陶瓷坯片之各個形成通孔導體v1~v22。具體而言，對待成為絕緣體層16b~16z,16aa~16ff之陶瓷坯片照射雷射束以形成通孔。接著，藉由印刷塗布等方法對此通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或此等之合金等之導電性糊。
接著，以網版印刷法或光微影法等方法在待成為絕緣體層16b~16z,16aa~16hh之陶瓷坯片之表面上塗布以Ag、Pd、Cu、Au或此等之合金等為主成分之導電性糊，藉此形成電感器導體18a~18p,22a~22u,26a~26p、連接導體20a,20b,24a,24b、電容器導體28a,28b,30a,30b,32a,32b,34a,34b,36a,36b,38a,38b,40a~40c及接地導體42。此外，在電感器導體18a~18p,22a~22u,26a~26p、連接導體20a,20b,24a,24b、電容器導體28a,28b, 30a,30b,32a,32b,34a,34b,36a,36b,38a,38b,40a~40c及接地導體42形成時，亦可對通孔進行導電性糊之填充。
接著，將各陶瓷坯片積層。具體而言，逐一積層及壓接待成為絕緣體層16a~16z,16aa~16ii之陶瓷坯片。藉由以上步驟，形成母積層體。藉由靜水壓加壓等對此母積層體施加正式壓接。
接著，藉由切刀將母積層體裁切成既定尺寸之積層體12。
藉由以上步驟，製得燒成之積層體12。對積層體12施加筒式加工，進行去角。對此未燒成之積層體12施加脫結合劑處理及燒成。
最後，在積層體12之表面塗布以Ag、Pd、Cu、Au或此等之合金等為主成分之導電性糊，形成外部端子14a~14h及底層電極。接著，在底層電極之表面施加Ni鍍敷/Sn鍍敷，藉此形成外部端子14a~14h。經由以上步驟，完成電子零件10。此外，亦可在裁切積層體12後進行筒式加工，接著在藉由導電性糊形成外部端子後，進行燒成。
(效果)
根據以上述方式構成之電子零件10，可謀求降低插入損耗。更詳細而言，在電子零件10，使電感器L2為螺旋狀之電感器。螺旋狀之電感器之空芯徑較漩渦狀之電感器之空芯徑大，因此可提高電感器L2之Q值。又，螺旋狀之電感器L2之電感值較漩渦狀之電感器之電感值大。藉此，可謀求降低電子零件10之插入損耗。
又，根據電子零件10，可在通帶以外之帶域獲得充分之衰減量。更詳細而言，在電子零件10，電感器L1~L3從前側往後側依序排列。再者，電感器L1與電感器L3呈在往前後方向延伸之捲繞軸旋繞之漩渦狀。 呈漩渦狀之電感器L1,L3之前後方向之長度較呈螺旋狀之電感器之前後方向之長度短。因此，相較於電感器L1,L3呈螺旋狀之情形，電感器L1,L3呈漩渦狀之情形，電感器L1與電感器L2之間之距離及電感器L2與電感器L3之間之距離變大。因此，電感器L1與電感器L2之電磁耦合及電感器L2與電感器L3之電磁耦合變弱。藉此，高頻訊號不易在電感器L1與電感器L2之間及電感器L2與電感器L3之間傳送，可在通帶以外之帶域獲得充分之衰減量。
此處，在電子零件10，較佳為，使LC並聯諧振器LC2之 諧振頻率較LC並聯諧振器LC1,LC3之諧振頻率低。藉此，電子零件10使用為低通濾波器時，在通帶之上限，通過特性急速下降。圖3係顯示電子零件10之通過特性之圖表。縱軸表示通過特性，橫軸表示頻率。
更詳細而言，使LC並聯諧振器LC2之諧振頻率較LC並聯 諧振器LC1,LC3之諧振頻率低之情形，藉由LC並聯諧振器LC2形成衰減極P2，藉由LC並聯諧振器LC1形成衰減極P1，藉由LC並聯諧振器LC3形成衰減極P3。衰減極P2之頻率較衰減極P1,P3之頻率低，位於通帶之上限附近。在上述電子零件10，若藉由具有高Q值之螺旋狀電感器構成形成有衰減極P2之LC並聯諧振器LC2之電感器L2，可降低在衰減極P2附近之插入損耗。其結果，如圖3之A部分所示，在通帶之上限，通過特性急速下降。
又，在電子零件10，謀求電感器L1~L3之低電阻化。以下， 舉電感器L1為例說明。在電感器L1，電感器導體18a~18c並聯，電感器導體18e~18g並聯，電感器導體18k~18m並聯，電感器導體18n~18p並聯。藉 此，謀求電感器L1之低電阻化。此外，電感器L2,L3亦依據相同理由謀求低電阻化。
又，在電子零件10，電感器導體22d~22f,22p~22r係設在絕 緣體層16b~16d，電感器導體22j~22l係設在絕緣體層16e~16g。亦即，在電感器L2，相對地設在上側之電感器導體22d~22f,22j~22l,22p~22r係分散設在不同層。如上述，藉由使電感器導體22d~22f,22j~22l,22p~22r之上下方向之位置變化，可調整電感器L2之空芯徑，可調整電感器L2之電感值。根據相同理由，電感器導體22g~22i係設在絕緣體層16q~16s，電感器導體22m~22o係設在絕緣體層16n~16p。
又，在電子零件10，電流流至電感器L1~L3之情形，電流 在電感器L1,L3之旋繞方向與電流在電感器L2之旋繞方向相反。藉此，能使電感器L1與電感器L2之電磁耦合變弱，使電感器L2與電感器L3之電磁耦合變弱。
又，在電子零件10，設有電容器C4~C7。通過LC並聯諧振 器LC1~LC3之高頻訊號中之具有較通帶高之頻率之高頻訊號係透過電容器C4~C7往接地流動。藉此，可進一步提升電子零件10作為低通濾波器之功能。
(其他實施形態)
本發明之電子零件並不限於電子零件10，可在其要旨範圍內進行變更。
此外，LC並聯諧振器之數並不限於三個。LC並聯諧振器之數亦可為4以上。設有n個LC並聯諧振器LC1~LCn之情形，位於前後方向之兩端之LC並聯諧振器LC1,LCn之電感器L1,Ln呈漩渦狀。又，LC並 聯諧振器LC2~LCn-1中之至少一個電感器呈螺旋狀。此外，在此情形，較佳為，設在外部端子14a,14b附近之LC並聯諧振器LC1及LC並聯諧振器LCn之諧振頻率較LC並聯諧振器LC2至LC並聯諧振器LCn-1之諧振頻率低。
此外，LC並聯諧振器LC2~LCn-1中之至少一個電感器之線圈徑亦可在中途變化。藉由使線圈徑變化，可調整成獲得適當之電感值。
此外，電感器L1~L3之捲繞軸雖與前後方向平行，但亦可相對於前後方向稍微偏移。亦即，電感器L1~L3之捲繞軸只要沿著前後方向即可。
此外，電流流至電感器L1~L3之情形，電流在電感器L1之旋繞方向與電流在電感器L3之旋繞方向亦可相反。藉此，能使電感器L1與電感器L3之電磁耦合變弱。
又，電流流至電感器L1~L3之情形，電流在電感器L1,L3之旋繞方向與電流在電感器L2之旋繞方向亦可相同。藉此，可調整電感器L1與電感器L2之電磁耦合及電感器L2與電感器L3之電磁耦合。
本發明可用在電子零件，尤其是，在可謀求降低插入損耗並同時在通帶以外之帶域獲得充分之衰減量之方面優異。
v1,v3,v8~v13,v18~v20‧‧‧通孔導體
16a~16j‧‧‧絕緣體層
18a~18c,18e~18g,22d~22f,22j~22l,22p~22r,26j~26l,26n~26p‧‧‧電感器導體

Claims (16)

  1. 一種電子零件，具備：元件本體；以及串聯之第一LC並聯諧振器至第n(n係3以上之整數)LC並聯諧振器；該第一LC並聯諧振器至該第nLC並聯諧振器分別包含第一電感器至第n電感器及第一電容器至第n電容器；該第一電感器至該第n電感器係以在第1方向依序排列之方式設在該元件本體；該第一電感器及該第n電感器呈沿該第1方向之捲繞軸旋繞之漩渦狀；該第二電感器至該第n-1電感器中之至少一個電感器呈沿該第1方向之捲繞軸旋繞之螺旋狀。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，n係3。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，該第二LC並聯諧振器之諧振頻率較該第一LC並聯諧振器之諧振頻率及該第三LC並聯諧振器之諧振頻率低。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之電子零件，其進一步具備：輸入端子，設在該元件本體表面，連接於該第一LC並聯諧振器；輸出端子，設在該元件本體表面，連接於該第三LC並聯諧振器；接地端子，設在該元件本體表面；以及電容器，連接於該輸入端子與該第一LC並聯諧振器之連接點與該接地端子之間、該第一LC並聯諧振器與該第二LC並聯諧振器之連接點與該接地端子之間、該第二LC並聯諧振器與該第三LC並聯諧振器之連接點與該 接地端子之間、或該第三LC並聯諧振器與該輸出端子之連接點與該接地端子之間。
  5. 如申請專利範圍第4項之電子零件，其中，該元件本體係由複數個絕緣體層積層在相對於該第1方向正交之第2方向而構成；該第一LC並聯諧振器至該第三LC並聯諧振器，係由設在該絕緣體層上之內部導體及在該第2方向貫通該絕緣體層之層間連接導體構成。
  6. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，該第一電感器至該第三電感器係由複數個內部導體並聯而構成。
  7. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，該第二電感器係由設在該絕緣體層上且在該第1方向排列之彼此平行之複數個第一電感器導體、複數個第二電感器導體、將該第一電感器導體之一端部與該第二電感器導體之一端部加以連接之複數個第四層間連接導體、及將該第一電感器導體之另一端部與該第二電感器導體之另一端部加以連接之複數個第五層間連接導體構成；該第二電感器導體設在較該第一電感器導體位於該第2方向之一側之該絕緣體層上且在該第1方向排列且彼此平行，從該第2方向俯視時，在一端部與位於該第1方向之一側之該第一電感器導體之一端部重疊，在另一端部與位於該第1方向之另一側之該第一電感器導體之另一端部重疊；該複數個第一電感器導體係分散設在複數個該絕緣體層。
  8. 如申請專利範圍第6項之電子零件，其中，該第二電感器係由設在該絕緣體層上且在該第1方向排列之彼此平行之複數個第一電感器導體、複數個第二電感器導體、將該第一電感器導體之一端部與該第二電感器導體 之一端部加以連接之複數個第四層間連接導體、及將該第一電感器導體之另一端部與該第二電感器導體之另一端部加以連接之複數個第五層間連接導體構成；該第二電感器導體設在較該第一電感器導體位於該第2方向之一側之該絕緣體層上且在該第1方向排列且彼此平行，從該第2方向俯視時，在一端部與位於該第1方向之一側之該第一電感器導體之一端部重疊，在另一端部與位於該第1方向之另一側之該第一電感器導體之另一端部重疊；該複數個第一電感器導體係分散設在複數個該絕緣體層。
  9. 如申請專利範圍第2或3項之電子零件，其中，在電流流至該第一電感器至該第三電感器時，電流在該第一電感器及該第三電感器之旋繞方向與電流在該第二電感器之旋繞方向相反。
  10. 如申請專利範圍第4項之電子零件，其中，在電流流至該第一電感器至該第三電感器時，電流在該第一電感器及該第三電感器之旋繞方向與電流在該第二電感器之旋繞方向相反。
  11. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，在電流流至該第一電感器至該第三電感器時，電流在該第一電感器及該第三電感器之旋繞方向與電流在該第二電感器之旋繞方向相反。
  12. 如申請專利範圍第6項之電子零件，其中，在電流流至該第一電感器至該第三電感器時，電流在該第一電感器及該第三電感器之旋繞方向與電流在該第二電感器之旋繞方向相反。
  13. 如申請專利範圍第7項之電子零件，其中，在電流流至該第一電感器至該第三電感器時，電流在該第一電感器及該第三電感器之旋繞方向與 電流在該第二電感器之旋繞方向相反。
  14. 如申請專利範圍第8項之電子零件，其中，在電流流至該第一電感器至該第三電感器時，電流在該第一電感器及該第三電感器之旋繞方向與電流在該第二電感器之旋繞方向相反。
  15. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，n係4以上。
  16. 如申請專利範圍第1或15項之電子零件，其中，該第二LC並聯諧振器至該第n-1LC並聯諧振器之諧振頻率較該第一LC並聯諧振器及該第nLC並聯諧振器之諧振頻率低。
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