JP6354551B2

JP6354551B2 - 電子部品

Info

Publication number: JP6354551B2
Application number: JP2014243625A
Authority: JP
Inventors: 邦広渡辺
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-12-02
Filing date: 2014-12-02
Publication date: 2018-07-11
Anticipated expiration: 2034-12-02
Also published as: CN105656445B; US10110192B2; JP2016111377A; TW201637359A; US20160156324A1; TWI574503B; CN105656445A

Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、インダクタ及びコンデンサを含む共振器を備えた電子部品に関する。

従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタが知られている。該積層帯域通過フィルタは、複数のＬＣ並列共振器を含んでいる。各ＬＣ並列共振器は、ビア電極及びインダクタ電極が接続されることにより、積層方向に直交する方向から平面視したときに矩形状をなすインダクタを備えている。

ところで、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタのインダクタにおいて、より大きなインダクタンス値を得たいという要望が存在する。このような場合には、インダクタが渦巻形状をなすことが考えられる。

しかしながら、インダクタが渦巻形状をなすと、互いに隣り合う内周側のインダクタ電極と外周側のインダクタ電極とが対向するので、これらの間に大きな寄生容量が発生する。そのため、積層帯域通過フィルタにおいて、所望の通過特性を得ることが困難となる。

国際公開第２００７／１１９３５６号

そこで、本発明の目的は、インダクタに発生する寄生容量を低減できる電子部品を提供することである。

本発明の第１の形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、前記積層体に設けられている第１のインダクタ及び第１のコンデンサを含む第１の共振器と、を備えており、前記第１のインダクタは、前記絶縁体層上に設けられている導体層と、前記絶縁体層を積層方向に貫通する層間接続導体とが接続されることにより、前記積層方向に対して垂直な直交方向から平面視したときに渦巻状をなしており、前記第１のインダクタの一部が前記直交方向に対して垂直な所定平面に位置し、該第１のインダクタの残部が該所定平面に対して該直交方向にずれて位置しており、前記第１のインダクタは、前記積層方向から平面視したときに、互いに隣り合う内周側の第１の導体層と外周側の第２の導体層とを含んでおり、前記第１の導体層は、一方の端部において互いに接続された第１の線状導体層及び第２の線状導体層を含んでおり、前記第１の線状導体層の少なくとも一部は、前記第２の導体層に対して前記直交方向の一方側にずれて位置し、前記第２の線状導体層の少なくとも一部は、前記第２の導体層に対して前記直交方向の他方側にずれて位置していること、を特徴とする。
本発明の第２の形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、前記積層体に設けられている第１のインダクタ及び第１のコンデンサを含む第１の共振器と、を備えており、前記第１のインダクタは、前記絶縁体層上に設けられている導体層と、前記絶縁体層を積層方向に貫通する層間接続導体とが接続されることにより、前記積層方向に対して垂直な直交方向から平面視したときに渦巻状をなしており、前記第１のインダクタの一部が前記直交方向に対して垂直な所定平面に位置し、該第１のインダクタの残部が該所定平面に対して該直交方向にずれて位置しており、前記第１のインダクタは、前記積層方向から平面視したときに、互いに隣り合う内周側の第１の導体層と外周側の第２の導体層とを含んでおり、前記第２の導体層は、一方の端部において互いに接続された第１の線状導体層及び第２の線状導体層を含んでおり、前記第１の線状導体層の少なくとも一部は、前記第１の導体層に対して前記直交方向の一方側にずれて位置し、前記第２の線状導体層の少なくとも一部は、前記第１の導体層に対して前記直交方向の他方側にずれて位置していること、を特徴とする。

本発明によれば、インダクタに発生する寄生容量を低減できる。

第１の実施形態に係る電子部品１０ａ，１０ｂの等価回路図である。電子部品１０ａ〜１０ｄの外観斜視図である。電子部品１０ａの分解図である。電子部品１０ａの分解図である。電子部品１０ａの分解図である。電子部品１０ａの分解図である。第１のモデルの通過特性及び反射特性を示したグラフである。第２のモデルの通過特性及び反射特性を示したグラフである。電子部品１０ｂの分解図である。電子部品１０ｂの分解図である。電子部品１０ｂの分解図である。電子部品１０ｂの分解図である。第１のモデル、第３のモデル及び第４のモデルの通過特性を示したグラフである。第３の実施形態に係る電子部品１０ｃの等価回路図である。電子部品１０ｃの分解図である。電子部品１０ｃの分解図である。電子部品１０ｃの分解図である。第５のモデル及び第６のモデルの通過特性を示したグラフである。第４の実施形態に係る電子部品１０ｄの等価回路図である。電子部品１０ｄの分解図である。電子部品１０ｄの分解図である。電子部品１０ｄの分解図である。

以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態）
（電子部品の構成）
まず、第１の実施形態に係る電子部品１０ａの回路構成について図面を参照しながら説明する。図１Ａは、第１の実施形態に係る電子部品１０ａの等価回路図である。

電子部品１０ａは、バンドパスフィルタであり、図１に示すように、外部電極１４ａ〜１４ｃ、インダクタＬ１〜Ｌ４，Ｌ１１，Ｌ１２及びコンデンサＣ１〜Ｃ４，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１〜Ｃ２５を備えている。

外部電極１４ａ，１４ｂは、高周波信号の入出力端子である。外部電極１４ｃは、接地電位に接続されるグランド端子である。外部電極１４ａと外部電極１４ｂとは、信号経路ＳＬにより接続されている。

インダクタＬ１１、コンデンサＣ２１〜Ｃ２５及びインダクタＬ１２は、信号経路ＳＬ上に設けられており、外部電極１４ａから外部電極１４ｂへとこの順に電気的に直列に接続されている。

コンデンサＣ１１は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に接続されており、より詳細には、インダクタＬ１１とコンデンサＣ２１との間と外部電極１４ｃとの間に接続されている。これにより、インダクタＬ１１とコンデンサＣ１１とは、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成している。ローパスフィルタＬＰＦ１のカットオフ周波数は、周波数ｆｃ１である。

コンデンサＣ１２は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に接続されており、より詳細には、インダクタＬ１２とコンデンサＣ２５との間と外部電極１４ｃとの間に接続されている。これにより、インダクタＬ１２とコンデンサＣ１２とは、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成している。ローパスフィルタＬＰＦ２のカットオフ周波数は、周波数ｆｃ２である。周波数ｆｃ１と周波数ｆｃ２とは実質的に等しい。

インダクタＬ１及びコンデンサＣ１は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ１を構成している。本実施形態では、インダクタＬ１及びＣ１は、コンデンサＣ２１とコンデンサＣ２２との間と外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ１の共振周波数は、周波数ｆａ１である。

インダクタＬ２及びコンデンサＣ２は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ２を構成している。本実施形態では、インダクタＬ２及びＣ２は、コンデンサＣ２２とコンデンサＣ２３との間と外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ２の共振周波数は、周波数ｆａ２である。

インダクタＬ３及びコンデンサＣ３は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ３を構成している。本実施形態では、インダクタＬ３及びＣ３は、コンデンサＣ２３とコンデンサＣ２４との間と外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ３の共振周波数は、周波数ｆａ３である。

インダクタＬ４及びコンデンサＣ４は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ４を構成している。本実施形態では、インダクタＬ４及びＣ４は、コンデンサＣ２４とコンデンサＣ２５との間と外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ４の共振周波数は、周波数ｆａ４である。

ここで、周波数ｆｃ１，ｆｃ２は、周波数ｆａ１〜ｆａ４よりも高くなるように、電子部品１０ａが設計されている。これにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４及びローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２は、周波数ｆｃ１，ｆｃ２と周波数ｆａ１〜ｆａ４との間の帯域の高周波信号を外部電極１４ａから外部電極１４ｂへと通過させるバンドパスフィルタを構成している。

また、インダクタＬ１及びコンデンサＣ２１，Ｃ２２は、ハイパスフィルタＨＰＦ１を構成している。ハイパスフィルタＨＰＦ１は、カットオフ周波数ｆｃ１１よりも高い帯域の高周波信号を、信号経路ＳＬを通過させる

インダクタＬ２及びコンデンサＣ２２，Ｃ２３は、ハイパスフィルタＨＰＦ２を構成している。ハイパスフィルタＨＰＦ２は、カットオフ周波数ｆｃ１２よりも高い帯域の高周波信号を、信号経路ＳＬを通過させる。

インダクタＬ３及びコンデンサＣ２３，Ｃ２４は、ハイパスフィルタＨＰＦ３を構成している。ハイパスフィルタＨＰＦ３は、カットオフ周波数ｆｃ１３よりも高い帯域の高周波信号を、信号経路ＳＬを通過させる。

インダクタＬ４及びコンデンサＣ２４，Ｃ２５は、ハイパスフィルタＨＰＦ４を構成している。ハイパスフィルタＨＰＦ４は、カットオフ周波数ｆｃ１４よりも高い帯域の高周波信号を、信号経路ＳＬを通過させるハイパスフィルタＨＰＦ４を構成している。

次に、電子部品１０ａの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図１Ｂは、電子部品１０ａの外観斜視図である。図２ないし図５は、電子部品１０ａの分解図である。電子部品１０ａにおいて、積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、電子部品１０ａを上側から平面視したときに、電子部品１０ａの上面の長辺が延在する方向を左右方向と定義し、電子部品１０ａの上面の短辺が延在する方向を前後方向と定義する。

電子部品１０ａは、図１Ｂないし図５に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｃ、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ，４２ａ〜４２ｄ，３０ａ〜３０ｆ，１１８ａ，１１８ｂ，１４２ａ〜１４２ｄ，１３０ａ〜１３０ｆ、コンデンサ導体層２０ａ〜２０ｃ，２１，２２，３２，４０ａ，４０ｂ，４４，４６，６０，１２０ａ〜１２０ｃ，１２１，１２２，１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４４、接続導体層４７，１４７及びビアホール導体（層間接続導体の一例）ｖ１〜ｖ８，ｖ１０〜ｖ１４，ｖ５１〜ｖ５５，ｖ１０１〜ｖ１０８，ｖ１１０〜ｖ１１４を備えている。

積層体１２は、直方体状をなしており、絶縁体層１６ａ〜１６ｑが上側から下側へとこの順に積層されることにより構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｑは、上側から平面視したときに、左右方向に延在する長方形状をなしており、例えば、セラミック等により作製されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｑの上面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｑの下面を裏面と呼ぶ。

外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、図１Ｂに示すように、積層体１２の左面及び右面に設けられており、上下方向に延在する帯状をなしている。また、外部電極１４ａ，１４ｂの上端及び下端は、積層体１２の上面及び下面に折り返されている。

外部電極１４ｃは、図１Ｂに示すように、積層体１２の下面の中央に設けられており、長方形状をなしている。外部電極１４ａ〜１４ｃは、例えば、銀等からなる下地電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきが施されることにより作製されている。

インダクタ導体層１８ａは、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｊの左側の短辺の中央を始点とし、絶縁体層１６ｊの左半分の領域の中央を終点とする線状導体層である。インダクタ導体層１８ａは、始点から終点に向かって反時計回りに周回している。インダクタ導体層１８ａは、外部電極１４ａと接続されている。

インダクタ導体層１８ｂは、絶縁体層１６ｉの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｉの左半分の領域の中央を始点とし、始点の右側に位置する点を終点とする線状導体層である。インダクタ導体層１８ｂは、始点から終点に向かって反時計回りに周回している。

ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｉを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａの終点とインダクタ導体層１８ｂの始点とを接続している。これにより、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ及びビアホール導体ｖ１は、螺旋状のインダクタＬ１１を構成している。

コンデンサ導体層２０ａは、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられており、長方形状の導体層と２本の線状導体層とが組み合わされて構成されている。コンデンサ導体層２０ａは、絶縁体層１６ｇの左半分の領域に設けられている。一方の線状導体層は、長方形状の導体層の右側の辺から右側に向かって延在している。他方向の線状導体層は、長方形状の導体層の後ろ側の辺から後ろ側に向かって延在している。

コンデンサ導体層２０ｂは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、長方形状の導体層と１本の線状導体層とが組み合わされて構成されている。コンデンサ導体層２０ｂは、絶縁体層１６ｆの左半分の領域に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２０ａと重なっている。線状導体層は、長方形状の導体層の前側の辺から前側に向かって延在している。

コンデンサ導体層２０ｃは、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられており、長方形状の導体層と１本の線状導体層とが組み合わされて構成されている。コンデンサ導体層２０ｃは、絶縁体層１６ｈの左半分の領域に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２０ａと重なっている。線状導体層は、長方形状の導体層の前側の辺から前側に向かって延在している。これにより、コンデンサ導体層２０ａ〜２０ｃは、コンデンサＣ２１を構成している。

ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｇ，１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｂの終点とコンデンサ導体層２０ａの右端とを接続している。これにより、インダクタＬ１１とコンデンサＣ２１とが電気的に直列に接続されている。

コンデンサ導体層２２は、絶縁体層１６ｏの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２２は、絶縁体層１６ｏの左半分の領域の後端近傍に設けられている。

コンデンサ導体層６０は、絶縁体層１６ｐの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層６０は、絶縁体層１６ｐの略全面を覆っており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２２と重なっている。これにより、コンデンサ導体層２２，６０は、コンデンサＣ１１を構成している。

ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｇ〜１６ｎを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２０ａの後端とコンデンサ導体層２２とを接続している。これにより、コンデンサＣ１１とインダクタＬ１１とコンデンサＣ２１とが接続されている。

ビアホール導体ｖ５１〜ｖ５５は、絶縁体層１６ｐ，１６ｑを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層６０と外部電極１４ｃとを接続している。これにより、コンデンサＣ１１と外部電極１４ｃとが接続されている。

インダクタ導体層３０ａは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｃの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ａの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられている。これにより、インダクタ導体層３０ａは、左側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。

インダクタ導体層３０ｂは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｄの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ｂの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられている。これにより、インダクタ導体層３０ｂは、左側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。インダクタ導体層３０ａとインダクタ導体層３０ｂとは、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。

ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｇを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２０ｂ，２０ｃの前端とインダクタ導体層３０ａ，３０ｂの前端とを接続している。

インダクタ導体層３０ｃは、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｋの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ｃの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられている。これにより、インダクタ導体層３０ｃは、左側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。また、インダクタ導体層３０ｃの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの前端よりも前側に位置している。インダクタ導体層３０ｃの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの後端と重なっている。

ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｊを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの後端とインダクタ導体層３０ｃの後端とを接続している。

インダクタ導体層３０ｄは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｂの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ｄの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられていない。これにより、インダクタ導体層３０ｄは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｃの両端と重なり、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｃの両端以外の部分とは重なっていない。また、インダクタ導体層３０ｄの前端は、インダクタ導体層３０ｃの前端と重なっている。インダクタ導体層３０ｄの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｃの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｊを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層３０ｃの前端とインダクタ導体層３０ｄの前端とを接続している。

インダクタ導体層３０ｅは、絶縁体層１６ｌの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｌの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ｌの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられていない。これにより、インダクタ導体層３０ｅは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｃの後端と重なり、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｃの後端以外の部分とは重なっていない。また、インダクタ導体層３０ｅの後端は、インダクタ導体層３０ｄの後端と重なっている。インダクタ導体層３０ｅの前端は、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｌの左側の短辺の中央近傍に位置している。

インダクタ導体層３０ｆは、絶縁体層１６ｍの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｍの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ｆの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられていない。これにより、インダクタ導体層３０ｆは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｃの後端と重なり、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｃの後端以外の部分とは重なっていない。更に、インダクタ導体層３０ｅとインダクタ導体層３０ｆとは、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。また、インダクタ導体層３０ｆの後端は、インダクタ導体層３０ｄの後端と重なっている。インダクタ導体層３０ｆの前端は、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｍの左側の短辺の中央近傍に位置している。

ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｌを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層３０ｄの後端とインダクタ導体層３０ｅ，３０ｆの後端とを接続している。

以上のように、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｆ及びビアホール導体ｖ４〜ｖ７は、互いに接続されることによりインダクタＬ１を構成している。これにより、インダクタＬ１は、左右方向（積層方向に垂直な直交方向）から平面視したときに渦巻状をなしている。本実施形態では、インダクタＬ１は、左側から平面視したときに、反時計回りに周回しながら、内側から外側へと向かう。また、インダクタＬ１は、ビアホール導体ｖ４がコンデンサ導体層２０ｂ，２０ｃに接続されているので、コンデンサＣ２１に接続されている。

また、インダクタＬ１は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層３０ａと外周側のインダクタ導体層３０ｄとを含んでいる。インダクタ導体層３０ａの両端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｄと重なっている。また、インダクタ導体層３０ａの両端以外の部分は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｄに対して右側に位置している。これにより、インダクタ導体層３０ａの少なくとも一部は、インダクタ導体層３０ｄに対して右側にずれて位置している。

更に、インダクタＬ１は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層３０ｃと外周側のインダクタ導体層３０ｅとを含んでいる。インダクタ導体層３０ｃの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｅと重なっている。また、インダクタ導体層３０ｃの後端以外の部分は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｅに対して右側に位置している。これにより、インダクタ導体層３０ｃの少なくとも一部は、インダクタ導体層３０ｅに対して右側にずれて位置している。

以上のように構成されたインダクタＬ１では、インダクタＬ１の一部が左右方向に対して垂直な平面Ｓ１に位置し、インダクタＬ１の残部が平面Ｓ１に対して右側にずれて位置している。より詳細には、インダクタＬ１のインダクタ導体層３０ａ〜３０ｃの両端、インダクタ導体層３０ｄ〜３０ｆ及びビアホール導体ｖ４〜ｖ７は、平面Ｓ１に位置している。一方、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｃの両端以外の部分は、平面Ｓ１よりも右側に位置している。

コンデンサ導体層３２は、絶縁体層１６ｎの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層３２は、絶縁体層１６ｎの左半分の領域に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層６０と重なっている。これにより、コンデンサ導体層３２，６０は、コンデンサＣ１を構成している。

ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｌ，１６ｍを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層３０ｆの前端とコンデンサ導体層３２とを接続している。これにより、インダクタＬ１とコンデンサＣ１とが接続されている。また、コンデンサ導体層６０がビアホール導体ｖ５１〜ｖ５５により外部電極１４ｃと接続されているので、コンデンサＣ１が外部電極１４ｃと接続されている。

コンデンサ導体層４０ａは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４０ａは、絶縁体層１６ｆの中央（対角線の交点）に対して左側に位置している。

コンデンサ導体層４０ｂは、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４０ｂは、絶縁体層１６ｈの中央（対角線の交点）に対して左側に位置している。コンデンサ導体層４０ａとコンデンサ導体層４０ｂとは、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。

コンデンサ導体層２１は、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２１は、絶縁体層１６ｅの前後方向の中央において左右方向に延在しており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層４０ａ及びコンデンサ導体層２０ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体層２０ｂ，２１，４０ａは、コンデンサＣ２２を構成している。

インダクタ導体層４２ａは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、インダクタ導体層３０ａに対して右側において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４２ａの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられている。これにより、インダクタ導体層４２ａは、左側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。

インダクタ導体層４２ｂは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、インダクタ導体層３０ｂに対して右側において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４２ｂの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられている。これにより、インダクタ導体層４２ｂは、左側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。インダクタ導体層４２ａとインダクタ導体層４２ｂとは、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。

ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｉを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１１の上端は、インダクタ導体層４２ａ，４２ｂの後端に接続されている。

インダクタ導体層４２ｃは、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられており、インダクタ導体層３０ｃに対して右側において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４２ｃの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられていない。また、インダクタ導体層４２ｃの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ａ，４２ｂの前端と重なっている。インダクタ導体層４２ｃの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ａ，４２ｂの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｊを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４２ａ，４２ｂの前端とインダクタ導体層４２ｃの前端とを接続している。

インダクタ導体層４２ｄは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられており、インダクタ導体層３０ｄに対して右側において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４２ｄの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられていない。これにより、インダクタ導体層４２ｄは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ａ，４２ｂの両端と重なり、インダクタ導体層４２ａ，４２ｂの両端以外の部分とは重なっていない。また、インダクタ導体層４２ｄの後端は、インダクタ導体層４２ｃの後端と重なっている。インダクタ導体層４２ｄの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ｃの前端よりも前側に位置している。

ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｊを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４２ｃの後端とインダクタ導体層４２ｄの後端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｍを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１４の上端は、インダクタ導体層４２ｄの前端に接続されている。

以上のように、インダクタ導体層４２ａ〜４２ｃ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１４は、互いに接続されることによりインダクタＬ２を構成している。これにより、インダクタＬ２は、左右方向（積層方向に垂直な直交方向）から平面視したときに渦巻状をなしている。本実施形態では、インダクタＬ２は、左側から平面視したときに、時計回りに周回しながら、内側から外側へと向かう。

また、インダクタＬ２は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層４２ａと外周側のインダクタ導体層４２ｄとを含んでいる。インダクタ導体層４２ａの両端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ｄと重なっている。また、インダクタ導体層４２ａの両端以外の部分は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ｄに対して右側に位置している。これにより、インダクタ導体層４２ａの少なくとも一部は、インダクタ導体層４２ｄに対して右側にずれて位置している。

以上のように構成されたインダクタＬ２では、インダクタＬ２の一部が左右方向に対して垂直な平面Ｓ２に位置し、インダクタＬ２の残部が平面Ｓ２に対して右側にずれて位置している。より詳細には、インダクタＬ２のインダクタ導体層４２ａ，４２ｂの両端、インダクタ導体層４２ｃ，４２ｄ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１４は、平面Ｓ２に位置している。一方、インダクタ導体層４２ａ，４２ｂの両端以外の部分は、平面Ｓ２よりも右側に位置している。

接続導体層４７は、絶縁体層１６ｊに設けられている線状導体層である。接続導体層４７は、絶縁体層１６ｊの中央の左上において左右方向に延在している。

ビアホール導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｉを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層４０ａ，４０ｂと接続導体層４７の右端とを接続している。また、ビアホール導体ｖ１１の下端は、接続導体層４７の左端に接続されている。これにより、インダクタＬ２は、接続導体層４７及びビアホール導体ｖ１０を介して、コンデンサＣ２２に接続されている。

コンデンサ導体層４４は、絶縁体層１６ｎの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４４は、絶縁体層１６ｎの左半分の領域に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層６０と重なっている。これにより、コンデンサ導体層４４，６０は、コンデンサＣ２を構成している。

ビアホール導体ｖ１４の下端は、コンデンサ導体層４４と接続されている。そのため、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とが接続されている。また、コンデンサ導体層６０がビアホール導体ｖ５１〜ｖ５５により外部電極１４ｃと接続されているので、コンデンサＣ２が外部電極１４ｃと接続されている。

インダクタ導体層１１８ａ，１１８ｂ，１４２ａ〜１４２ｃ，１３０ａ〜１３０ｆ、コンデンサ導体層１２０ａ〜１２０ｃ，１２１，１２２，１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４４、接続導体層１４７及びビアホール導体ｖ１０１〜ｖ１０８，ｖ１１０〜ｖ１１４は、上側から平面視したときに、積層体１２の上面の中央を前後方向に通過する直線に関して、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ，４２ａ〜４２ｃ，３０ａ〜３０ｆ、コンデンサ導体層１２０ａ〜１２０ｃ，１２１，１２２，１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４４，１４６、接続導体層１４７及びビアホール導体ｖ１０１〜ｖ１０８，ｖ１１０〜ｖ１１４と線対称な構造を有している。したがって、インダクタ導体層１１８ａ，１１８ｂ，１４２ａ〜１４２ｃ，１３０ａ〜１３０ｆ、コンデンサ導体層１２０ａ〜１２０ｃ，１２１，１２２，１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４４、接続導体層１４７及びビアホール導体ｖ１０１〜ｖ１０８，ｖ１１０〜ｖ１１４の説明を省略する。

また、コンデンサ導体層４６は、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられており、２つの長方形状の導体層及び１本の線状導体層により構成されている。一方の長方形状の導体層は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層４０ａ，４０ｂと重なっている。他方の長方形状の導体層は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層１４０ａ，１４０ｂと重なっている。線状導体層は、２つのコンデンサ導体層を接続している。これにより、コンデンサ導体層４０ａ，４０ｂ，４６，１４０ａ，１４０ｂは、コンデンサＣ２３を構成している。

以上のようなインダクタ導体層、コンデンサ導体層、接続導体層及びビアホール導体は、例えば、銀を主成分とする導電性ペースト等により作製されている。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０ａによれば、インダクタＬ１に発生する寄生容量を低減できる。より詳細は、インダクタＬ１の一部が平面Ｓ１に位置し、インダクタＬ１の残部が平面Ｓ１に対して右側にずれて位置している。これにより、インダクタＬ１の一部とインダクタＬ１の残部との間に発生する寄生容量が低減される。その結果、インダクタＬ１に発生する寄生容量が低減されるようになる。なお、インダクタＬ２〜Ｌ４においても同じ理由により寄生容量が低減される。

ここで、積層方向において隣り合うインダクタ導体層３０ａとインダクタ導体層３０ｄとの間には寄生容量が発生しやすい。そこで、インダクタ導体層３０ａの少なくとも一部は、インダクタ導体層３０ｄに対して右側にずれて位置している。これにより、インダクタＬ１の寄生容量をより効果的に低減できる。なお、インダクタＬ２〜Ｌ４においても同じ理由により寄生容量が低減される。

以上のようにインダクタＬ１〜Ｌ４に発生する寄生容量が低減されると、電子部品１０ａの通過帯域が広くなる。より詳細には、インダクタＬ１〜Ｌ４に発生する寄生容量が大きくなると、ＬＣ直列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４を構成しているインダクタＬ１〜Ｌ４がそれぞれＬＣ並列共振器として機能するようになる。４つのＬＣ並列共振器のインピーダンスは、それぞれの共振周波数において無限大となる。そのため、４つのＬＣ並列共振器の共振周波数の高周波信号は、外部電極１４ｃへと流れずに信号経路ＳＬを流れる。４つのＬＣ並列共振器の共振周波数は比較的に近いので、電子部品１０ａは、狭帯域なバンドパスフィルタとして機能する。

そこで、電子部品１０ａでは、インダクタＬ１〜Ｌ４に発生する寄生容量を低減している。これにより、インダクタＬ１〜Ｌ４がＬＣ並列共振器として機能することが抑制される。その結果、電子部品１０ａが狭帯域なバンドパスフィルタとして機能することが抑制される。

また、電子部品１０ａの通過特性において、高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻になる。より詳細には、電子部品１０ａは、ローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２を備えている。これらのカットオフ周波数は、周波数ｆｃ１，ｆｃ２である。すなわち、ローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２はそれぞれ、カットオフ周波数ｆｃ１，ｆｃ２よりも低い周波数の高周波信号を通過させる。そこで、電子部品１０ａにおいて、カットオフ周波数ｆｃ１，ｆｃ２を、電子部品１０ａの通過特性における高周波側のカットオフ周波数に一致させている。これにより、電子部品１０ａの通過特性において、高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻になる。

更に、以下の理由によっても、電子部品１０ａの通過特性において、高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻になる。より詳細には、電子部品１０ａは、ローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２を備えている。ローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２は、インピーダンスマッチング回路として機能する。これにより、電子部品１０ａ内における高周波信号の反射が低減される。特に、電子部品１０ａの通過特性における高周波側のカットオフ周波数よりもやや低い周波数における高周波信号の反射が低減される。そのため、電子部品１０ａの通過特性における高周波側のカットオフ周波数よりもやや低い周波数では、減衰量が小さくなる。その結果、電子部品１０ａの通過特性における高周波側のカットオフ周波数までは減衰量が小さく、該カットオフ周波数よりも高くなると減衰量が大きくなる。すなわち、電子部品１０ａの通過特性において、高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻になる。

本願発明者は、電子部品１０ａが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、電子部品１０ａの構造を有する第１のモデルを作成した。また、電子部品１０ａにおいて、ローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２が設けられていない第２のモデルを作成した。第２のモデルは比較例に相当する。

本願発明者は、第１のモデル及び第２のモデルを用いて、通過特性及び反射特性を演算させた。図６Ａは、第１のモデルの通過特性（Ｓ２１）及び反射特性（Ｓ１１）を示したグラフである。図６Ｂは、第２のモデルの通過特性（Ｓ２１）及び反射特性（Ｓ１１）を示したグラフである。縦軸は｜Ｓ１１｜，｜Ｓ２１｜を示し、横軸は周波数を示す。

図６Ｂの通過特性では、高周波側のカットオフ周波数における立下りが緩慢であるのに対して、図６Ａの通過特性では、高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻であることが分かる。これにより、ローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２が設けられることにより、高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻になることが分かる。

更に、図６Ｂの反射特性では、高周波側のカットオフ周波数の近傍である２．０ＧＨｚ近傍には、ピークが形成されていない。一方、図６Ａの反射特性では、高周波側のカットオフ周波数の近傍である２．０ＧＨｚ〜２．５ＧＨｚの間において、ピーク２つ形成されている。これは、ローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２がインピーダンスマッチング回路として機能しているためである。その結果、第１のモデルの通過特性における高周波側のカットオフ周波数よりもやや低い周波数における高周波信号の反射が低減される。よって、第１のモデルの通過特性における高周波側のカットオフ周波数よりもやや低い周波数では、減衰量が小さく、該カットオフ周波数よりも高くなると減衰量が大きくなる。すなわち、第１のモデルの通過特性において、高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻になる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る電子部品１０ｂの構成について図面を参照しながら説明する。電子部品１０ｂの等価回路は、電子部品１０ａの等価回路と同じであるので図１を援用する。電子部品１０ｂの外観斜視図も、電子部品１０ａの外観斜視図と同じであるので図２を援用する。図７ないし図１０は、電子部品１０ｂの分解図である。

電子部品１０ｂは、インダクタＬ１〜Ｌ４の構造について電子部品１０ａと相違する。そこで、以下ではこの相違点を中心に電子部品１０ｂについて説明する。

また、電子部品１０ａでは、内周側のインダクタ導体層３０ａの両端は、上側から平面視したときに、外周側のインダクタ導体層３０ｄと重なっている。また、内周側のインダクタ導体層３０ａの両端以外の部分は、上側から平面視したときに、外周側のインダクタ導体層３０ｄに対して右側に位置している。同様に、内周側のインダクタ導体層３０ｃの後端は、上側から平面視したときに、外周側のインダクタ導体層３０ｅと重なっている。また、内周側のインダクタ導体層３０ｃの後端以外の部分は、上側から平面視したときに、外周側のインダクタ導体層３０ｅに対して右側に位置している。

一方、電子部品１０ｂでは、内周側のインダクタ導体層３０ａの全体は、上側から平面視したときに、外周側のインダクタ導体層３０ｄに対して右側に位置している。また、内周側のインダクタ導体層３０ｃは、上側から平面視したときに、外周側のインダクタ導体層３０ｅに対して右側に位置している。これにより、ビアホール導体ｖ６，ｖ７が平面Ｓ１に位置し、ビアホール導体ｖ４，ｖ５が平面Ｓ１に位置していない。すなわち、互いに隣り合う内周側のビアホール導体ｖ４と外周側のビアホール導体ｖ６とは、左右方向にずれて位置している。また、互いに隣り合う内周側のビアホール導体ｖ５と外周側のビアホール導体ｖ７とは、左右方向にずれて位置している。なお、インダクタＬ２〜Ｌ４もインダクタＬ１と同様の構成を有している。

以上のように構成された電子部品１０ｂにおいても、電子部品１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

更に、電子部品１０ｂでは、以下の理由により、インダクタＬ１の寄生容量がより効果的に低減される。より詳細には、インダクタＬ１では、互いに隣り合うビアホール導体ｖ４とビアホール導体ｖ６との間には寄生容量が発生しやすい。互いに隣り合うビアホール導体ｖ５とビアホール導体ｖ７との間には寄生容量が発生しやすい。そこで、互いに隣り合う内周側のビアホール導体ｖ４と外周側のビアホール導体ｖ６とは、左右方向にずれて位置している。また、互いに隣り合う内周側のビアホール導体ｖ５と外周側のビアホール導体ｖ７とは、左右方向にずれて位置している。これにより、インダクタＬ１の寄生容量をより効果的に的減できる。なお、インダクタＬ２〜Ｌ４においても同じ理由により寄生容量が低減される。

本願発明者は、電子部品１０ａ，１０ｂが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、電子部品１０ａ，１０ｂの構造を有する第１のモデル及び第３のモデルを作成した。また、電子部品１０ｂにおいて、インダクタＬ１〜Ｌ４の全体がそれぞれ、平面Ｓ１〜Ｓ４に位置する電子部品を第４のモデルとして作成した。第４のモデルは比較例である。そして、本願発明者は、第１のモデル、第３のモデル及び第４のモデルの通過特性を演算させた。図１１は、第１のモデル、第３のモデル及び第４のモデルの通過特性（Ｓ２１）を示したグラフである。縦軸は｜Ｓ２１｜を示し、横軸は周波数を示す。

図１１を参照すると、第３のモデルの通過帯域が最も広く、第４のモデルの通過帯域が最も狭いことが分かる。第４のモデルでは、インダクタ導体及びビアホール導体のいずれもが左右方向にずれていない。第１のモデルでは、インダクタ導体のみが左右方向にずらされている。第３のモデルでは、インダクタ導体及びビアホール導体のいずれもが左右方向にずれている。したがって、第４のモデルにおいてインダクタの寄生容量が最も大きく、第３のモデルにおいてインダクタの寄生容量が最も小さい。本シミュレーションによれば、インダクタの寄生容量が小さくなるにしたがって、電子部品の通過帯域が広くなることが分かる。

（第３の実施形態）
（電子部品の構成）
まず、第３の実施形態に係る電子部品１０ｃの回路構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、第３の実施形態に係る電子部品１０ｃの等価回路図である。

電子部品１０ｃは、ＬＣ直列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４の代わりにＬＣ並列共振器ＬＣ１１〜ＬＣ１４を備えている点において電子部品１０ａと相違する。電子部品１０ｃは、バンドパスフィルタであり、図１２に示すように、外部電極１４ａ〜１４ｃ、インダクタＬ１〜Ｌ４及びコンデンサＣ１〜Ｃ４，Ｃ３１〜Ｃ３５を備えている。

外部電極１４ａ，１４ｂは、高周波信号の入出力端子である。外外部電極１４ｃは、接地電位に接続されるグランド端子である。外部電極１４ａと外部電極１４ｂとは、信号経路ＳＬにより接続されている。

コンデンサＣ３１〜Ｃ３５は、信号経路ＳＬ上に設けられており、外部電極１４ａから外部電極１４ｂへとこの順に電気的に直列に接続されている。

インダクタＬ１及びコンデンサＣ１は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に並列に接続されることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１１を構成している。本実施形態では、インダクタＬ１及びＣ１は、コンデンサＣ３１とコンデンサＣ３２との間と外部電極１４ｃとの間に電気的に並列に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１１の共振周波数は、周波数ｆａ１１である。

インダクタＬ２及びコンデンサＣ２は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に並列に接続されることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１２を構成している。本実施形態では、インダクタＬ２及びＣ２は、コンデンサＣ３２とコンデンサＣ３３との間と外部電極１４ｃとの間に電気的に並列に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１２の共振周波数は、周波数ｆａ１２である。

インダクタＬ３及びコンデンサＣ３は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に並列に接続されることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１３を構成している。本実施形態では、インダクタＬ３及びＣ３は、コンデンサＣ３３とコンデンサＣ３４との間と外部電極１４ｃとの間に電気的に並列に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１３の共振周波数は、周波数ｆａ１３である。

インダクタＬ４及びコンデンサＣ４は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に並列に接続されることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１４を構成している。本実施形態では、インダクタＬ４及びＣ４は、コンデンサＣ３４とコンデンサＣ３５との間と外部電極１４ｃとの間に電気的に並列に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１４の共振周波数は、周波数ｆａ１４である。

ここで、周波数ｆａ１１〜ｆａ１４は、異なる周波数を有している。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１１〜ＬＣ１４は、周波数ｆａ１１〜ｆａ１４の帯域の高周波信号を外部電極１４ａから外部電極１４ｂへと通過させるバンドパスフィルタを構成している。

次に、電子部品１０ｃの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図１３ないし図１５は、電子部品１０ｃの分解図である。電子部品１０ｃの外観斜視図は、電子部品１０ａの外観斜視図と同じであるので図１Ｂを援用する。

電子部品１０ｃは、図１３ないし図１５に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｃ、コンデンサ導体層２１８ａ〜２１８ｃ，２２０，２２１，２２２，２２４ａ，２２４ｂ，２５０，２６０，３１８ａ〜３１８ｃ，３２０，３２１，３２２，３２４ａ，３２４ｂ、インダクタ導体層２３０ａ〜２３０ｅ，２３２ａ〜２３２ｃ，３３０ａ〜３３０ｅ，３３２ａ〜３３２ｃ及びビアホール導体ｖ２０１〜ｖ２１４，ｖ３０１〜ｖ３１４を備えている。

積層体１２は、直方体状をなしており、絶縁体層１６ａ〜１６ｍが上側から下側へとこの順に積層されることにより構成されている。電子部品１０ｃの積層体１２は、電子部品１０ａの積層体１２と同じであるので説明を省略する。

電子部品１０ｃの外部電極１４ａ〜１４ｃは、電子部品１０ａの外部電極１４ａ〜１４ｃと同じであるので説明を省略する。

コンデンサ導体層２１８ａは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２１８ａは、絶縁体層１６ｆの左半分の領域に設けられており、絶縁体層１６ｆの左側の短辺に引き出されている。これにより、コンデンサ導体層２１８ａは、外部電極１４ａに接続されている。

コンデンサ導体層２１８ｂは、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２１８ｂは、絶縁体層１６ｅの左半分の領域に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２１８ａと重なっている。

コンデンサ導体層２１８ｃは、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２１８ｃは、絶縁体層１６ｇの左半分の領域に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２１８ａと重なっている。これにより、コンデンサ導体層２１８ａ〜２１８ｃは、コンデンサＣ３１を構成している。

コンデンサ導体層２２０は、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２２０は、絶縁体層１６ｋの左半分の領域に設けられている。

コンデンサ導体層２６０は、絶縁体層１６ｌの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２６０は、絶縁体層１６ｌの表面の略全面を覆っている。これにより、コンデンサ導体層２６０は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２２０と重なっている。その結果、コンデンサ導体層２２０とコンデンサ導体層２６０とは、コンデンサＣ１を構成している。

ビアホール導体ｖ２０１は、絶縁体層１６ｇ〜１６ｊを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２１８ｃとコンデンサ導体層２２０とを接続している。これにより、コンデンサＣ３１とコンデンサＣ１とが接続されている。

ビアホール導体ｖ２５０は、絶縁体層１６ｌ，１６ｍを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２６０と外部電極１４ｃとを接続している。これにより、コンデンサＣ１は、外部電極１４ｃに接続されている。

インダクタ導体層２３０ａは、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｈの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。

ビアホール導体ｖ２０３は、絶縁体層１６ｇを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２１８ｃの前端とインダクタ導体層２３０ａの前端とを接続している。

インダクタ導体層２３０ｂは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｃの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。また、インダクタ導体層２３０ｂの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３０ａの後端よりも後ろ側に位置している。インダクタ導体層２３０ｂの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３０ａの前端と重なっている。

ビアホール導体ｖ２０４は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｇを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２３０ａの前端とインダクタ導体層２３０ｂの前端とを接続している。

インダクタ導体層２３０ｃは、絶縁体層１６ｉの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｉの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。インダクタ導体層２３０ｃの後端は、左側に折り曲げられている。インダクタ導体層２３０ｃの前端は、インダクタ導体層２３０ｂの前端よりも前側に位置している。インダクタ導体層２３０ｃの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３０ｂの後端と重なっている。

ビアホール導体ｖ２０５は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２３０ｂの後端とインダクタ導体層２３０ｃの後端とを接続している。

インダクタ導体層２３０ｄは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｂの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。インダクタ導体層２３０ｄの前端は、インダクタ導体層２３０ｃの前端と重なっている。インダクタ導体層２３０ｄの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３０ｃの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ２０６は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２３０ｃの前端とインダクタ導体層２３０ｄの前端とを接続している。

インダクタ導体層２３０ｅは、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｊの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。インダクタ導体層２３０ｅの後端は、左側に折り曲げられている。また、インダクタ導体層２３０ｅの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３０ｄの後端と重なっている。

ビアホール導体ｖ２０７は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｉを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２３０ｄの後端とインダクタ導体層２３０ｅの後端とを接続している。

以上のように、インダクタ導体層２３０ａ〜２３０ｅ及びビアホール導体ｖ２０３〜ｖ２０７は、互いに接続されることによりインダクタＬ１を構成している。これにより、インダクタＬ１は、左右方向（積層方向に垂直な直交方向）から平面視したときに渦巻状をなしている。本実施形態では、インダクタＬ１は、左側から平面視したときに、反時計回りに周回しながら、内側から外側へと向かう。また、インダクタＬ１は、ビアホール導体ｖ２０３がコンデンサ導体層２１８ｃに接続されているので、コンデンサＣ３１に接続されている。

また、インダクタＬ１は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層２３０ｂと外周側のインダクタ導体層２３０ｄとを含んでいる。インダクタ導体層２３０ｂは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３０ｄに対して右側に位置している。これにより、インダクタ導体層２３０ｂは、インダクタ導体層２３０ｄに対して右側にずれて位置している。

また、インダクタＬ１は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層２３０ａと外周側のインダクタ導体層２３０ｃとを含んでいる。インダクタ導体層２３０ａは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３０ｃに対して右側に位置している。これにより、インダクタ導体層２３０ａは、インダクタ導体層２３０ｃに対して右側にずれて位置している。

また、インダクタＬ１は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層２３０ｃと外周側のインダクタ導体層２３０ｅとを含んでいる。インダクタ導体層２３０ｃは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３０ｅに対して左側に位置している。これにより、インダクタ導体層２３０ｃは、インダクタ導体層２３０ｅに対して左側にずれて位置している。

以上のように構成されたインダクタＬ１では、インダクタＬ１の一部が左右方向に対して垂直な平面Ｓ１に位置し、インダクタＬ１の残部が平面Ｓ１に対して右側にずれて位置している。より詳細には、インダクタＬ１のインダクタ導体層２３０ｃ，２３０ｄ、ビアホール導体ｖ２０６，ｖ２０７は、平面Ｓ１に位置している。一方、インダクタ導体層２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｅ及びビアホール導体ｖ２０４，ｖ２０５は、平面Ｓ１よりも右側に位置している。

ビアホール導体ｖ２０８は、絶縁体層１６ｊ，１６ｋを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２３０ｅの前端とコンデンサ導体層２６０とを接続している。また、コンデンサ導体層２６０がビアホール導体ｖ２５０により外部電極１４ｃと接続されているので、インダクタＬ１が外部電極１４ｃと接続されている。

コンデンサ導体層２２４ａは、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２２４ａは、絶縁体層１６ｅの中央（対角線の交点）に対して左側に位置している。

コンデンサ導体層２２４ｂは、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２２４ｂは、絶縁体層１６ｇの中央（対角線の交点）に対して左側に位置している。コンデンサ導体層２２４ａとコンデンサ導体層２２４ｂとは、上側から平面視したときに、一致した状態で重なっている。

コンデンサ導体層２２２は、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２２２は、絶縁体層１６ｄの前後方向の中央において左右方向に延在しており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２１８ｂ及びコンデンサ導体層２２４ａと重なっている。これにより、コンデンサ導体層２１８ｂ，２２２，２２４ａは、コンデンサＣ３２を構成している。

コンデンサ導体層２２１は、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層２２１は、絶縁体層１６ｋの中央（対角線の交点）に対して左側に位置しており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２６０と対向している。これにより、コンデンサ導体層２２１とコンデンサ導体層２６０とは、コンデンサＣ２を構成している。また、コンデンサ導体層２６０がビアホール導体ｖ２５０により外部電極１４ｃと接続されているので、コンデンサＣ２が外部電極１４ｃと接続されている。

ビアホール導体ｖ２０９は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｊを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２２４ａ，２２４ｂとコンデンサ導体層２２１とを接続している。これにより、コンデンサＣ３２とコンデンサＣ２とが接続されている。

インダクタ導体層２３２ａは、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｈの中央（対角線の交点）の左側において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層２３２ａの前端は、右側に折り曲げられている。

ビアホール導体ｖ２１０は、絶縁体層１６ｇを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層２２４ｂの前端とインダクタ導体層２３２ａの前端とを接続している。

インダクタ導体層２３２ｂは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｃの中央（対角線の交点）の左側において前後方向に延在する線状導体層である。また、インダクタ導体層２３２ｂの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３２ａの後端と重なっている。インダクタ導体層２３２ｂの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３２ａの前端よりも前側に位置している。

ビアホール導体ｖ２１１は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｇを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２３２ａの後端とインダクタ導体層２３２ｂの後端とを接続している。

インダクタ導体層２３２ｃは、絶縁体層１６ｉの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｉの中央（対角線の交点）の左側において前後方向に延在する線状導体層である。インダクタ導体層２３２ｃの前端は、右側に折り曲げられている。これにより、インダクタ導体層２３２ｃの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３２ｂの前端と重なっている。また、インダクタ導体層２３２ｃの後端は、インダクタ導体層２３２ｂの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ２１２は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２３２ｂの前端とインダクタ導体層２３２ｃの前端とを接続している。

インダクタ導体層２３２ｄは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｂの中央（対角線の交点）の左側において前後方向に延在する線状導体である。インダクタ導体層２３２ｄの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３２ｃの後端と重なっている。インダクタ導体層２３２ｄの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３２ｃの前端よりも前側に位置している。

ビアホール導体ｖ２１３は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２３２ｃの後端とインダクタ導体層２３２ｄの後端とを接続している。

ビアホール導体ｖ２１４は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｋを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２３２ｄの前端とコンデンサ導体層２６０とを接続している。

以上のように、インダクタ導体層２３２ａ〜２３２ｄ及びビアホール導体ｖ２１０〜ｖ２１４は、互いに接続されることによりインダクタＬ２を構成している。これにより、インダクタＬ２は、左右方向（積層方向に垂直な直交方向）から平面視したときに渦巻状をなしている。本実施形態では、インダクタＬ２は、左側から平面視したときに、時計回りに周回しながら、内側から外側へと向かう。また、インダクタＬ２は、ビアホール導体ｖ２１０がコンデンサ導体層２２４ｂに接続されているので、コンデンサＣ３２に接続されている。また、インダクタＬ２は、ビアホール導体ｖ２５０がコンデンサ導体層２６０と外部電極１４ｃとを接続しているので、外部電極１４ｃに接続されている。

また、インダクタＬ２は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層２３２ｂと外周側のインダクタ導体層２３２ｄとを含んでいる。インダクタ導体層２３２ｂは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３２ｄに対して右側に位置している。これにより、インダクタ導体層２３２ｂは、インダクタ導体層２３２ｄに対して右側にずれて位置している。

また、インダクタＬ２は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層２３２ａと外周側のインダクタ導体層２３２ｃとを含んでいる。インダクタ導体層２３２ａは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層２３２ｃに対して右側に位置している。これにより、インダクタ導体層２３２ａは、インダクタ導体層２３２ｃに対して右側にずれて位置している。

以上のように構成されたインダクタＬ２では、インダクタＬ２の一部が左右方向に対して垂直な平面Ｓ２に位置し、インダクタＬ２の残部が平面Ｓ２に対して右側にずれて位置している。より詳細には、インダクタＬ２のインダクタ導体層２３２ｃ，２３２ｄ、ビアホール導体ｖ２１３，ｖ２１４は、平面Ｓ１に位置している。一方、インダクタ導体層２３２ａ，２３２ｂ及びビアホール導体ｖ２１１，ｖ２１２は、平面Ｓ１よりも右側に位置している。

コンデンサ導体層３１８ａ〜３１８ｃ，３２０，３２１，３２２，３２４ａ，３２４ｂ、インダクタ導体層３３０ａ〜３３０ｅ，３３２ａ〜３３２ｃ及びビアホール導体ｖ３０１〜ｖ３１４は、上側から平面視したときに、積層体１２の上面の中央を前後方向に通過する直線に関して、コンデンサ導体層２１８ａ〜２１８ｃ，２２０，２２１，２２２，２２４ａ，２２４ｂ、インダクタ導体層３３０ａ〜３３０ｅ，３３２ａ〜３３２ｃ及びビアホール導体ｖ３０１〜ｖ３１４と線対称な構造を有している。したがって、コンデンサ導体層２１８ａ〜２１８ｃ，２２０，２２１，２２２，２２４ａ，２２４ｂ、インダクタ導体層３３０ａ〜３３０ｅ，３３２ａ〜３３２ｃ及びビアホール導体ｖ３０１〜ｖ３１４の説明を省略する。

また、コンデンサ導体層２５０は、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、２つの長方形状の導体層及び１本の線状導体層により構成されている。一方の長方形状の導体層は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２２４ａ，２２４ｂと重なっている。他方の長方形状の導体層は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層３２４ａ，３２４ｂと重なっている。線状導体層は、２つのコンデンサ導体層を接続している。これにより、コンデンサ導体層２２４ａ，２２４ｂ，２５０，３２４ａ，３２４ｂは、コンデンサＣ３３を構成している。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０ｃによれば、電子部品１０ａと同様に、インダクタＬ１〜Ｌ４に発生する寄生容量を低減できる。

本願発明者は、電子部品１０ｃが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。本願発明者は、電子部品１０ｃの構成を有する第５のモデルを作成し、電子部品１０ｃにおいてインダクタＬ１〜Ｌ４がそれぞれ平面Ｓ１〜Ｓ４に位置する電子部品の第６のモデルを作成した。第６のモデルは比較例である。そして、第５のモデル及び第６のモデルの通過特性を演算させた。図１６は、第５のモデル及び第６のモデルの通過特性（Ｓ２１）を示したグラフである。縦軸は｜Ｓ２１｜を示し、横軸は周波数を示す。

図１６によれば、第５のモデルの方が第６のモデルよりも広帯域化が図られていることが分かる。これは、インダクタＬ１〜Ｌ４の寄生容量が低減されることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１１〜ＬＣ１４の周波数ｆａ１１〜ｆａ１４が低下することが抑制されたためである。

（第４の実施形態）
（電子部品の構成）
まず、第４の実施形態に係る電子部品１０ｄの回路構成について図面を参照しながら説明する。図１７は、第４の実施形態に係る電子部品１０ｄの等価回路図である。

電子部品１０ｄは、電子部品１０ａと同様に、バンドパスフィルタである。ただし、電子部品１０ｄは、インダクタＬ４及びコンデンサＣ４，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１、Ｃ２４，Ｃ２５が設けられていない点において、電子部品１０ａと相違する。電子部品１０ｄのその他の回路構成は、電子部品１０ａと同じであるので説明を省略する。

次に、電子部品１０ｄの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図１８ないし図２０は、電子部品１０ｄの分解図である。電子部品１０ｄにおいて、積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、電子部品１０ｄを上側から平面視したときに、電子部品１０ｄの上面の長辺が延在する方向を左右方向と定義し、電子部品１０ｄの上面の短辺が延在する方向を前後方向と定義する。なお、電子部品１０ｄの外観斜視図は、電子部品１０ａの外観斜視図と同じであるので、図１Ｂを援用する。

電子部品１０ｄは、図１Ｂ、図１８ないし図２０に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｃ、インダクタ導体層４１８ａ，４１８ｂ，４３０ａ〜４３０ｃ，４４２ａ〜４４２ｅ，５１８ａ，５１８ｂ，５３０ａ〜５３０ｃ、コンデンサ導体層４２０ａ，４２０ｂ，４３４，４５２，４６０，５２０ａ，５２０ｂ，５３４、接続導体層４３２，４４０，５３２及びビアホール導体ｖ１〜ｖ７，ｖ１０〜ｖ１７，ｖ５１〜ｖ５４，ｖ１０１〜ｖ１０７を備えている。

積層体１２は、直方体状をなしており、絶縁体層１６ａ〜１６ｍが上側から下側へとこの順に積層されることにより構成されている。電子部品１０ｄの積層体１２の構成は、電子部品１０ａの積層体１２の構成と基本的に同じであるので説明を省略する。

電子部品１０ｄの外部電極１４ａ〜１４ｃは、電子部品１０ａの外部電極１４ａ〜１４ｃと同じであるので説明を省略する。

インダクタ導体層４１８ａは、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｈの左側の短辺の中央を始点とし、絶縁体層１６ｈの左半分の領域の中央を終点とする線状導体層である。インダクタ導体層４１８ａは、始点から終点に向かって時計回りに周回している。インダクタ導体層４１８ａは、外部電極１４ａと接続されている。

インダクタ導体層４１８ｂは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｆの左半分の領域の中央を始点とし、始点の右側に位置する点を終点とする線状導体層である。インダクタ導体層４１８ｂは、始点から終点に向かって時計回りに周回している。

ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｆ，１６ｇを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４１８ａの終点とインダクタ導体層４１８ｂの始点とを接続している。これにより、インダクタ導体層４１８ａ，４１８ｂ及びビアホール導体ｖ１は、螺旋状のインダクタＬ１１を構成している。

コンデンサ導体層４２０ａは、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられており、長方形状の導体層と１本の線状導体層とが組み合わされて構成されている。コンデンサ導体層４２０ａは、絶縁体層１６ｅの左半分の領域に設けられている。線状導体層は、長方形状の導体層の左側の辺から左側に向かって延在している。

コンデンサ導体層４２０ｂは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４２０ｂは、絶縁体層１６ｄの左半分の領域に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層４２０ａと重なっている。これにより、コンデンサ導体層４２０ａ，４２０ｂは、コンデンサＣ２２を構成している。

ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｅを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４１８ｂの終点とコンデンサ導体層４２０ａとを接続している。これにより、インダクタＬ１１とコンデンサＣ２２とが電気的に直列に接続されている。

インダクタ導体層４３０ａは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｃの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４３０ａの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられていない。

ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｅを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層４２０ａの左端とインダクタ導体層４３０ａの前端とを接続している。

インダクタ導体層４３０ｂは、絶縁体層１６ｉの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｉの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４３０ｃの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられていない。インダクタ導体層４３０ｂは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４３０ａと重なっている。また、インダクタ導体層４３０ｂの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４３０ａの前端よりも前側に位置している。インダクタ導体層４３０ｂの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４３０ａの後端と重なっている。

ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４３０ａの後端とインダクタ導体層４３０ｂの後端とを接続している。

インダクタ導体層４３０ｃは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｂの左側の短辺に沿って延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４３０ｃの前端及び後端はそれぞれ、右側に折り曲げられている。インダクタ導体層４３０ｃは、右側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。これにより、インダクタ導体層４３０ｃは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４３０ａとは重なっていない。インダクタ導体層４３０ｃの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４３０ｂの前端と重なっており、インダクタ導体層４３０ｃの前端以外の部分は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４３０ｂの前端以外の部分と重なっていない。また、インダクタ導体層４３０ｃの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４３０ｂの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４３０ｂの前端とインダクタ導体層４３０ｃの前端とを接続している。

ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｂ〜１６iを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ６の上端は、インダクタ導体層４３０ｃの後端に接続されている。

以上のように、インダクタ導体層４３０ａ〜４３０ｃ及びビアホール導体ｖ３〜ｖ６は、互いに接続されることによりインダクタＬ１を構成している。これにより、インダクタＬ１は、左右方向（積層方向に垂直な直交方向）から平面視したときに渦巻状をなしている。本実施形態では、インダクタＬ１は、左側から平面視したときに、反時計回りに周回しながら、内側から外側へと向かう。また、インダクタＬ１は、ビアホール導体ｖ３がコンデンサ導体層４２０ａに接続されているので、コンデンサＣ２２に接続されている。

また、インダクタＬ１は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層４３０ａと外周側のインダクタ導体層４３０ｃとを含んでいる。インダクタ導体層４３０ａは、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４３０ｂに対して左側に位置している。これにより、インダクタ導体層４３０ａは、インダクタ導体層４３０ｃに対して左側にずれて位置している。

以上のように構成されたインダクタＬ１では、インダクタＬ１の一部が左右方向に対して垂直な平面Ｓ１に位置し、インダクタＬ１の残部が平面Ｓ１に対して右側にずれて位置している。より詳細には、インダクタＬ１のインダクタ導体層４３０ｃの両端、インダクタ導体層４３０ａ，４３０ｂ及びビアホール導体ｖ３〜ｖ６は、平面Ｓ１に位置している。一方、インダクタ導体層４３０ｃの両端以外の部分は、平面Ｓ１よりも左側に位置している。

コンデンサ導体層４３４は、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４３４は、絶縁体層１６ｋの左半分の領域に設けられている。

コンデンサ導体層４６０は、絶縁体層１６ｌの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４６０は、絶縁体層１６ｌの略全面を覆っており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層４３４と重なっている。これにより、コンデンサ導体層４３４，４６０は、コンデンサＣ１を構成している。

接続導体層４３２は、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられている線状導体層である。接続導体層４３２は、絶縁体層１６ｊの左側の短辺に沿って延在している。ビアホール導体ｖ６の下端は、接続導体層４３２の後端に接続されている。

ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｊを上下方向に貫通しており、接続導体層４３２の前端とコンデンサ導体層４３４とを接続している。これにより、インダクタＬ１とコンデンサＣ１とが電気的に直列に接続されている。

ビアホール導体ｖ５１〜ｖ５４は、絶縁体層１６ｌ，１６ｍを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層４６０と外部電極１４ｃとを接続している。これにより、コンデンサＣ１と外部電極１４ｃとが接続されている。

インダクタ導体層５１８ａ，５１８ｂ，５３０ａ〜５３０ｃ、コンデンサ導体層５２０ａ，５２０ｂ，５３４、接続導体層５３２及びビアホール導体ｖ１０１〜ｖ１０７は、上側から平面視したときに、積層体１２の上面の中央を前後方向に通過する直線に関して、インダクタ導体層４１８ａ，４１８ｂ，４３０ａ〜４３０ｃ、コンデンサ導体層４２０ａ，４２０ｂ，４３４、接続導体層４３２及びビアホール導体ｖ１〜ｖ７と線対称な構造を有している。したがって、インダクタ導体層５１８ａ，５１８ｂ，５３０ａ〜５３０ｃ、コンデンサ導体層５２０ａ，５２０ｂ，５３４、接続導体層５３２及びビアホール導体ｖ１０１〜ｖ１０７の説明を省略する。

接続導体層４４０は、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、左右方向に延在する線状導体層である。接続導体層４４０は、コンデンサ導体層４２０ｂとコンデンサ導体層５２０ｂとを接続している。これにより、コンデンサＣ２２とコンデンサＣ２３とが、電気的に直列に接続されている。

インダクタ導体層４４２ａは、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられており、Ｔ字型をなす線状導体層である。インダクタ導体層４４２ａは、２本の線状導体層により構成されている。一方の線状導体層は、絶縁体層１６ｇの左右方向の中央において前後方向に延在している。他方の線状導体層は、一方の線状導体層の前端に接続され、左右方向に延在している。

インダクタ導体層４４２ｂは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、インダクタ導体層４３０ａとインダクタ導体層５３０ａとの間において前後方向に延在する線状導体層である。インダクタ導体層４４２ｂは、線状導体層４４４，４４６を含んでいる。線状導体層４４４は、絶縁体層１６ｃの中央（対角線の交点）の左側において前後方向に延在している。線状導体層４４６は、絶縁体層１６ｃの中央（対角線の交点）の右側において前後方向に延在している。線状導体層４４４の後端と線状導体層４４６の後端とは互いに接続されている。また、線状導体層４４４，４４６の前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４４２ａの他方の線状導体層の両端と重なっている。線状導体層４４４，４４６の後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４４２ａの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｆを上下方向に貫通しており線状導体層４４４の前端とインダクタ導体層４４２ａとを接続している。ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｆを上下方向に貫通しており線状導体層４４６の前端とインダクタ導体層４４２ａとを接続している。

インダクタ導体層４４２ｃは、絶縁体層１６ｉの表面上に設けられており、インダクタ導体層４３０ｂとインダクタ導体層５３０ｂとの間において前後方向に延在する線状導体層である。本実施形態では、インダクタ導体層４４２ｃは、絶縁体層１６ｉの左右方向の中央において前後方向に延在している。したがって、インダクタ導体層４４２ｃは、上側から平面視したときに、線状導体層４４４，４４６の後端以外の部分とは重なっておらず、線状導体層４４４と線状導体層４４６との間に位置している。また、インダクタ導体層４４２ｃの前端は、上側から平面視したときに、線状導体層４４４，４４６の前端よりも前側に位置している。インダクタ導体層４４２ｃの後端は、上側から平面視したときに、線状導体層４４４，４４６の後端と重なっている。

ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、線状導体層４４４，４４６の後端とインダクタ導体層４４２ｃの後端とを接続している。

インダクタ導体層４４２ｄは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられており、インダクタ導体層４３０ｃとインダクタ導体層５３０ｃとの間において前後方向に延在する線状導体層である。インダクタ導体層４４２ｄの前端は、インダクタ導体層４４２ｃの前端と重なっている。インダクタ導体層４４２ｄの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４４２ｃの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４４２ｃの前端とインダクタ導体層４４２ｄの前端とを接続している。

インダクタ導体層４４２ｅは、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられており、接続導体層４３２と接続導体層５３２との間において前後方向に延在する線状導体層である。インダクタ導体層４４２ｅは、線状導体層４４８，４５０を含んでいる。線状導体層４４８は、絶縁体層１６ｊの中央（対角線の交点）の左側において前後方向に延在している。線状導体層４５０は、絶縁体層１６ｊの中央（対角線の交点）の右側において前後方向に延在している。これにより、インダクタ導体層４４２ｃは、線状導体層４４８，４５０とは重なっておらず、線状導体層４４８と線状導体層４５０との間に位置している。また、線状導体層４４８の後端と線状導体層４５０の後端とは互いに接続されている。また、線状導体層４４８，４５０の後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４４２ｄの後端と重なっている。

ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１６ｂ〜１６iを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４４２ｄの後端と線状導体層４４８，４５０の後端とを接続している。

以上のように、インダクタ導体層４４２ａ〜４４２ｅ及びビアホール導体ｖ１０〜ｖ１５は、互いに接続されることによりインダクタＬ２を構成している。これにより、インダクタＬ２は、左右方向（積層方向に垂直な直交方向）から平面視したときに渦巻状をなしている。本実施形態では、インダクタＬ２は、左側から平面視したときに、反時計回りに周回しながら、内側から外側へと向かう。

また、インダクタＬ２は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層４４２ｂと外周側のインダクタ導体層４４２ｄとを含んでいる。線状導体層４４４，４４６の後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４４２ｄと重なっている。また、線状導体層４４４の後端以外の部分は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４４２ｄに対して左側に位置している。線状導体層４４６の後端以外の部分は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４４２ｄに対して右側に位置している。これにより、インダクタ導体層４４２ｂの少なくとも一部は、インダクタ導体層４４２ｄに対して左右両側にずれて位置している。

また、インダクタＬ２は、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層４４２ｃと外周側のインダクタ導体層４４２ｅとを含んでいる。線状導体層４４８は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４４２ｃに対して左側に位置している。線状導体層４５０は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４４２ｃに対して右側に位置している。これにより、インダクタ導体層４４２ｅは、インダクタ導体層４４２ｃに対して左右両側にずれて位置している。

コンデンサ導体層４５２は、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４５２は、コンデンサ導体層４３４とコンデンサ導体層５３４との間に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層４６０と重なっている。これにより、コンデンサ導体層４３４，４６０は、コンデンサＣ２を構成している。

ビアホール導体ｖ１６は、絶縁体層１６ｊを上下方向に貫通しており、線状導体層４４８の前端とコンデンサ導体層４５２とを接続している。ビアホール導体ｖ１７は、絶縁体層１６ｊを上下方向に貫通しており、線状導体層４５０の前端とコンデンサ導体層４５２とを接続している。これにより、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とが電気的に直列に接続されている。また、コンデンサ導体層４６０がビアホール導体ｖ５１〜ｖ５４により外部電極１４ｃと接続されているので、コンデンサＣ２が外部電極１４ｃと接続されている。

以上のように、ＬＣ直列共振器ＬＣ１は、ＬＣ直列共振器ＬＣ２に対して左側に設けられている。ＬＣ直列共振器ＬＣ３は、ＬＣ直列共振器ＬＣ２に対して右側に設けられている。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０ｄは、電子部品１０ａと同じ効果を奏することができる。

また、電子部品１０ｄでは、インダクタ導体層４４２ｂ，４４２ｅはそれぞれ、互いに電気的に並列接続された２本の線状導体層により構成されている。これにより、インダクタ導体層４４２ｂ，４４２ｅの直流抵抗値が低減され、インダクタＬ２の直流抵抗値が低減される。その結果、電子部品１０ｄの挿入損失の低減が図られる。なお、インダクタ導体層４４２ｂ，４４２ｅは、３本以上の線状導体層が電気的に並列接続されて構成されていてもよい。

また、電子部品１０ｄでは、線状導体層４４４は、インダクタ導体層４４２ｄに対して左側にずらされているので、インダクタＬ１に近接するようになる。その結果、線状導体層４４４とインダクタＬ１との電磁気的な結合が強くなる。同様に、線状導体層４４６は、インダクタ導体層４４２ｄに対して右側にずらされているので、インダクタＬ３に近接するようになる。その結果、線状導体層４４６とインダクタＬ３との電磁気的な結合が強くなる。同じ理由により、線状導体層４４８とインダクタＬ１との電磁気的な結合が強くなり、線状導体層４５０とインダクタＬ３との電磁気的な結合が強くなる。すなわち、インダクタＬ１とインダクタＬ２との電磁気的な結合度、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気的な結合度が強くなる。

また、インダクタ導体層４４２ｂが線状導体層４４４，４４６により構成されている。線状導体層４４４と線状導体層４４６との左右方向の間隔が大きくなれば、インダクタ導体層４４２ｂの電流経路の長さが長くなる。すなわち、インダクタＬ２のインダクタンス値が大きくなる。このように、線状導体層４４４，４４６の間隔を調整することにより、インダクタＬ２のインダクタンス値を調整することが可能となる。同じ理由により、線状導体層４４８，４５０の間隔を調整することにより、インダクタＬ２のインダクタンス値を調整することが可能となる。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、電子部品１０ａ〜１０ｄに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。

なお、電子部品１０ａ〜１０ｄの構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、電子部品１０ａ〜１０ｄにおいて、互いに隣り合う内周側のインダクタ導体層と外周側のインダクタ導体層とが左右方向にずれて位置せず、互いに隣り合わないインダクタ導体層同士が左右方向にずれて位置していてもよい。例えば、電子部品１０ａにおいて、インダクタ導体層３０ｄが、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｆに対して右側又は左側にずれており、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｃ，３０ｅが、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｆと重なっていてもよい。なお、ビアホール導体に関しても、インダクタ導体層と同じことが言える。

以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、インダクタに発生する寄生容量を低減できる点において優れている。

ＬＰＦ１１〜ＬＰＦ１４：ローパスフィルタ
ＨＰＦ１１〜ＨＰＦ１４：ハイパスフィルタ
１０ａ〜１０ｄ：電子部品
１２：積層体
１４ａ〜１４ｃ：外部電極
１６ａ〜１６ｑ：絶縁体層
１８ａ，１８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ，３０ｌ，３０ｍ，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ，１１８ａ，１１８ｂ，１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ，１３０ｄ，１３０ｅ，１３０ｆ，１３０ｌ，１３０ｍ，１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄ，２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃ，２３０ｄ，２３０ｅ，２３２ａ，２３２ｂ，２３２ｃ，２３２ｄ，３３０ａ，３３０ｂ，３３０ｃ，３３０ｄ，３３０ｅ，４１８ａ，４１８ｂ，４３０ａ，４３０ｂ，４３０ｃ，４３０ｄ，４４２，４４２ａ，４４２ｂ，４４２ｃ，４４２ｄ，４４２ｅ，５１８ａ，５１８ｂ，５３０ａ，５３０ｂ，５３０ｃ，５３０ｄ：インダクタ導体層
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２１，２２，３２，４０ａ，４０ｂ，４４，４６，６０，１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ，１２１，１２２，１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４４，２１８ａ，２１８ｂ，２１８ｃ，２２０，２２１，２２２，２２４ａ，２２４ｂ，２５０，２６０，３１８ａ，３１８ｂ，３１８ｃ，３２４ａ，３２４ｂ，４２０ａ，４２０ｂ，４３４，４５２，４６０，５２０ａ，５２０ｂ，５３４：コンデンサ導体層
４７，１４７，４３２，４４４，４４６，４４８，４５０，４４０，５３２：接続導体層
Ｃ１〜Ｃ４，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１〜Ｃ２５，Ｃ３１〜Ｃ３５：コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ４，Ｌ１１，Ｌ１２：インダクタ
ＬＣ１〜ＬＣ４：ＬＣ直列共振器
ＬＣ１１〜ＬＣ１４：ＬＣ並列共振器
ＳＬ：信号経路

Claims

複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、
前記積層体に設けられている第１のインダクタ及び第１のコンデンサを含む第１の共振器と、
を備えており、
前記第１のインダクタは、前記絶縁体層上に設けられている導体層と、前記絶縁体層を積層方向に貫通する層間接続導体とが接続されることにより、前記積層方向に対して垂直な直交方向から平面視したときに渦巻状をなしており、
前記第１のインダクタの一部が前記直交方向に対して垂直な所定平面に位置し、該第１のインダクタの残部が該所定平面に対して該直交方向にずれて位置しており、
前記第１のインダクタは、前記積層方向から平面視したときに、互いに隣り合う内周側の第１の導体層と外周側の第２の導体層とを含んでおり、
前記第１の導体層は、一方の端部において互いに接続された第１の線状導体層及び第２の線状導体層を含んでおり、
前記第１の線状導体層の少なくとも一部は、前記第２の導体層に対して前記直交方向の一方側にずれて位置し、
前記第２の線状導体層の少なくとも一部は、前記第２の導体層に対して前記直交方向の他方側にずれて位置していること、
を特徴とする電子部品。
複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、
前記積層体に設けられている第１のインダクタ及び第１のコンデンサを含む第１の共振器と、
を備えており、
前記第１のインダクタは、前記絶縁体層上に設けられている導体層と、前記絶縁体層を積層方向に貫通する層間接続導体とが接続されることにより、前記積層方向に対して垂直な直交方向から平面視したときに渦巻状をなしており、
前記第１のインダクタの一部が前記直交方向に対して垂直な所定平面に位置し、該第１のインダクタの残部が該所定平面に対して該直交方向にずれて位置しており、
前記第１のインダクタは、前記積層方向から平面視したときに、互いに隣り合う内周側の第１の導体層と外周側の第２の導体層とを含んでおり、
前記第２の導体層は、一方の端部において互いに接続された第１の線状導体層及び第２の線状導体層を含んでおり、
前記第１の線状導体層の少なくとも一部は、前記第１の導体層に対して前記直交方向の一方側にずれて位置し、
前記第２の線状導体層の少なくとも一部は、前記第１の導体層に対して前記直交方向の他方側にずれて位置していること、
を特徴とする電子部品。
前記第１の共振器に対して前記直交方向の一方側に設けられている第２の共振器と、
前記第１の共振器に対して前記直交方向の他方側に設けられている第３の共振器と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。