JP2023128837A - 積層型フィルタ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造ばらつきに起因する特性の変化することを抑制できるようにした積層型フィルタ装置を実現する。【解決手段】フィルタ装置1は、グランド用導体層512,597,662と、グランド用導体層に電気的に接続された少なくとも1つのスルーホールと、少なくとも1つのスルーホールを挟むように配置された第1の共振器用導体層591および第2の共振器用導体層592と、積層体50とを備えている。第1の共振器用導体層591は、少なくとも1つのスルーホールから遠ざかる第1の方向すなわち-X方向に沿って延在している。第2の共振器用導体層592は、少なくとも1つのスルーホールから遠ざかる第2の方向すなわちX方向に沿って延在している。【選択図】図6
Description
本発明は、2つの共振器を備えた積層型フィルタ装置に関する。
通信装置に用いられる電子部品の一つには、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタがある。複数の共振器の各々は、例えば、一方向に長い導体部を有している。特に小型の通信装置に用いられるバンドパスフィルタには、小型化が求められる。小型化に適したバンドパスフィルタとしては、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体を用いたものが知られている。
特許文献1には、4つの1/4波長共振器を備えたバンドパスフィルタであって、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体を用いたバンドパスフィルタが開示されている。このバンドパスフィルタでは、X方向に長い形状を有する2つの共振器導体部によって2つの共振器が構成され、それぞれY方向に長い形状を有する2つの共振器導体部によって他の2つの共振器が構成されている。
積層体を用いたバンドパスフィルタでは、製造ばらつきに起因して、導体層やスルーホールの位置がずれる場合がある。ここで、特許文献1に開示されたバンドパスフィルタにおいて、Y方向に長い形状を有する2つの共振器導体部の位置がY方向にずれることを考える。この場合、2つの共振器導体部は、いずれも長くなるか、いずれも短くなる。共振器の特性には、共振器導体部の長さに応じて変化するものがある。そのため、2つの共振器導体部の各々の長さが同じように変化すると、2つの共振器の特性も同じように変化する。その結果、バンドパスフィルタ全体としては、特性が大きく変化する場合がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、製造ばらつきに起因する特性の変化することを抑制できるようにした積層型フィルタ装置を提供することにある。
本発明の積層型フィルタ装置は、グランドに電気的に接続されるグランド用導体層と、グランド用導体層に電気的に接続された少なくとも1つのスルーホールと、少なくとも1つのスルーホールを挟むように配置された第1の共振器用導体層および第2の共振器用導体層と、積層された複数の誘電体層を含み、グランド用導体層、少なくとも1つのスルーホール、第1の共振器用導体層および第2の共振器用導体層を一体化するための積層体とを備えている。第1の共振器用導体層は、少なくとも1つのスルーホールから遠ざかる第1の方向に沿って延在している。第2の共振器用導体層は、少なくとも1つのスルーホールから遠ざかる第2の方向に沿って延在している。
本発明の積層型フィルタ装置において、第1の共振器用導体層と第2の共振器用導体層の各々は、一端が短絡され他端が開放された共振器を構成してもよい。この場合、第1の共振器用導体層と第2の共振器用導体層の各々は、少なくとも1つのスルーホールに電気的に接続されていてもよい。
また、本発明の積層型フィルタ装置において、少なくとも1つのスルーホールは、複数の誘電体層の積層方向と直交し且つ第1の方向と第2の方向の少なくとも一方と直交する方向に沿って並んだ複数のスルーホールを含んでいてもよい。
また、本発明の積層型フィルタ装置において、第1の方向と第2の方向は、互いに反対の方向であってもよい。
また、本発明の積層型フィルタ装置は、更に、第1の共振器用導体層と結合する第3の共振器用導体層と、第2の共振器用導体層と結合する第4の共振器用導体層とを備えていてもよい。
本発明の積層型フィルタ装置では、第1の共振器用導体層は、少なくとも1つのスルーホールから遠ざかる第1の方向に沿って延在し、第2の共振器用導体層は、少なくとも1つのスルーホールから遠ざかる第2の方向に沿って延在している。少なくとも1つのスルーホールは、グランド用導体層に電気的に接続され、グランド用導体層は、グランドに電気的に接続されている。これにより、本発明によれば、製造ばらつきに起因する特性の変化することを抑制できるようにした積層型フィルタ装置を実現することができるという効果を奏する。
[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る積層型フィルタ装置(以下、単にフィルタ装置と記す。)1の構成の概略について説明する。フィルタ装置1は、2つのポート3,4と、第1の共振回路10と、第2の共振回路20とを備えている。ポート3,4の各々は、信号の入力または出力のためのポートである。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る積層型フィルタ装置(以下、単にフィルタ装置と記す。)1の構成の概略について説明する。フィルタ装置1は、2つのポート3,4と、第1の共振回路10と、第2の共振回路20とを備えている。ポート3,4の各々は、信号の入力または出力のためのポートである。
本実施の形態では、第1の共振回路10は、バンドパスフィルタを構成し、第2の共振回路20は、バンドエリミネーションフィルタを構成する。本実施の形態では特に、第1の共振回路10が主となる共振回路であり、第2の共振回路20が従となる共振回路である。フィルタ装置1は、全体としては、バンドパスフィルタとして機能する。
第1の共振回路10は、回路構成上、2つのポート3,4の間に設けられている。また、第1の共振回路10は、2つのポート3,4の両方に結合されている。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。
第2の共振回路20は、回路構成上、2つのポート3,4の間に設けられている。また、第2の共振回路20は、2つのポート3,4の少なくとも一方に結合されている。本実施の形態では特に、第2の共振回路20は、2つのポート3,4の両方に結合されている。なお、本実施の形態では、第2の共振回路20は、回路構成上、2つのポート3,4の間において第1の共振回路10に対して並列に設けられており、第1の共振回路10とポート3またはポート4との間には設けられていない。
フィルタ装置1は、更に、第1の共振回路10と2つのポート3,4とを容量結合させる2つの第1のキャパシタC11,C12を備えている。第1のキャパシタC11は、第1の共振回路10とポート3とを容量結合させている。第1のキャパシタC12は、第1の共振回路10とポート4とを容量結合させている。
フィルタ装置1は、更に、第2の共振回路20と2つのポート3,4とを容量結合させる少なくとも1つの第2のキャパシタを備えている。本実施の形態では特に、フィルタ装置1は、少なくとも1つの第2のキャパシタとして、2つの第2のキャパシタC21,C22を備えている。第2のキャパシタC21は、第2の共振回路20とポート3とを容量結合させている。第2のキャパシタC22は、第2の共振回路20とポート4とを容量結合させている。
第2の共振回路20と2つのポート3,4との結合は、第1の共振回路10と2つのポート3,4との結合よりも弱い。本実施の形態のように、共振回路とポートとの間の結合が容量結合である場合、共振回路とポートとを容量結合させるキャパシタのキャパシタンスが大きくなるに従って、結合が強くなる。すなわち、上記のキャパシタンスが小さくなるに従って、共振回路とポートとの結合は弱くなる。
本実施の形態では、第2のキャパシタC21,C22の各々のキャパシタンスは、第1のキャパシタC11,C12の各々のキャパシタンスよりも小さい。これにより、第2の共振回路20とポート3との間および第2の共振回路20とポート4との間の各々の結合は、第1の共振回路10とポート3との間および第1の共振回路10とポート4との間の各々の結合よりも弱くなる。一例では、第2のキャパシタC21,C22の各々のキャパシタンスは、0.03pFであり、第1のキャパシタC11,C12の各々のキャパシタンスは、0.14pFである。
なお、第1の共振回路10は、ポート3,4の各々に直結していてもよい。共振回路とポートとを直結させた場合、高周波領域においては、実質的に、無限大のキャパシタンスによって容量結合させた場合と同じになる。そのため、この場合には、第1の共振回路10とポート3との間および第1の共振回路10とポート4との間の各々の結合は、第1のキャパシタC11,C12によって容量結合させた場合よりも強くなる。
次に、図1を参照して、第1および第2の共振回路10,20の構成の一例について説明する。始めに、第1の共振回路10について説明する。第1の共振回路10は、複数の第1の共振器を含んでいる。本実施の形態では特に、第1の共振回路10は、複数の第1の共振器として、回路構成上ポート3側からこの順に配置された2つの第1の共振器11,12を含んでいる。第1の共振器11,12の各々は、一端が短絡され他端が開放された1/4波長共振器である。第1の共振器11,12は、互いに磁気結合している。
第1の共振器11は、ポート3に結合する。第1の共振器11は、ポート3に最も近い第1端11aと、ポート3から最も遠い第2端11bとを有している。第1のキャパシタC11は、回路構成上、第1の共振器11の第1端11aとポート3との間に設けられている。
第1の共振器12は、ポート4に結合する。第1の共振器12は、ポート4に最も近い第1端12aと、ポート4から最も遠い第2端12bとを有している。第1のキャパシタC12は、回路構成上、第1の共振器12の第1端12aとポート4との間に設けられている。
第1の共振器11の第2端11bと第1の共振器12の第2端12bの各々は、グランドに接続される。図1において、符号L11は、第1の共振器11,12とグランドとを接続する線路のインダクタンス成分を示している。
次に、第2の共振回路20について説明する。第2の共振回路20は、複数の第2の共振器を含んでいる。本実施の形態では特に、第2の共振回路20は、複数の第2の共振器として、回路構成上ポート3側からこの順に配置された2つの第2の共振器21,22を含んでいる。第2の共振器21,22の各々は、両端開放型の1/2波長共振器である。第2の共振器21,22は、互いに磁気結合している。
第2の共振器21は、ポート3に結合する。第2の共振器21は、ポート3に最も近い第1端21aと、ポート3から最も遠い第2端21bとを有している。第2のキャパシタC21は、回路構成上、第2の共振器21の第1端21aとポート3との間に設けられている。
第2の共振器22は、ポート4に結合する。第2の共振器22は、ポート4に最も近い第1端22aと、ポート4から最も遠い第2端22bとを有している。第2のキャパシタC22は、回路構成上、第2の共振器22の第1端22aとポート4との間に設けられている。
次に、図2を参照して、フィルタ装置1のその他の構成について説明する。図2は、フィルタ装置1の外観を示す斜視図である。
フィルタ装置1は、更に、積層体50を備えている。積層体50は、積層された複数の誘電体層と、この複数の誘電体層に形成された複数の導体層および複数のスルーホールとを含んでいる。ポート3,4、第1の共振回路10、第2の共振回路20、第1のキャパシタC11,C12および第2のキャパシタC21,C22は、積層体50に一体化されている。
積層体50は、複数の誘電体層の積層方向Tの両端に位置する底面50Aおよび上面50Bと、底面50Aと上面50Bを接続する4つの側面50C~50Fとを有している。側面50C,50Dは互いに反対側を向き、側面50E,50Fも互いに反対側を向いている。側面50C~50Fは、上面50Bおよび底面50Aに対して垂直になっている。
ここで、図2に示したように、X方向、Y方向、Z方向を定義する。X方向、Y方向、Z方向は、互いに直交する。本実施の形態では、積層方向Tに平行な一方向を、Z方向とする。また、X方向とは反対の方向を-X方向とし、Y方向とは反対の方向を-Y方向とし、Z方向とは反対の方向を-Z方向とする。
図2に示したように、底面50Aは、積層体50における-Z方向の端に位置する。上面50Bは、積層体50におけるZ方向の端に位置する。側面50Cは、積層体50における-X方向の端に位置する。側面50Dは、積層体50におけるX方向の端に位置する。側面50Eは、積層体50における-Y方向の端に位置する。側面50Fは、積層体50におけるY方向の端に位置する。
フィルタ装置1は、更に、端子511,661と、グランド用導体層512,662とを備えている。端子511およびグランド用導体層512は、底面50Aに配置されている。本実施の形態では特に、グランド用導体層512は、底面50Aのほぼ全体を覆っている。端子511とグランド用導体層512との間には、間隙が形成されている。
端子661およびグランド用導体層662は、上面50Bに配置されている。本実施の形態では特に、グランド用導体層662は、上面50Bのほぼ全体を覆っている。端子661とグランド用導体層662との間には、間隙が形成されている。
端子511はポート3に対応し、端子661はポート4に対応する。グランド用導体層512,662の各々は、グランドに接続される。
次に、図3ないし図9を参照して、積層体50を構成する複数の誘電体層および複数の導体層の一例について説明する。この例では、積層体50は、積層された16層の誘電体層を有している。以下、この16層の誘電体層を、下から順に1層目ないし16層目の誘電体層と呼ぶ。また、1層目ないし16層目の誘電体層を符号51~66で表す。図3ないし図9において、複数の円は複数のスルーホールを表している。
図3は、1層目の誘電体層51のパターン形成面を示している。誘電体層51のパターン形成面には、端子511とグランド用導体層512が形成されている。また、誘電体層51には、端子511に接続された特定のスルーホール51T1が形成されている。特定のスルーホール51T1を除く誘電体層51に形成された複数のスルーホールは、グランド用導体層512に接続されている。グランド用導体層512に接続された複数のスルーホールは、特定のスルーホール51T2,51T3を含んでいる。
図4は、2層目ないし7層目の誘電体層52~57の各々のパターン形成面を示している。誘電体層52~57の各々には、特定のスルーホール52T1,52T2,52T3が形成されている。誘電体層51に形成された特定のスルーホール51T1~51T3は、それぞれ、誘電体層52に形成された特定のスルーホール52T1~52T3に接続されている。また、誘電体層52~57では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。
図5は、8層目の誘電体層58のパターン形成面を示している。誘電体層58のパターン形成面には、導体層581,582が形成されている。また、誘電体層58には、特定のスルーホール58T1,58T2,58T3が形成されている。誘電体層57に形成された特定のスルーホール52T1~52T3は、それぞれ、特定のスルーホール58T1~58T3に接続されている。
図6は、9層目の誘電体層59のパターン形成面を示している。誘電体層59のパターン形成面には、共振器用導体層591,592,593,594と、導体層595,596と、グランド用導体層597が形成されている。導体層591~596の各々は、互いに反対側に位置する第1端および第2端を有している。
導体層591,595の各々は、第1端から第2端に向かって-X方向に延在している。導体層592,596の各々は、第1端から第2端に向かってX方向に延在している。導体層593,594の各々は、第1端から第2端に向かって-Y方向に延在している。
また、誘電体層59には、特定のスルーホール59T1,59T2,59T3が形成されている。特定のスルーホール59T1は、導体層596の第1端の近傍部分に接続されている。誘電体層58に形成された特定のスルーホール58T1は、導体層595の第1端の近傍部分に接続されている。誘電体層58に形成された特定のスルーホール58T2,58T3と、特定のスルーホール59T2,59T3は、グランド用導体層597に接続されている。
導体層591の第1端の近傍部分は、導体層595の第2端の近傍部分に対して、所定の間隔を開けて隣接している。導体層592の第1端の近傍部分は、導体層596の第2端の近傍部分に対して、所定の間隔を開けて隣接している。導体層591,592の各々の第2端は、グランド用導体層597に接続されている。図6では、導体層591,592とグランド用導体層597との境界を、点線で示している。
導体層593の第1端は、導体層595の第2端の近傍部分に対して、所定の間隔を開けて隣接している。導体層594の第1端は、導体層596の第2端の近傍部分に対して、所定の間隔を開けて隣接している。
図7は、10層目の誘電体層60のパターン形成面を示している。誘電体層60のパターン形成面には、導体層601,602が形成されている。また、誘電体層60には、特定のスルーホール60T1,60T2,60T3が形成されている。誘電体層59に形成された特定のスルーホール59T1~59T3は、それぞれ、特定のスルーホール60T1~60T3に接続されている。
図8は、11層目ないし16層目の誘電体層61~66の各々のパターン形成面を示している。誘電体層61~66の各々には、特定のスルーホール61T1,61T2,61T3が形成されている。誘電体層60に形成された特定のスルーホール60T1~60T3は、それぞれ、誘電体層61に形成された特定のスルーホール61T1~61T3に接続されている。また、誘電体層61~66では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。
図9は、16層目の誘電体層66のパターン形成面とは反対側の面である端子形成面を示している。誘電体層66の端子形成面には、端子661とグランド用導体層662が形成されている。誘電体層66に形成された特定のスルーホール61T1は、端子661に接続されている。誘電体層66に形成された特定のスルーホール61T2,61T3を含む誘電体層66に形成された複数のスルーホール(特定のスルーホール61T1を除く)は、グランド用導体層662に接続されている。
図2に示した積層体50は、1層目の誘電体層51のパターン形成面が積層体50の底面50Aになり、16層目の誘電体層66の端子形成面が積層体50の上面50Bになるように、1層目ないし16層目の誘電体層51~66が積層されて構成される。
図10は、1層目ないし16層目の誘電体層51~66が積層されて構成された積層体50の内部を示している。図10に示したように、積層体50の内部では、図3ないし図9に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。導体層595は、特定のスルーホール51T1,52T1,58T1を介して端子511に接続されている。導体層596は、特定のスルーホール59T1,60T1,61T1を介して端子661に接続されている。グランド用導体層512,597,662は、特定のスルーホール51T1,52T1,58T1,59T1,60T1,61T1を除く複数のスルーホールによって互いに接続されている。特に、グランド用導体層597は、特定のスルーホール51T2,51T3,52T2,52T3,58T2,58T3を介してグランド用導体層512に接続され、特定のスルーホール59T2,59T3,60T2,60T3,61T2,61T3を介してグランド用導体層662に接続されている。
以下、図1に示したフィルタ装置1の構成要素と、図4ないし図8に示した積層体50の内部の構成要素との対応関係について説明する。第1の共振回路10の第1の共振器11は、共振器用導体層591によって構成されている。第1の共振回路10の第1の共振器12は、共振器用導体層592によって構成されている。第2の共振回路20の第2の共振器21は、共振器用導体層593によって構成されている。第2の共振回路20の第2の共振器22は、共振器用導体層594によって構成されている。
第1のキャパシタC11は、導体層581,591,595と、これらの導体層の間の誘電体層58とによって構成されている。第1のキャパシタC12は、導体層582,592,596と、これらの導体層の間の誘電体層58とによって構成されている。第2のキャパシタC21は、導体層593,595,601と、これらの導体層の間の誘電体層59とによって構成されている。第2のキャパシタC22は、導体層594,596,602と、これらの導体層の間の誘電体層59とによって構成されている。
次に、本実施の形態におけるフィルタ装置1の構造上の特徴について簡単に説明する。フィルタ装置1では、共振器用導体層591~594は、グランド用導体層512,662と複数のスルーホールとによって囲まれた空間内に設けられている。
また、フィルタ装置1では、第2のキャパシタC21,C22を構成する導体層601,602の各々の面積は、第1のキャパシタC11,C12を構成する導体層581,582の各々の面積よりも小さい。
特定のスルーホール51T2,51T3,52T2,52T3,58T2,58T3,59T2,59T3,60T2,60T3,61T2,61T3は、グランド用導体層512,597,662に電気的に接続されている。グランド用導体層512,597,662は、グランドに電気的に接続される。以下、特定のスルーホール51T2,51T3,52T2,52T3,58T2,58T3,59T2,59T3,60T2,60T3,61T2,61T3を、グランドに接続された複数の特定のスルーホールと言う。
グランドに接続された複数の特定のスルーホールは、積層方向Tと直交する方向に沿って並んだ2つのスルーホールを含んでいる。この2つのスルーホールとは、具体的には、特定のスルーホール71T2,71T3の組、特定のスルーホール72T2,72T3の組、特定のスルーホール78T2,78T3の組、特定のスルーホール79T2,79T3の組、特定のスルーホール80T2,80T3の組、特定のスルーホール81T2,81T3の組である。これらの組に含まれる2つの特定のスルーホールは、後述する共振器用導体層591が延在する方向と共振器用導体層592が延在する方向の少なくとも一方と直交する方向に沿って並んでいる。本実施の形態では、これらの組に含まれる2つの特定のスルーホールは、Y方向に平行な方向に沿って並んでいる。
共振器用導体層591は、グランドに接続された複数の特定のスルーホールから遠ざかる第1の方向に沿って延在している。共振器用導体層591は、グランドに接続された複数の特定のスルーホールから遠ざかる第2の方向に沿って延在している。本実施の形態では特に、共振器用導体層591,592の各々は、グランドに接続された複数の特定のスルーホールに電気的に接続されている。
第1および第2の方向は、積層方向Tに直交する方向である。本実施の形態では特に、第1の方向はX方向であり、第2の方向は-X方向である。従って、第1の方向と第2の方向は、互いに反対の方向である。
共振器用導体層593,594の各々は、細幅部と細幅部の両側に位置する2つの幅広部とを含んでいる。共振器用導体層593,594によって構成される第2の共振器21,22はいずれも、ステップドインピーダンス共振器である。
次に、本実施の形態に係るフィルタ装置1の作用および効果について説明する。本実施の形態では、前述のように、共振器用導体層591,592の各々が、グランドに接続された複数の特定のスルーホールから遠ざかる方向に延在している。そのため、本実施の形態では、製造ばらつきに起因して共振器用導体層591,592または接続された複数の特定のスルーホールがX方向に平行な方向にずれた場合、共振器用導体層591,592の一方は長くなり、他方は短くなる。これにより、本実施の形態によれば、共振器用導体層の長さの変化に起因する共振器の特性の変化を相殺することができる。その結果、本実施の形態によれば、製造ばらつきに起因する第1の共振回路10すなわちバンドパスフィルタの特性の変化を抑制することができる。
また、本実施の形態では、前述のように、グランドに接続された複数の特定のスルーホールは、積層方向Tと直交し且つ共振器用導体層591が延在する方向と共振器用導体層592が延在する方向の少なくとも一方と直交する方向に沿って並んだ2つのスルーホールを含んでいる。本実施の形態では特に、上記2つのスルーホールは、共振器用導体層591が延在する方向と共振器用導体層592が延在する方向の両方と直交する方向に沿って並んでいる。そのため、共振器用導体層591,592または接続された複数の特定のスルーホールがY方向に平行な方向にずれた場合には、共振器用導体層591,592の各々の長さはほとんど変化しない。これによっても、本実施の形態によれば、製造ばらつきに起因する第1の共振回路10すなわちバンドパスフィルタの特性の変化を抑制することができる。
以下、シミュレーションの結果を参照して、本実施の形態の上記の効果について説明する。シミュレーションでは、実施例のモデルと比較例のモデルを用いた。実施例のモデルと比較例のモデルは、いずれも、グランド用導体層と、このグランド用導体層から延在する2つの共振器用導体層とを備えたバンドパスフィルタのモデルである。
実施例のモデルでは、本実施の形態に係るフィルタ装置1と同様に、2つの共振器用導体層は、グランド用導体層を挟むように配置され、互いに反対方向に延在している。比較例のモデルでは、2つの共振器用導体層は、グランド用導体層から同じ方向に延在している。なお、シミュレーションでは、共振器用導体層の長手方向(延在方向に平行な方向)を、実施例のモデルと比較例のモデルで同じ方向にした。シミュレーションでは、実施例のモデルにおける2つの共振器用導体層の各々の長さを700μmとし、比較例のモデルにおける2つの共振器用導体層の各々の長さを855μmとした。
シミュレーションでは、2つの共振器用導体層を、共振器用導体層の長手方向に15μmずらしたときの、通過帯域の下限である低域遮断周波数のずれ量と、通過帯域の上限である高域遮断周波数のずれ量を求めた。実施例のモデルでは、2つの共振器用導体層を、共振器用導体層の長手方向に15μmずらすと、2つの共振器用導体層の一方は15μmだけ短くなり、他方は15μmだけ長くなる。比較例のモデルでは、2つの共振器用導体層を、共振器用導体層の長手方向に15μmずらすと、2つの共振器用導体層は、いずれも、15μmだけ短くなるか、15μmだけ長くなる。シミュレーションでは、2つの共振器用導体層がいずれも長くなるように、2つの共振器用導体層をずらした。
2つの共振器用導体層を上述のようにずらした場合、比較例のモデルでは、低域遮断周波数のずれ量は0.80%であり、高域遮断周波数のずれ量は1.25%であった。また、実施例のモデルでは、低域遮断周波数のずれ量は0.11%であり、高域遮断周波数のずれ量は0.11%であった。シミュレーションの結果から理解されるように、本実施の形態によれば、製造ばらつきに起因する低域遮断周波数および高域遮断周波数の変化を抑制することができる。
次に、本実施の形態におけるフィルタ装置1のその他の効果について説明する。前述のように、本実施の形態では、第2の共振回路20と2つのポート3,4との結合は、第1の共振回路10と2つのポート3,4との結合よりも弱い。これにより、本実施の形態によれば、第2の共振回路20による効果を抑制しながら、第2の共振回路20をフィルタ装置1に組み込むことができる。
本実施の形態では特に、第1の共振回路10はバンドパスフィルタを構成し、第2の共振回路20はバンドエリミネーションフィルタを構成する。第2の共振回路20による効果とは、具体的には、フィルタ装置1の挿入損失の周波数特性(バンドパスフィルタの挿入損失の周波数特性)において、第2の共振回路20によるバンドエリミネーションフィルタの阻止帯域の中心周波数の近傍の周波数領域の挿入損失を大きくすることである。従って、本実施の形態によれば、上記の周波数領域の挿入損失を必要な大きさまで小さくしながら、第2の共振回路20をフィルタ装置1に組み込むことができる。従って、本実施の形態によれば、第2の共振回路20によるバンドエリミネーションフィルタの阻止帯域の中心周波数を、第1の共振回路10によるバンドパスフィルタの通過帯域に近い周波数にすることにより、フィルタ装置1の通過帯域の挿入損失が大きくなることを抑制しながら、フィルタ装置1の通過帯域に近い周波数領域において挿入損失が急峻に変化する特性を得ることができる。
なお、バンドパスフィルタを構成する共振器の数を増やすことによっても、通過帯域に近い周波数領域において挿入損失が急峻に変化する特性を得ることができる。しかし、共振器のQ値を同じにして比較すると、共振器の数が増加するに従って、通過帯域の挿入損失が大きくなるという問題が発生する。
これに対し、本実施の形態では、第1の共振回路10に含まれる共振器の数は2つだけである。本実施の形態によれば、バンドパスフィルタを構成する共振器の数を増加させることなく、通過帯域に近い周波数領域において挿入損失が急峻に変化する特性を得ることができる。これにより、本実施の形態によれば、通過帯域の挿入損失の増加を抑制することができる。また、本実施の形態によれば、フィルタ装置1を小型化することができる。
第2の共振回路20によるバンドエリミネーションフィルタの阻止帯域の中心周波数は、第1の共振回路10によるバンドパスフィルタの通過帯域の低域側の周波数領域に存在してもよいし、通過帯域の高域側の周波数領域に存在してもよい。
[第2の実施の形態]
次に、図11を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。図11は、本実施の形態に係るフィルタ装置101の構成を模式的に示す説明図である。
次に、図11を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。図11は、本実施の形態に係るフィルタ装置101の構成を模式的に示す説明図である。
本実施の形態に係るフィルタ装置101は、4つの共振器31,32,33,34を備えたバンドパスフィルタである。共振器31~34の各々は、一端が短絡され他端が開放された1/4波長共振器であり、一方向に延在する共振器用導体層によって構成されている。以下の説明において、共振器と言うときは、共振器と共振器用導体層の少なくとも一方を指すものとする。
フィルタ装置101は、更に、それぞれグランドに電気的に接続されたグランド導体部41,42,43を備えている。グランド導体部41~43の各々は、グランドに電気的に接続されるグランド用導体層と、グランド用導体層に電気的に接続された少なくとも1つのスルーホールとを含んでいる。グランド導体部41~43の各々は、全体としては、Y方向に平行な方向に延在している。
共振器31の一端は、グランド導体部41に接続されている。共振器31は、グランド導体部41からX方向に延在している。
共振器32,33は、グランド導体部42を挟むように配置されている。共振器32,33の各一端は、グランド導体部42に接続されている。共振器32は、グランド導体部42から-X方向に延在している。共振器33は、グランド導体部42からX方向に延在している。
共振器34の一端は、グランド導体部43に接続されている。共振器34は、グランド導体部43から-X方向に延在している。
共振器31は、共振器32と電磁結合し、共振器32は、共振器31と電磁結合し、共振器33は、共振器34と電磁結合する。
なお、本実施の形態では、共振器34の他端は、共振器31の他端に対向している。
本実施の形態では、製造ばらつきに起因して共振器32,33またはグランド導体部42がX方向に平行な方向にずれた場合、共振器32,33の一方は長くなり、他方は短くなる。同様に、製造ばらつきに起因して共振器31,34またはグランド導体部41,43がX方向に平行な方向にずれた場合、共振器31,34の一方は長くなり、他方は短くなる。これらのことから、本実施の形態によれば、共振器31~34の特性の変化を相殺することができる。その結果、本実施の形態によれば、製造ばらつきに起因するフィルタ装置101の特性の変化を抑制することができる。
また、本実施の形態では、グランド導体部41~43の各々は、全体としては、Y方向に平行な方向に延在している。そのため、共振器31~34またはグランド導体部41~43がY方向に平行な方向にずれた場合には、共振器31~34の各々の長さはほとんど変化しない。これによっても、本実施の形態によれば、製造ばらつきに起因するフィルタ装置101の特性の変化を抑制することができる。
[変形例]
次に、図12を参照して、本実施の形態に係るフィルタ装置101の変形例について説明する。図12は、本実施の形態に係るフィルタ装置101の変形例の構成を模式的に示す説明図である。変形例では、共振器31と共振器34との間に、グランド導体部42が介在している。
次に、図12を参照して、本実施の形態に係るフィルタ装置101の変形例について説明する。図12は、本実施の形態に係るフィルタ装置101の変形例の構成を模式的に示す説明図である。変形例では、共振器31と共振器34との間に、グランド導体部42が介在している。
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第1および第2の共振器の各々の数や構成は、各実施の形態に示したものに限らず、特許請求の範囲を満たすものであればよい。第1および第2の共振器の各々の数は、3つ以上であってもよい。
また、第1の共振回路10は、バンドパスフィルタに限らず、ローパスフィルタや、ハイパスフィルタ等の他のフィルタを構成するものであってもよい。
また、第1の方向は、X方向に限らず、X方向からY方向または-Y方向に向かって傾いた方向であってもよい。同様に、第2の方向は、-X方向に限らず、-X方向からY方向または-Y方向に向かって傾いた方向であってもよい。また、第1の方向と第2の方向とがなす角度は、90°よりも大きく、180°よりも小さくてもよい。
1…フィルタ装置、3,4…ポート、10…第1の共振回路、11,12…第1の共振器、20…第2の共振回路、21,22…第2の共振器、50…積層体、51~66…誘電体層、511,661…端子、512,597,662…グランド用導体層、C11,C12…第1のキャパシタ、C21,C22…第2のキャパシタ。
Claims (6)
- グランドに電気的に接続されるグランド用導体層と、
前記グランド用導体層に電気的に接続された少なくとも1つのスルーホールと、
前記少なくとも1つのスルーホールを挟むように配置された第1の共振器用導体層および第2の共振器用導体層と、
積層された複数の誘電体層を含み、前記グランド用導体層、前記少なくとも1つのスルーホール、前記第1の共振器用導体層および前記第2の共振器用導体層を一体化するための積層体とを備え、
前記第1の共振器用導体層は、前記少なくとも1つのスルーホールから遠ざかる第1の方向に沿って延在し、
前記第2の共振器用導体層は、前記少なくとも1つのスルーホールから遠ざかる第2の方向に沿って延在していることを特徴とする積層型フィルタ装置。 - 前記第1の共振器用導体層と前記第2の共振器用導体層の各々は、一端が短絡され他端が開放された共振器を構成することを特徴とする請求項1記載の積層型フィルタ装置。
- 前記第1の共振器用導体層と前記第2の共振器用導体層の各々は、前記少なくとも1つのスルーホールに電気的に接続されていることを特徴とする請求項2記載の積層型フィルタ装置。
- 前記少なくとも1つのスルーホールは、前記複数の誘電体層の積層方向と直交し且つ前記第1の方向と前記第2の方向の少なくとも一方と直交する方向に沿って並んだ複数のスルーホールを含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の積層型フィルタ装置。
- 前記第1の方向と前記第2の方向は、互いに反対の方向であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の積層型フィルタ装置。
- 更に、前記第1の共振器用導体層と結合する第3の共振器用導体層と、
前記第2の共振器用導体層と結合する第4の共振器用導体層とを備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の積層型フィルタ装置。
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