JP4256317B2 - 積層型帯域阻止フィルタ - Google Patents
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デジタルテレビ用のフィルタに、信号を通過させたい帯域(以下、通過帯域)が例えば470〜710MHz、阻止したい帯域(以下、阻止帯域)が例えば830〜960MHzといったように通過帯域と阻止帯域が非常に近接したものがある。しかし、図5に示す様な従来のフィルタでは減衰を急峻にすることに限界があり、図6に61で示すように阻止帯域のノイズを充分除去できず、デジタルテレビ用のフィルタとして用いることができなかった。
従って、本発明の積層型帯域阻止フィルタは、第1のコイル、第2のコイル、第3のコイルのインダクタンス値、第1のコンデンサ、第2のコンデンサ、第3のコンデンサの容量値及び、各コイル間の結合係数を調整することにより、従来よりも信号通過帯域に近接した周波数に減衰極を形成することができ、これにより阻止帯域の減衰を急峻にして信号の選択性を向上させることができる。また、本発明の積層型帯域阻止フィルタは、従来の様に入力信号の波長を考慮する必要がないので、形状を従来よりも小型化することができる。
図1は本発明の積層型帯域阻止フィルタの回路図、図2は本発明の積層型帯域阻止フィルタの実施例を示す分解斜視図、図3は本発明の積層型帯域阻止フィルタの実施例の斜視図、図4は本発明の積層型帯域阻止フィルタの特性図である。図1において、11、12は外部端子である。
外部端子11と外部端子12間には、コイルL1とコンデンサC1が並列に接続される。外部端子11とアース間には、コイルL2とコンデンサC2が直列に接続される。また、外部端子12とアース間には、コイルL3とコンデンサC3が直列に接続される。
コイルL2は、そのインダクタンス値がコイルL1やコイルL3よりも大きく形成される。
コイルL1とコイルL2は、結合係数K1が正になる様に電磁気的に結合させる。また、コイルL1とコイルL3は、結合係数K2が負になる様に電磁気的に結合させる。さらに、コイルL2とコイルL3は、その結合係数K3が結合係数K1や結合係数K2の絶対値よりも小さくなるように電磁気的に結合させる。
絶縁体層21A〜21Kは、誘電体材料で形成される。
絶縁体層21Aの表面には、アース用導体パターン22が形成される。このアース用導体パターン22は、引き出し端が絶縁体層21Aの対向する側面まで引き出される。
絶縁体層21Bの表面には、コンデンサ用導体パターン23とコンデンサ用導体パターン24が形成される。コンデンサ用導体パターン23、24は、絶縁体層21Bの表面に、互いに接触しない様に離間し、かつ、アース用導体パターン22と対向する位置に形成される。コンデンサ用導体パターン23の引き出し端とコンデンサ用導体パターン24の引き出し端は、絶縁体層21Bの同じ側面まで引き出される。
絶縁体層21Cの表面には、コイル用導体パターン25A、コイル用導体パターン26A、コイル用導体パターン27Aが形成される。コイル用導体パターン25Aの一端は、絶縁体層21Cの側面まで引き出される。コイル用導体パターン26Aの一端とコイル用導体パターン27Aの一端は、絶縁体層21Cのコイル用導体パターン26Aの一端が引き出された側面と対向する側面まで引き出される。
絶縁体層21Dの表面には、コイル用導体パターン26Bとコイル用導体パターン27Bが形成される。コイル用導体パターン26Bとコイル用導体パターン27Bは、互いに接触しないように離間して形成される。この時、コイル用導体パターン26Bとコイル用導体パターン27Bは、絶縁体層21Dの長さ方向にコイル用導体パターン26B、コイル用導体パターン27Bの順序で配列される。コイル用導体パターン26Bの一端は、絶縁体層21Cに形成されたコイル用導体パターン26Aの他端に接続される。また、コイル用導体パターン27Bの一端は、絶縁体層21Cに形成されたコイル用導体パターン27Aの他端に接続される。
絶縁体層21Eの表面には、コイル用導体パターン25B、コイル用導体パターン26C、コイル用導体パターン27Cが形成される。コイル用導体パターン25B、コイル用導体パターン26C、コイル用導体パターン27Cは、互いに接触しないように離間して形成される。この時、コイル用導体パターン25B、コイル用導体パターン26C、コイル用導体パターン27Cは、絶縁体層21Eの長さ方向にコイル用導体パターン26C、コイル用導体パターン25B、コイル用導体パターン27Cの順序で配列される。コイル用導体パターン25Bの一端は、絶縁体層21Cに形成されたコイル用導体パターン25Aの他端に接続される。また、コイル用導体パターン26Cの一端は、絶縁体層21Dに形成された26Bの他端に接続される。さらに、コイル用導体パターン27Cの一端は、絶縁体層27Bの他端に接続される。
絶縁体21Fの表面には、コイル用導体パターン25C、コイル用導体パターン26D、コイル用導体パターン27Dが形成される。コイル用導体パターン25C、コイル用導体パターン26D、コイル用導体パターン27Dは、互いに接触しないように離間して形成される。コイル用導体パターン25Cの一端は、コイル用導体パターン25Bの他端に接続される。また、コイル用導体パターン26Dの一端は、コイル用導体パターン26Cの他端に接続される。さらに、コイル用導体パターン27Dは、コイル用導体パターン27Cの他端に接続される。
絶縁体層21Gの表面には、コイル用導体パターン25D、コイル用導体パターン26E、コイル用導体パターン27Eが形成される。コイル用導体パターン25D、コイル用導体パターン26E、コイル用導体パターン27Eは、互いに接触しないように離間して形成され、コイル用導体パターン25Dの一端がコイル用導体パターン25Cの他端に、コイル用導体パターン26Eの一端がコイル用導体パターン26Dの他端に、コイル用導体パターン27Eの一端がコイル用導体パターン27Dの他端にそれぞれ接続される。
絶縁体層21Hの表面には、コイル用導体パターン25E、コイル用導体パターン26F、コイル用導体パターン27Fが形成される。コイル用導体パターン25E、コイル用導体パターン26F、コイル用導体パターン27Fは、コイル用導体パターン25Eの一端がコイル用導体パターン25Dの他端に、コイル用導体パターン26Fの一端がコイル用導体パターン26Eの他端に、コイル用導体パターン27Fの一端がコイル用導体パターン27Eの他端にそれぞれ接続される。コイル用導体パターン25Eの他端とコイル用導体パターン26Fの他端は、互いに接続され、絶縁体層21Hの側面まで引き出される。また、コイル用導体パターン27Fの他端は、絶縁体層21Hのコイル用導体パターン25E、26Fの共通接続端が引き出された側面と同じ側面まで引き出される。この様に、コイル用導体パターン25A、25B、25C、25D、25Eが螺旋状に接続されてコイルL1が形成され、コイル用導体パターン26A、26B、26C、26D、26E、26Fが螺旋状に接続されてコイルL2が形成され、コイル用導体パターン27A、27B、27C、27D、27E、27Fが螺旋状に接続されてコイルL3が形成される。この時、コイルL2は、そのインダクタンス値がコイルL1、L3のインダクタンス値よりも大きくなる様に形成される。また、このコイルL1、L2、L3は、互いに巻軸が一致しない様に、絶縁体層の長さ方向にコイルL2、コイルL1、コイルL3の順序で配列される。
絶縁体層21Iの表面には、コンデンサ用導体パターン28Aとコンデンサ用導体パターン28Bが形成される。コンデンサ用導体パターン28Aとコンデンサ用導体パターン28Bは、互いに接触しない様に離間して形成され、それぞれの引き出し端が絶縁体層21Iの同じ側面まで引き出される。
絶縁体層21Jの表面には、コンデンサ用導体パターン29Aとコンデンサ用導体パターン29Bが形成される。コンデンサ用導体パターン29Aとコンデンサ用導体パターン29Bは、互いに接触しない様に離間して形成され、コンデンサ用導体パターン29Aがコンデンサ用導体パターン28Bと対向する位置に、コンデンサ用導体パターン29Bがコンデンサ用導体パターン28Aと対向する位置にそれぞれ形成される。コンデンサ用導体パターン29Aは、絶縁体層21Jのスルーホール内の導体を介してコンデンサ用導体パターン28Aと接続される。また、コンデンサ用導体パターン29Bは、絶縁体層21Jのスルーホール内の導体を介してコンデンサ用導体パターン28Bと接続される。
絶縁体層21Aから絶縁体層21Jまで順次積層し、保護用の絶縁体層21Kで覆われた積層体の側面には、図3に示す様に端子電極31、32、33、34、Gが形成される。そして、コイル用導体パターン25Eとコイル用導体パターン26Fの共通接続端とコンデンサ用導体パターン28Aの引き出し端が端子電極31に、コイル用導体パターン25Aの一端とコイル用導体パターン27Fの他端とコンデンサ用導体パターン28Bの引き出し端が端子電極32にそれぞれ接続されることにより、外部端子11と外部端子12間にコイルL1と、スルーホール内の導体を介してコンデンサ用導体パターン28Aに接続されたコンデンサ用導体パターン29Aとコンデンサ用導体パターン28B間の容量とスルーホール内の導体を介してコンデンサ用導体パターン28Bに接続されたコンデンサ用導体パターン29Bとコンデンサ用導体パターン28A間の容量で形成されたコンデンサC1が並列に接続されると共に、コイルL1の入力側にコイルL2が、コイルL1の出力側にコイルL3がそれぞれ接続される。また、コイルL2を構成するコイル用導体パターン間に発生する容量によりコンデンサC4が、コイルL3を構成するコイル用導体パターン間に発生する容量によりコンデンサC5が形成される。さらに、コンデンサ用導体パターン23の引き出し端とコイル用導体パターン26Aの一端が端子電極34に、コンデンサ用導体パターン24の引き出し端とコイル用導体パターン27Aの一端が端子電極33に、アース用導体パターン22の引き出し端が端子電極Gにそれぞれ接続されることにより、コイルL2とアース間にコンデンサC2が、コイルL3とアース間にコンデンサC3がそれぞれ接続される。なお、端子電極Gはアースに接続される。
Claims (2)
- 絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に帯域阻止フィルタが形成された積層型帯域阻止フィルタにおいて、
該帯域阻止フィルタが、第1のコイル、該第1のコイルに並列に接続された第1のコンデンサ、該第1のコイルの入力側とアース間に直列に接続された第2のコイルと第2のコンデンサ及び、該第1のコイルの出力側とアース間に直列に接続された第3のコイルと第3のコンデンサを備え、
該第1のコイル、該第2のコイル、該第3のコイルは、該第2のコイルのインダクタンス値が該第1のコイルと該第3のコイルのインダクタンス値よりも大きく形成されると共に、第1のコイルと第2のコイルの磁気的結合係数を正に、第1のコイルと第3のコイルの磁気的結合係数を負にした状態で、第2のコイルと第3のコイルの磁気的結合係数が、第1のコイルと第2のコイルの磁気的結合係数と第1のコイルと第3のコイルの磁気的結合係数の絶対値よりも小さくなる様に該積層体内に配置されたことを特徴とする積層型帯域阻止フィルタ。 - 前記第1のコイル、前記第2のコイル、前記第3のコイルが、互いに重畳しない様に巻軸をずらして配置され、該積層体内において該第1のコイル、該第2のコイル、該第3のコイルよりも上層に第1のコンデンサが、該第1のコイル、該第2のコイル、該第3のコイルよりも下層にそれぞれ一端がアースされた第2のコンデンサと第3のコンデンサが形成された請求項1に記載の積層型帯域阻止フィルタ。
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