KR200486977Y1 - 저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터 - Google Patents

저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터 Download PDF

Info

Publication number
KR200486977Y1
KR200486977Y1 KR2020160005221U KR20160005221U KR200486977Y1 KR 200486977 Y1 KR200486977 Y1 KR 200486977Y1 KR 2020160005221 U KR2020160005221 U KR 2020160005221U KR 20160005221 U KR20160005221 U KR 20160005221U KR 200486977 Y1 KR200486977 Y1 KR 200486977Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
capacitor
capacitive coupling
coupling portion
inductor
Prior art date
Application number
KR2020160005221U
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180000751U (ko
Inventor
치아-훙 왕
치아-치 린
치아-마오 첸
리-메이 투
후에이-루 첸
Original Assignee
윌신 테크놀로지 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌신 테크놀로지 코포레이션 filed Critical 윌신 테크놀로지 코포레이션
Priority to KR2020160005221U priority Critical patent/KR200486977Y1/ko
Publication of KR20180000751U publication Critical patent/KR20180000751U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200486977Y1 publication Critical patent/KR200486977Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/175—Series LC in series path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20336—Comb or interdigital filters
    • H01P1/20345—Multilayer filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0153—Electrical filters; Controlling thereof
    • H03H7/0161—Bandpass filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터는, 제1 커패시터 내지 제7 커패시터 및 제1 인덕터 내지 제4 인덕터를 포함한다. 상기 제3 커패시터의 하나의 단부는 입력 단자에 접속되고, 그리고 상기 제5 커패시터의 하나의 단부는 출력 단자에 접속된다. 상기 제1 커패시터 및 상기 제1 인덕터는 병렬로 접속되고 그리고 상기 입력 단자와 상기 제4 커패시터 사이에 접속된다. 상기 제2 커패시터 및 상기 제2 인덕터는 병렬로 접속되고 그리고 상기 출력 단자와 상기 제4 커패시터 사이에 접속된다. 상기 제6 커패시터 및 상기 제3 인덕터는, 상기 입력 단자와 상기 제4 커패시터 사이에서 접속되는 제1 LC 공진 회로를 형성하기 위해 직렬로 접속된다. 상기 제7 커패시터 및 상기 제4 인덕터는, 상기 출력 단자와 상기 제4 커패시터 사이에서 접속되는 제2 LC 공진 회로를 형성하기 위해 직렬로 접속된다.

Description

저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터{LOW PASS FILTER WITH STOP BAND NOISE SUPPRESSION}
본 발명은 무선 통신을 위한 필터링 소자에 관한 것이고, 특히, 저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터에 관한 것이다.
이미지 통신 및 멀티미디어의 애플리케이션들은 개선된 통신 대역폭 및 노이즈 억제 기능을 요구한다. 이를 위해, 저온 동시 소성 세라믹(LTCC)의 제조 프로세스들은, LTCC-기반 컴포넌트들에 대한 뛰어난 높은-주파수 특성들을 제공하고, 3차원 집적 회로들의 제조를 용이하게 하며, 회로 설계에서 다양한 유전체 재료들을 자유롭게 선택하도록 하며, 그리고 컴포넌트 제조의 바람직한 선택들 중 하나를 상기 LTCC 프로세스들을 렌더링하여 회로 아키텍처의 설계 및 레이아웃에서 유연한 공간을 제공한다.
무선 통신 디바이스들은, 일반적으로, 자신들의 프론트 엔드 모듈들에서 2개의 로우 패스 필터들을 요구한다. 통과 대역 외부의 고조파들을 적절하게 감쇠시키기 위해 주로 작동하는 것으로, 로우 패스 필터들은 무선 통신 디바이스들에서 중요한 요소가 된다.
하지만, 2개의 전송 영점들을 갖는 종래의 로우 패스 필터들은, 노이즈 억제의 작업에 대해 어떤 역할을 할 수 없다. 대신에, 3개의 전송 영점들을 갖는 로우 패스 필터들은, 현재의 애플리케이션들의 주류가 되고 있다. 도 5를 참조하면, 종래의 로우 패스 필터의 동등한 회로도는, 제1 내지 제5 커패시터들(C1 내지 C5), 제1 인덕터 및 제2 인덕터를 포함한다. 제1 인덕터(L1)와 병렬로 접속된 후, 제1 커패시터(C1)는 제3 커패시터(C3)와 제4 커패시터(C4) 사이에 접속된다. 유사하게, 제2 인덕터(L2)에 병렬로 접속된 후, 제2 커패시터(C2)는 제4 커패시터(C4)와 제5 커패시터(C5) 사이에 접속된다.
도 6을 참조하면, 곡선(S11)은 복귀 손실 곡선을 나타내고, 곡선(S12)은 삽입 손실 곡선을 나타내고, Z1, Z2 및 Z3은, 통과 대역 대역폭 제어 및 주파수 대역 억제를 위한 제1 전송 영점, 제2 전송 영점 및 제3 전송 영점을 나타낸다. 저지 대역의 S-파라미터 값(dB)는 -20dB에 위치된다고 가정하자. 저지 대역의 주파수 범위는, 0.8GHz 내지 6.3GHz의 범위에 존재하고, 그리고 컷오프 주파수는 6.3GHz 및 그 위에 존재한다. 도 5에서 앞선 로우 패스 필터의 문제점은, 저지 대역에서 노이즈 억제 능력에 존재하고, 이는 컷오프 주파수의 범위에서 발생하는 신호의 디케이드보다 많은 S 파라미터의 값(dB)을 갖는 A1의 원형으로서 저지 대역에서 발생하는 노이즈를 효율적으로 억제할 수 없다.
본 실용신안의 목적은 고주파 저지 대역에서 노이즈를 억제할 수 있는 저지 대역 노이즈 억제를 구비한 로우 패스 필터를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 저지 대역 노이즈 억제를 구비한 로우 패스 필터는 다중-층 기판 및 다수의 도전층 패턴들을 포함한다. 상기 다중-층은 다수의 기판들을 서로 적층함으로써 형성된다. 상기 다수의 도전성 패턴들은 상기 다중-층 기판 중 다수의 기판들 상에 형성된다. 상기 다수의 도전성 패턴들은, 제1 커패시터 내지 제7 커패시터 및 제1 인덕터 내지 제4 인덕터를 포함한다.
상기 제3 커패시터의 하나의 단부는 입력 단자이고, 그리고 상기 제3 커패시터의 다른 단부는 접지된다.
상기 제5 커패시터의 하나의 단부는 출력 단자이고, 그리고 상기 제5 커패시터의 다른 단부는 접지된다.
상기 제1 커패시터 및 상기 제1 인덕터는 병렬로 접속되고 그리고 상기 입력 단자와 상기 제4 커패시터의 제1 단부 사이에 접속된다.
상기 제2 커패시터 및 상기 제2 인덕터는 병렬로 접속되고 그리고 상기 출력 단자와 상기 제4 커패시터의 제1 단부 사이에 접속된다.
상기 제4 커패시터의 제2 단부는 접지된다.
상기 제6 커패시터 및 상기 제3 인덕터는, 상기 입력 단자와 상기 제4 커패시터의 제1 단부 사이에서 접속되는 제1 LC 공진 회로를 형성하기 위해 직렬로 접속된다.
상기 제7 커패시터 및 상기 제4 인덕터는, 상기 출력 단자와 상기 제4 커패시터의 제1 단부 사이에서 접속되는 제2 LC 공진 회로를 형성하기 위해 직렬로 접속된다.
상기 로우 패스 필터의 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속되는 제1 LC 공진 회로와 제2 LC 공진 회로가 주어지면, 상기 로우 패스 필터는, 컷오프 주파수에서 발생하는 신호의 디케이드보다 많은 삽입 손실의 값을 갖는 저지 대역에서 발생하는 노이즈의 문제를 완화시킬 수 있고 그리고 저지 대역에서 노이즈 억제 능력을 향상시킬 수 있다.
본 실용신안의 다른 목적들, 이점들 및 새로운 피처들은, 첨부된 도면들과 결합할 때 하기의 상세한 설명으로부터 더욱 명확해 질 것이다.
도 1은 본 실용신안에 따른 로우 패스 필터의 동등한 회로도이다.
도 2는 도 1의 로우 패스 필터의 분해된 다중층 도전 패턴들을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 3은 도 1의 로우 패스 필터의 주파수 응답도이다.
도 4는 도 1의 로우 패스 필터의 다중층 패턴들의 다른 실시예를 나타내는 부분적으로 분해조립된 개략도이다.
도 5는 종래의 로우 패스 필터의 동등한 회로도이다.
도 6은 도 5의 종래의 로우 패스 필터의 주파수 응답도이다.
도 1을 참조하면, 본 실용신안에 따른 저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터의 동등한 회로도가 도시되고 그리고 제1 커패시터 내지 제7 커패시터(C1 내지 C7) 및 제1 인덕터 내지 제4 인덕터(L1 내지 L4)를 포함한다. 제3 커패시터(C3)의 일 단부는 로우 패스 필터의 입력 단자(In)로 정해지고 그리고 제3 커패시터(C3)의 다른 단부는 접지된다. 제5 커패시터(C5)의 일 단부는 로우 패스 필터의 출력 단자(Out)로 정해지고, 그리고 제5 커패시터(C5)의 다른 단부는 접지된다. 제1 인덕터(L1)에 병렬적으로 접속된 후, 제1 커패시터(C1)는 입력 단자(In)와 제4 커패시터(C4)의 제1 단부 사이에 접속된다. 제2 인덕터(L2)에 병렬적으로 접속된 후, 제2 커패시터(C2)는 출력 단자(Out)와 제4 커패시터(C4)의 제1 단부 사이에 접속된다. 제4 커패시터(C4)의 제2 단부는 접지된다.
제6 커패시터(C6) 및 제3 인덕터(L3)는, 제1 LC 공진 회로를 형성하기 위해 직렬로 접속되고, 상기 제1 LC 공진 회로는 상기 입력 단자(In)와 제4 커패시터(C4)의 제1 단부 사이에 접속된다. 제7 커패시터(C7)와 제4 인덕터(L4)는 제2 LC 공진 회로를 형성하기 위해 직렬로 접속되고, 상기 제2 LC 공진 회로는 상기 출력 단자(Out)와 제4 커패시터(C4)의 제1 단부 사이에 접속된다.
도 2를 참조하면, 로우 패스 필터의 제조시, 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기술이 다중층 기판을 형성하기 위해 다중 기판들을 적층하기 위해 적용된다. 로우 패스 필터의 이전의 동등한 회로는, 다중층 기판 상에 도전성 패턴들을 형성함으로써 구현된다. 본 실시예에서, 상기 로우 패스 필터는, 9개의 층들로 된 기판들, 즉, 제1 기판들 내지 제9 기판들(S1 내지 S9)을 가지고, 이들을 순차적으로 그리고 아래쪽으로 서로 적층된다. 9개의 기판들(S1 내지 S9) 각각은 세라믹 기판이고 그리고 상기 9개의 기판들(S1 내지 S9) 상의 도전성 패턴들은 하기와 같이 서술된다.
제1 기판(S1) 내지 제4 기판(S4) 각각의 좌측 절반 부분은, 제1 인덕터(L1)를 형성하기 위해 상기 좌측 절반 부분에서 순차적으로 감겨진 제1 인덕터 세그먼트(101)를 갖는다. 서로 다른 기판들의 도전성 패턴들을 전기적으로 접속하기 위해 상기 LTCC를 사용하는 접근은, 종래의 기술에 관한 것으로 여기서는 반복되지 않는다. 제1 기판(S1) 내지 제4 기판(S4) 상에 각각 위치되는 것은 다중층 기판의 서로 다른 층들에 관련되기에, 제1 인덕터 세그먼트들(101)은 제1 커패시터(C1)를 형성하기 위해 서로 적층되고 결합된다.
제1 기판(S1) 내지 제4 기판(S4) 각각의 우측 절반 부분은, 제2 인덕터(L2)를 형성하기 위해 상기 우측 절반 부분에서 순차적으로 감겨진 제2 인덕터 세그먼트(102)를 갖는다. 유사하게, 상기 제1 기판(S1) 내지 상기 제4 기판(S4)에 각각 위치되는 상기 제2 인덕터 세그먼트들(102)은 제2 커패시터(C2)를 형성하기 위해 서로 적층되고 결합된다. 상기 제1 기판(S1) 상의 제1 인덕터 세그먼트(101) 및 제2 인덕터 세그먼트(102)는 제1 접속점(N1)에 공통적으로 접속된다.
도 1에 도시된 입력 단자(In) 및 출력 단자(Out)는, 제4 기판(S4) 상의 제1 인덕터 세그먼트(101)의 일 단부 및 제2 인덕터 세그먼트(102) 일 단부 상에 각각 형성된다.
제5 기판(S5)은, 제5 기판(S5) 상에 형성되는 제3 인덕터 세그먼트(103), 제4 인덕터 세그먼트(104), 제6 용량성 커플링 부분(206) 및 제7 용량성 커플링 부분(207)을 갖는다. 제3 인덕터 세그먼트(103) 및 제4 인덕터 세그먼트(104) 각각의 일 단부는 제2 접속점(N2)에 접속되고, 그리고 또한, 제1 접속점(N1)에 전기적으로 접속된다. 제3 인덕터 세그먼트(103)는 제3 인덕터(L3)를 형성하고 그리고 제6 용량성 커플링 부분(206)에 접속하도록 연장된다. 제4 인덕터 세그먼트(104)는 제4 인덕터(L4)를 형성하고 그리고 제7 용량성 커플링 부분(207)에 접속하도록 연장된다.
제6 기판(S6)은, 제6 기판(S6) 상에 개별적으로 형성되는 제3 용량성 커플링 부분(203) 및 제5 용량성 커플링 부분(205)을 갖는다. 제3 용량성 커플링 부분(203) 및 제6 용량성 커플링 부분(206)은 제6 커패시터(C6)를 형성하기 위해 결합된다. 제3 용량성 커플링 부분(203)은, 제4 기판(S4) 상의 입력 단말(In)에 전기적으로 접속하기 위해 제6 기판(S6)의 하나의 에지로 연장된다. 제5 용량성 커플링 부분(205) 및 제7 용량성 커플링 부분(207)은 제7 커패시터(C7)를 형성하기 위해 결합된다. 제5 용량성 커플링 부분(205)은, 제4 기판(S4) 상의 출력 단말(Out)에 전기적으로 접속하기 위해 제6 기판(S6)의 다른 에지로 연장된다.
제7 기판(S7)은, 제7 기판(S7) 상에 개별적으로 형성되는 제1 접지 부분(G1) 및 제2 접지 부분(G2)을 갖는다. 제1 접지 부분(G1) 및 제3 용량성 결합 부분(203)은 제3 커패시터(C3)를 형성하기 위해 결합된다. 제2 접지 부분(G2) 및 제5 용량성 결합 부분(205)은 제5 커패시터(C5)를 형성하기 위해 결합된다.
제8 기판(S8)은, 제8 기판(S8) 상에 형성되는 제4 용량성 결합 부분(204)을 갖는다. 제4 용량성 결합 부분(204)은 제3 접속점(N3)을 갖고, 이는 제2 접속점(N2)에 전기적으로 접속된다.
제9 기판(S9)은, 제9 기판(S9) 상에 형성되는 제3 접지 부분(G3)을 갖는다. 제3 접지 부분(G3) 및 제4 용량성 결합 부분(204)은 제4 커패시터(C4)를 형성하기 위해 결합된다.
도 4를 참조하면, 로우 패스 필터의 다중층 도전성 패턴들의 다른 실시예가 도시된다. 제5 기판(S5) 상에 원래 형성되는 제3 인덕터 세그먼트(103), 제4 인덕터 세그먼트(104), 제6 용량성 결합 부분(206) 및 제7 용량성 결합 부분(207)은, 제5 기판(S5) 내지 제9 기판(S9) 중 하나 및 상기 선택된 기판 다음의 다른 기판상에 선택적으로 형성될 수 있다. 일 예로서 주어지는바, 제3 인덕터 세그먼트(103) 및 제4 인덕터 세그먼트(104)는 접속되고 그리고 2개의 인접한 기판들 중 하나에 형성되며, 제6 용량성 결합 부분(206) 및 제7 용량성 결합 부분(207)은 2개의 인접한 기판들 중 다른 것에 형성되며, 그리고 제3 인덕터 세그먼트(103)는 제6 용량성 결합 부분(206)에 전기적으로 접속되고 그리고 제4 인덕터 세그먼트(104)는 제7 용량성 결합 부분(207)에 전기적으로 접속된다.
도 3을 참조하면, 주파수 응답 다이어그램 상에 도시되는 2개의 특성 곡선들이 존재한다. 점선에 의해 표시되는 제1 특성 곡선은 로우 패스 필터의 삽입 손실 을 나타내고, 이는 S12에 대응한다. 제1 특성 곡선에 의해 표시되는 것처럼, 전송 영점들(Z1 내지 Z3)은 계속 이용가능하며, 그리고 도 5의 종래의 로우 패스 필터와 대조적으로, 본 실용신안에 따른 로우 패스 필터는, A2의 원형의 부분에 의해 표시되는 것처럼 0.8GHz 에서 9GHz 범위를 갖는 저지 대역에 걸쳐 어떤 서지 펄스 없이 더 양호한 노이즈 억제를 갖고, 그리고 상기 컷오프 주파수는 도 3에서 도시되지 않은 더 높은 주파수에 위치된다. 실선에 의해 표시되는 제2 특성 곡선은, 로우 패스 필터의 복귀 손실을 나타내며, 이는 S11에 대응한다.
요약하면, 본 실용신안에 다른 로우 패스 필터는, 제1 공진 회로 및 제2 공진 회로로 인해 컷오프 주파수에서 발생하는 신호의 디케이드보다 많은 S 파라미터의 값(dB)을 갖는 저지 대역에서 발생하는 서지 펄스들의 문제를 완화시켜, 제2 및 제3 전송 영점들(Z2, Z3)의 주파수들은 조정될 수 있고, 저지 대역에 의해 야기되는 대역폭 제한의 병목 현상을 돌파하도록 제어된다. 한편, 임피던스 값의 증가를 감속시키는 Q 팩터(품질 팩터)의 문제점은, 인덕터들의 인덕턴스 값이 포함될 때, 또한 야기될 수 있다. 추가적으로, LTCC 기술로 구현되는 로우 패스 필터들은, RF(무선 주파수) 모듈들 및 시스템들에 대한 애플리케이션들에 유리하게 제품의 외관에서 최소화되고 얇아지게 된다.
본 실용 신안의 많은 특성들 및 장점들이, 본 실용신안의 구성 및 기능의 세부사항들과 함께 이전의 상세한 설명에서 서술되고 있지만, 본 개시는 단지 예시적인 것이다. 변형들은, 세부적으로, 특히, 첨부된 청구범위들에 기재되는 용어들의 넓은 일반적인 의미로 표시된 전체 범위로 상기 실용 신안의 원리들 내에서 부품들의 형태, 크기 및 배열에 관해서 행해질 수 있다.

Claims (5)

  1. 저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터로서,
    다수의 기판들을 서로 적층함으로써 형성되는 다중-층 기판 및 상기 다중-층 기판 중 다수의 기판들 상에 형성되는 다수의 도전성 패턴들을 포함하고;
    상기 다수의 도전성 패턴들은, 제1 커패시터 내지 제7 커패시터 및 제1 인덕터 내지 제4 인덕터를 포함하고;
    상기 제3 커패시터의 하나의 단부는 입력 단자이고, 그리고 상기 제3 커패시터의 다른 단부는 접지되고;
    상기 제5 커패시터의 하나의 단부는 출력 단자이고, 그리고 상기 제5 커패시터의 다른 단부는 접지되고;
    상기 제1 커패시터 및 상기 제1 인덕터는 병렬로 접속되고 그리고 상기 입력 단자와 상기 제4 커패시터의 제1 단부 사이에 접속되고;
    상기 제2 커패시터 및 상기 제2 인덕터는 병렬로 접속되고 그리고 상기 출력 단자와 상기 제4 커패시터의 제1 단부 사이에 접속되고;
    상기 제4 커패시터의 제2 단부는 접지되고;
    상기 제6 커패시터 및 상기 제3 인덕터는, 상기 입력 단자와 상기 제4 커패시터의 제1 단부 사이에서 접속되는 제1 LC 공진 회로를 형성하기 위해 직렬로 접속되며; 그리고
    상기 제7 커패시터 및 상기 제4 인덕터는, 상기 출력 단자와 상기 제4 커패시터의 제1 단부 사이에서 접속되는 제2 LC 공진 회로를 형성하기 위해 직렬로 접속되는 것을 특징으로 하는
    로우 패스 필터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다중-층 기판은, 서로 순차적으로 그리고 아래쪽으로 적층되는 제1 기판 내지 제9 기판을 포함하고;
    상기 제1 기판 내지 제4 기판의 각각은, 상기 제1 인덕터를 형성하기 위해 순차적으로 감겨지고 그리고 상기 제1 커패시터를 형성하기 위해 서로 적층 및 결합되는 제1 인덕터 세그먼트를 갖고;
    상기 제1 기판 내지 제4 기판의 각각은, 상기 제2 인덕터를 형성하기 위해 순차적으로 감겨지고 그리고 상기 제2 커패시터를 형성하기 위해 서로 적층 및 결합되는 제2 인덕터 세그먼트를 갖고, 그리고 상기 제1 인덕터 세그먼트 및 상기 제2 인덕터 세그먼트는 제1 접속점에 공통으로 접속되며;
    상기 제5 기판은, 제3 인덕터 세그먼트, 제4 인덕터 세그먼트, 제6 용량성 결합 부분 및 제7 용량성 결합 부분을 갖고, 상기 제3 인덕터 세그먼트 및 상기 제4 인덕터 세그먼트 각각의 하나의 단부는, 제2 접속점에 접속되고 그리고 상기 제1 접속점에 전기적으로 또한 접속되며, 상기 제3 인덕터 세그먼트는 상기 제3 인덕터를 형성하고 상기 제6 용량성 결합 부분에 접속하도록 연장되며, 그리고 상기 제4 인덕터 세그먼트는 상기 제4 인덕터를 형성하고 상기 제7 용량성 결합 부분에 접속하도록 연장되며;
    상기 제6 기판은, 상기 제6 기판에 개별적으로 형성되는 제3 용량성 결합 부분 및 제5 용량성 결합 부분을 갖고, 상기 제3 용량성 결합 부분 및 상기 제6 용량성 결합 부분은 상기 제6 커패시터를 형성하기 위해 결합되고, 상기 제5 용량성 결합 부분 및 상기 제7 용량성 결합 부분은 상기 제7 커패시터를 형성하기 위해 결합되며;
    상기 제7 기판은, 상기 제7 기판에 개별적으로 형성되는 제1 접지 부분 및 제2 접지 부분을 갖고, 상기 제1 접지 부분 및 상기 제3 용량성 결합 부분은 상기 제3 커패시터를 형성하기 위해 결합되며, 그리고 상기 제2 접지 부분 및 상기 제5 용량성 결합 부분은 상기 제5 커패시터를 형성하기 위해 결합되며;
    상기 제8 기판은, 상기 제8 기판에 형성되는 제4 용량성 결합 부분을 갖고, 상기 제4 용량성 결합 부분은, 상기 제2 접속점에 전기적으로 접속되는 제3 접속점을 가지며; 그리고
    상기 제9 기판은, 상기 제9 기판에 형성되는 제3 접지 부분을 갖고, 그리고 상기 제3 접지 부분 및 상기 제4 용량성 결합 부분은 상기 제4 커패시터를 형성하기 위해 결합되는 것을 특징으로 하는
    로우 패스 필터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다중-층 기판은, 서로 순차적으로 그리고 아래쪽으로 적층되는 제1 기판 내지 제10 기판을 포함하고;
    상기 제1 기판 내지 제4 기판의 각각은, 상기 제1 인덕터를 형성하기 위해 순차적으로 감겨지고 그리고 상기 제1 커패시터를 형성하기 위해 서로 적층 및 결합되는 제1 인덕터 세그먼트를 갖고;
    상기 제1 기판 내지 제4 기판의 각각은, 상기 제2 인덕터를 형성하기 위해 순차적으로 감겨지고 그리고 상기 제2 커패시터를 형성하기 위해 서로 적층 및 결합되는 제2 인덕터 세그먼트를 갖고, 그리고 상기 제1 인덕터 세그먼트 및 상기 제2 인덕터 세그먼트는 제1 접속점에 공통으로 접속되며;
    상기 제5 기판은, 제3 인덕터 세그먼트 및 제4 인덕터 세그먼트를 갖고, 상기 제3 인덕터 세그먼트 및 상기 제4 인덕터 세그먼트 각각의 하나의 단부는, 제2 접속점에 접속되고 그리고 상기 제1 접속점에 전기적으로 또한 접속되며, 상기 제3 인덕터 세그먼트는 상기 제3 인덕터를 형성하고, 그리고 상기 제4 인덕터 세그먼트는 상기 제4 인덕터를 형성하며;
    상기 제6 기판은, 상기 제6 기판에 개별적으로 형성되는 제6 용량성 결합 부분 및 제7 용량성 결합 부분을 갖고, 상기 제6 용량성 결합 부분은 상기 제3 인덕터 세그먼트에 전기적으로 접속되고, 그리고 상기 제7 용량성 결합 부분은 상기 제4 인덕터 세그먼트에 전기적으로 접속되며;
    상기 제7 기판은, 상기 제7 기판에 개별적으로 형성되는 제3 용량성 결합 부분 및 제5 용량성 결합 부분을 갖고, 상기 제3 용량성 결합 부분 및 상기 제6 용량성 결합 부분은 상기 제6 커패시터를 형성하기 위해 결합되며, 그리고 상기 제5 용량성 결합 부분 및 상기 제7 용량성 결합 부분은 상기 제7 커패시터를 형성하기 위해 결합되며;
    상기 제8 기판은, 상기 제8 기판에 개별적으로 형성되는 제1 접지 부분 및 제2 접지 부분을 갖고, 상기 제1 접지 부분 및 상기 제3 용량성 결합 부분은 상기 제3 커패시터를 형성하기 위해 결합되며, 그리고 상기 제2 접지 부분 및 상기 제5 용량성 결합 부분은 상기 제5 커패시터를 형성하기 위해 결합되며;
    상기 제9 기판은, 상기 제9 기판에 형성되는 제4 용량성 결합 부분을 갖고, 상기 제4 용량성 결합 부분은 상기 제2 접속점에 전기적으로 접속되는 제3 접속점을 가지며; 그리고
    상기 제10 기판은, 상기 제10 기판에 형성되는 제3 접지 부분을 갖고, 그리고 상기 제3 접지 부분 및 상기 제4 용량성 결합 부분은 상기 제4 커패시터를 형성하기 위해 결합되는 것을 특징으로 하는
    로우 패스 필터.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제4 기판의 상기 제1 인덕터 세그먼트의 하나의 단부는 입력 단자로서 정해지고, 그리고 상기 제4 기판의 제2 인덕터 세그먼트의 하나의 단부는 출력 단자로서 정해지는 것을 특징으로 하는
    로우 패스 필터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제3 용량성 결합 부분은, 상기 제4 기판상의 상기 입력 단자에 전기적으로 접속하기 위해 상기 제7 기판의 하나의 에지로 연장되고, 그리고 상기 제5 용량성 결합 부분은 상기 제4 기판상의 상기 출력 단자에 전기적으로 접속하기 위해 상기 제7 기판의 다른 에지로 연장되는 것을 특징으로 하는
    로우 패스 필터.
KR2020160005221U 2016-09-05 2016-09-05 저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터 KR200486977Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020160005221U KR200486977Y1 (ko) 2016-09-05 2016-09-05 저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020160005221U KR200486977Y1 (ko) 2016-09-05 2016-09-05 저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180000751U KR20180000751U (ko) 2018-03-14
KR200486977Y1 true KR200486977Y1 (ko) 2018-07-20

Family

ID=61649646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020160005221U KR200486977Y1 (ko) 2016-09-05 2016-09-05 저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200486977Y1 (ko)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010112378A (ko) * 2000-01-31 2001-12-20 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 저역 통과 필터
JP2006074108A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Toko Inc 積層型帯域阻止フィルタ
US20080204163A1 (en) * 2005-09-28 2008-08-28 Sergiy Royak Multi-Band Circuit
JP2008294797A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Toko Inc 積層型バンドパスフィルタ
JP2009182377A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Tdk Corp 積層型ローパスフィルタ
KR20120028594A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 (주)파트론 공진기 타입 유전체 저역 통과 여파기 및 그를 포함하는 통신 소자
CN105846789A (zh) * 2016-03-23 2016-08-10 深圳振华富电子有限公司 低通滤波器及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010112378A (ko) * 2000-01-31 2001-12-20 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 저역 통과 필터
JP2006074108A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Toko Inc 積層型帯域阻止フィルタ
US20080204163A1 (en) * 2005-09-28 2008-08-28 Sergiy Royak Multi-Band Circuit
JP2008294797A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Toko Inc 積層型バンドパスフィルタ
JP2009182377A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Tdk Corp 積層型ローパスフィルタ
KR20120028594A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 (주)파트론 공진기 타입 유전체 저역 통과 여파기 및 그를 포함하는 통신 소자
CN105846789A (zh) * 2016-03-23 2016-08-10 深圳振华富电子有限公司 低通滤波器及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180000751U (ko) 2018-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6168243B2 (ja) 移相器、インピーダンス整合回路、合分波器および通信端末装置
US7982557B2 (en) Layered low-pass filter capable of producing a plurality of attenuation poles
US9882542B2 (en) Filter component
US8378763B2 (en) Layered bandpass filter
US10530322B2 (en) Resonant circuit, band elimination filter, and band pass filter
US7432786B2 (en) High frequency filter
JP2008113432A (ja) 積層型帯域通過フィルター
US7679473B2 (en) Low pass filter incorporating coupled inductors to enhance stop band attenuation
JP5804076B2 (ja) Ｌｃフィルタ回路及び高周波モジュール
US8120446B2 (en) Electronic component
CN104467776A (zh) 一种单芯片射频天线开关模块及射频前端
US8018305B2 (en) Electronic component
WO2020125341A1 (zh) 带耦合电感的滤波器单元、滤波器及电子设备
KR200486977Y1 (ko) 저지 대역 노이즈 억제를 갖는 로우 패스 필터
TWI656732B (zh) 可調式濾波器
JP3207413U (ja) 阻止帯域ノイズ抑制付き低域通過フィルタ
JP6278117B2 (ja) 高周波モジュール
JP4256317B2 (ja) 積層型帯域阻止フィルタ
TWM531695U (zh) 具有寬頻抑制能力之低通濾波器
JP2009267811A (ja) バンドパスフィルタ及び積層型バンドパスフィルタ。
WO2006025179A1 (ja) バンドパスフィルタ
JP2023128836A (ja) フィルタ回路
US9350061B2 (en) Resonance device and filter including the same
CN114866053A (zh) 一种小型化高抑制ltcc高通滤波器
JP2023128837A (ja) 積層型フィルタ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment