JP4457363B2 - バンドパスフィルタ - Google Patents

Description

本発明は、複数の共振器を有するバンドパスフィルタに関する。

ブルートゥース規格の通信装置や無線ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）用の通信装置では、小型化、薄型化の要求が強いことから、それに用いられる電子部品の小型化、薄型化が要求されている。上記通信装置における電子部品の一つに、受信信号を濾波するバンドパスフィルタがある。このバンドパスフィルタにおいても、小型化、薄型化が要求されている。そこで、上記の通信装置における使用周波数帯域に対応でき、且つ小型化、薄型化を実現可能なバンドパスフィルタとして、例えば特許文献１および２に示されるように、積層基板における導体層を用いて構成された複数の共振器を備えた積層型のバンドパスフィルタが提案されている。このバンドパスフィルタにおいて、隣接する共振器同士は電磁界結合している。なお、電磁界結合には、誘導性結合と容量性結合とが含まれる。

特許文献１に記載されたバンドパスフィルタは、それぞれストリップライン共振器を構成する３つの共振電極を備えている。３つの共振電極の各々の一方の端部はグランドに接続される。特許文献１に記載されたフィルタは、更に、誘電体層を介して３つの共振電極に対向する３つの帯状電極を備えている。そして、３つの共振電極と、３つの帯状電極と、それらに挟まれた誘電体層によって、３つの共振電極に接続された３つのキャパシタが形成されている。

特許文献２に記載されたバンドパスフィルタは、第１および第２の共振器を備えている。各共振器は、誘電体層の積層方向に配置された３つの共振電極本体と、誘電体層の積層方向に配置された第１ないし第４の開放端電極とを有している。３つの共振電極本体の一方の端部はアース電極に接続されている。４つの開放端電極は、ビアホールによって、３つの共振電極本体の他方の端部の近傍部分に接続されている。第１の開放端電極と第２の開放端電極との間には第１の内層アース電極が配置され、第２の開放端電極と第３の開放端電極との間には第２の内層アース電極が配置され、第３の開放端電極と第４の開放端電極との間には第３の内層アース電極が配置されている。

特開２００６−３３６１４号公報 特開２００３−２１８６０３号公報

従来の積層型のバンドパスフィルタでは、小型化、薄型化する場合には、隣接する共振器間の距離を短くせざるを得ない。すると、隣接する共振器間の誘導性結合が強くなりすぎて、所望のバンドパスフィルタの特性を実現することが困難になるという問題が発生する。具体的には、積層型のバンドパスフィルタにおいて、隣接する共振器間の誘導性結合が強くなりすぎると、通過帯域外における減衰量を大きくすることが困難になる。

また、バンドパスフィルタが使用される装置では、バンドパスフィルタの通過信号に対する第２高調波、第３高調波等、通過帯域よりも高周波側に存在するスプリアスを低減することが要求される場合がある。この場合、バンドパスフィルタに対して直列に、スプリアスを低減するためのノッチフィルタを設けることが考えられる。しかし、その場合には、バンドパスフィルタの通過帯域における挿入損失が大きくなるという問題が生じる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタであって、通過帯域よりも高周波側に存在するスプリアスを容易に低減できるようにしたバンドパスフィルタを提供することにある。

本発明のバンドパスフィルタは、積層された複数の誘電体層を含む積層基板と、隣接する２つの共振器同士が誘導性結合するように積層基板内に設けられた複数の共振器とを備えている。複数の共振器の各々は、互いに接続された共振器用インダクタと共振器用キャパシタとを含んでいる。複数の共振器に含まれる複数の共振器用インダクタは、複数の誘電体層の積層方向に垂直な方向に配列されている。各共振器用インダクタは、積層方向に見たときに重なるように積層方向における異なる位置に配置された一対の共振器用導体層と、この一対の共振器用導体層を接続する接続部とを有している。各共振器用導体層は、第１の端部と、その反対側の第２の端部とを有している。接続部は、第１の端部と第２の端部との間の位置において一対の共振器用導体層を接続している。バンドパスフィルタは、グランドに接続され、複数の共振器に含まれる複数の共振器用キャパシタを構成するために用いられる単一のキャパシタ用導体層を備えている。キャパシタ用導体層は、全ての共振器における一対の共振器用導体層の第１の端部の間を通過するように配置されている。各共振器において、共振器用キャパシタは、各共振器に含まれる一対の共振器用導体層とキャパシタ用導体層を用いて構成されている。

本発明のバンドパスフィルタでは、各共振器用インダクタが、一対の共振器用導体層と、この一対の共振器用導体層を接続する接続部とを有し、単一のキャパシタ用導体層が、全ての共振器における一対の共振器用導体層の第１の端部の間を通過するように配置されていることにより、通過帯域よりも高周波側の阻止帯域における減衰量が大きくなる。

本発明のバンドパスフィルタにおいて、接続部は、積層基板内に設けられたスルーホールを用いて構成されていてもよい。また、共振器用導体層の第２の端部は、グランドに接続されていてもよい。

また、本発明のバンドパスフィルタは、更に、積層基板の外周部に配置された入力端子および出力端子と、入力端子に接続された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有する第１のインダクタと、出力端子に接続された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有する第２のインダクタとを備え、複数の共振器は、第１のインダクタの第２の端部に接続された第１の共振器と、第２のインダクタの第２の端部に接続された第２の共振器とを含んでいてもよい。この場合、第１のインダクタの第２の端部は、第１の共振器における共振器用インダクタと共振器用キャパシタとの接続点に接続され、第２のインダクタの第２の端部は、第２の共振器における共振器用インダクタと共振器用キャパシタとの接続点に接続されている。また、第１のインダクタは、積層基板内に設けられた第１のインダクタ用導体層を有し、第２のインダクタは、積層基板内に設けられた第２のインダクタ用導体層を有している。

また、第１および第２のインダクタ用導体層は、それぞれ、積層方向に見たときに第１の共振器における共振器用導体層と第２の共振器における共振器用導体層との間に位置している部分を含んでいてもよい。

本発明のバンドパスフィルタでは、各共振器用インダクタが、一対の共振器用導体層と、この一対の共振器用導体層を接続する接続部とを有し、単一のキャパシタ用導体層が、全ての共振器における一対の共振器用導体層の第１の端部の間を通過するように配置されていることにより、通過帯域よりも高周波側の阻止帯域における減衰量が大きくなり、その結果、通過帯域よりも高周波側に存在するスプリアスを容易に低減することが可能になるという効果を奏する。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成について説明する。図１に示したように、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１は、入力端子２と、出力端子３と、３つの共振器４，５，６と、インダクタ７，８と、キャパシタ１７，１８，１９とを備えている。

インダクタ７は、入力端子２に接続された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。インダクタ８は、出力端子３に接続された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。共振器４は、インダクタ７の第２の端部に接続されている。共振器６は、インダクタ８の第２の端部に接続されている。共振器５は、共振器４と共振器６との間に配置されている。そして、隣接する共振器４と共振器５は誘導性結合し、隣接する共振器５と共振器６も誘導性結合する。

共振器４は本発明における第１の共振器に対応し、共振器６は本発明における第２の共振器に対応する。また、インダクタ７は本発明における第１のインダクタに対応し、インダクタ８は本発明における第２のインダクタに対応する。

共振器４は、互いに接続されたインダクタ１１とキャパシタ１４とを有している。共振器５は、互いに接続されたインダクタ１２とキャパシタ１５とを有している。共振器６は、互いに接続されたインダクタ１３とキャパシタ１６とを有している。インダクタ１２は、インダクタ１１とインダクタ１３との間に配置されている。そして、隣接するインダクタ１１，１２は誘導性結合し、隣接するインダクタ１２，１３も誘導性結合する。図１では、インダクタ１１，１２間の誘導性結合と、インダクタ１２，１３間の誘導性結合を、それぞれ記号Ｍを付した曲線で表している。インダクタ１１，１２，１３は本発明における共振器用インダクタに対応し、キャパシタ１４，１５，１６は本発明における共振器用キャパシタに対応する。

インダクタ１１の一端とキャパシタ１４，１７，１９の各一端は、インダクタ７の第２の端部に接続されている。インダクタ１１の他端とキャパシタ１４の他端はグランドに接続されている。インダクタ１２の一端とキャパシタ１５，１８の各一端は、キャパシタ１７の他端に接続されている。インダクタ１２の他端とキャパシタ１５の他端はグランドに接続されている。インダクタ１３の一端、キャパシタ１６の一端およびキャパシタ１９の他端は、キャパシタ１８の他端に接続されていると共にインダクタ８の第２の端部に接続されている。インダクタ１３の他端とキャパシタ１６の他端はグランドに接続されている。

共振器４，５，６はいずれも、開放端と短絡端とを有する１／４波長共振器である。共振器４の開放端は、インダクタ１１とキャパシタ１４との接続点である。共振器５の開放端は、インダクタ１２とキャパシタ１５との接続点である。共振器６の開放端は、インダクタ１３とキャパシタ１６との接続点である。キャパシタ１７は、共振器４，５の開放端同士を接続している。また、キャパシタ１８は、共振器５，６の開放端同士を接続している。インダクタ７の第２の端部は、インダクタ１１とキャパシタ１４との接続点に接続されている。インダクタ８の第２の端部は、インダクタ１３とキャパシタ１６との接続点に接続されている。共振器４，５は、前述のように誘導性結合すると共に、キャパシタ１７を介して容量性結合する。共振器５，６も、前述のように誘導性結合すると共に、キャパシタ１８を介して容量性結合する。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１では、入力端子２に信号が入力されると、そのうちの所定の周波数帯域内の周波数の信号が選択的に出力端子３から出力される。

次に、図２ないし図６を参照して、バンドパスフィルタ１の構造について説明する。図２は、バンドパスフィルタ１の主要部分を示す斜視図である。図３は、バンドパスフィルタ１の外観を示す斜視図である。図４は、図２におけるＡ方向から見たバンドパスフィルタ１の主要部分を示す説明図である。図５は、図２におけるＢ方向から見たバンドパスフィルタ１の主要部分を示す説明図である。図６は、図２におけるＣ方向から見たバンドパスフィルタ１の主要部分を示す説明図である。

図３に示したように、バンドパスフィルタ１は、バンドパスフィルタ１の構成要素を一体化するための積層基板２０を備えている。後で詳しく説明するが、積層基板２０は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。インダクタ７，８，１１〜１３は、いずれも、積層基板２０内の１つ以上の導体層を用いて構成されている。キャパシタ１４〜１９は、積層基板２０内の導体層と誘電体層を用いて構成されている。

積層基板２０は、外周部として上面２０Ａと底面２０Ｂと４つの側面２０Ｃ〜２０Ｆとを有する直方体形状をなしている。上面２０Ａと底面２０Ｂは平行であり、側面２０Ｃ，２０Ｄも平行であり、側面２０Ｅ，２０Ｆも平行である。側面２０Ｃ〜２０Ｆは、上面２０Ａおよび底面２０Ｂに対して垂直になっている。

側面２０Ｃには、入力端子２２と、その両側に配置された２つのグランド用端子２４，２５が設けられている。側面２０Ｄには、出力端子２３と、その両側に配置された２つのグランド用端子２６，２７が設けられている。入力端子２２は図１における入力端子２に対応し、出力端子２３は図１における出力端子３に対応する。グランド用端子２４，２５，２６，２７はグランドに接続される。

積層基板２０において、側面２０Ｃ，２０Ｄに垂直な方向が、複数の誘電体層の積層方向である。図２ないし図４および図６において、記号Ｔを付した矢印は、複数の誘電体層の積層方向を表している。

上面２０Ａと底面２０Ｂには、それぞれ、グランド層２８，２９が配置されている。グランド用端子２４〜２７は、グランド層２８，２９に接続されている。バンドパスフィルタ１は、積層基板２０の底面２０Ｂが実装基板に当接するように、実装基板に実装される。

次に、図７ないし図９を参照して、積層基板２０における誘電体層と導体層について詳しく説明する。なお、ここでは、積層基板２０の側面２０Ｃ側を上側、積層基板２０の側面２０Ｄ側を下側として説明する。図７において（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、上から１層目ないし４層目の誘電体層の上面を示している。図８において（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ、上から５層目ないし９層目の誘電体層の上面を示している。図９において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、上から１０層目ないし１２層目の誘電体層の上面を示している。図９において（ｄ）は、上から１２層目の誘電体層およびその下の導体層を、上から見た状態で表したものである。

図７（ａ）に示した１層目の誘電体層３１の上面は、積層基板２０の側面２０Ｃとなる。誘電体層３１の上面には、入力端子用導体層３１１と、その両側に配置された２つのグランド用導体層３１２，３１３が形成されている。入力端子用導体層３１１は入力端子２２に接続される。グランド用導体層３１２は、グランド用端子２４およびグランド層２８，２９に接続される。グランド用導体層３１３は、グランド用端子２５およびグランド層２８，２９に接続される。また、誘電体層３１には、入力端子用導体層３１１に接続されたスルーホール３１４が形成されている。

図７（ｂ）に示した２層目の誘電体層３２には、スルーホール３１４に接続されたスルーホール３２１が形成されている。

図７（ｃ）に示した３層目の誘電体層３３の上面には、インダクタ用導体層３３１が形成されている。導体層３３１は、第１の端部３３１ａと第２の端部３３１ｂとを有している。第１の端部３３１ａは、誘電体層３３の上面におけるほぼ中央に配置されている。導体層３３１は、第１の端部３３１ａから図７（ｃ）における下方に延びた後、左へ延びるように屈曲して第２の端部３３１ｂに達している。スルーホール３２１は、導体層３３１における第１の端部３３１ａの近傍の部分に接続されている。また、誘電体層３３には、導体層３３１における第２の端部３３１ｂの近傍の部分に接続されたスルーホール３３２が形成されている。

図７（ｄ）に示した４層目の誘電体層３４には、スルーホール３３２に接続されたスルーホール３４１が形成されている。

図８（ａ）に示した５層目の誘電体層３５の上面には、キャパシタ用導体層３５１が形成されている。導体層３５１は、図１におけるキャパシタ１９を構成するための２つの部分３５１ａ，３５１ｂを含んでいる。この部分３５１ａ，３５１ｂについては、後で詳しく説明する。また、誘電体層３５には、導体層３５１に接続されたスルーホール３５２が形成されている。スルーホール３５２には、スルーホール３４１が接続されている。

図８（ｂ）に示した６層目の誘電体層３６の上面には、共振器用導体層３６１，３６２，３６３が形成されている。導体層３６１，３６２，３６３は、図８（ｂ）における左側から導体層３６１，３６２，３６３の順に、左右方向に配列されている。導体層３６１は、第１の端部３６１ａと、その反対側の第２の端部３６１ｂとを有している。導体層３６２は、第１の端部３６２ａと、その反対側の第２の端部３６２ｂとを有している。導体層３６３は、第１の端部３６３ａと、その反対側の第２の端部３６３ｂとを有している。第２の端部３６１ｂ，３６２ｂ，３６３ｂはグランド層２８に接続される。また、誘電体層３６には、第１の端部３６１ａと第２の端部３６１ｂとの間の位置において導体層３６１に接続されたスルーホール３６４と、第１の端部３６２ａと第２の端部３６２ｂとの間の位置において導体層３６２に接続されたスルーホール３６５と、第１の端部３６３ａと第２の端部３６３ｂとの間の位置において導体層３６３に接続されたスルーホール３６６とが形成されている。導体層３６１には、スルーホール３５２が接続されている。

図８（ｃ）に示した７層目の誘電体層３７の上面には、共振器用導体層３７１，３７２，３７３と、キャパシタ用導体層３７７が形成されている。導体層３７１，３７２，３７３は、図８（ｃ）における左側から導体層３７１，３７２，３７３の順に、左右方向に配列されている。導体層３７１，３７２，３７３の各一端部はグランド層２８に接続される。キャパシタ用導体層３７７は、図８（ｃ）における導体層３７１，３７２，３７３の下方に配置され、左右方向に延在している。導体層３７７はグランド層２９に接続される。また、誘電体層３７には、それぞれ導体層３７１，３７２，３７３に接続されたスルーホール３７４，３７５，３７６が形成されている。スルーホール３７４，３７５，３７６には、それぞれスルーホール３６４，３６５，３６６が接続されている。

図８（ｄ）に示した８層目の誘電体層３８の上面には、共振器用導体層３８１，３８２，３８３が形成されている。導体層３８１，３８２，３８３は、図８（ｄ）における左側から導体層３８１，３８２，３８３の順に、左右方向に配列されている。導体層３８１は、第１の端部３８１ａと、その反対側の第２の端部３８１ｂとを有している。導体層３８２は、第１の端部３８２ａと、その反対側の第２の端部３８２ｂとを有している。導体層３８３は、第１の端部３８３ａと、その反対側の第２の端部３８３ｂとを有している。第２の端部３８１ｂ，３８２ｂ，３８３ｂはグランド層２８に接続される。導体層３８１，３８２，３８３には、それぞれスルーホール３７４，３７５，３７６が接続されている。また、誘電体層３８には、導体層３８３に接続されたスルーホール３８４が形成されている。

図８（ｅ）に示した９層目の誘電体層３９の上面には、キャパシタ用導体層３９１が形成されている。導体層３９１は、図１におけるキャパシタ１９を構成するための２つの部分３９１ａ，３９１ｂを含んでいる。この部分３９１ａ，３９１ｂについては、後で詳しく説明する。また、誘電体層３９には、導体層３９１に接続されたスルーホール３９２が形成されている。スルーホール３９２には、スルーホール３８４が接続されている。

図９（ａ）に示した１０層目の誘電体層４０には、スルーホール３９２に接続されたスルーホール４０１が形成されている。

図９（ｂ）に示した１１層目の誘電体層４１の上面には、インダクタ用導体層４１１が形成されている。導体層４１１は、第１の端部４１１ａと第２の端部４１１ｂとを有している。第１の端部４１１ａは、誘電体層４１の上面におけるほぼ中央に配置されている。導体層４１１は、第１の端部４１１ａから図９（ｂ）における下方に延びた後、右へ延びるように屈曲して第２の端部４１１ｂに達している。スルーホール４０１は、導体層４１１における第２の端部４１１ｂの近傍の部分に接続されている。また、誘電体層４１には、導体層４１１における第１の端部４１１ａの近傍の部分に接続されたスルーホール４１２が形成されている。

図９（ｃ）に示した１２層目の誘電体層４２には、スルーホール４１２に接続されたスルーホール４２０が形成されている。

図９（ｄ）に示したように、誘電体層４２の下面には、出力端子用導体層４２１と、その両側に配置された２つのグランド用導体層４２２，４２３が形成されている。出力端子用導体層４２１は出力端子２３に接続される。グランド用導体層４２２は、グランド用端子２６およびグランド層２８，２９に接続される。グランド用導体層４２３は、グランド用端子２７およびグランド層２８，２９に接続される。導体層４２１には、スルーホール４２０が接続されている。誘電体層４２の下面は、積層基板２０の側面２０Ｄとなる。

図７ないし図９に示した誘電体層３１〜４２および導体層が積層されて積層体が形成される。図３に示したグランド層２８，２９は、この積層体の外周面のうち、積層方向Ｔに対して垂直で、且つ互いに平行な２つの面に形成される。更に、積層体に対して、それぞれ導体層３１１，４２１，３１２，３１３，４２２，４２３に接するように端子２２〜２７が形成されて、積層基板２０が完成する。

図１におけるインダクタ１１は、導体層３６１，３７１，３８１と、これらを接続するスルーホール３６４，３７４とを有している。導体層３６１，３８１は、誘電体層の積層方向に見たときに重なるように積層方向における異なる位置に配置されている。導体層３６１，３８１は、本発明における一対の共振器用導体層に対応する。また、スルーホール３６４，３７４は、この一対の共振器用導体層である導体層３６１，３８１を接続する接続部を構成している。この接続部は、第１の端部３６１ａ，３８１ａと第２の端部３６１ｂ，３８１ｂとの間の位置において導体層３６１，３８１を接続している。

図１におけるインダクタ１２は、導体層３６２，３７２，３８２と、これらを接続するスルーホール３６５，３７５とを有している。導体層３６２，３８２は、誘電体層の積層方向に見たときに重なるように積層方向における異なる位置に配置されている。導体層３６２，３８２は、本発明における一対の共振器用導体層に対応する。また、スルーホール３６５，３７５は、この一対の共振器用導体層である導体層３６２，３８２を接続する接続部を構成している。この接続部は、第１の端部３６２ａ，３８２ａと第２の端部３６２ｂ，３８２ｂとの間の位置において導体層３６２，３８２を接続している。

図１におけるインダクタ１３は、導体層３６３，３７３，３８３と、これらを接続するスルーホール３６６，３７６とを有している。導体層３６３，３８３は、誘電体層の積層方向に見たときに重なるように積層方向における異なる位置に配置されている。導体層３６３，３８３は、本発明における一対の共振器用導体層に対応する。また、スルーホール３６６，３７６は、この一対の共振器用導体層である導体層３６３，３８３を接続する接続部を構成している。この接続部は、第１の端部３６３ａ，３８３ａと第２の端部３６３ｂ，３８３ｂとの間の位置において導体層３６３，３８３を接続している。

図８（ｃ）に示したキャパシタ用導体層３７７は、キャパシタ１４，１５，１６を構成するために用いられる。キャパシタ用導体層３７７は、導体層３６１，３６２，３６３と、導体層３８１，３８２，３８３との間に配置されている。より詳しく説明すると、キャパシタ用導体層３７７は、全ての共振器４，５，６における一対の共振器用導体層の第１の端部の間、すなわち導体層３６１，３８１の第１の端部３６１ａ，３８１ａの間と、導体層３６２，３８２の第１の端部３６２ａ，３８２ａの間と、導体層３６３，３８３の第１の端部３６３ａ，３８３ａの間を通過するように配置されている。導体層３６１は誘電体層３６を介して導体層３７７に対向し、導体層３８１は誘電体層３７を介して導体層３７７に対向している。図１におけるキャパシタ１４は、これら導体層３６１，３７７，３８１と誘電体層３６，３７によって構成されている。導体層３６２は誘電体層３６を介して導体層３７７に対向し、導体層３８２は誘電体層３７を介して導体層３７７に対向している。図１におけるキャパシタ１５は、これら導体層３６２，３７７，３８２と誘電体層３６，３７によって構成されている。導体層３６３は誘電体層３６を介して導体層３７７に対向し、導体層３８３は誘電体層３７を介して導体層３７７に対向している。図１におけるキャパシタ１６は、これら導体層３６３，３７７，３８３と誘電体層３６，３７によって構成されている。なお、図４では、導体層３７７を示すために、導体層３７１，３７２，３７３の図示を省略している。

図８（ａ）に示したキャパシタ用導体層３５１は、入力端子２２と導体層３６２との間に配置され、スルーホール３５２を介して導体層３６１に接続されていると共に、誘電体層３５を介して導体層３６２に対向している。図１におけるキャパシタ１７は、導体層３５１，３６２と、これらの間に配置された誘電体層３５によって構成されている。

図８（ｅ）に示したキャパシタ用導体層３９１は、出力端子２３と導体層３８２との間に配置され、スルーホール３８４を介して導体層３８３に接続されていると共に、誘電体層３８を介して導体層３８２に対向している。図１におけるキャパシタ１８は、導体層３９１，３８２と、これらの間に配置された誘電体層３８によって構成されている。

図１におけるキャパシタ１９は、導体層３５１，３９１と、これらの間に配置された誘電体層３５，３６，３７，３８とによって構成されている。以下、キャパシタ１９について、より詳しく説明する。導体層３５１の部分３５１ａと導体層３９１の部分３９１ａは、誘電体層の積層方向に見たときに、導体層３６１，３７１，３８１と導体層３６２，３７２，３８２との間に配置されている。そして、部分３５１ａと部分３９１ａは、導体層３６２，３７２，３８２と重なることなく、誘電体層３５，３６，３７，３８を介して互いに対向している。また、導体層３５１の部分３５１ｂと導体層３９１の部分３９１ｂは、誘電体層の積層方向に見たときに、導体層３６３，３７３，３８３と導体層３６２，３７２，３８２との間に配置されている。そして、部分３５１ｂと部分３９１ｂは、導体層３６２，３７２，３８２と重なることなく、誘電体層３５，３６，３７，３８を介して互いに対向している。図１におけるキャパシタ１９は、導体層３５１，３９１のうち、特に、互いに対向する部分３５１ａ，３９１ａおよび互いに対向する部分３５１ｂ，３９１ｂと、導体層３５１と導体層３９１の間に配置された誘電体層３５，３６，３７，３８とによって構成されている。

なお、本実施の形態において、積層基板２０としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板２０としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。

図２および図４に示したように、インダクタ用導体層３３１，４１１は、それぞれ、誘電体層の積層方向に見たときに、共振器４を構成する導体層３６１，３７１，３８１と、共振器６を構成する導体層３６３，３７３，３８３との間に位置している部分を含んでいる。より詳しく説明すると、インダクタ用導体層３３１は、誘電体層の積層方向に見たときに、共振器４を構成する導体層３６１，３７１，３８１と、共振器４に隣接する共振器５を構成する導体層３６２，３７２，３８２との間に位置している部分を含んでいる。同様に、インダクタ用導体層４１１は、誘電体層の積層方向に見たときに、共振器６を構成する導体層３６３，３７３，３８３と、共振器６に隣接する共振器５を構成する導体層３６２，３７２，３８２との間に位置している部分を含んでいる。

また、図４および図６から分かるように、積層方向Ｔについて、インダクタ用導体層３３１と導体層３６１，３６２との間の距離は、インダクタ用導体層３３１と入力端子２２との間の距離に比べて十分小さい。すなわち、インダクタ用導体層３３１は、導体層３６１，３６２に対して近接した位置に配置されている。同様に、積層方向Ｔについて、インダクタ用導体層４１１と導体層３８２，３８３との間の距離は、インダクタ用導体層４１１と出力端子２３との間の距離に比べて十分小さい。すなわち、インダクタ用導体層４１１は、導体層３８２，３８３に対して近接した位置に配置されている。

ここで、図１０を参照して、本実施の形態における共振器４，５，６の特徴について詳しく説明する。図１０は、共振器４，５，６の構成を示す斜視図である。図１０に示したように、インダクタ１１を構成する導体層３６１，３７１，３８１と、インダクタ１２を構成する導体層３６２，３７２，３８２と、インダクタ１３を構成する導体層３６３，３７３，３８３は、積層方向Ｔに垂直な方向に配列されている。このようにして、共振器４，５，６に含まれるインダクタ１１，１２，１３は、誘電体層の積層方向Ｔに垂直な方向に配列されている。

インダクタ１１における一対の共振器用導体層である導体層３６１，３８１は、第１の端部３６１ａ，３８１ａと第２の端部３６１ｂ，３８１ｂとの間の位置において、スルーホール３６４，３７４からなる接続部によって接続されている。インダクタ１２における一対の共振器用導体層である導体層３６２，３８２は、第１の端部３６２ａ，３８２ａと第２の端部３６２ｂ，３８２ｂとの間の位置において、スルーホール３６５，３７５からなる接続部によって接続されている。インダクタ１３における一対の共振器用導体層である導体層３６３，３８３は、第１の端部３６３ａ，３８３ａと第２の端部３６３ｂ，３８３ｂとの間の位置において、スルーホール３６６，３７６からなる接続部によって接続されている。以下、このような一対の共振器用導体層と接続部に関する特徴を第１の特徴と言う。

また、バンドパスフィルタ１は、グランドに接続され、共振器４，５，６に含まれるキャパシタ１４，１５，１６を構成するために用いられる単一のキャパシタ用導体層３７７を備えている。このキャパシタ用導体層３７７は、全ての共振器４，５，６における一対の共振器用導体層の第１の端部の間、すなわち導体層３６１，３８１の第１の端部３６１ａ，３８１ａの間と、導体層３６２，３８２の第１の端部３６２ａ，３８２ａの間と、導体層３６３，３８３の第１の端部３６３ａ，３８３ａの間を通過するように配置されている。キャパシタ１４は、共振器４に含まれる一対の共振器用導体層である導体層３６１，３８１とキャパシタ用導体層３７７を用いて構成されている。キャパシタ１５は、共振器５に含まれる一対の共振器用導体層である導体層３６２，３８２とキャパシタ用導体層３７７を用いて構成されている。キャパシタ１６は、共振器６に含まれる一対の共振器用導体層である導体層３６３，３８３とキャパシタ用導体層３７７を用いて構成されている。インダクタ１１，１２，１３の配列方向に見たときのキャパシタ用導体層３７７の幅は一定である。以下、このようなキャパシタ用導体層３７７に関する特徴を第２の特徴と言う。

以下、第１ないし第３の比較例のバンドパスフィルタと比較しながら、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１の作用、効果について説明する。第１ないし第３の比較例のバンドパスフィルタでは、共振器４，５，６の構成のみが、本実施の形態に係るバンドパスフィルタと異なっている。

始めに、図１１および図１２を参照して、第１の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６の構成について説明する。図１１において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１の比較例のバンドパスフィルタにおける積層基板２０の上から６層目ないし８層目の誘電体層の上面を示している。図１２は、第１の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６の構成を示す斜視図である。図１１および図１２に示したように、第１の比較例では、本実施の形態におけるスルーホール３６４，３６５，３６６，３７４，３７５，３７６は設けられていない。また、第１の比較例では、本実施の形態におけるキャパシタ用導体層３７７の代わりに、互いに分離されたキャパシタ用導体層３７７Ａ，３７７Ｂ，３７７Ｃが設けられている。導体層３７７Ａ，３７７Ｂ，３７７Ｃは、いずれもグランド層２８に接続される。導体層３７７Ａは、導体層３６１と導体層３８１との間に配置されている。導体層３７７Ｂは、導体層３６２と導体層３８２との間に配置されている。導体層３７７Ｃは、導体層３６３と導体層３８３との間に配置されている。このように、第１の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６は、本実施の形態における第１の特徴と第２の特徴の両方を有していない。第１の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６のその他の構成は、本実施の形態と同様である。

次に、図１３および図１４を参照して、第２の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６の構成について説明する。図１３において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第２の比較例のバンドパスフィルタにおける積層基板２０の上から６層目ないし８層目の誘電体層の上面を示している。図１４は、第２の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６の構成を示す斜視図である。図１３および図１４に示したように、第２の比較例では、本実施の形態におけるキャパシタ用導体層３７７の代わりに、互いに分離されたキャパシタ用導体層３７７Ａ，３７７Ｂ，３７７Ｃが設けられている。導体層３７７Ａ，３７７Ｂ，３７７Ｃは、いずれもグランド層２８に接続される。導体層３７７Ａは、導体層３６１と導体層３８１との間に配置されている。導体層３７７Ｂは、導体層３６２と導体層３８２との間に配置されている。導体層３７７Ｃは、導体層３６３と導体層３８３との間に配置されている。このように、第２の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６は、本実施の形態における第２の特徴を有していない。第２の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６のその他の構成は、本実施の形態と同様である。

次に、図１５および図１６を参照して、第３の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６の構成について説明する。図１５において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第３の比較例のバンドパスフィルタにおける積層基板２０の上から６層目ないし８層目の誘電体層の上面を示している。図１６は、第３の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６の構成を示す斜視図である。図１５および図１６に示したように、第３の比較例では、本実施の形態におけるスルーホール３６４，３６５，３６６，３７４，３７５，３７６は設けられていない。このように、第３の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６は、本実施の形態における第１の特徴を有していない。第３の比較例のバンドパスフィルタにおける共振器４，５，６のその他の構成は、本実施の形態と同様である。

次に、シミュレーションによって、第１ないし第３の比較例のバンドパスフィルタと本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１について、通過・減衰特性を比較した結果について説明する。このシミュレーションでは、第１ないし第３の比較例のバンドパスフィルタと本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１のいずれについても、通過帯域がおよそ２．４〜２．５ＧＨｚになるように設計されている。なお、２．４〜２．５ＧＨｚという周波数帯域は、ブルートゥース規格の通信装置や無線ＬＡＮ用の通信装置において用いられるバンドパスフィルタの通過帯域に対応する。

図１７は、シミュレーションによって得られた第１の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示している。図１８は、シミュレーションによって得られた第２の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示している。図１９は、シミュレーションによって得られた第３の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示している。図２０は、シミュレーションによって得られた本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１の通過・減衰特性を示している。

図１７ないし図１９と、図２０とを比較すると、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１の通過・減衰特性では、第１ないし第３の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性に比べて、通過帯域よりも高周波側の阻止帯域における減衰量が大きくなっていることが分かる。

また、７．５ＧＨｚにおける減衰量は、第１の比較例では約３０ｄＢであり、第２の比較例では約３５ｄＢであり、第３の比較例では約４０ｄＢであり、本実施の形態では約５０ｄＢである。７．５ＧＨｚという周波数は、バンドパスフィルタの通過信号の周波数を２．５ＧＨｚとしたときの第３高調波の周波数である。この結果から分かるように、本実施の形態によれば、第１ないし第３の比較例に比べて、通過信号に対する第３高調波の周波数における減衰量を大きくすることができる。また、上記の結果から、第１の特徴と第２の特徴のいずれも、第３高調波の周波数における減衰量を大きくすることに寄与していることが分かる。このように、本実施の形態によれば、特に、通過信号に対する第３高調波を低減することが可能になる。

また、図２０に示した本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１の通過・減衰特性では、通過信号に対する第２高調波の周波数である５．０ＧＨｚの近傍と、通過信号に対する第３高調波の周波数である７．５ＧＨｚの近傍に、それぞれノッチが存在している。従って、本実施の形態によれば、通過信号に対する第２高調波および第３高調波を低減することが可能になる。

このように、本実施の形態にバンドパスフィルタ１によれば、第１ないし第３の比較例に比べて、通過帯域よりも高周波側の阻止帯域における減衰量を大きくすることができ、その結果、通過帯域よりも高周波側に存在するスプリアスを容易に低減することが可能になる。

次に、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１におけるインダクタ７，８の特徴について説明する。まず、第４の比較例のバンドパスフィルタについて説明する。第４の比較例のバンドパスフィルタは、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１からインダクタ７，８を除いたものである。第４の比較例では、インダクタ１１の一端とキャパシタ１４，１７，１９の各一端は入力端子２に接続され、インダクタ１３の一端、キャパシタ１６の一端およびキャパシタ１９の他端は、出力端子３に接続されている。

図２１は、シミュレーションによって得られた第４の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示している。このシミュレーションでは、第４の比較例のバンドパスフィルタは、通過帯域がおよそ２．４〜２．５ＧＨｚになるように設計されている。図２０と図２１とを比較すると、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１の通過・減衰特性では、第４の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性に比べて、２ＧＨｚ以下の周波数帯域における減衰量が大きくなっていることが分かる。この違いは、以下のような作用によって生じると考えられる。すなわち、本実施の形態では、インダクタ７が発生する磁界によって、共振器４とこれに隣接する共振器５との間の誘導性結合が弱められ、インダクタ８が発生する磁界によって、共振器６とこれに隣接する共振器５との間の誘導性結合が弱められる。これにより、本実施の形態では、インダクタ７，８がない場合に比べて、通過帯域よりも低周波側の阻止帯域における減衰量が大きくなると考えられる。

このように、本実施の形態によれば、インダクタ７，８を備えたことにより、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタ１において、隣接する共振器間の誘導性結合を弱めることによって所望の特性を得ることが可能になる。

また、本実施の形態によれば、バンドパスフィルタ１の小型化、薄型化に伴って隣接する共振器間の距離を短くせざるを得ない場合であっても、隣接する共振器間の誘導性結合の大きさを小さくすることができるので、バンドパスフィルタ１の小型化、薄型化が容易になる。

また、本実施の形態では、図２および図４に示したように、インダクタ７を構成するインダクタ用導体層３３１と、インダクタ８を構成するインダクタ用導体層４１１は、それぞれ、誘電体層の積層方向に見たときに、共振器４を構成する導体層３６１，３７１，３８１と、共振器６を構成する導体層３６３，３７３，３８３との間に位置している部分を含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、より効果的に、インダクタ７，８によって、隣接する共振器間の誘導性結合を弱めることが可能になる。

また、本実施の形態では、図４に示したように、積層基板２０は、誘電体層の積層方向Ｔにおける両端に配置された側面２０Ｃ，２０Ｄを有している。入力端子２２は側面２０Ｃにおいて長手方向の中央に配置され、出力端子２３は側面２０Ｄにおいて長手方向の中央に配置されている。そして、共振器４を構成する導体層３６１，３７１，３８１と、共振器５を構成する導体層３６２，３７２，３８２と、共振器６を構成する導体層３６３，３７３，３８３は、積層方向Ｔと交差する方向、特に積層方向Ｔに垂直な方向に配列されている。インダクタ用導体層３３１は、入力端子２２と導体層３６１とを接続するため、誘電体層の積層方向に見たときに、入力端子２２が配置された位置から導体層３６１が配置された位置へ向けて延びる。また、インダクタ用導体層４１１は、出力端子２３と導体層３８３とを接続するため、誘電体層の積層方向に見たときに、出力端子２３が配置された位置から導体層３８３が配置された位置へ向けて延びる。従って、本実施の形態では、誘電体層の積層方向に見たときに、インダクタ用導体層３３１，４１１の各々の少なくとも一部が導体層３６１，３７１，３８１と導体層３６３，３７３，３８３との間に位置する構成を容易に実現することができる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係るバンドパスフィルタについて説明する。本実施の形態に係るバンドパスフィルタ５１の回路構成は、図１に示した第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタ１の回路構成と同じである。図２２は、バンドパスフィルタ５１の外観を示す斜視図である。図２３は、バンドパスフィルタ５１の主要部分を示す説明図である。図２２および図２３に示したように、バンドパスフィルタ５１は、バンドパスフィルタ５１の構成要素を一体化するための積層基板６０を備えている。後で詳しく説明するが、積層基板６０は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。インダクタ７，８，１１〜１３は、いずれも、積層基板６０内の１つ以上の導体層を用いて構成されている。キャパシタ１４〜１９は、積層基板６０内の導体層と誘電体層を用いて構成されている。

積層基板６０は、上面６０Ａと、底面６０Ｂと、４つの側面６０Ｃ〜６０Ｆを有する直方体形状をなしている。上面６０Ａと底面６０Ｂは平行であり、側面６０Ｃ，６０Ｄも平行であり、側面６０Ｅ，６０Ｆも平行である。側面６０Ｃ〜６０Ｆは、上面６０Ａおよび底面６０Ｂに対して垂直になっている。

側面６０Ｃには入力端子６２が設けられている。側面６０Ｄには出力端子６３が設けられている。側面６０Ｅ，６０Ｆには、それぞれグランド用端子６４，６５が設けられている。入力端子６２は図１における入力端子２に対応し、出力端子６３は図１における出力端子３に対応する。グランド用端子６４，６５はグランドに接続される。

積層基板６０において、上面６０Ａおよび底面６０Ｂに垂直な方向が、複数の誘電体層の積層方向である。図２２および図２３において、記号Ｔを付した矢印は、複数の誘電体層の積層方向を表している。バンドパスフィルタ５１は、積層基板６０の底面６０Ｂが実装基板に当接するように、実装基板に実装される。

次に、図２４ないし図２６を参照して、積層基板６０における誘電体層と導体層について詳しく説明する。図２４において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、上から２層目ないし４層目の誘電体層の上面を示している。図２５において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、上から５層目ないし７層目の誘電体層の上面を示している。図２６において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、上から８層目ないし１０層目の誘電体層の上面を示している。図示しないが、１層目の誘電体層の上面には導体層は形成されていない。

図２４（ａ）に示した２層目の誘電体層７２の上面には、グランド用導体層７２１が形成されている。この導体層７２１は、グランド用端子６４，６５に接続される。

図２４（ｂ）に示した３層目の誘電体層７３の上面には、インダクタ用導体層７３１が形成されている。導体層７３１は、第１の端部７３１ａと第２の端部７３１ｂとを有している。第１の端部７３１ａは、誘電体層７３の上面における右側の端縁に配置されている。導体層７３１は、第１の端部７３１ａから左へ延びた後、上へ延びるように屈曲し、更に右へ延びるように屈曲し、更に上へ延びるよう屈曲して第２の端部７３１ｂに達している。第１の端部７３１ａは、出力端子６３に接続される。また、誘電体層７３には、導体層７３１における第２の端部７３１ｂの近傍の部分に接続されたスルーホール７３２が形成されている。

図２４（ｃ）に示した４層目の誘電体層７４の上面には、キャパシタ用導体層７４１が形成されている。また、誘電体層７４には、導体層７４１に接続されたスルーホール７４２が形成されている。スルーホール７４２には、スルーホール７３２が接続されている。

図２５（ａ）に示した５層目の誘電体層７５の上面には、共振器用導体層７５１，７５２，７５３が形成されている。導体層７５１，７５２，７５３は、図２５（ａ）における左側から導体層７５１，７５２，７５３の順に、左右方向に配列されている。導体層７５１は、第１の端部７５１ａと、その反対側の第２の端部７５１ｂとを有している。導体層７５２は、第１の端部７５２ａと、その反対側の第２の端部７５２ｂとを有している。導体層７５３は、第１の端部７５３ａと、その反対側の第２の端部７５３ｂとを有している。第２の端部７５１ｂ，７５２ｂ，７５３ｂはグランド用端子６４に接続される。また、誘電体層７５には、第１の端部７５１ａと第２の端部７５１ｂとの間の位置において導体層７５１に接続されたスルーホール７５４と、第１の端部７５２ａと第２の端部７５２ｂとの間の位置において導体層７５２に接続されたスルーホール７５５と、第１の端部７５３ａと第２の端部７５３ｂとの間の位置において導体層７５３に接続されたスルーホール７５６とが形成されている。導体層７５３には、スルーホール７４２が接続されている。

図２５（ｂ）に示した６層目の誘電体層７６の上面には、キャパシタ用導体層７６１が形成されている。導体層７６１は、図２５（ｂ）における左右方向に延在している。導体層７６１はグランド用端子６５に接続される。また、誘電体層７６には、それぞれスルーホール７５４，７５５，７５６に接続されたスルーホール７６４，７６５，７６６が形成されている。

図２５（ｃ）に示した７層目の誘電体層７７の上面には、共振器用導体層７７１，７７２，７７３が形成されている。導体層７７１，７７２，７７３は、図２５（ｃ）における左側から導体層７７１，７７２，７７３の順に、左右方向に配列されている。導体層７７１は、第１の端部７７１ａと、その反対側の第２の端部７７１ｂとを有している。導体層７７２は、第１の端部７７２ａと、その反対側の第２の端部７７２ｂとを有している。導体層７７３は、第１の端部７７３ａと、その反対側の第２の端部７７３ｂとを有している。第２の端部７７１ｂ，７７２ｂ，７７３ｂはグランド用端子６４に接続される。導体層７７１，７７２，７７３には、それぞれスルーホール７６４，７６５，７６６が接続されている。また、誘電体層７７には、導体層７７１に接続されたスルーホール７７４が形成されている。

図２６（ａ）に示した８層目の誘電体層７８の上面には、キャパシタ用導体層７８１が形成されている。また、誘電体層７８には、導体層７８１に接続されたスルーホール７８２が形成されている。スルーホール７８２には、スルーホール７７４が接続されている。

図２６（ｂ）に示した９層目の誘電体層７９の上面には、インダクタ用導体層７９１が形成されている。導体層７９１は、第１の端部７９１ａと第２の端部７９１ｂとを有している。第１の端部７９１ａは、誘電体層７９の上面における左側の端縁に配置されている。導体層７９１は、第１の端部７９１ａから右へ延びた後、上へ延びるように屈曲し、更に左へ延びるように屈曲し、更に上へ延びるよう屈曲して第２の端部７９１ｂに達している。第１の端部７９１ａは、入力端子６２に接続される。導体層７９１における第２の端部７９１ｂの近傍の部分にはスルーホール７８２が接続されている。

図２６（ｃ）に示した１０層目の誘電体層８０の上面には、グランド用導体層８０１が形成されている。この導体層８０１は、グランド用端子６４，６５に接続される。

図示しない１層目の誘電体層と図２４ないし図２６に示した誘電体層７２〜８０および導体層が積層されて積層体が形成される。そして、この積層体に対して端子６２〜６５が形成されて、積層基板６０が完成する。

図１におけるインダクタ１１は、導体層７５１，７７１と、これらを接続するスルーホール７５４，７６４とを有している。導体層７５１，７７１は、誘電体層の積層方向に見たときに重なるように積層方向における異なる位置に配置されている。導体層７５１，７７１は、本発明における一対の共振器用導体層に対応する。また、スルーホール７５４，７６４は、この一対の共振器用導体層である導体層７５１，７７１を接続する接続部を構成している。この接続部は、第１の端部７５１ａ，７７１ａと第２の端部７５１ｂ，７７１ｂとの間の位置において導体層７５１，７７１を接続している。

図１におけるインダクタ１２は、導体層７５２，７７２と、これらを接続するスルーホール７５５，７６５とを有している。導体層７５２，７７２は、誘電体層の積層方向に見たときに重なるように積層方向における異なる位置に配置されている。導体層７５２，７７２は、本発明における一対の共振器用導体層に対応する。また、スルーホール７５５，７６５は、この一対の共振器用導体層である導体層７５２，７７２を接続する接続部を構成している。この接続部は、第１の端部７５２ａ，７７２ａと第２の端部７５２ｂ，７７２ｂとの間の位置において導体層７５２，７７２を接続している。

図１におけるインダクタ１３は、導体層７５３，７７３と、これらを接続するスルーホール７５６，７６６とを有している。導体層７５３，７７３は、誘電体層の積層方向に見たときに重なるように積層方向における異なる位置に配置されている。導体層７５３，７７３は、本発明における一対の共振器用導体層に対応する。また、スルーホール７５６，７６６は、この一対の共振器用導体層である導体層７５３，７７３を接続する接続部を構成している。この接続部は、第１の端部７５３ａ，７７３ａと第２の端部７５３ｂ，７７３ｂとの間の位置において導体層７５３，７７３を接続している。

図１におけるインダクタ７は、インダクタ用導体層７９１を用いて構成されている。インダクタ用導体層７９１は、本発明における第１のインダクタ用導体層に対応する。図１におけるインダクタ８は、インダクタ用導体層７３１を用いて構成されている。インダクタ用導体層７３１は、本発明における第２のインダクタ用導体層に対応する。

図２５（ｂ）に示したキャパシタ用導体層７６１は、キャパシタ１４，１５，１６を構成するために用いられる。キャパシタ用導体層７６１は、導体層７５１，７５２，７５３と、導体層７７１，７７２，７７３との間に配置されている。より詳しく説明すると、キャパシタ用導体層７６１は、全ての共振器４，５，６における一対の共振器用導体層の第１の端部の間、すなわち導体層７５１，７７１の第１の端部７５１ａ，７７１ａの間と、導体層７５２，７７２の第１の端部７５２ａ，７７２ａの間と、導体層７５３，７７３の第１の端部７５３ａ，７５３ａの間を通過するように配置されている。導体層７５１は誘電体層７５を介して導体層７６１に対向し、導体層７７１は誘電体層７６を介して導体層７６１に対向している。図１におけるキャパシタ１４は、これら導体層７５１，７６１，７７１と誘電体層７５，７６によって構成されている。導体層７５２は誘電体層７５を介して導体層７６１に対向し、導体層７７２は誘電体層７６を介して導体層７６１に対向している。図１におけるキャパシタ１５は、これら導体層７５２，７６１，７７２と誘電体層７５，７６によって構成されている。導体層７５３は誘電体層７５を介して導体層７６１に対向し、導体層７７３は誘電体層７６を介して導体層７６１に対向している。図１におけるキャパシタ１６は、これら導体層７５３，７６１，７７３と誘電体層７５，７６によって構成されている。

図２６（ａ）に示したキャパシタ用導体層７８１は、スルーホール７７４を介して導体層７７１に接続され、スルーホール７８２を介して導体層７９１に接続され、誘電体層７７を介して導体層７７２に対向している。図１におけるキャパシタ１７は、導体層７７２，７８１と、これらの間に配置された誘電体層７７によって構成されている。

図２４（ｃ）に示したキャパシタ用導体層７４１は、スルーホール７４２を介して導体層７５３に接続され、スルーホール７３２を介して導体層７３１に接続され、誘電体層７４を介して導体層７５２に対向している。図１におけるキャパシタ１８は、導体層７４１，７５２と、これらの間に配置された誘電体層７４によって構成されている。

また、図１におけるキャパシタ１９は、導体層７４１，７８１と、これらの間に配置された誘電体層７４〜７７とによって構成されている。

なお、本実施の形態において、積層基板６０としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板６０としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。

図２３に示したように、積層基板６０は、誘電体層の積層方向Ｔにおける両端に配置された上面６０Ａと底面６０Ｂと、上面６０Ａおよび底面６０Ｂに垂直で且つ互いに反対側に配置された側面６０Ｃ，６０Ｄとを有している。入力端子６２は側面６０Ｃに配置され、出力端子６３は側面６０Ｄに配置されている。

本実施の形態では、インダクタ１１を構成する導体層７５１，７７１と、インダクタ１２を構成する導体層７５２，７７２と、インダクタ１３を構成する導体層７５３，７７３は、積層方向Ｔに垂直な方向に配列されている。このようにして、共振器４，５，６に含まれるインダクタ１１，１２，１３は、誘電体層の積層方向Ｔに垂直な方向に配列されている。

インダクタ１１における一対の共振器用導体層である導体層７５１，７７１は、第１の端部７５１ａ，７７１ａと第２の端部７５１ｂ，７７１ｂとの間の位置において、スルーホール７５４，７６４からなる接続部によって接続されている。インダクタ１２における一対の共振器用導体層である導体層７５２，７７２は、第１の端部７５２ａ，７７２ａと第２の端部７５２ｂ，７７２ｂとの間の位置において、スルーホール７５５，７６５からなる接続部によって接続されている。インダクタ１３における一対の共振器用導体層である導体層７５３，７７３は、第１の端部７５３ａ，７７３ａと第２の端部７５３ｂ，７７３ｂとの間の位置において、スルーホール７５６，７６６からなる接続部によって接続されている。以下、このような一対の共振器用導体層と接続部に関する特徴を第１の特徴と言う。

また、バンドパスフィルタ５１は、グランドに接続され、共振器４，５，６に含まれるキャパシタ１４，１５，１６を構成するために用いられる単一のキャパシタ用導体層７６１を備えている。このキャパシタ用導体層７６１は、全ての共振器４，５，６における一対の共振器用導体層の第１の端部の間、すなわち導体層７５１，７７１の第１の端部７５１ａ，７７１ａの間と、導体層７５２，７７２の第１の端部７５２ａ，７７２ａの間と、導体層７５３，７７３の第１の端部７５３ａ，７７３ａの間を通過するように配置されている。キャパシタ１４は、共振器４に含まれる一対の共振器用導体層である導体層７５１，７７１とキャパシタ用導体層７６１を用いて構成されている。キャパシタ１５は、共振器５に含まれる一対の共振器用導体層である導体層７５２，７７２とキャパシタ用導体層７６１を用いて構成されている。キャパシタ１６は、共振器６に含まれる一対の共振器用導体層である導体層７５３，７７３とキャパシタ用導体層７６１を用いて構成されている。以下、このようなキャパシタ用導体層７６１に関する特徴を第２の特徴と言う。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ５１では、上記第１および第２の特徴を有することにより、第１の実施の形態と同様に、通過帯域よりも高周波側の阻止帯域における減衰量を大きくすることができ、その結果、通過帯域よりも高周波側に存在するスプリアスを容易に低減することが可能になる。

また、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ５１では、インダクタ用導体層７９１，７３１は、それぞれ、誘電体層の積層方向に見たときに、共振器４を構成する導体層７５１，７７１と、共振器６を構成する導体層７５３，７７３との間に位置している部分を含んでいる。より詳しく説明すると、インダクタ用導体層７９１は、誘電体層の積層方向に見たときに、共振器４を構成する導体層７５１，７７１と、共振器４に隣接する共振器５を構成する導体層７５２，７７２との間に位置している部分を含んでいる。同様に、インダクタ用導体層７３１は、誘電体層の積層方向に見たときに、共振器６を構成する導体層７５３，７７３と、共振器６に隣接する共振器５を構成する導体層７５２，７７２との間に位置している部分を含んでいる。

本実施の形態では、インダクタ用導体層７９１によって構成されるインダクタ７が発生する磁界によって、共振器４とこれに隣接する共振器５との間の誘導性結合が弱められ、インダクタ用導体層７３１によって構成されるインダクタ８が発生する磁界によって、共振器６とこれに隣接する共振器５との間の誘導性結合が弱められる。その結果、本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様に、隣接する共振器間の誘導性結合を弱めることによって所望の特性を得ることが可能になる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、各実施の形態には共振器の数が３つの例を示したが、本発明のバンドパスフィルタは、隣接する２つの共振器同士が誘導性結合するように設けられた複数の共振器を備えていればよく、共振器の数は、２つでもよいし、４つ以上であってもよい。

本発明のバンドパスフィルタは、特に、ブルートゥース規格の通信装置や無線ＬＡＮ用の通信装置において用いられるバンドパスフィルタとして有用である。

本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタの主要部分を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタの外観を示す斜視図である。 図２におけるＡ方向から見たバンドパスフィルタの主要部分を示す説明図である。 図２におけるＢ方向から見たバンドパスフィルタの主要部分を示す説明図である。 図２におけるＣ方向から見たバンドパスフィルタの主要部分を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における積層基板の１層目ないし４層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における積層基板の５層目ないし９層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における積層基板の１０層目ないし１２層目の誘電体層の上面および１２層目の誘電体層の下面を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタにおける３つの共振器の構成を示す斜視図である。 第１の比較例における積層基板の６層目ないし８層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 第１の比較例における３つの共振器の構成を示す斜視図である。 第２の比較例における積層基板の６層目ないし８層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 第２の比較例における３つの共振器の構成を示す斜視図である。 第３の比較例における積層基板の６層目ないし８層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 第３の比較例における３つの共振器の構成を示す斜視図である。 第１の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示す特性図である。 第２の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示す特性図である。 第３の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示す特性図である。 第４の比較例のバンドパスフィルタの通過・減衰特性を示す特性図である。 本発明の第２の実施の形態に係るバンドパスフィルタの外観を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係るバンドパスフィルタの主要部分を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態における積層基板の２層目ないし４層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態における積層基板の５層目ないし７層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態における積層基板の８層目ないし１０層目の誘電体層の上面を示す説明図である。

符号の説明

１…バンドパスフィルタ、２…入力端子、３…出力端子、４〜６…共振器、７，８，１１〜１３…インダクタ、１４〜１９…キャパシタ、２０…積層基板、３６１，３６２，３６３，３８１，３８２，３８３…共振器用導体層、３６４，３６５，３６６，３７４，３７５，３７６…スルーホール、３７７…キャパシタ用導体層。

Claims (5)

1. 積層された複数の誘電体層を含む積層基板と、
   隣接する２つの共振器同士が誘導性結合するように前記積層基板内に設けられた複数の共振器とを備えたバンドパスフィルタであって、
   前記複数の共振器の各々は、互いに接続された共振器用インダクタと共振器用キャパシタとを含み、
   前記複数の共振器に含まれる複数の共振器用インダクタは、前記複数の誘電体層の積層方向に対して直交する方向に配列され、
   各共振器用インダクタは、前記積層方向に見たときに重なるように前記積層方向における異なる位置に配置された一対の共振器用導体層と、この一対の共振器用導体層を接続する接続部とを有し、
   各共振器用導体層は、第１の端部と、その反対側の第２の端部とを有し、
   前記接続部は、前記第１の端部と第２の端部との間の位置において前記一対の共振器用導体層を接続し、
   バンドパスフィルタは、前記複数の共振器に含まれる複数の共振器用キャパシタを構成するために用いられる単一のキャパシタ用導体層を備え、
   前記キャパシタ用導体層は、グランドに接続され、
   前記キャパシタ用導体層は、全ての共振器における一対の共振器用導体層の第１の端部の間を通過するように配置され、
   各共振器において、前記共振器用キャパシタは、各共振器に含まれる一対の共振器用導体層と前記キャパシタ用導体層を用いて構成されていることを特徴とするバンドパスフィルタ。
   
2. 前記接続部は、前記積層基板内に設けられたスルーホールを用いて構成されていることを特徴とする請求項１記載のバンドパスフィルタ。
3. 前記共振器用導体層の第２の端部は、グランドに接続されることを特徴とする請求項１または２記載のバンドパスフィルタ。
4. 更に、前記積層基板の外周部に配置された入力端子および出力端子と、
   前記入力端子に接続された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有する第１のインダクタと、
   前記出力端子に接続された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有する第２のインダクタとを備え、
   前記複数の共振器は、前記第１のインダクタの第２の端部に接続された第１の共振器と、前記第２のインダクタの第２の端部に接続された第２の共振器とを含み、
   前記第１のインダクタの第２の端部は、前記第１の共振器における共振器用インダクタと共振器用キャパシタとの接続点に接続され、
   前記第２のインダクタの第２の端部は、前記第２の共振器における共振器用インダクタと共振器用キャパシタとの接続点に接続され、
   前記第１のインダクタは、前記積層基板内に設けられた第１のインダクタ用導体層を有し、
   前記第２のインダクタは、前記積層基板内に設けられた第２のインダクタ用導体層を有していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
5. 前記第１および第２のインダクタ用導体層は、それぞれ、前記積層方向に見たときに前記第１の共振器における共振器用導体層と第２の共振器における共振器用導体層との間に位置している部分を含むことを特徴とする請求項４記載のバンドパスフィルタ。

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