JPWO2015064134A1 - 電子部品 - Google Patents

Abstract

挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる電子部品を提供することである。素子本体と、直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎのＬＣ並列共振器と、を備えており、第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎのＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ、及び、第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、第１のインダクタないし第ｎのインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように素子本体に設けられており、第１のインダクタ及び第ｎのインダクタは、第１の方向に直交する第２の方向に沿う巻回軸を周回する渦巻状又は螺旋状をなしており、第２のインダクタないし第ｎ−１のインダクタの内の少なくとも１つのインダクタは、第１の方向に沿う巻回軸を周回する螺旋状をなしていること、を特徴とする電子部品。

Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、３以上のＬＣ並列共振器を備えている電子部品に関する。

従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の３次元スパイラルインダクタが知られている。該３次元スパイラルインダクタは、積層体内に設けられ、かつ、積層方向に直交する方向に延在する巻回軸の周囲を周回する螺旋状のコイルである。このような３次元スパイラルインダクタは、例えば、ローパスフィルタに用いられる。

３次元スパイラルインダクタが用いられたローパスフィルタは、例えば、３次元スパイラルインダクタ及びコンデンサにより構成される複数のＬＣ並列共振器が直列に接続されて構成される。３次元スパイラルインダクタは、螺旋状をなしているので、渦巻状のインダクタに比べて大きな空芯径を有している。したがって、３次元スパイラルインダクタは、渦巻状のインダクタに比べて、高いＱ値を得ることができる。そのため、ローパスフィルタの挿入損失の低減を図ることができる。

ところで、ローパスフィルタでは、３次元スパイラルインダクタは、互いの巻回軸が略一致するように一列に並ぶように配置される。そのため、３次元スパイラルインダクタ同士が近接しすぎて、３次元スパイラルインダクタ同士の電磁気結合が強くなってしまう。そのため、ローパスフィルタにおいて、３次元スパラルインダクタ間を高周波信号が伝送されやすくなる。その結果、ローパスフィルタの通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができない。

特開２００６−１９０９３４号公報（図１６ａ）

そこで、本発明の目的は、挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる電子部品を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、素子本体と、直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎ（ｎは、３以上の整数）のＬＣ並列共振器と、を備えており、前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎのＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ、及び、第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回する渦巻状をなしており、前記第２のインダクタないし前記第ｎ−１のインダクタの内の少なくとも１つのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回する螺旋状をなしていること、を特徴とする。

本発明によれば、挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。

本願発明に係る電子部品１０の等価回路図である。 図１Ａの電子部品１０の外観斜視図である。 電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 電子部品１０の通過特性を示したグラフである。

以下に本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。

（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係るフィルタの構成について図面を参照しながら説明する。図１Ａは、本願発明に係る電子部品１０の等価回路図である。図１Ｂは、図１Ａの電子部品１０の外観斜視図である。図２Ａないし図２Ｄは、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下、上下方向は、絶縁体層１６の積層方向を示す。また、上側から平面視したときに、電子部品１０の長辺に沿った方向を前後方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向を左右方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は互いに直交している。

電子部品１０の等価回路は、図１Ａに示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３、コンデンサＣ４〜Ｃ７及び外部端子１４ａ〜１４ｈを備えている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、インダクタＬ１及びコンデンサＣ１を含んでいる。ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、インダクタＬ２及びコンデンサＣ２を含んでいる。ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、インダクタＬ３及びコンデンサＣ３を含んでいる。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間においてこの順に直列に接続されている。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１の共振周波数及びＬＣ並列共振器ＬＣ３の共振周波数よりも低い。

コンデンサＣ４は、外部端子１４ａとＬＣ並列共振器ＬＣ１との接続点と外部端子１４ｃ〜１４ｈとの間に接続されている。コンデンサＣ５は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２との接続点と外部端子１４ｃ〜１４ｈとの間に接続されている。コンデンサＣ６は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２とＬＣ並列共振器ＬＣ３との接続点と外部端子１４ｃ〜１４ｈとの間に接続されている。コンデンサＣ７は、ＬＣ並列共振器ＬＣ３と外部端子１４ｂとの接続点と外部端子１４ｃ〜１４ｈとの間に接続されている。

以上のような電子部品１０は、ローパスフィルタとして用いられる。外部端子１４ａ及び外部端子１４ｂが入出力端子として用いられ、外部端子１４ｃ〜１４ｈが接地端子として用いられる。

電子部品１０は、図１Ｂ及び図２Ａないし図２Ｄに示すように、積層体１２、外部端子１４ａ〜１４ｈ、インダクタ導体１８ａ〜１８ｐ，２２ａ〜２２ｕ，２６ａ〜２６ｐ、接続導体２０ａ，２０ｂ，２４ａ，２４ｂ、コンデンサ導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂ，３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ〜４０ｃ、グランド導体４２及びビアホール導体ｖ１〜ｖ２２を備えている。

積層体１２は、図１Ｂ及び図２Ａないし図２Ｄに示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉが上下方向に積層されることにより構成され、直方体状をなしている。また、積層体１２は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３及びコンデンサＣ４〜Ｃ７を内蔵している。

絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉは、図２Ａないし図２Ｄに示すように、長方形状をなしており、例えば、各導体と同時に焼結されるセラミック誘電体により構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉは、上側から下側へとこの順に並ぶように積層されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉの上側の面を表面と称し、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉの下側の面を裏面と称す。なお、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉとして樹脂層を用いても構わない。

インダクタＬ１は、前後方向と平行な巻回軸を周回する渦巻状をなしており、積層体１２の前面近傍に設けられている。また、インダクタＬ１は、インダクタ導体１８ａ〜１８ｐ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ５により構成されている。インダクタ導体１８ａ〜１８ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの前側の短辺の中央から後ろ側に向かってわずかに延在した後、右側に向かって延在している導体である。インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの右端はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの右前の角近傍に位置している。

インダクタ導体１８ｄはそれぞれ、絶縁体層１６ｚの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｚの前側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体１８ｄの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの右端と重なっている。

インダクタ導体１８ｅ〜１８ｇはそれぞれ、絶縁体層１６ｈ〜１６ｊの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｈ〜１６ｊの前側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体１８ｅ〜１８ｇの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｄの左端と重なっている。

インダクタ導体１８ｈ〜１８ｊはそれぞれ、絶縁体層１６ｗ〜１６ｙの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｗ〜１６ｙの前側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体１８ｈ〜１８ｊの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｅ〜１８ｇの右端と重なっている。

インダクタ導体１８ｋ〜１８ｍはそれぞれ、絶縁体層１６ｋ〜１６ｍの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｋ〜１６ｍの前側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体１８ｋ〜１８ｍの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｈ〜１８ｊの左端と重なっている。

インダクタ導体１８ｎ〜１８ｐはそれぞれ、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの前側の短辺の右端近傍から左側に向かってわずかに延在した後、後ろ側に向かって延在している導体である。インダクタ導体１８ｎ〜１８ｐの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｋ〜１８ｍの右端と重なっている。

ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｙを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｙのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１は、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの右端とインダクタ導体１８ｄの右端とを接続している。

ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｙを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｙのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２は、インダクタ導体１８ｄの左端とインダクタ導体１８ｅ〜１８ｇの左端とを接続している。

ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｘを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｘのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ３は、インダクタ導体１８ｅ〜１８ｇの右端とインダクタ導体１８ｈ〜１８ｊの右端とを接続している。

ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｘを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｘのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ４は、インダクタ導体１８ｈ〜１８ｊの左端とインダクタ導体１８ｋ〜１８ｍの左端とを接続している。

ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｕを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｕのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ５は、インダクタ導体１８ｋ〜１８ｍの右端とインダクタ導体１８ｎ〜１８ｐの右端とを接続している。

ここで、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの一部、インダクタ導体１８ｄ〜１８ｍ及びインダクタ導体１８ｎ〜１８ｐは、上側から平面視したときに、互いに重なり合っている。よって、インダクタＬ１は、前側から平面視したときに、実質的に同一平面上において、外周側から中心に向かって反時計回り方向に周回する渦巻状をなしている。

インダクタＬ３は、前後方向と平行な巻回軸を周回する渦巻状をなしており、積層体１２の後面近傍に設けられている。インダクタＬ３は、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉの対角線の交点を通過する上下方向に延在する線を中心軸としてインダクタＬ１を１８０°回転させたものと同じ構造を有している。また、インダクタＬ３は、インダクタ導体２６ａ〜２６ｐ及びビアホール導体ｖ１６〜ｖ２０により構成されている。

インダクタ導体２６ａ〜２６ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの前後方向の中央よりも後ろ側から後ろ側に向かって延在した後、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの後ろ側の短辺近傍において左側に向かって延在している導体である。インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの左端はそれぞれ、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの左後ろの角近傍に位置している。

インダクタ導体２６ｄ〜２６ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｋ〜１６ｍの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｋ〜１６ｍの後ろ側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体２６ｄ〜２６ｆの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの左端と重なっている。

インダクタ導体２６ｇ〜２６ｉはそれぞれ、絶縁体層１６ｗ〜１６ｙの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｗ〜１６ｙの後ろ側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体２６ｇ〜２６ｉの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｄ〜２６ｆの右端と重なっている。

インダクタ導体２６ｊ〜２６ｌはそれぞれ、絶縁体層１６ｈ〜１６ｊの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｈ〜１６ｊの後ろ側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体２６ｊ〜２６ｌの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｇ〜２６ｉの左端と重なっている。

インダクタ導体２６ｍはそれぞれ、絶縁体層１６ｚの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｚの後ろ側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体２６ｍの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｊ〜２６ｌの右端と重なっている。

インダクタ導体２６ｎ〜２６ｐはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの後ろ側の短辺の左端近傍から右側に向かってわずかに延在した後、後ろ側に向かって延在して絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの後ろ側の短辺の中央に引き出されている導体である。インダクタ導体２６ｎ〜２６ｐの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｍの左端と重なっている。

ビアホール導体ｖ１６は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｕを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１６は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｕのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１６は、インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの左端とインダクタ導体２６ｄ〜２６ｆの左端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１７は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｘを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１７は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｘのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１７は、インダクタ導体２６ｄ〜２６ｆの右端とインダクタ導体２６ｇ〜２６ｉの右端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１８は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｘを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１８は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｘのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１８は、インダクタ導体２６ｇ〜２６ｉの左端とインダクタ導体２６ｊ〜２６ｌの左端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１９は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｙを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１９は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｙのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１９は、インダクタ導体２６ｊ〜２６ｌの右端とインダクタ導体２６ｍの右端とを接続している。

ビアホール導体ｖ２０は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｙを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２０は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｙのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２０は、インダクタ導体２６ｍの左端とインダクタ導体２６ｎ〜２６ｐの左端とを接続している。

ここで、インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの一部、インダクタ導体２６ｄ〜２６ｍ及びインダクタ導体２６ｎ〜２６ｐは、上側から平面視したときに、互いに重なり合っている。よって、インダクタＬ３は、前側から平面視したときに、実質的に同一平面上において、中心から外周側に向かって反時計回り方向に周回する渦巻状をなしている。

インダクタＬ２は、前後方向と平行な巻回軸を周回する螺旋状をなしており、積層体１２の前後方向の中央付近に設けられている。すなわち、インダクタＬ２は、インダクタＬ１とインダクタＬ３との間に設けられている。これにより、インダクタＬ１〜Ｌ３は、前側から後ろ側へとこの順に並んでいる。なお、渦巻状をなしているインダクタＬ１，Ｌ３と螺旋状をなしているインダクタＬ２との構造上の大きな違いは、積層体１２に前後方向に所定の長さをもった状態で形成されているか否かである。

また、インダクタＬ２は、インダクタ導体２２ａ〜２２ｕ及びビアホール導体ｖ８〜ｖ１３により構成されている。インダクタ導体２２ａ〜２２ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの前後方向の中央よりも前側から後ろ側に向かってわずかに延在した後、右後ろ側に向かって延在している導体である。インダクタ導体２２ａ〜２２ｃの右端はそれぞれ、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの右側の長辺近傍に位置している。

インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの前後方向の中央よりもわずかに前側において左右方向に延在している。インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ａ〜２２ｃの右端と重なっている。

インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉはそれぞれ、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの前後方向の中央よりもわずかに前側において左右方向に延在している。ただし、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉは、右後ろ側に向かって延在するように左右方向に対してわずかに傾いている。インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆの左端と重なっている。

インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌはそれぞれ、絶縁体層１６ｅ〜１６ｇの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｅ〜１６ｇの前後方向の中央において左右方向に延在している。インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉの右端と重なっている。

インダクタ導体２２ｍ〜２２ｏはそれぞれ、絶縁体層１６ｎ〜１６ｐの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｎ〜１６ｐの前後方向の中央よりもわずかに後ろ側において左右方向に延在している。ただし、インダクタ導体２２ｍ〜２２ｏは、右後ろ側に向かって延在するように左右方向に対してわずかに傾いている。インダクタ導体２２ｍ〜２２ｏの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌの左端と重なっている。

インダクタ導体２２ｐ〜２２ｒはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの前後方向の中央よりもわずかに後ろ側において左右方向に延在している。インダクタ導体２２ｐ〜２２ｒの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｍ〜２２ｏの右端と重なっている。

インダクタ導体２２ｓ〜２２ｕはそれぞれ、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの前後方向の中央よりもわずかに後ろ側において絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの左側の長辺近傍から右後ろ側に向かって延在した後、後ろ側に向かってわずかに延在している導体である。インダクタ導体２２ｓ〜２２ｕの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｐ〜２２ｒの左端と重なっている。

以上のように、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆとインダクタ導体２２ｊ〜２２ｌとインダクタ導体２２ｐ〜２２ｒは、前側から後ろ側へと並び、かつ、互いに平行である。また、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉとインダクタ導体２２ｍ〜２２ｏとは、前側から後ろ側へと並び、かつ、互いに平行である。更に、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉ及びインダクタ導体２２ｍ〜２２ｏは、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆ、インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌ及びインダクタ導体２２ｐ〜２２ｒよりも下側に位置する絶縁体層に設けられている。

ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｕを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｕのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ８は、インダクタ導体２２ａ〜２２ｃの右端とインダクタ導体２２ｄ〜２２ｆの右端とを接続している。

ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｒを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｒのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ９は、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆの左端とインダクタ導体２２ｇ〜２２ｉの左端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｒを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｒのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１０は、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉの右端とインダクタ導体２２ｊ〜２２ｌの右端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｏを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｏのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１１は、インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌの左端とインダクタ導体２２ｍ〜２２ｏの左端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｏを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｏのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１２は、インダクタ導体２２ｍ〜２２ｏの右端とインダクタ導体２２ｐ〜２２ｒの左端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｕを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｕのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１３は、インダクタ導体２２ｐ〜２２ｒの左端とインダクタ導体２２ｓ〜２２ｕの右端とを接続している。

以上のようなインダクタＬ２は、前側から平面視したときに、時計回り方向に周回しながら後ろ側に向かって進行する螺旋状をなしている。

以上のようなインダクタＬ１〜Ｌ３は、前側から平面視したときに、互いに重なり合っている。そのため、インダクタＬ１〜Ｌ３は、互いに電磁気的に結合している。

コンデンサＣ１は、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂ，２８ａ，２８ｂにより構成されている。より詳細には、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｃｃ，１６ｅｅの表面に設けられており、絶縁体層１６ｃｃ，１６ｅｅの右半分かつ前半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。また、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｃｃ，１６ｅｅの前側の短辺の中央に引き出されている。コンデンサ導体２８ａ，２８ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ａａ，１６ｄｄの表面に設けられており、絶縁体層１６ａａ，１６ｄｄの右半分かつ前半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。コンデンサ導体２８ａ，２８ｂは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体２８ａは、絶縁体層１６ａａ，１６ｂｂを介してコンデンサ導体３０ａと対向し、コンデンサ導体２８ｂは、絶縁体層１６ｃｃを介してコンデンサ導体３０ａと対向すると共に、絶縁体層１６ｄｄを介してコンデンサ導体３０ｂと対向している。

コンデンサＣ２は、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ〜４０ｃにより構成されている。より詳細には、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｅｅ，１６ｇｇの表面に設けられており、絶縁体層１６ｅｅ，１６ｇｇの左半分かつ前半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。また、コンデンサ導体３８ａ，３８ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｅｅ，１６ｇｇの表面に設けられており、絶縁体層１６ｅｅ，１６ｇｇの左半分かつ後ろ半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。コンデンサ導体４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、絶縁体層１６ａａ，１６ｄｄ，１６ｆｆの表面に設けられており、絶縁体層１６ａａ，１６ｄｄ，１６ｆｆの左半分の領域において前後方向に延在する帯状をなす導体層である。コンデンサ導体４０ａ〜４０ｃは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂ，３８ａ，３８ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３２ａ，３８ａは、絶縁体層１６ｄｄを介してコンデンサ導体４０ｂと対向すると共に、絶縁体層１６ｅｅを介してコンデンサ導体４０ｃと対向し、コンデンサ導体３２ｂ，３８ｂは、絶縁体層１６ｆｆを介してコンデンサ導体４０ｃと対向している。

コンデンサＣ３は、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂ，３４ａ，３４ｂにより構成されている。より詳細には、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｃｃ，１６ｅｅの表面に設けられており、絶縁体層１６ｃｃ，１６ｅｅの右半分かつ後ろ半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。また、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｃｃ，１６ｅｅの後ろ側の短辺の中央に引き出されている。コンデンサ導体３４ａ，３４ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ａａ，１６ｄｄの表面に設けられており、絶縁体層１６ａａ，１６ｄｄの右半分かつ後ろ半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。コンデンサ導体３４ａ，３４ｂは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３４ａは、絶縁体層１６ａａ，１６ｂｂを介してコンデンサ導体３６ａと対向し、コンデンサ導体３４ｂは、絶縁体層１６ｃｃを介してコンデンサ導体３６ａと対向すると共に、絶縁体層１６ｄｄを介してコンデンサ導体３６ｂと対向している。

コンデンサＣ４は、コンデンサ導体３０ｂ及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、絶縁体層１６ｈｈの略全面を覆う長方形状の導体層であり、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３０ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３０ｂは、絶縁体層１６ｅｅ〜１６ｇｇを介してグランド導体４２と対向している。また、グランド導体４２は、左側の長辺の３箇所及び右側の長辺の３箇所に引き出されている。

コンデンサＣ５は、コンデンサ導体３２ｂ及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３２ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３２ｂは、絶縁体層１６ｆｆ，１６ｇｇを介してグランド導体４２と対向している。

コンデンサＣ６は、コンデンサ導体３８ｂ及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３８ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３８ｂは、絶縁体層１６ｇｇを介してグランド導体４２と対向している。

コンデンサＣ７は、コンデンサ導体３６ｂ及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３６ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３６ｂは、絶縁体層１６ｇｇを介してグランド導体４２と対向している。

ビアホール導体ｖ６，ｖ７，ｖ２１及び接続導体２０ａ，２０ｂは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２との間とコンデンサＣ５とを接続する接続部を構成している。より詳細には、接続導体２０ａ，２０ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの表面に設けられ、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの前半分の領域において前後方向に延在している線状の導体層である。接続導体２０ａ，２０ｂの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｎ〜１８ｐの後端と重なっている。接続導体２０ａ，２０ｂの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ａ〜２２ｃの左端と重なっている。

ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｔ〜１６ａａを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｔ〜１６ａａのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ６は、インダクタ導体１８ｎ〜１８ｐの後端と接続導体２０ａ，２０ｂの前端とを接続している。

ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｔ〜１６ａａを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｔ〜１６ａａのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ７は、インダクタ導体２２ａ〜２２ｃの左端と接続導体２０ａ，２０ｂの後端とを接続している。よって、ビアホール導体ｖ６，ｖ７及び接続導体２０ａ，２０ｂは、インダクタＬ１とインダクタＬ２とを接続している。

ビアホール導体ｖ２１は、絶縁体層１６ｚ〜１６ｆｆを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２１は、絶縁体層１６ｚ〜１６ｆｆのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２１は、接続導体２０ａ，２０ｂの前後方向の中央とコンデンサ導体２８ａ，２８ｂ，３２ａ，３２ｂとを接続している。よって、ビアホール導体ｖ２１は、接続導体２０ａ，２０ｂとコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ５とを接続している。

ビアホール導体ｖ１４，ｖ１５，ｖ２２及び接続導体２４ａ，２４ｂは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２とＬＣ並列共振器ＬＣ３との間とコンデンサＣ６とを接続する接続部を構成している。より詳細には、接続導体２４ａ，２４ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの表面に設けられ、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの後ろ半分の領域において前後方向に延在している線状の導体層である。接続導体２４ａ，２４ｂの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｓ〜２２ｕの右端と重なっている。接続導体２４ａ，２４ｂの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの前端と重なっている。

ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｔ〜１６ａａを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｔ〜１６ａａのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１４は、インダクタ導体２２ｓ〜２２ｕの右端と接続導体２４ａ，２４ｂの前端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１６ｔ〜１６ａａを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１６ｔ〜１６ａａのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１５は、インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの前端と接続導体２４ａ，２４ｂの後端とを接続している。よって、ビアホール導体ｖ１４，ｖ１５及び接続導体２４ａ，２４ｂは、インダクタＬ２とインダクタＬ３とを接続している。

ビアホール導体ｖ２２は、絶縁体層１６ｚ〜１６ｆｆを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２２は、絶縁体層１６ｚ〜１６ｆｆのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２２は、接続導体２４ａ，２４ｂの前後方向の中央とコンデンサ導体３４ａ，３４ｂ，３８ａ，３８ｂとを接続している。よって、ビアホール導体ｖ２２は、接続導体２４ａ，２４ｂとコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ６とを接続している。

外部端子１４ａは、図１Ｂに示すように、積層体１２の前面において上下方向に延在するように設けられている。これにより、外部端子１４ａは、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃ及びコンデンサ導体３０ａ，３０ｂと接続されている。すなわち、外部端子１４ａは、インダクタＬ１及びコンデンサＣ１，Ｃ４と接続されている。

外部端子１４ｂは、図１Ｂに示すように、積層体１２の後面において上下方向に延在するように設けられている。これにより、外部端子１４ｂは、インダクタ導体２６ｎ〜２６ｐ及びコンデンサ導体３６ａ，３６ｂと接続されている。すなわち、外部端子１４ｂは、インダクタＬ３及びコンデンサＣ３，Ｃ７と接続されている。

外部端子１４ｃ〜１４ｅは、図１Ｂに示すように、積層体１２の左面において前側から後ろ側へとこの順に並ぶように設けられている。また、外部端子１４ｃ〜１４ｅは、上下方向に延在している。これにより、外部端子１４ｃ〜１４ｅは、グランド導体４２と接続されている。すなわち、外部端子１４ｃ〜１４ｅは、コンデンサＣ４〜Ｃ７と接続されている。

外部端子１４ｆ〜１４ｈは、図１Ｂに示すように、積層体１２の右面において前側から後ろ側へとこの順に並ぶように設けられている。また、外部端子１４ｆ〜１４ｈは、上下方向に延在している。これにより、外部端子１４ｆ〜１４ｈは、グランド導体４２と接続されている。すなわち、外部端子１４ｆ〜１４ｈは、コンデンサＣ４〜Ｃ７と接続されている。

（電子部品の製造方法）
次に、電子部品１０の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。

まず、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。次に、絶縁体層１６ｂ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｆｆとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｖ１〜ｖ２２を形成する。具体的には、絶縁体層１６ｂ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｆｆとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。

次に、絶縁体層１６ｂ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｈｈとなるべきセラミックグリーンシートの表面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、インダクタ導体１８ａ〜１８ｐ，２２ａ〜２２ｕ，２６ａ〜２６ｐ、接続導体２０ａ，２０ｂ，２４ａ，２４ｂ、コンデンサ導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂ，３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ〜４０ｃ及びグランド導体４２を形成する。なお、インダクタ導体１８ａ〜１８ｐ，２２ａ〜２２ｕ，２６ａ〜２６ｐ、接続導体２０ａ，２０ｂ，２４ａ，２４ｂ、コンデンサ導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂ，３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ〜４０ｃ及びグランド導体４２の形成の際に、ビアホールに対する導電性ペーストの充填を行ってもよい。

次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉとなるべきセラミックグリーンシートを１枚ずつ積層及び圧着する。以上の工程により、マザー積層体が形成される。このマザー積層体に静水圧プレスなどにより本圧着を施す。

次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２にカットする。

以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２にバレル加工を施して、面取りを行う。この未焼成の積層体１２に脱バインダー処理及び焼成を施す。

最後に、積層体１２の表面にＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストを塗布して、外部端子１４ａ〜１４ｈの下地電極を形成する。そして、下地電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部端子１４ａ〜１４ｈを形成する。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。なお、積層体１２にカットした後バレル加工を行い、その次に導電性ペーストによる外部端子を形成した後、焼成をしても構わない。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０によれば、挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、電子部品１０では、インダクタＬ２を螺旋状のインダクタとしている。螺旋状のインダクタの空芯径は渦巻状のインダクタの空芯径よりも大きいので、インダクタＬ２のＱ値を高くすることができる。また、螺旋状のインダクタＬ２のインダクタンス値は渦巻状のインダクタのインダクタンス値よりも大きい。これにより、電子部品１０の挿入損失の低減が図られる。

また、電子部品１０によれば、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、インダクタＬ１〜Ｌ３は、前側から後ろ側へとこの順に並んでいる。更に、インダクタＬ１とインダクタＬ３とは、前後方向に延在する巻回軸を周回する渦巻状をなしている。渦巻状をなすインダクタＬ１，Ｌ３の前後方向の長さは、螺旋状をなすインダクタの前後方向の長さに比べて短い。よって、インダクタＬ１，Ｌ３が螺旋状をなしている場合に比べて、インダクタＬ１，Ｌ３が渦巻状をなしている場合の方が、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間の距離、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との間の距離が大きくなる。よって、インダクタＬ１とインダクタＬ２との電磁気結合、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気結合が弱くなる。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との間において高周波信号が伝送されにくくなり、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。

ここで、電子部品１０において、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数をＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３の共振周波数よりも低くすることが好ましい。これにより、電子部品１０がローパスフィルタとして用いられた場合に、通過帯域の上限において、通過特性が急峻に立ち下がるようになる。図３は、電子部品１０の通過特性を示したグラフである。縦軸は通過特性を示し、横軸は周波数を示している。

より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数をＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３の共振周波数よりも低くした場合、ＬＣ並列共振器ＬＣ２により減衰極Ｐ２が形成され、ＬＣ並列共振器ＬＣ１により減衰極Ｐ１が形成され、ＬＣ並列共振器ＬＣ３により減衰極Ｐ３が形成される。減衰極Ｐ２の周波数は、減衰極Ｐ１，Ｐ３の周波数よりも低く、通過帯域の上限近傍に位置している。このような電子部品１０において、減衰極Ｐ２を形成しているＬＣ並列共振器ＬＣ２のインダクタＬ２を高いＱ値を有する螺旋状のインダクタにより構成すれば、減衰極Ｐ２近傍における挿入損失が低減される。その結果、図３のＡ部分に示すように、通過帯域の上限において、通過特性が急峻に立ち下がるようになる。

また、電子部品１０では、インダクタＬ１〜Ｌ３の低抵抗化が図られている。以下に、インダクタＬ１を例に挙げて説明する。インダクタＬ１では、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃが並列接続され、インダクタ導体１８ｅ〜１８ｇが並列接続され、インダクタ導体１８ｋ〜１８ｍが並列接続され、インダクタ導体１８ｎ〜１８ｐが並列接続されている。これにより、インダクタＬ１の低抵抗化が図られている。なお、インダクタＬ２，Ｌ３も同じ理由により低抵抗化が図られている。

また、電子部品１０では、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆ，２２ｐ〜２２ｒが絶縁体層１６ｂ〜１６ｄに設けられ、インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌが絶縁体層１６ｅ〜１６ｇに設けられている。すなわち、インダクタＬ２において、相対的に上側に設けられているインダクタ導体２２ｄ〜２２ｆ，２２ｊ〜２２ｌ，２２ｐ〜２２ｒが、異なる層に分散して設けられている。このように、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆ，２２ｊ〜２２ｌ，２２ｐ〜２２ｒの上下方向の位置を変化させることにより、インダクタＬ２の空芯径を調整することができ、インダクタＬ２のインダクタンス値を調整することができる。同じ理由で、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉが絶縁体層１６ｑ〜１６ｓに設けられ、インダクタ導体２２ｍ〜２２ｏが絶縁体層１６ｎ〜１６ｐに設けられている。

また、電子部品１０では、インダクタＬ１〜Ｌ３に電流が流れた場合に、インダクタＬ１，Ｌ３における電流の周回方向と、インダクタＬ２における電流の周回方向とは、逆向きである。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ２との電磁気結合を弱くすることができ、インダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気結合を弱くすることができる。

また、電子部品１０では、コンデンサＣ４〜Ｃ７が設けられている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３を通過する高周波信号の内、通過帯域よりも高い周波数を有する高周波信号がコンデンサＣ４〜Ｃ７を介してグランドへと流れるようになる。これにより、電子部品１０のローパスフィルタとしての機能をより向上させることができる。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、電子部品１０に限らずその要旨の範囲内において変更可能である。

なお、ＬＣ並列共振器の数は、３つに限らない。ＬＣ並列共振器の数は、４以上であってもよい。ｎ個のＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣｎが設けられた場合には、前後方向の両端に位置するＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣｎのインダクタＬ１，Ｌｎは、渦巻状をなす。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ２〜ＬＣｎ−１の内の少なくとも１つのインダクタは、螺旋状をなしている。なお、この場合には、外部端子１４ａ，１４ｂの近傍に設けられているＬＣ並列共振器ＬＣ１及びＬＣ並列共振器ＬＣｎの共振周波数は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２ないしＬＣ共振周波数ＬＣｎ−１の共振周波数よりも低いことが好ましい。

加えて、ＬＣ２〜ＬＣｎ−１の内の少なくとも１つのインダクタのコイル径が途中で変化しても良い。コイル径を変化させることで、適切なインダクタンス値を得られるように調整することができる。

なお、インダクタＬ１〜Ｌ３の巻回軸は、前後方向に平行であるとしたが、前後方向に対してわずかにずれていてもよい。すなわち、インダクタＬ１〜Ｌ３の巻回軸は、前後方向に沿っていればよい。

なお、インダクタＬ１〜Ｌ３に電流が流れた場合に、インダクタＬ１における電流の周回方向とＬ３における電流の周回方向とが逆向きであってもよい。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ３との電磁気結合を弱くすることができる。

また、インダクタＬ１〜Ｌ３に電流が流れた場合に、インダクタＬ１，Ｌ３における電流の周回方向と、インダクタＬ２における電流の周回方向とは、同じ向きであってもよい。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ２との電磁気結合、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気結合を調整することができる。

本発明は、電子部品に有用であり、特に、挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる点において優れている。

Ｃ１〜Ｃ７ コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ３ インダクタ
ＬＣ１〜ＬＣ３ ＬＣ並列共振器
ｖ１〜ｖ２２ ビアホール導体
１０ 電子部品
１２ 積層体
１４ａ〜１４ｈ 外部端子
１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉ 絶縁体層
１８ａ〜１８ｐ，２２ａ〜２２ｕ，２６ａ〜２６ｐ インダクタ導体
２０ａ，２０ｂ，２４ａ，２４ｂ 接続導体
２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂ，３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ〜４０ｃ コンデンサ導体
４２ グランド導体

Claims (10)

1. 素子本体と、
   直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎ（ｎは、３以上の整数）のＬＣ並列共振器と、
   を備えており、
   前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎのＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ、及び、第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、
   前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、
   前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回する渦巻状をなしており、
   前記第２のインダクタないし前記第ｎ−１のインダクタの内の少なくとも１つのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回する螺旋状をなしていること、
   を特徴とする電子部品。
2. ｎは３であること、
   を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第２のＬＣ並列共振器の共振周波数は、前記第１のＬＣ並列共振器の共振周波数及び前記第３のＬＣ並列共振器の共振周波数よりも低いこと、
   を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
4. 前記電子部品は、
   前記素子本体に表面に設けられ、前記第１のＬＣ並列共振器に接続されている入力端子と、
   前記素子本体に表面に設けられ、前記第３のＬＣ並列共振器に接続されている出力端子と、
   前記素子本体の表面に設けられている接地端子と、
   前記入力端子と前記第１のＬＣ並列共振器との接続点と前記接地端子との間、該第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、該第２のＬＣ並列共振器と前記第３のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、又は、該第３のＬＣ並列共振器と前記出力端子との接続点と該接地端子との間に接続されているコンデンサと、
   を更に備えていること、
   を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の電子部品。
5. 前記素子本体は、複数の絶縁体層が前記第１の方向に対して直交する第２の方向に積層されて構成されており、
   前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第３のＬＣ並列共振器は、前記絶縁体層上に設けられている内部導体及び前記絶縁体層を前記第２の方向に貫通する層間接続導体により構成されていること、
   を特徴とする請求項４に記載の電子部品。
6. 前記第１のインダクタないし前記第３のインダクタは、複数の内部導体が並列に接続されることにより構成されていること、
   を特徴とする請求項５に記載の電子部品。
7. 前記第２のインダクタは、前記絶縁体層上に設けられ、かつ、前記第１の方向に並ぶ互いに平行な複数の第１のインダクタ導体と、該第１のインダクタ導体よりも前記第２の方向の一方側に位置する前記絶縁体層上に設けられ、かつ、該第１の方向に並ぶ互いに平行な複数の第２のインダクタ導体であって、該第２の方向から平面視したときに、該第１の方向の一方側に位置する前記第１のインダクタ導体の一方の端部と一方の端部において重なり、該第１の方向の他方側に位置する前記第１のインダクタ導体の他方の端部と他方の端部において重なる第２のインダクタ導体と、前記第１のインダクタ導体の一方の端部と前記第２のインダクタ導体の一方の端部とを接続する複数の第４の層間接続導体と、前記第１のインダクタ導体の他方の端部と前記第２のインダクタ導体の他方の端部とを接続する複数の第５の層間接続導体と、により構成されており、
   前記複数の第１のインダクタ導体は、複数の前記絶縁体層に分散して設けられていること、
   を特徴とする請求項５又は請求項６のいずれかに記載の電子部品。
8. 前記第１のインダクタないし前記第３のインダクタに電流が流れた場合に、該第１のインダクタ及び該第３のインダクタにおける電流の周回方向と、該第２のインダクタにおける電流の周回方向とは、逆向きであること、
   を特徴とする請求項２ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
9. ｎは４以上であること、
   を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
10. 前記第２のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎ−１の共振周波数は、前記第１のＬＣ並列共振器及び前記第ｎの共振周波数よりも低いこと、
    を特徴とする請求項１又は請求項９のいずれかに記載の電子部品。
    

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