CN105684306A - 电子元器件 - Google Patents

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Abstract

提供一种能力图降低插入损耗并同时在通带以外的频带获得充分的衰减量的电子元器件。该电子元器件具备：元件主体；以及串联的第一LC并联谐振器至第nLC并联谐振器，第一LC并联谐振器至第nLC并联谐振器分别包含第一电感器至第n电感器、及第一电容器至第n电容器，第一电感器至第n电感器以在第1方向依次排列的方式设置于元件主体，第一电感器及第n电感器呈环绕于沿着与第1方向正交的第2方向的卷绕轴的漩涡状或螺旋状，第二电感器至第n-1电感器中的至少一个电感器呈环绕于沿着第1方向的卷绕轴的螺旋状。

Description

电子元器件
技术领域
本发明涉及电子元器件，更具体而言，涉及具备3个以上的LC并联谐振器的电子元器件。
背景技术
作为现有电子元器件的相关发明，已知有例如专利文献1记载的三维螺旋电感器。该三维螺旋电感器是设在层叠体内且在与层叠方向正交的方向上延伸的卷绕轴的周围环绕的螺旋状的线圈。该类三维螺旋电感器用于例如低通滤波器。
使用三维螺旋电感器的低通滤波器构成为例如与由三维螺旋电感器及电容器所构成的多个LC并联谐振器串联。三维螺旋电感器呈螺旋状，因此相较于漩涡状的电感器，具有较大的空芯直径。因而，三维螺旋电感器相较于漩涡状的电感器而可获得较高Q值。因此，可谋求降低低通滤波器的插入损耗。
然而，在低通滤波器中，三维螺旋电感器配置成以彼此的卷绕轴大致一致的方式排列成一列。因此，若三维螺旋电感器彼此过于接近，则三维螺旋电感器彼此的电磁耦合会变强。因此，在低通滤波器中，高频信号容易在三维螺旋电感器间传送。其结果是，在低通滤波器的通带以外的频带无法获得充分的衰减量。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2006-190934号公报(图16a)
发明内容
发明所要解决的问题
因此，本发明的目的在于提供一种可谋求降低插入损耗并同时在通带以外的频带获得充分的衰减量的电子元器件。
解决技术问题的技术方案
本发明的一实施方式的电子元器件的特征在于，具备：元件主体；以及串联的第一LC并联谐振器至第n(n为3以上的整数)LC并联谐振器，其特征在于，上述第一LC并联谐振器至该第nLC并联谐振器分别包含第一电感器至第n电感器及第一电容器至第n电容器，上述第一电感器至该第n电感器以在第1方向依序排列的方式设于上述元件主体，上述第一电感器及该第n电感器呈环绕于沿着上述第1方向的卷绕轴的漩涡状；该第二电感器至该第n-1电感器中的至少一个电感器呈环绕于沿着该第1方向的卷绕轴的螺旋状。
根据本发明，可谋求降低插入损耗并同时在通带以外的频带获得充分的衰减量。
附图说明
图1A是本申请发明的电子元器件10的等效电路图。
图1B是图1A的电子元器件10的外观立体图。
图2A是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。
图2B是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。
图2C是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。
图2D是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。
图3是显示电子元器件10的通过特性的曲线图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式的电子元器件。
(电子元器件的构成)
以下，参照附图说明本发明一实施方式的滤波器的结果。图1A是本发明的电子元器件10的等效电路图。图1B是图1A的电子元器件10的外观立体图。图2A至图2D是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。以下，上下方向表示绝缘体层16的层叠方向。此外，从上侧俯视时，将沿着电子元器件10的长边的方向定义成前后方向，将沿着电子元器件10的短边的方向定义成左右方向。上下方向、前后方向及左右方向彼此正交。
电子元器件10的等效电路，如图1A所示，具备LC并联谐振器LC1～LC3、电容器C4～C7及外部端子14a～14h。LC并联谐振器LC1包含电感器L1及电容器C1。LC并联谐振器LC2包含电感器L2及电容器C2。LC并联谐振器LC3包含电感器L3及电容器C3。此外，对于LC并联谐振器LC1～LC3，其依次串联连接在外部端子14a与外部端子14b之间。此外，LC并联谐振器LC2的谐振频率比LC并联谐振器LC1的谐振频率及LC并联谐振器LC3的谐振频率要低。
电容器C4连接在外部端子14a和LC并联谐振器LC1的连接点、与外部端子14c～14h之间。电容器C5连接在LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC2的连接点、与外部端子14c～14h之间。电容器C6连接在LC并联谐振器LC2和LC并联谐振器LC3的连接点、与外部端子14c～14h之间。电容器C7连接在LC并联谐振器LC3和外部端子14b的连接点、与外部端子14c～14h之间。
上述电子元器件10用作为低通滤波器。外部端子14a及外部端子14b用作为输出入端子，外部端子14c～14h用作为接地端子。
电子元器件10如图1B及图2A至图2D所示那样，具备层叠体12，外部端子14a～14h，电感器导体18a～18p、22a～22u、26a～26p，连接导体20a、20b、24a、24b，电容器导体28a、28b、30a、30b、32a、32b、34a、34b、36a、36b、38a、38b、40a～40c，接地导体42，及通孔导体v1～v22。
层叠体12如图1B及图2A至图2D所示那样，是将绝缘体层16a～16z、16aa～16ii在上下方向层叠而构成，呈长方体状。此外，层叠体12内设有LC并联谐振器LC1～LC3及电容器C4～C7。
绝缘体层16a～16z、16aa～16ii如图2A至图2D所示那样，呈长方形，由例如与各导体同时烧成的陶瓷介电质构成。绝缘体层16a～16z、16aa～16ii以从上侧往下侧依次排列的方式进行层叠。以下，将绝缘体层16a～16z、16aa～16ii上侧的面称为表面，将绝缘体层16a～16z、16aa～16ii下侧的面称为背面。此外，作为绝缘体层16a～16z、16aa～16ii，也可使用树脂层。
电感器L1呈环绕于与前后方向相平行的卷绕轴的漩涡状，设在层叠体12的前表面附近。此外，电感器L1由电感器导体18a～18p及通孔导体v1～v5构成。电感器导体18a～18c分别是设在绝缘体层16b～16d表面的线状导体层，是从绝缘体层16b～16d前侧短边的中央起朝向后侧稍微延伸后、朝向右侧延伸的导体。电感器导体18a～18c的右端分别位于绝缘体层16b～16d右前方的角附近。
电感器导体18d分别是设在绝缘体层16z表面的线状导体层，沿着绝缘体层16z前侧发热短边延伸。从上侧俯视时，电感器导体18d的右端与电感器导体18a～18c的右端相重叠。
电感器导体18e～18g分别是设在绝缘体层16h～16j表面的线状导体层，沿着绝缘体层16h～16j前侧的短边延伸。从上侧俯视时，电感器导体18e～18g的左端与电感器导体18d的左端重叠。
电感器导体18h～18j分别是设在绝缘体层16w～16y表面的线状导体层，沿着绝缘体层16w～16y前侧的短边延伸。从上侧俯视时，电感器导体18h～18j的右端与电感器导体18e～18g的右端重叠。
电感器导体18k～18m分别是设在绝缘体层16k～16m表面的线状导体层，沿着绝缘体层16k～16m前侧的短边延伸。从上侧俯视时，电感器导体18k～18m的左端与电感器导体18h～18j的左端重叠。
电感器导体18n～18p分别是设在绝缘体层16t～16v表面的线状导体层，是从绝缘体层16t～16v前侧的短边的右端附近朝向左侧稍微延伸后、朝向后侧延伸的导体。从上侧俯视时，电感器导体18n～18p的右端与电感器导体18k～18m的右端重叠。
通孔导体v1是沿上下方向贯通绝缘体层16b～16y的层间连接导体。此外，通孔导体v1是由分别贯通绝缘体层16b～16y的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v1将电感器导体18a～18c的右端与电感器导体18d的右端相连接。
通孔导体v2是沿上下方向贯通绝缘体层16h～16y的层间连接导体。此外，通孔导体v2是由分别贯通绝缘体层16h～16y的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v2将电感器导体18d的左端与电感器导体18e～18g的左端加以连接。
通孔导体v3是沿上下方向贯通绝缘体层16h～16x的层间连接导体。此外，通孔导体v3是由分别贯通绝缘体层16h～16x的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v3将电感器导体18e～18g的右端与电感器导体18h～18j的右端加以连接。
通孔导体v4是沿上下方向贯通绝缘体层16k～16x的层间连接导体。此外，通孔导体v4是由分别贯通绝缘体层16k～16x的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v4将电感器导体18h～18j的左端与电感器导体18k～18m的左端加以连接。
通孔导体v5是沿上下方向贯通绝缘体层16k～16u的层间连接导体。此外，通孔导体v5是由分别贯通绝缘体层16k～16u的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v5将电感器导体18k～18m的右端与电感器导体18n～18p的右端加以连接。
此处，从上侧俯视时，电感器导体18a～18c的一部分、电感器导体18d～18m及电感器导体18n～18p彼此重叠。因此，从前侧俯视时，电感器L1实质上在同一平面上呈从外周侧朝向中心沿逆时针方向环绕的漩涡状。
电感器L3呈环绕于与前后方向平行的卷绕轴的漩涡状，设在层叠体12的后表面附近。电感器L3具有与以下结构相同的结构：即，以在通过绝缘体层16a～16z、16aa～16ii的对角线的交差点的上下方向上延伸的线为中心轴，使电感器L1旋转180°。此外，电感器L3由电感器导体26a～26p及通孔导体v16～v20构成。
电感器导体26a～26c分别是设在绝缘体层16t～16v表面的线状导体层，是从绝缘体层16t～16v在前后方向上相比中央更靠近后侧的位置起朝向后侧进行延伸后、在绝缘体层16t～16v的后侧的短边附近朝向左侧进行延伸的导体。电感器导体26a～26c的左端分别位于绝缘体层16t～16v的左后方的角附近。
电感器导体26d～26f分别是设在绝缘体层16k～16m表面的线状导体层，沿着绝缘体层16k～16m后侧的短边延伸。从上侧俯视时，电感器导体26d～26f的左端与电感器导体26a～26c的左端重叠。
电感器导体26g～26i分别是设在绝缘体层16w～16y表面的线状导体层，沿着绝缘体层16w～16y后侧的短边延伸。从上侧俯视时，电感器导体26g～26i的右端与电感器导体26d～26f的右端重叠。
电感器导体26j～26l分别是设在绝缘体层16h～16j表面的线状导体层，沿着绝缘体层16h～16j后侧的短边延伸。从上侧俯视时，电感器导体26j～26l的左端与电感器导体26g～26i的左端重叠。
电感器导体26m分别是设在绝缘体层16z表面的线状导体层，沿着绝缘体层16z后侧的短边延伸。从上侧俯视时，电感器导体26m的右端与电感器导体26j～26l的右端重叠。
电感器导体26n～26p分别是设在绝缘体层16b～16d表面的线状导体层，是从绝缘体层16b～16d后侧的短边的左端附近朝向右侧稍微延伸后、朝向后侧延伸并引出至绝缘体层16b～16d后侧的短边的中央的导体。从上侧俯视时，电感器导体26n～26p的左端与电感器导体26m的左端重叠。
通孔导体v16是在上下方向上贯通绝缘体层16k～16u的层间连接导体。此外，通孔导体v16是由分别贯通绝缘体层16k～16u的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v16将电感器导体26a～26c的左端与电感器导体26d～26f的左端加以连接。
通孔导体v17是在上下方向上贯通绝缘体层16k～16x的层间连接导体。此外，通孔导体v17是由分别贯通绝缘体层16k～16x的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v17将电感器导体26d～26f的右端与电感器导体26g～26i的右端加以连接。
通孔导体v18是在上下方向上贯通绝缘体层16h～16x的层间连接导体。此外，通孔导体v18是由分别贯通绝缘体层16h～16x的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v18将电感器导体26g～26i的左端与电感器导体26j～26l的左端加以连接。
通孔导体v19是在上下方向上贯通绝缘体层16h～16y的层间连接导体。此外，通孔导体v19是由分别贯通绝缘体层16h～16y的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v19将电感器导体26j～26l的右端与电感器导体26m的右端加以连接。
通孔导体v20是在上下方向上贯通绝缘体层16b～16y的层间连接导体。此外，通孔导体v20是由分别贯通绝缘体层16b～16y的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v20将电感器导体26m的左端与电感器导体26n～26p的左端加以连接。
此处，从上侧俯视时，电感器导体26a～26c的一部分、电感器导体26d～26m及电感器导体26n～26p彼此重叠。因此，从前侧俯视时，电感器L3实质上在同一平面上呈从中心朝向外周侧沿逆时针方向环绕的漩涡状。
电感器L2呈环绕于与前后方向相平行的卷绕轴的螺旋状，设在层叠体12的前后方向上的中央附近。即，电感器L2设在电感器L1与电感器L3之间。由此，电感器L1～L3从前侧往后侧依次排列。此外，呈漩涡状的电感器L1、L3与呈螺旋状的电感器L2在结构上的较大差异在于，是否以在前后方向上具有规定长度的状态来形成于层叠体12。
此外，电感器L2由电感器导体22a～22u及通孔导体v8～v13构成。电感器导体22a～22c分别是设在绝缘体层16t～16v表面的线状导体层，是从绝缘体层16t～16v在前后方向上相比中央更靠近前侧的位置起朝向后侧稍微进行延伸后、朝向右侧延伸的导体。电感器导体22a～22c的右端分别位于绝缘体层16t～16v右侧的长边附近。
电感器导体22a～22f分别是设在绝缘体层16b～16d表面的线状导体层，在绝缘体层16b～16d的前后方向上相比中央稍微靠前侧的位置上朝左右方向进行延伸。从上侧俯视时，电感器导体22a～22f的右端与电感器导体22a～22c的右端重叠。
电感器导体22g～22i分别是设在绝缘体层16q～16s表面的线状导体层，在绝缘体层16q～16s的前后方向上相比中央稍微靠近前侧的位置上朝左右方向进行延伸。其中，电感器导体22g～22i相对于左右方向稍微倾斜，以使得朝向右后侧进行延伸。从上侧俯视时，电感器导体22g～22i的左端与电感器导体22d～22f的左端重叠。
电感器导体22j～22l分别是设在绝缘体层16e～16g表面的线状导体层，在绝缘体层16e～16g的前后方向上的中央位置上朝左右方向进行延伸。从上侧俯视时，电感器导体22j～22l的右端与电感器导体22g～22i的右端重叠。
电感器导体22m～22o分别是设在绝缘体层16n～16p表面的线状导体层，在绝缘体层16n～16p的前后方向上相比中央稍微靠近后侧的位置上朝左右方向进行延伸。其中，电感器导体22m～22o相对于左右方向稍微倾斜，以使得朝向右后侧进行延伸。从上侧俯视时，电感器导体22m～22o的左端与电感器导体22j～22l的左端重叠。
电感器导体22p～22r分别是设在绝缘体层16b～16d表面的线状导体层，在绝缘体层16b～16d的前后方向上相比中央稍微靠近后侧的位置上朝左右方向进行延伸。从上侧俯视时，电感器导体22p～22r的右端与电感器导体22m～22o的右端重叠。
电感器导体22s～22u分别是设在绝缘体层16t～16v表面的线状导体层，是在绝缘体层16t～16v的前后方向上相比中央稍微靠近后侧的位置上从绝缘体层16t～16v的左侧长边附近朝向右后侧进行延伸后、朝向后侧稍微进行延伸的导体。从上侧俯视时，电感器导体22s～22u的左端与电感器导体22p～22r的左端重叠。
如上述，电感器导体22d～22f与电感器导体22j～22l与电感器导体22p～22r从前侧往后侧排列且彼此平行。此外，电感器导体22g～22i与电感器导体22m～22o从前侧往后侧排列且彼此平行。再者，电感器导体22g～22i及电感器导体22m～22o设在位于电感器导体22d～22f、电感器导体22j～22l及电感器导体22p～22r下侧的绝缘体层。
通孔导体v8是在上下方向上贯通绝缘体层16b～16u的层间连接导体。此外，通孔导体v8是由分别贯通绝缘体层16b～16u的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v8将电感器导体22a～22c的右端与电感器导体22d～22f的右端加以连接。
通孔导体v9是在上下方向上贯通绝缘体层16b～16r的层间连接导体。此外，通孔导体v9是由分别贯通绝缘体层16b～16r的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v9将电感器导体22d～22f的左端与电感器导体22g～22i的左端加以连接。
通孔导体v10是在上下方向上贯通绝缘体层16e～16r的层间连接导体。此外，通孔导体v10是由分别贯通绝缘体层16e～16r的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v10将电感器导体22g～22i的右端与电感器导体22j～22l的右端加以连接。
通孔导体v11是在上下方向上贯通绝缘体层16e～16o的层间连接导体。此外，通孔导体v11是由分别贯通绝缘体层16e～16o的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v11将电感器导体22j～22l的左端与电感器导体22m～22o的左端加以连接。
通孔导体v12是在上下方向上贯通绝缘体层16b～16o的层间连接导体。此外，通孔导体v12是由分别贯通绝缘体层16b～16o的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v12将电感器导体22m～22o的右端与电感器导体22p～22r的左端加以连接。
通孔导体v13是在上下方向上贯通绝缘体层16b～16u的层间连接导体。此外，通孔导体v13是由分别贯通绝缘体层16b～16u的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v13将电感器导体22p～22r的左端与电感器导体22s～22u的右端加以连接。
从前侧俯视时，上述电感器L2呈一边往顺时针方向环绕一边朝向后侧行进的螺旋状。
从前侧俯视时，上述电感器L1～L3彼此重叠。因此，电感器L1～L3彼此电磁耦合。
电容器C1由电容器导体30a、30b、28a、28b构成。更详细而言，电容器导体30a、30b分别设在绝缘体层16cc、16ee的表面，是设在绝缘体层16cc、16ee的右半部分且前半部分的区域的长方形导体层。此外，电容器导体30a、30b分别引出至绝缘体层16cc、16ee前侧的短边的中央。电容器导体28a、28b分别设在绝缘体层16aa、16dd的表面，是设在绝缘体层16aa、16dd的右半部分且前半部分的区域的长方形导体层。从上侧俯视时，电容器导体28a、28b与电容器导体30a、30b重叠。由此，电容器导体28a隔着绝缘体层16aa、16bb与电容器导体30a相对，电容器导体28b隔着绝缘体层16cc与电容器导体30a相对，且隔着绝缘体层16dd与电容器导体30b相对。
电容器C2由电容器导体32a、32b、38a、38b、40a～40c构成。更详细而言，电容器导体32a、32b分别设在绝缘体层16ee、16gg的表面，是设在绝缘体层16ee、16gg的左半部分且前半部分的区域的长方形导体层。此外，电容器导体38a、38b分别设在绝缘体层16ee、16gg的表面，是设在绝缘体层16ee、16gg的左半部分且后半部分的区域的长方形导体层。电容器导体40a、40b、40c设在绝缘体层16aa、16dd、16ff的表面，是在绝缘体层16aa、16dd、16ff的左半部分的区域中朝前后方向进行延伸的呈带状的导体层。从上侧俯视时，电容器导体40a～40c与电容器导体32a、32b、38a、38b重叠。由此，电容器导体32a、38a隔着绝缘体层16dd与电容器导体40b相对，且隔着绝缘体层16ee与电容器导体40c相对，电容器导体32b、38b隔着绝缘体层16ff与电容器导体40c相对。
电容器C3由电容器导体36a、36b、34a、34b构成。更详细而言，电容器导体36a、36b分别设在绝缘体层16cc、16ee的表面，是设在绝缘体层16cc、16ee的右半部分且后半部分的区域的长方形导体层。此外，电容器导体36a、36b分别引出至绝缘体层16cc、16ee后侧的短边的中央。电容器导体34a、34b分别设在绝缘体层16aa、16dd的表面，是设在绝缘体层16aa、16dd的右半部分且后半部分的区域的长方形导体层。从上侧俯视时，电容器导体34a、34b与电容器导体36a、36b重叠。由此，电容器导体34a隔着绝缘体层16aa、16bb与电容器导体36a相对，电容器导体34b隔着绝缘体层16cc与电容器导体36a相对，且隔着绝缘体层16dd与电容器导体36b相对。
电容器C4由电容器导体30b及接地导体42构成。更详细而言，接地导体42是覆盖绝缘体层16hh的大致整个面的长方形导体层，从上侧俯视时，与电容器导体30b重叠。由此，电容器导体30b隔着绝缘体层16ee～16gg与接地导体42相对。此外，接地导体42引出至左侧长边的三处及右侧长边的三处。
电容器C5由电容器导体32b及接地导体42构成。更详细而言，从上侧俯视时，接地导体42与电容器导体32b重叠。由此，电容器导体32b隔着绝缘体层16ff、16gg与接地导体42相对。
电容器C6由电容器导体38b及接地导体42构成。更详细而言，从上侧俯视时，接地导体42与电容器导体38b重叠。由此，电容器导体38b隔着绝缘体层16gg与接地导体42相对。
电容器C7由电容器导体36b及接地导体42构成。更详细而言，从上侧俯视时，接地导体42与电容器导体36b重叠。由此，电容器导体36b隔着绝缘体层16gg与接地导体42相对。
通孔导体v6、v7、v21及连接导体20a、20b构成对LC并联谐振器LC1和LC并联谐振器LC2间、与电容器C5加以连接的连接部。更详细而言，连接导体20a、20b分别设在绝缘体层16z、16bb的表面，是在绝缘体层16z、16bb的前半部分的区域中朝前后方向进行延伸的线状导体层。从上侧俯视时，连接导体20a、20b的前端与电感器导体18n～18p的后端重叠。从上侧俯视时，连接导体20a、20b的后端与电感器导体22a～22c的左端重叠。
通孔导体v6是在上下方向上贯通绝缘体层16t～16aa的层间连接导体。此外，通孔导体v6是由分别贯通绝缘体层16t～16aa的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v6将电感器导体18n～18p的后端与连接导体20a、20b的前端加以连接。
通孔导体v7是在上下方向上贯通绝缘体层16t～16aa的层间连接导体。此外，通孔导体v7是由分别贯通绝缘体层16t～16aa的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v7将电感器导体22a～22c的左端与连接导体20a、20b的后端加以连接。因此，通孔导体v6、v7及连接导体20a、20b将电感器L1与电感器L2加以连接。
通孔导体v21是在上下方向上贯通绝缘体层16z～16ff的层间连接导体。此外，通孔导体v21是由分别贯通绝缘体层16z～16ff的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v21将连接导体20a、20b的前后方向的中央与电容器导体28a、28b、32a、32b加以连接。因此，通孔导体v21将连接导体20a、20b与电容器C1、C2、C5加以连接。
通孔导体v14、v15、v22及连接导体24a、24b构成对LC并联谐振器LC2和LC并联谐振器LC3间、与电容器C6进行连接的连接部。更详细而言，连接导体24a、24b分别设在绝缘体层16z、16bb的表面，是在绝缘体层16z、16bb的后半部分的区域中朝前后方向进行延伸的线状导体层。从上侧俯视时，连接导体24a、24b的前端与电感器导体22s～22u的右端重叠。从上侧俯视时，连接导体24a、24b的后端与电感器导体26a～26c的前端重叠。
通孔导体v14是在上下方向上贯通绝缘体层16t～16aa的层间连接导体。此外，通孔导体v14是由分别贯通绝缘体层16t～16aa的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v14将电感器导体22s～22u的右端与连接导体24a、24b的前端加以连接。
通孔导体v15是在上下方向上贯通绝缘体层16t～16aa的层间连接导体。此外，通孔导体v15是由分别贯通绝缘体层16t～16aa的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v15将电感器导体26a～26c的前端与连接导体24a、24b的后端加以连接。因此，通孔导体v14、v15及连接导体24a、24b将电感器L2与电感器L3加以连接。
通孔导体v22是在上下方向上贯通绝缘体层16z～16ff的层间连接导体。此外，通孔导体v22是由分别贯通绝缘体层16z～16ff的多个通孔导体相连而构成。通孔导体v22将连接导体24a、24b的前后方向上的中央、与电容器导体34a、34b、38a、38b加以连接。因此，通孔导体v22将连接导体24a、24b与电容器C2、C3、C6加以连接。
如图1B所示，外部端子14a设置为在层叠体12的前表面沿上下方向进行延伸。由此，外部端子14a与电感器导体18a～18c及电容器导体30a、30b相连接。即，外部端子14a与电感器L1及电容器C1、C4相连接。
如图1B所示，外部端子14b设置为在层叠体12的后表面沿上下方向延伸。由此，外部端子14b与电感器导体26n～26p及电容器导体36a、36b相连接。即，外部端子14b与电感器L3及电容器C3、C7相连接。
如图1B所示，外部端子14c～14e设置为在层叠体12的左表面从前侧往后侧依次排列。此外，外部端子14c～14e在上下方向上延伸。由此，外部端子14c～14e与接地导体42相连接。即，外部端子14c～14e与电容器C4～C7相连接。
如图1B所示，外部端子14f～14h设置为在层叠体12的右表面从前侧往后侧依次排列。此外，外部端子14f～14h在上下方向上延伸。由此，外部端子14f～14h与接地导体42相连接。即，外部端子14f～14h与电容器C4～C7相连接。
(电子元器件的制造方法)
接着，参照图1及图2说明电子元器件10的制造方法。
首先，准备应成为绝缘体层16a～16z、16aa～16ii的陶瓷生片。接着，在应成为绝缘体层16b～16z,、16aa～16ff的陶瓷生片的各个陶瓷生片形成通孔导体v1～v22。具体而言，对应成为绝缘体层16b～16z、16aa～16ff的陶瓷生片照射激光束以形成通孔。接着，通过印刷涂布等方法对该通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或其合金等的导电性糊料。
接着，用丝网印刷法或光刻法等方法在应成为绝缘体层16b～16z、16aa～16hh的陶瓷生片的表面上涂布以Ag、Pd、Cu、Au或其合金等为主要成分的导电性糊料，由此形成电感器导体18a～18p、22a～22u、26a～26p，连接导体20a、20b、24a、24b，电容器导体28a、28b、30a、30b、32a、32b、34a、34b、36a、36b、38a、38b、40a～40c及接地导体42。此外，在电感器导体18a～18p、22a～22u、26a～26p，连接导体20a、20b、24a、24b，电容器导体28a、28b、30a、30b、32a、32b、34a、34b、36a、36b、38a、38b、40a～40c及接地导体42形成时，也可对通孔进行导电性糊料的填充。
接着，将各陶瓷生片层叠。具体而言，逐一层叠并压接应成为绝缘体层16a～16z、16aa～16ii的陶瓷生片。通过以上步骤，形成母层叠体。通过静水压加压等对此母层叠体施加正式压接。
接着，利用切刀将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体12。
通过以上工序，制得烧成的层叠体12。对层叠体12实施滚筒加工，并进行倒角。对该未烧成的层叠体12施加脱结合剂处理及烧成。
最后，在层叠体12的表面涂布以Ag、Pd、Cu、Au或其合金等为主要成分的导电性糊料，形成外部端子14a～14h的基底电极。接着，在基底电极的表面实施Ni镀敷/Sn镀敷，由此形成外部端子14a～14h。经由以上工序，电子元器件10完成。此外，也可在切割层叠体12后进行滚筒加工，接着利用导电性糊料形成外部端子，之后再进行烧成。
(效果)
根据采用上述方式构成的电子元器件10，可谋求降低插入损耗。更详细而言，在电子元器件10中，使电感器L2为螺旋状的电感器。螺旋状的电感器的空芯直径相比漩涡状的电感器的空芯直径较大，因此可提高电感器L2的Q值。此外，螺旋状的电感器L2的电感值相比漩涡状的电感器的电感值要大。由此，可谋求降低电子元器件10的插入损耗。
此外，根据电子元器件10，可在通带以外的频带获得充分的衰减量。更详细而言，在电子元器件10中，电感器L1～L3从前侧往后侧依次排列。而且，电感器L1与电感器L3呈环绕于在前后方向上延伸的卷绕轴的漩涡状。呈漩涡状的电感器L1、L3在前后方向上的长度比呈螺旋状的电感器在前后方向上的长度要短。因此，相较于电感器L1、L3呈螺旋状的情况，电感器L1、L3呈漩涡状的情况下电感器L1与电感器L2之间的距离、及电感器L2与电感器L3之间的距离变大。因此，电感器L1与电感器L2的电磁耦合、及电感器L2与电感器L3的电磁耦合变弱。由此，高频信号不易在电感器L1与电感器L2之间、及在电感器L2与电感器L3之间传送，能在通带以外的频带获得充分的衰减量。
此处，在电子元器件10中，优选使LC并联谐振器LC2的谐振频率低于LC并联谐振器LC1,、LC3的谐振频率。由此，在将电子元器件10用作为低通滤波器时，在通带的上限，通过特性会急速下降。图3是表示电子元器件10的通过特性的曲线图。纵轴表示通过特性，横轴表示频率。
更详细而言，在使LC并联谐振器LC2的谐振频率低于LC并联谐振器LC1、LC3的谐振频率低的情况下，通过LC并联谐振器LC2形成衰减极P2，通过LC并联谐振器LC1形成衰减极P1，通过LC并联谐振器LC3形成衰减极P3。衰减极P2的频率低于衰减极P1、P3的频率，而位于通带的上限附近。在上述电子元器件10中，若利用具有高Q值的螺旋状电感器来构成形成有衰减极P2的LC并联谐振器LC2的电感器L2，则能降低在衰减极P2附近的插入损耗。其结果是，如图3的A部分所示，在通带的上限处，通过特性急速下降。
此外，在电子元器件10中，谋求电感器L1～L3的低电阻化。以下，以电感器L1为例进行说明。在电感器L1中，电感器导体18a～18c并联连接，电感器导体18e～18g并联连接，电感器导体18k～18m并联连接，电感器导体18n～18p并联连接。由此，谋求电感器L1的低电阻化。此外，电感器L2,L3也因相同理由而谋求低电阻化。
此外，在电子元器件10中，电感器导体22d～22f、22p～22r设置于绝缘体层16b～16d，电感器导体22j～22l设置于绝缘体层16e～16g。即，在电感器L2中，相对地设在上侧的电感器导体22d～22f、22j～22l,、22p～22r分散设置于不同层。如上述，通过使电感器导体22d～22f、22j～22l、22p～22r在上下方向上的位置发生变化，从而能调整电感器L2的空芯直径，能调整电感器L2的电感值。根据相同理由，电感器导体22g～22i设置于绝缘体层16q～16s，电感器导体22m～22o设置于绝缘体层16n～16p。
此外，在电子元器件10中，在电感器L1～L3中有电流流动的情况下，电流在电感器L1,L3中的环绕方向、与电流在电感器L2中的环绕方向相反。由此，能使电感器L1与电感器L2的电磁耦合变弱，能使电感器L2与电感器L3的电磁耦合变弱。
此外，在电子元器件10中设有电容器C4～C7。通过LC并联谐振器LC1～LC3的高频信号中的、具有比通带要高的频率的高频信号通过电容器C4～C7向接地流动。由此，可进一步提高电子元器件10作为低通滤波器的功能。
(其他实施方式)
本发明的电子元器件并不限于电子元器件10，可在其要旨范围内进行变更。
此外，LC并联谐振器的数量并不限于三个。LC并联谐振器的数量也可为4以上。设置有n个LC并联谐振器LC1～LCn的情况下，位于前后方向上的两端的LC并联谐振器LC1、LCn的电感器L1、Ln呈漩涡状。此外，LC并联谐振器LC2～LCn-1中的至少一个电感器呈螺旋状。此外，在该情况下，优选设置于外部端子14a、14b附近的LC并联谐振器LC1及LC并联谐振器LCn的谐振频率低于LC并联谐振器LC2至LC并联谐振器LCn-1的谐振频率。
此外，LC并联谐振器LC2～LCn-1中的至少一个电感器的线圈直径也可在中途发生变化。通过使线圈直径发生变化，能调整以获得适当的电感值。
此外，电感器L1～L3的卷绕轴虽与前后方向平行，但也可相对于前后方向稍微发生偏移。即，电感器L1～L3的卷绕轴只要沿着前后方向即可。
此外，电感器L1～L3中有电流流动的情况下，电流在电感器L1中的环绕方向、与电流在电感器L3中的环绕方向也可相反。由此，能使电感器L1与电感器L3的电磁耦合变弱。
此外，在电感器L1～L3中有电流流动的情况下，电流在电感器L1,L3中的环绕方向、与电流在电感器L2的环绕方向也可相同。由此，可调整电感器L1与电感器L2的电磁耦合、及电感器L2与电感器L3的电磁耦合。
产业上的利用
本发明在电子元器件中是有用的，尤其是在可谋求降低插入损耗并同时在通带以外的频带获得充分的衰减量这方面较为优异。
【符号说明】
C1～C7电容器
L1～L3电感器
LC1～LC3LC并联谐振器
v1～v22通孔导体
10电子元器件
12层叠体
14a～14h外部端子
16a～16z、16aa～16ii绝缘体层
18a～18p、22a～22u、26a～26p电感器导体
20a、20b、24a、24b连接导体
28a、28b、30a、30b、32a、32b、34a、34b、36a、36b、38a、38b、40a～40c电容器导体
42接地导体

Claims (10)

1.一种电子元器件，其特征在于，具备：
元件主体；以及
串联连接的第一LC并联谐振器至第n(n是3以上的整数)LC并联谐振器，
所述第一LC并联谐振器至所述第nLC并联谐振器分别包含第一电感器至第n电感器、及第一电容器至第n电容器，
所述第一电感器至所述第n电感器以在第1方向上依次排列的方式设置于所述元件主体，
所述第一电感器及所述第n电感器呈环绕于沿所述第1方向的卷绕轴的漩涡状，
所述第二电感器至所述第n-1电感器中的至少一个电感器呈环绕于沿所述第1方向的卷绕轴的螺旋状。
2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，
n是3。
3.如权利要求2所述的电子元器件，其特征在于，
所述第二LC并联谐振器的谐振频率比所述第一LC并联谐振器的谐振频率及所述第三LC并联谐振器的谐振频率要低。
4.如权利要求2或3所述的的电子元器件，其特征在于，还具备：
输入端子，该输入端子设置于所述元件主体的表面，与所述第一LC并联谐振器相连接；
输出端子，该输出端子设置于所述元件主体的表面，与所述第三LC并联谐振器相连接；
接地端子，该接地端子设置于所述元件主体的表面；以及
电容器，该电容器连接于所述输入端子与所述第一LC并联谐振器的连接点、与所述接地端子之间，该第一LC并联谐振器与所述第二LC并联谐振器的连接点、与该接地端子之间，该第二LC并联谐振器与所述第三LC并联谐振器的连接点、与该接地端子之间，或该第三LC并联谐振器与所述输出端子的连接点、与该接地端子的间。
5.如权利要求4所述的电子元器件，其特征在于，
所述元件主体是由多个绝缘体层在相对于所述第1方向正交的第2方向上进行层叠而构成的；
所述第一LC并联谐振器至所述第三LC并联谐振器由设置于所述绝缘体层上的内部导体、及在所述第2方向上贯通所述绝缘体层的层间连接导体而构成。
6.如权利要求5所述的电子元器件，其特征在于，
所述第一电感器至所述第三电感器由多个内部导体并联连接而构成。
7.如权利要求5或6所述的电子元器件，其特征在于，
所述第二电感器由多个第一电感器导体、多个第二电感器导体、多个第四层间连接导体、及多个第五层间连接导体构成，
所述多个第一电感器导体设置于所述绝缘体层上且沿所述第1方向彼此平行地排列，
所述多个第二电感器导体设置于相比该第一电感器导体位于所述第2方向的一侧的所述绝缘体层上且沿所述第1方向彼此平行地排列，从该第2方向俯视时，其在一个端部与位于该第1方向的一侧的所述第一电感器导体的一个端部相重叠，在另一个端部与位于所述第1方向的另一侧的所述第一电感器导体的另一个端部相重叠，
所述多个第四层间连接导体将所述第一电感器导体的一个端部与所述第二电感器导体的一个端部加以连接，
所述多个第五层间连接导体将所述第一电感器导体的另一个端部与所述第二电感器导体的另一个端部加以连接，
所述多个第一电感器导体分散设置于多个所述绝缘体层。
8.如权利要求2至7的任一项所述的电子元器件，其特征在于，
在所述第一电感器至所述第三电感器中有电流流动时，电流在所述第一电感器及所述第三电感器中的环绕方向、与电流在所述第二电感器中的环绕方向相反。
9.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，
n是4以上。
10.如权利要求1至9的任一项所述的电子元器件，其特征在于，
所述第二LC并联谐振器至所述第n-1LC并联谐振器的谐振频率比所述第一LC并联谐振器及所述第nLC并联谐振器的谐振频率要低。
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