WO2018100918A1 - 積層型lcフィルタ - Google Patents

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WO2018100918A1
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明人 大石
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株式会社村田製作所
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    • H03H2001/0085Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Definitions

  • the present invention relates to a multilayer LC filter, and more particularly to a multilayer LC filter having an inductor having a large inductance value and a high Q value and having a small insertion loss.
  • a multilayer LC filter in which an inductor and a capacitor are formed inside a multilayer body in which a plurality of dielectric layers are stacked is used in various electronic devices.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2014-57277.
  • FIG. 11 shows a laminated LC filter (high frequency filter) 1000 disclosed in Patent Document 1.
  • the laminated LC filter 1000 includes a laminated body 101 in which eight dielectric layers (insulator layers) 101a to 101h are laminated.
  • a first input / output terminal (external electrode) 102a, a second input / output terminal (external electrode) 102b, and a ground terminal (external electrode) 103 are formed on the lower main surface of the dielectric layer 101a.
  • Two capacitor conductor patterns (resonance capacitor conductors) 104a and 104b are formed on the upper main surface of the dielectric layer 101b.
  • via conductors 105a to 105f are formed in the dielectric layer 101b.
  • a ground conductor pattern (ground conductor) 106 is formed on the upper main surface of the dielectric layer 101c.
  • the four via conductors 105c to 105f described above are formed in the dielectric layer 101c.
  • two via conductors 105g and 105h are newly formed in the dielectric layer 101c.
  • via conductors having the same reference numerals formed in different dielectric layers are joined to each other.
  • the via conductor 105c formed in the dielectric layer 101b and the 105c formed in the dielectric layer 101c are integrally joined to each other and have the same reference numerals (hereinafter referred to as the present specification). The same).
  • Two capacitor conductor patterns 104c and 104d are formed on the upper main surface of the dielectric layer 101d.
  • the two via conductors 105g and 105h described above are formed in the dielectric layer 101d. Further, four via conductors 105i to 105l are newly formed in the dielectric layer 101d.
  • a floating conductor 107 is formed on the upper main surface of the dielectric layer 101e.
  • the six via conductors 105g to 105l described above are formed in the dielectric layer 101e. Further, two via conductors 105m and 105n are newly formed in the dielectric layer 101e.
  • line-shaped conductor patterns (line conductors) 108a to 108d are formed on the upper main surface of the dielectric layer 101f.
  • the eight via conductors 105g to 105n described above are formed in the dielectric layer 101f.
  • the eight via conductors 105g to 105n described above are formed in the dielectric layer 101g.
  • the dielectric layer 101h is a protective layer, and no conductor pattern or via conductor is formed.
  • the first input / output terminal 102a and the capacitor conductor pattern 104a are connected by a via conductor 105a.
  • the second input / output terminal 102b and the capacitor conductor pattern 104b are connected by the via conductor 105b.
  • the ground terminal 103 and the ground conductor pattern 106 are connected by four via conductors 105c to 105f.
  • multilayer LC filter 1000 four loop inductors (first inductor to fourth inductor) are configured in the multilayer body 101 using via conductors 105g to 105n and line conductor patterns 108a to 108h. Has been.
  • the via conductor 105g, the line-shaped conductor patterns 108a and 108e, and the via conductor 105i are sequentially connected in a loop shape, and a first structure having a structure called a loop via is formed between the capacitor conductor pattern 104a and the ground conductor pattern 106.
  • An inductor is configured.
  • the two line-shaped conductor patterns 108a and 108e are connected as a set to reduce the internal resistance and improve the Q value (second inductor to fourth inductor described later). The same).
  • the via conductor 105m, the line-shaped conductor patterns 108b and 108f, and the via conductor 105j are sequentially connected in a loop shape, and a second inductor having a loop via structure is configured between the capacitor conductor pattern 104c and the ground conductor pattern 106. ing.
  • the via conductor 105h, the line conductor patterns 108d and 108h, and the via conductor 105l are sequentially connected in a loop shape, and a fourth inductor having a loop via structure is configured between the capacitor conductor pattern 104b and the ground conductor pattern 106. ing.
  • the first to fourth capacitors are formed in the multilayer body 101 using the capacitor conductor patterns 104a to 104d and the ground conductor pattern 106.
  • the first capacitor is constituted by the capacitance between the capacitor conductor pattern 104a and the ground conductor pattern 106.
  • the second capacitor is configured by the capacitance between the capacitor conductor pattern 104c and the ground conductor pattern 106.
  • the third capacitor is configured by the capacitance between the capacitor conductor pattern 104d and the ground conductor pattern 106.
  • the fourth capacitor is configured by the capacitance between the capacitor conductor pattern 104b and the ground conductor pattern 106.
  • the 1st inductor and the 1st capacitor are connected in parallel, and the 1st LC resonator is constituted.
  • the second inductor and the second capacitor are connected in parallel to form a second LC resonator
  • the third inductor and the third capacitor are connected in parallel to form a third LC resonator
  • the fourth inductor and A fourth LC resonator is configured by connecting the fourth capacitor in parallel.
  • a first LC resonator to a fourth LC resonator are sequentially connected between a first input / output terminal 102a and a second input / output terminal 102b, and a four-stage band pass filter is configured. Yes.
  • the first inductor to the fourth inductor are respectively connected in a loop shape with via conductors, line-shaped conductor patterns, and via conductors (via conductors are connected to both sides of the line-shaped conductor pattern).
  • via conductors line-shaped conductor patterns, and via conductors (via conductors are connected to both sides of the line-shaped conductor pattern).
  • an inductor having a simple loop via structure has a large proportion of the length of two via conductors connected to both sides of the line-shaped conductor pattern in the inductor length, so that the inductance value is increased by increasing the inductor length. It is efficient and preferable to lengthen the lengths of the two via conductors.
  • a multilayer LC filter such as the multilayer LC filter 1000
  • the number of dielectric layers to be stacked can be increased, It is necessary to increase the thickness, and there is a problem that the height dimension of the multilayer LC filter (laminate) becomes large. Therefore, it is difficult for the multilayer LC filter 1000 to increase the inductance values of the first to fourth inductors.
  • LC filters including multilayer LC filters
  • the multilayer LC filter 1000 has a large height dimension, it is difficult to increase the inductance values of the first inductor to the fourth inductor and increase the Q value of the first inductor to the fourth inductor. It was difficult to reduce the insertion loss.
  • the LC filter including the multilayer LC filter
  • the multilayer LC filter 1000 has a large height, it is difficult to increase the inductance values of the first to fourth inductors, and it is difficult to obtain a desired frequency characteristic.
  • the multilayer LC filter of the present invention includes a laminate in which a plurality of dielectric layers are laminated, and an interlayer between the dielectric layers.
  • a plurality of via conductors, and via conductors and line-shaped conductor patterns are alternately connected to form a plurality of inductors, and a capacitance between the capacitor conductor pattern and the ground conductor pattern.
  • a plurality of capacitors are configured by the capacitance between the capacitor conductor patterns, and a plurality of LC resonators are configured by connecting the inductor and the capacitor.
  • the at least one inductor includes at least three line-shaped conductor patterns, and when the multilayer body is seen through in the stacking direction of the dielectric layer, the two line-shaped conductor patterns included in the inductor intersect each other. It was.
  • At least one inductor includes at least a first line-shaped conductor pattern, a second line-shaped conductor pattern, and a third line-shaped conductor pattern, and the capacitor conductor pattern and the first line-shaped conductor pattern are connected by a via conductor, The one line-shaped conductor pattern and the second line-shaped conductor pattern are connected by the via conductor, the second line-shaped conductor pattern and the third line-shaped conductor pattern are connected by the via conductor, and the third line-shaped conductor pattern and the ground conductor are connected.
  • the first line-shaped conductor pattern and the third line-shaped conductor pattern can be crossed. In this case, the multilayer LC filter of the present invention can be easily configured.
  • the second line-shaped conductor pattern, the third line-shaped conductor pattern, and the first line-shaped conductor pattern are laminated in this order in the multilayer body, and the second line-shaped conductor pattern and the third line-shaped conductor pattern are stacked. It is preferable that the distance between them is longer than the distance between the third line-shaped conductor pattern and the first line-shaped conductor pattern.
  • the second line-shaped conductor pattern, the first line-shaped conductor pattern, and the third line-shaped conductor pattern are laminated in this order inside the multilayer body, and the second line-shaped conductor pattern and the first line-shaped conductor pattern are stacked. Is preferably longer than the distance between the first line-shaped conductor pattern and the third line-shaped conductor pattern. In these cases, the volume inside the multilayer body can be effectively utilized, the inductance value of the inductor can be increased, and the Q value of the inductor can be increased.
  • the angle of intersection is preferably 90 °. In this case, it is possible to minimize the magnetic fluxes generated by the intersecting line-shaped conductor patterns from interfering with each other, increase the inductance value of the inductor, and increase the Q value of the inductor. .
  • the multilayer LC filter of the present invention Since the multilayer LC filter of the present invention has a long inductor length, the inductance value of the inductor is large, and as a result, the Q value of the inductor is large. Therefore, the multilayer LC filter of the present invention has a small insertion loss.
  • the multilayer LC filter of the present invention can increase the inductance value of the inductor and can set the inductance value of the inductor to a desired value, so that a desired frequency characteristic can be easily obtained.
  • the multilayer LC filter of the present invention can be reduced in height because the decrease in inductance value and Q value of the inductor can be kept small even when the height is reduced.
  • FIG. 1 is a perspective view of a multilayer LC filter 100 according to a first embodiment.
  • 2 is an exploded perspective view of a multilayer LC filter 100.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the multilayer LC filter 100.
  • FIG. 4A is a perspective view of a main part of the multilayer LC filter 100.
  • FIG. 4B is a plan view of the main part of the multilayer LC filter 100.
  • 3 is a frequency characteristic diagram of the multilayer LC filter 100.
  • FIG. FIG. 6A is a perspective view of a main part of a multilayer LC filter 1200 according to Comparative Example 1.
  • FIG. 6B is a plan view of the main part of the multilayer LC filter 1200. 6 is a frequency characteristic diagram of a multilayer LC filter 1200.
  • FIG. FIG. 8A is a perspective view of a main part of a laminated LC filter 1300 according to Comparative Example 2.
  • FIG. 8B is a plan view of the main part of the multilayer LC filter 1300.
  • FIG. 11 is a frequency characteristic diagram of the multilayer LC filter 1300. It is a disassembled perspective view of the multilayer LC filter 200 concerning 2nd Embodiment. 2 is an exploded perspective view of a multilayer LC filter 1000 disclosed in Patent Document 1.
  • each embodiment shows an embodiment of the present invention by way of example, and the present invention is not limited to the content of the embodiment. Moreover, it is also possible to implement combining the content described in different embodiment, and the implementation content in that case is also included in this invention.
  • the drawings are for helping the understanding of the specification, and may be schematically drawn, and the drawn components or the ratio of dimensions between the components are described in the specification. There are cases where the ratio of these dimensions does not match.
  • the constituent elements described in the specification may be omitted in the drawings or may be drawn with the number omitted.
  • FIG. 1 is a perspective view of the multilayer LC filter 100.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the multilayer LC filter 100.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the multilayer LC filter 100.
  • 4A is a perspective view of a main part of the multilayer LC filter 100.
  • FIG. 4B is a plan view of the main part of the multilayer LC filter 100.
  • the laminated LC filter 100 includes a laminated body 1 having a rectangular parallelepiped shape.
  • a first input / output terminal 2a, a second input / output terminal 2b, and a ground terminal 3 are formed on the lower main surface of the laminate 1.
  • the laminate 1 is composed of, for example, 19 dielectric layers 1a to 1s made of ceramic or the like, which are laminated in order from the bottom.
  • a first input / output terminal 2a, a second input / output terminal 2b, and a ground terminal 3 are formed on the lower main surface of the dielectric layer 1a.
  • via conductors 4a, 4b and 4c are formed through the dielectric layer 1a.
  • capacitor conductor patterns 5a and 5b and a ground conductor pattern 6a are formed on the upper main surface of the dielectric layer 1a.
  • the capacitor conductor pattern 5a and the first input / output terminal 2a are connected by the via conductor 4a.
  • the capacitor conductor pattern 5b and the second input / output terminal 2b are connected by the via conductor 4b.
  • the ground conductor pattern 6a and the ground terminal 3 are connected by the via conductor 4c.
  • Via conductors 4d, 4e, and 4f are formed through the dielectric layer 1b.
  • capacitor conductor patterns 5c and 5d are formed on the upper main surface of the dielectric layer 1b.
  • the capacitor conductor pattern 5c and the capacitor conductor pattern 5d are connected to each other.
  • the aforementioned via conductors 4d, 4e, and 4f are formed through the dielectric layer 1c. Note that via conductors having the same reference numerals formed in different dielectric layers are joined to each other. For example, the via conductor 4d formed in the dielectric layer 1b and the 4d formed in the dielectric layer 1c are integrally joined together and have the same reference numerals.
  • capacitor conductor patterns 5e and 5f are formed on the upper main surface of the dielectric layer 1c. Capacitor conductor pattern 5e and capacitor conductor pattern 5a are connected by via conductor 4d. The capacitor conductor pattern 5f and the capacitor conductor pattern 5b are connected by the via conductor 4e.
  • the aforementioned via conductor 4f and new via conductors 4g and 4h are formed through the dielectric layer 1d.
  • ground conductor pattern 6b is formed on the upper main surface of the dielectric layer 1d.
  • the ground conductor pattern 6b and the ground conductor pattern 6a are connected by the via conductor 4f.
  • the aforementioned via conductors 4g and 4h and a new via conductor 4i are formed through the dielectric layer 1e.
  • relay conductor pattern 7 and the second line-shaped conductor patterns 8a and 8b are formed on the upper main surface of the dielectric layer 1e.
  • the relay conductor pattern 7 and the ground conductor pattern 6b are connected by the via conductor 4i.
  • the aforementioned via conductors 4g and 4h and new via conductors 4j, 4k, 4l, 4m, 4n and 4o are formed through the dielectric layer 1f.
  • second line-shaped conductor patterns 8c and 8d are formed on the upper main surface of the dielectric layer 1f. The connection relationship of the line-shaped conductor patterns via via conductors will be described later together.
  • the dielectric layers 1g to 1o are laminated for the purpose of increasing the length of the via conductors 4g, 4h, 4j, 4k, 4l, 4m, 4n, and 4o.
  • the aforementioned via conductors 4g, 4h, 4j, 4k, 4l, 4m, 4n, and 4o are formed through the dielectric layers 1g to 1o.
  • the third line-shaped conductor patterns 9a and 9b are formed on the upper main surface of the dielectric layer 1o.
  • the aforementioned via conductors 4g, 4h, 4j, 4k, 4l, 4m, 4n, and 4o are formed through the dielectric layer 1p.
  • the third line-shaped conductor patterns 9c and 9d are formed on the upper main surface of the dielectric layer 1p.
  • the aforementioned via conductors 4g, 4h, 4j, and 4k are formed through the dielectric layer 1q.
  • the first line-shaped conductor patterns 10a and 10b are formed on the upper main surface of the dielectric layer 1q.
  • the aforementioned via conductors 4g, 4h, 4j, and 4k are formed through the dielectric layer 1r.
  • the first line-shaped conductor patterns 10c and 10d are formed on the upper main surface of the dielectric layer 1r.
  • the dielectric layer 1s is a protective layer, and is not formed with a capacitor conductor pattern, a ground conductor pattern, a line conductor pattern, a via conductor, or the like.
  • FIG. 4A is a perspective view.
  • the capacitor conductor pattern 5e and one end of the first line-shaped conductor patterns 10a and 10c are connected by the via conductor 4g.
  • the other ends of the first line-shaped conductor patterns 10a and 10c and one end of the second line-shaped conductor patterns 8a and 8c are connected by a via conductor 4j.
  • the other ends of the second line-shaped conductor patterns 8a and 8c and one end of the third line-shaped conductor patterns 9a and 9c are connected by a via conductor 41.
  • the other ends of the third line-shaped conductor patterns 9a and 9c and the relay conductor pattern 7 are connected by a via conductor 4n.
  • the relay conductor pattern 7 and the ground conductor pattern 6b are connected by the via conductor 4i.
  • the laminated LC filter 100 includes a via conductor 4g, first line conductor patterns 10a and 10c, a via conductor 4j, second line conductor patterns 8a and 8c, a via conductor 41, third line conductor patterns 9a and 9c, and vias.
  • the first inductor L1 is configured by a conductor line that connects the conductor 4n, the relay conductor pattern 7, and the via conductor 4i in this order.
  • the first inductor L1 the first line-shaped conductor pattern 10a and the first line-shaped conductor pattern 10c, the second line-shaped conductor pattern 8a and the second line-shaped conductor pattern 8c, the third line-shaped conductor pattern 9a and the third line
  • the conductor patterns 9c By connecting the conductor patterns 9c as a set, the internal resistance is reduced and the Q value is improved.
  • the first inductor L1 has a distance between the second line-shaped conductor patterns 8a and 8c and the third line-shaped conductor patterns 9a and 9c so that the third line-shaped conductor patterns 9a and 9c and the first line-shaped conductor pattern It is set to be larger than the distance between 10a and 10c, the volume inside the laminate 1 is effectively utilized, and has a large inductance value.
  • the capacitor conductor pattern 5f and one end of the first line-shaped conductor patterns 10b and 10d are connected by the via conductor 4h.
  • the other ends of the first line-shaped conductor patterns 10b and 10d and one end of the second line-shaped conductor patterns 8b and 8d are connected by a via conductor 4k.
  • the other ends of the second line-shaped conductor patterns 8b and 8d and one end of the third line-shaped conductor patterns 9b and 9d are connected by a via conductor 4m.
  • the other ends of the third line-shaped conductor patterns 9b and 9d and the relay conductor pattern 7 are connected by a via conductor 4o.
  • the relay conductor pattern 7 and the ground conductor pattern 6b are connected by the via conductor 4i.
  • the laminated LC filter 100 includes a via conductor 4h, first line-shaped conductor patterns 10b and 10d, via conductor 4k, second line-shaped conductor patterns 8b and 8d, via conductor 4m, third line-shaped conductor patterns 9b and 9d, and vias.
  • a second inductor L2 is configured by a conductor line that connects the conductor 4o, the relay conductor pattern 7, and the via conductor 4i in this order.
  • the relay conductor pattern 7 and the via conductor 4i are shared by the first inductor L1 and the second inductor L2.
  • the first line-shaped conductor pattern 10b and the first line-shaped conductor pattern 10d, the second line-shaped conductor pattern 8b and the second line-shaped conductor pattern 8d, the third line-shaped conductor pattern 9b and the third line By connecting each of the conductor patterns 9d as a set, the internal resistance is reduced and the Q value is improved.
  • the second inductor L2 has a distance between the second line-shaped conductor patterns 8b and 8d and the third line-shaped conductor patterns 9b and 9d such that the third line-shaped conductor patterns 9b and 9d and the first line-shaped conductor pattern It is set to be larger than the distance between 10b and 10d, the volume inside the laminate 1 is effectively utilized, and has a large inductance value.
  • the multilayer LC filter 100 according to the first embodiment having the above-described structure can be manufactured by using materials and manufacturing methods that are conventionally widely used in multilayer LC filters.
  • the multilayer LC filter 100 according to the first embodiment having the above structure includes an equivalent circuit shown in FIG.
  • the multilayer LC filter 100 includes a first LC resonator in which a first inductor L1 and a first capacitor C1 are connected in parallel, and a second LC resonator in which a second inductor L2 and a second capacitor C2 are connected in parallel. Is provided.
  • the first LC resonator has one end connected to the first input / output terminal 2a and the other end connected to the ground.
  • the second LC resonator has one end connected to the second input / output terminal 2b and the other end connected to the ground. Further, one end of the first LC resonator and one end of the second LC resonator are connected by a capacitor C3.
  • the first inductor L1 includes the via conductor 4g, the first line conductor patterns 10a and 10c, the via conductor 4j, the second line conductor patterns 8a and 8c, the via conductor 41,
  • the three-line conductor patterns 9a and 9c, the via conductors 4n, the relay conductor patterns 7, and the via conductors 4i are configured by conductor lines that are connected in order.
  • the first capacitor C1 is constituted by a capacitance between the capacitor conductor pattern 5e and the ground conductor pattern 6b.
  • the via conductor 4g which is one end of the first inductor L1 and the capacitor conductor pattern 5e which is one electrode of the first capacitor C1 are connected to each other.
  • the via conductor 4i that is the other end of the first inductor L1 and the ground conductor pattern 6b that is the other electrode of the first capacitor C1 are connected to each other.
  • the first inductor L1 and the first capacitor C1 are connected in parallel to form a first LC resonator.
  • the capacitor conductor pattern 5e is connected to the first input / output terminal 2a via the via conductor 4d, the capacitor conductor pattern 5a, and the via conductor 4a.
  • the ground conductor pattern 6b is connected to the ground terminal 3 via the via conductor 4f, the ground conductor pattern 6a, and the via conductor 4c.
  • the second inductor L2 includes the via conductor 4h, the first line conductor patterns 10b and 10d, the via conductor 4k, the second line conductor patterns 8b and 8d, the via conductor 4m, the third line conductor pattern 9b, 9d, the via conductor 4o, the relay conductor pattern 7, and the via conductor 4i are configured by a conductor line that sequentially connects.
  • the second capacitor C2 is constituted by a capacitance between the capacitor conductor pattern 5f and the ground conductor pattern 6b.
  • the via conductor 4h that is one end of the second inductor L2 and the capacitor conductor pattern 5f that is one electrode of the second capacitor C2 are connected to each other.
  • the via conductor 4i that is the other end of the second inductor L2 and the ground conductor pattern 6b that is the other electrode of the second capacitor C2 are connected to each other.
  • the second inductor L2 and the second capacitor C2 are connected in parallel to constitute a second LC resonator.
  • the capacitor conductor pattern 5f is connected to the second input / output terminal 2b via the via conductor 4e, the capacitor conductor pattern 5b, and the via conductor 4b.
  • the ground conductor pattern 6b is connected to the ground terminal 3 via the via conductor 4f, the ground conductor pattern 6a, and the via conductor 4c.
  • the capacitor C3 includes a capacitance between the capacitor conductor patterns 5a and 5e and the capacitor conductor pattern 5c, and a capacitance between the capacitor conductor pattern 5d and the capacitor conductor patterns 5b and 5f. As described above, the capacitor conductor pattern 5c and the capacitor conductor pattern 5d are connected to each other.
  • the multilayer LC filter 100 according to the first embodiment having the above-described structure and equivalent circuit is characterized in that the inductance values of the first inductor L1 and the second inductor L2 are large, the Q value is high, and the insertion loss is small. It has.
  • FIG. 4B is a plan view. Note that in FIG. 4B, the direction of current flow is indicated by broken-line arrows.
  • the first inductor L1 has the first line-shaped conductor patterns 10a and 10c and the third line-shaped conductor patterns 9a and 9c when viewed in the stacking direction of the multilayer body 1. It intersects at an angle of 90 degrees.
  • the first inductor L1 has a large inductor length, and has a large inductance value and a high Q value.
  • the first line-shaped conductor patterns 10a and 10c and the third line-shaped conductor patterns 9a and 9c intersect each other at an angle of 90 degrees, so that interference of magnetic flux generated by each of them is minimized. A drop in value is avoided.
  • the second inductor L2 has a first line-shaped conductor pattern 10b, 10d and third line-shaped conductor patterns 9b, 9d when viewed in the stacking direction of the multilayer body 1. And intersect at an angle of 90 degrees.
  • the second inductor L2 has a large inductor length, and has a large inductance value and a high Q value.
  • the first line-shaped conductor patterns 10b and 10d and the third line-shaped conductor patterns 9b and 9d intersect each other at an angle of 90 degrees, so that the interference of the magnetic flux generated by each of them is minimized. A drop in value is avoided.
  • the frequency characteristics of the multilayer LC filter 100 are shown in FIG.
  • FIG. 6A and 6B show a laminated LC filter 1200 according to Comparative Example 1.
  • FIG. 6A is a perspective view of a main part
  • FIG. 6B is a plan view of the main part. Note that in FIG. 6B, the direction of current flow is indicated by a broken-line arrow.
  • the multilayer LC filter 1200 according to Comparative Example 1 includes a first inductor L11 and a second inductor L12 having a helical structure.
  • the configuration of the multilayer LC filter 1200 other than the first inductor L11 and the second inductor L12 is the same as that of the multilayer LC filter 100.
  • the same components as those in the multilayer LC filter 100 are denoted by the same reference numerals.
  • the first inductor L11 includes a via conductor 14g, first line-shaped conductor patterns 20a and 20c, via conductor 14j, second line-shaped conductor patterns 18a and 18c, via conductor 141, third line-shaped conductor patterns 19a and 19c, and via conductor. 14n, the relay conductor pattern 7, and the via conductor 4i are constituted by a conductor line connecting in order.
  • the conductor line has a helical structure, but the first line-shaped conductor patterns 20a and 20c and the third line-shaped conductor patterns 19a and 19c do not intersect with each other.
  • the inductor length is small, the inductance value is small, and the Q value is low.
  • the second inductor L12 includes a via conductor 14h, first line-shaped conductor patterns 20b and 20d, via conductor 14k, second line-shaped conductor patterns 18b and 18d, via conductor 14m, third line-shaped conductor patterns 19b and 19d, and via conductor. 14o, the relay conductor pattern 7, and the via conductor 4i are constituted by a conductor line connecting in order.
  • the conductor line has a helical structure, but the first line-shaped conductor patterns 20b and 20d and the third line-shaped conductor patterns 19b and 19d do not intersect with each other.
  • the inductor length is small, the inductance value is small, and the Q value is low.
  • FIG. 7 shows the frequency characteristics of the multilayer LC filter 1200 according to Comparative Example 1.
  • FIG. 8A and 8B show a laminated LC filter 1300 according to Comparative Example 2.
  • FIG. 8A is a perspective view of main parts
  • FIG. 8B is a plan view of main parts. Note that in FIG. 8B, the direction of current flow is indicated by broken-line arrows.
  • the multilayer LC filter 1300 according to Comparative Example 2 includes a first inductor L21 and a second inductor L22.
  • the configuration of the multilayer LC filter 1300 other than the first inductor L21 and the second inductor L22 is the same as that of the multilayer LC filter 100.
  • the same components as those of the multilayer LC filter 100 are denoted by the same reference numerals.
  • the first inductor L21 is configured by a conductor line that sequentially connects the via conductor 24g, the L-shaped first line-shaped conductor patterns 30a and 30c, the via conductor 24j, the relay conductor pattern 7, and the via conductor 4i.
  • the first inductor L21 has a smaller inductor length, a smaller inductance value, and a lower Q value than the first inductor L1 of the multilayer LC filter 100 and the first inductor L11 of the multilayer LC filter 1200.
  • the second inductor L22 is constituted by a conductor line that sequentially connects the via conductor 24h, the L-shaped first line-shaped conductor patterns 30b and 30d, the via conductor 24k, the relay conductor pattern 7, and the via conductor 4i.
  • the second inductor L22 has a smaller inductor length, a smaller inductance value, and a lower Q value than the second inductor L2 of the multilayer LC filter 100 and the second inductor L12 of the multilayer LC filter 1200.
  • FIG. 9 shows the frequency characteristics of the multilayer LC filter 1300 according to Comparative Example 2.
  • the attenuation amount in the passband of the multilayer LC filter 100 was ⁇ 0.820 dB at 2.400 GHz (M01) and ⁇ 0.771 dB at 2.500 GHz (M02), which was small.
  • the attenuation amount in the pass band of the multilayer LC filter 1200 was -0.873 dB at 2.400 GHz (M01) and -0.882 dB at 2.500 GHz (M02), which were large. Further, the attenuation amount in the pass band of the multilayer LC filter 1300 was ⁇ 1.212 dB at 2.400 GHz (M01) and ⁇ 1.088 dB at 2.500 GHz (M02), which was larger.
  • the amount of attenuation in the passband is small because the first inductor L1 and the second inductor L2 each have a large inductor length, a large inductance value, and a Q value. Is considered to be due to the high price.
  • the multilayer LC filter 100 according to the first embodiment has excellent frequency characteristics with a small insertion loss compared to the multilayer LC filters 1200 and 1300 according to the comparative example.
  • FIG. 10 shows a laminated LC filter 200 according to the second embodiment.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the multilayer LC filter 200.
  • the multilayer LC filter 200 has a new configuration added to the multilayer LC filter 100 according to the first embodiment.
  • the ground conductor pattern 16c is formed on the upper main surface between the dielectric layer 1r and the dielectric layer 1s constituting the multilayer body 1 of the multilayer LC filter 100.
  • a dielectric layer 11x was added.
  • the multilayer LC filter 200 has the other end of the via conductors 4n and 4o, one end of which is connected to the relay conductor pattern 7 extended to the dielectric layer 11x, and the ground conductor pattern 16c. Connected. That is, in the multilayer LC filter 100, the via conductors 4n and 4o are formed in the dielectric layers 1f to 1p. In the multilayer LC filter 200, the via conductors 4n and 4o are formed in the dielectric layers 1f to 1p. In addition, the dielectric layers 1q, 1r, and 11x were also formed.
  • the multilayer LC filter 200 according to the second embodiment has the following effects in addition to the effects exhibited by the multilayer LC filter 100 according to the first embodiment. That is, in the multilayer LC filter 200, the intrusion of noise from the outside is suppressed by the ground conductor pattern 16c, and the malfunction due to the noise from the outside is suppressed. In addition, in the multilayer LC filter 200, leakage of noise to the outside is suppressed by the ground conductor pattern 16c.
  • the multilayer LC filter 100 according to the first embodiment and the multilayer LC filter 200 according to the second embodiment have been described above.
  • the present invention is not limited to the contents described above, and various modifications can be made in accordance with the spirit of the invention.
  • a two-stage band pass filter is configured, but the type of filter is arbitrary, and may be a high pass filter or a low pass filter. Also, the number of stages is not limited to two, and may be three or more. Also, the filter circuit is arbitrary and can be set freely.
  • the second line-shaped conductor patterns 8a to 8d, the third line-shaped conductor patterns 9a to 9d, and the first line-shaped conductor pattern 10a are arranged inside the multilayer body 1 in order from the bottom. 1 to 10d are stacked, but this order is changed, and the second line-shaped conductor patterns 8a to 8d, the first line-shaped conductor patterns 10a to 10d, and the third line-shaped conductor are arranged in the stacked body 1 in order from the bottom.
  • the patterns 9a to 9d may be laminated.

Landscapes

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Abstract

インダクタンス値が大きく、Q値が高いインダクタを備えた、挿入損失の小さい積層型LCフィルタを提供する。 誘電体層1a~1sが積層された積層体1と、第2線路状導体パターン8a~8d、第3線路状導体パターン9a~9d、第1線路状導体パターン10a~10dと、キャパシタ導体パターン5a~5fと、グランド導体パターン6a、6bと、ビア導体4a~4oと、を備え、積層体1を誘電体層の積層方向に透視したとき、第1インダクタL1において、第1線路状導体パターン10a、10cと第3線路状導体パターン9a、9cとが交差し、第2インダクタL2において、第1線路状導体パターン10b、10dと第3線路状導体パターン9b、9dとが交差するようにする。

Description

積層型LCフィルタ
 本発明は積層型LCフィルタに関し、さらに詳しくは、インダクタンス値が大きく、Q値が高いインダクタを備えた、挿入損失の小さい積層型LCフィルタに関する。
 複数の誘電体層が積層された積層体の内部に、インダクタとキャパシタとが形成された積層型LCフィルタが、種々の電子機器に使用されている。
 そのような積層型LCフィルタが、特許文献1(特開2014-57277号公報)に開示されている。
 図11に、特許文献1に開示された積層型LCフィルタ(高周波フィルタ)1000を示す。
 積層型LCフィルタ1000は、8層の誘電体層(絶縁体層)101a~101hが積層された積層体101を備える。
 誘電体層101aの下側主面に、第1入出力端子(外部電極)102aと、第2入出力端子(外部電極)102bと、グランド端子(外部電極)103とが形成されている。
 誘電体層101bの上側主面に、2つのキャパシタ導体パターン(共振容量導体)104a、104bが形成されている。
 また、誘電体層101bに、6つのビア導体105a~105fが形成されている。
 誘電体層101cの上側主面に、グランド導体パターン(接地導体)106が形成されている。
 また、誘電体層101cに、前出の4つのビア導体105c~105fが形成されている。また、誘電体層101cに、新たに2つのビア導体105g、105hが形成されている。なお、異なる誘電体層に形成された符号が同一のビア導体同士は相互に接合されている。たとえば、誘電体層101bに形成されたビア導体105cと、誘電体層101cに形成された105cとは相互に接合された一体物であり、同一の符号を付している(以下、本明細書において同じ)。
 誘電体層101dの上側主面に、2つのキャパシタ導体パターン104c、104dが形成されている。
 また、誘電体層101dに、前出の2つのビア導体105g、105hが形成されている。また、誘電体層101dには、新たに4つのビア導体105i~105lが形成されている。
 誘電体層101eの上側主面に、浮き導体107が形成されている。
 また、誘電体層101eに、前出の6つのビア導体105g~105lが形成されている。また、誘電体層101eには、新たに2つのビア導体105m、105nが形成されている。
 誘電体層101fの上側主面に、4つの線路状導体パターン(線路導体)108a~108dが形成されている。
 また、誘電体層101fに、前出の8つのビア導体105g~105nが形成されている。
 誘電体層101gの上側主面に、4つの線路状導体パターン108e~108hが形成されている。
 また、誘電体層101gには、前出の8つのビア導体105g~105nが形成されている。
 誘電体層101hは、保護層であり、導体パターン、ビア導体は形成されていない。
 第1入出力端子102aとキャパシタ導体パターン104aとが、ビア導体105aによって接続されている。また、第2入出力端子102bとキャパシタ導体パターン104bとが、ビア導体105bによって接続されている。さらに、グランド端子103とグランド導体パターン106とが、4つのビア導体105c~105fによって接続されている。
 積層型LCフィルタ1000は、積層体101の内部に、ビア導体105g~105nと、線路状導体パターン108a~108hとを使って、4つのループ状のインダクタ(第1インダクタ~第4インダクタ)が構成されている。
 まず、ビア導体105gと、線路状導体パターン108a、108eと、ビア導体105iが順番にループ状に接続されて、キャパシタ導体パターン104aとグランド導体パターン106との間に、ループビアと呼ばれる構造の第1インダクタが構成されている。なお、第1インダクタにおいては、2つの線路状導体パターン108a、108eを1組として接続することにより、内部抵抗を小さくしてQ値の向上をはかっている(後述する第2インダクタ~第4インダクタにおいて同じ)。
 ビア導体105mと、線路状導体パターン108b、108fと、ビア導体105jが順番にループ状に接続されて、キャパシタ導体パターン104cとグランド導体パターン106との間に、ループビア構造の第2インダクタが構成されている。
 ビア導体105nと、線路状導体パターン108c、108gと、ビア導体105kが順番にループ状に接続されて、キャパシタ導体パターン104dとグランド導体パターン106との間に、ループビア構造の第3インダクタが構成されている。
 ビア導体105hと、線路状導体パターン108d、108hと、ビア導体105lが順番にループ状に接続されて、キャパシタ導体パターン104bとグランド導体パターン106との間に、ループビア構造の第4インダクタが構成されている。
 また、積層型LCフィルタ1000は、積層体101の内部に、キャパシタ導体パターン104a~104dと、グランド導体パターン106とを使って、第1キャパシタ~第4キャパシタが構成されている。
 まず、キャパシタ導体パターン104aとグランド導体パターン106との間の容量によって第1キャパシタが構成されている。
 キャパシタ導体パターン104cとグランド導体パターン106との間の容量によって第2キャパシタが構成されている。
 キャパシタ導体パターン104dとグランド導体パターン106との間の容量によって第3キャパシタが構成されている。
 キャパシタ導体パターン104bとグランド導体パターン106との間の容量によって第4キャパシタが構成されている。
 そして、第1インダクタと第1キャパシタとが並列に接続されて第1LC共振器が構成されている。また、第2インダクタと第2キャパシタとが並列に接続されて第2LC共振器が構成され、第3インダクタと第3キャパシタとが並列に接続されて第3LC共振器が構成され、第4インダクタと第4キャパシタとが並列に接続されて第4LC共振器が構成されている。
 積層型LCフィルタ1000は、第1入出力端子102aと第2入出力端子102bとの間に、第1LC共振器~第4LC共振器が順番に接続され、4段のバンドパスフィルタが構成されている。
特開2014-57277号公報
 積層型LCフィルタ1000は、第1インダクタ~第4インダクタが、それぞれ、ビア導体と線路状導体パターンとビア導体が順番にループ状に接続された(線路状導体パターンの両側にビア導体が接続された)、単純なループビア構造によって構成されているため、第1インダクタ~第4インダクタのインダクタンス値を、それぞれ、大きくすることが難しいという問題があった。すなわち、単純なループビア構造からなるインダクタは、インダクタ長に占める線路状導体パターンの両側に接続された2つのビア導体の長さの割合が大きいため、インダクタ長を大きくしてインダクタンス値を大きくするためには、2つのビア導体の長さを、それぞれ長くすることが効率的で好ましい。しかしながら、積層型LCフィルタ1000のような積層型LCフィルタにおいて、インダクタを構成するビア導体の長さを長くしようとした場合、積層される誘電体層の層数を増やしたり、各誘電体層の厚みを大きくしたりすることが必要になり、積層型LCフィルタ(積層体)の高さ寸法が大きくなってしまうという問題があった。そのため、積層型LCフィルタ1000は、第1インダクタ~第4インダクタのインダクタンス値を大きくすることが難しかった。
 LCフィルタ(積層型LCフィルタを含む)においては、各LC共振器を構成するインダクタのインダクタンス値を大きくし、インダクタのQ値を高くして、挿入損失を小さくすることが望ましい。しかしながら、積層型LCフィルタ1000は、高さ寸法が大きくなってしまうため、第1インダクタ~第4インダクタのインダクタンス値を大きくし、第1インダクタ~第4インダクタのQ値を高くすることが難しく、挿入損失を小さくすることが難しかった。
 また、LCフィルタ(積層型LCフィルタを含む)においては、所望の周波数特性を得るために、各LC共振器を構成するインダクタのインダクタンス値を大きく設定したい場合がある。しかしながら、積層型LCフィルタ1000は、高さ寸法が大きくなってしまうため、第1インダクタ~第4インダクタのインダクタンス値を大きくすることが難しく、所望の周波数特性を得るのが難しかった。
 一方、近年、スマートホン、タブレットコンピュータ、携帯電話、携帯型音楽プレーヤーなどの電子機器においては、市場において薄型化が望まれ、急速に薄型化が進んでいる。電子機器の薄型化にともない、電子機器に使用される電子部品においても、低背化(薄型化)が強く望まれ、積層型LCフィルタも例外ではない。しかしながら、積層型LCフィルタ1000は、低背化すれば、第1インダクタ~第4インダクタのそれぞれの2つのビア導体の長さが短くなることでインダクタンス値が小さくなり、Q値が低くなるため、挿入損失が大きくなったり、所望の周波数特性を得ることができなくなったりする虞があり、低背化が難しいという問題があった。
 本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の積層型LCフィルタは、複数の誘電体層が積層された積層体と、誘電体層の層間に形成された複数の線路状導体パターンと、誘電体層の層間に形成された複数のキャパシタ導体パターンと、誘電体層の層間に形成された少なくとも1つのグランド導体パターンと、誘電体層を貫通して形成された複数のビア導体と、を備え、ビア導体と線路状導体パターンとが、交互に接続されることによって複数のインダクタが構成され、キャパシタ導体パターンとグランド導体パターンとの間の容量、または、キャパシタ導体パターン同士の間の容量によって複数のキャパシタが構成され、インダクタとキャパシタとが接続されて複数のLC共振器が構成され、少なくとも1つのインダクタが、少なくとも3つの線路状導体パターンを含み、積層体を誘電体層の積層方向に透視したとき、そのインダクタが含む2つの線路状導体パターンが、相互に交差しているものとした。
 少なくとも1つのインダクタが、少なくとも第1線路状導体パターンと第2線路状導体パターンと第3線路状導体パターンとを含み、キャパシタ導体パターンと第1線路状導体パターンとがビア導体によって接続され、第1線路状導体パターンと第2線路状導体パターンとがビア導体によって接続され、第2線路状導体パターンと第3線路状導体パターンとがビア導体によって接続され、第3線路状導体パターンとグランド導体パターンとがビア導体によって接続され、積層体を誘電体層の積層方向に透視したとき、第1線路状導体パターンと第3線路状導体パターンとが交差しているものとすることができる。この場合には、容易に、本発明の積層型LCフィルタを構成することができる。
 積層体の内部に、第2線路状導体パターンと第3線路状導体パターンと第1線路状導体パターンとが、この順番で積層され、第2線路状導体パターンと第3線路状導体パターンとの間の距離が、第3線路状導体パターンと第1線路状導体パターンと間の距離よりも長いことが好ましい。あるいは、積層体の内部に、第2線路状導体パターンと第1線路状導体パターンと第3線路状導体パターンとが、この順番で積層され、第2線路状導体パターンと第1線路状導体パターンとの間の距離が、第1線路状導体パターンと第3線路状導体パターンと間の距離よりも長いことが好ましい。これらの場合には、積層体内部の体積を有効に活用し、インダクタのインダクタンス値を大きくし、インダクタのQ値を高くすることができる。
 交差の角度は、90°であることが好ましい。この場合には、交差する線路状導体パターンがそれぞれ発生させる磁束が、相互に干渉するのを最小限に抑えることができ、インダクタのインダクタンス値を大きくし、インダクタのQ値を高くすることができる。
 本発明の積層型LCフィルタは、インダクタのインダクタ長が大きいため、インダクタのインダクタンス値が大きく、その結果、インダクタのQ値が大きい。したがって、本発明の積層型LCフィルタは挿入損失が小さい。
 また、本発明の積層型LCフィルタは、インダクタのインダクタンス値を大きくすることができ、インダクタのインダクタンス値を所望の値に設定することができるため、容易に所望の周波数特性を得ることができる。
 また、本発明の積層型LCフィルタは、低背化しても、インダクタのインダクタンス値およびQ値の低下を小さく抑えることができるため、低背化が可能である。
第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100の斜視図である。 積層型LCフィルタ100の分解斜視図である。 積層型LCフィルタ100の等価回路図である。 図4(A)は積層型LCフィルタ100の要部斜視図である。図4(B)は積層型LCフィルタ100の要部平面図である。 積層型LCフィルタ100の周波数特性図である。 図6(A)は比較例1にかかる積層型LCフィルタ1200の要部斜視図である。図6(B)は積層型LCフィルタ1200の要部平面図である。 積層型LCフィルタ1200の周波数特性図である。 図8(A)は比較例2にかかる積層型LCフィルタ1300の要部斜視図である。図8(B)は積層型LCフィルタ1300の要部平面図である。 積層型LCフィルタ1300の周波数特性図である。 第2実施形態にかかる積層型LCフィルタ200の分解斜視図である。 特許文献1に開示された積層型LCフィルタ1000の分解斜視図である。
 以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
 なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
 [第1実施形態]
 図1~図4に、第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100を示す。ただし、図1は積層型LCフィルタ100の斜視図である。図2は積層型LCフィルタ100の分解斜視図である。図3は積層型LCフィルタ100の等価回路図である。図4(A)は積層型LCフィルタ100の要部斜視図である。図4(B)は積層型LCフィルタ100の要部平面図である。
 積層型LCフィルタ100は、直方体形状からなる積層体1を備える。
 積層体1の下側主面に、第1入出力端子2aと、第2入出力端子2bと、グランド端子3が形成されている。
 積層体1は、図2に示すように、たとえばセラミックなどからなる19層の誘電体層1a~1sが下から順番に積層されたものからなる。
 誘電体層1aの下側主面に、第1入出力端子2aと、第2入出力端子2bと、グランド端子3が形成されている。
 また、誘電体層1aを貫通して、ビア導体4a、4b、4cが形成されている。
 また、誘電体層1aの上側主面に、キャパシタ導体パターン5a、5bと、グランド導体パターン6aが形成されている。キャパシタ導体パターン5aと第1入出力端子2aとが、ビア導体4aによって接続されている。キャパシタ導体パターン5bと第2入出力端子2bとが、ビア導体4bによって接続されている。グランド導体パターン6aとグランド端子3とが、ビア導体4cによって接続されている。
 誘電体層1bを貫通して、ビア導体4d、4e、4fが形成されている。
 また、誘電体層1bの上側主面に、キャパシタ導体パターン5c、5dが形成されている。キャパシタ導体パターン5cとキャパシタ導体パターン5dとは、相互に接続されている。
 誘電体層1cを貫通して、前出のビア導体4d、4e、4fが形成されている。なお、異なる誘電体層に形成された符号が同一のビア導体同士は相互に接合されている。たとえば、誘電体層1bに形成されたビア導体4dと、誘電体層1cに形成された4dとは相互に接合された一体物であり、同一の符号を付している。
 また、誘電体層1cの上側主面に、キャパシタ導体パターン5e、5fが形成されている。キャパシタ導体パターン5eとキャパシタ導体パターン5aとが、ビア導体4dによって接続されている。キャパシタ導体パターン5fとキャパシタ導体パターン5bとが、ビア導体4eによって接続されている。
 誘電体層1dを貫通して、前出のビア導体4fと、新たなビア導体4g、4hが形成されている。
 また、誘電体層1dの上側主面に、グランド導体パターン6bが形成されている。グランド導体パターン6bとグランド導体パターン6aとが、ビア導体4fによって接続されている。
 誘電体層1eを貫通して、前出のビア導体4g、4hと、新たなビア導体4iが形成されている。
 また、誘電体層1eの上側主面に、中継導体パターン7と、第2線路状導体パターン8a、8bが形成されている。中継導体パターン7と、グランド導体パターン6bとが、ビア導体4iによって接続されている。
 誘電体層1fを貫通して、前出のビア導体4g、4hと、新たなビア導体4j、4k、4l、4m、4n、4oが形成されている。
 また、誘電体層1fの上側主面に、第2線路状導体パターン8c、8dが形成されている。なお、ビア導体を介した、線路状導体パターンの接続関係については、後ろでまとめて説明する。
 誘電体層1g~1oは、ビア導体4g、4h、4j、4k、4l、4m、4n、4oの長さを大きくするなどの目的で積層されたものである。
 誘電体層1g~1oを貫通して、前出のビア導体4g、4h、4j、4k、4l、4m、4n、4oが形成されている。
 また、誘電体層1oの上側主面に、第3線路状導体パターン9a、9bが形成されている。
 誘電体層1pを貫通して、前出のビア導体4g、4h、4j、4k、4l、4m、4n、4oが形成されている。
 また、誘電体層1pの上側主面に、第3線路状導体パターン9c、9dが形成されている。
 誘電体層1qを貫通して、前出のビア導体4g、4h、4j、4kが形成されている。
 また、誘電体層1qの上側主面に、第1線路状導体パターン10a、10bが形成されている。
 誘電体層1rを貫通して、前出のビア導体4g、4h、4j、4kが形成されている。
 また、誘電体層1rの上側主面に、第1線路状導体パターン10c、10dが形成されている。
 誘電体層1sは保護層であり、キャパシタ導体パターン、グランド導体パターン、線路状導体パターン、ビア導体などは形成されていない。
 図4(A)に、積層型LCフィルタ100から、キャパシタ導体パターン5e、5f、グランド導体パターン6b、中継導体パターン7、第2線路状導体パターン8a、8b、8c、8d、第3線路状導体パターン9a、9b、9c、9d、第1線路状導体パターン10a、10b、10c、10d、ビア導体4g、4h、4i、4j、4k、4l、4m、4n、4oを抜き出して示す。なお、図4(A)は斜視図である。
 キャパシタ導体パターン5eと、第1線路状導体パターン10a、10cの一端とが、ビア導体4gによって接続されている。第1線路状導体パターン10a、10cの他端と、第2線路状導体パターン8a、8cの一端とが、ビア導体4jによって接続されている。第2線路状導体パターン8a、8cの他端と、第3線路状導体パターン9a、9cの一端とが、ビア導体4lによって接続されている。第3線路状導体パターン9a、9cの他端と、中継導体パターン7とが、ビア導体4nによって接続されている。中継導体パターン7と、グランド導体パターン6bとが、ビア導体4iによって接続されている。
 積層型LCフィルタ100は、ビア導体4g、第1線路状導体パターン10a、10c、ビア導体4j、第2線路状導体パターン8a、8c、ビア導体4l、第3線路状導体パターン9a、9c、ビア導体4n、中継導体パターン7、ビア導体4iを順に繋ぐ導体線路によって、第1インダクタL1が構成されている。
 第1インダクタL1においては、第1線路状導体パターン10aと第1線路状導体パターン10c、第2線路状導体パターン8aと第2線路状導体パターン8c、第3線路状導体パターン9aと第3線路状導体パターン9cとを、それぞれ1組として接続することにより、内部抵抗を小さくして、Q値の向上をはかっている。
 また、第1インダクタL1は、第2線路状導体パターン8a、8cと第3線路状導体パターン9a、9cとの間の距離が、第3線路状導体パターン9a、9cと第1線路状導体パターン10a、10cと間の距離よりも大きく設定されており、積層体1内部の体積が有効に活用されており、大きなインダクタンス値を備えている。
 同様に、キャパシタ導体パターン5fと、第1線路状導体パターン10b、10dの一端とが、ビア導体4hによって接続されている。第1線路状導体パターン10b、10dの他端と、第2線路状導体パターン8b、8dの一端とが、ビア導体4kによって接続されている。第2線路状導体パターン8b、8dの他端と、第3線路状導体パターン9b、9dの一端とが、ビア導体4mによって接続されている。第3線路状導体パターン9b、9dの他端と、中継導体パターン7とが、ビア導体4oによって接続されている。中継導体パターン7と、グランド導体パターン6bとが、ビア導体4iによって接続されている。
 積層型LCフィルタ100は、ビア導体4h、第1線路状導体パターン10b、10d、ビア導体4k、第2線路状導体パターン8b、8d、ビア導体4m、第3線路状導体パターン9b、9d、ビア導体4o、中継導体パターン7、ビア導体4iを順に繋ぐ導体線路によって、第2インダクタL2が構成されている。なお、中継導体パターン7およびビア導体4iの部分については、第1インダクタL1と第2インダクタL2とで兼用している。
 第2インダクタL2においては、第1線路状導体パターン10bと第1線路状導体パターン10d、第2線路状導体パターン8bと第2線路状導体パターン8d、第3線路状導体パターン9bと第3線路状導体パターン9dとを、それぞれ1組として接続することにより、内部抵抗を小さくして、Q値の向上をはかっている。
 また、第2インダクタL2は、第2線路状導体パターン8b、8dと第3線路状導体パターン9b、9dとの間の距離が、第3線路状導体パターン9b、9dと第1線路状導体パターン10b、10dと間の距離よりも大きく設定されており、積層体1内部の体積が有効に活用されており、大きなインダクタンス値を備えている。
 以上のような構造を備えた第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100は、従来から積層型LCフィルタにおいて広く使用されている材料および製造方法を使用して、作製することができる。
 以上のような構造を備えた第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100は、図3に示す等価回路を備えている。
 積層型LCフィルタ100は、第1インダクタL1と第1キャパシタC1とが並列に接続された第1LC共振器と、第2インダクタL2と第2キャパシタC2とが並列に接続された第2LC共振器とを備える。第1LC共振器は、一端が第1入出力端子2aに接続され、他端がグランドに接続されている。第2LC共振器は、一端が第2入出力端子2bに接続され、他端がグランドに接続されている。また、第1LC共振器の一端と、第2LC共振器の一端とが、キャパシタC3によって接続されている。
 次に、積層型LCフィルタ100の構造と等価回路との関係について、図2~図4を参照しながら説明する。
 積層型LCフィルタ100において、第1インダクタL1は、上述したとおり、ビア導体4g、第1線路状導体パターン10a、10c、ビア導体4j、第2線路状導体パターン8a、8c、ビア導体4l、第3線路状導体パターン9a、9c、ビア導体4n、中継導体パターン7、ビア導体4iを順に繋ぐ導体線路によって構成されている。
 第1キャパシタC1は、キャパシタ導体パターン5eと、グランド導体パターン6bとの間の容量により構成されている。
 第1インダクタL1の一端であるビア導体4gと、第1キャパシタC1の一方の電極であるキャパシタ導体パターン5eとが、相互に接続されている。また、第1インダクタL1の他端であるビア導体4iと、第1キャパシタC1の他方の電極であるグランド導体パターン6bとが、相互に接続されている。この結果、第1インダクタL1と第1キャパシタC1とが並列に接続され、第1LC共振器が構成されている。なお、キャパシタ導体パターン5eは、ビア導体4d、キャパシタ導体パターン5a、ビア導体4aを経由して、第1入出力端子2aに接続されている。グランド導体パターン6bは、ビア導体4f、グランド導体パターン6a、ビア導体4cを経由して、グランド端子3に接続されている。
 第2インダクタL2は、上述したとおり、ビア導体4h、第1線路状導体パターン10b、10d、ビア導体4k、第2線路状導体パターン8b、8d、ビア導体4m、第3線路状導体パターン9b、9d、ビア導体4o、中継導体パターン7、ビア導体4iを順に繋ぐ導体線路によって構成されている。
 第2キャパシタC2は、キャパシタ導体パターン5fと、グランド導体パターン6bとの間の容量により構成されている。
 第2インダクタL2の一端であるビア導体4hと、第2キャパシタC2の一方の電極であるキャパシタ導体パターン5fとが、相互に接続されている。また、第2インダクタL2の他端であるビア導体4iと、第2キャパシタC2の他方の電極であるグランド導体パターン6bとが、相互に接続されている。この結果、第2インダクタL2と第2キャパシタC2とが並列に接続され、第2LC共振器が構成されている。なお、キャパシタ導体パターン5fは、ビア導体4e、キャパシタ導体パターン5b、ビア導体4bを経由して、第2入出力端子2bに接続されている。グランド導体パターン6bは、上述したとおり、ビア導体4f、グランド導体パターン6a、ビア導体4cを経由して、グランド端子3に接続されている。
 キャパシタC3は、キャパシタ導体パターン5a、5eとキャパシタ導体パターン5cとの間の容量、および、キャパシタ導体パターン5dとキャパシタ導体パターン5b、5fとの間の容量によって構成されている。なお、上述したとおり、キャパシタ導体パターン5cとキャパシタ導体パターン5dとは、相互に接続されている。
 以上のような構造および等価回路を備えた第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100は、第1インダクタL1および第2インダクタL2のインダクタンス値が大きく、Q値が高く、挿入損失が小さいという特長を備えている。
 図4(B)に、積層型LCフィルタ100から、第1インダクタL1および第2インダクタL2を構成する、中継導体パターン7、第2線路状導体パターン8a、8b、8c、8d、第3線路状導体パターン9a、9b、9c、9d、第1線路状導体パターン10a、10b、10c、10d、ビア導体4g、4h、4i、4j、4k、4l、4m、4n、4oを抜き出して示す。図4(B)は平面図である。なお、図4(B)には、電流の流れる方向を破線矢印で示している。
 図4(B)から分かるように、第1インダクタL1は、積層体1の積層方向に見たとき、第1線路状導体パターン10a、10cと、第3線路状導体パターン9a、9cとが、90度の角度で交差している。第1インダクタL1は、このような構造をとることにより、インダクタ長が大きくなっており、大きなインダクタンス値と、高いQ値を備えている。なお、第1線路状導体パターン10a、10cと第3線路状導体パターン9a、9cとを90度の角度で交差させることにより、それぞれが発生させる磁束の干渉が最小限に抑えられており、インダクタンス値の低下が回避されている。
 同様に、図4(B)から分かるように、第2インダクタL2は、積層体1の積層方向に見たとき、第1線路状導体パターン10b、10dと、第3線路状導体パターン9b、9dとが、90度の角度で交差している。第2インダクタL2は、このような構造をとることにより、インダクタ長が大きくなっており、大きなインダクタンス値と、高いQ値を備えている。なお、第1線路状導体パターン10b、10dと第3線路状導体パターン9b、9dとを90度の角度で交差させることにより、それぞれが発生させる磁束の干渉が最小限に抑えられており、インダクタンス値の低下が回避されている。
 積層型LCフィルタ100の周波数特性を、図5に示す。
 また、比較のために、比較例1にかかる積層型LCフィルタ1200と、比較例2にかかる積層型LCフィルタ1300を用意した。
 比較例1にかかる積層型LCフィルタ1200を、図6(A)、(B)に示す。図6(A)は要部斜視図、図6(B)は要部平面図である。なお、図6(B)には、電流の流れる方向を破線矢印で示している。
 比較例1にかかる積層型LCフィルタ1200は、ヘリカル構造の第1インダクタL11と第2インダクタL12を備えている。積層型LCフィルタ1200の第1インダクタL11、第2インダクタL12以外の構成については、積層型LCフィルタ100と同じにした。なお、積層型LCフィルタ1200において、積層型LCフィルタ100と同一の構成部分については、同一の符号を付した。
 第1インダクタL11は、ビア導体14g、第1線路状導体パターン20a、20c、ビア導体14j、第2線路状導体パターン18a、18c、ビア導体14l、第3線路状導体パターン19a、19c、ビア導体14n、中継導体パターン7、ビア導体4iを順に繋ぐ導体線路によって構成されている。第1インダクタL11は、導体線路がヘリカル構造をなしているが、第1線路状導体パターン20a、20cと第3線路状導体パターン19a、19cとが交差しておらず、積層型LCフィルタ100の第1インダクタL1に比べて、インダクタ長が小さく、インダクタンス値が小さく、Q値が低い。
 第2インダクタL12は、ビア導体14h、第1線路状導体パターン20b、20d、ビア導体14k、第2線路状導体パターン18b、18d、ビア導体14m、第3線路状導体パターン19b、19d、ビア導体14o、中継導体パターン7、ビア導体4iを順に繋ぐ導体線路によって構成されている。第2インダクタL12は、導体線路がヘリカル構造をなしているが、第1線路状導体パターン20b、20dと第3線路状導体パターン19b、19dとが交差しておらず、積層型LCフィルタ100の第2インダクタL2に比べて、インダクタ長が小さく、インダクタンス値が小さく、Q値が低い。
 比較例1にかかる積層型LCフィルタ1200の周波数特性を、図7に示す。
 比較例2にかかる積層型LCフィルタ1300を、図8(A)、(B)に示す。図8(A)は要部斜視図、図8(B)は要部平面図である。なお、図8(B)には、電流の流れる方向を破線矢印で示している。
 比較例2にかかる積層型LCフィルタ1300は、第1インダクタL21と第2インダクタL22を備えている。積層型LCフィルタ1300の第1インダクタL21、第2インダクタL22以外の構成については、積層型LCフィルタ100と同じにした。なお、積層型LCフィルタ1300において、積層型LCフィルタ100と同一の構成部分については、同一の符号を付した。
 第1インダクタL21は、ビア導体24g、L字形状の第1線路状導体パターン30a、30c、ビア導体24j、中継導体パターン7、ビア導体4iを順に繋ぐ導体線路によって構成されている。第1インダクタL21は、積層型LCフィルタ100の第1インダクタL1および積層型LCフィルタ1200の第1インダクタL11に比べて、インダクタ長が小さく、インダクタンス値が小さく、Q値が低い。
 第2インダクタL22は、ビア導体24h、L字形状の第1線路状導体パターン30b、30d、ビア導体24k、中継導体パターン7、ビア導体4iを順に繋ぐ導体線路によって構成されている。第2インダクタL22は、積層型LCフィルタ100の第2インダクタL2および積層型LCフィルタ1200の第2インダクタL12に比べて、インダクタ長が小さく、インダクタンス値が小さく、Q値が低い。
 比較例2にかかる積層型LCフィルタ1300の周波数特性を、図9に示す。
 図5、図7、図9から分かるように、第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100、比較例1にかかる積層型LCフィルタ1200、比較例2にかかる積層型LCフィルタ1300は、それぞれ、バンドパスフィルタとしての周波数特性を備えている。
 積層型LCフィルタ100、積層型LCフィルタ1200、積層型LCフィルタ1300、それぞれにつき、通過帯域内の2.400GHz(M01)、2.500GHz(M02)と、通過帯域外の1.608GHz(M03)において、S(2、1)特性における減衰量を測定した。
 積層型LCフィルタ100の通過帯域内の減衰量は、2.400GHz(M01)において-0.820dB、2.500GHz(M02)において-0.771dBであり、小さかった。
 これに対し、積層型LCフィルタ1200の通過帯域内の減衰量は、2.400GHz(M01)において-0.873dB、2.500GHz(M02)において-0.882dBであり、大きかった。また、積層型LCフィルタ1300の通過帯域内の減衰量は、2.400GHz(M01)において-1.212dB、2.500GHz(M02)において-1.088dBであり、さらに大きかった。
 第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100において、通過帯域内の減衰量が小さかったのは、第1インダクタL1および第2インダクタL2が、それぞれ、インダクタ長が大きく、インダクタンス値が大きく、Q値が高いためであると考えられる。第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100は、比較例にかかる積層型LCフィルタ1200、1300に比べて、挿入損失の小さい、優れた周波数特性を備えている。
 [第2実施形態]
 図10に、第2実施形態にかかる積層型LCフィルタ200を示す。ただし、図2は積層型LCフィルタ200の分解斜視図である。
 積層型LCフィルタ200は、第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100に対して、新たな構成を追加した。
 具体的には、積層型LCフィルタ200は、積層型LCフィルタ100の積層体1を構成する誘電体層1rと誘電体層1sとの間に、上側主面にグランド導体パターン16cが形成された誘電体層11xを追加した。また、積層型LCフィルタ200は、積層型LCフィルタ100の、一端が中継導体パターン7に接続されたビア導体4n、4oの他端を、誘電体層11xにまで延長させ、グランド導体パターン16cに接続させた。すなわち、積層型LCフィルタ100では、ビア導体4n、4oは、誘電体層1f~1pに形成されていたが、積層型LCフィルタ200では、ビア導体4n、4oを、誘電体層1f~1pに加えて、誘電体層1q、1r、11xにも形成した。
 第2実施形態にかかる積層型LCフィルタ200は、第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100が奏している効果に加えて、次のような効果を奏している。すなわち、積層型LCフィルタ200は、グランド導体パターン16cによって、外部からのノイズの侵入が抑制され、外部からのノイズによる誤作動が抑制されている。また、積層型LCフィルタ200は、グランド導体パターン16cによって、外部へのノイズの漏えいが抑制されている。
 以上、第1実施形態にかかる積層型LCフィルタ100、第2実施形態にかかる積層型LCフィルタ200について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
 たとえば、積層型LCフィルタ100、200では、2段のバンドパスフィルタを構成したが、フィルタの種類は任意であり、ハイパスフィルターや、ローパスフィルターであっても良い。また、段数も、2段には限定されず、3段以上であっても良い。また、フィルタの回路も任意であり、自由に設定することができる。
 また、積層型LCフィルタ100、200では、積層体1の内部に、下から順番に、第2線路状導体パターン8a~8d、第3線路状導体パターン9a~9d、第1線路状導体パターン10a~10dを積層したが、この順番を変更し、積層体1の内部に、下から順番に、第2線路状導体パターン8a~8d、第1線路状導体パターン10a~10d、第3線路状導体パターン9a~9dを積層するようにしても良い。
1、11・・・積層体
1a~1s、11x・・・誘電体層
2a・・・第1入出力端子
2b・・・第2入出力端子
3・・・グランド端子
4a~4o・・・ビア導体
5a~5f・・・キャパシタ導体パターン
6a、6b、16c・・・グランド導体パターン
7・・・中継導体パターン
8a~8d・・・第2線路状導体パターン
9a~9d・・・第3線路状導体パターン
10a~10d・・・第1線路状導体パターン
L1・・・第1インダクタ
L2・・・第2インダクタ

Claims (5)

  1.  複数の誘電体層が積層された積層体と、
     前記誘電体層の層間に形成された複数の線路状導体パターンと、
     前記誘電体層の層間に形成された複数のキャパシタ導体パターンと、
     前記誘電体層の層間に形成された少なくとも1つのグランド導体パターンと、
     前記誘電体層を貫通して形成された複数のビア導体と、を備え、
     前記ビア導体と前記線路状導体パターンとが、交互に接続されることによって複数のインダクタが構成され、
     前記キャパシタ導体パターンと前記グランド導体パターンとの間の容量、または、前記キャパシタ導体パターン同士の間の容量によって複数のキャパシタが構成され、
     前記インダクタと前記キャパシタとが接続されて複数のLC共振器が構成された積層型LCフィルタであって、
     少なくとも1つの前記インダクタが、少なくとも3つの前記線路状導体パターンを含み、前記積層体を前記誘電体層の積層方向に透視したとき、当該インダクタが含む2つの前記線路状導体パターンが、相互に交差している積層型LCフィルタ。
  2.  少なくとも1つの前記インダクタが、少なくとも第1線路状導体パターンと第2線路状導体パターンと第3線路状導体パターンとを含み、
     前記キャパシタ導体パターンと前記第1線路状導体パターンとが前記ビア導体によって接続され、
     前記第1線路状導体パターンと前記第2線路状導体パターンとが前記ビア導体によって接続され、
     前記第2線路状導体パターンと前記第3線路状導体パターンとが前記ビア導体によって接続され、
     前記第3線路状導体パターンと前記グランド導体パターンとが前記ビア導体によって接続され、
     前記積層体を前記誘電体層の積層方向に透視したとき、前記第1線路状導体パターンと前記第3線路状導体パターンとが交差している、請求項1に記載された積層型LCフィルタ。
  3.  前記積層体の内部に、前記第2線路状導体パターンと前記第3線路状導体パターンと前記第1線路状導体パターンとが、この順番で積層され、
     前記第2線路状導体パターンと前記第3線路状導体パターンとの間の距離が、前記第3線路状導体パターンと前記第1線路状導体パターンと間の距離よりも長い、請求項2に記載された積層型LCフィルタ。
  4.  前記積層体の内部に、前記第2線路状導体パターンと前記第1線路状導体パターンと前記第3線路状導体パターンとが、この順番で積層され、
     前記第2線路状導体パターンと前記第1線路状導体パターンとの間の距離が、前記第1線路状導体パターンと前記第3線路状導体パターンと間の距離よりも長い、請求項2に記載された積層型LCフィルタ。
  5.  前記交差の角度が90°である、請求項1ないし4のいずれか1項に記載された積層型LCフィルタ。
      
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021111761A1 (ja) * 2019-12-03 2021-06-10
WO2022181651A1 (ja) * 2021-02-26 2022-09-01 株式会社村田製作所 積層型lcフィルタ
WO2023127245A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびそれを搭載した高周波フロントエンド回路

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN216487543U (zh) * 2019-06-04 2022-05-10 株式会社村田制作所 电路元件
CN113939999A (zh) * 2019-07-09 2022-01-14 株式会社村田制作所 Lc滤波器
JP2023042194A (ja) * 2021-09-14 2023-03-27 Tdk株式会社 積層型電子部品

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014885A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Murata Mfg Co Ltd 積層型電子部品
JP2006066769A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Tokyo Institute Of Technology インダクタ及びその製造方法
JP2012105026A (ja) * 2010-11-09 2012-05-31 Murata Mfg Co Ltd 積層型lcフィルタ
WO2013146568A1 (ja) * 2012-03-27 2013-10-03 株式会社村田製作所 電子部品

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6121608A (ja) * 1984-07-10 1986-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリントフィルタ
JP5621823B2 (ja) 2012-09-14 2014-11-12 株式会社村田製作所 高周波フィルタ
JP5970714B2 (ja) * 2013-10-30 2016-08-17 株式会社村田製作所 電子部品
CN107005213B (zh) * 2014-12-10 2020-07-21 株式会社村田制作所 电子部件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014885A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Murata Mfg Co Ltd 積層型電子部品
JP2006066769A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Tokyo Institute Of Technology インダクタ及びその製造方法
JP2012105026A (ja) * 2010-11-09 2012-05-31 Murata Mfg Co Ltd 積層型lcフィルタ
WO2013146568A1 (ja) * 2012-03-27 2013-10-03 株式会社村田製作所 電子部品

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021111761A1 (ja) * 2019-12-03 2021-06-10
WO2021111761A1 (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 株式会社村田製作所 積層フィルタ
JP7251658B2 (ja) 2019-12-03 2023-04-04 株式会社村田製作所 積層フィルタ
WO2022181651A1 (ja) * 2021-02-26 2022-09-01 株式会社村田製作所 積層型lcフィルタ
WO2023127245A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびそれを搭載した高周波フロントエンド回路

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