CN107731451A - 电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够一种在被第一～第三线圈导体层包围的区域配置磁芯的电子部件。本发明所涉及的电子部件的特征在于，一次线圈电连接在第一外部电极与第四外部电极之间，二次线圈电连接在第二外部电极与第五外部电极之间，三次线圈电连接在第三外部电极与第六外部电极之间，第一层间连接导体与第一线圈导体层的内周侧的端部电连接，第二层间连接导体与第二线圈导体层的内周侧的端部电连接，第三层间连接导体与第三线圈导体层的内周侧的端部电连接，在从层叠方向观察时，第一层间连接导体、第二层间连接导体以及第三层间连接导体与磁芯相比不位于第二正交方向的一侧。

Description

电子部件

技术领域

本发明涉及一种具备共模滤波器的电子部件。

背景技术

作为以往的与共模滤波器有关的发明，例如，已知专利文献1所记载的共模扼流线圈。图12是专利文献1所记载的共模扼流线圈510的分解立体图。在图12中，将层叠体512的层叠方向定义为上下方向。

共模扼流线圈510具备层叠体512、线圈导体514、516、518、引出导体520、522、524以及贯通孔导体530、532、534。在从上侧观察时，线圈导体514、516、518呈顺时针旋回并且从外周侧朝向内周侧的漩涡状，并相互重合。另外，线圈导体516从上下两侧被线圈导体514和线圈导体518夹住。贯通孔导体530将引出导体520的一个端部与线圈导体514的内周侧的端部连接。贯通孔导体532将引出导体522的一个端部与线圈导体516的内周侧的端部连接。贯通孔导体534将引出导体524的一个端部与线圈导体518的内周侧的端部连接。引出导体520、522、524的另一侧的端部分别与外部电极(未图示)连接。在这样的共模扼流线圈510中，高频信号传输至线圈导体514、518，在线圈导体516连接接地电位。

专利文献1：日本特开2006－237080号公报

另外，在专利文献1所记载的共模扼流线圈510中，存在想要增大线圈导体514、516、518的电感值来增大共模阻抗这样的需求。因此，有在层叠体512内设置磁芯的情况。该情况下，期望磁芯在被线圈导体514、516、518包围的区域的较宽的范围内沿上下方向延伸。

然而，在共模扼流线圈510中，贯通孔导体530、532、534位于被线圈导体514、516、518包围的区域的中央附近。因此，在共模扼流线圈510中，被线圈导体514、516、518包围的区域由于贯通孔导体530、532、534而在中央附近断开，难以将能够配置磁芯的区域确保得较大。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够将被第一线圈导体层、第二线圈导体层以及第三线圈导体层包围的区域中能够配置磁芯的区域确保得较大的电子部件。

本发明的一方式所涉及的电子部件的特征在于，具备：主体，其包括沿层叠方向层叠包括多个第一绝缘体层的多个绝缘体层而构成的层叠体；一次线圈、二次线圈以及三次线圈，它们分别包括在上述层叠体中设置在上述层叠方向的相互不同的位置的漩涡状的第一线圈导体层、第二线圈导体层以及第三线圈导体层；第一外部电极、第二外部电极以及第三外部电极，它们设置在上述主体，并且从与该层叠方向正交的第一正交方向的一侧向另一侧依次排列；第四外部电极、第五外部电极以及第六的外部电极，它们设置在上述主体，并且从上述第一正交方向的一侧向另一侧依次排列，且与上述第一外部电极、上述第二外部电极以及上述第三外部电极相比位于与该层叠方向以及该第一正交方向正交的第二正交方向的一侧；磁芯，其沿上述层叠方向贯通上述多个第一绝缘体层，使得从上述层叠方向观察时，在被上述第一线圈导体层、上述第二线圈导体层以及上述第三线圈导体层包围的规定区域的中心沿该层叠方向通过该第一线圈导体层、该第二线圈导体层以及该第三线圈导体层，并具有比上述多个绝缘体层高的导磁率；以及第一层间连接导体、第二层间连接导体以及第三层间连接导体，在从上述层叠方向观察时，上述第一层间连接导体、上述第二层间连接导体以及上述第三层间连接导体在上述规定区域沿上述层叠方向贯通上述多个第一绝缘体层的至少一部分，上述一次线圈电连接在上述第一外部电极与上述第四外部电极之间，上述二次线圈电连接在上述第二外部电极与上述第五外部电极之间，上述三次线圈电连接在上述第三外部电极与上述第六外部电极之间，上述第一层间连接导体、上述第二层间连接导体以及上述第三层间连接导体分别与上述第一线圈导体层、上述第二线圈导体层以及上述第三线圈导体层的内周侧的端部电连接，在从上述层叠方向观察时，上述第一层间连接导体、上述第二层间连接导体以及上述第三层间连接导体与上述磁芯相比不位于该第二正交方向的一侧。

根据本发明，能够将被第一线圈导体层、第二线圈导体层以及第三线圈导体层包围的区域中能够配置磁芯的区域确保得较大。

附图说明

图1是电子部件10的外观立体图。

图2是图1的电子部件10的分解立体图。

图3是图1的电子部件10的B－B的剖面结构图。

图4是表示模拟结果的图表。

图5是电子部件10a的分解立体图。

图6是图5的电子部件10a的剖面结构图。

图7是表示电子部件10a的线圈导体层30a、32a、34a以及并联线圈导体层36的位置关系的示意图。

图8是表示电子部件10b的线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b、30c、32c、34c以及并联线圈导体层36的位置关系的示意图。

图9是从上侧俯视电子部件10c的绝缘体层26b、连接导体70d～70f、磁芯100以及层间连接导体v1～v3的图。

图10是从上侧俯视电子部件10d的绝缘体层26b、连接导体70d～70f、磁芯100以及层间连接导体v1～v3的图。

图11是从上侧俯视电子部件10e的绝缘体层26b、连接导体70d～70f、磁芯100以及层间连接导体v1～v3的图。

图12是专利文献1所记载的共模扼流线圈510的分解立体图。

附图标记说明

10、10a～10e：电子部件，12：主体，14a～14f：外部电极，16a～16f：连接部，20a、20b：磁性体基板，22：层叠体，24：磁性体层，26a～26f：绝缘体层，30a～30c、32a～32c、34a～34c：线圈导体层，36：并联线圈导体层，40a～45a、46、47、60、62、64：引出导体层，50～57：引出部，70a～70f：连接导体，100：磁芯，A、A1～A3：区域，Ga、Gb、Gc：线圈导体层组，L1：一次线圈，L2：二次线圈，L3：三次线圈，t1～t12：端部，v1～v3：层间连接导体。

具体实施方式

下面，对本发明的一实施方式所涉及的电子部件进行说明。

(电子部件的结构)

首先，参照附图对本发明的一实施方式所涉及的电子部件10的结构进行说明。图1是电子部件10的外观立体图。图2是图1的电子部件10的分解立体图。图3是图1的电子部件10的B－B的剖面结构图。以下，将电子部件10的层叠方向定义为上下方向。另外，将从上侧观察时长边所延伸的方向定义为前后方向(第一正交方向的一个例子)，并将短边所延伸的方向定义为左右方向(第二正交方向的一个例子)。另外，上下方向、前后方向以及左右方向相互正交。需要说明的是，层叠方向是指层叠后述的绝缘体层的方向。另外，使用电子部件10时的上下方向、左右方向以及前后方向也可以不与图1等中定义的上下方向、左右方向以及前后方向一致。

如图1～图3所示，电子部件10具备主体12、外部电极14a～14f、连接部16a～16f、引出部50～55、磁芯100、一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3。

如图1以及图2所示，主体12呈长方体状，包括磁性体基板20a、20b、层叠体22以及磁性体层24。主体12的左右方向的长度比主体12的前后方向的长度短。从上侧向下侧依次层叠磁性体基板20a、磁性体层24、层叠体22以及磁性体基板20b。另外，主体12具有上表面、下表面(位于层叠方向的一侧或者另一侧的面的一个例子)、右表面(位于第二正交方向的一侧的第一面的一个例子)、左表面(位于第二正交方向的另一侧的第二面的一个例子)、前表面以及后表面。主体12的上表面、下表面、右表面、左表面、前表面以及后表面实际上是平面。“实际上是平面”是指也包括通过对电子部件10实施滚筒抛光而使这些面稍微弯曲的面。

磁性体基板20a、20b是在从上侧观察时呈长方形的板状部件。以下，将磁性体基板20a、20b的上侧的主面称为上表面，并将磁性体基板20a、20b的下侧的主面称为下表面。在从上侧观察时，磁性体基板20b具有切掉四个角以及两条长边的中央的结构。更详细而言，在从上侧观察时，在磁性体基板20b的四个角分别设置有呈中心角为90°的扇形的切口。在从上侧观察时，在磁性体基板20b的两条长边的中央分别设置有呈半圆的切口。六个切口在磁性体基板20b的侧面沿上下方向延伸，使得从磁性体基板20b的上表面到达下表面。

磁性体基板20a、20b通过对烧结完毕的铁氧体陶瓷进行刮面来制成。另外，磁性体基板20a、20b也可以通过将由铁氧体预烧粉末、金属粉等磁性粉以及树脂等粘合剂构成的磁性膏体热固化或者涂覆于氧化铝等陶瓷基板来制成，也可以通过层叠铁氧体材料的生片并烧制来制成。

外部电极14a～14f设置在磁性体基板20b的下表面(即，主体12的下表面)上，呈长方形。更详细而言，在从上侧观察时，外部电极14a～14c分别具有与后述的线圈导体层30a、32a、34a相比位于主体12的左表面附近的部分。在本实施方式中，外部电极14a设置在位于磁性体基板20b的下表面的左后侧的角。外部电极14b设置在位于磁性体基板20b的下表面的左侧的长边的中央。外部电极14c设置在位于磁性体基板20b的下表面的左前侧的角。由此，从后侧向前侧(从第一正交方向的一侧向另一侧的一个例子)依次排列外部电极14a～14c。

另外，在从上侧观察时，外部电极14d～14f分别具有与后述的线圈导体层30a、32a、34a相比位于主体12的右表面附近的部分。由此，外部电极14d～14f与外部电极14a～14c相比位于右侧(第二正交方向的一侧的一个例子)。外部电极14d设置在位于磁性体基板20b的下表面的右后侧的角。外部电极14e设置在位于磁性体基板20b的下表面的右侧的长边的中央。外部电极14f设置在位于磁性体基板20b的下表面的右前侧的角。由此，从后侧向前侧(从第一正交方向的一侧向另一侧的一个例子)依次排列有外部电极14d～14f。外部电极14a～14f通过溅射法使Au膜、Ni膜、Cu膜、Ti膜、Ag膜、Sn膜等成膜或者重叠成膜而制成。需要说明的是，外部电极14a～14f也可以通过印刷以及烧制含有金属的膏体来制成，也可以通过蒸镀、镀敷方法使Ag、Cu等成膜来制成。

连接部16a～16f分别设置在设置于磁性体基板20b的六个切口。连接部16a设置在位于磁性体基板20b的左后侧的切口，在其下端与外部电极14a连接。连接部16b设置在位于磁性体基板20b的左侧的长边的中央的切口，在其下端与外部电极14b连接。连接部16c设置在位于磁性体基板20b的左前侧的切口，在其下端与外部电极14c连接。连接部16d设置在位于磁性体基板20b的右后侧的切口，在其下端与外部电极14d连接。连接部16e设置在位于磁性体基板20b的右侧的长边的中央的切口，在其下端与外部电极14e连接。连接部16f设置在位于磁性体基板20b的右前侧的切口，在其下端与外部电极14f连接。连接部16a～16f通过与外部电极14a～14f相同的材料以及制法制成。

层叠体22通过从上侧向下侧依次排列层叠绝缘体层26a～26e(多个绝缘体层的一个例子)而构成。层叠体22在从上侧观察时呈长方形，呈与磁性体基板20b的上表面大致相同的形状。但是，在从上侧观察时，绝缘体层26b～26e的四个角以及两条长边的中央被切掉。

绝缘体层26a～26e由聚酰亚胺制成。另外，绝缘体层26a～26e也可以通过苯并环丁烯等绝缘性树脂制成，也可以由玻璃陶瓷等绝缘性无机材料制成。以下，将绝缘体层26a～26e的上侧的主面称为上表面，并将绝缘体层26a～26e的下侧的主面称为下表面。

磁性体层24设置在层叠体22与磁性体基板20a之间，使层叠体22的上表面平坦化，并且将层叠体22与磁性体基板20a接合。磁性体层24例如由上述的磁性膏体制成。

一次线圈L1设置在层叠体22内，具有端部t1(另一侧的端部的一个例子)以及端部t2(一侧的端部的一个例子)。端部t1是一次线圈L1中接近外部电极14a的端部。端部t2是一次线圈L1中接近外部电极14d的端部。一次线圈L1电连接在外部电极14a与外部电极14d之间。另外，一次线圈L1包括线圈导体层30a(第一线圈导体层及一次线圈导体层的一个例子)。

线圈导体层30a设置在绝缘体层26e的上表面上，在从上侧观察时，呈顺时针旋回并且从外周侧朝向内周侧的漩涡状。在本实施方式中，线圈导体层30a具有大约4.25圈的长度。在从上侧观察时，线圈导体层30a的中心与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。线圈导体层30a的外周侧的端部是一次线圈L1的端部t1。线圈导体层30a的内周侧的端部是一次线圈L1的端部t2。另外，将被线圈导体层30a包围的区域称为区域A1。在从上侧观察时，区域A1呈具有沿前后方向延伸的长边以及沿左右方向延伸的短边的长方形。另外，漩涡状是指二维的螺旋(spiral)。

引出部50将一次线圈L1的端部t1(线圈导体层30a的外周侧的端部)与外部电极14a(第四外部电极的一个例子)电连接。引出部50包括引出导体层40a以及连接导体70a。连接导体70a是设置在位于绝缘体层26b～26e的左后侧的角的三棱柱状的导体。需要说明的是，在图2中，为了便于理解，将连接导体70a分割为四个进行记载。后述的连接导体70b～70f也与连接导体70a相同，分割为四个进行记载。连接导体70a沿上下方向从绝缘体层26b的上表面延伸到绝缘体层26e的下表面，在其下端与连接部16a连接。

引出导体层40a设置在绝缘体层26e的上表面上，与线圈导体层30a的外周侧的端部连接并且与连接导体70a连接。在从上侧观察时，引出导体层40a不呈漩涡状，而从线圈导体层30a的外周侧的端部朝向左侧延伸。如图2的放大图所示，线圈导体层30a与引出导体层40a的边界是引出导体层40a从线圈导体层30a所形成的漩涡状的轨迹脱离的位置。由此，一次线圈L1的端部t1(线圈导体层30a的外周侧的端部)与外部电极14a经由引出部50(引出导体层40a以及连接导体70a)以及连接部16a连接。

引出部53(第一引出部的一个例子)将一次线圈L1的端部t2(线圈导体层30a的内周侧的端部)与外部电极14d(第一外部电极的一个例子)连接。引出部53包括层间连接导体v1、引出导体层41a、60以及连接导体70d。连接导体70d是设置在位于绝缘体层26b～26e的右后侧的角的三棱柱状的导体。连接导体70d沿上下方向从绝缘体层26b的上表面延伸至绝缘体层26e的下表面，在其下端与连接部16d连接。

在从上侧观察时，层间连接导体v1(第一层间连接导体的一个例子)是在区域A1沿上下方向贯通绝缘体层26b～26d的导体，呈沿前后方向延伸的线状。另外，层间连接导体v1还设置在绝缘体层26e的上表面上。在从上侧观察时，层间连接导体v1位于区域A1的右侧的长边的后端附近。

引出导体层41a设置在绝缘体层26e的上表面上，与线圈导体层30a的内周侧的端部连接并且与层间连接导体v1连接。由此，层间连接导体v1与线圈导体层30a的内周侧的端部电连接。在从上侧观察时，引出导体层41a不呈漩涡状，而从线圈导体层30a的内周侧的端部朝向右前侧延伸。线圈导体层30a与引出导体层41a的边界是引出导体层41a从线圈导体层30a所形成的漩涡状的轨迹脱离的位置。

引出导体层60(第一引出导体层的一个例子)设置在绝缘体层26b的上表面上，与层间连接导体v1连接并且与连接导体70d连接。更详细而言，引出导体层60具有端部t7(一侧的端部的一个例子)以及端部t8(另一侧的端部的一个例子)。引出导体层60的端部t7与层间连接导体v1连接。在从上侧观察时，引出导体层60的端部t8与线圈导体层30a相比位于主体12的右表面的附近，并与外部电极14d重叠。并且，引出导体层60的端部t8与连接导体70d连接。由此，一次线圈L1的端部t2(线圈导体层30a的内周侧的端部)与外部电极14d经由引出部53(层间连接导体v1、引出导体层41a、60以及连接导体70d)以及连接部16d连接。

二次线圈L2设置在层叠体22内，具有端部t3(另一侧的端部的一个例子)以及端部t4(一侧的端部的一个例子)。端部t3是二次线圈L2中接近外部电极14b的端部。端部t4是二次线圈L2中接近外部电极14e的端部。二次线圈L2电连接在外部电极14b与外部电极14e之间。另外，二次线圈L2包括线圈导体层32a(第二线圈导体层及二次线圈导体层的一个例子)。

线圈导体层32a设置在绝缘体层26d的上表面上，在从上侧观察时，呈顺时针旋回并且从外周侧朝向内周侧的漩涡状。在本实施方式中，线圈导体层32a具有大约4.5圈的长度。在从上侧观察时，线圈导体层32a的中心与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。线圈导体层32a的外周侧的端部是二次线圈L2的端部t3。线圈导体层32a的内周侧的端部是二次线圈L2的端部t4。另外，将被线圈导体层32a包围的区域称为区域A2。在从上侧观察时，区域A2呈具有沿前后方向延伸的长边以及沿左右方向延伸的短边的长方形。

另外，如图2以及图3所示，在从上侧观察时，线圈导体层32a大部分与线圈导体层30a重叠。因此，被线圈导体层30a包围的区域A1(一次线圈L1的内磁路)与被线圈导体层32a包围的区域A2(二次线圈L2的内磁路)在从上侧观察时重叠。由此，线圈导体层30a(一次线圈L1)与线圈导体层32a(二次线圈L2)磁耦合。其中，线圈导体层30a的两端的位置与线圈导体层32a的两端的位置不同，以使引出部50、53与后述的引出部51、54不干扰。具体而言，线圈导体层32a的外周侧的端部与线圈导体层30a的外周侧的端部相比位于顺时针方向的上游侧。线圈导体层32a的内周侧的端部与线圈导体层30a的内周侧的端部相比位于顺时针方向的下游侧。因此，线圈导体层30a的长度与线圈导体层32a的长度相比略长。需要说明的是，线圈导体层30a与线圈导体层32a只要磁耦合即可，因此也可以不必相互大部分重叠，可以向前后方向或者左右方向稍微错开。即，线圈导体层32a只要相对于线圈导体层30a设置在上侧即可。

引出部51将二次线圈L2的端部t3(线圈导体层32a的外周侧的端部)与外部电极14b(第五外部电极的一个例子)电连接。引出部51包括引出导体层42a以及连接导体70b。连接导体70b是在位于绝缘体层26b～26e的左侧的长边的中央设置的四棱柱状的导体。连接导体70b沿上下方向从绝缘体层26b的上表面延伸至绝缘体层26e的下表面，在其下端与连接部16b连接。

引出导体层42a设置在绝缘体层26d的上表面上，与线圈导体层32a的外周侧的端部连接并且与连接导体70b连接。在从上侧观察时，引出导体层42a不呈漩涡状，而从线圈导体层32a的外周侧的端部朝向左侧延伸。由此，二次线圈L2的端部t3(线圈导体层32a的外周侧的端部)与外部电极14b经由引出部51(引出导体层42a以及连接导体70b)以及连接部16b连接。

引出部54(第二引出部的一个例子)将二次线圈L2的端部t4(线圈导体层32a的内周侧的端部)与外部电极14e(第二外部电极的一个例子)连接。引出部54包括层间连接导体v2、引出导体层43a、62以及连接导体70e。连接导体70e是在位于绝缘体层26b～26e的右侧的长边的中央设置的四棱柱状的导体。连接导体70e沿上下方向从绝缘体层26b的上表面延伸至绝缘体层26e的下表面，在其下端与连接部16e连接。

在从上侧观察时，层间连接导体v2(第二层间连接导体的一个例子)是在区域A2沿上下方向贯通绝缘体层26b～26d的导体，呈沿前后方向延伸的线状。另外，层间连接导体v2还设置在绝缘体层26e的上表面上。在从上侧观察时，层间连接导体v2位于区域A2的右侧的长边的中央附近。

引出导体层43a设置在绝缘体层26d的上表面上，与线圈导体层32a的内周侧的端部连接并且与层间连接导体v2连接。由此，层间连接导体v2与线圈导体层32a的内周侧的端部电连接。在从上侧观察时，引出导体层43a不呈漩涡状，而从线圈导体层32a的内周侧的端部朝向左侧延伸。线圈导体层32a与引出导体层43a的边界是引出导体层43a从线圈导体层32a所形成的漩涡状的轨迹脱离的位置。

引出导体层62(第二引出导体层的一个例子)设置在绝缘体层26b的上表面上，与层间连接导体v2连接并且与连接导体70e连接。更详细而言，引出导体层62具有端部t9以及端部t10。引出导体层62的端部t9与层间连接导体v2连接。在从上侧观察时，引出导体层62的端部t10与线圈导体层32a相比位于主体12的右表面的附近，并与外部电极14e重叠。并且，引出导体层62的端部t10与连接导体70e连接。由此，二次线圈L2的端部t4(线圈导体层32a的内周侧的端部)与外部电极14e经由引出部54(层间连接导体v2、引出导体层43a、62以及连接导体70e)以及连接部16e连接。

三次线圈L3设置在层叠体22内，具有端部t5(另一侧的端部的一个例子)以及端部t6(一侧的端部的一个例子)。端部t5是三次线圈L3中接近外部电极14c的端部。端部t6是三次线圈L3中接近外部电极14f的端部。三次线圈L3电连接在外部电极14c与外部电极14f之间。另外，三次线圈L3包括线圈导体层34a(第三线圈导体层及三次线圈导体层的一个例子)。

线圈导体层34a设置在绝缘体层26c的上表面上，在从上侧观察时，呈顺时针旋回并且从外周侧朝向内周侧的漩涡状。在本实施方式中，线圈导体层34a具有大约3.75圈的长度。在从上侧观察时，线圈导体层34a的中心与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。线圈导体层34a的外周侧的端部是三次线圈L3的端部t5。线圈导体层34a的内周侧的端部是三次线圈L3的端部t6。另外，将被线圈导体层34a包围的区域称为区域A3。在从上侧观察时，区域A3呈具有沿前后方向延伸的长边以及沿左右方向延伸的短边的长方形。

另外，线圈导体层30a、32a、34a在层叠体22中设置在上下方向的相互不同的位置。另外，如图2以及图3所示，在从上侧观察时，线圈导体层34a大部分与线圈导体层30a、32a重叠。因此，被线圈导体层30a包围的区域A1(一次线圈L1的内磁路)、被线圈导体层32a包围的区域A2(二次线圈L2的内磁路)以及被线圈导体层34a包围的区域A3(三次线圈L3的内磁路)在从上侧观察时重叠。由此，线圈导体层30a(一次线圈L1)、线圈导体层32a(二次线圈L2)以及线圈导体层34a(三次线圈L3)磁耦合。其中，线圈导体层30a的两端的位置、线圈导体层32a的两端的位置以及线圈导体层34a的两端的位置不同，以使引出部50、53、引出部51、54以及引出部52、55之间不干扰。具体而言，线圈导体层34a的外周侧的端部与线圈导体层30a、32a的外周侧的端部相比位于顺时针方向的上游侧。线圈导体层34a的内周侧的端部与线圈导体层30a、32a的内周侧的端部相比位于顺时针方向的下游侧。但是，线圈导体层34a的圈数比线圈导体层30a、32a的圈数少一圈。由此，线圈导体层34a的长度与线圈导体层30a的长度以及线圈导体层32a的长度相比略短。需要说明的是，线圈导体层30a、线圈导体层32a以及线圈导体层34a只要磁耦合即可，因此也可以不必相互大部分重叠，也可以在前后方向或者左右方向稍微错开。即，线圈导体层34a只要相对于线圈导体层30a、32a设置在上侧即可。

引出部52将三次线圈L3的端部t5(线圈导体层34a的外周侧的端部)与外部电极14c(第六外部电极的一个例子)电连接。引出部52包括引出导体层44a以及连接导体70c。连接导体70c是设置在位于绝缘体层26b～26e的左前侧的角的三棱柱状的导体。连接导体70c沿上下方向从绝缘体层26b的上表面延伸至绝缘体层26e的下表面，在其下端与连接部16c连接。

引出导体层44a设置在绝缘体层26c的上表面上，与线圈导体层34a的外周侧的端部连接并且与连接导体70c连接。在从上侧观察时，引出导体层44a不呈漩涡状，而从线圈导体层34a的外周侧的端部朝向前侧延伸。由此，三次线圈L3的一端(线圈导体层34a的外周侧的端部)与外部电极14c经由引出部52(引出导体层44a以及连接导体70c)以及连接部16c连接。

引出部55(第三引出部的一个例子)将三次线圈L3的端部t6(线圈导体层34a的内周侧的端部)与外部电极14f(第三外部电极的一个例子)连接。引出部55包括层间连接导体v3、引出导体层45a、64以及连接导体70f。连接导体70f是设置在位于绝缘体层26b～26e的右前侧的角的三棱柱状的导体。连接导体70f沿上下方向从绝缘体层26b的上表面延伸至绝缘体层26e的下表面，在其下端与连接部16f连接。

在从上侧观察时，层间连接导体v3(第三层间连接导体的一个例子)是在区域A3沿上下方向贯通绝缘体层26b～26d的导体，呈沿前后方向延伸的线状。另外，层间连接导体v3还设置在绝缘体层26e的上表面上。在从上侧观察时，层间连接导体v3位于区域A3的右侧的长边的前端附近。

引出导体层45a设置在绝缘体层26c的上表面上，与线圈导体层34a的内周侧的端部连接并且与层间连接导体v3连接。由此，层间连接导体v3与线圈导体层34a的内周侧的端部电连接。在从上侧观察时，引出导体层45a不呈漩涡状，而从线圈导体层34a的内周侧的端部朝向左侧延伸。线圈导体层34a与引出导体层45a的边界是引出导体层45a从线圈导体层34a所形成的漩涡状的轨迹脱离的位置。

引出导体层64(第三引出导体层的一个例子)设置在绝缘体层26b的上表面上，与层间连接导体v3连接并且与连接导体70f连接。更详细而言，引出导体层64具有端部t11以及端部t12。引出导体层64的端部t11与层间连接导体v3连接。在从上侧观察时，引出导体层64的端部t12与线圈导体层34a相比位于主体12的右表面的附近，并与外部电极14f重叠。并且，引出导体层64的端部t12与连接导体70f连接。由此，三次线圈L3的端部t6(线圈导体层34a的内周侧的端部)与外部电极14f经由引出部55(层间连接导体v3、引出导体层45a、64以及连接导体70f)以及连接部16f连接。

线圈导体层30a、32a、34a、引出导体层40a、41a、42a、43a、44a、45a、46、60、62、64以及连接导体70a～70f利用与外部电极14a～14f相同的材料以及制法制作。

另外，如图3所示，线圈导体层30a的剖面面积、线圈导体层32a的剖面面积以及线圈导体层34a的剖面面积实际上相等。因此，线圈导体层30a的线宽度、线圈导体层32a的线宽度以及线圈导体层34a的线宽度实际上相互相等。并且，线圈导体层30a的厚度、线圈导体层32a的厚度以及线圈导体层34a的厚度实际上相等。需要说明的是，上述说明中的线圈导体层的剖面面积是指与线圈导体层延伸的方向正交的剖面上的剖面面积。另外，线圈导体层的厚度是指线圈导体层的上下方向上的厚度。另外，线圈导体层的线宽度是指与线圈导体层延伸的方向正交的剖面上，与线圈导体层的上下方向正交的方向上的宽度。

另外，线圈导体层30a与线圈导体层32a的间隔和线圈导体层32a与线圈导体层34a的间隔实际上相互相等。即，线圈导体层30a、32a、34a的相邻的线圈导体层彼此的上下方向的间隔实际上相等。需要说明的是，线圈导体层的间隔是两个线圈导体层的相互对置的面之间的距离。

在从上侧观察时，磁芯100在上下方向贯通绝缘体层26a～26e(多个第一绝缘体层的一个例子)，以使其在区域A(参照图3)的中心在上下方向通过线圈导体层30a、32a、34a。在从上侧观察时，区域A(规定区域的一个例子)是区域A1、区域A2以及区域A3三个区域相互重合而形成的区域。即，在从上侧观察时，区域A是通过区域A1～A3重叠而形成的区域，是被线圈导体层30a、32a、34a包围的长方形的区域。区域A的左右方向的长度比区域A的前后方向的长度短。区域A的中心例如是从上侧观察时的区域A的重心(对角线的交点)。在从上侧观察时，磁芯100呈具有沿前后方向延伸的长边以及沿左右方向延伸的短边的长方形。磁芯100具有比绝缘体层26a～26e高的导磁率。磁芯100的材料是与磁性体基板20a、20b相同的材料。

这里，对磁芯100、层间连接导体v1～v3、引出导体层60、62、64的端部t7、t9、t11以及线圈导体层30a、32a、34a的端部t1～t6的位置关系进行说明。如图2所示，在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3与磁芯100相比不位于左侧(第二正交方向的一侧的一个例子)。在本实施方式所涉及的电子部件10中，在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3与磁芯100中最右侧(第二正交方向的另一侧的一个例子)的部分相比位于右侧。在从上侧观察时，磁芯100中位于最右侧的部分是磁芯100的右侧的长边。在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3沿着磁芯100的右侧的长边从后侧向前侧依次排成一列。另外，在从上侧观察时，磁芯100与区域A的中心重叠。因此，在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3不位于区域A的中心。

另外，引出导体层60、62、64的端部t7、t9、t11分别与层间连接导体v1、v2、v3连接。在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3沿着磁芯100的右侧的长边，从后侧向前侧依次排成一列。因此，在从上侧观察时，端部t7、t9、t11沿着磁芯100的右侧的长边，从后侧向前侧依次排成一列。

另外，在从上侧观察时，线圈导体层30a、32a、34a的端部t1、t3、t5与磁芯100中位于最左侧的部分相比位于左侧。即，在从上侧观察时，端部t1、t3、t5与磁芯100的左侧的长边相比位于左侧。另外，在从上侧观察时，端部t1、t3、t5从后侧向前侧依次排列。并且，在从上侧观察时，线圈导体层30a、32a、34a的端部t2、t4、t6与磁芯100中位于最右侧的部分相比位于右侧。即，在从上侧观察时，端部t2、t4、t6与磁芯100的右侧的长边相比位于右侧。另外，在从上侧观察时，端部t2、t4、t6从后侧向前侧依次排列。

这里，由于外部电极14a、14d、线圈导体层30a的端部t1、t2、引出导体层60的端部t7以及层间连接导体v1相互电连接，所以称为第一组。由于外部电极14b、14e、线圈导体层32a的端部t3、t4、引出导体层62的端部t9以及层间连接导体v2相互电连接，所以称为第二组。由于外部电极14c、14f、线圈导体层34a的端部t5、t6、引出导体层64的端部t11以及层间连接导体v3相互电连接，所以称为第三组。由于层间连接导体v1～v3、引出导体层60、62、64的端部t7、t9、t11以及线圈导体层30a、32a、34a的端部t1～t6采用上述的位置关系，所以在从上侧观察时，第一组、第二组以及第三组从后侧向前侧依次排列。

以下对如以上那样构成的电子部件10的动作进行说明。外部电极14a～14c例如被用作输入端子。外部电极14d～14f例如被用作输出端子。另外，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3磁耦合。

对外部电极14a、14b、14c分别输入第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3。假设考虑如下的第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3。第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3分别取高(H)、中(M)、低(L)的相互不同的任意的三个值的电压值，并且在同一时钟下在H、M、L三个值间跃迁。并且，在某个信号取H的值的时刻，剩余两个信号中，一个取M的值，另一个取L的值。即，第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3排他地在H、M、L三个值跃迁。此时，第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3的电压值的总和几乎一直恒定(H+M+L)，跃迁所引起的电压的“总”变化量几乎为0。因此，在一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3产生的电流的“总”变化量也几乎为0，从而在电子部件10产生的磁通的变化量几乎为“0”(虽然一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3单独产生的磁通发生变化，但这些变化相互抵消)。这样，在磁通的变化几乎没有的情况下，实际上在电子部件10不产生阻抗，因此电子部件10不对第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3带来影响。

另一方面，对于共模噪声，即第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3所包括的同相的噪声，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的各个产生的磁通变化为同向，这些磁通变化不相互抵消，而相互增强。因此，电子部件10对于共模噪声具有较大的阻抗。因此，电子部件10能够降低共模噪声。如以上那样，电子部件10能够不对第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3带来影响，并降低共模噪声，对于第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3构成共模滤波器。需要说明的是，“共模滤波器”是指如上述那样与对第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3带来的影响相比，能够较大地降低共模噪声的功能或者具有该功能的元件。

(电子部件的制造方法)

以下，参照附图对电子部件10的制造方法进行说明。以下，例举制造一个电子部件10的情况进行说明，但实际上是通过层叠大片的母磁性体基板以及母绝缘体层而制成母主体，并通过切割母主体而同时形成多个电子部件10。

首先，在磁性体基板20b的上表面上的整个面涂覆作为感光性树脂的聚酰亚胺树脂。接下来，对与绝缘体层26e的四个角以及两条长边的中央对应的位置进行遮光，并进行曝光。由此，未被遮光的部分的聚酰亚胺树脂固化。然后，通过有机溶剂除去光致抗蚀剂，并且进行显影，除去未固化的聚酰亚胺树脂，并进行热固化。由此，形成绝缘体层26e。

接下来，通过溅射法在绝缘体层26e以及从绝缘体层26e露出的磁性体基板20b上使Ag膜成膜。接下来，在形成线圈导体层30a、引出导体层40a、41a、连接导体70a～70f以及层间连接导体v1～v3的部分上形成光致抗蚀剂。然后，通过蚀刻法，除去将形成线圈导体层30a、引出导体层40a、41a、连接导体70a～70f以及层间连接导体v1～v3的部分(即，被光致抗蚀剂覆盖的部分)以外的Ag膜。然后，通过有机溶剂除去光致抗蚀剂，由此形成线圈导体层30a、引出导体层40a、41a、连接导体70a～70f的一部分(一层的量)以及层间连接导体v1～v3。

通过反复与以上的工序相同的工序，形成绝缘体层26a～26d以及线圈导体层32a、34a、引出导体层42a、43a、44a、45a、60、62、64、连接导体70a～70f的剩余的部分以及层间连接导体v1、v2、v3的剩余的部分。

接下来，从上侧对层叠体22照射激光束，形成贯通孔。然后，在贯通孔内填充磁性膏体。由此，形成磁芯100。

接下来，在层叠体22上涂覆成为磁性体层24的磁性膏体，并在磁性体层24上压接磁性体基板20a。

接下来，通过喷砂法在磁性体基板20b形成六个切口。需要说明的是，对于切口，除了喷砂法以外，也可以通过激光加工法形成，也可以通过喷砂法以及激光加工法的组合形成。

最后，通过电镀法以及光刻法的组合，在磁性体基板20b的切口的内周面形成导体层，形成连接部16a～16f以及外部电极14a～14f。

(效果)

根据本实施方式所涉及的电子部件10，能够较大地确保被线圈导体层30a、32a、34a包围的区域A中能够配置磁芯100的区域。更详细而言，在专利文献1所记载的共模扼流线圈510中，贯通孔导体530、532、534分别位于被线圈导体514、516、518包围的区域的中央附近。因此，在共模扼流线圈510中，被线圈导体514、516、518包围的区域在中央附近被贯通孔导体530、532、534断开，而难以较大地确保能够配置磁芯的区域。

因此，在电子部件10中，如图2所示，在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3与磁芯100中位于最左侧的部分(磁芯100的左侧的长边)相比，不位于左侧。由此，能够从区域A的中心向左侧较大地确保能够配置磁芯100的区域。结果，能够较大地确保被线圈导体层30a、32a、34a包围的区域A中能够配置磁芯100的区域。

在电子部件10中，能够增大在从上侧观察时的磁芯100的面积。更详细而言，在电子部件10中，如上所述，能够从区域A的中心向左侧较大地确保能够配置磁芯100的区域。即，在从上侧观察时，能够使磁芯100的左侧的边接近区域A的左侧的边。而且，在电子部件10中，区域A的前后方向的长度比区域A的左右方向的长度长。区域A的左侧的边为长边，与区域A的左侧的长边对置的磁芯100的左侧的边也是长边。这里，长边移动所增加的面积比短边移动所增加的面积大。因此，在电子部件10中，通过使磁芯100的左侧的长边接近区域A的左侧的长边而增加的磁芯100的面积较变大。结果，在电子部件10中，能够增大在从上侧观察时的磁芯100的面积。

另外，在电子部件10中，能够增大在从上侧观察时的磁芯100的面积。更详细而言，引出导体层60、62、64分别连接层间连接导体v1～v3和连接导体70d～70f。连接导体70d～70f分别与设置在正下方的外部电极14d～14f连接。另外，层间连接导体v1～v3从后侧向前侧依次排列，外部电极14d～14f也从后侧向前侧依次排列。因此，层间连接导体v1～v3分别与连接导体70d～70f对置。由此，引出导体层60、62、64能够以较短的长度将层间连接导体v1～v3与连接导体70d～70f直线地连接。因此，用于在层间连接导体v1～v3与主体12的右侧的面之间设置引出导体层60、62、64的空间较少也可以。结果，能够使层间连接导体v1～v3接近主体12的右侧的面。即，在从上侧观察时，能够使磁芯100的右侧的长边接近主体12的右侧的面。结果，能够增大在从上侧观察时的磁芯100的面积。

另外，在电子部件10中，根据以下的理由，也能够增大在从上侧观察时的磁芯100的面积。更详细而言，在电子部件10中，如图2所示，在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3与磁芯100中位于最右侧的部分(磁芯100的右侧的长边)相比，位于右侧。由此，在磁芯100的前侧以及后侧不配置层间连接导体v1～v3。由此，能够向前侧以及后侧扩大磁芯100。

另外，在电子部件10中，能够增大在从上侧观察时的磁芯100的面积。更详细而言，引出导体层40a、42a、44a分别将线圈导体层30a、32a、34a的端部t1、t3、t5与连接导体70a～70c连接。连接导体70a～70c分别与设置在正下方的外部电极14a～14c连接。另外，端部t1、t3、t5从后侧向前侧依次排列，外部电极14a～14c也从后侧向前侧依次排列。因此，端部t1、t3、t5分别与连接导体70a～70c对置。由此，引出导体层40a、42a、44a能够以较短的长度，将端部t1、t3、t5与连接导体70a～70c直线地连接。因此，用于在端部t1、t3、t5与主体12的左侧的面之间设置引出导体层40a、42a、44a的空间较少也可以。结果，能够使端部t1、t3、t5接近主体12的左侧的面。即，在从上侧观察时，能够使磁芯100的左侧的长边接近主体12的左侧的面。结果，能够增大在从上侧观察时的磁芯100的面积。

另外，在一次线圈、二次线圈以及三次线圈构成共模滤波器的情况下，为了得到共模滤波器的良好的特性，优选一次线圈、二次线圈以及三次线圈的电流路径的长度一致。

以下，对优选一次线圈、二次线圈以及三次线圈的电流路径的长度一致的理由进行说明。首先，为了准确地确认不对第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3产生阻抗，考虑第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3的电压如以下那样跃迁的情况。

S1：从V1变化到V1’

S2：从V2变化到V2’

S3：从V3变化到V3’

此时，若将一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的总电流的变化量设为ΔI，则ΔI如下。

ΔI＝(V1’－V1)/L1+(V2’－V2)/L2+(V3’－V3)/L3＝{L2·L3(V1’－V1)+L3·L1(V2’－V2)+L1·L2(V3’－V3)}/(L1·L2·L3)

这里，若设为L1≈L2≈L3≈L，则ΔI如下。

ΔI＝{(V1’+V2’+V3’)－(V1+V2+V3)}/L

这里，根据第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3的定义，V1’+V2’+V3’＝V1+V2+V3。因此，ΔI＝0。即，在V1～V3在H、M、L之间排他地跃迁的情况下总电流的变化量ΔI大致为0，磁通的变化也大致为0。因此，针对第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3的阻抗为0，维持第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3的波形。另一方面，若电流路径的长度改变则L1≠L2≠L3。因此，破坏L1≈L2≈L3≈L的前提。结果，存在总电流的变化量ΔI不为0，而对第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3的波形造成影响的可能性。综上，优选一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度一致。

然而，在电子部件10中，如以下进行说明的那样，难以使一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度一致。更详细而言，在电子部件10中，外部电极14a～14c从后侧向前侧依次排列，外部电极14d～14f从后侧向前侧依次排列。而且，在从上侧观察时，线圈导体层30a、32a、34a呈顺时针旋回并且从外周侧接近内周侧的漩涡状。因此，一次线圈L1的长度为n1+0.25圈，二次线圈L2的长度为n2+0.5圈，三次线圈L3的长度为n3+0.75圈。其中，n1、n2、n3是0以上的整数。因此，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度不一致。

根据以上的理由，在电子部件10中，难以使一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度一致。

需要说明的是，能够通过变更外部电极14a～14c排列的顺序或者外部电极14d～14f排列的顺序，使一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度一致。但是，该情况下，输入信号输入的外部电极的前后方向的位置与输出信号输出的外部电极的前后方向的位置不一致。这样的电子部件的使用的便利性较差。因此，从这样的观点来看，在电子部件10中，难以使一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度一致。

然而，在电子部件10中，即使一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度不同，如以下所说明的那样，也不对共模滤波器的性能造成较大的影响。

更详细而言，在电子部件10中，存在表示共模滤波器的特性的三个参数。三个参数是一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3间的差动阻抗(以下，简称为差动阻抗)、共模阻抗以及截止频率。本申请发明人发现了一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度的差异不对差动阻抗以及共模阻抗带来较大的影响。另一方面，本申请发明人发现了若一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度发生变动，则对截止频率带来影响。

这里，在电子部件10中，如上所述，对一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的各个传输第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3。此时，电子部件10维持第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3的波形，并降低第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3所包含的共模噪声。

本申请发明人发现了在该情况下，即使由于一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度不统一而使截止频率劣化，截止频率的劣化的程度也在允许范围内。因此，在电子部件10中，即使由于设置磁芯100而使一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的长度不一致，也能够得到共模滤波器的良好的特性。

本申请发明人为了使电子部件10起到的效果更明确，进行了以下说明的计算机模拟。更详细而言，本申请发明人制作了具有电子部件10的结构的第一模型。另外，本申请发明人制作了具有在电子部件10中未设置磁芯100的结构的第二模型。第一模型是实施例，第二模型是比较例。然后，使计算机对第一模型以及第二模型的共模阻抗进行运算。图4是表示模拟结果的图表。纵轴表示共模阻抗，横轴表示频率。需要说明的是，在下面列举模拟的条件。

在第一模型中，在图2的构成中，磁芯100的部分也采用与绝缘体层26a～26e相同的材料。在第二模型中，在图2的构成中，对磁芯100使用含磁性填料树脂(导磁率5)。

根据图4，可知在100MHz～1GHz，第一模型的共模阻抗比第二模型的共模阻抗大。即，可知第一模型能够从100MHz～1GHz的高频信号有效地除去共模噪声。即，根据本计算机模拟，可知通过配置磁芯100，电子部件10具有优异的共模阻抗。

(第一变形例)

以下，参照附图对第一变形例所涉及的电子部件10a进行说明。图5是电子部件10a的分解立体图。图6是图5的电子部件10a的剖面结构图。图6的剖面结构图与图3的剖面结构图对应。电子部件10a的外观立体图与电子部件10的外观立体图相同。

电子部件10a在还具备绝缘体层26f、并联线圈导体层36以及引出部56、57这一点上与电子部件10不同。以以下所涉及的不同点为中心对电子部件10a进行说明。

绝缘体层26f设置在绝缘体层26b与绝缘体层26c之间。一次线圈L1还包括并联线圈导体层36(并联一次线圈导体层的一个例子)。并联线圈导体层36呈与线圈导体层30a相同的形状，并且以并联的方式与线圈导体层30a电连接。另外，并联线圈导体层36相对于线圈导体层30a、32a、34a中的设置在最上侧的线圈导体层34a设置在上侧。并联线圈导体层36设置在绝缘体层26f的上表面上，在从上侧观察时，呈顺时针旋回并且从外周侧朝向内周侧的漩涡状。

引出部56将并联线圈导体层36的外周侧的端部与外部电极14a连接，并且如图5所示，在从上侧观察时，不呈漩涡状。引出部56包括引出导体层46以及连接导体70a。对于连接导体70a已经进行了说明，所以省略进一步的说明。引出导体层46设置在绝缘体层26f的上表面上，与并联线圈导体层36的外周侧的端部连接并且与连接导体70a连接。在从上侧观察时，引出导体层46不呈漩涡状，而从并联线圈导体层36的外周侧的端部朝向左侧延伸。由此，并联线圈导体层36的外周侧的端部与外部电极14a经由引出部56(引出导体层46以及连接导体70a)以及连接部16a连接。

引出部57将并联线圈导体层36的内周侧的端部与外部电极14d连接，并且如图5所示，在从上侧观察时，不呈漩涡状。引出部57包括层间连接导体v1、引出导体层47、60以及连接导体70d。对于层间连接导体v1、引出导体层60以及连接导体70d已经进行了说明，所以省略进一步的说明。引出导体层47设置在绝缘体层26f的上表面上，与并联线圈导体层36的内周侧的端部连接并且与层间连接导体v1连接。在从上侧观察时，引出导体层47不呈漩涡状，而从并联线圈导体层36的内周侧的端部朝向右前侧延伸。并联线圈导体层36与引出导体层47的边界是引出导体层47从并联线圈导体层36所形成的漩涡状的轨迹脱离的位置。由此，并联线圈导体层36的内周侧的端部与外部电极14d经由引出部57(层间连接导体v1、引出导体层47、60以及连接导体70d)以及连接部16d连接。因此，并联线圈导体层36以并联的方式与线圈导体层30a电连接。

另外，将线圈导体层30a、32a、34a以及并联线圈导体层36构成为线圈导体层30a的剖面面积与并联线圈导体层36的剖面面积的总和与线圈导体层32a的剖面面积、线圈导体层34a的剖面面积实际上相等。更详细而言，如图6所示，线圈导体层30a的线宽度、线圈导体层32a的线宽度、线圈导体层34a的线宽度以及并联线圈导体层36的线宽度为线宽度w1且实际上相互相等。其中，线圈导体层32a、34a的厚度为厚度d1，线圈导体层30a以及并联线圈导体层36的厚度为厚度d2。厚度d2是厚度d1的一半。因此，线圈导体层30a以及并联线圈导体层36的剖面面积实际上相互相等，且是线圈导体层32a、34a的剖面面积的一半。即，线圈导体层30a的剖面面积与并联线圈导体层36的剖面面积的总和与线圈导体层32a的剖面面积、线圈导体层34a的剖面面积实际上相等。此时，线圈导体层30a以及并联线圈导体层36的电阻值是线圈导体层32a、34a的电阻值的大约两倍。因此，线圈导体层30a与并联线圈导体层36以并联的方式电连接。由此，在一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径上，一次线圈L1的剖面面积、二次线圈L2的剖面面积、三次线圈L3的剖面面积实际上相等。因此，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电阻值相近。

另外，线圈导体层30a与线圈导体层32a的间隔、线圈导体层32a与线圈导体层34a的间隔、以及线圈导体层34a与并联线圈导体层36的间隔实际上相互相等。即，线圈导体层30a、32a、34a以及并联线圈导体层36的相邻的线圈导体层彼此的上下方向上的间隔实际上相等。需要说明的是，线圈导体层的间隔是两个线圈导体层的相互对置的面之间的距离。

在如以上那样构成的电子部件10a中，与电子部件10相同，也能够增大在从上侧观察时的磁芯100的面积。

另外，根据电子部件10a，能够降低一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3间的差动阻抗的差异。更详细而言，在测定电流(或者差动信号)流动时，将包括线圈的电子部件10a整体的电感值设为L，将电容值设为C的情况下，以L/C的平方根表示差动阻抗。C包含线圈导体层间的电容(寄生电容)。

因此，在电子部件10a中，并联线圈导体层36相对于线圈导体层30a、32a、34a中的设置在最上侧的线圈导体层34a设置在上侧。由此，在线圈导体层34a与并联线圈导体层36之间产生电容。因此，一次线圈L1与二次线圈L2之间的电容主要由线圈导体层30a与线圈导体层32a之间的电容形成。二次线圈L2与三次线圈L3之间的电容主要由线圈导体层32a与线圈导体层34a之间的电容形成。三次线圈L3与一次线圈L1之间的电容主要由并联线圈导体层36与线圈导体层34a之间的电容形成。需要说明的是，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3各自之间的电容由线圈导体层30a、32a、34a各自之间的对置面积、间隔、介电常数等决定。其中，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3各自之间的电容几乎相等。即，在各差动阻抗间能够使C相近。结果，一次线圈L1与二次线圈L2之间、二次线圈L2与三次线圈L3之间、以及三次线圈L3与一次线圈L1之间的各差动阻抗相近。

另外，根据电子部件10a，如上所述，在一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的电流路径的各个中，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的剖面面积实际上相等。结果，一次线圈L1的电阻值、二次线圈L2的电阻值以及三次线圈L3的电阻值相近。由此，能够使在一次线圈L1～三次线圈L3中流动的电流量相近，能够使一次线圈L1～三次线圈L3的发热量相近。即，能够降低第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3的损耗的差异。

另外，若一次线圈L1的电阻值、二次线圈L2的电阻值以及三次线圈L3的电阻值相近，则能够消除电子部件10a的方向性。可以将外部电极14a～14c用作输入端子，将外部电极14d～14f用作输出端子，也可以将外部电极14a～14c用作输出端子，将外部电极14d～14f用作输入端子。结果，在电子部件10a中，在安装时不需要识别电子部件10a的方向，不需要方向识别标记。另外，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的特性相近，因此可以使三个信号输入到一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的任意一个。结果，安装电子部件10a的电路基板的布线布局不被电子部件10a限制。

另外，根据电子部件10a，能够使线圈导体层30a的发热量与并联线圈导体层36的发热量相近。更详细而言，线圈导体层30a的剖面面积与并联线圈导体层36的剖面面积实际上相等。另外，线圈导体层30a的长度与并联线圈导体层36的长度实际上相等。因此，线圈导体层30a的电阻值与并联线圈导体层36的电阻值实际上相等。另外，由于线圈导体层30a与并联线圈导体层36以并联的方式电连接，所以施加到线圈导体层30a和并联线圈导体层36的电压实际上相等，在线圈导体层30a和并联线圈导体层36流动的电流实际上也相等。因此，能够使线圈导体层30a的发热量与并联线圈导体层36的发热量相近。此时，能够降低线圈导体层30a或者并联线圈导体层36中的局部的发热，因此能够使电子部件10a的特性偏差、可靠性提高。

(第二变形例)

以下，参照附图对第二变形例所涉及的电子部件10b的结构进行说明。图7是表示电子部件10a的线圈导体层30a、32a、34a以及并联线圈导体层36的位置关系的示意图。图8是表示电子部件10b的线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b、30c、32c、34c以及并联线圈导体层36的位置关系的示意图。

在电子部件10a中，一次线圈L1包括一个线圈导体层30a以及一个并联线圈导体层36，二次线圈L2包括一个线圈导体层32a，三次线圈L3包括一个线圈导体层34a。另一方面，在电子部件10b中，一次线圈L1包括三个线圈导体层30a、30b、30c(一次线圈导体层的一个例子)以及一个并联线圈导体层36，二次线圈L2包括三个线圈导体层32a、32b、32c(二次线圈导体层的一个例子)，三次线圈L3包括三个线圈导体层34a、34b、34c(三次线圈导体层的一个例子)。因此，如以下所说明的那样，在线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b、30c、32c、34c以及并联线圈导体层36的配置中，在电子部件10a与电子部件10b之间存在不同点。

在电子部件10a中，如图7所示，通过线圈导体层30a、线圈导体层32a以及线圈导体层34a从下侧向上侧依次排列而构成一个线圈导体层组Ga。而且，并联线圈导体层36呈与线圈导体层30a相同的形状，并且以并联的方式与线圈导体层30a电连接。并且，并联线圈导体层36相对于设置在最上侧的线圈导体层34a设置在上侧。

另一方面，如图8所示，在电子部件10b中，通过线圈导体层30a、线圈导体层32a以及线圈导体层34a从下侧向上侧依次排列而构成一个线圈导体层组Ga，通过线圈导体层30b、线圈导体层32b以及线圈导体层34b从下侧向上侧依次排列而构成一个线圈导体层组Gb，通过线圈导体层30c、线圈导体层32c以及线圈导体层34c从下侧向上侧依次排列而构成一个线圈导体层组Gc。线圈导体层组Ga、Gb、Gc从下侧向上侧排列。而且，并联线圈导体层36呈与线圈导体层30c相同的形状，并且以并联的方式与线圈导体层30b电连接，并且，相对于设置在最上侧的线圈导体层34c设置在上侧。

这里，线圈导体层30a与线圈导体层30c为大致相同的形状，在从上侧观察时，呈顺时针旋回并且从外周侧朝向内周侧的漩涡状。另外，在从上侧观察时，线圈导体层30b呈顺时针旋回并且从内周侧朝向外周侧的漩涡状。而且，线圈导体层30a、线圈导体层30b以及线圈导体层30c(第一线圈导体层的一个例子)以串联的方式电连接。另外，线圈导体层30a的外周侧的端部是一次线圈L1的端部t1。线圈导体层30c的内周侧的端部是一次线圈L1的端部t2。线圈导体层30c的内周侧的端部与引出导体层60经由层间连接导体v1电连接。

另外，线圈导体层32a与线圈导体层32c呈相同的形状，在从上侧观察时，呈顺时针旋回并且从外周侧朝向内周侧的漩涡状。另外，在从上侧观察时，线圈导体层32b呈顺时针旋回并且从内周侧朝向外周侧的漩涡状。而且，线圈导体层32a、线圈导体层32b以及线圈导体层32c(第二线圈导体层的一个例子)以串联的方式电连接。另外，线圈导体层32a的外周侧的端部是二次线圈L2的端部t3。线圈导体层32c的内周侧的端部是二次线圈L2的端部t4。线圈导体层32c的内周侧的端部与引出导体层62经由层间连接导体v2电连接。

另外，线圈导体层34a与线圈导体层34c呈相同的形状，在从上侧观察时，呈顺时针旋回并且从外周侧朝向内周侧的漩涡状。另外，在从上侧观察时，线圈导体层34b呈顺时针旋回并且从内周侧朝向外周侧的漩涡状。而且，线圈导体层34a、线圈导体层34b以及线圈导体层34c(第三线圈导体层的一个例子)以串联的方式电连接。另外，线圈导体层34a的外周侧的端部是三次线圈L3的端部t5。线圈导体层34c的内周侧的端部是三次线圈L3的端部t6。线圈导体层34c的内周侧的端部与引出导体层64经由层间连接导体v3电连接。

另外，电子部件10b的层间连接导体v1～v3与电子部件10相同，在从上侧观察时，与磁芯100中位于最左侧的部分相比位于右侧。

另外，在电子部件10b中，线圈导体层30a的内周侧的端部与线圈导体层30b的内周侧的端部通过层间连接导体v4连接。线圈导体层32a的内周侧的端部与线圈导体层32b的内周侧的端部通过层间连接导体v5连接。线圈导体层34a的内周侧的端部与线圈导体层34b的内周侧的端部通过层间连接导体v6连接。在从上侧观察时，层间连接导体v4～v6位于区域A。因此，期望层间连接导体v4～v6也与层间连接导体v1～v3相同，在从上侧观察时，与磁芯100中位于最左侧的部分相比位于右侧。

在如以上那样构成的电子部件10b中，也与电子部件10、10a相同，能够在被线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b、30c、32c、34c包围的区域A配置磁芯100。并且，在电子部件10b中，也与电子部件10、10a相同，能够增大在从上侧观察时的磁芯100的面积。

另外，根据电子部件10b，与电子部件10a相同，能够降低一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3间的差动阻抗的差异。另外，根据电子部件10b，与电子部件10a相同，能够使一次线圈L1、二次线圈以及三次线圈L3的发热量相近。另外，根据电子部件10b，与电子部件10a相同，电子部件10b的方向性消失。另外，根据电子部件10b，与电子部件10a相同，能够使线圈导体层30c的发热量与并联线圈导体层36的发热量相近。

需要说明的是，虽然电子部件10b具有三个线圈导体层组Ga、Gb、Gc，但也可以具有两个或者四个以上的线圈导体层组。以下，对电子部件10b具有n个(n是自然数)线圈导体层组Ga、Gb…的情况进行说明。

在电子部件10b具有n个线圈导体层组Ga、Gb…的情况下，一次线圈L1包括n个线圈导体层30a、30b…(n个一次线圈导体层的一个例子)以及并联线圈导体层36。二次线圈L2包括n个线圈导体层32a、32b…(n个二次线圈导体层的一个例子)。三次线圈L3包括n个线圈导体层34a、34b…(n个三次线圈导体层的一个例子)。而且，通过线圈导体层30a、32a、34a逐个从下侧向上侧依次排列而构成一个线圈导体层组Ga。通过线圈导体层30b、32b、34b逐个从下侧向上侧依次排列而构成一个线圈导体层组Gb。与线圈导体层组Ga、Gb相同地构成线圈导体层组Gc以后的线圈导体层组。而且，n个线圈导体层组Ga、Gb…从下侧向上侧依次排列。

并联线圈导体层36呈与n个线圈导体层30a、30b…中的规定的线圈导体层(规定的一次线圈导体层的一个例子)相同的形状，并且以并联的方式与该规定的线圈导体层电连接。并且，并联线圈导体层36相对于n个线圈导体层34a、34b…中的设置在最上侧的线圈导体层设置在上侧。

线圈导体层30a、30b…以串联的方式电连接。另外，线圈导体层30a的外周侧的端部是一次线圈L1的端部t1。线圈导体层30a、30b…中的位于最上侧的线圈导体层(第一线圈导体层的一个例子)的内周侧的端部是一次线圈L1的端部t2。

线圈导体层32a、32b…以串联的方式电连接。另外，线圈导体层32a的外周侧的端部是二次线圈L2的端部t3。线圈导体层32a、32b…中的位于最上侧的线圈导体层(第二线圈导体层的一个例子)的内周侧的端部是二次线圈L2的端部t4。

线圈导体层34a、34b…以串联的方式电连接。另外，线圈导体层34a的外周侧的端部是三次线圈L3的端部t5。线圈导体层34a、34b…中的位于最上侧的线圈导体层(第三线圈导体层的一个例子)的内周侧的端部是三次线圈L3的端部t6。

对n的最大值为奇数的情况进行说明。线圈导体层30a、30b…以串联的方式电连接。在线圈导体层30a、30b…中，从外周侧朝向内周侧顺时针旋回的线圈导体层(第一类型的线圈导体层)与从内周侧朝向外周侧顺时针旋回的线圈导体层(第二类型的线圈导体层)交替地连接。而且，一次线圈L1中最接近外部电极14a设置的线圈导体层是作为第一类型的线圈导体层的线圈导体层30a。另一方面，一次线圈L1中最接近外部电极14d设置的线圈导体层是线圈导体层30a、30b…中的位于最上侧的线圈导体层(第一线圈导体层的一个例子)。线圈导体层30a、30b…中的位于最上侧的线圈导体层是第一类型的线圈导体层。这样，为了使第一类型的线圈导体层位于一次线圈L1的两端，只要以串联的方式电连接奇数个的线圈导体层30a、30b…即可。需要说明的是，线圈导体层32a、32b…以及线圈导体层34a、34b…也与线圈导体层30a、30b…相同。

但是，n也可以并不一定是奇数，也可以是偶数。在n为偶数的情况下，也优选在一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的各个中在电路上与外部电极14d～14f最近的线圈导体层是第一类型的线圈导体层。

(第三变形例)

以下，参照附图对第三变形例所涉及的电子部件10c进行说明。图9是从上侧俯视电子部件10c的绝缘体层26b、连接导体70a～70f、磁芯100以及层间连接导体v1～v3的图。

电子部件10c在层间连接导体v1～v3的位置上与电子部件10不同。以以下所涉及的不同点为中心对电子部件10c进行说明。

在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3只要与磁芯100中位于最左侧的部分相比位于右侧即可。因此，在电子部件10c中，在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3与磁芯100相比位于前侧(第一正交方向的一侧的一个例子)。更详细而言，层间连接导体v1～v3沿着磁芯100的前侧的短边，从右侧向左侧依次排成一列。

在具有以上那样的结构的电子部件10c中，能够增大从上侧观察时的磁芯100的面积。更详细而言，在从上侧观察时，在层间连接导体v1～v3沿着磁芯100的短边排列的情况下，为了确保设置层间连接导体v1～v3的空间，需要缩短磁芯100的长边。该情况下，磁芯100的面积的减少量大致是磁芯100的短边的长度与层间连接导体v1～v3的前后方向的宽度的乘积。因此，与层间连接导体v1～v3沿着磁芯100的长边排列的情况相比，设置层间连接导体v1～v3所带来的磁芯100的面积的减少量较少。

需要说明的是，在从上侧观察时，层间连接导体v1～v3也可以与磁芯100相比位于后侧。

(第四变形例)

以下，参照附图对第四变形例所涉及的电子部件10d进行说明。图10是从上侧俯视电子部件10d的绝缘体层26b、连接导体70a～70f、磁芯100以及层间连接导体v1～v3的图。

电子部件10d在层间连接导体v1～v3的位置上与电子部件10不同。以以下所涉及的不同点为中心对电子部件10d进行说明。

在电子部件10d中，在从上侧观察时，层间连接导体v1、v2(第一层间连接导体、第二层间连接导体以及第三层间连接导体的至少一个的一个例子)与磁芯100相比位于右侧(第二正交方向的一侧的一个例子)。更详细而言，层间连接导体v1、v2沿着磁芯100的右侧的长边，从后侧向前侧依次排成一列。另外，在从上侧观察时，层间连接导体v3(剩余的上述第一层间连接导体、上述第二层间连接导体以及上述第三层间连接导体的一个例子)与磁芯100相比位于前侧(第一正交方向的一侧的一个例子)。

需要说明的是，也可以是层间连接导体v1在从上侧观察时与磁芯100相比位于右侧，层间连接导体v2、v3在从上侧观察时与磁芯100相比位于前侧。另外，也可以是层间连接导体v1在从上侧观察时与磁芯100相比位于后侧，层间连接导体v2、v3在从上侧观察时与磁芯100相比位于右侧。另外，也可以是层间连接导体v1、v2在从上侧观察时与磁芯100相比位于后侧，层间连接导体v3在从上侧观察时与磁芯100相比位于右侧。

(第五变形例)

以下，参照附图对第五变形例所涉及的电子部件10e进行说明。图11是从上侧俯视电子部件10e的绝缘体层26b、连接导体70a～70f、磁芯100以及层间连接导体v1～v3的图。

电子部件10e在层间连接导体v1～v3的位置上与电子部件10不同。以以下所涉及的不同点为中心对电子部件10d进行说明。

在电子部件10e中，在从上侧观察时，层间连接导体v1与磁芯100相比位于后侧。在从上侧观察时，层间连接导体v2与磁芯100相比位于右侧。在从上侧观察时，层间连接导体v3与磁芯100相比位于前侧。

(其它的实施方式)

本发明所涉及的电子部件并不限定于电子部件10、10a～10e，在其主旨的范围内能够进行变更。

此外，也可以任意地组合电子部件10、10a～10e的构成。

此外，虽然通过光刻法制作了电子部件10、10a～10e，但例如也可以通过层叠印刷了线圈导体层的陶瓷生片等绝缘体层的层叠法来制作。另外，在电子部件10、10a～10e的制造方法中，各导体层也可以通过减成法、(半/全)添加法、涂覆法、蒸镀法等制成。

此外，在电子部件10、10a～10e中，也可以不设置磁性体基板20a、20b。即，也可以仅由层叠体22构成主体12。

此外，在电子部件10b具有n个(n是自然数)线圈导体层组Ga、Gb…的情况下，线圈导体层组Ga、Gb…也可以从上侧向下侧依次排列。另外，在线圈导体层组Ga中，线圈导体层30a、32a、34a也可以从上侧向下侧依次排列。对于线圈导体层组Gb以后的线圈导体层组也与线圈导体层组Ga相同。

此外，在电子部件10、10a～10e中，也可以是外部电极14a～14c设置在主体12的右表面，外部电极14d～14f设置在主体12的左表面。该情况下，引出导体层60、62、64也可以分别与外部电极14d～14f直接连接。

此外，主体12的形状并不限定于长方体。主体12至少具有右面即可。

此外，在电子部件10中，例如，一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3也可以分别具备两个线圈导体层。该情况下，在从上侧观察时，一次线圈L1具备顺时针旋回并且从外周侧接近内周侧的线圈导体层和顺时针旋回并且从内周侧接近外周侧的线圈导体层即可。而且，这些线圈导体层的内周侧的端部通过层间连接导体v1连接。对于二次线圈L2以及三次线圈L3也具有与一次线圈L1相同的结构。

如以上那样，本发明对电子部件有用，特别是，作为具有一次线圈L1、二次线圈L2以及三次线圈L3的三线的差动传输电路用的共模滤波器有用。

Claims (13)

1.一种电子部件，其特征在于，具备：

主体，其包括沿层叠方向层叠包括多个第一绝缘体层的多个绝缘体层而构成的层叠体；

一次线圈、二次线圈以及三次线圈，它们分别包括在所述层叠体中设置在所述层叠方向的相互不同的位置的漩涡状的第一线圈导体层、第二线圈导体层以及第三线圈导体层；

第一外部电极、第二外部电极以及第三外部电极，它们设置在所述主体，并且从与所述层叠方向正交的第一正交方向的一侧向另一侧依次排列；

第四外部电极、第五外部电极以及第六的外部电极，它们设置在所述主体，并且从所述第一正交方向的一侧向另一侧依次排列，且与所述第一外部电极、所述第二外部电极以及所述第三外部电极相比位于与所述层叠方向以及所述第一正交方向正交的第二正交方向的一侧；

磁芯，其沿所述层叠方向贯通所述多个第一绝缘体层，使得在从所述层叠方向观察时，所述磁芯在被所述第一线圈导体层、所述第二线圈导体层以及所述第三线圈导体层包围的规定区域的中心沿所述层叠方向通过所述第一线圈导体层、所述第二线圈导体层以及所述第三线圈导体层，并且所述磁芯具有比所述多个绝缘体层高的导磁率；以及

第一层间连接导体、第二层间连接导体以及第三层间连接导体，在从所述层叠方向观察时，所述第一层间连接导体、所述第二层间连接导体以及所述第三层间连接导体在所述规定区域沿所述层叠方向贯通所述多个第一绝缘体层的至少一部分，

所述一次线圈电连接在所述第一外部电极与所述第四外部电极之间，

所述二次线圈电连接在所述第二外部电极与所述第五外部电极之间，

所述三次线圈电连接在所述第三外部电极与所述第六外部电极之间，

所述第一层间连接导体、所述第二层间连接导体以及所述第三层间连接导体分别与所述第一线圈导体层、所述第二线圈导体层以及所述第三线圈导体层的内周侧的端部电连接，

在从所述层叠方向观察时，所述第一层间连接导体、所述第二层间连接导体以及所述第三层间连接导体与所述磁芯相比不位于所述第二正交方向的一侧。

2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，

所述电子部件还具备将所述一次线圈、所述二次线圈以及所述三次线圈的一侧的端部的各个与所述第一外部电极、所述第二外部电极以及所述第三外部电极的各个连接的第一引出部、第二引出部以及第三引出部，

所述第一引出部、所述第二引出部以及所述第三引出部分别包括所述第一层间连接导体、所述第二层间连接导体以及所述第三层间连接导体，

所述第一线圈导体层、所述第二线圈导体层以及所述第三线圈导体层的内周侧的端部分别是所述一次线圈、所述二次线圈以及所述三次线圈的一侧的端部。

3.根据权利要求2所述的电子部件，其特征在于，

所述第一引出部、所述第二引出部以及所述第三引出部分别还包括在所述层叠体中沿所述层叠方向设置在与所述第一线圈导体层、所述第二线圈导体层以及所述第三线圈导体层不同的位置的第一引出导体层、第二引出导体层以及第三引出导体层，

所述第一层间连接导体、所述第二层间连接导体、以及所述第三层间连接导体分别从所述第一正交方向的一侧向另一侧依次排列，

所述第一引出导体层的一侧的端部与所述第一层间连接导体连接，

所述第二引出导体层的一侧的端部与所述第二层间连接导体连接，

所述第三引出导体层的一侧的端部与所述第三层间连接导体连接。

4.根据权利要求3所述的电子部件，其特征在于，

所述第一线圈导体层、所述第二线圈导体层以及所述第三线圈导体层的内周侧的端部从所述第一正交方向的一侧向另一侧依次排列。

5.根据权利要求3或者4所述的电子部件，其特征在于，

所述第一外部电极设置在所述主体中位于所述层叠方向的一侧或者另一侧的面，

在从所述层叠方向观察时，所述第一引出导体层的另一侧的端部与所述第一外部电极重叠。

6.根据权利要求1～5的任意一项所述的电子部件，其特征在于，

在从所述层叠方向观察时，所述第一层间连接导体、所述第二层间连接导体以及所述第三层间连接导体分别与所述磁芯中最靠近所述第二正交方向的另一侧的部分相比位于所述第二正交方向的另一侧。

7.根据权利要求1～6的任意一项所述的电子部件，其特征在于，

所述规定区域的所述第二正交方向的长度比所述规定区域的所述第一正交方向的长度短。

8.根据权利要求1～5的任意一项所述的电子部件，其特征在于，

在从所述层叠方向观察时，所述第一层间连接导体、所述第二层间连接导体以及所述第三层间连接导体的至少一个与所述磁芯相比位于所述第二正交方向的另一侧，

在从所述层叠方向观察时，剩余的所述第一层间连接导体、所述第二层间连接导体以及所述第三层间连接导体与所述磁芯相比位于所述第一正交方向的一侧或者另一侧。

9.根据权利要求1～8的任意一项所述的电子部件，其特征在于，

所述第一线圈导体层、所述第二线圈导体层以及所述第三线圈导体层的外周侧的端部分别与所述第四外部电极、所述第五外部电极以及所述第六外部电极电连接，并且在从所述层叠方向观察时，与所述磁芯中最靠近所述第二正交方向的一侧的部分相比位于所述第二正交方向的一侧。

10.根据权利要求1～9的任意一项所述的电子部件，其特征在于，

所述一次线圈包括以串联的方式电连接的漩涡状的n个一次线圈导体层，其中，n是自然数，

所述二次线圈包括以串联的方式电连接的漩涡状的n个二次线圈导体层，其中，n是自然数，

所述三次线圈包括以串联的方式电连接的漩涡状的n个三次线圈导体层，其中，n是自然数，

所述n个一次线圈导体层包括所述第一线圈导体层，

所述n个二次线圈导体层包括所述第二线圈导体层，

所述n个三次线圈导体层包括所述第三线圈导体层，

通过所述一次线圈导体层、所述二次线圈导体层以及所述三次线圈导体层逐个从所述层叠方向的一侧向另一侧依次排列而构成一个线圈导体层组，

n个所述线圈导体层组从所述层叠方向的一侧向另一侧排列。

11.根据权利要求10所述的电子部件，其特征在于，

n的最大值是奇数。

12.根据权利要求10或者11所述的电子部件，其特征在于，

所述一次线圈还包括并联一次线圈导体层，

所述并联一次线圈导体层呈与所述n个一次线圈导体层中的规定的一次线圈导体层相同的形状，并且以并联的方式与所述规定的一次线圈导体层电连接，并且相对于设置在最靠近所述层叠方向的另一侧的所述三次线圈导体层设置在所述层叠方向的另一侧。

13.根据权利要求1～12的任意一项所述的电子部件，其特征在于，

所述主体还包括层叠在所述层叠体的所述层叠方向的一侧或者另一侧的磁性体基板。