CN105846790B - 电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够实现小型化的电子部件。本发明所涉及的电子部件的特征在于，第1电感至第n电感分别从与层叠方向垂直的第1正交方向俯视时呈现卷绕的形状，第n+1电感具有第n+1电感导体层，该第n+1电感导体层是从层叠方向俯视时呈现卷绕形状的线状第n+1电感导体层，且从第1正交方向俯视时位于被第1电感所包围的区域内，第n+1电容具有第n+1电容导体层，该第n+1电容导体层与第1外部电极电连接，且隔着绝缘体层与第1电感导体层相对。

Description

电子部件

技术领域

本发明涉及电子部件，更进一步地，涉及具有多个谐振器的电子部件。

背景技术

作为以往的电子部件，例如已知有专利文献1中所记载的带通滤波器。该带通滤波器具有输入端子、输出端子、4个LC并联谐振器、第1陷波谐振器以及第2陷波谐振器。4个LC并联谐振器通过彼此进行磁场耦合从而构成带通滤波器。第1陷波谐振器通过将电容与电感进行并联连接来构成，并设置于输入端子与LC并联谐振器之间。第2陷波谐振器通过将电容与电感进行并联连接来构成，并设置于输出端子与LC并联谐振器之间。如上构成的电子部件中，通过设置陷波谐振器，从而使通频带的高频侧的截止频率中的高频信号的衰减量增大。

但是，专利文献1所记载的带通滤波器中，LC并联谐振器的小型化很困难。更具体而言，4个LC并联谐振器、第1陷波谐振器以及第2陷波谐振器的电感分别含有线路电极层以及2根通孔电极。线路电极层形成为在与上下方向正交的第1方向上延伸的直线形状。2根通孔电极分别从线路电极层的两端向下方延伸。如此，6个电感形成向下侧开口的有棱角的U字形。此外，6个电感配置成在与第1方向正交的第2方向上排列成一列。如此，若多个电感配置成在第2方向上排列成一列，则电子部件的第2方向上的长度会变长。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2013-70288号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

因此，本发明的目的是提供一种能够实现小型化的电子部件。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的一个实施方式所涉及的电子部件的特征在于，包括：多个绝缘体层在层叠方向上进行层叠而构成的层叠体；第1外部电极，该第1外部电极设置于所述层叠体的表面；第1谐振器至第n(n为2以上的整数)谐振器，该第1谐振器至第n(n为2以上的整数)谐振器在所述层叠体中在与所述层叠方向正交的第1正交方向上按此顺序排列，且在该第1正交方向上相邻的谐振器之间进行磁场耦合；以及第1LC并联谐振器，该第1LC并联谐振器与所述第1外部电极连接，所述第1谐振器至第n谐振器分别包含第1电感至第n电感以及第1电容至第n电容，所述第1电感至所述第n电感分别通过将设置于所述绝缘体层上的第1电感导体层至第n电感导体层和在层叠方向上贯通所述绝缘体层的第1层间连接导体至第n层间连接导体进行连接，从而从与所述层叠方向垂直的第1正交方向俯视时呈现卷绕的形状，所述第1LC并联谐振器包含第n+1电感以及第n+1电容，所述第n+1电感具有第n+1电感导体层，该第n+1电感导体层是从所述层叠方向俯视时呈现卷绕形状的线状第n+1电感导体层，从所述第1正交方向俯视时位于被所述第1电感所包围的区域内，且所述第n+1电感与所述第1谐振器连接，所述第n+1电容具有第n+1电容导体层，该第n+1电容导体层与所述第1外部电极电连接，且隔着所述绝缘体层与所述第1电感导体层相对。

发明的技术效果

根据本发明，能够实现小型化。

附图说明

图1A是第1实施方式所涉及的电子部件10a的等效电路图。

图1B是电子部件10a的外观立体图。

图2是电子部件10a的分解图。

图3是电子部件10a的分解图。

图4是电子部件10a的分解图。

图5是电子部件10a的分解图。

图6是表示第1模型的模拟结果的曲线图。

图7是表示第2模型的模拟结果的曲线图。

图8是电子部件10b的绝缘体层16b、16k、16c的俯视图。

图9是电子部件10c的绝缘体层16h、16k、16i的俯视图。

图10是电子部件10d的等效电路图。

图11是电子部件10e的等效电路图。

具体实施方式

下面，关于本发明的实施方式所涉及的电子部件，参照附图进行说明。

(第1实施方式)

(电子部件的结构)

首先，关于第1实施方式所涉及的电子部件10a的电路结构，参照附图进行说明。图1A是第1实施方式所涉及的电子部件10a的等效电路图。

电子部件10a是将低通滤波器与高通滤波器进行组合而成的带通滤波器，如图1A所示，具有外部电极14a～14c、电感L1～L6以及电容C1～C6、C11、C12、C22～C24。

外部电极14a、14b是高频信号的输入输出端子。外部电极14c是与接地电位连接的接地端子。外部电极14a与外部电极14b通过信号路径SL进行连接。

电感L5、电容C22～C24以及电感L6设置于信号路径SL上，从外部电极14a到外部电极14b以此顺序进行串联电连接。

电容C11连接于电感L5与电容C22间的点与外部电极14c之间。由此，电感L5与电容C11构成低通滤波器LPF1。低通滤波器LPF1的截止频率是频率fc1。

电容C12连接于电感L6与电容C24间的点与外部电极14c之间。由此，电感L6与电容C12构成低通滤波器LPF2。低通滤波器LPF2的截止频率是频率fc2。

电感L1以及电容C1通过串联电连接于信号路径SL与外部电极14c之间，从而构成LC串联谐振器LC1。本实施方式中，LC串联谐振器LC1连接于电感L5与电容C22间的点与外部电极14c之间。LC串联谐振器LC1的谐振频率是频率fa1。

电感L2以及电容C2通过串联电连接于信号路径SL与外部电极14c之间，从而构成LC串联谐振器LC2。本实施方式中，LC串联谐振器LC2连接于电容C22与电容C23间的点与外部电极14c之间。LC串联谐振器LC2的谐振频率是频率fa2。

电感L3以及电容C3通过串联电连接于信号路径SL与外部电极14c之间，从而构成LC串联谐振器LC3。本实施方式中，LC串联谐振器LC3连接于电容C23与电容C24间的点与外部电极14c之间。LC串联谐振器LC3的谐振频率是频率fa3。

电感L4以及电容C4通过串联电连接于信号路径SL与外部电极14c之间，从而构成LC串联谐振器LC4。本实施方式中，LC串联谐振器LC4连接于电容C24与电感L6间的点与外部电极14c之间。LC串联谐振器LC4的谐振频率是频率fa4。

电容C5与电感L5以及电感L1的一部分进行并联电连接，构成LC并联谐振器LC5。本实施方式中，电容C5连接于外部电极14a与电感L1之间。其中，电容C5的一端并不连接于电感L1的端部，而连接于电感L1两端以外的部分。因而，电感L1的一部分起到作为电容电极的作用。此外，LC并联谐振器LC5连接于外部电极14a。LC并联谐振器LC5的谐振频率是频率fa5。

电容C6与电感L6以及电感L4的一部分进行并联电连接，构成LC并联谐振器LC6。本实施方式中，电容C6连接于外部电极14b与电感L4之间。其中，电容C6的一端并不连接于电感L4的端部，而连接于电感L4两端以外的部分。因而，电感L6的一部分起到作为电容电极的作用。此外，LC并联谐振器LC6连接于外部电极14b。LC并联谐振器LC6的谐振频率是频率fa6。

这里，电子部件10a被设计为频率fc1、fc2比频率fa1～fa4更高。由此，LC串联谐振器LC1～LC4以及低通滤波器LPF1、LPF2构成带通滤波器，该带通滤波器使频率fc1、fc2与频率fa1～fa4之间的频带的高频信号从外部电极14a向外部电极14b进行通过。

此外，电子部件10a被设计为，频率fa5、fa6与带通滤波器的通频带的高频侧的截止频率实质上一致。由此，带通滤波器的通频带的高频侧的截止频率的下降沿变得陡峭。

此外，电感L1以及电容C22构成高通滤波器HPF1。高通滤波器HPF1的截止频率是截止频率fc11。其结果是，高通滤波器HPF1使比截止频率fc11高的频带的高频信号通过信号路径SL。

电感L2以及电容C22、C23构成高通滤波器HPF2。高通滤波器HPF2的截止频率是截止频率fc12。其结果是，高通滤波器HPF2使比截止频率fc12高的频带的高频信号通过信号路径SL。

电感L3以及电容C23、C24构成高通滤波器HPF3。高通滤波器HPF3的截止频率是截止频率fc13。其结果是，高通滤波器HPF3使比截止频率fc13高的频带的高频信号通过信号路径SL。

电感L4以及电容C24构成高通滤波器HPF4。高通滤波器HPF4的截止频率是截止频率fc14。其结果是，高通滤波器HPF4构成使比截止频率fc14高的频带的高频信号通过信号路径SL的高通滤波器HPF4。

接着，关于电子部件10a的具体结构，参照附图进行说明。图1B是电子部件10a的外观立体图。图2至图5是电子部件10a的分解图。电子部件10a中，将层叠体12的层叠方向定义为上下方向。此外，从上侧俯视电子部件10a时，将电子部件10a的上表面的长边延伸的方向定义为左右方向，电子部件10a的上表面的短边延伸的方向定义为前后方向。

电子部件10a如图1B至图5所示，具有：层叠体12；外部电极14a～14c；电感导体层18a、18b、30a～30e、42a～42d、118a、118b、130a～130e、142a～142d；连接导体层20、120；电容导体层22、26、32、40a、40b、44、46、50、60、122、126、132、140a、140b、144、150；以及通孔导体(层间连接导体的一例)v1～v9、v11～v16、v51、v101～v109、v111～v116。

层叠体12呈长方体形，通过将绝缘体层16a～16r从上侧向下侧以此顺序层叠来构成。绝缘体层16a～16r从上侧俯视时呈左右方向上延伸的长方形，例如由陶瓷等制成。以下，将绝缘体层16a～16r的上表面称为表面，绝缘体层16a～16r的下表面称为背面。

外部电极14a、14b如图1B所示，分别设置于层叠体12的左表面以及右表面(即层叠体12的表面)，呈上下方向上延伸的带状。此外，外部电极14a、14b的上端以及下端弯折至层叠体12的上表面以及下表面。

外部电极14c如图1B所示，设置于层叠体12的下表面的中央，呈长方形。外部电极14a～14c例如通过在由银等组成的基底电极上进行镀Ni以及镀Sn而制成。

电感导体层18a设置于绝缘体层16j的表面上，是以绝缘体层16j的左侧的短边的中央作为起点，以绝缘体16j的左半部分的区域的中央作为终点的线状导体层。电感导体层18a从上侧俯视时，从起点向终点以逆时针进行卷绕。电感导体层18a与外部电极14a连接。

电感导体层18b设置于绝缘体层16i的表面上，是以绝缘体层16i的左半部分区域的中央作为起点，以绝缘体16i的后侧的长边中央附近作为终点的线状导体层。电感导体层18b从上侧俯视时，从起点向终点以逆时针进行卷绕。

通孔导体v1在上下方向上贯通绝缘体层16i，将电感导体层18a的终点与电感导体层18b的起点进行连接。由此，电感导体层18a、18b以及通孔导体v1构成螺旋状的电感L5。

电容导体层22设置于绝缘体层16o的表面上，是设置于绝缘体层16o的后侧长边的中央附近的长方形的导体层。

电容导体层60设置于绝缘体层16q的表面上，是覆盖绝缘体层16q的大致整个表面的长方形的导体层。由此，电容导体层60从上侧俯视时，与电容导体层22重叠。由此，电容导体层22、60构成电容C11。

通孔导体v3在上下方向上贯通绝缘体层16j～16n，将电感导体层18b的终点与电容导体层22进行连接。由此，电容C11与电感L5连接。

通孔导体v51在上下方向上贯通绝缘体层16q、16r，将电容导体层60与外部电极14c进行连接。由此，电容C11与外部电极14c连接。

电感导体层30a设置于绝缘体层16l的表面上，是在绝缘体层16l的左侧的短边附近沿前后方向延伸的线状导体层。其中，电感导体层30a的前端以及后端分别向右侧弯折。

通孔导体v4在上下方向上贯通绝缘体层16h～16k。通孔导体v4的上端与电感导体层30a的后端连接。

电感导体层30b设置于绝缘体层16c的表面上，是在绝缘体层16c的左侧的短边附近沿前后方向延伸的线状导体层。其中，电感导体层30b的前端以及后端分别向右侧弯折。电感导体层30b的前端从上侧俯视时，与电感导体层30a的前端重叠，电感导体层30b的后端从上侧俯视时，位于比电感导体层30a的后端更靠后侧。

通孔导体v5在上下方向上贯通绝缘体层16c～16k，并将电感导体层30a的前端与电感导体层30b的前端进行连接。

电感导体层30c设置于绝缘体层16m的表面上，是在绝缘体层16m的左侧的短边附近沿前后方向延伸的线状导体层。其中，电感导体层30c的前端以及后端分别向左侧弯折。电感导体层30c的后端从上侧俯视时，与电感导体层30b的后端重叠，电感导体层30c的前端从上侧俯视时，位于比电感导体层30b的前端更靠前侧。

通孔导体v6在上下方向上贯通绝缘体层16c～16l，并将电感导体层30b的后端与电感导体层30c的后端进行连接。

电感导体层30d设置于绝缘体层16b的表面上，是在绝缘体层16b的左侧的短边附近沿前后方向延伸的线状导体层。其中，电感导体层30d的前端以及后端分别向左侧弯折。电感导体层30d的前端从上侧俯视时，与电感导体层30c的前端重叠，电感导体层30d的后端从上侧俯视时，位于比电感导体层30c的后端更靠后侧。

通孔导体v7在上下方向上贯通绝缘体层16b～16l，并将电感导体层30c的前端与电感导体层30d的前端进行连接。

电感导体层30e设置于绝缘体层16n的表面上，是在绝缘体层16n的左侧的短边附近沿前后方向延伸的线状导体层。其中，电感导体层30e的前端以及后端分别向右侧弯折。电感导体层30e的后端从上侧俯视时，与电感导体层30d的后端重叠，电感导体层30e的前端从上侧俯视时，与电感导体层30d的前端重叠。

通孔导体v8在上下方向上贯通绝缘体层16b～16m，并将电感导体层30d的后端与电感导体层30e的后端进行连接。

如上所述，通过将电感导体层30a～30e以及通孔导体v4～v8彼此进行连接来构成电感L1。由此，电感L1从左侧(与层叠方向垂直的正交方向)俯视时，呈漩涡状。本实施方式中，电感L1从左侧俯视时，在逆时针卷绕的同时，从内侧朝向外侧。

此外，电感L1中，电感导体层30a～30e从上侧俯视时，在上下方向上相邻的电感导体层彼此不重叠。更详细而言，电感导体层30b呈向右侧开口的U字形，电感导体层30d呈向左侧开口的U字形，因此电感导体层30b与电感导体层30d从上侧俯视时不重叠。此外，关于电感导体层30a与电感导体层30c之间的关系、以及电感导体层30c与电感导体层30e之间的关系，由于与电感导体层30b和电感导体层30d的关系相同，因此省略说明。

电感导体层32是设置于绝缘体层16p的表面上的长方形的导体层。电容导体层32设置于绝缘体层16p的左半部分的区域，从上侧俯视时与电容导体层60重叠。由此，电容导体层44、60构成电容C1。

通孔导体v9在上下方向上贯通绝缘体层16n、16o。通孔导体v9的上端与电感导体层30e的前端连接，通孔导体v9的下端与电容导体层32连接。因此，电感L1与电容C1连接。此外，电容导体层60通过通孔导体v51与外部电极14c连接，因此电容C1与外部电极14c连接。

连接导体层20设置于绝缘体层16h的表面上，是在绝缘体层16h的左半部分的区域中沿左右方向延伸的线状导体层。

通孔导体v2在上下方向上贯通绝缘体层16g、16h，将电感导体层18b的终点附近与连接导体层20的右端进行连接。通孔导体v4的下端与连接导体层20的左端连接。由此，电感L1经由连接导体层20以及通孔导体v2与电感L5连接。

电容导体层26设置于绝缘体层16g的表面上，是相对于绝缘体层16g的中央(对角线的交点)位于左侧的L字形的导体层。

电容导体层40b设置于绝缘体层16f的表面上，是相对于绝缘体层16f的中央(对角线的交点)位于左侧的长方形的导体层。电容导体层40b从上侧俯视时，与电容导体层26重叠。由此，电容导体层26、40b构成电容C22。

电容导体层40a设置于绝缘体层16d的表面上，是相对于绝缘体层16d的中央(对角线的交点)位于左侧的长方形的导体层。电容导体层40a从上侧俯视时，以与电容导体层40b一致的状态进行重叠。

通孔导体v16在上下方向上贯通绝缘体层16d、16e，并将电容导体层40a与电容导体层40b进行连接。

电感导体层42a设置于绝缘体层16l的表面上，是相对于电感导体层30a位于右侧的L字形的线状导体层。电感导体层42a从绝缘体层16l的前侧的长边的中央附近向后侧延伸后，向左侧弯折。

通孔导体v11在上下方向上贯通绝缘体层16f～16k。通孔导体v11的上端与电感导体层40b连接。通孔导体v11的下端与电感导体层42a的前端连接。

电感导体层42b设置于绝缘体层16c的表面上，是相对于电感导体层30b在右侧沿前后方向延伸的线状导体层。其中，电感导体层42b的前端以及后端分别向右侧弯折。电感导体层42b的后端从上侧俯视时，与电感导体层42a的后端重叠。

通孔导体v12在上下方向上贯通绝缘体层16c～16k，并将电感导体层42a的后端与电感导体层42b的后端进行连接。

电感导体层42c设置于绝缘体层16m的表面上，是相对于电感导体层30c在右侧沿前后方向延伸的线状导体层。其中，电感导体层42c的前端以及后端分别向左侧弯折。电感导体层42c的前端从上侧俯视时，与电感导体层42b的前端重叠，电感导体层42c的后端从上侧俯视时，位于比电感导体层42b的后端更靠后侧。

通孔导体v13在上下方向上贯通绝缘体层16c～16l，并将电感导体层42b的前端与电感导体层42c的前端进行连接。

电感导体层42d设置于绝缘体层16b的表面上，是相对于电感导体层30d在右侧沿前后方向延伸的线状导体层。其中，电感导体层42d的前端以及后端分别向左侧弯折。电感导体层42d的后端从上侧俯视时，与电感导体层42c的后端重叠，电感导体层42d的前端从上侧俯视时，位于比电感导体层42c的前端更靠前侧。

通孔导体v14在上下方向上贯通绝缘体层16b～16l，并将电感导体层42c的后端与电感导体层42d的后端进行连接。

通孔导体v15在上下方向上贯通绝缘体层16b～16o。通孔导体v15的上端与电感导体层42d的前端连接。

如上所述，通过将电感导体层42a～42d以及通孔导体v11～v15彼此进行连接来构成电感L2。由此，电感L2从左侧(与层叠方向垂直的正交方向)俯视时，呈漩涡状。本实施方式中，电感L2从左侧俯视时，在顺时针卷绕的同时，从内侧朝向外侧。即，电感L1的卷绕方向与电感L2的卷绕方向相反。

此外，电感L2中，上下方向上相邻的2个电感导体层42a～42d从上侧俯视时不重叠。其中，关于电感导体层42a～42d的重叠，由于与电感导体层30a～30e的重叠相同，因此省略说明。

此外，如前所述，通孔导体v11的上端与电容导体层40b连接。因此，电感L2与电容C22连接。

这里，电感导体层18a、18b从左侧俯视时，位于被电感L1、L2所包围的区域内。本实施方式中，电感导体层18a、18b在左右方向上穿过呈漩涡状的L1、L2的中心附近。因此，电感导体层18a、18b的周围被电感导体层30b、42b、30c、42c以及通孔导体v5、v6、v12、v13所包围。

电感导体层44是设置于绝缘体层16p的表面上的长方形的导体层。电容导体层44设置于绝缘体层16p的左半部分的区域，从上侧俯视时与电容导体层60重叠。由此，电容导体层44、60构成电容C2。

通孔导体v15的下端与电容导体层44连接。因此，电感L2与电容C2连接。此外，电容导体层60通过通孔导体v51与外部电极14c连接，因此电容C2与外部电极14c连接。

电容导体层50设置于绝缘体层16k的表面上，是与外部电极15a连接的长方形的导体层。电容导体层50从上侧俯视时，与电容导体层30a重叠。由此，电容导体层50隔着绝缘体层16k与电感导体层30a相对。其结果是，在电容导体层50与电感导体层30a之间形成有电容C5。

而且，电容导体层50隔着绝缘体层16j也与电感导体层18a相对。

电感导体层118a、118b、130a～130e、142a～142d；连接导体层20；电容导体层122、126、132、140a、140b、144、150；以及通孔导体v101～109、v111～v116从上侧俯视时，关于沿前后方向通过层叠体12的上表面的中央的直线，具有与电感导体18a、18b、30a～30e、42a～42d；连接导体层20；电容导体层22、26、32、40a、40b、44、46、50；以及通孔导体v1～v9、v11～v16线对称的构造。因此，省略电感导体层118a、118b、130a～130e、142a～142d；连接导体层20；电容导体层122、126、132、140a、140b、144、150；以及通孔导体v101～v109、v111～v116的说明。

通过如上述那样构成电感L1～L4以及电容C1～C4，从而LC的串联谐振器LC1～LC4从左侧向右侧以此顺序排列。而且，LC串联谐振器LC1～LC4在相邻谐振器之间进行磁场耦合。

此外，电容导体层46设置于绝缘体层16e的表面上，由2个长方形的导体层以及1根线状导体层构成。一个长方形导体层从上侧俯视时，与电容导体层40a、40b重叠。另一个长方形导体层从上侧俯视时，与电容导体层140a、140b重叠。线状导体层连接2个长方形导体层。由此，电容导体层40a、40b、46、140a、140b构成电容C23。

如上所述的电感导体层、电容导体层、连接导体层以及通孔导体例如由以银为主要成分的导电性浆料等制成。

(效果)

根据电子部件10a，能够实现小型化。更详细而言，电感导体层18a、18b从左侧俯视时，位于被电感L1、L2所包围的区域内。由此，无需将电感L5配置于电感L1的左侧。其结果是，电子部件10a的左右方向的长度变短，可实现电子部件10a的小型化。此外，关于电感L6，也可以说与电感L5相同。

此外，电子部件10a具有与外部电极14a连接的LC并联谐振器LC5。由此，通过使LC并联谐振器LC5的频率fa5与带通滤波器的通频带的高频侧的截止频率实质上一致，从而带通滤波器的通频带的高频侧的截止频率的下降沿变得陡峭。

本申请发明人为了使电子部件10a所起到的效果更加明确，进行了如下说明的计算机模拟。更详细而言，本申请发明人制成了具有电子部件10a构造的第1模型以及具有从电子部件10a中去除电容C5、C6后的构造的第2模型。而且，使计算机对第1模型以及第2模型的通过特性(S21)以及反射特性(S11)进行运算。图6是表示第1模型的模拟结果的曲线图。图7是表示第2模型的模拟结果的曲线图。图6以及图7中纵轴表示|S11|、|S21|，横轴表示频率。

对图6与图7进行比较可知，相比第2模型，第1模型的带通滤波器的通频带的高频侧的截止频率的下降沿更为陡峭。这是因为电子部件10a中通过增加电容C5、C6从而设置有LC并联谐振器LC5、LC6的缘故。

此外，电子部件10a中，能够增加电容C5而不使内部构造复杂化。更详细而言，作为增加电容C5的方法，例如可考虑增加与电感导体层18a、18b连接的通孔导体的同时增加与该通孔导体连接的电容导体层的方法。其中，在这种情况下，存在用于形成电容导体层的通孔导体的走线变得复杂的问题。因此，电子部件10a中，增加了与外部电极14a连接的长方形的电容导体层50。由此，无需通孔导体的走线，可实现内部构造的简化。

(第2实施方式)

以下，关于第2实施方式所涉及的电子部件10b，参照附图进行说明。图8是电子部件10b的绝缘体层16b、16k、16c的俯视图。

电子部件10b在设置绝缘体层16k以及电容导体层50、150的位置上与电子部件10a不同。更详细而言，绝缘体层16k层叠于绝缘体层16b与绝缘体层16c之间。电容导体层50从上侧俯视时，与电感导体层30b重叠。此外，在电容导体层50与电感导体层18a、18b之间设置有电感导体层30b。由此，电容导体层50与电感导体层18a、18b不再相对。此外，关于电容导体层150，因为具有与电容导体层50相同的构造因此省略说明。

根据电子部件10b，可起到与电子部件10a相同的作用效果。

此外，根据电子部件10b，电容导体层50与电感导体层18a、18b之间不易形成电容。由此，可抑制LC并联谐振器LC5的谐振频率fa5偏离期望值。

(第3实施方式)

以下，关于第3实施方式所涉及的电子部件10c，参照附图进行说明。图9是电子部件10c的绝缘体层16h、16k、16i的俯视图。

电子部件10c在设置绝缘体层16k以及电容导体层50、150的位置上与电子部件10a不同。更详细而言，绝缘体层16k层叠于绝缘体层16h与绝缘体层16i之间。电容导体层50从上侧俯视时，与电感导体层18b重叠。由此，在电容导体层50与电感导体层18b之间形成电容。此外，关于电容导体层150，因为具有与电容导体层50相同的构造因此省略说明。

根据电子部件10c，可起到与电子部件10a相同的作用效果。

(第4实施方式)

以下，关于第4实施方式所涉及的电子部件10d，参照附图进行说明。图10是电子部件10d的等效电路图。

电子部件10d在电感L1～L4以及电容C1～C4构成LC并联谐振器LC11～LC14这一点上，与电子部件10a不同。LC并联谐振器LC11～LC14构成带通滤波器。

根据电子部件10d，可起到与电子部件10a相同的作用效果。

(第5实施方式)

以下，关于第5实施方式所涉及的电子部件10e，参照附图进行说明。图11是电子部件10e的等效电路图。

电子部件10e在是低通滤波器这一点上与电子部件10a不同。更详细而言，电容C1以及电感L1构成LC并联谐振器LC11。电容C2以及电感L2构成LC并联谐振器LC12。LC并联谐振器LC11与LC并联谐振器LC12进行串联电连接。

此外，电感L5连接于外部电极14a与LC并联谐振器LC11之间。电感L6连接于外部电极14b与LC并联谐振器LC12之间。

此外，电容C5与电感L5一起构成并联谐振器LC5。电容C6与电感L6一起构成并联谐振器LC6。

此外，电容C31连接于外部电极14a与电感L5间的点与外部电极14c之间。电容C32连接于电感L5与电感L1间的点与外部电极14c之间。电容C33连接于电感L1与电感L2间的点与外部电极14c之间。电容C34连接于电感L2与电感L6间的点与外部电极14c之间。电容C35连接于外部电极14b与电感L6间的点与外部电极14c之间。

根据电子部件10e，可起到与电子部件10a相同的作用效果。

此外，电子部件10e中优选为，使LC并联谐振器LC5、LC6的谐振频率fa5、fa6与低通滤波器的截止频率实质上相一致。

(其他的实施方式)

本发明所涉及的电子部件不限于电子部件10a～10e，在其要旨范围内可以进行变更。

此外，电子部件10a～10e的结构也可进行任意的组合。

此外，电容C5、C6也可分别与电感L1、L4的端部连接。如此，通过调整电容C5、C6与L1、L4连接的位置，从而能够调整与电容C5、C6并联连接的电感分量的电感值。

此外，电感L1～L4呈现卷绕数周的漩涡状，但也可呈现卷绕1周以下的形状。

此外，电容导体层50也可不与外部电极14a直接连接，也可以经由通孔导体以及其他的导体层与外部电极14a进行电连接。

此外，也可仅设置LC并联谐振器LC5、LC6中的某一个。

工业上的实用性

如上所述，本发明可用于电子部件，特别是在能够实现小型化的方面较为优异。

标号说明

10a～10e 电子部件

12 层叠体

14a～14C 外部电极

16a～16r 绝缘体层

18a，18b，30a～30e，42a～42d，118a，118b，130a～130e，142a～142d 电感导体层

22，26，32，40a，40b，44，46，50，60，122，126，132，140a，140b，144，150 电容导体层

C1～C6，C11、C12，C22～C24，C31～C35 电容

L1～L6 电感

LC1～LC4 LC串联谐振器

LC5，LC6，LC11～LC14 LC并联谐振器

Claims (6)

1.一种电子部件，其特征在于，包括：

多个绝缘体层在层叠方向上进行层叠而构成的层叠体；

第1外部电极，该第1外部电极设置于所述层叠体的表面；

第1谐振器至第n谐振器，该第1谐振器至第n谐振器在所述层叠体中在与所述层叠方向正交的第1正交方向上按第1谐振器至第n谐振器的顺序排列，且在该第1正交方向上相邻的谐振器之间进行磁场耦合，其中n为2以上的整数；以及

第1LC并联谐振器，该第1LC并联谐振器与所述第1外部电极连接，

所述第1谐振器至第n谐振器分别包含第1电感至第n电感以及第1电容至第n电容，

所述第1电感至所述第n电感分别通过将设置于所述绝缘体层上的第1电感导体层至第n电感导体层和在层叠方向上贯通所述绝缘体层的第1层间连接导体至第n层间连接导体进行连接，从而从与所述层叠方向正交的第1正交方向俯视时呈现卷绕的形状，

所述第1LC并联谐振器包含第n+1电感以及第n+1电容，

所述第n+1电感具有第n+1电感导体层，该第n+1电感导体层是从所述层叠方向俯视时呈现卷绕形状的线状第n+1电感导体层，该第n+1电感导体层从与所述层叠方向正交的第1正交方向俯视时位于被所述第1电感所包围的区域内，且所述第n+1电感与所述第1谐振器连接，

所述第n+1电容具有第n+1电容导体层，该第n+1电容导体层与所述第1外部电极电连接，且隔着所述绝缘体层与所述第1电感导体层相对，

所述第n+1电容导体层隔着所述绝缘体层与所述第n+1电感导体层相对。

2.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于，

所述第1谐振器至第n谐振器是LC串联谐振器。

3.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于，

所述第1谐振器至第n谐振器是LC并联谐振器。

4.如权利要求1至3的任一项所述的电子部件，其特征在于，

所述第1电感包含多个所述第1电感导体层，

在所述层叠方向上在所述第n+1电容导体层与所述第n+1电感导体层之间设置有所述第1电感导体层。

5.如权利要求1至3的任一项所述的电子部件，其特征在于，

所述第1谐振器至第n谐振器构成带通滤波器，该带通滤波器使预定频带的高频信号通过，

所述第1LC并联谐振器的谐振频率与所述预定频带的高频侧的截止频率一致。

6.如权利要求4所述的电子部件，其特征在于，

所述第1谐振器至第n谐振器构成带通滤波器，该带通滤波器使预定频带的高频信号通过，

所述第1LC并联谐振器的谐振频率与所述预定频带的高频侧的截止频率一致。