JP2016140043A

JP2016140043A - 電子部品

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Publication number: JP2016140043A
Application number: JP2015015627A
Authority: JP
Inventors: 邦広渡辺; Kunihiro Watanabe
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2015-01-29
Filing date: 2015-01-29
Publication date: 2016-08-04
Anticipated expiration: 2035-01-29
Also published as: JP6314861B2; TWI569574B; US9882541B2; CN105846790B; TW201644194A; CN105846790A; US20160226463A1

Abstract

【課題】小型化を図ることができる電子部品を提供することである。【解決手段】本発明に係る電子部品は、第１のインダクタないし第ｎのインダクタはそれぞれ、積層方向に対して垂直な第１の直交方向から平面視したときに周回する形状をなしており、積層方向に対して垂直な第１の直交方向から平面視したときに周回する形状をなしており、第ｎ＋１のインダクタは、積層方向から平面視したときに、周回する形状をなす線状の第ｎ＋１のインダクタ導体層であって、第１の直交方向から平面視したときに第１のインダクタに囲まれた領域内に位置する第ｎ＋１のインダクタ導体層を有しており、第ｎ＋１のコンデンサは、第１の外部電極に電気的に接続され、かつ、第１のインダクタ導体層と絶縁体層を介して対向する第ｎ＋１のコンデンサ導体層を有していること、を特徴とする。【選択図】図３

Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、複数の共振器を備えた電子部品に関する。

従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の帯域通過フィルタが知られている。該帯域通過フィルタは、入力端子、出力端子、４つのＬＣ並列共振器、第１のトラップ共振器及び第２のトラップ共振器を備えている。４つのＬＣ並列共振器は、互いに磁界結合することによりバンドパスフィルタを構成している。第１のトラップ共振器は、コンデンサとインダクタとが並列接続されることにより構成されており、入力端子とＬＣ並列共振器との間に設けられている。第２のトラップ共振器は、コンデンサとインダクタとが並列接続されることにより構成されており、出力端子とＬＣ並列共振器との間に設けられている。以上のように構成された電子部品では、トラップ共振器が設けられることにより、通過帯域の高周波側のカットオフ周波数における高周波信号の減衰量を大きくすることができる。

しかしながら、特許文献１に記載の帯域通過フィルタでは、ＬＣ並列共振器の小型化が困難である。より詳細には、４つのＬＣ並列共振器、第１のトラップ共振器及び第２のトラップ共振器のインダクタはそれぞれ、線路電極層と２本のビア電極とを含んでいる。線路電極層は、上下方向に直交する第１の方向に延在する直線状をなしている。２本のビア電極はそれぞれ、線路電極層の両端から下方に向かって延在している。このように、６つのインダクタは、下側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。そして、６つのインダクタは、第１の方向に直交する第２の方向に一列に並ぶように配置されている。このように多くのインダクタが第２の方向に一列に並ぶように配置されていると、電子部品の第２の方向における長さが長くなってしまう。

特開２０１３−７０２８８号公報

そこで、本発明の目的は、小型化を図ることができる電子部品を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、前記積層体の表面に設けられている第１の外部電極と、前記積層体において前記積層方向に直交する第１の直交方向にこの順に並ぶ第１の共振器ないし第ｎ（ｎは２以上の整数）の共振器であって、該第１の直交方向に隣り合うもの同士で磁界結合している第１の共振器ないし第ｎ（ｎは２以上の整数）の共振器と、前記第１の外部電極に接続されている第１のＬＣ並列共振器と、を備えており、前記第１の共振器ないし第ｎの共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ及び第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタはそれぞれ、前記絶縁体層上に設けられている第１のインダクタ導体層ないし第ｎのインダクタ導体層と、前記絶縁体層を積層方向に貫通する第１の層間接続導体ないし第ｎの層間接続導体とが接続されることにより、前記積層方向に対して垂直な第１の直交方向から平面視したときに周回する形状をなしており、前記第１のＬＣ並列共振器は、第ｎ＋１のインダクタ及び第ｎ＋１のコンデンサを含んでおり、前記第ｎ＋１のインダクタは、前記積層方向から平面視したときに、周回する形状をなす線状の第ｎ＋１のインダクタ導体層であって、前記第１の直交方向から平面視したときに前記第１のインダクタに囲まれた領域内に位置する第ｎ＋１のインダクタ導体層を有しており、かつ、前記第１の共振器に接続されており、前記第ｎ＋１のコンデンサは、前記第１の外部電極に電気的に接続され、かつ、前記第１のインダクタ導体層と前記絶縁体層を介して対向する第ｎ＋１のコンデンサ導体層を有していること、を特徴とする。

本発明によれば、小型化を図ることができる。

第１の実施形態に係る電子部品１０ａの等価回路図である。電子部品１０ａの外観斜視図である。電子部品１０ａの分解図である。電子部品１０ａの分解図である。電子部品１０ａの分解図である。電子部品１０ａの分解図である。第１のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。第２のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。電子部品１０ｂの絶縁体層１６ｂ，１６ｋ，１６ｃを平面視した図である。電子部品１０ｃの絶縁体層１６ｈ，１６ｋ，１６ｉを平面視した図である。電子部品１０ｄの等価回路図である。電子部品１０ｅの等価回路図である。

以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態）
（電子部品の構成）
まず、第１の実施形態に係る電子部品１０ａの回路構成について図面を参照しながら説明する。図１Ａは、第１の実施形態に係る電子部品１０ａの等価回路図である。

電子部品１０ａは、ローパスフィルタとハイパスフィルタとを組み合わせたバンドパスフィルタであり、図１Ａに示すように、外部電極１４ａ〜１４ｃ、インダクタＬ１〜Ｌ６及びコンデンサＣ１〜Ｃ６，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２２〜Ｃ２４を備えている。

外部電極１４ａ，１４ｂは、高周波信号の入出力端子である。外部電極１４ｃは、接地電位に接続されるグランド端子である。外部電極１４ａと外部電極１４ｂとは、信号経路ＳＬにより接続されている。

インダクタＬ５、コンデンサＣ２２〜Ｃ２４及びインダクタＬ６は、信号経路ＳＬ上に設けられており、外部電極１４ａから外部電極１４ｂへとこの順に電気的に直列に接続されている。

コンデンサＣ１１は、インダクタＬ５とコンデンサＣ２２との間と外部電極１４ｃとの間に接続されている。これにより、インダクタＬ５とコンデンサＣ１１とは、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成している。ローパスフィルタＬＰＦ１のカットオフ周波数は、周波数ｆｃ１である。

コンデンサＣ１２は、インダクタＬ６とコンデンサＣ２４との間と外部電極１４ｃとの間に接続されている。これにより、インダクタＬ６とコンデンサＣ１２とは、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成している。ローパスフィルタＬＰＦ２のカットオフ周波数は、周波数ｆｃ２である。

インダクタＬ１及びコンデンサＣ１は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ１を構成している。本実施形態では、ＬＣ直列共振器ＬＣ１は、インダクタＬ５とコンデンサＣ２２との間と外部電極１４ｃとの間に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ１の共振周波数は、周波数ｆａ１である。

インダクタＬ２及びコンデンサＣ２は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ２を構成している。本実施形態では、ＬＣ直列共振器ＬＣ２は、コンデンサＣ２２とコンデンサＣ２３との間と外部電極１４ｃとの間に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ２の共振周波数は、周波数ｆａ２である。

インダクタＬ３及びコンデンサＣ３は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ３を構成している。本実施形態では、ＬＣ直列共振器ＬＣ３は、コンデンサＣ２３とコンデンサＣ２４との間と外部電極１４ｃとの間に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ３の共振周波数は、周波数ｆａ３である。

インダクタＬ４及びコンデンサＣ４は、信号経路ＳＬと外部電極１４ｃとの間に電気的に直列に接続されることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ４を構成している。本実施形態では、ＬＣ直列共振器ＬＣ４は、コンデンサＣ２４とインダクタＬ６との間と外部電極１４ｃとの間に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ４の共振周波数は、周波数ｆａ４である。

コンデンサＣ５は、インダクタＬ５及びインダクタＬ１の一部に対して電気的に並列に接続されており、ＬＣ並列共振器ＬＣ５を構成している。本実施形態では、コンデンサＣ５は、外部電極１４ａとインダクタＬ１との間に接続されている。ただし、コンデンサＣ５の一端は、インダクタＬ１の端部ではなくインダクタＬ１の両端以外の部分に接続されている。従って、インダクタＬ１の一部が容量電極として働いている。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ５は、外部電極１４ａに接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ５の共振周波数は、周波数ｆａ５である。

コンデンサＣ６は、インダクタＬ６及びインダクタＬ４の一部に対して電気的に並列に接続されており、ＬＣ並列共振器ＬＣ６を構成している。本実施形態では、コンデンサＣ６は、外部電極１４ｂとインダクタＬ４との間に接続されている。ただし、コンデンサＣ６の一端は、インダクタＬ４の端部ではなくインダクタＬ４の両端以外の部分に接続されている。従って、インダクタＬ６の一部が容量電極として働いている。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ６は、外部電極１４ｂに接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ６の共振周波数は、周波数ｆａ６である。

ここで、周波数ｆｃ１，ｆｃ２が周波数ｆａ１〜ｆａ４よりも高くなるように、電子部品１０ａが設計されている。これにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４及びローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２は、周波数ｆｃ１，ｆｃ２と周波数ｆａ１〜ｆａ４との間の帯域の高周波信号を外部電極１４ａから外部電極１４ｂへと通過させるバンドパスフィルタを構成している。

また、周波数ｆａ５，ｆａ６がバンドパスフィルタの通過帯域の高周波側のカットオフ周波数と実質的に一致するように、電子部品１０ａが設計されている。これにより、バンドパスフィルタの通過帯域の高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻になる。

また、インダクタＬ１及びコンデンサＣ２２は、ハイパスフィルタＨＰＦ１を構成している。ハイパスフィルタＨＰＦ１のカットオフ周波数は、カットオフ周波数ｆｃ１１である。その結果、ハイパスフィルタＨＰＦ１は、カットオフ周波数ｆｃ１１よりも高い帯域の高周波信号を、信号経路ＳＬを通過させる。

インダクタＬ２及びコンデンサＣ２２，Ｃ２３は、ハイパスフィルタＨＰＦ２を構成している。ハイパスフィルタＨＰＦ２のカットオフ周波数は、カットオフ周波数ｆｃ１２である。その結果、ハイパスフィルタＨＰＦ２は、カットオフ周波数ｆｃ１２よりも高い帯域の高周波信号を、信号経路ＳＬを通過させる。

インダクタＬ３及びコンデンサＣ２３，Ｃ２４は、ハイパスフィルタＨＰＦ３を構成している。ハイパスフィルタＨＰＦ３のカットオフ周波数は、カットオフ周波数ｆｃ１３である。その結果、ハイパスフィルタＨＰＦ３は、カットオフ周波数ｆｃ１３よりも高い帯域の高周波信号を、信号経路ＳＬを通過させる。

インダクタＬ４及びコンデンサＣ２４は、ハイパスフィルタＨＰＦ４を構成している。ハイパスフィルタＨＰＦ４のカットオフ周波数は、カットオフ周波数ｆｃ１４である。その結果、ハイパスフィルタＨＰＦ４は、カットオフ周波数ｆｃ１４よりも高い帯域の高周波信号を、信号経路ＳＬを通過させるハイパスフィルタＨＰＦ４を構成している。

次に、電子部品１０ａの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図１Ｂは、電子部品１０ａの外観斜視図である。図２ないし図５は、電子部品１０ａの分解図である。電子部品１０ａにおいて、積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、電子部品１０ａを上側から平面視したときに、電子部品１０ａの上面の長辺が延在する方向を左右方向と定義し、電子部品１０ａの上面の短辺が延在する方向を前後方向と定義する。

電子部品１０ａは、図１Ｂないし図５に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｃ、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ，３０ａ〜３０ｅ，４２ａ〜４２ｄ，１１８ａ，１１８ｂ，１３０ａ〜１３０ｅ，１４２ａ〜１４２ｄ、接続導体層２０，１２０、コンデンサ導体層２２，２６，３２，４０ａ，４０ｂ，４４，４６，５０，６０，１２２，１２６，１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４４，１５０及びビアホール導体（層間接続導体の一例）ｖ１〜ｖ９，ｖ１１〜ｖ１６，ｖ５１，ｖ１０１〜ｖ１０９，ｖ１１１〜ｖ１１６を備えている。

積層体１２は、直方体状をなしており、絶縁体層１６ａ〜１６ｒが上側から下側へとこの順に積層されることにより構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｒは、上側から平面視したときに、左右方向に延在する長方形状をなしており、例えば、セラミック等により作製されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｒの上面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｒの下面を裏面と呼ぶ。

外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、図１Ｂに示すように、積層体１２の左面及び右面（すなわち積層体１２の表面）に設けられており、上下方向に延在する帯状をなしている。また、外部電極１４ａ，１４ｂの上端及び下端は、積層体１２の上面及び下面に折り返されている。

外部電極１４ｃは、図１Ｂに示すように、積層体１２の下面の中央に設けられており、長方形状をなしている。外部電極１４ａ〜１４ｃは、例えば、銀等からなる下地電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきが施されることにより作製されている。

インダクタ導体層１８ａは、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｊの左側の短辺の中央を始点とし、絶縁体層１６ｊの左半分の領域の中央を終点とする線状導体層である。インダクタ導体層１８ａは、上側から平面視したときに、始点から終点に向かって反時計回りに周回している。インダクタ導体層１８ａは、外部電極１４ａと接続されている。

インダクタ導体層１８ｂは、絶縁体層１６ｉの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｉの左半分の領域の中央を始点とし、絶縁体層１６ｉの後ろ側の長辺の中央近傍を終点とする線状導体層である。インダクタ導体層１８ｂは、上側から平面視したときに、始点から終点に向かって反時計回りに周回している。

ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｉを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａの終点とインダクタ導体層１８ｂの始点とを接続している。これにより、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ及びビアホール導体ｖ１は、螺旋状のインダクタＬ５を構成している。

コンデンサ導体層２２は、絶縁体層１６ｏの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｏの後ろ側の長辺の中央近傍に設けられている長方形状の導体層である。

コンデンサ導体層６０は、絶縁体層１６ｑの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｑの略全面を覆っている長方形状の導体層である。これにより、コンデンサ導体層６０は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２２と重なっている。よって、コンデンサ導体層２２，６０は、コンデンサＣ１１を構成している。

ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｉ〜１６ｎを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｂの終点とコンデンサ導体層２２とを接続している。これにより、コンデンサＣ１１とインダクタＬ５とが接続されている。

ビアホール導体ｖ５１は、絶縁体層１６ｑ，１６ｒを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層６０と外部電極１４ｃとを接続している。これにより、コンデンサＣ１１と外部電極１４ｃとが接続されている。

インダクタ導体層３０ａは、絶縁体層１６ｌの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｌの左側の短辺近傍において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ａの前端及び後端はそれぞれ、右側に向かって折り曲げられている。

ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｋを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ４の上端は、インダクタ導体層３０ａの後端に接続されている。

インダクタ導体層３０ｂは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｃの左側の短辺近傍において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ｂの前端及び後端はそれぞれ、右側に折り曲げられている。インダクタ導体層３０ｂの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ａの前端と重なっており、インダクタ導体層３０ｂの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ａの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｋを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層３０ａの前端とインダクタ導体層３０ｂの前端とを接続している。

インダクタ導体層３０ｃは、絶縁体層１６ｍの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｍの左側の短辺近傍において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ｃの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられている。インダクタ導体層３０ｃの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｂの後端と重なっており、インダクタ導体層３０ｃの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｂの前端よりも前側に位置している。

ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｌを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層３０ｂの後端とインダクタ導体層３０ｃの後端とを接続している。

インダクタ導体層３０ｄは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｂの左側の短辺近傍において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ｄの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられている。インダクタ導体層３０ｄの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｃの前端と重なっており、インダクタ導体層３０ｄの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｃの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｌを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層３０ｃの前端とインダクタ導体層３０ｄの前端とを接続している。

インダクタ導体層３０ｅは、絶縁体層１６ｎの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｎの左側の短辺近傍において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層３０ｅの前端及び後端はそれぞれ、右側に折り曲げられている。インダクタ導体層３０ｅの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｄの後端と重なっており、インダクタ導体層３０ｅの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｄの前端と重なっている。

ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｍを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層３０ｄの後端とインダクタ導体層３０ｅの後端とを接続している。

以上のように、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｅ及びビアホール導体ｖ４〜ｖ８は、互いに接続されることによりインダクタＬ１を構成している。これにより、インダクタＬ１は、左側（積層方向に垂直な直交方向）から平面視したときに渦巻状をなしている。本実施形態では、インダクタＬ１は、左側から平面視したときに、反時計回りに周回しながら、内側から外側へと向かう。

また、インダクタＬ１では、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｅは、上側から平面視したときに、上下方向において隣り合うもの同士で重なっていない。より詳細には、インダクタ導体層３０ｂは右側に向かって開口するＵ字型をなし、インダクタ導体層３０ｄは左側に向かって開口するＵ字型をなしているので、インダクタ導体層３０ｂとインダクタ導体層３０ｄとは、上側から平面視したときに、重なっていない。なお、インダクタ導体層３０ａとインダクタ導体層３０ｃとの関係、及び、インダクタ導体層３０ｃとインダクタ導体層３０ｅとの関係についても、インダクタ導体層３０ｂとインダクタ導体層３０ｄとの関係と同じであるので説明を省略する。

コンデンサ導体層３２は、絶縁体層１６ｐの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層３２は、絶縁体層１６ｐの左半分の領域に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層６０と重なっている。これにより、コンデンサ導体層４４，６０は、コンデンサＣ１を構成している。

ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｎ，１６ｏを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ９の上端は、インダクタ導体層３０ｅの前端に接続されており、ビアホール導体ｖ９の下端は、コンデンサ導体層３２に接続されている。そのため、インダクタＬ１とコンデンサＣ１とが接続されている。また、コンデンサ導体層６０がビアホール導体ｖ５１により外部電極１４ｃと接続されているので、コンデンサＣ１が外部電極１４ｃと接続されている。

接続導体層２０は、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｈの左半分の領域において左右方向に延在している線状導体層である。

ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｇ，１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ｂの終点近傍と接続導体層２０の右端とを接続している。ビアホール導体ｖ４の下端は、接続導体層２０の左端に接続されている。これにより、インダクタＬ１は、接続導体層２０及びビアホール導体ｖ２を介して、インダクタＬ５に接続されている。

コンデンサ導体層２６は、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｇの中央（対角線の交点）に対して左側に位置しているＬ字型の導体層である。

コンデンサ導体層４０ｂは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｆの中央（対角線の交点）に対して左側に位置している長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４０ｂは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２６と重なっている。これにより、コンデンサ導体層２６，４０ｂは、コンデンサＣ２２を構成している。

コンデンサ導体層４０ａは、絶縁体層１６ｄの表面上に設けられており、絶縁体層１６ｄの中央（対角線の交点）に対して左側に位置している長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４０ａは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層４０ｂと一致した状態で重なっている。

ビアホール導体ｖ１６は、絶縁体層１６ｄ，１６ｅを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層４０ａとコンデンサ導体層４０ｂとを接続している。

インダクタ導体層４２ａは、絶縁体層１６ｌの表面上に設けられており、インダクタ導体層３０ａに対して右側に位置するＬ字型の線状導体層である。インダクタ導体層４２ａは、絶縁体層１６ｌの前側の長辺の中央近傍から後ろ側に向かって延在した後、左側に向かって折れ曲がっている。

ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｋを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１１の上端は、コンデンサ導体層４０ｂに接続されている。ビアホール導体ｖ１１の下端は、インダクタ導体層４２ａの前端に接続されている。

インダクタ導体層４２ｂは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられており、インダクタ導体層３０ｂに対して右側において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４２ｂの前端及び後端はそれぞれ、右側に折り曲げられている。インダクタ導体層４２ｂの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ａの後端と重なっている。

ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｋを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４２ａの後端とインダクタ導体層４２ｂの後端とを接続している。

インダクタ導体層４２ｃは、絶縁体層１６ｍの表面上に設けられており、インダクタ導体層３０ｃに対して右側において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４２ｃの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられている。インダクタ導体層４２ｃの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ｂの前端と重なっており、インダクタ導体層４２ｃの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ｂの後端よりも後ろ側に位置している。

ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１６ｃ〜１６ｌを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４２ｂの前端とインダクタ導体層４２ｃの前端とを接続している。

インダクタ導体層４２ｄは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられており、インダクタ導体層３０ｄに対して右側において前後方向に延在する線状導体層である。ただし、インダクタ導体層４２ｄの前端及び後端はそれぞれ、左側に折り曲げられている。インダクタ導体層４２ｄの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ｃの後端と重なっており、インダクタ導体層４２ｄの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層４２ｃの前端よりも前側に位置している。

ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｌを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層４２ｃの後端とインダクタ導体層４２ｄの後端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｏを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１５の上端は、インダクタ導体層４２ｄの前端に接続されている。

以上のように、インダクタ導体層４２ａ〜４２ｄ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１５は、互いに接続されることによりインダクタＬ２を構成している。これにより、インダクタＬ２は、左側（積層方向に垂直な直交方向）から平面視したときに渦巻状をなしている。本実施形態では、インダクタＬ２は、左側から平面視したときに、時計回りに周回しながら、内側から外側へと向かう。すなわち、インダクタＬ１の周回方向とインダクタＬ２の周回方向とは反対である。

また、インダクタＬ２では、上下方向において隣り合う２つのインダクタ導体層４２ａ〜４２ｄは、上側から平面視したときに、重なっていない。ただし、インダクタ導体層４２ａ〜４２ｄの重なりについては、インダクタ導体層３０ａ〜３０ｅの重なりと同様であるので説明を省略する。

また、前記の通り、ビアホール導体ｖ１１の上端は、コンデンサ導体層４０ｂに接続されている。したがって、インダクタＬ２は、コンデンサＣ２２に接続されている。

ここで、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂは、左側から平面視したときに、インダクタＬ１，Ｌ２に囲まれた領域内に位置している。本実施形態では、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂは、渦巻状をなすインダクタＬ１，Ｌ２の中心付近を左右方向に横切っている。したがって、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂは、インダクタ導体層３０ｂ，４２ｂ，３０ｃ，４２ｃ及びビアホール導体ｖ５，ｖ６，ｖ１２，ｖ１３により周囲を囲まれている。

コンデンサ導体層４４は、絶縁体層１６ｐの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４４は、絶縁体層１６ｐの左半分の領域に設けられており、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層６０と重なっている。これにより、コンデンサ導体層４４，６０は、コンデンサＣ２を構成している。

ビアホール導体ｖ１５の下端は、コンデンサ導体層４４に接続されている。そのため、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とが接続されている。また、コンデンサ導体層６０がビアホール導体ｖ５１により外部電極１４ｃと接続されているので、コンデンサＣ２が外部電極１４ｃと接続されている。

コンデンサ導体層５０は、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられており、外部電極１４ａと接続されている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層５０は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ａと重なっている。これにより、コンデンサ導体層５０は、絶縁体層１６ｋを介してインダクタ導体層３０ａと対向している。その結果、コンデンサ導体層５０とインダクタ導体層３０ａとの間には、コンデンサＣ５が形成されている。

更に、コンデンサ導体層５０は、絶縁体層１６ｊを介して、インダクタ導体層１８ａとも対向している。

インダクタ導体層１１８ａ，１１８ｂ，１３０ａ〜１３０ｅ，１４２ａ〜１４２ｄ、接続導体層２０、コンデンサ導体層１２２，１２６，１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４４，１５０及びビアホール導体ｖ１０１〜ｖ１０９，ｖ１１１〜ｖ１１６は、上側から平面視したときに、積層体１２の上面の中央を前後方向に通過する直線に関して、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ，３０ａ〜３０ｅ，４２ａ〜４２ｄ、接続導体層２０、コンデンサ導体層２２，２６，３２，４０ａ，４０ｂ，４４，４６，５０及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９，ｖ１１〜ｖ１６と線対称な構造を有している。したがって、インダクタ導体層１１８ａ，１１８ｂ，１３０ａ〜１３０ｅ，１４２ａ〜１４２ｄ、接続導体層２０、コンデンサ導体層１２２，１２６，１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４４，１５０及びビアホール導体ｖ１０１〜ｖ１０９，ｖ１１１〜ｖ１１６の説明を省略する。

以上のようにインダクタＬ１〜Ｌ４及びコンデンサＣ１〜Ｃ４が構成されることにより、ＬＣ直列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、左側から右側へとこの順に並んでいる。更に、ＬＣ直列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、隣り合うもの同士で磁界結合している。

また、コンデンサ導体層４６は、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられており、２つの長方形状の導体層及び１本の線状導体層により構成されている。一方の長方形状の導体層は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層４０ａ，４０ｂと重なっている。他方の長方形状の導体層は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層１４０ａ，１４０ｂと重なっている。線状導体層は、２つの長方形状の導体層を接続している。これにより、コンデンサ導体層４０ａ，４０ｂ，４６，１４０ａ，１４０ｂは、コンデンサＣ２３を構成している。

以上のようなインダクタ導体層、コンデンサ導体層、接続導体層及びビアホール導体は、例えば、銀を主成分とする導電性ペースト等により作製されている。

（効果）
電子部品１０ａによれば、小型化を図ることができる。より詳細には、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂは、左側から平面視したときに、インダクタＬ１，Ｌ２に囲まれた領域内に位置している。これにより、インダクタＬ５をインダクタＬ１の左側に配置する必要がなくなる。その結果、電子部品１０ａの左右方向の長さが短くなり、電子部品１０ａの小型化が図られる。なお、インダクタＬ６についても、インダクタＬ５と同じことが言える。

また、電子部品１０ａは、外部電極１４ａに接続されているＬＣ並列共振器ＬＣ５を備えている。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ５の周波数ｆａ５をバンドパスフィルタの通過帯域の高周波側のカットオフ周波数と実質的に一致させることにより、バンドパスフィルタの通過帯域の高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻になる。

本願発明者は、電子部品１０ａが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、本願発明者は、電子部品１０ａの構造を有する第１のモデル及び電子部品１０ａからコンデンサＣ５，Ｃ６を取り除いた構造を有する第２のモデルを作成した。そして、第１のモデル及び第２のモデルの通過特性（Ｓ２１）及び反射特性（Ｓ１１）をコンピュータに演算させた。図６は、第１のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図７は、第２のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図６及び図７において、縦軸は｜Ｓ１１｜，｜Ｓ２１｜を示し、横軸は周波数を示す。

図６と図７とを比較すると、第１のモデルの方が、第２のモデルよりも、バンドパスフィルタの通過帯域の高周波側のカットオフ周波数における立下りが急峻であることが分かる。これは、電子部品１０ａにおいて、コンデンサＣ５，Ｃ６が追加されることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ５，ＬＣ６が設けられているためである。

また、電子部品１０ａでは、内部の構造を複雑化することなくコンデンサＣ５を追加できる。より詳細には、コンデンサＣ５を追加する方法としては、例えば、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂに接続されたビアホール導体を追加すると共に、該ビアホール導体に接続されたコンデンサ導体層を追加する方法が考えられる。ただし、この場合には、コンデンサ導体層を形成するためのビアホール導体の引き回しが複雑になるという問題がある。そこで、電子部品１０ａでは、外部電極１４ａに接続された長方形状のコンデンサ導体層５０が追加されている。これにより、ビアホール導体の引き回しが不要となり、内部構造の簡素化が図られる。

（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態に係る電子部品１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図８は、電子部品１０ｂの絶縁体層１６ｂ，１６ｋ，１６ｃを平面視した図である。

電子部品１０ｂは、絶縁体層１６ｋ及びコンデンサ導体層５０，１５０が設けられている位置において、電子部品１０ａと相違する。より詳細には、絶縁体層１６ｋは、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１６ｃとの間に積層されている。コンデンサ導体層５０は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層３０ｂと重なっている。また、コンデンサ導体層５０とインダクタ導体層１８ａ，１８ｂとの間には、インダクタ導体層３０ｂが設けられている。これにより、コンデンサ導体層５０とインダクタ導体層１８ａ，１８ｂとが対向しなくなっている。なお、コンデンサ導体層１５０については、コンデンサ導体層５０と同様の構造を有しているので説明を省略する。

電子部品１０ｂによれば、電子部品１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

また、電子部品１０ｂによれば、コンデンサ導体層５０とインダクタ導体層１８ａ，１８ｂとの間に容量が形成されにくくなる。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ５の共振周波数ｆａ５が所望の値からずれることが抑制される。

（第３の実施形態）
以下に、第３の実施形態に係る電子部品１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図９は、電子部品１０ｃの絶縁体層１６ｈ，１６ｋ，１６ｉを平面視した図である。

電子部品１０ｃは、絶縁体層１６ｋ及びコンデンサ導体層５０，１５０が設けられている位置において、電子部品１０ａと相違する。より詳細には、絶縁体層１６ｋは、絶縁体層１６ｈと絶縁体層１６ｉとの間に積層されている。コンデンサ導体層５０は、上側から平面視したときに、インダクタ導体層１８ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体層５０とインダクタ導体層１８ｂとの間に容量が形成されている。なお、コンデンサ導体層１５０については、コンデンサ導体層５０と同様の構造を有しているので説明を省略する。

電子部品１０ｃによれば、電子部品１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

（第４の実施形態）
以下に、第４の実施形態に係る電子部品１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１０は、電子部品１０ｄの等価回路図である。

電子部品１０ｄは、インダクタＬ１〜Ｌ４及びコンデンサＣ１〜Ｃ４がＬＣ並列共振器ＬＣ１１〜ＬＣ１４を構成している点において、電子部品１０ａと相違する。ＬＣ並列共振器ＬＣ１１〜ＬＣ１４は、バンドパスフィルタを構成している。

電子部品１０ｄによれば、電子部品１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

（第５の実施形態）
以下に、第５の実施形態に係る電子部品１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１１は、電子部品１０ｅの等価回路図である。

電子部品１０ｅは、ローパスフィルタである点において、電子部品１０ａと相違する。より詳細には、コンデンサＣ１及びインダクタＬ１は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１１を構成している。コンデンサＣ２及びインダクタＬ２は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１２を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ１１とＬＣ並列共振器ＬＣ１２とは、電気的に直列に接続されている。

また、インダクタＬ５は、外部電極１４ａとＬＣ並列共振器ＬＣ１１との間に接続されている。インダクタＬ６は、外部電極１４ｂとＬＣ並列共振器ＬＣ１２との間に接続されている。

また、コンデンサＣ５は、インダクタＬ５と共に並列共振器ＬＣ５を構成している。コンデンサＣ６は、インダクタＬ６と共に並列共振器ＬＣ６を構成している。

また、外部電極１４ａとインダクタＬ５との間と外部電極１４ｃとの間には、コンデンサＣ３１が接続されている。インダクタＬ５とインダクタＬ１との間と外部電極１４ｃとの間には、コンデンサＣ３２が接続されている。インダクタＬ１とインダクタＬ２との間と外部電極１４ｃとの間には、コンデンサＣ３３が接続されている。インダクタＬ２とインダクタＬ６との間と外部電極１４ｃとの間には、コンデンサＣ３４が接続されている。外部電極１４ｂとインダクタＬ６との間と外部電極１４ｃとの間には、コンデンサＣ３５が接続されている。

電子部品１０ｅによれば、電子部品１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

なお、電子部品１０ｅでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ５，ＬＣ６の共振周波数ｆａ５，ｆａ６をローパスフィルタのカットオフ周波数に実質的に一致させることが好ましい。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、電子部品１０ａ〜１０ｅに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。

なお、電子部品１０ａ〜１０ｅの構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、コンデンサＣ５，Ｃ６はそれぞれ、インダクタＬ１，Ｌ４の端部に接続されていてもよい。このように、コンデンサＣ５，Ｃ６がインダクタＬ１，Ｌ４に接続される位置を調整することにより、コンデンサＣ５，Ｃ６に並列接続されているインダクタンス成分のインダクタンス値を調整することができる。

なお、インダクタＬ１〜Ｌ４は、複数周にわたって周回する渦巻状をなしているが、１周以下に周回する形状をなしていてもよい。

なお、コンデンサ導体層５０は、外部電極１４ａに直接に接続されていなくてもよく、ビアホール導体及び他の導体層を介して外部電極１４ａに電気的に接続されていてもよい。

なお、ＬＣ並列共振器ＬＣ５，ＬＣ６のいずれか一方のみが設けられていてもよい。

以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、小型化を図ることができる点において優れている。

１０ａ〜１０ｅ：電子部品
１２：積層体
１４ａ〜１４ｃ：外部電極
１６ａ〜１６ｒ：絶縁体層
１８ａ，１８ｂ，３０ａ〜３０ｅ，４２ａ〜４２ｄ，１１８ａ，１１８ｂ，１３０ａ〜１３０ｅ，１４２ａ〜１４２ｄ：インダクタ導体層
２２，２６，３２，４０ａ，４０ｂ，４４，４６，５０，６０，１２２，１２６，１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４４，１５０：コンデンサ導体層
Ｃ１〜Ｃ６，Ｃ１１、Ｃ１２，Ｃ２２〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３５：コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ６：インダクタ
ＬＣ１〜ＬＣ４：ＬＣ直列共振器
ＬＣ５，ＬＣ６，ＬＣ１１〜ＬＣ１４：ＬＣ並列共振器

Claims

複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、
前記積層体の表面に設けられている第１の外部電極と、
前記積層体において前記積層方向に直交する第１の直交方向にこの順に並ぶ第１の共振器ないし第ｎ（ｎは２以上の整数）の共振器であって、該第１の直交方向に隣り合うもの同士で磁界結合している第１の共振器ないし第ｎ（ｎは２以上の整数）の共振器と、
前記第１の外部電極に接続されている第１のＬＣ並列共振器と、
を備えており、
前記第１の共振器ないし第ｎの共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ及び第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、
前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタはそれぞれ、前記絶縁体層上に設けられている第１のインダクタ導体層ないし第ｎのインダクタ導体層と、前記絶縁体層を積層方向に貫通する第１の層間接続導体ないし第ｎの層間接続導体とが接続されることにより、前記積層方向に対して垂直な第１の直交方向から平面視したときに周回する形状をなしており、
前記第１のＬＣ並列共振器は、第ｎ＋１のインダクタ及び第ｎ＋１のコンデンサを含んでおり、
前記第ｎ＋１のインダクタは、前記積層方向から平面視したときに、周回する形状をなす線状の第ｎ＋１のインダクタ導体層であって、前記第１の直交方向から平面視したときに前記第１のインダクタに囲まれた領域内に位置する第ｎ＋１のインダクタ導体層を有しており、かつ、前記第１の共振器に接続されており、
前記第ｎ＋１のコンデンサは、前記第１の外部電極に電気的に接続され、かつ、前記第１のインダクタ導体層と前記絶縁体層を介して対向する第ｎ＋１のコンデンサ導体層を有していること、
を特徴とする電子部品。
前記第１の共振器ないし第ｎの共振器は、ＬＣ直列共振器であること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
前記第１の共振器ないし第ｎの共振器は、ＬＣ並列共振器であること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
前記第ｎ＋１のコンデンサ導体層は、前記第ｎ＋１のインダクタ導体層と前記絶縁体層を介して対向していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
前記第１のインダクタは、複数の前記第１のインダクタ導体層を含んでおり、
前記積層方向において前記第ｎ＋１のコンデンサ導体層と前記第ｎ＋１のインダクタ導体層との間には、前記第１のインダクタ導体層が設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
前記第１の共振器ないし前記第ｎの共振器は、所定帯域の高周波信号を通過させるバンドパスフィルタを構成しており、
前記第１のＬＣ並列共振器の共振周波数は、前記所定帯域の高周波側のカットオフ周波数と実質的に一致していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。