TW201644194A - 電子零件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能夠實現小型化的電子零件。本發明所涉及的電子零件的特徵在於，第1電感至第n電感分別從與積層方向垂直的第1正交方向俯視時呈現捲繞的形狀，第n+1電感具有第n+1電感導體層，該第n+1電感導體層是從積層方向俯視時呈現捲繞形狀的線狀第n+1電感導體層，且從第1正交方向俯視時位於被第1電感所包圍的區域內，第n+1電容具有第n+1電容導體層，該第n+1電容導體層與第1外部電極電連接，且隔著絕緣體層與第1電感導體層相對。

Description

電子零件

本發明涉及電子零件，更進一步地，涉及具有複數個共振器的電子零件。

作為以往的電子零件，例如已知有專利文獻1中所記載的帶通濾波器。該帶通濾波器具有輸入端子、輸出端子、4個LC並聯共振器、第1陷波共振器以及第2陷波共振器。4個LC並聯共振器通過彼此進行磁場耦合從而構成帶通濾波器。第1陷波共振器通過將電容與電感進行並聯連接來構成，並設置於輸入端子與LC並聯共振器之間。第2陷波共振器通過將電容與電感進行並聯連接來構成，並設置於輸出端子與LC並聯共振器之間。如上構成的電子零件中，通過設置陷波共振器，從而使通頻帶的高頻側的截止頻率中的高頻信號的衰減量增大。

但是，專利文獻1所記載的帶通濾波器中，LC並聯共振器的小型化很困難。更具體而言，4個LC並聯共振器、第1陷波共振器以及第2陷波共振器的電感分別含有線路電極層以及2根通孔電極。線路電極層形成為在與上下方向正交的第1方向上延伸的直線形狀。2根通孔電極分別從線路電極層的兩端向下方延伸。如此，6個電感形成向下側開口的有棱角的U字形。此外，6個電感配置成在與第1方向正交的第2方向上排列成 一列。如此，若多個電感配置成在第2方向上排列成一列，則電子零件的第2方向上的長度會變長。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2013-70288號公報

因此，本發明的目的是提供一種能夠實現小型化的電子零件。

本發明的一個實施形態所涉及的電子零件的特徵在於，包括：複數個絕緣體層在積層方向上進行積層而構成的積層體；第1外部電極，該第1外部電極設置於上述積層體的表面；第1共振器至第n(n為2以上的整數)共振器，該第1共振器至第n(n為2以上的整數)共振器在上述積層體中在與上述積層方向正交的第1正交方向上按此順序排列，且在該第1正交方向上相鄰的共振器之間進行磁場耦合；以及第1LC並聯共振器，該第1LC並聯共振器與上述第1外部電極連接，上述第1共振器至第n共振器分別包含第1電感至第n電感以及第1電容至第n電容，上述第1電感至上述第n電感分別藉由將設置於上述絕緣體層上的第1電感導體層至第n電感導體層和在積層方向上貫通上述絕緣體層的第1層間連接導體至第n層間連接導體進行連接，從而從與上述積層方向垂直的第1正交方向俯視時呈現捲繞的形狀，上述第1LC並聯共振器包含第n+1電感以及第 n+1電容，上述第n+1電感具有第n+1電感導體層，該第n+1電感導體層是從上述積層方向俯視時呈現捲繞形狀的線狀第n+1電感導體層，從上述第1正交方向俯視時位於被上述第1電感所包圍的區域內，且上述第n+1電感與上述第1共振器連接，上述第n+1電容具有第n+1電容導體層，該第n+1電容導體層與上述第1外部電極電連接，且隔著上述絕緣體層與上述第1電感導體層相對。

根據本發明，能夠實現小型化。

10a~10e‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

14a~14C‧‧‧外部電極

16a~16r‧‧‧絕緣體層

18a，18b，30a~30e，42a~42d，118a，118b，130a~130e，142a~142d‧‧‧電感導體層

22，26，32，40a，40b，44，46，50，60，122，126，132，140a，140b，144，150‧‧‧電容導體層

C1~C6，C11、C12，C22~C24，C31~C35‧‧‧電容

L1~L6‧‧‧電感

LC1~LC4‧‧‧LC串聯共振器

IC5，IC6，LC11~LC14‧‧‧LC並聯共振器

圖1A是第1實施形態所涉及的電子零件10a的等效電路圖。

圖1B是電子零件10a的外觀立體圖。

圖2是電子零件10a的分解圖。

圖3是電子零件10a的分解圖。

圖4是電子零件10a的分解圖。

圖5是電子零件10a的分解圖。

圖6是表示第1模型的模擬結果的圖表。

圖7是表示第2模型的模擬結果的圖表。

圖8是電子零件10b的絕緣體層16b、16k、16c的俯視圖。

圖9是電子零件10c的絕緣體層16h、16k、16i的俯視圖。

圖10是電子零件10d的等效電路圖。

圖11是電子零件10e的等效電路圖。

下面，關於本發明的實施形態所涉及的電子零件，參照附圖進行說明。

(第1實施形態)

(電子零件的結構)

首先，關於第1實施形態所涉及的電子零件10a的電路結構，參照附圖進行說明。圖1A是第1實施形態所涉及的電子零件10a的等效電路圖。

電子零件10a是將低通濾波器與高通濾波器進行組合而成的帶通濾波器，如圖1A所示，具有外部電極14a~14c、電感L1~L6以及電容C1~C6、C11、C12、C22~C24。

外部電極14a、14b是高頻信號的輸入輸出端子。外部電極14c是與接地電位連接的接地端子。外部電極14a與外部電極14b通過信號路徑SL進行連接。

電感L5、電容C22~C24以及電感L6設置於信號路徑SL上，從外部電極14a到外部電極14b以此順序進行串聯電連接。

電容C11連接於電感L5與電容C22間的點與外部電極14c之間。由此，電感L5與電容C11構成低通濾波器LPF1。低通濾波器LPF1的截止頻率是頻率fc1。

電容C12連接於電感L6與電容C24間的點與外部電極14c之間。由此，電感L6與電容C12構成低通濾波器LPF2。低通濾波器LPF2的截止頻率是頻率fc2。

電感L1以及電容C1通過串聯電連接於信號路徑SL與外部電極14c之間，從而構成LC串聯共振器LC1。本實施形態中，LC串聯共振器LC1連接於電感L5與電容C22間的點與外部電極14c之間。LC串聯共振器LC1的共振頻率是頻率fa1。

電感L2以及電容C2通過串聯電連接於信號路徑SL與外部電極14c之間，從而構成LC串聯共振器LC2。本實施形態中，LC串聯共振器LC2連接於電容C22與電容C23間的點與外部電極14c之間。LC串聯共振器LC2的共振頻率是頻率fa2。

電感L3以及電容C3通過串聯電連接於信號路徑SL與外部電極14c之間，從而構成LC串聯共振器LC3。本實施形態中，LC串聯共振器LC3連接於電容C23與電容C24間的點與外部電極14c之間。LC串聯共振器LC3的共振頻率是頻率fa3。

電感L4以及電容C4通過串聯電連接於信號路徑SL與外部電極14c之間，從而構成LC串聯共振器LC4。本實施形態中，LC串聯共振器LC4連接於電容C24與電感L6間的點與外部電極14c之間。LC串聯共振器LC4的共振頻率是頻率fa4。

電容C5與電感L5以及電感L1的一部分進行並聯電連接，構成LC並聯共振器LC5。本實施形態中，電容C5連接於外部電極14a與電感L1之間。其中，電容C5的一端並不連接於電感L1的端部，而連接於電感L1兩端以外的部分。因而，電感L1的一部分起到作為電容電極的作用。此外，LC並聯共振器LC5連接於外部電極14a。LC並聯共振器LC5的共振頻率是頻率fa5。

電容C6與電感L6以及電感L4的一部分進行並聯電連接，構成LC並聯共振器LC6。本實施形態中，電容C6連接於外部電極14b與電感L4之間。其中，電容C6的一端並不連接於電感L4的端部，而連接於電感L4兩端以外的部分。因而，電感L6的一部分起到作為電容電極的作用。此外，LC並聯共振器LC6連接於外部電極14b。LC並聯共振器LC6的共振頻率是頻率fa6。

這裡，電子零件10a被設計為頻率fc1、fc2比頻率fa1~fa4更高。由此，LC串聯共振器LC1~LC4以及低通濾波器LPF1、LPF2構成帶通濾波器，該帶通濾波器使頻率fc1、fc2與頻率fa1~fa4之間的頻帶的高頻信號從外部電極14a向外部電極14b進行通過。

此外，電子零件10a被設計為，頻率fa5、fa6與帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率實質上一致。由此，帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率的下降沿變得陡峭。

此外，電感L1以及電容C22構成高通濾波器HPF1。高通濾波器HPF1的截止頻率是截止頻率fc11。其結果是，高通濾波器HPF1使比截止頻率fc11高的頻帶的高頻信號通過信號路徑SL。

電感L2以及電容C22、C23構成高通濾波器HPF2。高通濾波器HPF2的截止頻率是截止頻率fc12。其結果是，高通濾波器HPF2使比截止頻率fc12高的頻帶的高頻信號通過信號路徑SL。

電感L3以及電容C23、C24構成高通濾波器HPF3。高通濾波器HPF3的截止頻率是截止頻率fc13。其結果是，高通濾波器HPF3使比截止頻率fc13高的頻帶的高頻信號通過信號路徑SL。

電感L4以及電容C24構成高通濾波器HPF4。高通濾波器HPF4的截止頻率是截止頻率fc14。其結果是，高通濾波器HPF4構成使比截止頻率fc14高的頻帶的高頻信號通過信號路徑SL的高通濾波器HPF4。

接著，關於電子零件10a的具體結構，參照附圖進行說明。圖1B是電子零件10a的外觀立體圖。圖2至圖5是電子零件10a的分解圖。電子零件10a中，將積層體12的積層方向定義為上下方向。此外，從上側俯視電子零件10a時，將電子零件10a的上表面的長邊延伸的方向定義為左右方向，電子零件10a的上表面的短邊延伸的方向定義為前後方向。

電子零件10a如圖1B至圖5所示，具有：積層體12；外部電極14a~14c；電感導體層18a、18b、30a~30e、42a~42d、118a、118b、130a~130e、142a~142d；連接導體層20、120；電容導體層22、26、32、40a、40b、44、46、50、60、122、126、132、140a、140b、144、150；以及通孔導體(層間連接導體的一例)v1~v9、v11~v16、v51、v101~v109、v111~v116。

積層體12呈長方體形，通過將絕緣體層16a~16r從上側向下側以此順序積層來構成。絕緣體層16a~16r從上側俯視時呈左右方向上延伸的長方形，例如由陶瓷等製成。以下，將絕緣體層16a~16r的上表面稱為表面，絕緣體層16a~16r的下表面稱為背面。

外部電極14a、14b如圖1B所示，分別設置於積層體12的左表面以及右表面(即積層體12的表面)，呈上下方向上延伸的帶狀。此外，外部電極14a、14b的上端以及下端彎折至積層體12的上表面以及下表面。

外部電極14c如圖1B所示，設置於積層體12的下表面的中央，呈長方形。外部電極14a~14c例如通過在由銀等組成的基底電極上進行鍍Ni以及鍍Sn而製成。

電感導體層18a設置於絕緣體層16j的表面上，是以絕緣體層16j的左側的短邊的中央作為起點，以絕緣體16j的左半部分的區域的中央作為終點的線狀導體層。電感導體層18a從上側俯視時，從起點向終點以逆時針進行捲繞。電感導體層18a與外部電極14a連接。

電感導體層18b設置於絕緣體層16i的表面上，是以絕緣體層16i的左半部分區域的中央作為起點，以絕緣體16i的後側的長邊中央附近作為終點的線狀導體層。電感導體層18b從上側俯視時，從起點向終點以逆時針進行捲繞。

通孔導體v1在上下方向上貫通絕緣體層16i，將電感導體層18a的終點與電感導體層18b的起點進行連接。由此，電感導體層18a、18b以及通孔導體v1構成螺旋狀的電感L5。

電容導體層22設置於絕緣體層16o的表面上，是設置於絕緣體層16o的後側長邊的中央附近的長方形的導體層。

電容導體層60設置於絕緣體層16q的表面上，是覆蓋絕緣體層16q的大致整個表面的長方形的導體層。由此，電容導體層60從上側俯視時，與電容導體層22重疊。由此，電容導體層22、60構成電容C11。

通孔導體v3在上下方向上貫通絕緣體層16j~16n，將電感導體層18b的終點與電容導體層22進行連接。由此，電容C11與電感L5連接。

通孔導體v51在上下方向上貫通絕緣體層16q、16r，將電容導體層60與外部電極14c進行連接。由此，電容C11與外部電極14c連接。

電感導體層30a設置於絕緣體層16l的表面上，是在絕緣體層16l的左側的短邊附近沿前後方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層30a的前端以及後端分別向右側彎折。

通孔導體v4在上下方向上貫通絕緣體層16h~16k。通孔導體v4的上端與電感導體層30a的後端連接。

電感導體層30b設置於絕緣體層16c的表面上，是在絕緣體層16c的左側的短邊附近沿前後方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層30b的前端以及後端分別向右側彎折。電感導體層30b的前端從上側俯視時，與電感導體層30a的前端重疊，電感導體層30b的後端從上側俯視時，位於比電感導體層30a的後端更靠後側。

通孔導體v5在上下方向上貫通絕緣體層16c~16k，並將電感導體層30a的前端與電感導體層30b的前端進行連接。

電感導體層30c設置於絕緣體層16m的表面上，是在絕緣體層16m的左側的短邊附近沿前後方向延伸的線狀導體層。但，電感導體層30c的前端以及後端分別向左側彎折。電感導體層30c的後端從上側俯視時，與電感導體層30b的後端重疊，電感導體層30c的前端從上側俯視時，位於比電感導體層30b的前端更靠前側。

通孔導體v6在上下方向上貫通絕緣體層16c~16l，並將電感導體層30b的後端與電感導體層30c的後端進行連接。

電感導體層30d設置於絕緣體層16b的表面上，是在絕緣體 層16b的左側的短邊附近沿前後方向延伸的線狀導體層。但，電感導體層30d的前端以及後端分別向左側彎折。電感導體層30d的前端從上側俯視時，與電感導體層30c的前端重疊，電感導體層30d的後端從上側俯視時，位於比電感導體層30c的後端更靠後側。

通孔導體v7在上下方向上貫通絕緣體層16b~16l，並將電感導體層30c的前端與電感導體層30d的前端進行連接。

電感導體層30e設置於絕緣體層16n的表面上，是在絕緣體層16n的左側的短邊附近沿前後方向延伸的線狀導體層。但，電感導體層30e的前端以及後端分別向右側彎折。電感導體層30e的後端從上側俯視時，與電感導體層30d的後端重疊，電感導體層30e的前端從上側俯視時，與電感導體層30d的前端重疊。

通孔導體v8在上下方向上貫通絕緣體層16b~16m，並將電感導體層30d的後端與電感導體層30e的後端進行連接。

如上所述，通過將電感導體層30a~30e以及通孔導體v4~v8彼此進行連接來構成電感L1。由此，電感L1從左側(與積層方向垂直的正交方向)俯視時，呈漩渦狀。本實施形態中，電感L1從左側俯視時，在逆時針捲繞的同時，從內側朝向外側。

此外，電感L1中，電感導體層30a~30e從上側俯視時，在上下方向上相鄰的電感導體層彼此不重疊。更詳細而言，電感導體層30b呈向右側開口的U字形，電感導體層30d呈向左側開口的U字形，因此電感導體層30b與電感導體層30d從上側俯視時不重疊。此外，關於電感導體層30a與電感導體層30c之間的關係、以及電感導體層30c與電感導體層30e 之間的關係，由於與電感導體層30b和電感導體層30d的關係相同，因此省略說明。

電感導體層32是設置於絕緣體層16p的表面上的長方形的導體層。電容導體層32設置於絕緣體層16p的左半部分的區域，從上側俯視時與電容導體層60重疊。由此，電容導體層44、60構成電容C1。

通孔導體v9在上下方向上貫通絕緣體層16n、16o。通孔導體v9的上端與電感導體層30e的前端連接，通孔導體v9的下端與電容導體層32連接。因此，電感L1與電容C1連接。此外，電容導體層60通過通孔導體v51與外部電極14c連接，因此電容C1與外部電極14c連接。

連接導體層20設置於絕緣體層16h的表面上，是在絕緣體層16h的左半部分的區域中沿左右方向延伸的線狀導體層。

通孔導體v2在上下方向上貫通絕緣體層16g、16h，將電感導體層18b的終點附近與連接導體層20的右端進行連接。通孔導體v4的下端與連接導體層20的左端連接。由此，電感L1經由連接導體層20以及通孔導體v2與電感L5連接。

電容導體層26設置於絕緣體層16g的表面上，是相對於絕緣體層16g的中央(對角線的交點)位於左側的L字形的導體層。

電容導體層40b設置於絕緣體層16f的表面上，是相對於絕緣體層16f的中央(對角線的交點)位於左側的長方形的導體層。電容導體層40b從上側俯視時，與電容導體層26重疊。由此，電容導體層26、40b構成電容C22。

電容導體層40a設置於絕緣體層16d的表面上，是相對於絕 緣體層16d的中央(對角線的交點)位於左側的長方形的導體層。電容導體層40a從上側俯視時，以與電容導體層40b一致的狀態進行重疊。

通孔導體v16在上下方向上貫通絕緣體層16d、16e，並將電容導體層40a與電容導體層40b進行連接。

電感導體層42a設置於絕緣體層16l的表面上，是相對於電感導體層30a位於右側的L字形的線狀導體層。電感導體層42a從絕緣體層16l的前側的長邊的中央附近向後側延伸後，向左側彎折。

通孔導體v11在上下方向上貫通絕緣體層16f~16k。通孔導體v11的上端與電感導體層40b連接。通孔導體v11的下端與電感導體層42a的前端連接。

電感導體層42b設置於絕緣體層16c的表面上，是相對於電感導體層30b在右側沿前後方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層42b的前端以及後端分別向右側彎折。電感導體層42b的後端從上側俯視時，與電感導體層42a的後端重疊。

通孔導體v12在上下方向上貫通絕緣體層16c~16k，並將電感導體層42a的後端與電感導體層42b的後端進行連接。

電感導體層42c設置於絕緣體層16m的表面上，是相對於電感導體層30c在右側沿前後方向延伸的線狀導體層。其中，電感導體層42c的前端以及後端分別向左側彎折。電感導體層42c的前端從上側俯視時，與電感導體層42b的前端重疊，電感導體層42c的後端從上側俯視時，位於比電感導體層42b的後端更靠後側。

通孔導體v13在上下方向上貫通絕緣體層16c~16l，並將電 感導體層42b的前端與電感導體層42c的前端進行連接。

電感導體層42d設置於絕緣體層16b的表面上，是相對於電感導體層30d在右側沿前後方向延伸的線狀導體層。但，電感導體層42d的前端以及後端分別向左側彎折。電感導體層42d的後端從上側俯視時，與電感導體層42c的後端重疊，電感導體層42d的前端從上側俯視時，位於比電感導體層42c的前端更靠前側。

通孔導體v14在上下方向上貫通絕緣體層16b~16l，並將電感導體層42c的後端與電感導體層42d的後端進行連接。

通孔導體v15在上下方向上貫通絕緣體層16b~16o。通孔導體v15的上端與電感導體層42d的前端連接。

如上所述，通過將電感導體層42a~42d以及通孔導體v11~v15彼此進行連接來構成電感L2。由此，電感L2從左側(與積層方向垂直的正交方向)俯視時，呈漩渦狀。本實施形態中，電感L2從左側俯視時，在順時針捲繞的同時，從內側朝向外側。即，電感L1的捲繞方向與電感L2的捲繞方向相反。

此外，電感L2中，上下方向上相鄰的2個電感導體層42a~42d從上側俯視時不重疊。其中，關於電感導體層42a~42d的重疊，由於與電感導體層30a~30e的重疊相同，因此省略說明。

此外，如前所述，通孔導體v11的上端與電容導體層40b連接。因此，電感L2與電容C22連接。

這裡，電感導體層18a、18b從左側俯視時，位於被電感L1、L2所包圍的區域內。本實施形態中，電感導體層18a、18b在左右方向上穿 過呈漩渦狀的L1、L2的中心附近。因此，電感導體層18a、18b的周圍被電感導體層30b、42b、30c、42c以及通孔導體v5、v6、v12、v13所包圍。

電感導體層44是設置於絕緣體層16p的表面上的長方形的導體層。電容導體層44設置於絕緣體層16p的左半部分的區域，從上側俯視時與電容導體層60重疊。由此，電容導體層44、60構成電容C2。

通孔導體v15的下端與電容導體層44連接。因此，電感L2與電容C2連接。此外，電容導體層60通過通孔導體v51與外部電極14c連接，因此電容C2與外部電極14c連接。

電容導體層50設置於絕緣體層16k的表面上，是與外部電極15a連接的長方形的導體層。電容導體層50從上側俯視時，與電容導體層30a重疊。由此，電容導體層50隔著絕緣體層16k與電感導體層30a相對。其結果是，在電容導體層50與電感導體層30a之間形成有電容C5。

而且，電容導體層50隔著絕緣體層16j也與電感導體層18a相對。

電感導體層118a、118b、130a~130e、142a~142d；連接導體層20；電容導體層122、126、132、140a、140b、144、150；以及通孔導體v101~109、v111~v116從上側俯視時，關於沿前後方向通過積層體12的上表面的中央的直線，具有與電感導體18a、18b、30a~30e、42a~42d；連接導體層20；電容導體層22、26、32、40a、40b、44、46、50；以及通孔導體v1~v9、v11~v16線對稱的構造。因此，省略電感導體層118a、118b、130a~130e、142a~142d；連接導體層20；電容導體層122、126、132、140a、140b、144、150；以及通孔導體v101~v109、v111~v116的說明。

通過如上述那樣構成電感L1~L4以及電容C1~C4，從而LC的串聯共振器LC1~LC4從左側向右側以此順序排列。而且，LC串聯共振器LC1~LC4在相鄰共振器之間進行磁場耦合。

此外，電容導體層46設置於絕緣體層16e的表面上，由2個長方形的導體層以及1根線狀導體層構成。一個長方形導體層從上側俯視時，與電容導體層40a、40b重疊。另一個長方形導體層從上側俯視時，與電容導體層140a、140b重疊。線狀導體層連接2個長方形導體層。由此，電容導體層40a、40b、46、140a、140b構成電容C23。

如上所述的電感導體層、電容導體層、連接導體層以及通孔導體例如由以銀為主要成分的導電性漿料等製成。

(效果)

根據電子零件10a，能夠實現小型化。更詳細而言，電感導體層18a、18b從左側俯視時，位於被電感L1、L2所包圍的區域內。由此，無需將電感L5配置於電感L1的左側。其結果是，電子零件10a的左右方向的長度變短，可實現電子零件10a的小型化。此外，關於電感L6，也可以說與電感L5相同。

此外，電子零件10a具有與外部電極14a連接的LC並聯共振器LC5。由此，通過使LC並聯共振器LC5的頻率fa5與帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率實質上一致，從而帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率的下降沿變得陡峭。

本申請發明人為了使電子零件10a所起到的效果更加明 確，進行了如下說明的電腦模擬。更詳細而言，本申請發明人製成了具有電子零件10a構造的第1模型以及具有從電子零件10a中去除電容C5、C6後的構造的第2模型。而且，使電腦對第1模型以及第2模型的通過特性(S21)以及反射特性(S11)進行運算。圖6是表示第1模型的模擬結果的圖表。圖7是表示第2模型的模擬結果的圖表。圖6以及圖7中縱軸表示｜S11｜、｜S21｜，橫軸表示頻率。

對圖6與圖7進行比較可知，相比第2模型，第1模型的帶通濾波器的通頻帶的高頻側的截止頻率的下降沿更為陡峭。這是因為電子零件10a中通過增加電容C5、C6從而設置有LC並聯共振器LC5、LC6的緣故。

此外，電子零件10a中，能夠增加電容C5而不使內部構造複雜化。更詳細而言，作為增加電容C5的方法，例如可考慮增加與電感導體層18a、18b連接的通孔導體的同時增加與該通孔導體連接的電容導體層的方法。但，在這種情況下，存在用於形成電容導體層的通孔導體的走線變得複雜的問題。因此，電子零件10a中，增加了與外部電極14a連接的長方形的電容導體層50。由此，無需通孔導體的走線，可實現內部構造的簡化。

(第2實施形態)

以下，關於第2實施形態所涉及的電子零件10b，參照附圖進行說明。圖8是電子零件10b的絕緣體層16b、16k、16c的俯視圖。

電子零件10b在設置絕緣體層16k以及電容導體層50、150 的位置上與電子零件10a不同。更詳細而言，絕緣體層16k積層於絕緣體層16b與絕緣體層16c之間。電容導體層50從上側俯視時，與電感導體層30b重疊。此外，在電容導體層50與電感導體層18a、18b之間設置有電感導體層30b。由此，電容導體層50與電感導體層18a、18b不再相對。此外，關於電容導體層150，因為具有與電容導體層50相同的構造因此省略說明。

根據電子零件10b，可起到與電子零件10a相同的作用效果。

此外，根據電子零件10b，電容導體層50與電感導體層18a、18b之間不易形成電容。由此，可抑制LC並聯共振器LC5的共振頻率fa5偏離期望值。

(第3實施形態)

以下，關於第3實施形態所涉及的電子零件10c，參照附圖進行說明。圖9是電子零件10c的絕緣體層16h、16k、16i的俯視圖。

電子零件10c在設置絕緣體層16k以及電容導體層50、150的位置上與電子零件10a不同。更詳細而言，絕緣體層16k積層於絕緣體層16h與絕緣體層16i之間。電容導體層50從上側俯視時，與電感導體層18b重疊。由此，在電容導體層50與電感導體層18b之間形成電容。此外，關於電容導體層150，因為具有與電容導體層50相同的構造因此省略說明。

根據電子零件10c，可起到與電子零件10a相同的作用效果。

(第4實施形態)

以下，關於第4實施形態所涉及的電子零件10d，參照附圖進行說明。 圖10是電子零件10d的等效電路圖。

電子零件10d在電感L1~L4以及電容C1~C4構成LC並聯共振器LC11~LC14這一點上，與電子零件10a不同。LC並聯共振器LC11~LC14構成

根據電子零件10d，可起到與電子零件10a相同的作用效果。

(第5實施形態)

以下，關於第5實施形態所涉及的電子零件10e，參照附圖進行說明。圖11是電子零件10e的等效電路圖。

電子零件10e在是低通濾波器這一點上與電子零件10a不同。更詳細而言，電容C1以及電感L1構成LC並聯共振器LC11。電容C2以及電感L2構成LC並聯共振器LC12。LC並聯共振器LC11與LC並聯共振器LC12進行串聯電連接。

此外，電感L5連接於外部電極14a與LC並聯共振器LC11之間。電感L6連接於外部電極14b與LC並聯共振器LC12之間。

此外，電容C5與電感L5一起構成並聯共振器LC5。電容C6與電感L6一起構成並聯共振器LC6。

此外，電容C31連接於外部電極14a與電感L5間的點與外部電極14c之間。電容C32連接於電感L5與電感L1間的點與外部電極14c之間。電容C33連接於電感L1與電感L2間的點與外部電極14c之間。電容C34連接於電感L2與電感L6間的點與外部電極14c之間。電容C35連接於外部電極14b與電感L6間的點與外部電極14c之間。

根據電子零件10e，可起到與電子零件10a相同的作用效果。

此外，電子零件10e中優選為，使LC並聯共振器LC5、LC6的共振頻率fa5、fa6與低通濾波器的截止頻率實質上相一致。

(其他的實施形態)

本發明所涉及的電子零件不限於電子零件10a~10e，在其要旨範圍內可以進行變更。

此外，電子零件10a~10e的結構也可進行任意的組合。

此外，電容C5、C6也可分別與電感L1、L4的端部連接。如此，通過調整電容C5、C6與L1、L4連接的位置，從而能夠調整與電容C5、C6並聯連接的電感分量的電感值。

此外，電感L1~L4呈現捲繞數周的漩渦狀，但也可呈現捲繞1周以下的形狀。

此外，電容導體層50也可不與外部電極14a直接連接，也可以經由通孔導體以及其他的導體層與外部電極14a進行電連接。

此外，也可僅設置LC並聯共振器LC5、LC6中的某一個。

工業上的實用性

如上上述，本發明可用於電子零件，特別是在能夠實現小型化的方面較為優異。

16f~16j‧‧‧絕緣體層

18a、18b、118a、118b‧‧‧電感導體層

20、120‧‧‧連接導體層

26、126、40b、140b‧‧‧電容導體層

v1~v8、v11~v16、101~108、v111~v116‧‧‧通孔導件

Claims (8)

1. 一種電子零件，其特徵在於，包括：複數個絕緣體層在積層方向上進行積層而構成的積層體；第1外部電極，該第1外部電極設置於上述積層體的表面；第1共振器至第n(n為2以上的整數)共振器，該第1共振器至第n(n為2以上的整數)共振器在上述積層體中在與上述積層方向正交的第1正交方向上按此順序排列，且在該第1正交方向上相鄰的共振器之間進行磁場耦合；以及第1LC並聯共振器，該第1LC並聯共振器與上述第1外部電極連接，上述第1共振器至第n共振器分別包含第1電感至第n電感以及第1電容至第n電容，上述第1電感至上述第n電感分別藉由將設置於上述絕緣體層上的第1電感導體層至第n電感導體層和在積層方向上貫通上述絕緣體層的第1層間連接導體至第n層間連接導體進行連接，從而從與上述積層方向垂直的第1正交方向俯視時呈現捲繞的形狀，上述第1LC並聯共振器包含第n+1電感以及第n+1電容，上述第n+1電感具有第n+1電感導體層，該第n+1電感導體層是從上述積層方向俯視時呈現捲繞形狀的線狀第n+1電感導體層，從上述第1正交方向俯視時位於被上述第1電感所包圍的區域內，且上述第n+1電感與上述第1共振器連接，上述第n+1電容具有第n+1電容導體層，該第n+1電容導體層與上述第1外部電極電連接，且彼此隔著上述絕緣體層與上述第1電感導體層相 對。
2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，上述第1共振器至第n共振器是LC串聯共振器。
3. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，上述第1共振器至第n共振器是LC並聯共振器。
4. 如申請專利範圍第1至3中任一項之電子零件，其中，上述第n+1電容導體層隔著上述絕緣體層與上述第n+1電感導體層相對。
5. 如申請專利範圍第1至3中任一項之電子零件，其中，上述第1電感包含複數個上述第1電感導體層，在上述積層方向上在上述第n+1電容導體層與上述第n+1電感導體層之間設置有上述第1電感導體層。
6. 如申請專利範圍第1至3中任一項之電子零件，其中，上述第1共振器至上述第n共振器構成帶通濾波器，該帶通濾波器使既定頻帶的高頻信號通過，上述第1LC並聯共振器的共振頻率與上述既定頻帶的高頻側的截止頻率實質上一致。
7. 如申請專利範圍第4項之電子零件，其中，上述第1共振器至上述第n共振器構成帶通濾波器，該帶通濾波器使既定頻帶的高頻信號通過，上述第1LC並聯共振器的共振頻率與上述既定頻帶的高頻側的截止頻率實質上一致。
8. 如申請專利範圍第5項之電子零件，其中，上述第1共振器至上述第n共振器構成帶通濾波器，該帶通濾波器使既定頻帶的高頻信號通過，上述第1LC並聯共振器的共振頻率與上述既定頻帶的高頻側的截止頻率實質上一致。