CN112448693A - 滤波器模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够改善滤波器的衰减特性的滤波器模块。滤波器模块(1)具备：电感器(L1)；滤波器(10)，具有第1布线(11)；以及第2布线(12)，配置在电感器(L1)与第1布线(11)之间，在直流上成为浮动电位，电感器(L1)和第1布线(11)进行磁场耦合，电感器(L1)和第2布线(12)进行磁场耦合，第1布线(11)和第2布线(12)进行电容耦合。

Description

滤波器模块
技术领域
本发明涉及具备滤波器的滤波器模块。
背景技术
以往，公开了具备滤波器和电感器(匹配电路)的电路模块(例如，专利文献1)。在电感器和滤波器靠近配置的情况下，电感器和滤波器具有的布线进行磁场耦合，由于由该磁场耦合产生的高频分量而发生滤波器的衰减特性的劣化。相对于此，通过在电感器与滤波器之间配置与接地连接的屏蔽布线，从而电感器和屏蔽布线进行磁场耦合，能够使由该磁场耦合产生的高频分量逃逸到接地，另一方面，电感器和滤波器具有的布线由于中间配置了屏蔽布线而变得不易进行磁场耦合，能够抑制滤波器的衰减特性的劣化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2013/008435号
然而，即使在电感器与滤波器之间配置有屏蔽布线的情况下，电感器和滤波器具有的布线的磁场耦合也不少，滤波器的衰减特性会由于由该磁场耦合产生的高频分量而劣化。
发明内容
发明要解决的课题
因此，本发明的目的在于，提供一种能够改善滤波器的衰减特性的滤波器模块。
用于解决课题的技术方案
本发明的一个方式涉及的滤波器模块具备：电感器；滤波器，具有第1布线；以及第2布线，配置在所述电感器与所述第1布线之间，在直流上成为浮动电位，所述电感器和所述第1布线进行磁场耦合，所述电感器和所述第2布线进行磁场耦合，所述第1布线和所述第2布线进行电容耦合。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够改善滤波器的衰减特性的滤波器模块。
附图说明
图1是示意性地示出电感器和第1布线进行磁场耦合的状态的图。
图2是示意性地示出电感器和第1布线进行磁场耦合、且电感器和接地布线进行磁场耦合的状态的图。
图3是示意性地示出电感器和第1布线进行磁场耦合、电感器和第2布线进行磁场耦合、且第1布线和第2布线进行电容耦合的状态的图。
图4是示出实施方式1涉及的滤波器模块的电路结构的一个例子的图。
图5是示出实施方式1涉及的滤波器模块的基板布局的一个例子的图。
图6是示出实施方式1涉及的滤波器模块的隔离度特性的一个例子的图。
图7是示出实施方式1的变形例涉及的滤波器模块的基板布局的一个例子的图。
图8是示出实施方式1的变形例涉及的滤波器模块的隔离度特性的一个例子的图。
图9是示出实施方式2涉及的滤波器模块的电路结构的一个例子的图。
图10是示出实施方式2涉及的滤波器模块的基板布局的一个例子的图。
附图标记说明
1、1a、1b：滤波器模块；
10、10a、10b、20：滤波器；
11：第1布线；
12：第2布线；
13、13a、13b：压电基板；
30：安装基板；
ANT：天线；
C1、C2：电容器；
C1a：寄生电容；
L1：电感器；
M1：纵向耦合型谐振器；
n1、n2、n3、n4：凸块；
P1、P2：并联臂谐振器；
S1、S2：串联臂谐振器。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式进行详细地说明。另外，以下说明的实施方式均示出总括性或具体的例子。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。关于以下的实施方式中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素而进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或大小之比未必严谨。此外，在各图中，对于实质上相同的结构，标注相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。此外，在以下的实施方式中，所谓进行“连接”，不仅包含直接连接的情况，还包含经由其它元件等进行电连接的情况。
(直至得到本发明的一个方式的经过)
首先，使用图1至图3对直至得到本发明的一个方式的经过进行说明。
图1是示意性地示出电感器和第1布线进行磁场耦合的状态的图。
图2是示意性地示出电感器和第1布线进行磁场耦合、且电感器和接地布线进行磁场耦合的状态的图。
图3是示意性地示出电感器和第1布线进行磁场耦合、电感器和第2布线进行磁场耦合、且第1布线和第2布线进行电容耦合的状态的图。
在图1至图3中，示出了具备滤波器和电感器的滤波器模块的侧视图。滤波器由压电基板形成，滤波器具有的第1布线设置在压电基板。此外，电感器以及压电基板安装在安装基板。在图2中，接地布线设置在压电基板，在图3中，第2布线设置在压电基板。
如图1所示可知，来自电感器的磁通量与第1布线进行耦合。第1布线是流过通过滤波器的高频信号的信号布线(也称为Hot布线)。因此，电感器和第1布线进行磁场耦合，第1布线受到来自电感器的磁通量的影响，由此滤波器的衰减特性劣化。
因此，在上述专利文献1中，如图2所示，在电感器与第1布线之间配置布线。由此，来自电感器的磁通量的大部分与该布线进行耦合。而且，通过将该布线与接地连接而作为接地布线，从而能够使由电感器和接地布线的磁场耦合产生的高频分量逃逸到接地，另一方面，电感器和第1布线由于中间配置有屏蔽布线而变得不易进行磁场耦合。但是，即使在电感器与第1布线之间配置有接地布线的情况下，电感器和第1布线的磁场耦合也不少，滤波器的衰减特性会由于由该磁场耦合产生的高频分量而劣化。
相对于此，在本发明中，如图3所示，将配置在电感器与第1布线之间的布线设为不与接地连接且在直流上成为浮动电位的第2布线，并使第1布线和第2布线进行电容耦合。所谓第2布线在直流上成为浮动电位，意味着第2布线虽然不与接地相连，但是与电容相连。通过调整电容耦合中的电容，从而能够调整由电感器和第2布线的磁场耦合产生的高频分量的相位以及振幅，能够通过调整了相位以及振幅的高频分量来抵消由电感器和第1布线的磁场耦合产生的高频分量，或者利用各高频分量反而提高滤波器的衰减特性。
以下，对实现如图3所示的电感器和第1布线进行磁场耦合、电感器和第2布线进行磁场耦合、且第1布线和第2布线进行电容耦合的状态的实施方式进行说明。
(实施方式1)
使用图4至图8对实施方式1涉及的滤波器模块进行说明。
图4是示出实施方式1涉及的滤波器模块1的电路结构的一个例子的图。
滤波器模块1具备滤波器10、滤波器20、电感器L1、以及天线ANT。另外，滤波器模块1也可以不具备天线ANT，天线ANT也可以与滤波器模块1分体地设置。
滤波器模块1具备包含滤波器10的多个滤波器(在此为滤波器10以及20)，多个滤波器的输入端子或输出端子与公共端子连接。虽然在图4中未明示公共端子，但是例如下述的节点成为公共端子，该节点对连结滤波器10和滤波器20的路径、和天线ANT进行连接。滤波器10和滤波器20与公共端子连接而构成了多工器(在此为双工器)。
例如，滤波器10是接收滤波器，由天线ANT接收的高频接收信号经由Rx端子向RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)等传递。此外，例如，滤波器20是发送滤波器，从RFIC等经由Tx端子向天线ANT传递高频发送信号，并从天线ANT发送高频发送信号。天线ANT是收发高频信号的、例如符合LTE(Long Term Evolution，长期演进)等通信标准的应对多频段的天线，在天线ANT中，例如，收发LTE的Band26的高频信号。
滤波器10例如是将Band26Rx(859～894MHz)作为通带的滤波器，Band26Tx(814～849MHz)成为衰减带。此外，滤波器20例如是将Band26Tx(814～849MHz)作为通带的滤波器，Band26Rx(859～894MHz)成为衰减带。
电感器L1是用于取得天线ANT和滤波器10的阻抗匹配的匹配电路，与天线ANT以及滤波器10连接。后述的第1布线11和电感器L1进行磁场耦合，从而滤波器10的衰减特性劣化。
以下，着眼于应用了本发明的滤波器10，对用于改善滤波器10的衰减特性的结构进行说明，并省略关于滤波器20的详细说明。
滤波器10具备串联臂谐振器S1以及S2、并联臂谐振器P1以及P2、纵向耦合型谐振器M1、和电容器C1。
构成串联臂谐振器S1以及S2、并联臂谐振器P1以及P2、和纵向耦合型谐振器M1的谐振器可以是声表面波谐振器、以及使用了BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)的弹性波谐振器中的任一者。另外，声表面波例如还包含表面波、洛夫波、泄漏波、瑞利波、边界波、漏SAW、伪SAW、板波。
串联臂谐振器S1以及S2和纵向耦合型谐振器M1在连结天线ANT和Rx端子的路径上相互串联连接。并联臂谐振器P1连接在串联臂谐振器S1与纵向耦合型谐振器M1之间的上述路径上的节点和接地之间。并联臂谐振器P2连接在串联臂谐振器S2与Rx端子之间的上述路径上的节点和接地之间。
根据滤波器10的上述结构，在串联臂路径配置有包含弹性波谐振器的串联臂谐振器S1以及S2、和纵向耦合型谐振器M1，在并联臂路径配置有包含弹性波谐振器的并联臂谐振器P1以及P2，因此能够实现具有低损耗的通带且从通带到衰减带的过渡带陡峭的弹性波滤波器。
例如，将对串联臂谐振器S1和纵向耦合型谐振器M1进行连接的、流过通过滤波器10的高频信号的布线设为滤波器10具有的第1布线11。此外，将配置在电感器L1与第1布线11之间的布线设为第2布线12。电感器L1和第1布线11进行磁场耦合，电感器L1和第2布线12进行磁场耦合。此外，第1布线11和第2布线12进行电容耦合。具体地，第1布线11和第2布线12经由电容器C1进行电容耦合。
图5是示出实施方式1涉及的滤波器模块1的基板布局的一个例子的图。如图5所示，滤波器模块1例如具备安装基板30和压电基板13，图5成为安装基板30以及压电基板13的俯视图。滤波器10由压电基板13形成。电感器L1以及压电基板13安装在安装基板30。
压电基板13例如经由凸块n1至凸块n4安装在安装基板30。凸块n1是天线凸块，通过形成在安装基板30的布线而与天线ANT、滤波器20(Tx滤波器)连接。另外，虽然在图5中未示出，但是天线ANT以及滤波器20既可以设置在安装基板30，也可以设置在安装基板30外。凸块n2经由安装基板30而与Rx端子连接。凸块n3以及n4与安装基板30上的公共接地连接，作为接地端子而发挥功能。
在压电基板13设置有构成滤波器10的通带的、包含多个电极指的IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极。具体地，串联臂谐振器S1以及S2、并联臂谐振器P1以及P2、和纵向耦合型谐振器M1由形成在压电基板13上的IDT电极实现。另外，在图5中，对于串联臂谐振器S1以及S2、并联臂谐振器P1以及P2、和纵向耦合型谐振器M1，分别用四角形表示构成IDT电极的多个电极指，并用附上了交叉记号的四角形表示设置为夹着IDT电极的反射器。
电感器L1例如是安装在安装基板30上的片式电感器。另外，电感器L1并不限于片式电感器，也可以由设置在安装基板30上或内层的布线图案形成。靠近电感器L1配置的第1布线11以及第2布线12受到来自电感器L1的磁通量的影响，电感器L1和第1布线11进行磁场耦合，电感器L1和第2布线12进行磁场耦合。
第2布线12配置在压电基板13中的电感器L1侧的端部。因此，与第1布线11相比，第2布线12更强烈地受到来自电感器L1的磁通量的影响。此外，第2布线12在直流上成为浮动电位。例如，第2布线12经由电容器C1而与第1布线连接，但是不与压电基板13或安装基板30等中的其它布线、元件、电源或接地等连接。
如也在图4中示出的那样，第1布线11和第2布线12经由电容器C1进行电容耦合。例如，电容器C1是包含多个电极指的梳齿电容电极，构成滤波器10的通带的IDT电极的多个电极指的延伸方向和梳齿电容电极的多个电极指的延伸方向交叉。由此，能够使得在IDT电极传播的弹性波不受到由梳齿电容电极(电容器C1)造成的影响的同时，在形成滤波器10的压电基板13上还形成电容器C1。另外，IDT电极的多个电极指的延伸方向和梳齿电容电极的多个电极指的延伸方向也可以平行。另外，此处的所谓平行，并不仅意味着完全平行，例如，IDT电极的多个电极指的延伸方向和梳齿电容电极的多个电极指的延伸方向也可以从完全平行偏移±10度左右。在该情况下，IDT电极的电极指间距和梳齿电容电极的电极指间距相互不同。这是因为，即便使各电极指间距不同，也能够使得在IDT电极传播的弹性波不受到由梳齿电容电极造成的影响。
此外，第1布线11和第2布线12设置为平行。另外，此处的所谓平行，并不仅意味着完全平行，例如，第1布线11和第2布线12也可以从完全平行偏移±10度左右。第1布线11和第2布线12设置为平行，从而第1布线11和第2布线12的电容耦合变强，通过对第1布线11和第2布线12的位置关系进行调整，从而变得容易调整第1布线11和第2布线12的电容耦合中的电容。
第1布线11和第2布线12进行电容耦合，使得由电感器L1和第1布线11的磁场耦合产生的高频分量的相位与由电感器L1和第2布线12的磁场耦合产生的高频分量的相位成为相反相位的关系。另外，此处的所谓相反相位，并非仅意味着相位差为180度的状态，例如，也可以将相位差为170度～190度的状态设为相反相位。此外，第1布线11和第2布线12进行电容耦合，使得由电感器L1和第1布线11的磁场耦合产生的高频分量的振幅与由电感器L1和第2布线12的磁场耦合产生的高频分量的振幅成为大致相同的关系。
例如，通过调整电容器C1的电容或者调整第1布线11和第2布线12的位置关系，从而能够进行这样的相位以及振幅的调整。由此，能够有意地使经由第1布线11和第2布线12的电容耦合调整了相位以及振幅的、由电感器L1和第2布线12的磁场耦合产生的高频分量与由电感器L1和第1布线11的磁场耦合产生的高频分量相耦合。因此，能够通过调整了相位以及振幅的高频分量来抵消由电感器L1和第1布线11的磁场耦合产生的高频分量，或者利用各高频分量反而提高滤波器10的衰减特性，能够改善滤波器10的衰减特性。使用图6对通过设置与第1布线11进行电容耦合且在直流上成为浮动电位的第2布线12而达到的具体的效果进行说明。
图6是示出实施方式1涉及的滤波器模块1的隔离度特性的一个例子的图。具体地，图6是示出图4中的Rx端子和Tx端子间的Band26的频带周边的隔离度特性的图。虚线示出没有电感器L1和第1布线11的磁场耦合的理想情况下的隔离度特性，单点划线示出未设置第2布线12的情况下的隔离度特性，实线示出设置了第2布线12的情况下的隔离度特性。在设置了第2布线12的情况下，对第1布线11和第2布线12的电容耦合的电容进行调整，使得改善Band26Tx的频带(即，滤波器20的通带)中的滤波器10的衰减特性。
可知，在未设置第2布线12的情况下，由于电感器L1和第1布线11的磁场耦合，与理想情况相比，Band26Tx(814～849MHz)的频带的隔离度特性变差。另一方面，可知，在设置有第2布线12的情况下，通过有意地使由电感器L1和第2布线12的磁场耦合产生的高频分量和由电感器L1和第1布线11的磁场耦合产生的高频分量相耦合，使得改善滤波器10的衰减特性，从而与理想情况相比，Band26Tx(814～849MHz)的频带的隔离度特性变得更好。
像以上说明的那样，滤波器模块1具备：电感器L1；具有第1布线11的滤波器10；以及配置在电感器L1与第1布线11之间且在直流上成为浮动电位的第2布线12，电感器L1和第1布线11进行磁场耦合，电感器L1和第2布线12进行磁场耦合，第1布线11和第2布线12进行电容耦合。具体地，可以设为，第1布线11和第2布线12进行电容耦合，使得由电感器L1和第1布线11的磁场耦合产生的高频分量的相位与由电感器L1和第2布线12的磁场耦合产生的高频分量的相位成为相反相位的关系。
由此，通过对第1布线11和第2布线12的电容耦合中的电容进行调整，从而能够对由电感器L1和第2布线12的磁场耦合产生的高频分量的相位以及振幅进行调整，能够通过调整了相位以及振幅的高频分量来抵消由电感器L1和第1布线11的磁场耦合产生的高频分量，或者利用各高频分量反而提高滤波器10的衰减特性。像这样，通过设置配置在电感器L1与第1布线11之间且在直流上成为浮动电位的第2布线12，并使第1布线11和第2布线12进行电容耦合，从而能够改善滤波器10的衰减特性。
此外，也可以设为，第1布线11和第2布线12经由电容器C1进行电容耦合。
像这样，能够通过电容器C1(元件)实现第1布线11和第2布线12的电容耦合。通过调整电容器C1的电容，从而变得容易调整第1布线11和第2布线12的电容耦合中的电容。
此外，也可以设为，滤波器10由压电基板13形成，在压电基板13设置有构成滤波器10的通带的、包含多个电极指的IDT电极，电容器C1是包含多个电极指的梳齿电容电极，IDT电极的多个电极指的延伸方向和梳齿电容电极的多个电极指的延伸方向交叉。或者，也可以设为，滤波器10由压电基板13形成，在压电基板13设置有构成滤波器10的通带的、包含多个电极指的IDT电极，电容器C1是包含多个电极指的梳齿电容电极，IDT电极的多个电极指的延伸方向和梳齿电容电极的多个电极指的延伸方向平行，IDT电极的电极指间距和梳齿电容电极的电极指间距相互不同。
由此，能够在形成了构成滤波器10的IDT电极的压电基板13上还形成电容器C1，能够将滤波器模块1小型化。
此外，也可以设为，第1布线11和第2布线12设置为平行。
由此，第1布线11和第2布线12的电容耦合变强，变得容易调整第1布线11和第2布线12的电容耦合中的电容。
此外，也可以设为，滤波器模块1还具备安装基板30，滤波器10由压电基板13形成，电感器L1以及压电基板13安装在安装基板30，第2布线12配置在压电基板13中的电感器L1侧的端部。
由此，变得容易将第2布线12配置在第1布线11与电感器L1之间。
此外，也可以设为，滤波器模块1还具备包含滤波器10的多个滤波器，多个滤波器的输入端子或输出端子与公共端子连接。
由此，能够改善连接于公共端子的多个滤波器中的例如滤波器20的通带所对应的频带中的滤波器10的衰减特性，从而能够改善构成多工器的滤波器10和滤波器20的隔离度特性。
另外，虽然在实施方式1中对第1布线11和第2布线12经由一个电容器C1进行电容耦合的例子进行了说明，但是第1布线11和第2布线12也可以经由多个电容器在多处进行电容耦合。关于此，作为实施方式1的变形例而使用图7以及图8进行说明。
图7是示出实施方式1的变形例涉及的滤波器模块1a的基板布局的一个例子的图。在实施方式1的变形例中，与实施方式1中的不同点在于，设置有电容器C2。与此相伴地，在实施方式1的变形例中，将滤波器10设为滤波器10a，将压电基板13设为压电基板13a。其它方面与实施方式1中的相同，因此省略说明。
虽然在实施方式1中将连结串联臂谐振器S1和纵向耦合型谐振器M1的路径设为第1布线11，但是只要是流过通过滤波器10的高频信号的布线即可，可以将其它布线也设为第1布线11。例如，可以将连结串联臂谐振器S2和纵向耦合型谐振器M1的路径也设为第1布线11。而且，如图7所示，也可以在连结串联臂谐振器S1和纵向耦合型谐振器M1的路径上，第1布线11和第2布线12经由电容器C1进行电容耦合，在连结串联臂谐振器S2和纵向耦合型谐振器M1的路径上，第1布线11和第2布线12经由电容器C2进行电容耦合。电容器C2例如是设置在压电基板13a的包含多个电极指的梳齿电容电极。使用图8对像这样通过第1布线11和第2布线12经由多个电容器在多处进行电容耦合而达到的效果进行说明。
图8是示出实施方式1的变形例涉及的滤波器模块1a的隔离度特性的一个例子的图。虚线示出没有电感器L1和第1布线11的磁场耦合的理想情况下的隔离度特性，单点划线示出设置了连接有一个电容器C1的第2布线12的情况下的隔离度特性，实线示出设置了连接有两个电容器C1以及C2的第2布线12的情况下的隔离度特性。在设置了第2布线12的情况下，对第1布线11和第2布线12的电容耦合的电容进行调整，使得改善Band26Tx的频带(即，滤波器20的通带)中的滤波器10a的衰减特性。
可知，在设置了连接有两个电容器C1以及C2的第2布线12的情况下，能够引起由电感器L1和第2布线12的磁场耦合产生的高频分量与由电感器L1和第1布线11的磁场耦合产生的高频分量的更复杂的耦合，使得改善滤波器10a的衰减特性，因此与设置了连接有一个电容器C1的第2布线12的情况相比，Band26Tx(814～849MHz)的频带的隔离度特性变得更好。
(实施方式2)
在实施方式1及其变形例中，对第1布线11和第2布线12经由电容器(元件)进行电容耦合的例子进行了说明，但是第1布线11和第2布线12也可以经由寄生电容进行电容耦合。使用图9以及图10对此进行说明。
图9是示出实施方式2涉及的滤波器模块1b的电路结构的一个例子的图。图10是示出实施方式2涉及的滤波器模块1b的基板布局的一个例子的图。在实施方式2中，与实施方式1中的不同点在于，未设置电容器C1，存在寄生电容C1a。与此相伴地，在实施方式2中，将滤波器10设为滤波器10b，将压电基板13设为压电基板13b。其它方面与实施方式1中的相同，因此省略说明。
如图9以及图10所示，第2布线12未经由电容器(元件)而与第1布线11连接，成为不与其它元件、布线连接的浮置布线。但是，在第1布线11与第2布线12之间存在寄生电容C1a，第1布线11和第2布线12经由寄生电容C1a进行电容耦合。寄生电容C1a实际上是看不见的，但是在图9以及图10中，示意性地用虚线示出了寄生电容C1a。像这样，即便不使第1布线11和第2布线12经由电容器(元件)进行电容耦合，也能够通过寄生电容C1a使第1布线11和第2布线12进行电容耦合。
像以上说明的那样，也可以设为，第1布线11和第2布线12经由寄生电容C1a进行电容耦合。
由此，能够通过寄生电容C1a实现第1布线11和第2布线12的电容耦合。通过调整第1布线11和第2布线12的位置关系，从而能够调整第1布线11和第2布线12的电容耦合中的电容，能够通过调整了相位以及振幅的高频分量来抵消由电感器L1和第1布线11的磁场耦合产生的高频分量，或者利用各高频分量反而提高滤波器10b的衰减特性。
(其它实施方式)
以上，列举实施方式对本发明涉及的滤波器模块进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了本发明涉及的滤波器模块的各种设备也包含于本发明。
例如，虽然在上述实施方式中，说明为电容器C1以及C2设置在压电基板上，但是并不限于此。例如，电容器C1以及C2也可以设置在安装基板30。在该情况下，电容器C1以及C2也可以不是梳齿电容电极。
此外，例如，虽然在上述实施方式中，说明为第1布线11和第2布线12设置为平行，但是并不限于此。例如，第1布线11和第2布线12也可以不设置为平行。
此外，例如，虽然在上述实施方式中，说明为第2布线12配置在压电基板中的电感器L1侧的端部，但是只要配置在电感器L1与第1布线11之间，压电基板中的第2布线12的配置就没有特别限定。
此外，例如，虽然在上述实施方式中，说明为第2布线12设置在压电基板，但是并不限于此。例如，第2布线12也可以设置在安装基板30。
产业上的可利用性
本发明能够广泛地利用于具备能够应对多个无线频带的滤波器模块的便携式电话等通信设备。

Claims (10)

1.一种滤波器模块，具备：
电感器；
滤波器，具有第1布线；以及
第2布线，配置在所述电感器与所述第1布线之间，
所述第2布线在直流上成为浮动电位。
2.根据权利要求1所述的滤波器模块，其中，
所述电感器和所述第1布线进行磁场耦合，
所述电感器和所述第2布线进行磁场耦合，
所述第1布线和所述第2布线进行电容耦合。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器模块，其中，
所述第1布线和所述第2布线进行电容耦合，使得由所述电感器和所述第1布线的磁场耦合产生的高频分量的相位与由所述电感器和所述第2布线的磁场耦合产生的高频分量的相位成为相反相位的关系。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第1布线和所述第2布线经由寄生电容进行电容耦合。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第1布线和所述第2布线经由电容器进行电容耦合。
6.根据权利要求5所述的滤波器模块，其中，
所述滤波器由压电基板形成，
在所述压电基板设置有构成所述滤波器的通带的、包含多个电极指的叉指换能器IDT电极，
所述电容器是包含多个电极指的梳齿电容电极，
所述IDT电极的多个电极指的延伸方向和所述梳齿电容电极的多个电极指的延伸方向交叉。
7.根据权利要求5所述的滤波器模块，其中，
所述滤波器由压电基板形成，
在所述压电基板设置有构成所述滤波器的通带的、包含多个电极指的IDT电极，
所述电容器是包含多个电极指的梳齿电容电极，
所述IDT电极的多个电极指的延伸方向和所述梳齿电容电极的多个电极指的延伸方向平行，
所述IDT电极的电极指间距和所述梳齿电容电极的电极指间距相互不同。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第1布线和所述第2布线设置为平行。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的滤波器模块，其中，
所述滤波器模块还具备安装基板，
所述滤波器由压电基板形成，
所述电感器以及所述压电基板安装在所述安装基板，
所述第2布线配置在所述压电基板中的所述电感器侧的端部。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的滤波器模块，其中，
所述滤波器模块还具备包含所述滤波器的多个滤波器，
所述多个滤波器的输入端子或输出端子与公共端子连接。
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