CN112640304A - 滤波器装置以及多工器 - Google Patents
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Abstract
滤波器装置(1)具备设置在输入端子(101)与输出端子(102)之间的滤波器(100)和在输入端子(101)与输出端子(102)之间与滤波器(100)并联连接的附加电路(10)，附加电路(10)具有相互并联连接且包含纵耦合型谐振器(D1及D2)的至少两个纵耦合型谐振器、和设置在至少两个纵耦合型谐振器与输入端子(101)之间的一个电容元件及设置在至少两个纵耦合型谐振器与输出端子(102)之间的一个电容元件当中的至少一方，构成纵耦合型谐振器(D1)的IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极的多个电极指和构成纵耦合型谐振器(D2)的IDT电极的多个电极指的平均间距相互不同。
Description
技术领域
本发明涉及滤波器装置以及多工器。
背景技术
近年来，要求进行将多个滤波器公共连接并同时收发与多个滤波器分别对应的多个频带的信号的、所谓的CA(载波聚合)。为了进行CA，利用将多个滤波器公共连接的多工器(分波器/合波器)。此时，需要改善多个滤波器之中的一个滤波器的、与和该一个滤波器公共连接的其他滤波器的通带对应的频带中的衰减特性，使得该其他滤波器的通带的发送信号不泄漏到该一个滤波器。因此，例如在专利文献1中，提出了使用附加电路的方案，该附加电路生成与泄漏到该一个滤波器的其他滤波器的频带的无用信号反相并且相同振幅的、抵消该无用信号的信号。这样的附加电路与该一个滤波器并联连接，从而该一个滤波器的衰减特性得到提高。由此，例如，在包含该滤波器的多工器中滤波器间的隔离度特性得到提高。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-171210号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，根据近年来的通信频率的多频段化以及宽频带化的要求，在多工器中被公共连接的滤波器的数量处于增加的倾向，需要在多个频带中改善滤波器的衰减特性。因此，需要生成用于抵消多个频带的无用信号的抵消信号，具体地，需要针对多个频带进行相位调整。但是，在上述专利文献1公开的结构中，难以针对多个频带进行相位调整。具体地，存在即使能够生成多个频带之中的一个频带的抵消信号，也无法生成其他频带的抵消信号的情况。因此，存在无法在多个频带中得到充分的衰减特性的问题。
因此，本发明的目的在于，提供一种能够有效地改善衰减特性的滤波器装置等。
用于解决课题的手段
本发明的一个方式涉及的滤波器装置具备：第1滤波器，设置在输入端子与输出端子之间；和附加电路，在所述输入端子与所述输出端子之间与所述第1滤波器并联连接，所述附加电路具有：至少两个IDT电极组，相互并联连接，且包含第1IDT电极组以及第2IDT电极组；和设置在所述至少两个IDT电极组与所述输入端子之间的一个电容元件以及设置在所述至少两个IDT电极组与所述输出端子之间的一个电容元件当中的至少一方，所述至少两个IDT电极组分别包含在弹性波传播方向上配置的多个IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极，构成所述第1IDT电极组的IDT电极的多个电极指和构成所述第2IDT电极组的IDT电极的多个电极指的平均间距相互不同。
本发明的一个方式涉及的滤波器装置具备：第1滤波器，设置在输入端子与输出端子之间；和附加电路，在所述输入端子与所述输出端子之间与所述第1滤波器并联连接，所述附加电路具有包含在弹性波传播方向上配置的多个IDT电极的IDT电极组，构成所述IDT电极组的所述多个IDT电极包含与所述输入端子连接的至少两个第1IDT电极和与所述输出端子连接的至少两个第2IDT电极，所述至少两个第1IDT电极各自的多个电极指的平均间距相互不同，所述至少两个第2IDT电极各自的多个电极指的平均间距相互不同。
本发明的一个方式涉及的多工器具备包含上述的滤波器装置在内的多个滤波器，所述多个滤波器的输入端子或输出端子与公共端子连接。
发明效果
根据本发明，能够实现能有效地改善衰减特性的滤波器装置等。
附图说明
图1是示出实施方式1涉及的滤波器装置的一例的结构图。
图2是示意性地表示声表面波谐振器的俯视图以及剖视图。
图3是示意性地表示实施方式1涉及的纵耦合型谐振器的一例的俯视图。
图4是示出比较例2涉及的滤波器装置的一例的结构图。
图5是示出实施方式1涉及的附加电路单体以及滤波器单体的相位特性的曲线图。
图6是示出比较例1以及2涉及的附加电路单体以及滤波器单体的相位特性的曲线图。
图7是对实施方式1、比较例1以及比较例2涉及的滤波器装置的衰减特性进行了比较的曲线图。
图8是示出实施方式2涉及的滤波器装置的一例的结构图。
图9是示意性地表示实施方式2涉及的纵耦合型谐振器的一例的俯视图。
图10是示意性地表示实施方式2涉及的纵耦合型谐振器的另一例的俯视图。
图11是示出实施方式2涉及的附加电路单体以及滤波器单体的相位特性的曲线图。
图12是对实施方式2、比较例1以及比较例2涉及的滤波器装置的衰减特性进行了比较的曲线图。
图13是示出实施方式3涉及的多工器的一例的结构图。
具体实施方式
以下，利用附图对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，以下说明的实施方式均示出总括性的或具体的例子。以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一例，其主旨不在于对本发明进行限定。关于以下的实施方式中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素来说明。此外，附图所示的构成要素的大小或大小之比未必严谨。此外，在各图中，对于实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。此外，在以下的实施方式中，所谓“连接”，不仅包含直接连接的情况，还包含经由其他元件等而电连接的情况。
(实施方式1)
利用图1至图7对实施方式1进行说明。
[滤波器装置的结构]
图1是示出实施方式1涉及的滤波器装置1的一例的结构图。
滤波器装置1具有输入端子101以及输出端子102，例如，输入端子101与天线元件连接，输出端子102经由开关IC或放大电路等而与RF信号处理电路(RFIC)连接。滤波器装置1在天线元件与RF信号处理电路之间传递高频信号。另外，也可以在输入端子101连接RF信号处理电路，在输出端子102连接天线元件。
滤波器装置1具备滤波器100以及附加电路10。
滤波器100是设置在输入端子101与输出端子102之间的第1滤波器。滤波器100例如是利用了弹性波谐振器的弹性波滤波器。滤波器100具有：串联臂谐振器S1以及S2，配置在将输入端子101和输出端子102连结的路径上；和纵耦合型谐振器D10以及D20，相互并联连接。串联臂谐振器S1、S2和并联连接了纵耦合型谐振器D10以及D20的电路相互串联连接。此外，滤波器100具有：并联臂谐振器P1，连接在串联臂谐振器S1与串联臂谐振器S2之间的连接节点、和接地之间；以及并联臂谐振器P2，连接在串联臂谐振器S2与并联连接了纵耦合型谐振器D10以及D20的电路之间的连接节点、和接地之间。串联臂谐振器S1及S2、并联臂谐振器P1及P2、和纵耦合型谐振器D10及D20构成滤波器100的通带。
另外，滤波器100也可以不具有纵耦合型谐振器D10以及D20，此外，串联臂谐振器的数量以及并联臂谐振器的数量也可以不是图1所示的数量。进而，滤波器100不限于弹性波滤波器，也可以是LC滤波器等。例如，在本实施方式中，滤波器100是弹性波滤波器，具体地，是声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)滤波器。在此情况下，可起到以下的效果。如后述那样，附加电路10中包含纵耦合型谐振器，纵耦合型谐振器包含在弹性波传播方向上不隔着反射器而配置的IDT电极。如果滤波器100为声表面波滤波器，则滤波器100也包含声表面波谐振器，能够将滤波器100和附加电路10形成在同一压电基板上。由此，能够将滤波器100和附加电路10形成为一体，能够实现滤波器装置1的小型化。
要求进行将多个滤波器公共连接并同时收发与多个滤波器分别对应的多个频带的信号的、所谓的CA。此时，需要改善多个滤波器之中的一个滤波器的、和与该一个滤波器公共连接的其他滤波器的通带对应的频带(也称作对方频带)的衰减特性，使得该其他滤波器的通带的发送信号不泄漏到该一个滤波器。特别是，近年来，被公共连接的多个滤波器的数量处于增加的倾向，需要在多个对方频带中改善该一个滤波器的衰减特性。
因此，使用附加电路10。附加电路10是在输入端子101与输出端子102之间与滤波器100并联连接的电路。附加电路10生成与泄漏到滤波器100的多个对方频带的无用信号反相的、用于抵消该无用信号的抵消信号。在此，所谓信号和信号反相，是指在-180°以上且180°以下的范围内两者的相位差的绝对值大于90°。这等同于两者具有相互反方向的相位分量。另外，抵消信号优选为与无用信号尽可能相同的振幅，但振幅也可以不同。根据抵消信号与无用信号分量的相位差，在两者的合计结果的振幅变得小于原来的无用信号分量的振幅的情况下，能够使滤波器100的衰减特性提高。这样的附加电路10与滤波器100并联连接，从而在滤波器100与附加电路10的连接点，泄漏到滤波器100的无用信号被由附加电路10生成的抵消信号抵消。由此，在多个对方频带中滤波器100的衰减特性得到改善。
另外，也可以在输入端子101与滤波器100之间的连接节点(将输入端子101和滤波器100连结的路径与附加电路10的连接点)和输入端子101之间连接有其他元件。例如，也可以在该连接节点和输入端子101之间设置有串联臂谐振器以及并联臂谐振器。例如，滤波器100也可以不具备串联臂谐振器S1以及并联臂谐振器P1，取而代之，也可以在该连接节点和输入端子101之间设置有串联臂谐振器S1以及并联臂谐振器P1。
附加电路10作为用于生成抵消信号的结构，具有相互并联连接的至少两个IDT电极组以及一个电容元件C1。相互并联连接的至少两个IDT电极组包含作为第1IDT电极组的纵耦合型谐振器D1以及作为第2IDT电极组的纵耦合型谐振器D2。在本实施方式中，附加电路10作为至少两个纵耦合型谐振器，具有两个纵耦合型谐振器D1以及D2，但也可以具有三个以上的纵耦合型谐振器。至少两个纵耦合型谐振器(IDT电极组)分别包含在弹性波传播方向上配置的多个IDT电极。另外，在本实施方式中，IDT电极组是利用弹性波的耦合来传递信号的纵耦合型谐振器，但不限于该例，也可以是利用弹性波的传播来传递信号的横向型滤波器。此外，至少两个IDT电极组例如也可以包含纵耦合型谐振器以及横向型滤波器这两者。
附加电路10作为设置在至少两个纵耦合型谐振器与输入端子101之间的一个电容元件、以及设置在至少两个纵耦合型谐振器与输出端子102之间的一个电容元件当中的至少一方，具有电容元件C1。另外，附加电路10也可以在至少两个纵耦合型谐振器与输出端子102之间具有一个电容元件，还可以在至少两个纵耦合型谐振器与输入端子101之间、以及至少两个纵耦合型谐振器与输出端子102之间这两者分别具有一个电容元件。电容元件C1针对两个纵耦合型谐振器D1以及D2而在其输入端子101侧以及输出端子102侧的至少一方仅设置有一个。换言之，电容元件C1在输入端子101侧或输出端子102侧，未按照两个纵耦合型谐振器D1以及D2的每一个分别设置。
电容元件C1是为了生成与泄漏到滤波器100的对方频带的无用信号相同振幅的抵消信号而对输入到电容元件C1的信号的振幅进行调整(具体来说减小)的元件。在此，作为电容元件C1使用了弹性波谐振器。这是因为，弹性波谐振器在其谐振频率与反谐振频率之间的频带中示出电感性，在其他频带中示出电容性，因此在该其他频带中能够作为电容元件来处理。例如，多个对方频带包含于该其他频带。另外，电容元件C1不限于弹性波谐振器，也可以是电容器。电容器既可以是由基板上的导体图案形成的电容器，也可以是安装于基板的片式电容器。
纵耦合型谐振器D1是为了生成与一个对方频带的无用信号反相并且相同振幅的抵消信号而对输入到纵耦合型谐振器D1的信号的振幅以及相位进行调整的元件。纵耦合型谐振器D2是为了生成与不同于上述一个对方频带的对方频带的无用信号反相并且相同振幅的抵消信号而对输入到纵耦合型谐振器D2的信号的振幅以及相位进行调整的元件。
在附加电路10中，通过电容元件C1对输入到电容元件C1的信号的振幅遍及宽频带地大幅调整后，为了抵消一个对方频带的无用信号，通过纵耦合型谐振器D1对输入到纵耦合型谐振器D1的信号的一个对方频带中的振幅以及相位进行调整，为了抵消与上述一个对方频带不同的对方频带的无用信号，通过纵耦合型谐振器D2对输入到纵耦合型谐振器D2的信号的与上述一个对方频带不同的对方频带中的振幅以及相位进行调整。
[谐振器的基本构造]
接着，对构成滤波器装置1的各谐振器(串联臂谐振器、并联臂谐振器以及纵耦合型谐振器中的谐振器)的基本构造进行说明。在本实施方式中，该谐振器是声表面波谐振器。
图2是示意性地表示声表面波谐振器的俯视图以及剖视图。在该图中，作为构成滤波器装置1的各谐振器，以谐振器401为例，例示了表示其构造的俯视示意图以及剖视示意图。另外，图2所示的谐振器401用于说明上述各谐振器的典型的构造，构成电极的电极指的根数、长度等不限定于此。
如图2的俯视图所示，谐振器401具有相互对置的一对梳齿状电极11a以及11b。此外，虽然未图示，但谐振器401还具有相对于一对梳齿状电极11a以及11b而在弹性波的传播方向上相邻地配置的反射器。一对梳齿状电极11a以及11b构成了IDT电极。
梳齿状电极11a包含配置为梳齿形状且相互平行的多个电极指110a、和将多个电极指110a各自的一端彼此连接的汇流条电极111a。此外，梳齿状电极11b包含配置为梳齿形状且相互平行的多个电极指110b、和将多个电极指110b各自的一端彼此连接的汇流条电极111b。多个电极指110a以及110b形成为在弹性波传播方向的正交方向上延伸。
此外，包含多个电极指110a及110b和汇流条电极111a及111b的IDT电极，如图2的剖视图所示，成为密接层51和主电极层52的层叠构造。
密接层51是用于使压电基板50与主电极层52的密接性提高的层，作为材料，例如可使用Ti。密接层51的膜厚例如为12nm。
主电极层52作为材料，例如可使用含有1％的Cu的Al。主电极层52的膜厚例如为162nm。
保护层53形成为覆盖IDT电极。保护层53是以保护主电极层52不受外部环境影响、调整频率温度特性、以及提高耐湿性等为目的的层，例如是以二氧化硅为主要成分的膜。保护层53的膜厚例如为25nm。
另外，构成密接层51、主电极层52以及保护层53的材料不限定于上述的材料。进而，IDT电极也可以不是上述层叠构造。IDT电极例如可以包含Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd等金属或合金，此外，也可以包括包含上述金属或合金的多个层叠体。此外，也可以不形成保护层53。
压电基板50是在主面上配置了IDT电极以及反射器的具有压电性的基板。压电基板50例如包含42°Y切割X传播LiTaO3压电单晶或压电陶瓷(是用将以X轴为中心轴从Y轴旋转了42°的轴作为法线的面进行了切断的钽酸锂单晶或陶瓷，且是声表面波在X轴方向上传播的单晶或陶瓷)。
压电基板50是具有高声速支承基板、低声速膜和压电膜依次被层叠的层叠构造的压电性基板。压电膜例如包含42°Y切割X传播LiTaO3压电单晶或压电陶瓷。压电膜例如厚度为600nm。高声速支承基板是对低声速膜、压电膜以及IDT电极进行支承的基板。高声速支承基板进一步是高声速支承基板中的体波(bulk wave)的声速与在压电膜中传播的表面波、边界波的弹性波相比成为高速的基板，发挥功能使得将声表面波封闭在压电膜以及低声速膜被层叠的部分，不泄漏到比高声速支承基板更靠下方。高声速支承基板例如为硅基板，厚度例如为200μm。低声速膜是低声速膜中的体波的声速与在压电膜中传播的体波相比成为低速的膜，配置在压电膜与高声速支承基板之间。通过该构造和弹性波在本质上能量集中于低声速的媒质这样的性质，声表面波能量向IDT电极外的泄漏得到抑制。低声速膜例如是以二氧化硅为主要成分的膜，厚度例如为670nm。另外，在低声速膜之间，也可以包括包含Ti、Ni等的接合层。低声速膜也可以是包含多个低声速材料的多层构造。根据该层叠构造，与以单层来使用压电基板50的构造相比较，能够大幅提高谐振频率以及反谐振频率下的Q值。即，能够构成Q值高的声表面波谐振器，因此能够利用该声表面波谐振器来构成插入损耗小的滤波器。
另外，高声速支承基板也可以具有支承基板和所传播的体波的声速与在压电膜中传播的表面波、边界波的弹性波相比成为高速的高声速膜被层叠的构造。在此情况下，支承基板能够使用钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、玻璃、蓝宝石等电介质或者硅、氮化镓等半导体以及树脂基板等。此外，高声速膜能够使用以氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、以上述材料为主要成分的媒质、以上述材料的混合物为主要成分的媒质等各种各样的高声速材料。
在此，对构成声表面波谐振器的IDT电极的电极参数进行说明。
声表面波谐振器的波长由图2所示的构成IDT电极的多个电极指110a或110b的重复周期即波长λ来规定。此外，电极间距P为波长λ的1/2，将构成梳齿状电极11a以及11b的电极指110a以及110b的线宽度设为W，将相邻的电极指110a与电极指110b之间的间隔宽度设为S的情况下，由(W+S)来定义。此外，一对梳齿状电极11a以及11b的交叉宽度L是从传播方向观察的情况下的重复的电极指长度。此外，各谐振器的电极占空比R是多个电极指110a以及110b的线宽度占有率，是相对于多个电极指110a以及110b的线宽度和间隔宽度的相加值的、该线宽度的比例，由W/(W+S)来定义。此外，IDT电极的多个电极指110a以及110b的根数是电极指110a以及110b的总数。例如，在示意性地表示声表面波谐振器的图2中，多个电极指110a以及110b的根数是7根。此外，IDT电极的膜厚是多个电极指110a以及110b的厚度h。
[关于附加电路中的纵耦合型谐振器]
接着，利用图3、表1以及表2对附加电路10中的纵耦合型谐振器D1以及D2进行说明。
图3是示意性地表示实施方式1涉及的纵耦合型谐振器D1的一例的俯视图。另外，关于纵耦合型谐振器D2，IDT电极的电极参数与纵耦合型谐振器D1不同，但基本的结构与纵耦合型谐振器D1相同。因此，如果将图3中的附图标记“D1”设为附图标记“D2”，则图3成为示意性地表示实施方式1涉及的纵耦合型谐振器D2的一例的俯视图。此外，图3示意性地表示纵耦合型谐振器D1，实施方式1中的构成纵耦合型谐振器D1的IDT电极的多个电极指的根数以及间距不限于图3所示的。
构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极以及构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极分别包含与输入端子101连接的至少一个第1IDT电极和与输出端子102连接的至少一个第2IDT电极。在此，构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极以及构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极分别包含作为至少一个第1IDT电极的一个IDT电极120和作为至少一个第2IDT电极的一个IDT电极130。另外，构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极以及构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极也可以分别包含作为至少一个第1IDT电极的两个以上的IDT电极120和作为至少一个第2IDT电极的两个以上的IDT电极130。IDT电极120的端子101a经由电容元件C1而与输入端子101连接，IDT电极130的端子102a与输出端子102连接。此外，还存在如下情况，即，构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极以及构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极分别包含反射器140，该反射器140被设置为在弹性波的传播方向上夹着IDT电极120以及130。另外，在附加电路10具有横向型滤波器作为IDT电极组的情况下，有时取代反射器140而设置吸音材料。
如上所述，通过在滤波器100并联连接附加电路10，从而能够抵消向滤波器100泄漏的多个对方频带的无用信号。这是因为在附加电路10中能够产生多个谐振模式，具体地，这是因为通过对构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极的电极参数进行调整，从而能够调整一个谐振模式的谐振频率，通过对构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极的电极参数进行调整，从而能够调整其他谐振模式的谐振频率。此时，对电极参数进行调整，使得多个谐振模式的谐振频率处于相互不同的频带。具体地，进行调整使得一个谐振模式的谐振频率处于一个对方频带的中心频率附近，并进行调整使得其他谐振模式的谐振频率处于与一个对方频带不同的对方频带的中心频率附近。由此，附加电路10能够生成与多个对方频带中的无用信号反相并且相同振幅的抵消信号，能够抵消多个对方频带的无用信号。这是因为，在纵耦合型谐振器中发生相位反转的作用的主要是谐振模式的谐振频率附近。
接着，利用表1以及表2，对用于抵消多个对方频带的无用信号的、构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极以及构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极的电极参数进行说明。表1是示出构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极的电极参数的表。表2是示出构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极的电极参数的表。
[表1]
[表2]
构成纵耦合型谐振器D1的IDT电极120以及130整体的多个电极指的平均间距为2.4045μm，构成纵耦合型谐振器D2的IDT电极120以及130整体的多个电极指的平均间距为2.5450μm，构成纵耦合型谐振器D1的IDT电极120以及130的多个电极指和构成纵耦合型谐振器D2的IDT电极120以及130的多个电极指的平均间距相互不同。另外，IDT电极120以及130整体的多个电极指的平均间距是除了反射器140之外的IDT电极120以及130的全部电极指的间距的总和除以IDT电极120以及130的全部电极指的根数而得到的。
通过对多个电极指的平均间距进行调整从而能够调整谐振模式的谐振频率。也就是说，通过在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使多个电极指的平均间距相互不同，从而能够调整为多个谐振模式的谐振频率处于相互不同的频带，附加电路10能够生成与多个对方频带的无用信号反相的抵消信号。
此外，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极120的多个电极指的根数是14根，纵耦合型谐振器D2中的IDT电极120的多个电极指的根数是10根，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极120的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极120的多个电极指的根数相互不同。纵耦合型谐振器D1中的IDT电极130的多个电极指的根数是22根，纵耦合型谐振器D2中的IDT电极130的多个电极指的根数是14根，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极130的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极130的多个电极指的根数相互不同。
通过调整多个电极指的根数从而能够调整谐振模式的频带宽度。也就是说，通过在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使输入端子101侧的IDT电极120的多个电极指的根数相互不同，在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使输出端子102侧的IDT电极130的多个电极指的根数相互不同，从而能够针对对方频带分别调整抵消信号中与无用信号反相的频带宽度，使得与对方频带的频带宽度一致。此外，通过对多个电极指的根数进行调整，从而能够针对对方频带分别调整抵消信号的振幅特性。这是因为，通过对输入端子101侧的IDT电极120的多个电极指的根数进行调整，从而能够调整对振幅造成影响的输入阻抗，通过对输出端子102侧的IDT电极130的多个电极指的根数进行调整，从而能够调整对振幅造成影响的输出阻抗。像这样，能够根据对方频带宽度对抵消信号中与无用信号反相的频带宽度进行调整，同时根据无用信号的振幅对抵消信号的该频带宽度中的振幅进行调整。由此，能够按照每个对方频带进行最佳的振幅调整、相位调整，能够提高无用信号的抵消效果。
此外，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极120的多个电极指的平均间距为2.2573μm，纵耦合型谐振器D2中的IDT电极120的多个电极指的平均间距为2.4094μm，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极120的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极120的多个电极指的平均间距相互不同。纵耦合型谐振器D1中的IDT电极130的多个电极指的平均间距为2.4983μm，纵耦合型谐振器D2中的IDT电极130的多个电极指的平均间距为2.6419μm，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极130的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极130的多个电极指的平均间距相互不同。另外，IDT电极120的多个电极指的平均间距是IDT电极120的全部电极指的间距的总和除以IDT电极120的全部电极指的根数而得到的。此外，IDT电极130的多个电极指的平均间距是IDT电极130的全部电极指的间距的总和除以IDT电极130的全部电极指的根数而得到的。
如上所述，通过调整多个电极指的平均间距从而能够调整谐振模式的谐振频率。此时，通过在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使输入端子101侧的IDT电极120的多个电极指的平均间距相互不同，在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使输出端子102侧的IDT电极130的多个电极指的平均间距相互不同，从而能够精细地调整抵消信号中与无用信号反相的频率以及频带宽度。
另外，关于纵耦合型谐振器D1以及D2，构成各自的IDT电极120以及130的多个电极指的交叉宽度同为89.5μm，但构成纵耦合型谐振器D1的IDT电极120以及130的多个电极指和构成纵耦合型谐振器D2的IDT电极120以及130的多个电极指的交叉宽度也可以相互不同。通过调整多个电极指的交叉宽度，也能够调整抵消信号的振幅特性。
[与比较例1以及2的比较]
关于通过如表1以及表2所示那样对构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极以及构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极的电极参数进行调整从而起到的效果，与比较例1以及2进行比较来说明。
比较例1涉及的滤波器装置的电路结构与实施方式1涉及的滤波器装置1的电路结构(参照图1、图3)相同，但电极参数与实施方式1中的电极参数不同。
表3是示出比较例1涉及的滤波器装置中的IDT电极的电极参数的表。
[表3]
在比较例1涉及的滤波器装置中，构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极以及构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极的电极参数彼此相同。具体地，构成纵耦合型谐振器D1的IDT电极120以及130的多个电极指和构成纵耦合型谐振器D2的IDT电极120以及130的多个电极指的整体的平均间距彼此同为2.3629μm。此外，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极120的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极120的多个电极指的根数彼此同为24根，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极130的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极130的多个电极指的根数彼此同为14根。此外，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极120的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极120的多个电极指的平均间距彼此同为2.2946μm，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极130的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极130的多个电极指的平均间距彼此同为2.4801μm。
比较例2涉及的滤波器装置2的电路结构与实施方式1涉及的滤波器装置1的电路结构不同。
图4是示出比较例2涉及的滤波器装置2的一例的结构图。
比较例2涉及的滤波器装置2与实施方式1涉及的滤波器装置1的不同点在于，取代附加电路10而具备附加电路20。附加电路20与附加电路10的不同点在于，不具有纵耦合型谐振器D2。也就是说，在比较例2中，与实施方式1中的滤波器装置1的不同点在于，附加电路20仅具备一个纵耦合型谐振器。
表4是示出比较例2涉及的滤波器装置2中的IDT电极的电极参数的表。
[表4]
接着，利用图5以及图6来说明实施方式1涉及的附加电路10能够生成与多个对方频带的无用信号反相的抵消信号，比较例1以及2涉及的附加电路难以生成与多个对方频带中的无用信号反相的抵消信号。
图5是示出实施方式1涉及的附加电路10单体以及滤波器100单体的相位特性的曲线图。用实线示出实施方式1涉及的附加电路10单体的相位特性，用单点划线示出滤波器100单体的相位特性。
例如，设滤波器装置1是应对将三个滤波器公共连接并同时收发与三个滤波器分别对应的多个频带的信号的CA的多工器中包含的滤波器。与三个滤波器分别对应的多个频带例如是LTE(Long Term Evolution(长期演进)：4G)的Band26Rx(859～894MHz)、Band12Tx(699～716MHz)以及Band13Tx(777～787MHz)。另外，以后，将Band26Rx、Band12Tx以及Band13Tx也分别称为B26Rx、B12Tx以及B13Tx。例如，将滤波器装置1(滤波器100)的通带设为B26Rx，将与滤波器装置1公共连接的其他滤波器的通带(即对方频带)设为B12Tx以及B13Tx。在此情况下，若着眼于滤波器装置1，则需要改善滤波器装置1的与作为对方频带的B12Tx以及B13Tx对应的频带中的衰减特性，使得作为对方频带的B12Tx以及B13Tx的发送信号不泄漏到滤波器装置1。因此，附加电路10需要生成与多个对方频带(B12Tx以及B13Tx)的无用信号反相的抵消信号。
在图5中，用粗实线包围的部分是与B12Tx以及B13Tx对应的频带。如图5所示可知，在B12Tx以及B13Tx这两者中，附加电路10单体和滤波器100单体的相位差处于180度附近。也就是说，可知附加电路10能够生成与多个对方频带(B12Tx以及B13Tx)的无用信号反相的抵消信号。
在实施方式1中，如表1以及表2所示，通过在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使多个电极指的平均间距相互不同从而能够产生多个谐振模式，能够调整为多个谐振模式的谐振频率处于相互不同的频带。具体地，能够将多个谐振模式之中的一个谐振模式的谐振频率配置在B12Tx的大体中心频率，此外，能够将其他谐振模式的谐振频率配置在B13Tx的大体中心频率。因此，附加电路10能够生成与多个对方频带的无用信号反相的抵消信号。
另外，一般地，多个对方频带各自的中心频率像B12Tx以及B13Tx那样相距5％以上的情况较多，因此优选在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使多个电极指的平均间距相差5％以上。例如，在实施方式1中，相对于纵耦合型谐振器D1中的平均间距，使纵耦合型谐振器D2中的平均间距相差约5.8％。
此外，在实施方式1中，如表1以及表2所示，通过在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使输入端子101侧的IDT电极120的多个电极指的根数相互不同，并在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使输出端子102侧的IDT电极130的多个电极指的根数相互不同，从而能够调整与无用信号反相的频带宽度。具体地，可知，遍及B12Tx的频带宽度(699～716MHz)而相位差处于180度附近，此外，遍及B13Tx的频带宽度(777～787MHz)而相位差处于180度附近。
图6是示出比较例1以及2涉及的附加电路单体以及滤波器100单体的相位特性的曲线图。用虚线示出比较例1涉及的附加电路单体的相位特性，用点线示出比较例2涉及的附加电路20单体的相位特性，用单点划线示出滤波器100单体的相位特性。
对于比较例1以及2涉及的滤波器装置，也设为应对将三个滤波器公共连接并同时收发与三个滤波器分别对应的多个频带的信号的CA的多工器中包含的滤波器。与三个滤波器分别对应的多个频带例如是LTE的B26Rx、B12Tx以及B13Tx。将比较例1以及2涉及的滤波器装置的通带设为B26Rx，将与比较例1以及2涉及的滤波器装置公共连接的其他滤波器的通带(即对方频带)设为B12Tx以及B13Tx。
在图6中，用粗实线包围的部分是与B12Tx以及B13Tx对应的频带。可知，关于比较例1以及2，在B12Tx以及B13Tx这两者中，附加电路单体和滤波器100单体的相位差处于180度附近的频带比实施方式1少。也就是说，可知，在比较例1以及2中，附加电路难以生成与多个对方频带(B12Tx以及B13Tx)中的无用信号反相的抵消信号。
在比较例1中，如表3所示，在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中多个电极指的平均间距相同，因此多个谐振模式的谐振频率也变得相同，在B12Tx以及B13Tx这两者中将附加电路单体和滤波器100单体的相位差设为180度附近变得困难。在比较例2中，附加电路20只具有一个纵耦合型谐振器，此外，纵耦合型谐振器D1不如后述的实施方式2那样具有多个IDT电极120以及多个IDT电极130，因此无法产生谐振频率不同的多个谐振模式。因此，关于比较例2，在B12Tx以及B13Tx这两者中将附加电路20单体和滤波器100单体的相位差设为180度附近也变得困难。
接着，关于通过生成与多个对方频带(在此为B12Tx以及B13Tx)的无用信号反相的抵消信号来抵消无用信号从而起到的效果，利用图7以及表5，与比较例1以及2进行比较来说明。
图7是对实施方式1、比较例1以及比较例2涉及的滤波器装置的衰减特性进行了比较的曲线图。用实线示出实施方式1涉及的滤波器装置1的衰减特性，用虚线示出比较例1涉及的滤波器装置的衰减特性，用点线示出比较例2涉及的滤波器装置2的衰减特性。表5是示出实施方式1、比较例1以及比较例2涉及的滤波器装置的B12Tx以及B13Tx中的衰减量的表。另外，在表5中，示出了B12Tx以及B13Tx各自中的衰减量的最小值。
[表5]
如图7所示，例如，设作为B12Tx(699～716MHz)以及B13Tx(777～787MHz)中的滤波器装置的衰减量而要求47dB以上。
如图7以及表5所示可知，在实施方式1中，B12Tx中的衰减量的最小值成为49.0dB，此外，B13Tx中的衰减量的最小值成为47.9dB，在B12Tx以及B13Tx中成为47dB以上。这是因为，如图5所示，附加电路10生成了与B12Tx以及B13Tx中的无用信号反相的抵消信号，B12Tx以及B13Tx中的无用信号被抵消。
进而，通过在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使输入端子101侧的IDT电极120的多个电极指的根数相互不同，并在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使输出端子102侧的IDT电极130的多个电极指的根数相互不同，从而调整为抵消信号的振幅与无用信号的振幅相同。另外，通过电容元件C1在宽频带中大幅调整了振幅后，对多个电极指的根数进行调整，从而调整为抵消信号的振幅与无用信号的振幅相同。像这样调整为抵消信号的振幅和无用信号的振幅相同也对在B12Tx以及B13Tx中增大衰减量做出贡献。这是因为，若抵消信号的振幅小于无用信号的振幅则抵消不完无用信号，此外，若抵消信号的振幅大于无用信号的振幅则虽然能够抵消无用信号但会残留抵消信号且抵消信号自身也有可能成为无用信号。
另一方面，如图7以及表5所示可知，在比较例1以及2中，B12Tx中的衰减量的最小值分别成为44.6dB、44.0dB，此外，B13Tx中的衰减量的最小值分别成为40.3dB、41.0dB，在B12Tx以及B13Tx中未成为47dB以上，与实施方式1相比衰减量不充分。这是因为，如图6所示，比较例1以及2涉及的附加电路未能针对B12Tx以及B13Tx中的无用信号充分生成成为反相的抵消信号，未能充分抵消B12Tx以及B13Tx中的无用信号。
像这样，通过在纵耦合型谐振器D1和纵耦合型谐振器D2中使多个电极指的平均间距相互不同，从而能够调整为多个谐振模式的谐振频率处于相互不同的频带，能够生成与多个对方频带的无用信号反相的抵消信号。由此，能够抵消多个对方频带的无用信号，即，能够在多个对方频带中改善衰减特性，因此能够实现能有效地改善衰减特性的滤波器装置1。
(实施方式2)
接着，利用图8至图12对实施方式2进行说明。
[滤波器装置的结构]
图8是示出实施方式2涉及的滤波器装置1a的一例的结构图。
实施方式2涉及的滤波器装置1a与实施方式1涉及的滤波器装置1的不同点在于，取代附加电路10而具备附加电路10a。关于其他方面，与实施方式1中的相同，因此省略说明，以下，以不同点为中心进行说明。
附加电路10a是在输入端子101与输出端子102之间与滤波器100并联连接的电路。附加电路10a与附加电路10相同地生成与泄漏到滤波器100的多个对方频带的无用信号反相的、用于抵消该无用信号的抵消信号。
附加电路10a作为用于生成抵消信号的结构，具有包含在弹性波传播方向上配置的多个IDT电极的IDT电极组。在本实施方式中，附加电路10a作为IDT电极组，具有纵耦合型谐振器D3。此外，附加电路10a作为设置在纵耦合型谐振器D3与输入端子101之间的一个电容元件、以及设置在纵耦合型谐振器D3与输出端子102之间的一个电容元件当中的至少一方，具有一个电容元件C1。另外，附加电路10a也可以在纵耦合型谐振器D3与输出端子102之间具有一个电容元件，还可以在纵耦合型谐振器D3与输入端子101之间以及纵耦合型谐振器D3与输出端子102之间这两者分别具有一个电容元件。或者，附加电路10a也可以不具有电容元件C1。另外，在本实施方式中，IDT电极组是利用弹性波的耦合来传递信号的纵耦合型谐振器，但不限于该例，也可以是利用弹性波的传播来传递信号的横向型滤波器。
纵耦合型谐振器D3是为了生成与多个对方频带的无用信号反相并且相同振幅的抵消信号而对输入到纵耦合型谐振器D3的信号的振幅以及相位进行调整的元件。在附加电路10a中，通过电容元件C1对输入到电容元件C1的信号的振幅遍及宽频带地大幅调整之后，为了抵消多个对方频带的无用信号，通过纵耦合型谐振器D3对输入到纵耦合型谐振器D3的信号的多个对方频带中的振幅以及相位进行调整。
[关于附加电路中的纵耦合型谐振器]
接着，利用图9、图10以及表6对附加电路10a中的纵耦合型谐振器D3进行说明。
图9是示意性地表示实施方式2涉及的纵耦合型谐振器D3的一例的俯视图。图10是示意性地表示实施方式2涉及的纵耦合型谐振器D3的另一例的俯视图。另外，图9以及图10示意性地表示纵耦合型谐振器D3，构成实施方式2中的纵耦合型谐振器D3的多个IDT电极的多个电极指的根数以及间距不限于图9以及图10所示的。
构成纵耦合型谐振器D3的多个IDT电极包含与输入端子101连接的至少两个第1IDT电极、和与输出端子102连接的至少两个第2IDT电极。在此，构成纵耦合型谐振器D3的多个IDT电极包含作为至少两个第1IDT电极的两个IDT电极120a以及120b、和作为至少两个第2IDT电极的两个IDT电极130a以及130b。另外，构成纵耦合型谐振器D3的多个IDT电极也可以包含作为至少两个第1IDT电极的三个以上的IDT电极、和作为至少两个第2IDT电极的三个以上的IDT电极。IDT电极120a以及120b的端子101a经由电容元件C1而与输入端子101连接，IDT电极130a以及130b的端子102a与输出端子102连接。
此外，还存在如下情况，即，如图9所示，构成纵耦合型谐振器D3的多个IDT电极包含反射器140，该反射器140设置为在弹性波的传播方向上夹着IDT电极120a、120b、130a以及130b。另外，在附加电路10a具有横向型滤波器作为IDT电极组的情况下，有时取代反射器140而设置吸音材料。
例如，在IDT电极130a以及120b分离地配置从而在传播方向上弹性波不耦合的情况下，IDT电极120a、120b、130a以及130b不构成一个纵耦合型谐振器D3，而是由IDT电极120a以及130a构成一个纵耦合型谐振器并由IDT电极120b以及130b构成另一个纵耦合型谐振器。
另外，也可以不将反射器140配置为由1组反射器140夹着纵耦合型谐振器D3中的全部IDT电极120a、120b、130a以及130b。例如，也可以如图10所示，1组反射器140被设置为在弹性波的传播方向上夹着IDT电极120a以及130a，1组反射器140被设置为在弹性波的传播方向上夹着IDT电极120b以及130b。在此情况下，虽然在IDT电极130a与120b间设置反射器140，但IDT电极130a以及120b以如弹性波在传播方向上经由反射器140而耦合这样的位置关系进行配置。像这样，即使在IDT电极130a与120b间设置有反射器140的情况下，也能够将纵耦合型谐振器D3视作一个纵耦合型谐振器。
如上所述，通过在滤波器100并联连接附加电路10a，从而能够抵消向滤波器100泄漏的多个对方频带的无用信号。这是因为在附加电路10a中能够产生多个谐振模式，具体地，这是因为通过对构成纵耦合型谐振器D3的多个IDT电极的电极参数进行调整，从而能够产生多个谐振模式。此时，对电极参数进行调整，使得多个谐振模式的谐振频率处于相互不同的频带。具体地，进行调整使得一个谐振模式的谐振频率处于一个对方频带的中心频率附近，并进行调整使得其他谐振模式的谐振频率处于与一个对方频带不同的对方频带的中心频率附近。由此，附加电路10a能够生成与多个对方频带中的无用信号反相并且相同振幅的抵消信号，能够抵消多个对方频带的无用信号。
接着，利用表6对用于抵消多个对方频带的无用信号的、构成纵耦合型谐振器D3的多个IDT电极的电极参数进行说明。表6是示出构成纵耦合型谐振器D3的多个IDT电极的电极参数的表。
[表6]
IDT电极120a的多个电极指的平均间距为2.2543μm，IDT电极120b的多个电极指的平均间距为2.3466μm，IDT电极120a以及120b各自的多个电极指的平均间距相互不同。IDT电极130a的多个电极指的平均间距为2.4423μm，IDT电极130b的多个电极指的平均间距为2.5730μm，IDT电极130a以及130b各自的多个电极指的平均间距相互不同。
通过在输入端子101侧的IDT电极120a以及120b彼此中使多个电极指的平均间距相互不同，并在输出端子102侧的IDT电极130a以及130b彼此中使多个电极指的平均间距相互不同，从而能够产生多个谐振模式。此时，通过调整多个电极指的平均间距从而能够调整谐振模式的谐振频率。也就是说，能够调整为多个谐振模式的谐振频率处于相互不同的频带，附加电路10a能够生成与多个对方频带的无用信号反相的抵消信号。
此外，IDT电极120a的多个电极指的根数是14根，IDT电极120b的多个电极指的根数是8根，IDT电极120a以及120b各自的多个电极指的根数相互不同。IDT电极130a的多个电极指的根数是14根，IDT电极130b的多个电极指的根数是10根，IDT电极130a以及130b各自的多个电极指的根数相互不同。
通过调整多个电极指的根数从而能够调整谐振模式的频带宽度。也就是说，通过使输入端子101侧的IDT电极120a以及120b的多个电极指的根数相互不同，并使输出端子102侧的IDT电极130a以及130b的多个电极指的根数相互不同，从而能够针对对方频带分别调整抵消信号中与无用信号反相的频带宽度，使得与对方频带的频带宽度一致。此外，通过对多个电极指的根数进行调整，从而能够针对对方频带分别调整抵消信号的振幅特性。这是因为，通过对输入端子101侧的IDT电极120a以及120b的多个电极指的根数进行调整，从而能够调整对振幅造成影响的输入阻抗，通过对输出端子102侧的IDT电极130a以及130b的多个电极指的根数进行调整，从而能够调整对振幅造成影响的输出阻抗。像这样，能够根据对方频带宽度对抵消信号中与无用信号反相的频带宽度进行调整，同时根据无用信号的振幅对抵消信号的该频带宽度中的振幅进行调整。由此，能够按照每个对方频带进行最佳的振幅调整、相位调整，能够提高无用信号的抵消效果。
[与比较例1以及2的比较]
关于通过如表6所示那样对构成纵耦合型谐振器D3的多个IDT电极的电极参数进行调整从而起到的效果，与比较例1以及2进行比较来说明。
首先，利用图11来说明实施方式2涉及的附加电路10a能够生成与多个对方频带的无用信号反相的抵消信号。
图11是示出实施方式2涉及的附加电路10a单体以及滤波器100单体的相位特性的曲线图。用实线示出实施方式2涉及的附加电路10a单体的相位特性，用单点划线示出滤波器100单体的相位特性。
例如，设滤波器装置1a是应对将三个滤波器公共连接并同时收发与三个滤波器分别对应的多个频带的信号的CA的多工器中包含的滤波器。与三个滤波器分别对应的多个频带例如是LTE的B26Rx(859～894MHz)、B12Tx(699～716MHz)以及B13Tx(777～787MHz)。例如，将滤波器装置1a(滤波器100)的通带设为B26Rx，将与滤波器装置1a公共连接的其他滤波器的通带(即对方频带)设为B12Tx以及B13Tx。在此情况下，若着眼于滤波器装置1a，则需要改善滤波器装置1a的与作为对方频带的B12Tx以及B13Tx对应的频带中的衰减特性，使得作为对方频带的B12Tx以及B13Tx的发送信号不泄漏到滤波器装置1a。因此，附加电路10a需要生成与多个对方频带(B12Tx以及B13Tx)的无用信号反相的抵消信号。
在图11中，用粗实线包围的部分是与B12Tx以及B13Tx对应的频带。如图11所示可知，在B12Tx以及B13Tx这两者中，附加电路10a单体和滤波器100单体的相位差处于180度附近。也就是说，可知附加电路10a能够生成与多个对方频带(B12Tx以及B13Tx)的无用信号反相的抵消信号。
在实施方式2中，如表6所示，通过在输入端子101侧的IDT电极120a以及120b彼此中使多个电极指的平均间距相互不同，并在输出端子102侧的IDT电极130a以及130b彼此中使多个电极指的平均间距相互不同，从而能够产生多个谐振模式，能够调整为多个谐振模式的谐振频率处于相互不同的频带。具体地，能够将多个谐振模式之中的一个谐振模式的谐振频率配置在B12Tx的大体中心频率，此外，能够将其他谐振模式的谐振频率配置在B13Tx的大体中心频率。因此，附加电路10a能够生成与多个对方频带的无用信号反相的抵消信号。
此外，在实施方式2中，如表6所示，通过在输入端子101侧的IDT电极120a以及120b彼此中使多个电极指的根数相互不同，并在输出端子102侧的IDT电极130a以及130b彼此中使多个电极指的根数相互不同，从而能够调整与无用信号反相的频带宽度。具体地，可知，遍及B12Tx的频带宽度(699～716MHz)而相位差处于180度附近，此外，遍及B13Tx的频带宽度(777～787MHz)而相位差处于180度附近。
接着，关于通过生成与多个对方频带(在此为B12Tx以及B13Tx)的无用信号反相的抵消信号来抵消无用信号从而起到的效果，利用图12以及表7，与比较例1以及2进行比较来说明。
图12是对实施方式2、比较例1以及比较例2涉及的滤波器装置的衰减特性进行了比较的曲线图。用实线示出实施方式2涉及的滤波器装置1a的衰减特性，用虚线示出比较例1涉及的滤波器装置的衰减特性，用点线示出比较例2涉及的滤波器装置2的衰减特性。表7是示出实施方式2、比较例1以及比较例2涉及的滤波器装置的B12Tx以及B13Tx中的衰减量的表。另外，在表7中，示出了B12Tx以及B13Tx各自中的衰减量的最小值。
[表7]
如图12所示，例如，设作为B12Tx(699～716MHz)以及B13Tx(777～787MHz)中的滤波器装置的衰减量而要求47dB以上。
如图12以及表7所示可知，在实施方式2中，B12Tx中的衰减量的最小值成为48.3dB，此外，B13Tx中的衰减量的最小值成为49.3dB，在B12Tx以及B13Tx中成为47dB以上。这是因为，如图11所示，附加电路10a生成了与B12Tx以及B13Tx中的无用信号反相的抵消信号，B12Tx以及B13Tx中的无用信号被抵消。
进而，通过在输入端子101侧的IDT电极120a以及120b彼此中使多个电极指的根数相互不同，并在输出端子102侧的IDT电极130a以及130b彼此中使多个电极指的根数相互不同，从而调整为抵消信号的振幅与无用信号的振幅相同。另外，通过电容元件C1在宽频带中大幅调整了振幅后，对多个电极指的根数进行调整，从而调整为抵消信号的振幅与无用信号的振幅相同。不过，在只是通过构成纵耦合型谐振器D3的各IDT电极的多个电极指的根数的调整就能调整为抵消信号的振幅与无用信号的振幅相同的情况下，电容元件C1变得不需要，因此在此情况下，附加电路10a也可以不具备电容元件C1。
像这样，与实施方式1相同地，调整为抵消信号的振幅和无用信号的振幅相同也对在B12Tx以及B13Tx中增大衰减量做出贡献。
另一方面，如在实施方式1中说明的那样可知，在比较例1以及2中，与实施方式2相比衰减量不充分。
像这样，通过在输入端子101侧的IDT电极120a以及120b彼此中使多个电极指的平均间距相互不同，并在输出端子102侧的IDT电极130a以及130b彼此中使多个电极指的平均间距相互不同，从而能够调整为多个谐振模式的谐振频率处于相互不同的频带，能够生成与多个对方频带的无用信号反相的抵消信号。由此，能够抵消多个对方频带的无用信号，即，能够在多个对方频带中改善衰减特性，因此能够实现能有效地改善衰减特性的滤波器装置1a。
(实施方式3)
实施方式1以及2涉及的滤波器装置能够应用于多工器。因此，在本实施方式中，对这样的多工器进行说明。在实施方式3中，例如对具备实施方式1涉及的滤波器装置1的多工器进行说明。
图13是示出实施方式3涉及的多工器400的一例的结构图。在图13中还图示了与多工器400的公共端子103连接的天线元件ANT。天线元件ANT是对高频信号进行收发的例如遵循LTE等通信标准的应对多频带的天线。
多工器400具备包含滤波器装置1在内的多个滤波器，多个滤波器的输入端子或输出端子与公共端子103连接。多个滤波器包括包含滤波器装置1、第2滤波器200以及第3滤波器300在内的至少三个滤波器。在本实施方式中，多工器400是作为多个滤波器而包含滤波器装置1、第2滤波器200以及第3滤波器300这三个滤波器的三工器。在本实施方式中，多个滤波器各自的输入端子与公共端子103公共连接，但也可以多个滤波器各自的输出端子与公共端子103公共连接。
公共端子103公共地设置于滤波器装置1、第2滤波器200以及第3滤波器300。公共端子103与天线元件ANT连接。也就是说，公共端子103也是多工器400的天线端子。
滤波器装置1的输出端子102、第2滤波器200的输出端子104以及第3滤波器300的输出端子105经由开关IC或放大电路等而与RF信号处理电路连接。
滤波器装置1中的附加电路10对应于两个频带。第2滤波器200的通带和两个频带之中的一个频带至少一部分重复，第3滤波器300的通带和两个频带之中的另一个频带至少一部分重复。例如，滤波器装置1中的滤波器100是将859MHz至894MHz(B26Rx)包含在通带中的滤波器，第2滤波器200是将699MHz至716MHz(B12Tx)包含在通带中的滤波器，第3滤波器300是将777MHz至787MHz(B13Tx)包含在通带中的滤波器。附加电路10作为两个频带例如对应于B12Tx以及B13Tx，生成用于抵消B12Tx以及B13Tx的无用信号的抵消信号。
由此，能够抵消从第2滤波器200以及第3滤波器300向滤波器装置1泄漏的B12Tx以及B13Tx的无用信号，能够改善滤波器装置1的B12Tx以及B13Tx中的衰减特性。因此，能够提高滤波器装置1与第2滤波器200以及第3滤波器300之间的隔离度特性。
另外，多工器400具备实施方式1涉及的滤波器装置1，但也可以取代滤波器装置1而具备实施方式2涉及的滤波器装置1a。
此外，多工器400作为多个滤波器而包含三个滤波器，但也可以包含四个以上的滤波器。即使在多工器400中被公共连接的滤波器的数量增加，根据本发明也能够提高各滤波器间的隔离度特性。
例如在附加电路10中，只要将相互并联连接的纵耦合型谐振器的数量增加到三个以上，并使分别构成相互并联连接的纵耦合型谐振器的多个IDT电极的多个电极指的平均间距相互不同，则能够提高各滤波器间的隔离度特性。
此外，例如在附加电路10a中，只要将输入端子101侧的IDT电极的数量和输出端子102侧的IDT电极的数量分别增加到三个以上，并使输入端子101侧的IDT电极各自的多个电极指的平均间距相互不同，使输出端子102侧的IDT电极各自的多个电极指的平均间距相互不同，则能够提高各滤波器间的隔离度特性。
(其他实施方式)
以上，对本发明的实施方式涉及的滤波器装置以及多工器进行了说明，但关于本发明，将上述实施方式中的任意的构成要素组合而实现的另外的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了本发明涉及的滤波器装置以及多工器的各种设备也包含于本发明。
例如，在上述实施方式1中，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极120的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极120的多个电极指的根数相互不同，但也可以相同。同样地，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极130的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极130的多个电极指的根数相互不同，但也可以相同。
此外，例如，在上述实施方式1中，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极120的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极120的多个电极指的平均间距相互不同，但也可以相同。同样地，纵耦合型谐振器D1中的IDT电极130的多个电极指和纵耦合型谐振器D2中的IDT电极130的多个电极指的平均间距相互不同，但也可以相同。不过，构成纵耦合型谐振器D1的多个IDT电极的多个电极指和构成纵耦合型谐振器D2的多个IDT电极的多个电极指的整体的平均间距需要相互不同。
此外，例如，在上述实施方式2中，IDT电极120a以及120b各自的多个电极指的根数相互不同，但也可以相同。同样地，IDT电极130a以及130b各自的多个电极指的根数相互不同，但也可以相同。
产业上的可利用性
本发明作为能够应用于多频段系统的滤波器装置以及多工器，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1a、2 滤波器装置；
10、10a、20 附加电路；
11a、11b 梳齿状电极；
50 压电基板；
51 密接层；
52 主电极层；
53 保护层；
100 滤波器(第1滤波器)；
101 输入端子；
101a、102a 端子；
102、104、105 输出端子；
103 公共端子；
110a、110b 电极指；
111a、111b 汇流条电极；
120、120a、120b IDT电极(第1IDT电极)；
130、130a、130b IDT电极(第2IDT电极)；
140 反射器；
200 第2滤波器；
300 第3滤波器；
400 多工器；
401 谐振器；
C1 电容元件；
D1 纵耦合型谐振器(第1IDT电极组)；
D2 纵耦合型谐振器(第2IDT电极组)；
D3 纵耦合型谐振器(IDT电极组)；
D10、D20 纵耦合型谐振器；
P1、P2 并联臂谐振器；
S1、S2 串联臂谐振器。
Claims (12)
1.一种滤波器装置，具备：
第1滤波器，设置在输入端子与输出端子之间；和
附加电路，在所述输入端子与所述输出端子之间与所述第1滤波器并联连接，
所述附加电路具有：
至少两个IDT电极组，相互并联连接，且包含第1IDT电极组以及第2IDT电极组；和
设置在所述至少两个IDT电极组与所述输入端子之间的一个电容元件以及设置在所述至少两个IDT电极组与所述输出端子之间的一个电容元件当中的至少一方，
所述至少两个IDT电极组分别包含在弹性波传播方向上配置的多个IDT电极即叉指换能器电极，
构成所述第1IDT电极组的IDT电极的多个电极指和构成所述第2IDT电极组的IDT电极的多个电极指的平均间距相互不同。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
构成所述第1IDT电极组的IDT电极以及构成所述第2IDT电极组的IDT电极分别包含与所述输入端子连接的至少一个第1IDT电极和与所述输出端子连接的至少一个第2IDT电极，
所述第1IDT电极组中的所述至少一个第1IDT电极的多个电极指和所述第2IDT电极组中的所述至少一个第1IDT电极的多个电极指的根数相互不同，
所述第1IDT电极组中的所述至少一个第2IDT电极的多个电极指和所述第2IDT电极组中的所述至少一个第2IDT电极的多个电极指的根数相互不同。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，
构成所述第1IDT电极组的IDT电极以及构成所述第2IDT电极组的IDT电极分别包含与所述输入端子连接的至少一个第1IDT电极和与所述输出端子连接的至少一个第2IDT电极，
所述第1IDT电极组中的所述至少一个第1IDT电极的多个电极指和所述第2IDT电极组中的所述至少一个第1IDT电极的多个电极指的平均间距相互不同，
所述第1IDT电极组中的所述至少一个第2IDT电极的多个电极指和所述第2IDT电极组中的所述至少一个第2IDT电极的多个电极指的平均间距相互不同。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的滤波器装置，其中，
构成所述第1IDT电极组的IDT电极的多个电极指和构成所述第2IDT电极组的IDT电极的多个电极指的交叉宽度相互不同。
5.一种滤波器装置，具备：
第1滤波器，设置在输入端子与输出端子之间；和
附加电路，在所述输入端子与所述输出端子之间与所述第1滤波器并联连接，
所述附加电路具有包含在弹性波传播方向上配置的多个IDT电极的IDT电极组，
构成所述IDT电极组的所述多个IDT电极包含与所述输入端子连接的至少两个第1IDT电极和与所述输出端子连接的至少两个第2IDT电极，
所述至少两个第1IDT电极各自的多个电极指的平均间距相互不同，
所述至少两个第2IDT电极各自的多个电极指的平均间距相互不同。
6.根据权利要求5所述的滤波器装置，其中，
所述至少两个第1IDT电极各自的多个电极指的根数相互不同，
所述至少两个第2IDT电极各自的多个电极指的根数相互不同。
7.根据权利要求5或6所述的滤波器装置，其中，
所述附加电路还具有设置在所述IDT电极组与所述输入端子之间的一个电容元件以及设置在所述IDT电极组与所述输出端子之间的一个电容元件当中的至少一方。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第1滤波器是声表面波滤波器。
9.一种多工器，具备包含权利要求1～8中任一项所述的滤波器装置在内的多个滤波器，
所述多个滤波器的输入端子或输出端子与公共端子连接。
10.根据权利要求9所述的多工器，其中，
所述多个滤波器包括包含所述滤波器装置、第2滤波器以及第3滤波器在内的至少三个滤波器。
11.根据权利要求10所述的多工器，其中，
所述滤波器装置中的所述附加电路对应于两个频带，
所述第2滤波器的通带和所述两个频带之中的一个频带至少一部分重复，
所述第3滤波器的通带和所述两个频带之中的另一个频带至少一部分重复。
12.根据权利要求10或11所述的多工器，其中，
所述第1滤波器是将859MHz至894MHz包含在通带中的滤波器，
所述第2滤波器是将699MHz至716MHz包含在通带中的滤波器，
所述第3滤波器是将777MHz至787MHz包含在通带中的滤波器。
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