JP4381953B2 - 表面弾性波デバイス - Google Patents
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異なる周波数特性を有するトランスバーサルフィルタを組み合わせることにより、デバイス動作時にその伝搬特性を変化させることが可能である可変フィルタが実現されている。
図7において、7−3a、7−4aは伝搬層7−1表面に形成され、相互に等しい電極長・電極間隔を有する櫛形電極からなる入力電極および出力電極であり、これらによって伝搬領域7−5aを有するトランスバーサルフィルタ7−7aが構成される。同様に、トランスバーサルフィルタ7−7b〜7−7eが櫛形電極7−3b〜7−3eおよび7−4b〜7−4e、伝搬領域7−5b〜7−5eを伴って伝搬層7−1表面に形成される。各トランスバーサルフィルタは、それぞれの櫛形電極の電極長および電極間隔が相互に異なっており、したがって異なる中心周波数を有している。
Suk-Hun Lee,Hwan-Hee Jeong,Sung-Bum Bae,Hyun-Chul Choi,Member,IEEE,andYong-Hyun Lee,Member,IEEE:「EpitaxiallyGrown GaN Thin-FilmSAW Filter with High Velocity and Low Insertion Loss」、IEEE Transaction on Elctoron Devices vol.48 no.3,pp.524-529 「弾性表面波工学」(電子情報通信学会編、柴山乾夫監修、ISBN4−88552−048−7)「II.応用編 第4章 信号処理への応用 4.3可変フィルタ」
請求項1に記載のように、少なくとも、基板と、圧電性を有する半導体材料からなる伝搬層と、当該伝搬層表面に局所的に形成された一組ないしそれ以上の櫛形電極と、前記伝搬層表面に局所的に形成されたゲート電極からなり、
前記ゲート電極が、櫛形電極から放射され伝搬層を伝搬する表面弾性波の伝搬領域の外部に形成され、
前記伝搬層をメサエッチングすることにより形成されたメサ構造表面に、前記櫛形電極および前記ゲート電極を形成してなる表面弾性波デバイスとするものである。
以下に、参考例の説明に続き、本発明を実施するための最良の形態として、実施例1および2を挙げ、図面を用いてさらに詳細に説明する。
図1は本発明に係る参考例で例示するSAWデバイスの構成を示す模式図(上面図および断面図)である。図1(a)は上面図を示し、図1(b)は図1(a)のA−A′断面図である。
図1において、1−0はサファイア(0001)基板、1−1は、例えばMOCVD法もしくはMBE法により形成される(0001)方向に配向する不純物を積極的に含まない、例えば厚さ2μmのGaNからなる伝搬層、1−3および1−4は所定の電極長l(例えば2μm)、電極間隔s(例えば2μm)、電極幅(例えば500μm)、対数(例えば50)を有し、所定の間隔(例えば5mm)をおいて対向する位置に配置される厚さ100nmのアルミニウムからなる櫛形電極である。図1において、1−5はSAWの伝搬領域、1−6は伝搬領域の外部に櫛形電極と同時に形成される厚さ100nmアルミニウムからなるゲート電極である。
本参考例においては、図2(a)のエネルギーバンド構造図に示すように、ゲート電極1−6に正のバイアス電圧を印加する場合、そのバイアス電圧は櫛形電極を構成するショットキ障壁に対して逆バイアスとして作用するので、櫛形電極直下の伝搬層における空乏層厚が大きくなり残留キャリア(電子)濃度が減少する。高いバイアス電圧ほど減少量は大きい。
なお、本参考例においては電極長2μm、電極間隔2μmの櫛形電極によって構成されるSAWデバイスについての効果を説明したが、従来構造を有するトランスバーサルフィルタについて説明したことから明らかなように、この効果は櫛形電極の特定の形状に限定されるものではない。
これらの変更により周波数特性の変化を制限する要因である寄生抵抗が減少し、周波数特性の高速変化が実現される。
図3は本発明に係る第1の実施形態を示す説明図である。図3は本発明に係る第1の実施例として例示するSAWデバイスの構成を示す模式図(上面図および断面図)である。図3(a)は上面図、図3(b)は、図3(a)のA−A′断面図である。
図3において、3−0はサファイア(0001)基板、3−1は例えばMOCVD法もしくはMBE法により形成される(0001)方向に配向する不純物を積極的に含まない、例えば厚さ2μmのGaNからなる伝搬層、3−2は上記伝搬層を局所的にサファイア基板に達するまでメサエッチングを行うことにより形成されるメサ構造、3−3および3−4は所定の電極長(例えば2μm)、電極間隔(例えば2μm)、電極幅(例えば500μm)、対数(例えば50)を有し、所定の間隔(例えば5mm)をおいて対向する位置に配置される厚さ100nmのアルミニウムからなる櫛形電極である。3−5は、SAWの伝搬領域、3−6は伝搬領域の外部に形成される厚さ100nmアルミニウムからなるゲート電極である。
本実施例1においては、不純物を積極的に含まないGaNからなる伝搬層を局所的にメサエッチングすることにより形成されるメサ構造表面に櫛形電極およびゲート電極が形成されている。ゲート電極にバイアス電圧を印加することにより生ずる効果は、電気伝導性を有する伝搬層を介してのみ櫛形電極に効果を及ぼすのであるから、その効果はメサエッチングにより形成されている伝搬層内部に限られる。すなわち、本実施例1においては、SAWデバイス外部にバイアス電圧印加の影響を及ぼすことなく、伝搬特性の変化が実現される。
また、基板表面に達するまでメサエッチングを行う場合について発明の効果を説明しているが、メサエッチングの目的が伝搬層の電気的な絶縁性を確保することにあるので、メサエッチング後に残留するGaN層が完全に空乏化する限りにおいて、エッチング後の最表面をGaNとするという変更も可能である。
図4は本発明に係る第2の実施例としてSAWデバイスの構成を示す説明図であり、そのデバイスの上面図を示す。図4において、4−0はサファイア(0001)基板、4−2a〜4−2gは、例えばMOCVD法もしくはMBE法により形成される(0001)方向に配向する不純物を積極的に含まない、例えば厚さ2μmのGaNからなる伝搬層を、該伝搬層を局所的にサファイア基板に達するまでメサエッチングを行うことにより形成されるメサ構造、4−7a〜4−7eは、各メサ構造表面に、所定の電極長、電極間隔、電極幅、対数を有し、所定の間隔をおいて対向する位置に配置される厚さ100nmのアルミニウムからなる櫛形電極(4−3a〜4−3eおよび4−4a〜4−4e)、およびSAWの伝搬領域(4−5a〜4−5e)の外部に厚さ100nmアルミニウムからなるゲート電極(4−6a〜4−6e)を形成することにより実現されるトランスバーサルフィルタである。各トランスバーサルフィルタは、それぞれの櫛形電極の電極長および電極間隔が相互に異なっており、したがって、異なる中心周波数を有している。
本実施例2においては、各トランスバーサルフィルタはメサ構造によって分離されているのであるから、ゲート電極にバイアス電圧を印加することの効果は同ゲート電極と同一のメサ構造内に限定される。したがって、各ゲート電極に所定のバイアス電圧を印加することにより、各トランスバーサルフィルタの伝搬特性が個別に制御され、可変フィルタとしての動作が実現される。
1−1、3−1、4−1、5−1、7−1…伝搬層
3−2、4−2a〜4−2e…メサ構造
1−3、1−4、3−3、3−4…櫛型電極
4−3a〜4−3e、4−4a〜4−4e…櫛型電極
5−3、5−4、7−3a〜7−3e、7−4a〜7−4e…櫛型電極
1−5、3−5、4−5a〜4−5e…SAW伝搬領域
5−5、7−5a〜7−5e…SAW伝搬領域、
1−6、3−6、4−6a〜4−6e…ゲート電極
4−7a〜4−7e、7−7a〜7−7e…トランスバーサルフィルタ
7−8a〜7−8e…制御回路
Claims (4)
- 少なくとも、基板と、圧電性を有する半導体材料からなる伝搬層と、当該伝搬層表面に局所的に形成された一組ないしそれ以上の櫛形電極と、前記伝搬層表面に局所的に形成されたゲート電極からなり、
前記ゲート電極が、櫛形電極から放射され伝搬層を伝搬する表面弾性波の伝搬領域の外部に形成され、
前記伝搬層をメサエッチングすることにより形成されたメサ構造表面に、前記櫛形電極および前記ゲート電極を形成してなることを特徴とする表面弾性波デバイス。 - 同一基板上に、前記請求項1に記載の表面弾性波デバイスを複数個形成してなり、前記表面弾性波デバイスに並列接続により信号を入出力する手段と、前記各表面弾性波デバイスのゲート電極に独立にバイアス電圧を印加する手段を有し、可変フィルタとすることを特徴とする表面弾性波デバイス。
- 請求項1または2に記載の表面弾性波デバイスにおいて、前記基板が(0001)サファイア基板からなり、前記伝搬層が(0001)方向に配向する不純物を積極的に含まない窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ホウ素、それらの混晶、それらを積層してなる層、のいずれかからなることを特徴とする表面弾性波デバイス。
- 請求項1または2に記載の表面弾性波デバイスにおいて、前記基板が(0001)SiC基板からなり、前記伝搬層が(0001)方向に配向する不純物を積極的に含まない窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ホウ素、それらの混晶、それらを積層してなる層、のいずれかからなることを特徴とする表面弾性波デバイス。
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