JPH0470110A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH0470110A JPH0470110A JP2183631A JP18363190A JPH0470110A JP H0470110 A JPH0470110 A JP H0470110A JP 2183631 A JP2183631 A JP 2183631A JP 18363190 A JP18363190 A JP 18363190A JP H0470110 A JPH0470110 A JP H0470110A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
- H03H9/02976—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties with semiconductor devices
Landscapes
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野コ
本発明は、入力信号のスペクトラム強度を検出する機能
を付加した狭帯域干渉信号除去用弾性表面波装置に係り
、特にその検出部での検出信号の強度を大きくできるよ
うにした改良に関する。
を付加した狭帯域干渉信号除去用弾性表面波装置に係り
、特にその検出部での検出信号の強度を大きくできるよ
うにした改良に関する。
Ｅ発明の概栗コ
狭帯域干渉信号除去用弾性表面波装置において、圧電膜
上の出力トランスデューサと反対側に金属ストリップア
レイ群を設け、この金属ストリップアレイ群にダイオー
ドアレイ群を接続することにより検出感度を大幅に改善
したものである。
上の出力トランスデューサと反対側に金属ストリップア
レイ群を設け、この金属ストリップアレイ群にダイオー
ドアレイ群を接続することにより検出感度を大幅に改善
したものである。
［従来の技術］
広帯域の周波数領域を使うスペクトラム拡散通信方式で
の問題点の１つに、高レベルの狭ＩＰＦ域干渉によって
通信不能、或いは誤り率が高くなるという問題がある。
の問題点の１つに、高レベルの狭ＩＰＦ域干渉によって
通信不能、或いは誤り率が高くなるという問題がある。
この１１１題を解決するために弾性表面波（ＳＡＷ）を
用いたフィルタが提案されている。
用いたフィルタが提案されている。
例えば１本発明者はスペクトラム拡散通信方式で有用な
狭帯域干渉抑圧の適応システムの高性能化を図るため、
特願平１−２６７５０３号並びに特願平２−５９０３号
において、第７図、第８図及び第９図に示す弾性表面波
装置を提案している。
狭帯域干渉抑圧の適応システムの高性能化を図るため、
特願平１−２６７５０３号並びに特願平２−５９０３号
において、第７図、第８図及び第９図に示す弾性表面波
装置を提案している。
同図において、１はｐ０型Ｓ１単結晶基板、２はｐ型Ｓ
１エピタキシャル層、３は熱酸化層、４はＺｎＯ圧電腹
、５，６．７は金属電極で、夫々入力トランスデューサ
、出力トランスデューサ、ゲート電極である。８は入力
トランスデューサ及び出力トランスデューサ下のエピタ
キシャル層２内に形成されたｐ“高濃度不純物拡散ｗ４
域、９はゲート電極下のエピタキシャル層内に形成され
たＩ−Ｉ”不純物拡散領域、１ｏは入力トランスデュー
サ５の外側のエビ企キシャル層２内に形成されたｎ”不
純物拡散領域、７′はｎ゛不純物拡散領域に対応して圧
電膜上に形成されたゲート電極であり、前記ｎ３不純物
拡散領域９によりＳＡＷ伝播路に沿って第１のＰＮダイ
オードアレイが形成され、またｎ＋不純物拡散領域１０
によりＳＡＷ伝播路に沿って第２のＰＮダイオードアレ
イが形成されている。上記の構成が数チャンネル形成さ
れる。
１エピタキシャル層、３は熱酸化層、４はＺｎＯ圧電腹
、５，６．７は金属電極で、夫々入力トランスデューサ
、出力トランスデューサ、ゲート電極である。８は入力
トランスデューサ及び出力トランスデューサ下のエピタ
キシャル層２内に形成されたｐ“高濃度不純物拡散ｗ４
域、９はゲート電極下のエピタキシャル層内に形成され
たＩ−Ｉ”不純物拡散領域、１ｏは入力トランスデュー
サ５の外側のエビ企キシャル層２内に形成されたｎ”不
純物拡散領域、７′はｎ゛不純物拡散領域に対応して圧
電膜上に形成されたゲート電極であり、前記ｎ３不純物
拡散領域９によりＳＡＷ伝播路に沿って第１のＰＮダイ
オードアレイが形成され、またｎ＋不純物拡散領域１０
によりＳＡＷ伝播路に沿って第２のＰＮダイオードアレ
イが形成されている。上記の構成が数チャンネル形成さ
れる。
１１は両ＰＮダイオードアレイ９．１０に接続された抵
抗、１２はＤＣ＠源、１３は入力信号がＳＡＷに変換さ
れ、第２のＰＮダイオードアレイで検波された電圧信号
モニタ一端子であり、そのチャンネル（周波数範囲）内
の入力信号の強度（電力）が電圧変化として観測される
端子である。１４は第１のＰＮダイオードアレイのバイ
アス制獅端子である。
抗、１２はＤＣ＠源、１３は入力信号がＳＡＷに変換さ
れ、第２のＰＮダイオードアレイで検波された電圧信号
モニタ一端子であり、そのチャンネル（周波数範囲）内
の入力信号の強度（電力）が電圧変化として観測される
端子である。１４は第１のＰＮダイオードアレイのバイ
アス制獅端子である。
［発明が解決しようとする課１！］
上記先願の特願平１−２６７５０３号は、従来の素子の
構成に入力信号のスペクトラム強度をモニターする機能
を付加したものである。この先願の構成では入出力トラ
ンスデューサ間からなるフィルタ部はＳＡＷの伝播損失
の可変幅を大きくするためエピタキシャル層は厚くする
必要がある。
構成に入力信号のスペクトラム強度をモニターする機能
を付加したものである。この先願の構成では入出力トラ
ンスデューサ間からなるフィルタ部はＳＡＷの伝播損失
の可変幅を大きくするためエピタキシャル層は厚くする
必要がある。
しかしエピタキシャル層が厚いと検出部での伝播損失が
大きくなり検出信号の強度が小さくなると言った欠点が
ある。この問題点を解決するため、本発明者は第９図に
示したように、エピタキシャル層の厚みをフィルタ部を
厚く、検出部を薄くすると言った構成を提案している０
本構成によりフィルタ特性に影響を与えず検出感度は大
幅に改善された。しかしながら、Ｓｉ中のキャリアとＳ
ＡＷのポテンシャルとの相互作用である電気音響（ＡＥ
）効果によるＳＡＷの伝播損失は完全に無くなったわけ
ではなく、検出感度の劣化は無視できないので、未だ改
良の余地がある。
大きくなり検出信号の強度が小さくなると言った欠点が
ある。この問題点を解決するため、本発明者は第９図に
示したように、エピタキシャル層の厚みをフィルタ部を
厚く、検出部を薄くすると言った構成を提案している０
本構成によりフィルタ特性に影響を与えず検出感度は大
幅に改善された。しかしながら、Ｓｉ中のキャリアとＳ
ＡＷのポテンシャルとの相互作用である電気音響（ＡＥ
）効果によるＳＡＷの伝播損失は完全に無くなったわけ
ではなく、検出感度の劣化は無視できないので、未だ改
良の余地がある。
［発明の目的コ
本発明は、スペクトラム拡散通信方式等で有用な狭帯域
干渉抑圧の適応システムの高性能化とあいまって、その
フィルタ部の特性を変えること無く、検出感度を大きく
改善することのできる弾性表面波装置を提供することを
目的としているものである。
干渉抑圧の適応システムの高性能化とあいまって、その
フィルタ部の特性を変えること無く、検出感度を大きく
改善することのできる弾性表面波装置を提供することを
目的としているものである。
［課題を解決するための手段］
本発明による弾性表面波装置は上記［的を達成するため
、第１導電型高濃度不純物シリコン基板、第１導電型シ
リコンエピタキシャル層、絶ａｇ、及び圧電膜から成る
積層体と、前記圧電膜上に形成され、入カイま号を周波
数分類して複数の伝播路に弾性表面波を発生せしめる入
力トランスデューサと、上記圧電膜上に形成され、各伝
播路を伝播する弾性表面波から圧力信号を得る出力トラ
ンスデューサと、上記出力と入力トランスデューサに挾
まれた各伝播路に対応する上記圧電膜上に形成されたゲ
ート電極群と、上記第１導電型シリコンエピタキシャル
層表面側であって、各入出力トランスデューサに挾まれ
た区域に夫々形成されたＰＮダイオードアレイ群と、上
記圧電膜表面の入力トランスデューサに対して上記出力
トランスデューサと反対側に夫々設けられた金属ストリ
ップアレイ群と、上記金属ストリップアレイ群に夫々接
続され、上記シリコンエピタキシャル層表面に設けられ
たダイオードアレイ群と、を備えたことを要旨とする。
、第１導電型高濃度不純物シリコン基板、第１導電型シ
リコンエピタキシャル層、絶ａｇ、及び圧電膜から成る
積層体と、前記圧電膜上に形成され、入カイま号を周波
数分類して複数の伝播路に弾性表面波を発生せしめる入
力トランスデューサと、上記圧電膜上に形成され、各伝
播路を伝播する弾性表面波から圧力信号を得る出力トラ
ンスデューサと、上記出力と入力トランスデューサに挾
まれた各伝播路に対応する上記圧電膜上に形成されたゲ
ート電極群と、上記第１導電型シリコンエピタキシャル
層表面側であって、各入出力トランスデューサに挾まれ
た区域に夫々形成されたＰＮダイオードアレイ群と、上
記圧電膜表面の入力トランスデューサに対して上記出力
トランスデューサと反対側に夫々設けられた金属ストリ
ップアレイ群と、上記金属ストリップアレイ群に夫々接
続され、上記シリコンエピタキシャル層表面に設けられ
たダイオードアレイ群と、を備えたことを要旨とする。
［作用］
ＳＡＷが金属ストリップアレイ群上を伝播すると、各金
属ストリップ電位は高周波（ＲＦ）的に変動し、その高
周波電位はダイオードアレイ群によりＤＣ電圧としてと
り出され検出信号となる。
属ストリップ電位は高周波（ＲＦ）的に変動し、その高
周波電位はダイオードアレイ群によりＤＣ電圧としてと
り出され検出信号となる。
［実施例］
以下図面に示す実施例を参照して本発明を説明する。第
１．２．３図は本発明による狭帯域干渉信号の除去装置
のある１つの中心周波数をもつ１チャンネル分のＳＡＷ
素子の一実施例の構成を示している。
１．２．３図は本発明による狭帯域干渉信号の除去装置
のある１つの中心周波数をもつ１チャンネル分のＳＡＷ
素子の一実施例の構成を示している。
同図において、ｌはｐ９型Ｓｉ単結晶基板、２はｐ型Ｓ
ｉエピタキシャル層、３は熱酸化層、４はＺｎＯ圧電族
、５，６．７は金属電極で、夫々入力トランスデューサ
、出力トランスデューサ、ゲート電極である。８は入力
トランスデューサ及び出力トランスデューサ下のエピタ
キシャル層２内に形成されたｐ９高濃度不純物拡散ψ域
、９はゲート電極下のエピタキシャル層２内に形成され
たｎ９不純物拡散領域である。１６．１７は入力トラン
スデューサ５の外側のＺｎＯ圧電膜４の表面に設けられ
た金属ストリップアレイ、並びにストリップ状の接地電
極である。入力トランスデューサ５下のｐ０高濃度不純
物拡散領域８は上記金属ストリップアレイ１６．１７下
まで伸びている。
ｉエピタキシャル層、３は熱酸化層、４はＺｎＯ圧電族
、５，６．７は金属電極で、夫々入力トランスデューサ
、出力トランスデューサ、ゲート電極である。８は入力
トランスデューサ及び出力トランスデューサ下のエピタ
キシャル層２内に形成されたｐ９高濃度不純物拡散ψ域
、９はゲート電極下のエピタキシャル層２内に形成され
たｎ９不純物拡散領域である。１６．１７は入力トラン
スデューサ５の外側のＺｎＯ圧電膜４の表面に設けられ
た金属ストリップアレイ、並びにストリップ状の接地電
極である。入力トランスデューサ５下のｐ０高濃度不純
物拡散領域８は上記金属ストリップアレイ１６．１７下
まで伸びている。
１８はＺｎＯ圧電族４の表面に設けられた金属ストリッ
プアレイ１６に夫々接続され伝播路外のｐ型Ｓｉエピタ
キシャル層２表面に形成されたショットキーダイオード
アレイである。
プアレイ１６に夫々接続され伝播路外のｐ型Ｓｉエピタ
キシャル層２表面に形成されたショットキーダイオード
アレイである。
豹記ｎ０不純物拡散領域９によりＳＡＷ伝播路に沿って
ＰＮダイオードアレイが形成されている。
ＰＮダイオードアレイが形成されている。
１１はＰＮダイオードアレイ９、ショットキーダイオー
ドアレイ１８に接続された抵抗、１３は入力信号ＳＡＷ
に変換され、ショットキーダイオードアレイで検波され
た電圧信号モニタ一端子であり、そのチャンネル（周波
数範囲）内の入力信号の強度（電力）が電圧変化として
観測される端子である。１４はＰＮダイオードアレイの
バイアス制御端子である。
ドアレイ１８に接続された抵抗、１３は入力信号ＳＡＷ
に変換され、ショットキーダイオードアレイで検波され
た電圧信号モニタ一端子であり、そのチャンネル（周波
数範囲）内の入力信号の強度（電力）が電圧変化として
観測される端子である。１４はＰＮダイオードアレイの
バイアス制御端子である。
第３図にショットキーダイオードによるＳＡＷ検出部の
詳細が示されている。同図で、１９はｐ型シリコンエピ
タキシャル層２内に形成されたｎウェル（ｎ型の不純物
が拡散された領域）、２０はｎ９拡散領域、２１はショ
ットキー電極、２２はオーミック電極である。上記の構
成でエピタキシャル層２の表面にショットキーダイオー
ドが形成される。ＺｎＯ圧電膜はティパー状にエツチン
グ加工され、金属ストリップがショットキー電極と接続
されている。ＺｎＯ圧電族のティパーエツチングは酢酸
をエツチング液として用いることで容品に実現できる。
詳細が示されている。同図で、１９はｐ型シリコンエピ
タキシャル層２内に形成されたｎウェル（ｎ型の不純物
が拡散された領域）、２０はｎ９拡散領域、２１はショ
ットキー電極、２２はオーミック電極である。上記の構
成でエピタキシャル層２の表面にショットキーダイオー
ドが形成される。ＺｎＯ圧電膜はティパー状にエツチン
グ加工され、金属ストリップがショットキー電極と接続
されている。ＺｎＯ圧電族のティパーエツチングは酢酸
をエツチング液として用いることで容品に実現できる。
第４図に上記の素子構成を１チツプに集積し、バイアス
制御回路と組み合わせた干渉波抑圧システム（ＡＩＳＦ
システム）を示す、同図で、２３は入力信号を周波数に
応じて異なる伝播路にＳＡＷを発生せしめる入力トラン
スデューサ群、２４は異なった伝播路を伝播してきたＳ
ＡＷから合成８カを得るための出力トランスデューサ群
、２５は夫々の伝播路を伝播するＳＡＷの伝播損失を可
変にするＰＮダイオードアレイ群、２６はＳＡＷのポテ
ンシャルをセンシングする金属ストリップアレイと２乗
検波信号を発生せしめるショットキーダイオード（ＳＤ
）アレイ鮮からなる検出器群、２８は検出信号に応じて
各チャンネルの出力強度を制御するバイアス制御回路で
ある。
制御回路と組み合わせた干渉波抑圧システム（ＡＩＳＦ
システム）を示す、同図で、２３は入力信号を周波数に
応じて異なる伝播路にＳＡＷを発生せしめる入力トラン
スデューサ群、２４は異なった伝播路を伝播してきたＳ
ＡＷから合成８カを得るための出力トランスデューサ群
、２５は夫々の伝播路を伝播するＳＡＷの伝播損失を可
変にするＰＮダイオードアレイ群、２６はＳＡＷのポテ
ンシャルをセンシングする金属ストリップアレイと２乗
検波信号を発生せしめるショットキーダイオード（ＳＤ
）アレイ鮮からなる検出器群、２８は検出信号に応じて
各チャンネルの出力強度を制御するバイアス制御回路で
ある。
次に上記実施例において、金属ストリップアレイ１６．
１７とショットキーダイオードアレイ１８によるＳＡＷ
の検出厘理を説明する。
１７とショットキーダイオードアレイ１８によるＳＡＷ
の検出厘理を説明する。
入力トランスデューサ５により発生されたＳＡＷは金属
ストリップアレイ１６．１７上を伝播する。上記実施例
による素子構成では金属ストリップアレイ１６．１７下
のシリコンエピタキシャル層２の表面にはｐ？高濃度不
純物拡散層が設けられているためＳＡＷのポテンシャル
とキャリアとの相互作用は生じない、そのためＡＥ効果
によるＳＡＷの損失は無い。この点が従来の素子と太き
く違うところである。従ってＳＡＷの伝播損失はＺｎＯ
圧電膜４の結晶学的な不完全性に起因する損失のみで小
さな値である。金属ストリップアレイ１６，１．７上を
ＳＡＷが伝播すると、各金属ストリップの電位はＳＡＷ
のポテンシャルに応じて高周波（ＲＦ）的に変動する。
ストリップアレイ１６．１７上を伝播する。上記実施例
による素子構成では金属ストリップアレイ１６．１７下
のシリコンエピタキシャル層２の表面にはｐ？高濃度不
純物拡散層が設けられているためＳＡＷのポテンシャル
とキャリアとの相互作用は生じない、そのためＡＥ効果
によるＳＡＷの損失は無い。この点が従来の素子と太き
く違うところである。従ってＳＡＷの伝播損失はＺｎＯ
圧電膜４の結晶学的な不完全性に起因する損失のみで小
さな値である。金属ストリップアレイ１６，１．７上を
ＳＡＷが伝播すると、各金属ストリップの電位はＳＡＷ
のポテンシャルに応じて高周波（ＲＦ）的に変動する。
この高周波（ＲＦ）電位は各金属ストリップに接続され
たショットキーダイオード１８に印加され、ショットキ
ーダイオードがもつ非線形抵抗によるＤＣ信号成分が発
生し、ショットキーダイオードに接続さｊた抵抗１１に
ＤＣｔ流が流れるため、電圧信号モニタ一端子１３の電
位がＳＡＷのパワーに応じてシフトする。このシフト量
が検出信号となる。
たショットキーダイオード１８に印加され、ショットキ
ーダイオードがもつ非線形抵抗によるＤＣ信号成分が発
生し、ショットキーダイオードに接続さｊた抵抗１１に
ＤＣｔ流が流れるため、電圧信号モニタ一端子１３の電
位がＳＡＷのパワーに応じてシフトする。このシフト量
が検出信号となる。
第５図に従来の検出感度と本発明の素子の検出感度の比
較を示す、横軸は入力トランスデューサに入力されたＲ
Ｆパワーで、縦軸は検出信号の電圧値を、云す、入力ト
ランスデューサにおける変換損失は〜５ｄＢ、入力周波
数は〜２１５Ｍ１（ｚである。第５図で、（１）のライ
ンは従来のエピタキシャル層が厚い（〜１０μｍ）状態
でＰＮダイオードにより検波した場合の特性、 （２）
のラインはエピタキシャル層を薄く （〜２μｍ）した
状態でＰＮダイオードにより検波した場合の特性。
較を示す、横軸は入力トランスデューサに入力されたＲ
Ｆパワーで、縦軸は検出信号の電圧値を、云す、入力ト
ランスデューサにおける変換損失は〜５ｄＢ、入力周波
数は〜２１５Ｍ１（ｚである。第５図で、（１）のライ
ンは従来のエピタキシャル層が厚い（〜１０μｍ）状態
でＰＮダイオードにより検波した場合の特性、 （２）
のラインはエピタキシャル層を薄く （〜２μｍ）した
状態でＰＮダイオードにより検波した場合の特性。
（！３）のラインは本発明にＪるショットキーダイオー
ドにより検波した場合の特性を示す。第５図に示したよ
うに本発明のショットキーダイオード（こよる検波信号
が最も大きく、検出感度が大幅に改善されているのがわ
かる。これはＳＡＷの伝播損失が最小化された効果によ
るものである。
ドにより検波した場合の特性を示す。第５図に示したよ
うに本発明のショットキーダイオード（こよる検波信号
が最も大きく、検出感度が大幅に改善されているのがわ
かる。これはＳＡＷの伝播損失が最小化された効果によ
るものである。
本発明の他の実施例と１２でのＳＡＷ素子構造を第６図
に示す。同図では検出部のみを示しているが、他の部分
は第１図〜第３図と変わらないので省略した。第６図の
構成は検出器であるショットキーダイオード１８を最適
状態で動作させるためにＤＣバイアスを印加できるよう
にしたものである４ ２９は金属ストリップ１６と接地
ストリップ１７間ｔこ形成した高抵抗、３０はＤＣバイ
アス電源である。抵抗２９はＳ、ＡＷポテンシャルの低
下を防ぐために数１０にΩ以上の高抵抗である必要があ
る。最適バイアスはショットキー１を極の金属に依存す
るが、はぼ数１００ ｍ Ｖ程度である。この高抵抗の
形成法としては、シリコン層の拡散抵抗、ポリシリコン
などの薄膜抵抗、又はＺｎＯ圧電膜表面に非常に薄いＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉなどの金属膜をストリップを榛を形
成する前に設けておくことで高抵抗を実現する等の手段
がある、これにより更に検出感度が向上する。
に示す。同図では検出部のみを示しているが、他の部分
は第１図〜第３図と変わらないので省略した。第６図の
構成は検出器であるショットキーダイオード１８を最適
状態で動作させるためにＤＣバイアスを印加できるよう
にしたものである４ ２９は金属ストリップ１６と接地
ストリップ１７間ｔこ形成した高抵抗、３０はＤＣバイ
アス電源である。抵抗２９はＳ、ＡＷポテンシャルの低
下を防ぐために数１０にΩ以上の高抵抗である必要があ
る。最適バイアスはショットキー１を極の金属に依存す
るが、はぼ数１００ ｍ Ｖ程度である。この高抵抗の
形成法としては、シリコン層の拡散抵抗、ポリシリコン
などの薄膜抵抗、又はＺｎＯ圧電膜表面に非常に薄いＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉなどの金属膜をストリップを榛を形
成する前に設けておくことで高抵抗を実現する等の手段
がある、これにより更に検出感度が向上する。
［発明の効果］
以上説明した所から明らかなように本発明によれば、次
のような効果が得られる。
のような効果が得られる。
（１）検出感度が大幅に改善されるので、素子に入力す
るＲＦパワーが少なくなり、システムで簡易化されると
共に消費パワーの低減が図れる。
るＲＦパワーが少なくなり、システムで簡易化されると
共に消費パワーの低減が図れる。
（２）ダイオードのバイアス制御でフィルタの、ノツチ
特性を制御するため応答時間が極めて速い。
特性を制御するため応答時間が極めて速い。
（３）検出に要する時間が短い（検出器の応答時間が速
い）。
い）。
（４）狭帯域の高レベル干渉信号の数に制限なく適応的
に抑圧が可能。
に抑圧が可能。
（５）干渉波の適応抑制システムがモノリシックで構成
できシステムの簡易化並びに小型化が図れる。また素子
の生産性も良い。
できシステムの簡易化並びに小型化が図れる。また素子
の生産性も良い。
第１図は本発明の一実施例を示す弾性表ｍｌ波素子の概
略図、第２図は第１図のＡ−Ａ線から見た模式断面図、
第３図は第１図のＢ−Ｂ線から見た模式断面図、第４図
は本発明の狭帯域干渉抑圧フィルタシステムの構成例を
示す図、第５図は上記実施例並びに先願発明における入
力信号モニター端子の電圧と入力電力の関係を示す図、
第６図は上記実施例の変形例を示す図、第７図は先Ｉｉ
Ｒ発明による弾性表面波素子の概略図、第８図は先願発
明による弾性表面波素子の概略図、第９図は先願発明に
よる弾性表面波素子の概略図である。 ｌ・・・・・・・ｐ′″型Ｓ型車１単結晶基板・・・・
・・・ｐ型Ｓｉエピタキシャル層、３・・・・・・・シ
リコン酸化膜、４・・・・・・・ＺｎＯ圧電ＷＩ膜、５
・・・・・・・・・入力トランスデューサ、６・・・・
・・出力トランスデューサ、７・・・・・・・ゲーｈａ
極、８・・・・・・・高濃度不純物拡散領域、９・・・
・・・・・・ｎ９不純物拡散領域、】１・・・・・・・
・・抵抗。 １３・・・・・・・・・検波信号モニタ一端子、１４・
・・・・・・・・バイアス端子、１６・・・・・・・・
・金属ストリップ、１７・・・・・・・・・ストリップ
状接地電極、１８・・・・・・・・・ショットキーダイ
オード、１９・・・・・・・・・ｎウェル、 ２０・
・・・・・・・・ｎ＋不純物拡散領域、２１・・・・・
・・・・ショットキー電極、２２・・・・・・・・・オ
ーミック電極、２３・・・・・・・・・入力トランスデ
ューサ群、２４・・・・・・・・・出力トランスデュー
サ群、２５・・・・・・・・・ＰＮダイオードアレイ、
２６・・・・・・・・・検出器、２７・・・・・・・・
・抵抗、 ２８・・・・・・・・・バイアス制御回路、
２９・・・・・・・・・高抵抗、３０・・・・・・・・
・ＤＣ電源。 特許出願人 グラリオン株式会社代理人 弁理士
永 １）武 三 部第３図 第 ５図 入Ｉｔ室 （ｄＢｒｒ＋） 第 ６図
略図、第２図は第１図のＡ−Ａ線から見た模式断面図、
第３図は第１図のＢ−Ｂ線から見た模式断面図、第４図
は本発明の狭帯域干渉抑圧フィルタシステムの構成例を
示す図、第５図は上記実施例並びに先願発明における入
力信号モニター端子の電圧と入力電力の関係を示す図、
第６図は上記実施例の変形例を示す図、第７図は先Ｉｉ
Ｒ発明による弾性表面波素子の概略図、第８図は先願発
明による弾性表面波素子の概略図、第９図は先願発明に
よる弾性表面波素子の概略図である。 ｌ・・・・・・・ｐ′″型Ｓ型車１単結晶基板・・・・
・・・ｐ型Ｓｉエピタキシャル層、３・・・・・・・シ
リコン酸化膜、４・・・・・・・ＺｎＯ圧電ＷＩ膜、５
・・・・・・・・・入力トランスデューサ、６・・・・
・・出力トランスデューサ、７・・・・・・・ゲーｈａ
極、８・・・・・・・高濃度不純物拡散領域、９・・・
・・・・・・ｎ９不純物拡散領域、】１・・・・・・・
・・抵抗。 １３・・・・・・・・・検波信号モニタ一端子、１４・
・・・・・・・・バイアス端子、１６・・・・・・・・
・金属ストリップ、１７・・・・・・・・・ストリップ
状接地電極、１８・・・・・・・・・ショットキーダイ
オード、１９・・・・・・・・・ｎウェル、 ２０・
・・・・・・・・ｎ＋不純物拡散領域、２１・・・・・
・・・・ショットキー電極、２２・・・・・・・・・オ
ーミック電極、２３・・・・・・・・・入力トランスデ
ューサ群、２４・・・・・・・・・出力トランスデュー
サ群、２５・・・・・・・・・ＰＮダイオードアレイ、
２６・・・・・・・・・検出器、２７・・・・・・・・
・抵抗、 ２８・・・・・・・・・バイアス制御回路、
２９・・・・・・・・・高抵抗、３０・・・・・・・・
・ＤＣ電源。 特許出願人 グラリオン株式会社代理人 弁理士
永 １）武 三 部第３図 第 ５図 入Ｉｔ室 （ｄＢｒｒ＋） 第 ６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１導電型高濃度不純物シリコン基板、第１導電型シ
リコンエピタキシャル層、絶縁膜、及び圧電膜から成る
積層体と、 前記圧電膜上に形成され、入力信号を周波数分類して複
数の伝播路に弾性表面波を発生せしめる入力トランスデ
ューサと、 上記圧電膜上に形成され、各伝播路を伝播する弾性表面
波から出力信号を得る出力トランスデューサと、 上記出力と入力トランスデューサに挾まれた各伝播路に
対応する上記圧電膜上に形成されたゲート電極群と、 上記第１導電型シリコンエピタキシャル層表面側であっ
て、各入出力トランスデューサに挾まれた区域に夫々形
成されたＰＮダイオードアレイ群上記圧電膜表面の入力
トランスデューサに対して上記出力トランスデユーサと
反対側に夫々設けられた金属ストリップアレイ群と、 上記金属ストリップアレイ群に夫々接続され、上記シリ
コンエピタキシャル層表面に設けられたダイオードアレ
イ群と、を備えたことを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183631A JPH0470110A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 弾性表面波装置 |
| GB9114516A GB2248741B (en) | 1990-07-10 | 1991-07-05 | Surface acoustic wave device |
| US07/727,557 US5200664A (en) | 1990-07-10 | 1991-07-09 | Surface acoustic wave device |
| FR919108613A FR2665604B1 (fr) | 1990-07-10 | 1991-07-09 | Dispositif a onde acoustique de surface. |
| DE4122836A DE4122836A1 (de) | 1990-07-10 | 1991-07-10 | Einrichtung fuer oberflaechenschallwellen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183631A JPH0470110A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0470110A true JPH0470110A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16139154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2183631A Pending JPH0470110A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 弾性表面波装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5200664A (ja) |
| JP (1) | JPH0470110A (ja) |
| DE (1) | DE4122836A1 (ja) |
| FR (1) | FR2665604B1 (ja) |
| GB (1) | GB2248741B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300706B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-10-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Compound semiconductor monolithic frequency sources and actuators |
| DE10101081B4 (de) * | 2001-01-11 | 2007-06-06 | Infineon Technologies Ag | Schottky-Diode |
| TWI679747B (zh) * | 2017-02-28 | 2019-12-11 | 穩懋半導體股份有限公司 | 聲波元件與變容二極體整合結構暨聲波元件、變容二極體與功率放大器整合結構及其製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4019200A (en) * | 1975-06-11 | 1977-04-19 | Rockwell International Corporation | Monolithic surface acoustic wave signal storage device |
| US4611140A (en) * | 1985-08-26 | 1986-09-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Saw-CTD parallel to serial imager |
| JPS6264113A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-23 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH0210908A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPH0226118A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
| GB2221588B (en) * | 1988-07-19 | 1992-05-27 | Clarion Co Ltd | Surface-acoustic-wave device |
| US5196720A (en) * | 1989-05-15 | 1993-03-23 | Clarion Co., Ltd. | Narrow band interference signal removing device |
| JPH036915A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ及び弾性表面波コンボルバによるたたみ込み積分器 |
| US5111100A (en) * | 1990-01-12 | 1992-05-05 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method for fabricating same |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2183631A patent/JPH0470110A/ja active Pending
-
1991
- 1991-07-05 GB GB9114516A patent/GB2248741B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-09 US US07/727,557 patent/US5200664A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-09 FR FR919108613A patent/FR2665604B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-10 DE DE4122836A patent/DE4122836A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4122836A1 (de) | 1992-01-16 |
| US5200664A (en) | 1993-04-06 |
| FR2665604A1 (fr) | 1992-02-07 |
| FR2665604B1 (fr) | 1993-08-13 |
| GB2248741B (en) | 1994-04-27 |
| GB2248741A (en) | 1992-04-15 |
| GB9114516D0 (en) | 1991-08-21 |
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