JP4397867B2 - 表面弾性波デバイス - Google Patents
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10.5 であるから、片側の櫛形電極及び片側の引き出し電極と中性領域7−2間の容量は例えば 22.3 pFとなる。Cpは本容量2個が直列接続された値であるから、本従来例においては、その値は、例えば 11.2 pFとなる。
基板上に窒化物半導体材料からなる伝搬層のメサ構造が形成され、前記メサ構造上面に櫛形電極が形成され、前記櫛形電極に導通する引き出し電極が、前記メサ構造の外部において前記基板表面に接するように形成されていることを特徴とする表面弾性波デバイスを構成する。
基板上に窒化物半導体材料からなる伝搬層のメサ構造が形成され、前記メサ構造上面に櫛形電極が形成され、前記櫛形電極に導通する引き出し電極が、前記メサ構造の外部において前記基板表面に接し、前記メサ構造側面に絶縁性の側壁を介して接するように形成されていることを特徴とする表面弾性波デバイスを構成する。
基板上に、窒化物半導体材料からなる伝搬層のメサ構造が形成され、前記メサ構造上面に櫛形電極が形成され、前記櫛形電極に導通する引き出し電極が、前記メサ構造の外部において前記基板表面に絶縁膜を介して接するように形成されていることを特徴とする表面弾性波デバイスを構成する。
前記基板がサファイア(0001)基板あるいは半絶縁性SiC(0001)基板であり、前記伝搬層が(0001)方向に配向する窒化物半導体材料からなることを特徴とする請求項1、2または3に記載の表面弾性波デバイスを構成する。
前記基板がサファイア(1 1 -2 0)基板であり、
前記伝搬層が(1 1 -2 0)方向に配向する窒化物半導体材料からなり、前記櫛形電極が、該櫛形電極により励振される表面弾性波が{0001}方向に伝搬されるように形成されていることを特徴とする請求項1、2または3に記載の表面弾性波デバイスを構成する。
図1は、本発明の第1の実施の形態を示す説明図(上面図及び断面図)である。図において、1−0はサファイア(0001)基板であり、1−1は、例えばMOCVD法により形成される、(0001)方向に配向する、不純物を積極的には含まない、すなわち、意図的な不純物導入が行われていない、例えば厚さ 2 μmの、GaNからなる伝搬層であり、1−2は、上記従来例の場合と同様の機構によって、伝搬層1−1の、サファイア基板1−0と接する領域に形成される有限の電気伝導性を有する中性領域である。1−3は、伝搬層1−1を基板1−0表面に達するまで、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング法によりエッチングすることにより形成されるメサ構造であり、1−5aと1−5bとの組み合わせ、及び、1−6aと1−6bとの組み合わせは、所定の電極長L(例えば 2 μm)、電極間隔S(例えば 2 μm)、電極幅(例えば 400 μm)、対の個数N(例えば50、図においてはN=4の場合が示されている)を有し、メサ構造1−3上面に所定の間隔(例えば 5 mm)をおいて対向する位置に形成される、厚さ 100 nmのアルミニウムからなる櫛形電極である。1−7aと1−7b、及び、1−8aと1−8bは、それぞれ、櫛形電極1−5aと1−5b、及び、1−6aと1−6bに導通し、これら櫛形電極に信号を印加するか、あるいは、櫛形電極から信号を取り出すための引き出し電極であり、引き出し電極1−7a、1−7b、1−8a、1−8bは、メサ構造1−3の外部において、基板1−0表面に接するように形成されている。
図2は、本発明の第2の実施の形態を示す説明図(上面図及び断面図)である。図において、2−0はサファイア(0001)基板であり、2−1は、例えばMOCVD法により形成される、(0001)方向に配向する、不純物を積極的には含まない、例えば厚さ 2 μmの、GaNからなる伝搬層であり、2−2は、伝搬層2−1の、サファイア基板2−0と接する領域に形成される有限の電気伝導性を有する中性領域である。2−3は、伝搬層2−1を、基板2−0表面に達するまで、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング法によりエッチングすることにより形成されるメサ構造であり、2−4は、メサ構造2−3の側面に形成される、例えばSiO2からなる、絶縁性の側壁である。
図3は、本発明の第3の実施の形態を示す説明図(上面図及び断面図)である。図において、3−0はサファイア(0001)基板であり、3−1は、例えばMOCVD法により形成される、(0001)方向に配向する、不純物を積極的には含まない、例えば厚さ 2 μmの、GaNからなる伝搬層であり、3−2は、伝搬層3−1の、サファイア基板3−0と接する領域に形成される有限の電気伝導性を有する中性領域である。3−3は、伝搬層3−1を基板3−0表面に達するまで、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング法によりエッチングすることにより形成されるメサ構造であり、3−4は、メサ構造3−3に隣接する位置に基板3−0表面上に形成される、伝搬層3−1中の中性領域3−2の厚さ以上の厚さを有する、例えばSiO2からなる、絶縁膜である。
図4は、本発明の第4の実施の形態を示す説明図(上面図及び断面図)である。図において、4−0はサファイア(1 1 -2 0)基板であり、4−1は、例えばMOCVD法により形成される、(1 1 -2 0)方向に配向する、不純物を積極的には含まない、例えば厚さ
2 μmの、GaNからなる伝搬層であり、4−2は、伝搬層4−1の、サファイア基板4−0と接する領域に形成される有限の電気伝導性を有する中性領域である。4−3は、伝搬層4−1を基板4−0表面に達するまで、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング法によりエッチングすることにより形成されるメサ構造であり、4−5aと4−5bとの組み合わせ、及び、4−6aと4−6bとの組み合わせは、メサ構造4−3上面に形成される、所定の電極長L(例えば 2 μm)、電極間隔S(例えば 2 μm)、電極幅(例えば 400 μm)、対の個数N(例えば50、図においてはN=4の場合が示されている)を有し、励振される表面弾性波が{0001}方向に伝搬されるように、所定の間隔(例えば 5 mm)をおいて対向する位置に形成される、厚さ 100 nmのアルミニウムからなる櫛形電極である。4−7aと4−7b、及び、4−8aと4−8bは、それぞれ、櫛形電極4−5aと4−5b、及び、4−6aと4−6bに導通し、これら櫛形電極に信号を印加するか、あるいは、櫛形電極から信号を取り出すための引き出し電極であり、引き出し電極4−7a、4−7b、4−8a、4−8bは、メサ構造4−3の外部において、基板4−0表面に接するように形成されている。
図5は、本発明の第5の実施の形態を示す説明図である。図において、5−0はサファイア(1 1 -2 0)基板であり、5−1は、例えばMOCVD法により形成される、(1 1 -2 0)方向に配向する、不純物を積極的には含まない、例えば厚さ
2 μmの、GaNからなる伝搬層であり、5−2は、伝搬層5−1の、サファイア基板5−0と接する領域に形成される、有限の電気伝導性を有する中性領域である。5−3は、5−1を基板5−0表面に達するまで、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング法によりエッチングすることにより形成されるメサ構造であり、5−4は、メサ構造5−3の側面に形成される、例えばSiO2からなる、絶縁性の側壁である。5−5aと5−5bとの組み合わせ、及び、5−6aと5−6bとの組み合わせは、メサ構造5−3上面に形成される、所定の電極長L(例えば 2 μm)、電極間隔S(例えば 2 μm)、電極幅(例えば 400 μm)、対の個数N(例えば50、図においてはN=4の場合が示されている)を有し、励振される表面弾性波が{0001}方向に伝搬されるように、所定の間隔(例えば 5 mm)をおいて対向する位置に形成される、厚さ 100 nmのアルミニウムからなる櫛形電極である。5−7aと5−7b、及び、5−8aと5−8bは、それぞれ、櫛形電極5−5aと5−5b、及び、5−6aと5−6bに導通し、これら櫛形電極に信号を印加するか、あるいは、櫛形電極から信号を取り出すための引き出し電極であり、引き出し電極5−7a、5−7b、5−8a、5−8bは、メサ構造5−3の側面に絶縁性の側壁5−4を介して接し、メサ構造5−3の外部において、基板5−0表面に接するように形成されている。
1 -2 0)方向に配向する窒化物半導体材料であるGaNからなる伝搬層5−1表面上に、励振される表面弾性波が{0001}方向に伝搬するように、櫛形電極5−5aと5−5bとの組み合わせ、及び、5−6aと5−6bとの組み合わせが形成されている。(1 1 -2 0)方向に配向する窒化物半導体材料における電気信号から{0001}方向に伝搬する表面弾性波への変換効率は(0001)方向に配向する窒化物半導体材料における変換効率と比較して高いのであるから、本実施の形態により、損失が小さく、かつ変換効率に優れたSAWデバイス動作が実現される。
図6は、本発明の第6の実施の形態を示す説明図である。図において、6−0はサファイア(1 1 -2 0)基板であり、6−1は、例えばMOCVD法により形成される、(1 1 -2 0)方向に配向する、不純物を積極的には含まない、例えば厚さ
2 μmの、GaNからなる伝搬層であり、6−2は、伝搬層6−1の、サファイア基板6−0と接する領域に形成される有限の電気伝導性を有する中性領域である。6−3は、伝搬層6−1を基板6−0表面に達するまで、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング法によりエッチングすることにより形成されるメサ構造であり、6−4は、メサ構造6−3に隣接する位置に基板6−0表面上に形成される、望ましい条件として、伝搬層6−1中の中性領域6−2の厚さ以上の厚さを有する、例えばSiO2からなる、絶縁膜である。
Claims (5)
- 基板上に窒化物半導体材料からなる伝搬層のメサ構造が形成され、
前記メサ構造上面に櫛形電極が形成され、
前記櫛形電極に導通する引き出し電極が、前記メサ構造の外部において前記基板表面に接するように形成されていることを特徴とする表面弾性波デバイス。 - 基板上に窒化物半導体材料からなる伝搬層のメサ構造が形成され、
前記メサ構造上面に櫛形電極が形成され、
前記櫛形電極に導通する引き出し電極が、前記メサ構造の外部において前記基板表面に接し、前記メサ構造側面に絶縁性の側壁を介して接するように形成されていることを特徴とする表面弾性波デバイス。 - 基板上に、窒化物半導体材料からなる伝搬層のメサ構造が形成され、
前記メサ構造上面に櫛形電極が形成され、
前記櫛形電極に導通する引き出し電極が、前記メサ構造の外部において前記基板表面に絶縁膜を介して接するように形成されていることを特徴とする表面弾性波デバイス。 - 前記基板がサファイア(0001)基板あるいは半絶縁性SiC(0001)基板であり、
前記伝搬層が(0001)方向に配向する窒化物半導体材料からなることを特徴とする請求項1、2または3に記載の表面弾性波デバイス。 - 前記基板がサファイア(1 1 -2 0)基板であり、
前記伝搬層が(1 1 -2 0)方向に配向する窒化物半導体材料からなり、
前記櫛形電極が、該櫛形電極により励振される表面弾性波が{0001}方向に伝搬されるように形成されていることを特徴とする請求項1、2または3に記載の表面弾性波デバイス。
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