JP4447572B2 - 表面弾性波デバイスおよび集積回路 - Google Patents
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Description
Voltage Controlled SAW filters on 2DEG AlGaN/GaN heterostructures(2004 IEEE MTT-S Digest PP.387-390).
まず、第1の実施形態に係るトランスバーサルフィルタ10について、図1および図2を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る表面弾性波デバイスの一種であるトランスバーサルフィルタ10の構造図で、図1(a)はトランスバーサルフィルタ10の平面図、図1(b)はトランスバーサルフィルタ10を矢視AAから見た断面図である。
次に、第2の実施形態に係るトランスバーサルフィルタ20について、第1の実施形態に係るトランスバーサルフィルタ10と異なる点を中心に図3および図4を参照して説明する。また、第2の実施形態に係るトランスバーサルフィルタ20について、第1の実施形態に係るトランスバーサルフィルタ10と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。図3は、本発明の第2の実施形態に係るトランスバーサルフィルタ20の構造図、図3(a)はトランスバーサルフィルタ20の平面図、図3(b)はトランスバーサルフィルタ20を矢視BBから見た断面図である。
図5は、本発明の第3の実施形態に係るトランスバーサルフィルタ30の構造図、図5(a)はトランスバーサルフィルタ30の平面図、図5(b)はトランスバーサルフィルタ30を矢視CCから見た断面図である。
13 バリア層、14 積層構造、15 二次元電子ガス、
16 第一のすだれ状電極、16a、16b 櫛形電極、
16c ゲート電極、17 第二のすだれ状電極、
17a、17b 櫛形電極、17c ゲート電極、
19a、19b 電気力線、20 トランスバーサルフィルタ、
29 電気力線、30 トランスバーサルフィルタ、
31 サファイア基板、32 伝搬層、33 バリア層、34 積層構造、
35 二次元電子ガス、36 第一のすだれ状電極、
36a、36b 櫛形電極、36c ゲート電極、
37 第二のすだれ状電極、37a、37b 櫛形電極、
37c ゲート電極、
50 従来のトランスバーサルフィルタ、51 サファイア基板、
52 伝搬層、53 バリア層、54 積層構造、55 二次元電子ガス、
56 第一のすだれ状電極、56a、56b 櫛形電極、
57 第二のすだれ状電極、57a、57b 櫛形電極、58 電極指
Claims (4)
- 基板と、第一の半導体材料からなる伝搬層と、前記第一の半導体材料と比較して広いバンドギャップを持つ第二の半導体材料からなるバリア層と、前記伝搬層と前記バリア層とにより前記伝搬層と前記バリア層とのヘテロ界面付近に形成される二次元電子ガス層と、前記バリア層の表面に形成された一対の櫛形電極と、を備える表面弾性波デバイスにおいて、
前記一対の櫛形電極間で、かつ櫛形電極の両端部までゲート電極を形成し、
前記ゲート電極に前記一対の櫛形電極の一方の電極が接続されているグラウンドに対して正バイアスを印加したときに前記一対の櫛形電極間の全領域の二次元電子ガス層が前記ゲート電極の直下に集約され、前記グランドに対して負バイアスを印加することにより前記一対の櫛形電極間の全領域の二次元電子ガス層が前記一対の櫛形電極の直下に集約される
ことを特徴とする表面弾性波デバイス。 - 請求項1に記載の表面弾性波デバイスにおいて、
前記伝搬層は、(0001)方向に配向する第一の窒化物系半導体材料から形成され、
前記バリア層は、(0001)方向に配向し、前記第一の窒化物系半導体材料と比較して広いバンドギャップを持つ第二の窒化物系半導体材料から形成され、
前記バリア層の前記表面は、III族元素面であることを特徴とする表面弾性波デバイス。 - 請求項1に記載の表面弾性波デバイスにおいて、
前記伝搬層は、(11−20)方向に配向する第一の窒化物系半導体材料から形成され、
前記バリア層は、(11−20)方向に配向し、前記第一の窒化物系半導体材料と比較して広いバンドギャップを持つ第二の窒化物系半導体材料にn型不純物を積極的に添加させて形成され、
前記櫛形電極は、該櫛形電極の電極指の配列方向を(0001)方向と整合させて形成されることを特徴とする表面弾性波デバイス。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の表面弾性波デバイスと、該表面弾性波デバイスと同一積層構造にオーミック特性を有するソース電極、ドレイン電極およびショットキ特性を有するゲート電極を形成することにより構成される電界効果型トランジスタを備えることを特徴とする集積回路。
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