CN105827211A - 电子元器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子元器件，能够进一步增大在通频带外的频带中的高频信号的衰减量。本发明所涉及的电子元器件包括：第1LC并联谐振器至第6LC并联谐振器，在与所述层叠方向正交的第1正交方向上按照该顺序排列，并且构成带通滤波器；第7电容器，连接在所述第1LC并联谐振器和所述第6LC并联谐振器之间；第8电容器，连接在所述第1LC并联谐振器与所述第3LC并联谐振器之间；以及第9电容器，连接在所述第4LC并联谐振器与所述第6LC并联谐振器之间。

Description

电子元器件
技术领域
本发明涉及一种电子元器件，更具体而言，涉及具备多个LC并联谐振器的电子元器件。
背景技术
作为现有电子元器件所涉及的发明，已知有例如在专利文献1中记载的层叠带通滤波器。该层叠带通滤波器具备5级LC并联谐振器。由此，通过多级化LC并联谐振器，能够增大在通频带外的频带中信号的衰减量。
而在层叠带通滤波器中，希望进一步增大通频带外的频带中信号的衰减量。
现有技术文献
专利文献
专利文献1
国际专利公开2007/119356号
发明内容
发明所要解决的技术问题
为此，本发明的目的是提供一种电子元器件，能够进一步增大在通频带外的频带中的高频信号的衰减量。
解决技术问题的技术方案
本发明的一个实施方式所涉及的电子元器件，其特征在于，包括：将多个绝缘体层在层叠方向上层叠而成的层叠体；第1LC并联谐振器至第6LC并联谐振器，在与所述层叠方向正交的第1正交方向上按照该顺序排列，并且构成带通滤波器；第7电容器，连接在所述第1LC并联谐振器和所述第6LC并联谐振器之间；第8电容器，连接在所述第1LC并联谐振器与所述第3LC并联谐振器之间；以及第9电容器，连接在所述第4LC并联谐振器与所述第6LC并联谐振器之间，第n(n是1至6的整数)LC并联谐振器分别包含第n电感器及第n电容器，由所述第n电感器及所述第n电容器所包围形成的第n个环形面与所述层叠方向实质平行，在从所述第1正交方向俯视时，所述第1个环形面至所述第6个环形面中在该第1正交方向上相邻的环形面彼此重叠。
技术效果
利用本发明能够进一步增大在通频带外的频带中的高频信号的衰减量。
附图说明
图1是第1个实施方式所涉及的电子元器件10a的等效电路图。
图2是电子元器件10a～10c的外观立体图。
图3A是电子元器件10a的分解立体图。
图3B是从上侧方向透视电子元器件10a的图。
图4是比较例所涉及的电子元器件110a的等效电路图。
图5是比较例所涉及的电子元器件110b的等效电路图。
图6是比较例所涉及的电子元器件110c的等效电路图。
图7是比较例所涉及的电子元器件110d的等效电路图。
图8是比较例所涉及的电子元器件110e的等效电路图。
图9是表示电子元器件10a的通过特性(|S21|)的曲线图。
图10是表示电子元器件110a的通过特性(|S21|)的曲线图。
图11是表示电子元器件110b的通过特性(|S21|)的曲线图。
图12是表示电子元器件110c的通过特性(|S21|)的曲线图。
图13是表示电子元器件110d的通过特性(|S21|)的曲线图。
图14是表示电子元器件110e的通过特性(|S21|)的曲线图。
图15是第2个实施方式所涉及的电子元器件10b的等效电路图。
图16是电子元器件10b的分解立体图。
图17是表示电子元器件10b的通过特性(|S21|)的曲线图。
图18是第3个实施方式所涉及的电子元器件10c的等效电路图。
图19是电子元器件10c的分解立体图。
图20是表示电子元器件10c的通过特性(|S21|)的曲线图。
具体实施方式
(第1个实施方式)以下对于本发明的第1个实施方式所涉及的电子元器件参照附图进行说明。图1是第1个实施方式所涉及的电子元器件10a的等效电路图。
首先，对于电子元器件10a的等效电路参照附图进行说明。电子元器件10a如图1所示，其等效电路的结构具备电感器L1～L6、电容器C1～C6，Ca～Cg及外部电极14a～14c，是使规定频带的高频信号通过的带通滤波器。
外部电极14a，14b是用于高频信号输入输出的输入输出端子。外部电极14c是用于接地的接地端子。
电感器L1～L6和电容器C1～C6各自并联连接，构成LC并联谐振器LC1～LC6。
LC并联谐振器LC1的一端与外部电极14a连接。LC并联谐振器LC6的一端与外部电极14b连接。此外，LC并联谐振器LC1～LC6在从外部电极14a到外部电极14b之间按照该顺序排列。
LC并联谐振器LC1～LC6中的相邻LC并联谐振器彼此磁场耦合，构成带通滤波器。
此外，LC并联谐振器LC1～LC6的另一端与外部电极14c连接。LC并联谐振器的一端在图1中表示为LC并联谐振器的电感器和电容器的连接部内的上侧的连接部。LC并联谐振器的另一端在图1中表示为LC并联谐振器的电感器和电容器的连接部内的下侧的连接部。
电容器Ca连接在LC并联谐振器LC1的一端和LC并联谐振器LC2的一端之间。电容器Cb连接在LC并联谐振器LC2的一端和LC并联谐振器LC3的一端之间。电容器Cc连接在LC并联谐振器LC1的一端和LC并联谐振器LC3的一端之间。
电容器Cd连接在LC并联谐振器LC4的一端和LC并联谐振器LC5的一端之间。电容器Ce连接在LC并联谐振器LC5的一端和LC并联谐振器LC6的一端之间。电容器Cf连接在LC并联谐振器LC4的一端和LC并联谐振器LC6的一端之间。
电容器Cg通过连接在外部电极14a和外部电极14b之间，连接在LC并联谐振器LC1的一端和LC并联谐振器LC6的一端之间。
如上述构成的电子元器件10a构成带通滤波器，该带通滤波器使具有LC并联谐振器LC1～LC6的谐振频率(以下简称为谐振频率)附近的频率的高频信号从外部电极14a向外部电极14b通过。更详细地说，若从外部电极14a输入具有谐振频率附近的频率的高频信号，则LC并联谐振器LC1～LC6的阻抗值将达到最大。因此，由于具有谐振频率附近的频率的高频信号不能通过LC并联谐振器LC1～LC6，所以不会从外部电极14c输出。其结果，具有谐振频率附近的频率的高频信号从外部电极14b输出。此外，具有谐振频率附近的频率以外的频率的高频信号通过LC并联谐振器LC1～LC6从外部电极14c输出。
接着，对于电子元器件10a的具体结构参照附图进行说明。图2是电子元器件10a的外观立体图。图3A是电子元器件10a的分解立体图。图3B是从上侧方向透视电子元器件10a的图。图3B中仅表示层叠体12、电感器导体层17a～17f及过孔导体v1～v12。
以下将电子元器件10a的层叠方向定义为上下方向。此外，在从上侧方向俯视电子元器件10a时，将电子元器件10a的长边延伸的方向定义为左右方向，将电子元器件10a的短边延伸的方向定义为前后方向。上下方向、前后方向及左右方向相互正交。
电子元器件10a具备层叠体12、外部电极14a～14c、电感器导体层17a～17f，18a～18f，19a～19f、电容器导体层20a～20f，22，40a，40c，40d，40f，41a，41c，41d，41f，50a，50b，51a，51b、接地导体层31及过孔导体v1～v12，v20～v24(层间连接导体的一个例子)。
层叠体12呈长方体状，通过将绝缘体层16a～16l按照从上侧到下侧的顺序排列层叠构成。绝缘体层16a～16l在从上侧方向俯视时呈长方形，由例如陶瓷等制成。以下将绝缘体层16a～16l的上侧的主面称为表面，将绝缘体层16a～16l的下侧的主面称为背面。
外部电极14a、14b分别在层叠体12的左面及右面上的上下方向上延伸。此外，外部电极14a、14b在层叠体12的上面及底面上折返。外部电极14c为设置在层叠体12的底面上的长方形的导体层。外部电极14a～14c通过在例如Ag等基底电极上实施镀Ni及镀Sn制成。
电感器导体层17a～19a是分别设置在绝缘体层16b～16d的表面上且沿前后方向延伸的带状导体层。
过孔导体v1在上下方向上贯通绝缘体层16b～16。过孔导体v1的上端与电感器导体层17a～19a的前端连接。由此，过孔导体v1从电感器导体层17a～19a向下侧延伸。
过孔导体v7在上下方向上贯通绝缘体层16b～16j。过孔导体v7位于比过孔导体v1更靠后侧的位置。因此，过孔导体v7的上端与电感器导体层17a～19a的后端连接。由此，过孔导体v7从电感器导体层17a～19a向下侧延伸。
在电感器L1中包括如上述构成的电感器导体层17a～19a及过孔导体v1、v7。由此，电感器L1在从左侧俯视时，呈向下侧开口的四方U字型。
电容器导体层20a是设置在绝缘体层16j的表面上且沿前后方向延伸的带状导体层。
接地导体层31是设置在绝缘体层16k的表面上的矩形导体层，覆盖绝缘体层16k的大致整个面。由此，电容器导体层20a经由绝缘体层16k与接地导体层31相对。
在电容器C1中包含如上述构成的电容器导体层20a及接地导体层31。此外，过孔导体v1的下端与电容器导体层20a连接。过孔导体v7的下端与接地导体层31连接。由此，将电感器L1和电容器C1相互并联连接构成LC并联谐振器LC1。此外，在从左侧俯视时，电感器L1从电容器导体层20a向接地导体层31朝逆时针方向旋转。
在电感器L2中包含电感器导体层17b～19b及过孔导体v2、v8。在电容器C2中包含电容器导体层20b及接地导体层31。电感器L2和电容器C2相互并联连接构成LC并联谐振器LC2。
在电感器L3中包含电感器导体层17c～19c及过孔导体v3、v9。在电容器C3中包含电容器导体层20c及接地导体层31。电感器L3和电容器C3相互并联连接构成LC并联谐振器LC3。
在电感器L4中包含电感器导体层17d～19d及过孔导体v4、v10。在电容器C4中包含电容器导体层20d及接地导体层31。电感器L4和电容器C4相互并联连接构成LC并联谐振器LC4。
在电感器L5中包含电感器导体层17e～19e及过孔导体v5、v11。在电容器C5中包含电容器导体层20e及接地导体层31。电感器L5和电容器C5相互并联连接构成LC并联谐振器LC5。
在电感器L6中包含电感器导体层17f～19f及过孔导体v6、v12。在电容器C6中包含电容器导体层20f及接地导体层31。电感器L6和电容器C6相互并联连接构成LC并联谐振器LC6。
因为LC并联谐振器LC1～LC6实质上具有相同结构，所以省略详细说明。LC并联谐振器LC1～LC6在层叠体12上从左侧向右侧按照该顺序排列。此外，电容器导体层20a、20f分别向绝缘体层16j的左侧及右侧的短边引出。由此，LC并联谐振器LC1、LC6分别与外部电极14a、14b连接。此外，电感器L2～L6在从左侧俯视时，与电感器L1同向旋转。
如上述构成的LC并联谐振器LC1～LC6如图3B所示分别形成有被电感器L1～L6及电容器C1～C6包围且与上下方向实质平行的环形面S1～S6。在本实施方式中，环形面S1～S6是与左右方向正交的平面。环形面S1～S6分别是通过电感器导体层17a～17f的左右方向的中央的平面。
在从左侧俯视时，环形面S1～S6中在左右方向上相邻的环形面彼此重合。在本实施方式中，在从左侧俯视时，环形面S1～S6在实质上一致的状态下重合。由此，LC并联谐振器LC1～LC6中在左右方向上相邻的LC并联谐振器彼此磁场耦合，从而构成带通滤波器。在本实施方式中，虽然环形面S1～S6在一致的状态下重合，但是通过使环形面S1～S6的高度方向不同，也存在环形面S1～S6不是以一致的状态重合的情况。
如图3B所示，相邻的2个电感器导体层17a～17f在左右方向上的间隔中，电感器导体层17c和电感器导体层17d在左右方向上的间隔最小。在本实施方式中，虽然电感器导体层17c和电感器导体层17d在左右方向上的间隔最小，但是电感器导体层17c和电感器导体层17d在左右方向上的间隔不一定要是最小。
过孔导体v20～v24在上下方向上贯通绝缘体层16k、16l。过孔导体v20～v24的上端与接地导体层31连接。过孔导体v20～v24的下端与外部电极14c连接。由此，LC并联谐振器LC1～LC6与外部电极14c连接。
电容器导体层22是设置在绝缘体层16e的表面上且沿左右方向延伸的带状导体层。电容器导体层22贯通环形面S1～S6，在从上侧方向俯视时，与电感器导体层19a、19f重叠。由此，电感器导体层19a和电感器导体层19f之间经由电容器导体层22形成电容器Cg。
电容器导体层40a、40c是设置在绝缘体层16f的表面上的长方形的导体层。电容器导体层41a、41c是设置在绝缘体层16h的表面上的长方形的导体层。电容器导体层40a、41a分别通过与过孔导体v1连接来与电感器L1连接。电容器导体层40c、41c分别通过与过孔导体v3连接来与电感器L3连接。
电容器导体层50a是设置在绝缘体层16g的表面上且相对于过孔导体v1～v3位于后侧的在左右方向上延伸的带状导体层。由此，电容器导体层50a在从上侧方向俯视时，与电容器导体层40a，40c，41a，41c重叠。其结果，在电容器导体层40a、41a与电容器导体层40c、41c之间，经由电容器导体层50a形成电容器Cc。
电容器导体层51a是设置在绝缘体层16i的表面上且相对于过孔导体v1、v3位于后侧的在左右方向上延伸的带状导体层。电容器导体层51a通过与过孔导体v2连接，来与电感器L2连接。由此，电容器导体层51a在从上侧方向俯视时，与电容器导体层20a，20c，41a，41c重叠。其结果，在电容器导体层20a、41a与电容器导体层51a之间，形成电容器Ca。在电容器导体层20c、41c与电容器导体层51a之间，形成电容器Cb。
电容器导体层40d，40f，41d，41f，50b，51b在从上侧方向俯视时，相对于层叠体12的左右方向的中央在前后方向上延伸的直线，与电容器导体层40a，40c，41a，41c，50a，51a成线对称的关系。由此，电容器导体层40d、41d与电容器导体层40f、41f之间，经由电容器导体层50b形成电容器Cf。在电容器导体层20d、41d与电容器导体层51b之间，形成电容器Cd。在电容器导体层20f、41f与电容器导体层51b之间，形成电容器Ce。此外，省略电容器导体层40d，40f，41d，41f，50b，51b的更详细的说明。
(效果)利用所述电子元器件10a，能够进一步增大在通频带外的频带中的高频信号的衰减量。更详细地说，相对于在专利文献1中记载的层叠带通滤波器中使用的5级LC并列谐振器，电子元器件10a中使用6级LC并列谐振器。由此，通过多级化LC并联谐振器，能够进一步加大在通频带外的频带中的高频信号的衰减量。
而且，在电子元器件10a中，由于使不相邻的LC并联谐振器彼此耦合的电容器Cc、Cf、Cg设置在合适的位置，能实现通频带附近的高衰减化。本申请的发明人为了进一步明确电子元器件10a所起到的效果，进行了以下说明的计算机模拟。图4至图8分别是比较例所涉及的电子元器件110a～110e的等效电路图。
本申请的发明人做成电子元器件10a，110a～110e的模型，并使计算机计算它们的通过特性。电子元器件110a具有从电子元器件10a中去除了电容器Cc，Cf，Cg的电路结构。电子元器件110b具有从电子元器件10a中去除了电容器Cg的电路结构。电子元器件110c具有从电子元器件10a中去除了电容器Cc，Cf的电路结构。电子元器件110d具有从电子元器件10a中去除了电容器Cc的电路结构。电子元器件110e具有从电子元器件10a中去除了电容器Cc，Cg的电路结构。
图9是表示电子元器件10a的通过特性(|S21|)的曲线图。图10至图14是表示电子元器件110a～110e的通过特性(|S21|)的曲线图。在图9至图14中，纵轴表示|S21|，横轴表示频率。
根据图10至图14可知，在电子元器件110a～110e中，通频带的低频侧的衰减极位于1GHz的附近，通频带的高频侧的衰减极位于2.3GHz附近。
另一方面，根据图9可知，在电子元器件10a中，通频带的低频侧的衰减极位于1GHz的附近，通频带的高频侧的衰减极位于2GHz附近。
根据上述结果，缺少了电容器Cc、Cf、Cg中任意一个的电子元器件110a～110e都难以使通频带变窄。另一方面，具备全部电容器Cc，Cf，Cg的电子元器件10a能够实现通频带附近的高衰减化。即，电子元器件10a中，通过将不相邻的LC并联谐振器设置在合适的位置，能够实现通频带附近的高衰减化。
(第2个实施方式)以下对于本发明的第2个实施方式所涉及的电子元器件参照附图进行说明。图15是第2个实施方式所涉及的电子元器件10b的等效电路图。图16是电子元器件10b的分解立体图。图17是表示电子元器件10b的通过特性(|S21|)的曲线图。由于电子元器件10b的外观立体图和电子元器件10a相同，因此引用图2。
按如下所说明的那样，电子元器件10b在第1不同点至第4不同点上与电子元器件10a不同。如图16所示那样，第1不同点是电子元器件10b的LC并联谐振器LC1～LC3具有使电子元器件10a的LC并联谐振器LC1～LC3的前后反转的结构。第2不同点是，如图15所示那样，电子元器件10b具备电感器L10。第3不同点是在接地导体层31上设置狭缝SL1，SL2。第4不同点是电感器导体层17a～17f的左右方向的间隔全部相等。
对于第1不同点进行说明。第1不同点是电子元器件10b的LC并联谐振器LC1～LC3具有使电子元器件10a的LC并联谐振器LC1～LC3的前后反转的结构。因此，在电子元器件10b中，过孔导体v7～v9位于比过孔导体v1～v3更靠前侧的位置。其结果，电感器L1～L3和电感器L4～L6反向旋转。即，在从左侧俯视时，电感器L1～L3从电容器导体层20a～20c向接地导体层31朝顺时针方向旋转。在从左侧俯视时，电感器L4～L6从电容器导体层20d～20f向接地导体层31朝逆时针方向旋转。
对于第2不同点进行说明。电感器L10被连接在电感器L1和电感器L6之间，由连接导体层60构成。连接导体层60是设置在绝缘体层16m的表面上的线状导体层，该绝缘体层16m追加在绝缘体层16j和绝缘体层16k之间。连接导体层60连接过孔导体v7和过孔导体v12。
对于第3不同点进行说明。狭缝SL1、SL2是从接地导体层31的外边缘向外边缘内侧延伸的切口。在本实施方式中，狭缝SL1在接地导体层31的中央靠左侧，从接地导体层31的后侧的边向前侧延伸。狭缝SL2在接地导体层31的中央靠右侧，从接地导体层31的前侧的边向后侧延伸。由此，接地导体层31的电感值变大。
如上述构成的电子元器件10b也能够获得与电子元器件10a相同作用效果。
此外，在电子元器件10b中，电感器L1～L3和电感器L4～L6反向旋转。由此，电感器L1～L3和电感器L4～L6的磁场耦合变弱。因此，在LC并联谐振器LC1～LC3和LC并联谐振器LC4～LC6之间难以传输高频信号。其结果，如图17所示，在电子元器件10b中，比通频带更低的频带的衰减量变大。
此外，在电子元器件10b中，设置有连接电感器L1和电感器L6的电感器L10。由此，可以在通频带的低频侧形成衰减极。
此外，在电子元器件10b中，基于以下理由，比通频带更低的频带的衰减量也会变大。更详细地说，由于在接地导体层31上设置狭缝SL1、SL2，接地导体层31的电感值变大。由此，LC谐振器LC1～LC6间的磁场耦合发生变化，能够调整低频侧的衰减极的位置。作为其结果，能够增大低频侧的衰减量。
(第3个实施方式)以下对于第3个实施方式所涉及的电子元器件参照附图进行说明。图18是第3个实施方式所涉及的电子元器件10c的等效电路图。图19是电子元器件10c的分解立体图。图20是表示电子元器件10c的通过特性(|S21|)的曲线图。由于电子元器件10c的外观立体图和电子元器件10a相同，因此引用图2。
电子元器件10c如图19所示，与电子元器件10a的不同点在于设置有电感器L7、L8。电感器L7连接在外部电极14a与LC并联谐振器LC1的一端之间。电感器L8连接在外部电极14b与LC并联谐振器LC6的一端之间。以下，对于该不同点进行说明。
在绝缘体层16e与绝缘体层16f之间追加绝缘体层16m、16n。电感器L7如图19所示，包含电感器导体层70a、71a及过孔导体v40。电感器导体层70a是设置在绝缘体层16n的表面上且在从上侧方向俯视时呈顺时针方向旋转的线状导体层。电感器导体层70a的顺时针方向的上游侧的端部引出到绝缘体层16n的左侧边。由此，电感器L7与外部电极14a连接。
电感器导体层71a是设置在绝缘体层16m的表面上且在从上侧方向俯视时呈顺时针方向旋转的线状导体层。电感器导体层71a的顺时针方向的下游侧端部与过孔导体v1连接。由此，电感器L7与LC并联谐振器LC1连接。
过孔导体v40在上下方向上贯通绝缘体层16m，将电感器导体层70a的顺时针方向的下游侧端部和电感器导体层71a的顺时针方向的上游侧端部连接。
电感器L8包含电感器导体层70b、71b及过孔导体v41。电感器L8在从上侧方向俯视时，相对于层叠体12的左右方向的中央在前后方向上延伸的直线，与电感器L7成线对称的关系。因此，省略对于电感器L8的详细说明。
如上述构成的电子元器件10c也能够获得与电子元器件10a相同作用效果。
此外，在电子元器件10c中，在外部电极14a和外部电极14b之间的电感器L7、L8起到作为低通滤波器的功能。由此，如图20所示，在电子元器件10c中，比通频带更高的频带的衰减量变大。
(其他实施方式)
本发明所涉及的电子元器件不限于所述电子元器件10a～10c，能在其发明思想的范围内进行变更。
此外，可以任意组合电子元器件10a～10c的结构。
此外，环形面S1～S6可以相互不平行。
工业上的实用性
如上述的那样，本发明适用于电子元器件，尤其在能够进一步增大在通频带外的频带中的高频信号的衰减量这一方面较为优异。
符号说明
10a～10c：电子元器件
12：层叠体
14a～14c：外部电极
16a～16n：绝缘体层
17a～17f，18a～18f，19a～19f，70a，70b，71a，71b：电感器导体层
20a～20f，22，40a，40c，40d，40f，41a，41c，41d，41f，50a，50b，51a，51b：电容器导体层
31：接地导体层
60：连接导体层
C1～C6，Ca～Cg：电容器
L1～L8，L10：电感器
LC1～LC6：LC并联谐振器
S1～S6：环形面
SL1，SL2：狭缝
v1～v12，v20～v24，v40，v41：过孔导体

Claims (8)

1.一种电子元器件，其特征在于，包括：
将多个绝缘体层在层叠方向上层叠而成的层叠体；
第1LC并联谐振器至第6LC并联谐振器，在与所述层叠方向正交的第1正交方向上按照此顺序排列，并且构成带通滤波器；
第7电容器，连接在所述第1LC并联谐振器和所述第6LC并联谐振器之间；
第8电容器，连接在所述第1LC并联谐振器与所述第3LC并联谐振器之间；以及
第9电容器，连接在所述第4LC并联谐振器与所述第6LC并联谐振器之间，
第nLC并联谐振器分别包含第n电感器及第n电容器，其中，n是1至6的整数，
形成有由所述第n电感器及第n电容器包围而成的与所述层叠方向实质平行的第n个环形面，
在从所述第1正交方向俯视时，所述第1个环形面至所述第6个环形面中在该第1正交方向上相邻的环形面彼此重叠。
2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，
所述第n电感器分别包括：在所述层叠方向上贯通所述绝缘体层的第n个层间连接导体及第n+6个层间连接导体、和设置在所述绝缘体层上的第n电感器导体层，
所述第n个层间连接导体及所述第n+6个层间连接导体从所述第n电感器导体层向所述层叠方向的一侧延伸。
3.如权利要求2所述的电子元器件，其特征在于，
所述第n电容器由隔着所述绝缘体层而相对的第n电容器导体层及接地导体层构成，
所述第n个层间连接导体与所述第n电容器导体层连接，
所述第n+6个层间连接导体与所述接地导体层连接。
4.如权利要求3所述的电子元器件，其特征在于，
所述第7个层间连接导体至所述第9个层间连接导体比所述第1个层间连接导体至所述第3个层间连接导体更靠位于与所述层叠方向及与所述第1正交方向正交的第2正交方向的一侧的位置，
所述第10个层间连接导体至所述第12个层间连接导体比所述第4个层间连接导体至所述第6个层间连接导体更靠位于所述第2正交方向的另一侧的位置。
5.如权利要求2至4中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
所述第1电感器导体层至所述第6电感器导体层在与所述层叠方向及与所述第1正交方向正交的第2正交方向上延伸，
所述第m(m是1至5的整数)电感器导体层和所述第m+1电感器导体层在所述第1正交方向上的间隔中，所述第3电感器导体层与第4电感器导体层在第1正交方向上的间隔最小。
6.如权利要求3所述的电子元器件，其特征在于，
在所述接地导体层上设置狭缝，该狭缝从该接地导体层的外边缘向该外边缘的内侧延伸。
7.如权利要求2至6中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
还具备连接导体层，用于连接所述第1电感器与所述第6电感器。
8.如权利要求1至7中任一项所述的电子元器件，其特征在于，
还具备第1外部电极及第7电感器，该第7电感器连接在所述第1外部电极和所述第1LC并联谐振器之间。
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