WO2018142667A1 - Lc共振器 - Google Patents

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WO2018142667A1
WO2018142667A1 PCT/JP2017/035564 JP2017035564W WO2018142667A1 WO 2018142667 A1 WO2018142667 A1 WO 2018142667A1 JP 2017035564 W JP2017035564 W JP 2017035564W WO 2018142667 A1 WO2018142667 A1 WO 2018142667A1
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resonator
columnar
inductor
columnar conductor
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PCT/JP2017/035564
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博志 増田
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株式会社村田製作所
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    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F17/0013Printed inductances with stacked layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
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    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
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    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
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    • H03H1/00Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021Constructional details
    • H03H2001/0085Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Definitions

  • the present invention relates to an LC resonator in which a plurality of dielectric layers are stacked in the stacking direction.
  • Patent Document 1 discloses an LC including an inductor formed by two via conductor patterns extending in the stacking direction and a line conductor pattern connecting the two via conductor patterns. A resonator is disclosed.
  • the ratio of the length of the line conductor pattern to the length is increased.
  • the line conductor pattern having a shape (plate shape) with a small width (thickness) in the stacking direction as disclosed in Patent Document 1 has a cross-sectional area (cross-sectional area) orthogonal to the longitudinal direction as compared with the columnar via conductor pattern. Since it is small, the current density tends to increase. Therefore, when the ratio of the length of the line conductor pattern to the loop length of the inductor increases, the current density of the inductor increases. As the current density of the inductor increases, the proportion of signals lost in the LC resonator among the signals input to the LC resonator increases. That is, the insertion loss of the LC resonator increases and the Q value decreases.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to suppress a decrease in the Q value of the LC resonator accompanying a reduction in height.
  • the LC resonator according to an embodiment of the present invention is a stacked body in which a plurality of dielectric layers are stacked in the stacking direction.
  • the LC resonator includes an external connection terminal, an inductor, a capacitor, and a via conductor pattern.
  • the inductor is formed so as to be wound around a specific axis orthogonal to the stacking direction.
  • the capacitor is connected to the inductor.
  • the via conductor pattern extends from the inductor in the stacking direction, and connects the inductor and the external connection terminal.
  • the inductor includes a first columnar conductor pattern extending in a first direction orthogonal to the stacking direction. The area of the first columnar conductor pattern when viewed in plan from the first direction is equal to or greater than the area of the via conductor pattern when viewed in plan from the stacking direction.
  • the area of the first columnar conductor pattern when viewed in plan from the first direction is equal to or greater than the area of the via conductor pattern when viewed in plan from the stacking direction.
  • the current density of the first columnar conductor pattern is equal to or lower than the current density of the via conductor pattern. Therefore, even when the LC resonator is reduced in height, an increase in the current density of the inductor is suppressed. As a result, an increase in insertion loss of the LC resonator accompanying a reduction in height is suppressed, and a decrease in the Q value of the LC resonator can be suppressed.
  • FIG. 2 is an external perspective view of the LC resonator of FIG. 1.
  • 6 is an external perspective view of an LC resonator according to Comparative Example 1.
  • FIG. 6 is an external perspective view of an LC resonator according to Comparative Example 2.
  • FIG. It is a figure which shows collectively a mode that the columnar conductor pattern of FIG. 3 was planarly viewed from the X-axis direction, and a state that the via conductor pattern of FIG. 3 was planarly viewed from the Z-axis direction.
  • 6 is an external perspective view of an LC resonator according to Embodiment 2.
  • FIG. 8 is an external perspective view of the LC resonator of FIG. 7.
  • 6 is an external perspective view of an LC resonator according to a third embodiment.
  • FIG. FIG. 10 is an external perspective view of the LC resonator of FIG. 9.
  • 6 is an external perspective view of an LC resonator according to a fourth embodiment.
  • FIG. FIG. 12 is an external perspective view of the LC resonator of FIG. 11.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of an LC resonator 1 according to the present invention.
  • the LC resonator 1 includes external connection terminals P1 and P2, an inductor L1, and a capacitor C1.
  • the inductor L1 and the capacitor C1 are connected in parallel between the external connection terminals P1 and P2.
  • the equivalent circuit diagram of the LC resonators according to the first and second comparative examples of the first embodiment and the second to fourth embodiments described after the first embodiment is also shown in FIG. It is the same.
  • FIG. 2 is an external perspective view of the LC resonator 1.
  • FIG. 3 is an external perspective view of the LC resonator 1.
  • the LC resonator 1 is a stacked body in which a plurality of dielectric layers are stacked in the Z-axis direction (stacking direction). 2 and 3, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are orthogonal to each other. The same applies to FIGS. 4 to 12.
  • the LC resonator 1 has a rectangular parallelepiped shape, for example.
  • the surfaces of the outermost layer of the LC resonator 1 perpendicular to the stacking direction of the plurality of dielectric layers are defined as a bottom surface BF1 and a top surface UF1.
  • the surfaces parallel to the ZX plane are referred to as side surfaces SF1 and SF3.
  • the surfaces parallel to the YZ plane are referred to as side surfaces SF2 and SF4.
  • the thickness of the LC resonator 1 is H1.
  • Terminal electrodes TE1 to TE3 are formed on the bottom surface BF1.
  • the terminal electrodes TE1 to TE3 are, for example, LGA (Land Grid Array) terminals in which planar electrodes are regularly arranged.
  • the bottom surface BF1 is connected to a circuit board (not shown).
  • the terminal electrode TE4 is disposed across the upper surface UF1, the side surface SF4, and the bottom surface BF1.
  • the terminal electrodes TE4 and TE2 correspond to the external connection terminals P1 and P2 in FIG. 1, respectively.
  • square columnar conductor patterns CL11 and CL12, cylindrical via conductor patterns V1 to V3, and plate-like capacitor conductor patterns C11 and C12 are formed inside the plurality of dielectric layers. ing.
  • Each of the columnar conductor patterns CL11 and CL12 is formed to extend in the X-axis direction.
  • the columnar conductor patterns CL11 and CL12 are conductor patterns in which a conductor paste filled in a cavity formed in a ceramic sheet with a laser or a dicer by screen printing or a dispenser is thermoset.
  • the step between the ceramic sheet and the columnar conductor patterns CL11 and CL12 may be flattened by applying a ceramic paste after forming the columnar conductor patterns CL11 and CL12 on the ceramic sheet.
  • the via conductor pattern V1 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor pattern CL12 and the terminal electrode TE2.
  • the via conductor pattern V2 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor patterns CL11 and CL12.
  • the via conductor pattern V3 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor pattern CL11 and the capacitor conductor pattern C11.
  • the capacitor conductor pattern C11 is connected to the terminal electrode TE4.
  • the capacitor conductor pattern C12 is connected to the columnar conductor pattern CL12.
  • the capacitor conductor pattern C12 may be connected to the columnar conductor pattern CL12 via a via conductor pattern.
  • the via conductor pattern V3, the columnar conductor pattern CL11, the via conductor pattern V2, and the columnar conductor pattern CL12 are arranged so as to be wound around the specific axis WA1, thereby forming the inductor L1.
  • the capacitor conductor patterns C11 and C12 are opposed to each other in the stacking direction, and form a capacitor C1.
  • FIG. 4 is an external perspective view of the LC resonator 10 according to the first comparative example.
  • the LC resonator 10 is a stacked body of a plurality of dielectric layers, and has a rectangular parallelepiped shape, for example.
  • the surfaces of the outermost layer of the LC resonator 10 perpendicular to the stacking direction of the plurality of dielectric layers are defined as a bottom surface BF10 and a top surface UF10.
  • the surfaces parallel to the ZX plane are referred to as side surfaces SF101 and SF103.
  • the surfaces parallel to the YZ plane are referred to as side surfaces SF102 and SF104.
  • the thickness of the LC resonator 10 is H2 (> H1).
  • Terminal electrodes TE101 to TE103 are formed on the bottom surface BF10.
  • the terminal electrodes TE101 to TE103 are, for example, LGA (Land Grid Array) terminals in which planar electrodes are regularly arranged.
  • the bottom surface BF10 is connected to a circuit board (not shown).
  • the terminal electrode TE104 is disposed across the top surface UF10, the side surface SF104, and the bottom surface BF10. In the first modification, the terminal electrode TE104 corresponds to the external connection terminal P1, and the terminal electrodes TE101 and TE103 correspond to the external connection terminal P2.
  • line conductor patterns PL101, via conductor patterns V101 to V103, and capacitor conductor patterns C101 and C102 are formed.
  • the line conductor pattern PL101 is formed to extend in the X-axis direction.
  • Line conductor pattern PL101 is plate-shaped.
  • the thickness of the line conductor pattern PL101 is approximately the same as the thickness of the capacitor conductor pattern C101.
  • the thickness of the line conductor pattern PL101 is smaller than the columnar conductor pattern CL11 shown in FIG.
  • the length in the Y-axis direction of the line conductor pattern PL101 is approximately the same as the length in the Y-axis direction of the columnar conductor pattern CL11 shown in FIG.
  • via conductor pattern V101 extends in the Z-axis direction and connects capacitor conductor pattern C102 and terminal electrode TE103.
  • the via conductor pattern V102 extends in the Z-axis direction and connects the line conductor pattern PL101 and the terminal electrode TE101.
  • the via conductor pattern V103 extends in the Z-axis direction and connects the line conductor pattern PL101 and the capacitor conductor pattern C101.
  • the capacitor conductor pattern C101 is connected to the terminal electrode TE104.
  • the via conductor pattern V102, the line conductor pattern PL101, and the via conductor pattern V103 are disposed so as to be wound around the specific axis WA10, thereby forming the inductor L1.
  • Capacitor conductor patterns C101 and C102 face each other in the Z-axis direction to form a capacitor C1.
  • FIG. 5 is an external perspective view of the LC resonator 20 according to the second comparative example.
  • the LC resonator 20 is a stacked body of a plurality of dielectric layers, and has a rectangular parallelepiped shape, for example.
  • the surfaces of the outermost layer of the LC resonator 20 perpendicular to the stacking direction of the plurality of dielectric layers are defined as a bottom surface BF20 and a top surface UF20.
  • the surfaces parallel to the ZX plane are referred to as side surfaces SF201 and SF203.
  • the LC resonator 20 is an LC resonator in which the LC resonator 10 shown in FIG.
  • Terminal electrodes TE201 to TE203 are formed on the bottom surface BF20.
  • the terminal electrodes TE201 to TE203 are, for example, LGA (Land Grid Array) terminals in which planar electrodes are regularly arranged.
  • the bottom surface BF20 is connected to a circuit board (not shown).
  • the terminal electrode TE204 is disposed across the upper surface UF20, the side surface SF204, and the bottom surface BF20. In the second modification, the terminal electrode TE204 corresponds to the external connection terminal P1, and the terminal electrodes TE201 and TE203 correspond to the external connection terminal P2.
  • line conductor patterns PL201, via conductor patterns V201 to V203, and capacitor conductor patterns C201 and C202 are formed inside the plurality of dielectric layers.
  • the line conductor pattern PL201, the capacitor conductor patterns C201, C202, and the via conductor pattern V201 have the same shapes as the line conductor pattern PL101, the capacitor conductor patterns C101, C102, and the via conductor pattern V101 shown in FIG.
  • the via conductor pattern V202 shown in FIG. 5 is shorter than the via conductor pattern V102 shown in FIG.
  • the via conductor pattern V203 shown in FIG. 5 is shorter than the via conductor pattern V103 shown in FIG.
  • line conductor pattern PL201 is formed to extend in the X-axis direction.
  • the via conductor pattern V201 extends in the Z-axis direction and connects the capacitor conductor pattern C202 and the terminal electrode TE203.
  • the via conductor pattern V202 extends in the Z-axis direction and connects the line conductor pattern PL201 and the terminal electrode TE201.
  • the via conductor pattern V203 extends in the Z-axis direction and connects the line conductor pattern PL201 and the capacitor conductor pattern C201.
  • the capacitor conductor pattern C201 is connected to the terminal electrode TE204.
  • the via conductor pattern V202, the line conductor pattern PL201, and the via conductor pattern V203 are arranged so as to be wound around the specific axis WA20, thereby forming the inductor L1.
  • the capacitor conductor patterns C201 and C202 face each other in the stacking direction, and form a capacitor C1.
  • each of the via conductor patterns V102 and V103 is shortened.
  • the ratio of the length of the line conductor pattern PL201 to the loop length of the inductor L1 is higher than the ratio of the length of the line conductor pattern PL101 to the loop length of the inductor L1 in Comparative Example 1. Since the plate-like line conductor pattern PL201 has a smaller cross-sectional area than the columnar via conductor patterns V202 and V203, the current density tends to increase.
  • the proportion of the line conductor pattern PL201 occupying the inductor L1 increases, the current density of the inductor L1 increases.
  • the proportion of signals lost in the LC resonator 20 among the signals input to the LC resonator 20 increases. That is, the insertion loss of the LC resonator 20 is larger than the insertion loss of the LC resonator 10, and the Q value of the LC resonator 20 is lower than the Q value of the LC resonator 10.
  • FIG. 6 is a diagram showing a state in which the columnar conductor pattern CL11 in FIG. 3 is viewed in plan from the X-axis direction and a state in which the via conductor pattern V1 in FIG. 3 is viewed in plan from the Z-axis direction.
  • FIG. 6A is a diagram showing a state in which the columnar conductor pattern CL11 of FIG. 3 is viewed in plan from the X-axis direction.
  • the shape of the columnar conductor pattern CL11 when viewed in plan from the X-axis direction corresponds to the cross-sectional shape of the columnar conductor pattern CL11 in a cross section orthogonal to the longitudinal direction (X-axis direction) of the columnar conductor pattern.
  • the area of the shape of the columnar conductor pattern CL11 when viewed in plan from the X-axis direction is the cross-sectional area of the columnar conductor pattern CL11.
  • the lengths of the columnar conductor pattern CL11 in the Y-axis direction and the Z-axis direction are both D1.
  • the columnar conductor pattern CL11 is a square column having a square cross section.
  • the ratio of the length in the Z-axis direction to the length in the Y-axis direction of the columnar conductor pattern CL11 is 1.
  • the ratio of the length in the Z-axis direction to the length in the Y-axis direction of the columnar conductor pattern CL11 may be greater than 1.
  • Area of the columnar conductor pattern CL11 when viewed in plan from the X-axis direction (cross section) is D1 2.
  • FIG. 6B is a diagram illustrating a state in which the via conductor pattern V1 of FIG. 3 is viewed in plan from the Z-axis direction.
  • the shape of the via conductor pattern V1 when viewed in plan from the Z-axis direction corresponds to the cross-sectional shape of the via conductor pattern V1 in a cross section orthogonal to the longitudinal direction (Z-axis direction) of the via conductor pattern V1.
  • the area of the shape of the via conductor pattern V1 when viewed in plan from the Z-axis direction is the cross-sectional area of the via conductor pattern V1.
  • the via conductor pattern V1 is a cylinder having a diameter D1 in cross-sectional shape.
  • Area of the via conductor pattern V1 in a plan view from the Z-axis direction is ⁇ D1 2/4.
  • Area of the columnar conductor pattern CL11 when viewed in plan from the X-axis direction (D1 2) is greater than the area ( ⁇ D1 2/4) of the via conductor pattern V1 in a plan view from the Z-axis direction.
  • the area of the columnar conductor pattern CL12 when viewed in plan from the X-axis direction is larger than the area (cross-sectional area) of the via conductor pattern V1 when viewed in plan from the Z-axis direction.
  • the cross-sectional area of the columnar conductor pattern CL11 of the LC resonator 1 is larger than the cross-sectional area of the via conductor pattern V1. Therefore, the current density of the columnar conductor pattern CL11 is smaller than the current density of the line conductor pattern PL201 of the LC resonator 20 shown in FIG.
  • the LC resonator 1 an increase in insertion loss due to a reduction in height is suppressed as compared with the LC resonator 20, and a decrease in Q value can be suppressed.
  • the ratio of the length in the Z-axis direction to the length in the Y-axis direction of the columnar conductor pattern CL11 is 1. Compared with the case where the ratio of the length in the Z-axis direction to the length in the Y-axis direction is smaller than 1, a current easily flows through the columnar conductor pattern CL11. Compared with the case where the ratio of the length in the Z-axis direction to the length in the Y-axis direction is smaller than 1, in the LC resonator 1, an increase in insertion loss due to a reduction in height is suppressed, and a decrease in Q value is suppressed be able to.
  • the reduction in the Q value of the LC resonator can be suppressed by making the cross-sectional area of the columnar conductor pattern larger than the cross-sectional area of the via conductor pattern.
  • the ratio of the length in the Z-axis direction to the length in the Y-axis direction of the columnar conductor pattern C is set to 1 or more, so that the Q value of the LC resonator is lowered as the height is reduced Can be further suppressed.
  • the case where a columnar conductor pattern is used instead of the plate-like line conductor pattern as one of the conductor patterns forming the inductor has been described in order to suppress the decrease in the Q value accompanying the reduction in height. .
  • the columnar conductor pattern that is thicker than the line conductor pattern has a smaller inductance than the line conductor pattern. For this reason, when a columnar conductor pattern is used instead of the plate-like line conductor pattern as one of the conductor patterns forming the inductor, the inductance of the inductor may be smaller than a desired value.
  • the total length of the conductor pattern (inductor loop length) arranged so as to be wound around a specific axis is increased and surrounded by the conductor pattern.
  • the inductance of the inductor is increased by increasing the area of the portion (air core portion) that is present.
  • Embodiment 2 and Embodiment 3 the case where the columnar conductor pattern is lengthened will be described.
  • the fourth embodiment a case where the distance in the stacking direction of two columnar conductor patterns is increased will be described.
  • FIG. 7 is an external perspective view of the LC resonator 2 according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is an external perspective view of the LC resonator 2 of FIG.
  • the LC resonator 2 is a stacked body in which a plurality of dielectric layers are stacked in the Z-axis direction (stacking direction).
  • the LC resonator 2 has a rectangular parallelepiped shape, for example.
  • the surfaces of the outermost layer perpendicular to the stacking direction of the plurality of dielectric layers are defined as a bottom surface BF2 and a top surface UF2.
  • the surfaces parallel to the ZX plane are referred to as side surfaces SF21 and SF23.
  • the surfaces parallel to the YZ plane are referred to as side surfaces SF22 and SF24.
  • the thickness of the LC resonator 2 is H1.
  • Terminal electrodes TE21 to TE23 are formed on the bottom surface BF2.
  • the terminal electrodes TE21 to TE23 are, for example, LGA (Land Grid Array) terminals in which planar electrodes are regularly arranged.
  • the bottom surface BF2 is connected to a circuit board (not shown).
  • the terminal electrode TE24 is disposed across the upper surface UF2, the side surface SF24, and the bottom surface BF2.
  • the terminal electrodes TE24 and TE22 correspond to the external connection terminals P1 and P2 in FIG. 1, respectively.
  • An insulating layer INS21 containing a resin is formed on the side surface SF22.
  • square columnar columnar conductor patterns CL21 and CL22, columnar via conductor patterns V21 and V22, and plate-shaped capacitor conductor patterns C21 and C22 are formed inside the LC resonator 2. ing.
  • external electrodes OE21 are disposed outside the plurality of dielectric layers.
  • the insulating layer INS21 covers the portion of the external electrode OE21 that is exposed to the outside.
  • the insulating layer INS21 prevents the external electrode OE21 from contacting the external conductors of the plurality of dielectric layers.
  • Each of the columnar conductor patterns CL21 and CL22 is formed to extend in the X-axis direction. When viewed in plan from the X-axis direction, the lengths of the columnar conductor patterns CL21 in the Y-axis direction and the Z-axis direction are both D1.
  • the columnar conductor pattern CL21 is a square column having a square cross section. The same applies to the columnar conductor pattern CL22.
  • the via conductor pattern V21 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor pattern CL22 and the terminal electrode TE22.
  • the via conductor pattern V21 is a cylinder whose cross-sectional shape is a diameter D1.
  • the area of the columnar conductor pattern CL21 when viewed in plan from the X-axis direction is larger than the area of the via conductor pattern V21 when viewed in plan from the Z-axis direction.
  • the external electrode OE21 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor patterns CL21 and CL22.
  • the via conductor pattern V22 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor pattern CL21 and the capacitor conductor pattern C21.
  • the capacitor conductor pattern C22 is connected to the columnar conductor pattern CL22.
  • the capacitor conductor patterns C21 and C22 face each other in the Z-axis direction, and form a capacitor C1.
  • the via conductor pattern V22, the columnar conductor pattern CL21, the external electrode OE21, and the columnar conductor pattern CL22 are arranged so as to be wound around the specific axis WA2, thereby forming the inductor L1.
  • the external electrode OE21 connecting the columnar conductor patterns CL21 and CL22 is disposed on the side surface SF22 orthogonal to the longitudinal direction (X-axis direction) of the columnar conductor patterns CL21 and CL22. Therefore, the columnar conductor patterns CL21 and CL22 can be extended to the side surface SF22.
  • the columnar conductor patterns CL21 and CL22 can be longer than the columnar conductor patterns CL11 and CL12 of FIG.
  • the loop length of the inductor L1 can be made longer than that of the first embodiment, and the area of the air core part of the inductor L1 can be further increased. As a result, the inductance of the inductor L1 can be made larger than that in the first embodiment.
  • connection conductor connecting the columnar conductor patterns CL21 and CL22 is the external electrode OE21 . All portions of the external electrode OE21 are formed outside the plurality of dielectric layers. When there is no space for forming all of the connection conductor around the location where the LC resonator 2 is mounted, a part of the connection conductor is formed outside the plurality of dielectric layers. May be.
  • the second embodiment by forming one connection conductor for connecting two columnar conductor patterns included in the inductor outside the plurality of dielectric layers, the area of the air core part of the inductor can be reduced. Can be larger. As a result, the inductance of the inductor can be made larger than that in the first embodiment.
  • FIG. 9 is an external perspective view of the LC resonator 3 according to the third embodiment.
  • FIG. 10 is an external perspective view of the LC resonator 3 of FIG.
  • the LC resonator 3 is a stacked body in which a plurality of dielectric layers are stacked in the Z-axis direction (stacking direction).
  • the LC resonator 3 has, for example, a rectangular parallelepiped shape. Surfaces of the outermost layer perpendicular to the stacking direction are defined as a bottom surface BF3 and a top surface UF3. Of the surfaces parallel to the stacking direction, surfaces parallel to the ZX plane are referred to as side surfaces SF31 and SF33. Of the surfaces parallel to the stacking direction, the surfaces parallel to the YZ plane are referred to as side surfaces SF32 and SF34.
  • the thickness of the LC resonator 3 is H1.
  • Terminal electrodes TE31 to TE33 are formed on the bottom surface BF3.
  • the terminal electrodes TE31 to TE33 are, for example, LGA (Land Grid Array) terminals in which planar electrodes are regularly arranged.
  • the terminal electrodes TE32 and TE33 correspond to the external connection terminals P1 and P2 in FIG. 1, respectively.
  • An insulating layer INS31 containing a resin is formed on the side surface SF32.
  • An insulating layer INS32 containing a resin is formed on the side surface SF34.
  • square columnar columnar conductor patterns CL31, CL32, CL33, a columnar via conductor pattern V31, and plate-shaped capacitor conductor patterns C31, C32 are formed inside the plurality of dielectric layers. ing.
  • Each of the columnar conductor patterns CL31, CL32, CL33 is formed to extend in the X-axis direction.
  • the lengths of the columnar conductor pattern CL31 in the Y-axis direction and the Z-axis direction are both D1.
  • the columnar conductor pattern CL31 is a quadrangular column with a square cross section. The same applies to the columnar conductor patterns CL32 and CL33.
  • the via conductor pattern V31 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor pattern CL31 and the terminal electrode TE32.
  • the via conductor pattern V31 is a cylinder whose cross-sectional shape is a diameter D1.
  • the area of the columnar conductor pattern CL31 when viewed in plan from the X-axis direction is larger than the area of the via conductor pattern V31 when viewed in plan from the Z-axis direction.
  • the external electrode OE31 is disposed outside the plurality of dielectric layers on the side surface SF32.
  • the external electrode OE31 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor patterns CL31 and CL32.
  • the insulating layer INS31 covers a portion exposed to the outside of the external electrode OE31.
  • the insulating layer INS31 prevents the external electrode OE31 from contacting the external conductors of the plurality of dielectric layers.
  • the external electrode OE32 is disposed outside the plurality of dielectric layers on the side surface SF34.
  • the external electrode OE32 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor patterns CL31 and CL33.
  • the external electrode OE32 is connected to the terminal electrode TE33.
  • the insulating layer INS32 covers a portion exposed to the outside of the external electrode OE32.
  • the insulating layer INS32 prevents the external electrode OE32 from contacting the external conductors of the plurality of dielectric layers.
  • the capacitor conductor pattern C31 is connected to the columnar conductor pattern CL33.
  • the capacitor conductor pattern C32 is connected to the columnar conductor pattern CL32.
  • Capacitor conductor patterns C31 and C32 face each other in the Z-axis direction, and form a capacitor C1.
  • the columnar conductor pattern CL33, the external electrode OE32, the columnar conductor pattern CL31, the external electrode OE31, and the columnar conductor pattern CL32 are arranged so as to be wound around the specific axis WA3, thereby forming the inductor L1.
  • the external electrodes OE31 and OE32 connecting the columnar conductor patterns CL31 and CL32 are respectively disposed on the side surfaces SF32 and SF34 orthogonal to the longitudinal direction (X-axis direction) of the columnar conductor patterns CL31 and CL32. Yes. Therefore, the columnar conductor patterns CL31 and CL32 can be extended to the side surface SF32 and the side surface SF34.
  • the columnar conductor patterns CL31 and CL32 can be longer than the columnar conductor patterns CL21 and CL22 shown in FIG.
  • the loop length of the inductor L1 can be made longer than that of the second embodiment, and the area of the air core part of the inductor L1 can be further increased. As a result, the inductance of the inductor L1 can be made larger than that in the second embodiment.
  • the LC resonator according to the third embodiment similarly to the first embodiment, it is possible to suppress the decrease in the Q value accompanying the reduction in the height.
  • the air core portion of the inductor is formed more than in the second embodiment.
  • the area can be further increased.
  • the inductance of the inductor can be further increased.
  • FIG. 11 is an external perspective view of the LC resonator 4 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 12 is an external perspective view of the LC resonator 4 of FIG.
  • the LC resonator 4 is a stacked body in which a plurality of dielectric layers are stacked in the Z-axis direction (stacking direction).
  • the LC resonator 4 has a rectangular parallelepiped shape, for example.
  • Surfaces of the outermost layer perpendicular to the stacking direction of the plurality of dielectric layers are defined as a bottom surface BF4 and a top surface UF4.
  • the surfaces parallel to the ZX plane are referred to as side surfaces SF41 and SF43.
  • the surfaces parallel to the YZ plane are referred to as side surfaces SF42 and SF44.
  • the width (thickness) in the stacking direction of the LC resonator 4 is H1.
  • Terminal electrodes TE41 to TE43 are formed on the bottom surface BF4.
  • the terminal electrodes TE41 to TE43 are, for example, LGA (Land Grid Array) terminals in which planar electrodes are regularly arranged.
  • the terminal electrodes TE42 and TE43 correspond to the external connection terminals P1 and P2 in FIG. 1, respectively.
  • An insulating layer INS41 containing a resin is formed on the side surface SF42.
  • An insulating layer INS42 containing a resin is formed on the side surface SF44.
  • An insulating layer INS4 containing a resin is formed on the upper surface UF4.
  • rectangular columnar conductor patterns CL41, CL42, and CL43, a cylindrical via conductor pattern V41, and plate-like capacitor conductor patterns C41 and C42 are formed inside the plurality of dielectric layers. ing.
  • the columnar conductor pattern CL41 is disposed on the upper surface UF4 outside the plurality of dielectric layers.
  • the columnar conductor pattern CL41 is formed to extend in the X-axis direction.
  • the columnar conductor patterns CL42 and CL43 are formed to extend in the X-axis direction inside the plurality of dielectric layers.
  • the lengths of the columnar conductor pattern CL41 in the Y-axis direction and the Z-axis direction are both D1.
  • the columnar conductor pattern CL41 is a square column having a square cross section. The same applies to the columnar conductor patterns CL42 and CL43.
  • the via conductor pattern V41 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor pattern CL42 and the terminal electrode TE42.
  • the via conductor pattern V41 is a cylinder whose cross-sectional shape is a diameter D1.
  • the area of the columnar conductor pattern CL41 when viewed in plan from the X-axis direction is larger than the area of the via conductor pattern V41 when viewed in plan from the Z-axis direction.
  • the external electrode OE41 is disposed outside the plurality of dielectric layers on the side surface SF42.
  • the external electrode OE41 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor patterns CL41 and CL42.
  • the insulating layer INS41 covers a portion exposed to the outside of the external electrode OE41.
  • the insulating layer INS41 prevents the external electrode OE41 from contacting the external conductors of the plurality of dielectric layers.
  • the external electrode OE42 is disposed on the side surface SF44 outside the plurality of dielectric layers.
  • the external electrode OE42 extends in the Z-axis direction and connects the columnar conductor patterns CL41 and CL43.
  • the external electrode OE42 is connected to the terminal electrode TE43.
  • the insulating layer INS42 covers a portion exposed to the outside of the external electrode OE42.
  • the insulating layer INS42 prevents the external electrode OE42 from contacting the external conductors of the plurality of dielectric layers.
  • the capacitor conductor pattern C41 is connected to the columnar conductor pattern CL43.
  • the capacitor conductor pattern C42 is connected to the columnar conductor pattern CL42.
  • the capacitor conductor patterns C41 and C42 face each other in the Z-axis direction, and form a capacitor C1.
  • the columnar conductor pattern CL43, the external electrode OE42, the columnar conductor pattern CL41, the external electrode OE41, and the columnar conductor pattern CL42 are arranged so as to be wound around the specific axis WA4, thereby forming the inductor L1.
  • the columnar conductor pattern CL41 is formed on the upper surface UF4 outside the plurality of dielectric layers, whereby the distance between the columnar conductor patterns CL41 and CL42 is shown in FIG. 11 of the third embodiment. It can be made larger than the distance between the columnar conductor patterns CL31 and CL32.
  • the loop length of the inductor L1 can be made longer than that in the third embodiment, and the area of the air core part of the inductor L1 can be further increased. As a result, the inductance of the inductor L1 can be made larger than that in the third embodiment.
  • the LC resonator according to the fourth embodiment as in the first embodiment, it is possible to suppress the decrease in the Q value accompanying the reduction in height.
  • the area of the air core portion of the inductor can be further increased as compared with the third embodiment.
  • the inductance of the inductor can be further increased.

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Abstract

低背化に伴うLC共振器のQ値の低下を抑制する。本発明の一実施形態によるLC共振器(1)は、外部接続端子(TE2)と、インダクタと、キャパシタと、ビア導体パターン(V1)とを備える。インダクタは、積層方向に直交する特定軸のまわりに巻回されるように形成されている。キャパシタは、インダクタに接続されている。ビア導体パターン(V1)は、インダクタから積層方向に伸び、インダクタと外部接続端子(TE2)とを接続する。インダクタは、X軸方向に伸びる柱状導体パターン(CL11)を含む。X軸方向から平面視したときの柱状導体パターン(CL11)の面積は、Z軸方向から平面視したときのビア導体パターン(V1)の面積以上である。

Description

LC共振器
 本発明は、複数の誘電体層が積層方向に積層されたLC共振器に関する。
 従来から、積層方向に直交する特定軸の回りに巻回されるように形成されたインダクタを含むLC共振器が知られている。たとえば、特開2014-57277号公報(特許文献1)には、積層方向に伸びる2本のビア導体パターン、および当該2本のビア導体パターンを接続する線路導体パターンにより形成されたインダクタを含むLC共振器が開示されている。
特開2014-57277号公報
 近年、スマートフォンのような携帯型の無線通信機器において、小型化および低背化が要望されている。このような機器において使用されるLC共振器においても小型化および低背化が求められる。
 複数の誘電体層が積層方向に積層されたLC共振器を積層方向に低背化する場合、複数の誘電体層を積層方向に貫いているビア導体パターンの長さが短くなる。そのため、特許文献1に開示されているような、積層方向に直交する特定軸の回りに巻回されるように形成されたインダクタを含むLC共振器を低背化すると、インダクタに含まれるビア導体パターンが短くなる。
 特許文献1に開示されているようなインダクタのように、ビア導体パターンおよび線路導体パターンが特定軸のまわりにループを形成するように配置されている場合、ビア導体パターンが短くなると、インダクタのループ長に占める線路導体パターンの長さの割合が高くなる。特許文献1に開示されているような積層方向の幅(厚み)が小さい形状(板状)の線路導体パターンは、柱状のビア導体パターンよりも長手方向に直交する断面の面積(断面積)が小さいため、電流密度が大きくなり易い。そのため、インダクタのループ長に占める線路導体パターンの長さの割合が大きくなると、インダクタの電流密度が大きくなる。インダクタの電流密度が大きくなると、LC共振器に入力された信号のうち、LC共振器内で失われる信号の割合が高まる。すなわち、LC共振器の挿入損失が大きくなり、Q値が低下する。
 本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は低背化に伴うLC共振器のQ値の低下を抑制することである。
 本発明の一実施形態によるLC共振器は、複数の誘電体層が積層方向に積層された積層体である。LC共振器は、外部接続端子と、インダクタと、キャパシタと、ビア導体パターンとを備える。インダクタは、積層方向に直交する特定軸のまわりに巻回されるように形成されている。キャパシタは、インダクタに接続されている。ビア導体パターンは、インダクタから積層方向に伸び、インダクタと外部接続端子とを接続する。インダクタは、積層方向に直交する第1方向に伸びる第1柱状導体パターンを含む。第1方向から平面視したときの第1柱状導体パターンの面積は、積層方向から平面視したときのビア導体パターンの面積以上である。
 本発明に係るLC共振器においては、第1方向から平面視したときの第1柱状導体パターンの面積は、積層方向から平面視したときのビア導体パターンの面積以上である。第1柱状導体パターンの電流密度は、ビア導体パターンの電流密度以下になる。そのため、LC共振器を低背化した場合でも、インダクタの電流密度の増加が抑制される。その結果、低背化に伴うLC共振器の挿入損失の増加が抑制され、LC共振器のQ値の低下を抑制することができる。
本発明に係るLC共振器の等価回路図である。 図1のLC共振器の外観斜視図である。 図1のLC共振器に外観透視図である。 比較例1に係るLC共振器の外観透視図である。 比較例2に係るLC共振器の外観透視図である。 図3の柱状導体パターンをX軸方向から平面視した様子、および図3のビア導体パターンをZ軸方向から平面視した様子を併せて示す図である。 実施の形態2に係るLC共振器の外観斜視図である。 図7のLC共振器の外観透視図である。 実施の形態3に係るLC共振器の外観斜視図である。 図9のLC共振器の外観透視図である。 実施の形態4に係るLC共振器の外観斜視図である。 図11のLC共振器の外観透視図である。
 以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は原則として繰り返さない。
 [実施の形態1]
 図1は、本発明に係るLC共振器1の等価回路図である。図1に示されるように、LC共振器1は、外部接続端子P1,P2と、インダクタL1と、キャパシタC1とを備える。インダクタL1およびキャパシタC1とは、外部接続端子P1とP2との間で並列に接続されている。実施の形態1の比較例1、比較例2、および実施の形態1の後に説明する実施の形態2~実施の形態4に係るLC共振器の等価回路図も、図1に示される等価回路図と同様である。
 図2は、LC共振器1の外観斜視図である。図3は、LC共振器1の外観透視図である。LC共振器1は、複数の誘電体層をZ軸方向(積層方向)に積層した積層体である。図2,図3においてX軸方向、Y軸方向、およびZ軸方向は互いに直交している。図4~図12においても同様である。
 図2および図3に示されるように、LC共振器1は、たとえば直方体状である。複数の誘電体層の積層方向に垂直なLC共振器1の最外層の面を底面BF1および上面UF1とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちZX平面と平行な面を側面SF1およびSF3とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちYZ平面と平行な面を側面SF2およびSF4とする。LC共振器1の厚みは、H1である。
 底面BF1には、端子電極TE1~TE3が形成されている。端子電極TE1~TE3は、たとえば平面電極が規則的に配置されたLGA(Land Grid Array)端子である。底面BF1は、不図示の回路基板に接続される。上面UF1、側面SF4、および底面BF1に亘って、端子電極TE4が配置されている。実施の形態1においては、端子電極TE4,TE2が、図1の外部接続端子P1,P2にそれぞれ相当する。
 図3に示されるように、複数の誘電体層の内部には、四角柱状の柱状導体パターンCL11,CL12、円柱状のビア導体パターンV1~V3,板状のキャパシタ導体パターンC11,C12が形成されている。
 柱状導体パターンCL11,CL12の各々は、X軸方向に伸びるように形成されている。柱状導体パターンCL11,CL12は、たとえば、レーザーまたはダイサーによってセラミックシートに形成された空洞に、スクリーン印刷またはディスペンサによって充填された導体ペーストが、熱硬化した導体パターンである。あるいは、セラミックシートに柱状導体パターンCL11,CL12を形成した後、セラミックペーストを塗布することにより、当該セラミックシートと柱状導体パターンCL11,CL12との間の段差を平坦化してもよい。
 ビア導体パターンV1は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL12と端子電極TE2とを接続している。ビア導体パターンV2は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL11とCL12とを接続している。ビア導体パターンV3は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL11とキャパシタ導体パターンC11とを接続している。
 キャパシタ導体パターンC11は、端子電極TE4に接続されている。キャパシタ導体パターンC12は、柱状導体パターンCL12に接続されている。キャパシタ導体パターンC12は、ビア導体パターンを介して柱状導体パターンCL12に接続されていてもよい。
 ビア導体パターンV3、柱状導体パターンCL11、ビア導体パターンV2、および柱状導体パターンCL12は、特定軸WA1のまわりを巻回するように配置されることにより、インダクタL1を形成している。キャパシタ導体パターンC11とC12とは、積層方向に対向しており、キャパシタC1を形成している。
 図4は、比較例1に係るLC共振器10の外観透視図である。図4に示されるように、LC共振器10は、複数の誘電体層の積層体であり、たとえば直方体状である。複数の誘電体層の積層方向に垂直なLC共振器10の最外層の面を底面BF10および上面UF10とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちZX平面と平行な面を側面SF101およびSF103とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちYZ平面と平行な面を側面SF102およびSF104とする。LC共振器10の厚みは、H2(>H1)である。
 底面BF10には、端子電極TE101~TE103が形成されている。端子電極TE101~TE103は、たとえば平面電極が規則的に配置されたLGA(Land Grid Array)端子である。底面BF10は、不図示の回路基板に接続される。上面UF10、側面SF104、および底面BF10に亘って、端子電極TE104が配置されている。変形例1においては、端子電極TE104が外部接続端子P1に相当し、端子電極TE101,TE103が外部接続端子P2に相当する。
 複数の誘電体層の内部には、線路導体パターンPL101、ビア導体パターンV101~V103,キャパシタ導体パターンC101,C102が形成されている。
 線路導体パターンPL101は、X軸方向に伸びるように形成されている。線路導体パターンPL101は、板状である。線路導体パターンPL101の厚みは、キャパシタ導体パターンC101の厚みと同程度である。線路導体パターンPL101の厚みは、図3に示される柱状導体パターンCL11よりも小さい。線路導体パターンPL101のY軸方向の長さは、図3に示される柱状導体パターンCL11のY軸方向の長さと同程度である。
 再び図4を参照して、ビア導体パターンV101は、Z軸方向に伸び、キャパシタ導体パターンC102と端子電極TE103とを接続している。ビア導体パターンV102は、Z軸方向に伸び、線路導体パターンPL101と端子電極TE101とを接続している。ビア導体パターンV103は、Z軸方向に伸び、線路導体パターンPL101とキャパシタ導体パターンC101とを接続している。キャパシタ導体パターンC101は、端子電極TE104に接続されている。
 ビア導体パターンV102、線路導体パターンPL101、ビア導体パターンV103は、特定軸WA10のまわりを巻回するように配置されることにより、インダクタL1を形成している。キャパシタ導体パターンC101とC102とは、Z軸方向に対向しており、キャパシタC1を形成している。
 図5は、比較例2に係るLC共振器20の外観透視図である。図5に示されるように、LC共振器20は、複数の誘電体層の積層体であり、たとえば直方体状である。複数の誘電体層の積層方向に垂直なLC共振器20の最外層の面を底面BF20および上面UF20とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちZX平面と平行な面を側面SF201およびSF203とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちYZ平面と平行な面を側面SF202およびSF204とする。LC共振器20の厚みは、H1(<H2)である。LC共振器20は、図4に示されるLC共振器10を積層方向に低背化したLC共振器である。
 底面BF20には、端子電極TE201~TE203が形成されている。端子電極TE201~TE203は、たとえば平面電極が規則的に配置されたLGA(Land Grid Array)端子である。底面BF20は、不図示の回路基板に接続される。上面UF20、側面SF204、および底面BF20に亘って、端子電極TE204が配置されている。変形例2においては、端子電極TE204が外部接続端子P1に相当し、端子電極TE201,TE203が外部接続端子P2に相当する。
 複数の誘電体層の内部には、線路導体パターンPL201、ビア導体パターンV201~V203,キャパシタ導体パターンC201,C202が形成されている。線路導体パターンPL201、キャパシタ導体パターンC201,C202、およびビア導体パターンV201は、図4に示される線路導体パターンPL101、キャパシタ導体パターンC101,C102、およびビア導体パターンV101とそれぞれ同様の形状である。図5に示されるビア導体パターンV202は、図4に示されるビア導体パターンV102よりも短い。図5に示されるビア導体パターンV203は、図4に示されるビア導体パターンV103よりも短い。
 再び図5を参照して、線路導体パターンPL201は、X軸方向に伸びるように形成されている。ビア導体パターンV201は、Z軸方向に伸び、キャパシタ導体パターンC202と端子電極TE203とを接続している。ビア導体パターンV202は、Z軸方向に伸び、線路導体パターンPL201と端子電極TE201とを接続している。ビア導体パターンV203は、Z軸方向に伸び、線路導体パターンPL201とキャパシタ導体パターンC201とを接続している。キャパシタ導体パターンC201は、端子電極TE204に接続されている。
 ビア導体パターンV202、線路導体パターンPL201、ビア導体パターンV203は、特定軸WA20のまわりを巻回するように配置されることにより、インダクタL1を形成している。キャパシタ導体パターンC201とC202とは、積層方向に対向しており、キャパシタC1を形成している。
 図4に示されるLC共振器10(厚みH2)を図5に示されるLC共振器20(厚みH1)に低背化すると、ビア導体パターンV102,V103の各々が短くなる。比較例2においてインダクタL1のループ長に占める線路導体パターンPL201の長さの割合は、比較例1においてインダクタL1のループ長に占める線路導体パターンPL101の長さの割合より高くなる。板状の線路導体パターンPL201は、柱状のビア導体パターンV202およびV203よりも断面積が小さいため、電流密度が大きくなり易い。そのため、インダクタL1に占める線路導体パターンPL201の割合が大きくなると、インダクタL1の電流密度が大きくなる。インダクタL1の電流密度が大きくなると、LC共振器20に入力された信号のうち、LC共振器20内で失われる信号の割合が高まる。すなわち、LC共振器20の挿入損失がLC共振器10の挿入損失よりも大きくなり、LC共振器20のQ値がLC共振器10のQ値よりも低下する。
 そこで、実施の形態1においては、インダクタL1を形成する導体パターンの1つとして、板状の線路導体パターンに替えて、電流密度がビア導体パターン以下となる柱状導体パターンを用いる。図6は、図3の柱状導体パターンCL11をX軸方向から平面視した様子、および図3のビア導体パターンV1をZ軸方向から平面視した様子を併せて示す図である。
 図6(a)は、図3の柱状導体パターンCL11をX軸方向から平面視した様子を示す図である。実施の形態1においてX軸方向から平面視したときの柱状導体パターンCL11の形状は、柱状導体パターンの長手方向(X軸方向)に直交する断面における柱状導体パターンCL11の断面形状に相当する。実施の形態1においてX軸方向から平面視したときの柱状導体パターンCL11の形状の面積は、柱状導体パターンCL11の断面積である。
 図6(a)に示されるように、柱状導体パターンCL11のY軸方向およびZ軸方向における長さはいずれもD1である。柱状導体パターンCL11は、断面の形状が正方形の四角柱である。柱状導体パターンCL11のY軸方向の長さに対するZ軸方向の長さの比は、1である。柱状導体パターンCL11のY軸方向の長さに対するZ軸方向の長さの比は、1より大きくてもよい。X軸方向から平面視したときの柱状導体パターンCL11の面積(断面積)は、D1である。
 図6(b)は、図3のビア導体パターンV1をZ軸方向から平面視した様子を示す図である。実施の形態1においてZ軸方向から平面視したときのビア導体パターンV1の形状は、ビア導体パターンV1の長手方向(Z軸方向)に直交する断面におけるビア導体パターンV1の断面形状に相当する。実施の形態1においてZ軸方向から平面視したときのビア導体パターンV1の形状の面積は、ビア導体パターンV1の断面積である。
 図6(b)に示されるように、ビア導体パターンV1は、断面形状が直径D1の円柱である。Z軸方向から平面視したときのビア導体パターンV1の面積は、πD1/4である。X軸方向から平面視したときの柱状導体パターンCL11の面積(D1)は、Z軸方向から平面視したときのビア導体パターンV1の面積(πD1/4)より大きい。同様に、X軸方向から平面視したときの柱状導体パターンCL12の面積は、Z軸方向から平面視したときのビア導体パターンV1の面積(断面積)より大きい。
 LC共振器1の柱状導体パターンCL11の断面積は、ビア導体パターンV1の断面積よりも大きい。そのため、柱状導体パターンCL11の電流密度は、図5に示されるLC共振器20の線路導体パターンPL201の電流密度よりも小さい。LC共振器1においてはLC共振器20よりも、低背化に伴う挿入損失の増加が抑制され、Q値の低下を抑制することができる。
 また、LC共振器1においては、柱状導体パターンCL11のY軸方向の長さに対するZ軸方向の長さの比は、1である。Y軸方向の長さに対するZ軸方向の長さの比が1より小さい場合に比べて、柱状導体パターンCL11に電流が流れやすい。Y軸方向の長さに対するZ軸方向の長さの比が1より小さい場合に比べて、LC共振器1においては低背化に伴う挿入損失の増加が抑制され、Q値の低下を抑制することができる。
 以上、実施の形態1に係るLC共振器によれば、柱状導体パターンの断面積をビア導体パターンの断面積よりも大きくすることにより、LC共振器のQ値の低下を抑制することができる。
 さらに、実施の形態1においては、柱状導体パターンCのY軸方向の長さに対するZ軸方向の長さの比を1以上とすることにより、低背化に伴うLC共振器のQ値の低下をさらに抑制することができる。
 実施の形態1においては、低背化に伴うQ値の低下を抑制するため、インダクタを形成する導体パターンの1つとして、板状の線路導体パターンに替えて柱状導体パターンを用いる場合について説明した。線路導体パターンよりも厚みの大きい柱状導体パターンは、線路導体パターンよりもインダクタンスが小さい。そのため、インダクタを形成する導体パターンの1つとして、板状の線路導体パターンに替えて柱状導体パターンを用いると、インダクタのインダクタンスが所望の値よりも小さくなる可能性がある。そこで、実施の形態2~実施の形態4においては、特定軸のまわりを巻回するように配置されている導体パターンの合計長さ(インダクタのループ長)を長くして当該導体パターンによって囲まれている部分(空芯部)の面積を大きくすることにより、インダクタのインダクタンスを大きくする場合について説明する。
 実施の形態2および実施の形態3においては、柱状導体パターンを長くする場合について説明する。実施の形態4においては、2つの柱状導体パターンの積層方向の距離を大きくする場合について説明する。
 [実施の形態2]
 図7は、実施の形態2に係るLC共振器2の外観斜視図である。図8は、図7のLC共振器2の外観透視図である。LC共振器2は、複数の誘電体層をZ軸方向(積層方向)に積層した積層体である。
 図7および図8に示されるように、LC共振器2は、たとえば直方体状である。複数の誘電体層の積層方向に垂直な最外層の面を底面BF2および上面UF2とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちZX平面と平行な面を側面SF21およびSF23とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちYZ平面と平行な面を側面SF22およびSF24とする。LC共振器2の厚みは、H1である。
 底面BF2には、端子電極TE21~TE23が形成されている。端子電極TE21~TE23は、たとえば平面電極が規則的に配置されたLGA(Land Grid Array)端子である。底面BF2は、不図示の回路基板に接続される。上面UF2、側面SF24、および底面BF2に亘って、端子電極TE24が配置されている。実施の形態2において、端子電極TE24,TE22が、図1の外部接続端子P1,P2にそれぞれ相当する。側面SF22には、樹脂を含む絶縁層INS21が形成されている。
 図8に示されるように、LC共振器2の内部には、四角柱状の柱状導体パターンCL21,CL22、円柱状のビア導体パターンV21,V22、および板状のキャパシタ導体パターンC21,C22が形成されている。また、側面SF22には、複数の誘電体層の外部において外部電極OE21が配置されている。絶縁層INS21は、外部に露出している外部電極OE21の部分を覆っている。絶縁層INS21により、外部電極OE21が複数の誘電体層の外部の導体に接触することが防止される。
 柱状導体パターンCL21,CL22の各々は、X軸方向に伸びるように形成されている。X軸方向から平面視したとき、柱状導体パターンCL21のY軸方向およびZ軸方向における長さはいずれもD1である。柱状導体パターンCL21は、断面の形状が正方形の四角柱である。柱状導体パターンCL22についても同様である。
 ビア導体パターンV21は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL22と端子電極TE22とを接続している。ビア導体パターンV21は、断面の形状が直径D1の円柱である。
 X軸方向から平面視したときの柱状導体パターンCL21の面積は、Z軸方向から平面視したときのビア導体パターンV21の面積より大きい。柱状導体パターンCL22についても同様である。Z軸方向から平面視したときのビア導体パターンV21の面積より大きい。
 外部電極OE21は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL21とCL22とを接続している。ビア導体パターンV22は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL21とキャパシタ導体パターンC21とを接続している。キャパシタ導体パターンC22は、柱状導体パターンCL22に接続されている。キャパシタ導体パターンC21とC22とは、Z軸方向に対向しており、キャパシタC1を形成している。
 ビア導体パターンV22、柱状導体パターンCL21、外部電極OE21、および柱状導体パターンCL22は、特定軸WA2のまわりを巻回するように配置されることにより、インダクタL1を形成している。
 実施の形態2においては、柱状導体パターンCL21とCL22とを接続する外部電極OE21が、柱状導体パターンCL21およびCL22の長手方向(X軸方向)に直交する側面SF22に配置されている。そのため、柱状導体パターンCL21とCL22とを側面SF22まで伸ばすことができる。柱状導体パターンCL21およびCL22は、図3の柱状導体パターンCL11およびCL12よりも長くすることができる。インダクタL1のループ長を実施の形態1よりも長くすることができ、インダクタL1の空芯部の面積をさらに大きくすることができる。その結果、インダクタL1のインダクタンスを実施の形態1よりも大きくすることができる。
 実施の形態2においては、柱状導体パターンCL21およびCL22を接続する接続導体が外部電極OE21である場合について説明した。外部電極OE21は、その全ての部分が複数の誘電体層の外部に形成されている。LC共振器2が実装される箇所の周辺に、当該接続導体の全ての部分を形成するスペースがない場合には、当該接続導体の一部が複数の誘電体層の外部に形成されるようにしてもよい。
 以上、実施の形態2に係るLC共振器によれば、実施の形態1と同様に、低背化に伴うQ値の低下を抑制することができる。
 さらに、実施の形態2において、インダクタに含まれる2つの柱状導体パターンを接続する1つの接続導体を複数の誘電体層の外部に形成することにより、インダクタの空芯部の面積を実施の形態1よりも大きくすることができる。その結果、インダクタのインダクタンスを実施の形態1よりも大きくすることができる。
 [実施の形態3]
 実施の形態2においては、柱状導体パターンの長手方向に直交する複数の誘電体層の1つの側面に外部電極を配置することにより、柱状導体パターンを長くする場合について説明した。実施の形態3においては、柱状導体パターンの長手方向に直交する複数の誘電体層の2つの側面の双方に外部電極を配置して、柱状導体パターンをさらに長くする場合について説明する。
 図9は、実施の形態3に係るLC共振器3の外観斜視図である。図10は、図9のLC共振器3の外観透視図である。LC共振器3は、複数の誘電体層をZ軸方向(積層方向)に積層した積層体である。
 図9および図10に示されるように、LC共振器3は、たとえば直方体状である。積層方向に垂直な最外層の面を底面BF3および上面UF3とする。積層方向に平行な面のうちZX平面と平行な面を側面SF31およびSF33とする。積層方向に平行な面のうちYZ平面と平行な面を側面SF32およびSF34とする。LC共振器3の厚みは、H1である。
 底面BF3には、端子電極TE31~TE33が形成されている。端子電極TE31~TE33は、たとえば平面電極が規則的に配置されたLGA(Land Grid Array)端子である。実施の形態3において、端子電極TE32,TE33が、図1の外部接続端子P1,P2にそれぞれ相当する。側面SF32には、樹脂を含む絶縁層INS31が形成されている。側面SF34には、樹脂を含む絶縁層INS32が形成されている。
 図10に示されるように、複数の誘電体層の内部には、四角柱状の柱状導体パターンCL31,CL32,CL33、円柱状のビア導体パターンV31、板状のキャパシタ導体パターンC31,C32が形成されている。
 柱状導体パターンCL31,CL32,CL33の各々は、X軸方向に伸びるように形成されている。X軸方向から平面視したとき、柱状導体パターンCL31のY軸方向およびZ軸方向における長さはいずれもD1である。柱状導体パターンCL31は、断面の形状が正方形の四角柱である。柱状導体パターンCL32およびCL33についても同様である。
 ビア導体パターンV31は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL31と端子電極TE32とを接続している。ビア導体パターンV31は、断面の形状が直径D1の円柱である。
 X軸方向から平面視したときの柱状導体パターンCL31の面積は、Z軸方向から平面視したときのビア導体パターンV31の面積より大きい。柱状導体パターンCL32,CL33についても同様である。
 側面SF32には、複数の誘電体層の外部において外部電極OE31が配置されている。外部電極OE31は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL31とCL32とを接続している。
 絶縁層INS31は、外部電極OE31の外部に露出している部分を覆っている。絶縁層INS31により、外部電極OE31が複数の誘電体層の外部の導体に接触することが防止される。
 側面SF34には、複数の誘電体層の外部において外部電極OE32が配置されている。外部電極OE32は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL31とCL33とを接続している。外部電極OE32は、端子電極TE33に接続されている。
 絶縁層INS32は、外部電極OE32の外部に露出している部分を覆っている。絶縁層INS32により、外部電極OE32が複数の誘電体層の外部の導体に接触することが防止される。
 キャパシタ導体パターンC31は、柱状導体パターンCL33に接続されている。キャパシタ導体パターンC32は、柱状導体パターンCL32に接続されている。キャパシタ導体パターンC31とC32とは、Z軸方向に対向しており、キャパシタC1を形成している。
 柱状導体パターンCL33、外部電極OE32、柱状導体パターンCL31、外部電極OE31、および柱状導体パターンCL32は、特定軸WA3のまわりを巻回するように配置されることにより、インダクタL1を形成している。
 実施の形態3においては、柱状導体パターンCL31とCL32とを接続する外部電極OE31,OE32が、柱状導体パターンCL31およびCL32の長手方向(X軸方向)に直交する側面SF32,SF34にそれぞれ配置されている。そのため、柱状導体パターンCL31とCL32とを側面SF32および側面SF34まで伸ばすことができる。柱状導体パターンCL31およびCL32は、図8に示される柱状導体パターンCL21およびCL22よりも長くすることができる。実施の形態3においては、インダクタL1のループ長を実施の形態2よりも長くすることができ、インダクタL1の空芯部の面積をさらに大きくすることができる。その結果、インダクタL1のインダクタンスを実施の形態2よりも大きくすることができる。
 以上、実施の形態3に係るLC共振器によれば、実施の形態1と同様に、低背化に伴うQ値の低下を抑制することができる。
 さらに、実施の形態3において、インダクタに含まれる2つの柱状導体パターンを接続する2つの接続導体を複数の誘電体層の外部に形成することにより、実施の形態2よりもインダクタの空芯部の面積をさらに大きくすることができる。その結果、インダクタのインダクタンスをさらに大きくすることができる。
 [実施の形態4]
 実施の形態2および実施の形態3においては、柱状導体パターンを長くすることによってインダクタのインダクタンスを大きくする場合について説明した。実施の形態4においては、2つの柱状導体パターンの積層方向の距離を大きくすることによってインダクタのインダクタンスを大きくする場合について説明する。
 図11は、実施の形態4に係るLC共振器4の外観斜視図である。図12は、図11のLC共振器4の外観透視図である。LC共振器4は、複数の誘電体層をZ軸方向(積層方向)に積層した積層体である。
 図11および図12に示されるように、LC共振器4は、たとえば直方体状である。複数の誘電体層の積層方向に垂直な最外層の面を底面BF4および上面UF4とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちZX平面と平行な面を側面SF41およびSF43とする。複数の誘電体層の積層方向に平行な面のうちYZ平面と平行な面を側面SF42およびSF44とする。LC共振器4の積層方向の幅(厚み)は、H1である。
 底面BF4には、端子電極TE41~TE43が形成されている。端子電極TE41~TE43は、たとえば平面電極が規則的に配置されたLGA(Land Grid Array)端子である。実施の形態4において、端子電極TE42,TE43が、図1の外部接続端子P1,P2にそれぞれ相当する。側面SF42には、樹脂を含む絶縁層INS41が形成されている。側面SF44には、樹脂を含む絶縁層INS42が形成されている。上面UF4には、樹脂を含む絶縁層INS4が形成されている。
 図10に示されるように、複数の誘電体層の内部には、四角柱状の柱状導体パターンCL41,CL42,CL43、円柱状のビア導体パターンV41、板状のキャパシタ導体パターンC41,C42が形成されている。
 柱状導体パターンCL41は、複数の誘電体層の外部において上面UF4に配置されている。柱状導体パターンCL41は、X軸方向に伸びるように形成されている。柱状導体パターンCL42,CL43は、複数の誘電体層の内部において、X軸方向に伸びるように形成されている。柱状導体パターンCL41は、X軸方向から平面視したとき、柱状導体パターンCL41のY軸方向およびZ軸方向における長さはいずれもD1である。柱状導体パターンCL41は、断面の形状が正方形の四角柱である。柱状導体パターンCL42およびCL43についても同様である。
 ビア導体パターンV41は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL42と端子電極TE42とを接続している。ビア導体パターンV41は、断面の形状が直径D1の円柱である。
 X軸方向から平面視したときの柱状導体パターンCL41の面積は、Z軸方向から平面視したときのビア導体パターンV41の面積より大きい。柱状導体パターンCL42,CL43についても同様である。
 側面SF42には、複数の誘電体層の外部において外部電極OE41が配置されている。外部電極OE41は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL41とCL42とを接続している。
 絶縁層INS41は、外部電極OE41の外部に露出している部分を覆っている。絶縁層INS41により、外部電極OE41が、複数の誘電体層の外部の導体に接触することが防止される。
 側面SF44には、複数の誘電体層の外部において外部電極OE42が配置されている。外部電極OE42は、Z軸方向に伸び、柱状導体パターンCL41とCL43とを接続している。外部電極OE42は、端子電極TE43に接続されている。
 絶縁層INS42は、外部電極OE42の外部に露出している部分を覆っている。絶縁層INS42により、外部電極OE42が複数の誘電体層の外部の導体に接触することが防止される。
 キャパシタ導体パターンC41は、柱状導体パターンCL43に接続されている。キャパシタ導体パターンC42は、柱状導体パターンCL42に接続されている。キャパシタ導体パターンC41とC42とは、Z軸方向に対向しており、キャパシタC1を形成している。
 柱状導体パターンCL43、外部電極OE42、柱状導体パターンCL41、外部電極OE41、柱状導体パターンCL42は、特定軸WA4のまわりを巻回するように配置されることにより、インダクタL1を形成している。
 実施の形態4においては、柱状導体パターンCL41を複数の誘電体層の外部において上面UF4に形成することにより、柱状導体パターンCL41とCL42との間の距離を、実施の形態3の図11に示される柱状導体パターンCL31とCL32との間の距離よりも大きくすることができる。インダクタL1のループ長を実施の形態3よりも長くすることができ、インダクタL1の空芯部の面積をさらに大きくすることができる。その結果、インダクタL1のインダクタンスを実施の形態3よりも大きくすることができる。
 以上、実施の形態4に係るLC共振器によれば、実施の形態1と同様に、低背化に伴うQ値の低下を抑制することができる。
 さらに、実施の形態4において、インダクタに含まれる柱状導体パターンを複数の誘電体層の外部に形成することにより、実施の形態3よりもインダクタの空芯部の面積をさらに大きくすることができる。その結果、インダクタのインダクタンスをさらに大きくすることができる。
 今回開示された各実施の形態は、矛盾しない範囲で適宜組み合わされて実施されることも予定されている。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
 1~4,10,20 LC共振器、C11,C12,C21,C22,C31,C32,C41,C42,C101,C102,C201,C202 キャパシタ導体パターン、C1 キャパシタ、CL11,CL12,CL21,CL22,CL31~CL33,CL41~CL43 柱状導体パターン、INS4,INS21,INS31,INS32,INS41,INS42 絶縁層、L1 インダクタ、OE21,OE31,OE32,OE41,OE42 外部電極、P1,P2 外部接続端子、PL101,PL201 線路導体パターン、TE1~TE4,TE21~TE24,TE31~TE33,TE41~TE43,TE101~TE104,TE201~TE204 端子電極、V1~V3,V21,V22,V31,V41,V101~V103,V201~V203 ビア導体パターン。

Claims (10)

  1.  複数の誘電体層が積層方向に積層されたLC共振器であって、
     外部接続端子と、
     前記積層方向に直交する特定軸のまわりに巻回されるように形成されたインダクタと、
     前記インダクタに接続されたキャパシタと、
     前記インダクタから前記積層方向に伸び、前記インダクタと前記外部接続端子とを接続するビア導体パターンとを備え、
     前記インダクタは、前記積層方向に直交する第1方向に伸びる第1柱状導体パターンを含み、
     前記第1方向から平面視したときの前記第1柱状導体パターンの面積は、前記積層方向から平面視したときの前記ビア導体パターンの面積以上である、LC共振器。
  2.  前記第1方向から平面視したとき、前記積層方向および前記第1方向の双方に直交する第2方向における前記第1柱状導体パターンの第1長さに対する前記積層方向における前記第1柱状導体パターンの第2長さの比は、1以上である、請求項1に記載のLC共振器。
  3.  前記インダクタは、
     前記第1方向に伸びる第2柱状導体パターンと、
     前記積層方向に伸び、前記第1柱状導体パターンと前記第2柱状導体パターンとを接続する第1接続導体と、
     前記積層方向に伸び、前記第1柱状導体パターンと前記キャパシタとを接続する第2接続導体とを含み、
     前記第1柱状導体パターン、前記第1接続導体、および前記第2柱状導体パターンは、前記特定軸を巻回するように配置され、
     前記第2柱状導体パターンと前記第2接続導体とは、前記キャパシタを介して接続され、
     前記ビア導体パターンは、前記第2柱状導体パターンと前記外部接続端子とを接続している、請求項2に記載のLC共振器。
  4.  前記第1方向から平面視したとき、前記第2方向における前記第2柱状導体パターンの第3長さに対する前記積層方向における前記第2柱状導体パターンの第4長さの比は、1以上であり、
     前記第1方向から平面視したときの前記第2柱状導体パターンの面積は、前記積層方向から平面視したときの前記ビア導体パターンの面積以上である、請求項3に記載のLC共振器。
  5.  前記第1接続導体の少なくとも一部は、前記積層方向に沿う前記複数の誘電体層の第1側面から外部に露出しており、
     前記LC共振器は、前記第1接続導体の前記複数の誘電体層の外部に露出している部分を覆う第1側面絶縁部をさらに備える、請求項3または請求項4に記載のLC共振器。
  6.  前記第1接続導体は、前記複数の誘電体層の外部において前記第1側面に配置されている、請求項5に記載のLC共振器。
  7.  前記第2接続導体の少なくとも一部は、前記第1側面に平行な前記複数の誘電体層の第2側面から前記複数の誘電体層の外部に露出しており、
     前記LC共振器は、前記第2接続導体の前記複数の誘電体層の外部に露出している部分を覆う第2側面絶縁部をさらに備える、請求項5または請求項6に記載のLC共振器。
  8.  前記第2接続導体は、前記複数の誘電体層の外部において前記第2側面に配置されている、請求項7に記載のLC共振器。
  9.  前記第1柱状導体パターンの少なくとも一部は、前記積層方向に直交する前記複数の誘電体層の特定面から前記複数の誘電体層の外部に露出しており、
     前記LC共振器は、前記第1柱状導体パターンの前記複数の誘電体層の外部に露出している部分を覆う絶縁部をさらに備える、請求項1~請求項8のいずれか1項に記載のLC共振器。
  10.  前記第1柱状導体パターンは、前記複数の誘電体層の外部において前記特定面に配置されている、請求項9に記載のLC共振器。
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