JP5609968B2 - 高周波積層部品および積層型高周波フィルタ - Google Patents

Description

本発明は、複数の絶縁体層に所定パターンで電極を形成して所望の回路機能を実現する高周波積層部品および当該高周波積層部品の構成を利用した積層型高周波フィルタに関する。

従来から各種の高周波積層部品が携帯電話等の無線機器に利用されている。高周波積層部品は、例えば特許文献１にも示されているように、複数の絶縁体層を積層した構造からなる。

高周波積層部品では、複数の絶縁体層に対して所定の電極パターンを形成することで、インダクタやキャパシタを形成している。そして、これらの電極パターンからなるインダクタやキャパシタを、他の電極パターンで接続することで、例えばバンドパスフィルタ等の回路機能を実現する。

このような高周波積層部品は、他の回路基板に実装されて使用されるため、実装用の端子電極を有する。端子電極は、通常、高周波積層部品の端面（側面）や底面に形成されている。したがって、上述のインダクタやキャパシタ等の回路機能部を構成する電極パターンと端子電極とを接続する引き回し用電極を設ける必要が有る。例えば、特許文献１では、底面のグランド電極に所定層の電極パターンを接続するために、積層体の端面（側面）にこれらを接続する電極を形成している。

ところで、例えば特許文献１に記載の積層構造では、回路機能部を構成する電極とグランド電極との引き回し電極が長くなり、寄生インダクタＬｇの影響が大きくなってしまう。寄生インダクタＬｇが存在すると、高周波数帯域での減衰特性が劣化する。このため、例えばバンドパスフィルタ等のフィルタを構成しても、所望とする通過特性を得られなくなってしまう。

このような寄生インダクタＬｇの問題を解決する方法として、図１に示すようなグランドインピーダンス調整回路がある。図１は、グランドインピーダンス調整回路を含む高周波積層部品の等価回路を示す。

図１に示すように、高周波積層部品は、第１、第２の入出力ポートＰｉｏ１，Ｐｉｏ２、回路機能部、寄生インダクタＬｇを備えるとともに、三個のキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ１２をπ型に接続したグランドインピーダンス調整回路を備える。このようなグランドインピーダンス調整回路を備えることで、所望の周波数帯域で減衰極を形成することができるため、寄生インダクタＬｇによる高周波数帯域での減衰特性の劣化を防止できる。

また、同様に複数の絶縁体層を積層した高周波積層部品からなる積層型高周波フィルタとして、例えば特許文献２に記載の構造がある。

特許文献２に記載の積層型高周波フィルタでは、複数の絶縁体層に対して所定の電極パターンを形成することで、インダクタやキャパシタが形成されている。これらの電極パターンからなるインダクタやキャパシタから、複数のＬＣ共振器が形成されている。複数のＬＣ共振器では、両端のＬＣ共振器がそれぞれ入出力端子に接続され、隣り合うＬＣ共振器のインダクタ同士が電磁界結合することで、複数段からなるＬＣ共振器を備えるフィルタ回路が形成される。

このようなフィルタ回路では、複数段のＬＣ共振器を飛び越えて、両端の入出力端子を容量結合するための飛び結合用キャパシタを備えることで、所望の特性を得るようにすることがある。

そして、飛び結合用キャパシタを構成する電極は、特許文献２の図４２の１６０に示す電極や図４５の２６０に示す電極のように、入出力端子となる入出力用電極が形成される積層体の両端部を結ぶ方向に長く延びる形状で形成されている。

特開平８−４６４０１号公報 ＷＯ２００７−１１９３５６号公報

しかしながら、上述のグランドインピーダンス調整回路を積層基板に形成する場合、次に示すような問題が生じていた。図２は従来のグランドインピーダンス調整回路の積層体１０Ｐを示す図である。図３は、図２の構造のグランドインピーダンス調整回路の通過特性を示す図である。図４（Ａ）は３段のＬＣ共振器を備えるバンドパスフィルタの等価回路図であり、図４（Ｂ）は従来構造のグランドインピーダンス調整回路を用いて、図４（Ａ）に示したバンドパスフィルタを構成した場合の通過特性図である。

図２に示すように、グランドインピーダンス調整回路の積層体１０Ｐは５層の絶縁体層９０１Ｐ〜９０５Ｐを積層した構造である。最下層（第１層）の絶縁体層９０１Ｐには、入出力用電極２０１，２０２およびグランド電極１１０が形成されている。グランド電極１１０は、絶縁体層９０１Ｐの底面に形成され、入出力用電極２０１，２０２は、絶縁体層９０１Ｐの対向する二端面から底面にかけてそれぞれ形成されている。なお、入出力用電極２０１，２０２は、最上層（第５層）の絶縁体層９０５Ｐ以外の各層の端面に形成されている。

第２層の絶縁体層９０２Ｐには、内層グランド電極１２０が形成されている。内層グランド電極１２０は、グランド電極１１０と導電性ビアホールにより接続している。

第３層の絶縁体層９０３Ｐには、キャパシタ用電極１３１，１３２が形成されるとともに、キャパシタ用電極１３１と図示しない入出力用電極２０１とを接続する引き回し電極と、キャパシタ用電極１３２と入出力用電極２０２とを接続する引き回し電極が形成されている。

第４層の絶縁体層９０４Ｐには、キャパシタ用電極１４０が形成されている。

このような構造により、キャパシタ用電極１３１と内層グランド電極１２０との対向領域が図１のキャパシタＣ１となる。キャパシタ用電極１３２と内層グランド電極１２０との対向領域が図１のキャパシタＣ２となる。キャパシタ用電極１４０とキャパシタ用電極１３１，１３２の対向領域が図１のキャパシタＣ１２となる。そして、このグランドインピーダンス調整回路を備える素子をプリント基板等に実装した際、プリント基板のグランド電位とグランドインピーダンス調整回路のグランド電位との電位差が寄生インダクタＬｇとなる。このため、上述のような構成では、寄生インダクタＬｇに、ビアホールによるインダクタが含まれる構成となってしまう。

このような構造では、図３に示すように、グランドインピーダンス調整回路を構成するキャパシタは高周波数帯域において、特にキャパシタＣ１，Ｃ２による自己共振点が発生してしまい、キャパシタＣ１２により結合することによって、改善したはずの通過特性が局所的に劣化する。例えば、キャパシタＣ１においては、キャパシタ用電極１３１の残留インダクタンスと、キャパシタ用電極１３１とグランド電極１２０との間に構成されるキャパシタンスとによって、自己共振が発生する。

このため、このようなグランドインピーダンス調整回路を用いて図４（Ａ）に示すようなバンドパスフィルタを構成しても、図４（Ｂ）に示すように減衰帯域に共振点が発生し、良い周波数特性が得られない。

また、特許文献２に示すように、各ＬＣ共振器のインダクタを形成する電極は、前記両端部を結ぶ方向に沿って所定間隔で配置されている。したがって、飛び結合用キャパシタを構成する電極が上述のような形状であると、積層方向から見てインダクタ用の電極を複数個に掛けて跨ぐように配設されることになる。

このような構造では、飛び結合用キャパシタを構成する電極が、インダクタ間の結合に大きな影響を及ぼし、挿入損失が増加してしまう。これにより、フィルタとしての特性（通過特性や減衰特性）が劣化してしまう。

このような各種課題を鑑みて、本発明の目的は、共振点の発生を抑制したり、挿入損失の増加要因を抑制したりすることで、優れた特性を有する高周波積層部品および積層型高周波フィルタを実現することにある。

この発明は、一対の入出力端子と、該一対の入出力端子間に接続された所定機能を実現する回路機能部と、一対の入出力端子間に接続された直列キャパシタ、および、該直列キャパシタの両端とグランドとの間にそれぞれ接続された第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタと、第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタをグランドに接続するグランド接続のインダクタと、を備えるグランドインピーダンス調整回路と、を有する高周波積層部品に関する。この高周波積層部品は、所定の電極パターンが形成された複数の絶縁体層を積層した積層体により、少なくともグランドインピーダンス調整回路を形成してなる。

この高周波積層部品は、さらに、積層体の異なる絶縁体層にそれぞれ形成された内層グランド電極を少なくとも備える。並列キャパシタを形成する電極は、内層グランド電極の間に配置されている。

この構成では、二個の内層グランド電極間に並列キャパシタが挟まれることで、当該並列キャパシタの自己共振が抑制される。これにより、図４（Ｂ）に示すような共振点が抑制される。

また、この発明の高周波積層部品では、それぞれが互いに対向する対向電極で構成された第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタの一方の対向電極を、内層グランド電極で形成する。第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタの他方の対向電極は、二個の内層グランド電極の間に配置される。

この構成では、第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタの一方の対向電極が直接グランド電極になるとともに、これらのキャパシタも内層グランド電極間に挟まれる。これにより、さらに周波数特性を向上できる。

また、この発明の高周波積層部品では、第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタの他方の対向電極は、互いに対向する対向電極で構成される直列キャパシタの一方の対向電極を兼用する。

この構成では、直列キャパシタと第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタとの引き回し電極が省略される。これにより、さらに周波数特性が優れるとともに、より小型化が可能になる。

また、この発明の高周波積層部品では、回路機能部は、所定の周波数通過特性を有するフィルタである。この構成では、回路機能部の具体例を示しており、このように回路機能部をフィルタとすることで、本願の構成が、より有効に作用する。

また、この発明の高周波積層部品では、回路機能部は、複数の積層体に形成された電極パターンからなる。この構成では、回路機能部の具体的な形状を示している。このように、回路機能部を積層体内に形成することで、高周波積層部品を単一の積層体のみで実現できる。

また、この発明の高周波積層部品では、回路機能部にキャパシタを含み、該キャパシタを、グランドインピーダンス調整回路を構成する直列キャパシタ、第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタの少なくとも一つで兼用する。

この構成では、回路機能部にキャパシタを含む場合の具体的な形状を示している。このように、回路機能部とグランドインピーダンス調整回路とを少なくとも部分的に兼用することで、小型化が可能になる。

また、この発明の高周波積層部品では、回路機能部は、積層体に実装される実装部品からなる。積層体には、実装部品を実装する実装用ランドが形成されている。

この構成では、回路機能部の具体的な形状を示している。このように、回路機能部を実装部品にすることで、回路機能部を構成する各回路素子を必要に応じて、容易に変更することができ、変更しても優れた周波数特性を実現できる。

また、この発明は、一対の入出力端子と、該一対の入出力端子間に接続された直列キャパシタ、および、該直列キャパシタの両端とグランドとの間にそれぞれ接続された第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタと、第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタをグランドに接続するグランド接続のインダクタと、を備えるグランドインピーダンス調整回路と、を有する高周波積層部品に関する。この高周波積層部品は、所定の電極パターンが形成された複数の絶縁体層を積層した積層体により、グランドインピーダンス調整回路を形成してなる。

この高周波積層部品は、さらに、積層体の異なる中間層にそれぞれ形成された二個の内層グランド電極を少なくとも備える。直列キャパシタを形成する電極は、二個の内層グランド電極の間に配置されている。

この構成では、高周波積層部品として、グランドインピーダンス調整回路のみからなる場合を示している。このような構成の高周波積層部品を用いることで、当該部品に接続する他の回路機能部の周波数特性を向上させることができる。

また、この発明の高周波積層部品では、第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタの一方の対向電極を、内層グランド電極で形成する。第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタの他方の対向電極は、二個の内層グランド電極の間に配置されている。

この構成では、グランドインピーダンス調整回路のみからなる高周波積層部品において、第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタの一方の対向電極が直接グランド電極になるとともに、これらのキャパシタも内層グランド電極間に挟まれる。これにより、さらに周波数特性を向上できる。

また、この発明の高周波積層部品では、第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタの他方の対向電極は、直列キャパシタの一方の対向電極を兼用する。

この構成では、グランドインピーダンス調整回路のみからなる高周波積層部品において、直列キャパシタと第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタとの引き回し電極が省略される。これにより、さらに周波数特性が優れるとともに、より小型化が可能になる。

また、この発明は、積層型高周波フィルタに関する。積層型高周波フィルタは、一対の入出力端子と、該一対の入出力端子間に高周波的に接続された複数段のＬＣ共振器と、一対の入出力端子間に直接接続される飛び結合用キャパシタと、一対の入出力端子間に接続された直列キャパシタと、該直列キャパシタの両端とグランドとの間にそれぞれ接続された第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタと第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタをグランドに接続するグランド接続のインダクタとを備えるグランドインピーダンス調整回路と、を備える。積層型高周波フィルタは、ＬＣ共振器を構成するインダクタおよびキャパシタと、飛び結合用キャパシタとを、所定の電極パターンが形成された複数の絶縁体層を積層した積層体により形成してなる。

そして、この発明の積層型高周波フィルタでは、インダクタを構成する電極パターンと、飛び結合用キャパシタを構成する電極パターンとの間に、内層グランド電極が配設されている。

この構成では、飛び結合用キャパシタを構成する電極パターンが、複数のＬＣ共振器のインダクタ間の結合に影響を与えない。これにより、インダクタ間に所望の結合を得ることができ、挿入損失の増加を抑制することができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタは、一対の入出力端子とグランドとの間にそれぞれ接続される入出力用キャパシタを備える。積層型高周波フィルタは、入出力用キャパシタを積層体の電極パターンにより形成し、少なくとも飛び結合用キャパシタが、異なる絶縁体層に形成された内層グランド電極により挟まれて配設されている。

この構成では、入出力用キャパシタと飛び結合用キャパシタとでπ型回路が構成される。このようなπ型回路を構成することで、減衰特性を向上させることができる。特に、π型の並列キャパシタを内層グランド電極間に挟み込むことで、並列キャパシタの自己共振を抑制できる。これにより、さらに減衰特性を向上させることができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、入出力用キャパシタを形成する電極パターンも、異なる絶縁体層に形成された内層グランド電極により挟まれて配設されている。

この構成では、全てのキャパシタを内層グランド電極間に挟み込むことで、さらに減衰特性を向上させることができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、ＬＣ共振器のインダクタの電極パターンの両端にＬＣ共振器のキャパシタおよびグランドに接続するためのビアホールが形成され、インダクタは該インダクタの電極パターンと二つのビアホールとにより構成されている。

この構成では、インダクタが電極パターンと当該電極パターンに接続する二つのビアホールとから構成される。これにより、インダクタの電極がループ状に延び、インダクタ間の結合を強くすることができる。さらに、インダクタの電極をループ状に形成することで、インダクタのＱ値を向上し、フィルタの挿入損失を改善することができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、各インダクタの電極パターンに接続するビアホールは、積層体を側面から見て略重なる位置に形成されている。

この構成では、隣り合うインダクタを構成するビアホールの間隔を近くすることができる。これにより、インダクタ間の結合を強くすることができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、インダクタを構成する電極パターンは、複数の絶縁体層に設けられている。複数の絶縁体層に設けられた各電極パターンは、二つのビアホールに並列接続されている。

この構成では、電極パターンが複数存在することで、さらにインダクタ間の結合を強くすることができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、インダクタの電極パターンが接続されるグランドは、積層体の底面とは異なる所定の絶縁体層に形成された内層グランド電極である。

この構成では、インダクタが直接外部接続用のグランド電極に接続しないので、当該グランド電極に起因する渦電流損失を減らすことができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、インダクタの電極パターンが接続する内層グランド電極は、インダクタを構成する電極パターンと、飛び結合用キャパシタを構成する電極パターンとの間に配設された内層グランド電極である。

この構成では、インダクタが接続されるグランドが、上述のインダクタと飛び結合用キャパシタとを区分する内層グランド電極で兼用されるので、積層体の構成要素を減らすことができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、複数のＬＣ共振器を構成するインダクタの内、任意の隣り合うインダクタの電極パターンのキャパシタと接続するビアホールの接続位置が異なる端部にある。

この構成では、隣り合うインダクタで電流の流れる方向を逆にすることができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、複数のＬＣ共振器を構成するインダクタの内、任意の隣り合うインダクタの電極パターンが同一の絶縁体層に形成されている。

この構成では、隣り合うインダクタの電極パターンが近接し、インダクタ間の結合を強くすることができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、外部グランドに接続するための外部グランド電極と、一対の入出力端子を形成する外部入出力端子とが、積層体の底面に配列形成されている。

この構成では、積層型高周波フィルタを外部の回路基板に実装するための電極が積層体の底面に備えられるので、実装面積を小さくすることができる。

また、この発明の積層型高周波フィルタでは、直列キャパシタは、飛び結合用キャパシタを構成する電極パターンと兼用されている。

この構成では、グランドインピーダンス調整回路の直列キャパシタと飛び結合用キャパシタとが兼用されるので、積層型高周波フィルタをより小型に形成することができる。

この発明によれば、キャパシタのπ型回路からなるグランドインピーダンス調整回路を用いても、共振点の発生を抑圧できる。また、この発明によれば、積層体内の電極パターン間の不要な結合を抑えることができ、挿入損失の増加要因を抑制することができる。これにより、優れた特性の高周波積層部品および積層型高周波フィルタを実現できる。

グランドインピーダンス調整回路を含む高周波積層部品の等価回路を示す。 従来のグランドインピーダンス調整回路の積層構造を示す図である。 図２の構造のグランドインピーダンス調整回路の通過特性を示す図である。 ３段のＬＣ共振器を備えるバンドパスフィルタの等価回路図、および従来構造のグランドインピーダンス調整回路を用いてバンドパスフィルタを構成した場合の通過特性図である。 第１の実施形態の高周波積層部品の外観斜視図および積層構成を示す図である。 第１の実施形態の構造からなる３段のＬＣ共振器を備えるバンドパスフィルタの通過特性図である。 第１の実施形態の高周波積層部品である積層型高周波フィルタの通過特性図および従来構造の通過特性図である。 第２の実施形態の高周波積層部品の積層構成を示す図である。 第３の実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。 第３の実施形態の高周波積層部品である積層型高周波フィルタの等価回路図である。 第４の実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。 インダクタの層数に応じた挿入損失の変化を示す表であり、通過帯域の通過特性を拡大した図である。 第５の実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。 積層体１０Ｅからなる高周波積層部品の等価回路図である。 積層体１０Ｅからなる低域通過フィルタの通過特性図である。 第６の実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。 第７の実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。 積層体１０Ｇからなる高周波積層部品の等価回路図である。 積層体１０Ｇからなる帯域通過フィルタの通過特性図である。 第８の実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。 積層体１０Ｇからなる帯域通過フィルタの通過特性図である。 第９の実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。 第９の実施形態の高周波積層部品の他の積層構造（積層体１０Ｉ’）を示す図である。 第１０の実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。 第１０の実施形態の高周波積層部品の他の積層構造を示す図である。

本発明の第１の実施形態に係る高周波積層部品について、図を参照して説明する。本実施形態では、高周波積層部品として帯域通過フィルタ（バンドパスフィルタＢＰＦ）を例に説明する。図５（Ａ）は本実施形態の高周波積層部品の外観斜視図であり、図５（Ｂ）は本実施形態の高周波積層部品の積層構成を示す図である。なお、図５に示す高周波積層部品１０Ａは、３段のＬＣ並列回路を備えるバンドパスフィルタであり、等価回路は上述の図４（Ａ）と同じである。

高周波積層部品は、１０層の絶縁体層９０１〜９１０を積層した積層体１０Ａからなる。積層体１０Ａを構成する各絶縁体層９０１〜９１０は、所定の厚み（マイクロメートルオーダ）の平板からなる。積層体１０Ａの一方端面には入出力用電極２０１が形成され、対向する他方端面には入出力用電極２０２が形成されている。また、以下では、入出力用電極２０１，２０２が形成される側面を「端面」と称し、これに直交する側面を「側面」と称する。

最下層（第１層）の絶縁体層９０１には、入出力用電極２０１，２０２およびグランド電極１１０が形成されている。グランド電極１１０は、絶縁体層９０１の底面に形成され、入出力用電極２０１，２０２は、絶縁体層９０１の対向する二端面から底面にかけてそれぞれ形成されている。なお、図５では入出力用電極２０１，２０２は、最上層（第１０層）の絶縁体層９１０以外の各層の端面に形成されている。最上層の絶縁体層９１０にも入出力用電極２０１，２０２を形成してもよい。

第２層の絶縁体層９０２には、内層グランド電極１２０が形成されている。内層グランド電極１２０は、絶縁体層９０２の略全面に亘り形成されている。

第３層の絶縁体層９０３には、所定面積からなるキャパシタ用電極１３１，１３２が形成されている。第３層の絶縁体層９０３には、キャパシタ用電極１３１と、一方端面の図示しない入出力用電極２０１とを接続する引き回し電極が形成されている。第３層の絶縁体層９０３には、キャパシタ用電極１３２と他方端面の入出力用電極２０２とを接続する引き回し電極が形成されている。

第４層の絶縁体層９０４には、キャパシタ用電極１４０が形成されている。キャパシタ用電極１４０は、第３の絶縁体層９０３のキャパシタ用電極１３１，１３２と部分的に対向するように形成されている。

第５層の絶縁体層９０５には、第３層の絶縁体層９０３のキャパシタ用電極１３１，１３２と同様に、キャパシタ用電極１５１，１５２が形成されている。キャパシタ用電極１５１は、積層方向に沿って見て、キャパシタ用電極１３１と対向するように形成されている。キャパシタ用電極１５２は、積層方向に沿って見て、キャパシタ用電極１３２と対向するように形成されている。第５層の絶縁体層９０５には、キャパシタ用電極１５１と一方端面の図示しない入出力用電極２０１とを接続する引き回し電極が形成されている。第５層の絶縁体層９０５には、キャパシタ用電極１５２と他方端面の入出力用電極２０２とを接続する引き回し電極が形成されている。

第６層の絶縁体層９０６には、内層グランド電極１６０が形成されている。内層グランド電極１６０は、絶縁体層９０６の略全面に亘り形成されている。

第７層の絶縁体層９０７には、所定面積からなるキャパシタ用電極１７１，１７２，１７３が形成されている。

第８層の絶縁体層９０８には、入出力用の引き回し電極１８１，１８２が形成されている。引き回し電極１８１は、一方端面の図示しない入出力用電極２０１に接続されている。引き回し電極１８２は、他方端面の入出力用電極２０２に接続されている。

第９層の絶縁体層９０９には、インダクタ用の線状電極１９１，１９２，１９３が形成されている。線状電極１９１，１９２，１９３は、端面に沿う方向に延びる形状からなる。線状電極１９１，１９２，１９３は、所定間隔で離間して形成されている。

最上層である第１０層の絶縁体層９１０には、何も形成されておらず、積層体１０Ａの蓋として機能する層である。

積層体１０Ａには、さらに次に示す導電性のビアホール群が形成されている。各ビアホールは、図５に示すように、積層方向に延びる形状からなる。

ビアホール８００は、絶縁体層９０１のグランド電極１１０と、絶縁体層９０２の内層グランド電極１２０と、絶縁体層９０６の内層グランド電極１６０とを接続するように形成されている。ビアホール８００は、各層の対向するそれぞれの側面に近い位置の二箇所に形成されている。

ビアホール８０１は、絶縁体層９０８の引き回し電極１８１と、絶縁体層９０７のキャパシタ用電極１７１と、線状電極１９１とを接続するように形成されている。ビアホール８０１は、線状電極１９１の延びる方向の一方端付近に接続している。

ビアホール８１１は、絶縁体層９０６の内層グランド電極１６０と、線状電極１９１とを接続するように形成されている。ビアホール８１１は、線状電極１９１の延びる方向の他方端付近に接続している。

ビアホール８１２は、絶縁体層９０６の内層グランド電極１６０と、線状電極１９２とを接続するように形成されている。ビアホール８１２は、線状電極１９２の延びる方向の一方端付近に接続している。

ビアホール８０２は、絶縁体層９０７のキャパシタ用電極１７２と、線状電極１９２とを接続するように形成されている。ビアホール８０２は、線状電極１９２の延びる方向の他方端付近に接続している。

ビアホール８０３は、絶縁体層９０８の引き回し電極１８２と、絶縁体層９０７のキャパシタ用電極１７３と、線状電極１９３とを接続するように形成されている。ビアホール８０３は、線状電極１９３の延びる方向の一方端付近に接続している。

ビアホール８１３は、絶縁体層９０６の内層グランド電極１６０と、線状電極１９３とを接続するように形成されている。ビアホール８１３は、線状電極１９３の延びる方向の他方端付近に接続している。

以上のような構成とすることで、入出力用電極２０１が図４（Ａ）の第１入出力ポートＰｉｏ１となり、入出力用電極２０２が図４（Ａ）の第２入出力ポートＰｉｏ２となる。

キャパシタ用電極１３１と内層グランド電極１２０との組合せ、およびキャパシタ用電極１５１と内層グランド電極１６０との組合せが、図４（Ａ）キャパシタＣ１（本発明の「第１並列キャパシタ」に相当する。）となる。

キャパシタ用電極１３２と内層グランド電極１２０との組合せ、およびキャパシタ用電極１５２と内層グランド電極１６０との組合せが、図４（Ａ）キャパシタＣ２（本発明の「第２並列キャパシタ」に相当する。）となる。

キャパシタ用電極１４０とキャパシタ用電極１３１，１３２との組合せ、およびキャパシタ用電極１４０とキャパシタ用電極１５１，１５２との組合せが、図４（Ａ）のキャパシタＣ１２（本発明の「直列キャパシタ」に相当する。）となる。このキャパシタＣ１２は、本発明の「飛び結合用キャパシタ」も兼用している。

このような構成とすることで、キャパシタＣ１２，Ｃ１，Ｃ２がπ型接続されたグランドインピーダンス調整回路を構成することができる。そして、このグランドインピーダンス調整回路の全てのキャパシタＣ１２，Ｃ１，Ｃ２を、二個の内層グランド電極１２０，１６０で積層方向に沿って挟み込む構造が実現される。

キャパシタ用電極１７１と内層グランド電極１６０との組合せ、キャパシタ用電極１３１と内層グランド電極１２０との組合せ、および、キャパシタ用電極１５１と内層グランド電極１６０との組合せが、図４（Ａ）の共振用キャパシタＣｒ１となる。キャパシタ用電極１７３と内層グランド電極１６０との組合せ、キャパシタ用電極１３２と内層グランド電極１３０との組合せ、およびキャパシタ用電極１５２と内層グランド電極１６０との組合せが、図４（Ａ）の共振用キャパシタＣｒ２となる。キャパシタ用電極１７２と内層グランド電極１６０との組合せが、図４（Ａ）の共振用キャパシタＣｒ３となる。

線状電極１９１と、ビアホール８０１，８１１とが、図４（Ａ）の共振用インダクタＬｒ１となる。この共振用インダクタＬｒ１は、内層グランド電極１６０に接続する側を基点として、積層体１０Ａの入出力用電極２０２側の端面から見て、反時計回りとなるループ形状となる。

線状電極１９２と、ビアホール８０２，８１２とが、図４（Ａ）の共振用インダクタＬｒ２となる。この共振用インダクタＬｒ２は、内層グランド電極１６０に接続する側を基点として、積層体１０Ａの入出力用電極２０２側の端面から見て、時計回りとなるループ形状となる。

線状電極１９３と、ビアホール８０３，８１３とが、図４（Ａ）の共振用インダクタＬｒ３となる。この共振用インダクタＬｒ３は、内層グランド電極１６０に接続する側を基点として、積層体１０Ａの入出力用電極２０２側の端面から見て、反時計回りとなるループ形状となる。

また、線状電極１９１およびビアホール８０１，８１１と線状電極１９２およびビアホール８０２，８１２が所定間隔で配置されることで、図４（Ａ）の結合インダクタンスＭ１２が実現され、線状電極１９２およびビアホール８０２，８１２と線状電極１９３およびビアホール８０３，８１３が所定間隔で配置されることで、図４（Ａ）の結合インダクタンスＭ２３が実現される。

また、ビアホール８００のグランド電極１１０と内層グランド電極１２０との間の部分が寄与インダクタＬｇとなる。

以上のように、本実施形態の積層構造を用いることで、３段のＬＣ共振器と、寄与インダクタＬｇを含むグランドインピーダンス調整回路とを一体に備えた積層型高周波フィルタの高周波積層部品を実現することができる。

このような構成において、上述のように、グランドインピーダンス調整回路を構成するキャパシタＣ１２，Ｃ１，Ｃ２を内層グランド電極で挟み込むことで、これらキャパシタの自己共振を抑制することができる。特に、本実施形態のように対称性を有するように電極パターンを形成した場合、自己共振が生じ易いが、内層グランド電極で挟み込むことで、自己共振を抑制することができる。

図６は本実施形態の構造からなる３段のＬＣ共振器を備えるバンドパスフィルタの通過特性図である。図６に示すように、本実施形態の構造を用いることで、従来構造の図４（Ｂ）に示すような共振点の発生を抑制できる。これにより、通過帯域よりも高周波数側の減衰特性を向上させることができる。すなわち、バンドパスフィルタの周波数特性を向上させることができる。

また、共振用インダクタＬｒ１の線状電極１９１およびビアホール８０１，８１１、共振用インダクタＬｒ２の線状電極１９２およびビアホール８０２，８１２、共振用インダクタＬｒ３の線状電極１９３およびビアホール８０３，８１３と、飛び結合用キャパシタのキャパシタ用電極１４０との間には、内層グランド電極１６０が配設されている。これにより、飛び結合用キャパシタのキャパシタ用電極１４０が、共振用インダクタＬｒ１、Ｌｒ２，Ｌｒ３の電磁界結合に作用しない。これにより、共振用インダクタＬｒ１，Ｌｒ２，Ｌｒ３による結合時の損失を抑制し、フィルタとしての挿入損失を低下することができる。これにより、優れた帯域特性の積層型高周波フィルタを実現することができる。

図７（Ａ）は本実施形態の構造からなるバンドパスフィルタの通過特性図であり、図７（Ｂ）は同じ等価回路となる従来構成のバンドパスフィルタの通過特性図である。

図７に示すように、本実施形態の構成とすることで、従来の構造では形成できなかった通過帯域の低周波数側近傍の減衰帯域（２．２ＧＨｚ付近）に減衰極を設けることができる。これにより、フィルタの通過特性および減衰特定を改善でき、優れた帯域特性の積層型高周波フィルタを実現することができる。

また、上述のように、キャパシタ用電極１４０で構成されるキャパシタＣ１２は、キャパシタＣ１，Ｃ２とともに、入出力端子Ｐｉｏ１，Ｐｉｏ２間に接続されたπ型回路として機能する。これにより、通過帯域の高域側の減衰特性を改善するグランドインピーダンス調整回路を実現することができる。この結果、さらに優れた帯域特性の積層型高周波フィルタを実現することができる。

また、さらに、上述のように、これらのキャパシタＣ１２，Ｃ１，Ｃ２を構成するキャパシタ用電極が、内層グランド電極１２０，１６０間に挟まれているので、これらのキャパシタの自己共振、特に並列キャパシタとしても機能するキャパシタＣ１，Ｃ２の自己共振を抑制できる。これにより、さらに優れた帯域特性の積層型高周波フィルタを実現することができる。

また、共振用インダクタＬｒ１，Ｌｒ２，Ｌｒ３を構成する各線状電極１９１，１９２，１９３が、全て同じ絶縁体層９０９に形成されている。このため、これら線状電極がそれぞれに異なる絶縁体層に形成されている場合と比較して、線状電極間を短くすることができる。これによっても、インダクタ間の結合を強くすることができる。

また、各線状電極１９１，１９２，１９３に接続するビアホールが、積層体１０Ａの入出力用電極２０１，２０２が形成された端面側から見て、重なるように形成されている。この構成では、ビアホール間の距離を短くすることができる。これによっても、インダクタ間の結合を強くすることができる。

また、隣り合う共振用インダクタＬｒ１と共振用インダクタＬｒ２とが、内層グランド電極１６０を基点にして反対の巻回方向となる。また、隣り合う共振用インダクタＬｒ２と共振用インダクタＬｒ３が、内層グランド電極１６０を基点にして反対の巻回方向となる。このような共振用インダクタ間の結合を実現することで、フィルタの通過帯域のリップルを抑制することができる。

また、インダクタを構成する線状電極１９１，１９２，１９３およびビアホール８０１，８１１，８０２，８１２，８０３，８１３が内層グランド電極１６０に直接接続し、積層体１０Ａの底面に形成された外部グランド電極１１０に直接接続していない。これにより、当該外部グランド電極１１０に起因する渦電流損失を抑制することができる。この結果、各ＬＣ共振器のＱを改善することができる。

また、上述の構造を用いることで、キャパシタＣ１２が飛び結合用キャパシタと、グランドインピーダンス調整回路の直列キャパシタとを兼用する。したがって、これらを個別に形成するよりも積層体１０Ａの構成要素を少なくできる。これにより、上述のような優れた帯域特性を有する積層型高周波フィルタを、より小型に形成することができる。

また、共振用インダクタＬｒ１，Ｌｒ２，Ｌｒ３を構成する電極パターンと、キャパシタＣ１２を構成する電極パターンとの間に配置される内層グランド電極１６０が、共振用インダクタＬｒ１，Ｌｒ２，Ｌｒ３を構成する線状電極１９１，１９２，１９３およびビアホール８０１，８１１，８０２，８１２，８０３，８１３が直接接続する内層グランド電極を兼用している。これにより、個別に形成するよりも積層体１０Ａの構成要素を少なくできる。これによっても、上述のような優れた帯域特性を有する積層型高周波フィルタを、より小型に形成することができる。

次に、第２の実施形態に係る高周波積層部品について、図を参照して説明する。図８は本実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。

本実施形態の高周波積層部品は、入出力用電極１１１，１１２を積層体１０Ｂの底面に形成している。また、積層体１０Ｂの最下層の絶縁体層９０１と、積層体内部における最も下の位置の内層グランド電極１２０を有する絶縁体層９０２との間に、もう一層の絶縁体層９１１を備えている。他の構成は上述の第１の実施形態に示した高周波積層部品と同じであるので、説明は省略する。

最下層の絶縁体層９０１の底面には、グランド電極１１０とともに、入出力用底面電極１１１，１１２が形成されている。これら入出力用底面電極１１１，１１２は、グランド電極１１０を挟むように形成されている。入出力用底面電極１１１は端面の入出力用電極２０１に接続し、入出力用底面電極１１２は端面の入出力用電極２０２に接続している。

最下層の上面には絶縁体層９１１が配設されている。絶縁体層９１１には、所定面積からなるキャパシタ用電極２１１，２１２が形成されている。キャパシタ用電極２１１は絶縁体層９０１の入出力用底面電極１１１に対向するように形成されている。キャパシタ用電極２１２は絶縁体層９０１の入出力用底面電極１１２に対向するように形成されている。絶縁体層９１１には、キャパシタ用電極２１１と、一方端面の図示しない入出力用電極２０１とを接続する引き回し電極が形成されている。絶縁体層９１１には、キャパシタ用電極２１２と他方端面の入出力用電極２０２とを接続する引き回し電極が形成されている。

このような構造であっても、上述の第１の実施形態と同様に、グランドインピーダンス調整回路のキャパシタンスの自己共振を抑制し、周波数特性が向上した高周波積層部品を実現できる。すなわち、優れた帯域特性を有する積層型高周波フィルタを実現することができる。さらに、本実施形態の構造を用いることで、入出力用底面電極１１１，１１２と内層グランド電極１２０との間で発生する寄生容量を抑制することができ、さらに周波数特性を向上させることができる。

次に、第３の実施形態からなる高周波積層部品について、図を参照して説明する。図９は本実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。

本実施形態の高周波積層部品の積層体１０Ｃは、第２の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｂに対して、ＬＣ共振器が４個になり、内層グランド電極１２０とグランド電極１１０とを接続するビアホールの構造が異なるものである。他の構成は上述の第２の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｂと同じであるので、変更箇所のみを説明し、同じ箇所の説明は省略する。

絶縁体層９０７には、所定面積からなるキャパシタ用電極１７１，１７２，１７３，１７４が形成されている。

絶縁体層９０９には、インダクタ用の線状電極１９１，１９２，１９３，１９４が形成されている。線状電極１９１，１９２，１９３，１９４は、端面に沿う方向に延びる形状からなる。線状電極１９１，１９２，１９３，１９４は、所定間隔で離間して形成されている。

ビアホール８００は、ビアホール８００Ａ，８００Ｂからなる。ビアホール８００Ａは、絶縁体層９０１のグランド電極１１０と、絶縁体層９０２の内層グランド電極１２０とを接続するように形成されている。ビアホール８００Ａは一箇所に形成されている。ビアホール８００Ｂは、絶縁体層９０２の内層グランド電極１２０と、絶縁体層９０６の内層グランド電極１６０とを接続するように形成されている。ビアホール８００Ｂは、各層の対向するそれぞれの側面に近い位置の二箇所に形成されている。

ビアホール８０１は、絶縁体層９０８の引き回し電極１８１と、絶縁体層９０７のキャパシタ用電極１７１と、線状電極１９１とを接続するように形成されている。ビアホール８０１は、線状電極１９１の延びる方向の一方端付近に接続している。

ビアホール８１１は、絶縁体層９０６の内層グランド電極１６０と、線状電極１９１とを接続するように形成されている。ビアホール８１１は、線状電極１９１の延びる方向の他方端付近に接続している。

ビアホール８１２は、絶縁体層９０６の内層グランド電極１６０と、線状電極１９２とを接続するように形成されている。ビアホール８１２は、線状電極１９２の延びる方向の一方端付近に接続している。

ビアホール８０２は、絶縁体層９０７のキャパシタ用電極１７２と、線状電極１９２とを接続するように形成されている。ビアホール８０２は、線状電極１９２の延びる方向の他方端付近に接続している。

ビアホール８１３は、絶縁体層９０６の内層グランド電極１６０と、線状電極１９３とを接続するように形成されている。ビアホール８１３は、線状電極１９３の延びる方向の一方端付近に接続している。

ビアホール８０３は、絶縁体層９０７のキャパシタ用電極１７３と、線状電極１９３とを接続するように形成されている。ビアホール８０３は、線状電極１９３の延びる方向の他方端付近に接続している。

ビアホール８０４は、絶縁体層９０８の引き回し電極１８２と、絶縁体層９０７のキャパシタ用電極１７４と、線状電極１９４とを接続するように形成されている。ビアホール８０４は、線状電極１９４の延びる方向の一方端付近に接続している。

ビアホール８１４は、絶縁体層９０６の内層グランド電極１６０と、線状電極１９４とを接続するように形成されている。ビアホール８１４は、線状電極１９４の延びる方向の他方端付近に接続している。

図１０は第３の実施形態の積層型高周波フィルタの等価回路図である。

入出力用電極２０１は、図１０の第１入出力ポートＰｉｏ１となり、入出力用電極２０２は図１０の第２入出力ポートＰｉｏ２となる。

キャパシタ用電極１４０とキャパシタ用電極１３１，１３２との組合せ、およびキャパシタ用電極１４０とキャパシタ用電極１５１，１５２との組合せが、図１０の飛び結合用のキャパシタＣ１２となる。このキャパシタＣ１２も上述の実施形態と同様に、グランドインピーダンス調整回路の直列キャパシタを兼用している。

線状電極１９１とビアホール８０１，８１１とが、図１０の共振用インダクタＬｒ１となる。この共振用インダクタＬｒ１は、内層グランド電極１６０に接続する側を基点として、積層体１０Ｃの入出力用電極２０２側の端面から見て、反時計回りとなるループ形状となる。

線状電極１９２とビアホール８０２，８１２とが、図１０の共振用インダクタＬｒ２となる。この共振用インダクタＬｒ２は、内層グランド電極１６０に接続する側を基点として、積層体１０Ｃの入出力用電極２０２側の端面から見て、時計回りとなるループ形状となる。

線状電極１９３とビアホール８０３，８１３とが、図１０の共振用インダクタＬｒ３となる。この共振用インダクタＬｒ３は、内層グランド電極１６０に接続する側を基点として、積層体１０Ｃの入出力用電極２０２側の端面から見て、時計回りとなるループ形状となる。

線状電極１９４と、ビアホール８０４，８１４とが、図１０の共振用インダクタＬｒ４となる。この共振用インダクタＬｒ４は、内層グランド電極１６０に接続する側を基点として、積層体１０Ｃの入出力用電極２０２側の端面から見て、反時計回りとなるループ形状となる。

線状電極１９１およびビアホール８０１，８１１と線状電極１９２およびビアホール８０２，８１２が所定間隔で配置されることで、図１０の結合インダクタンスＭ１２が実現される。

線状電極１９２およびビアホール８０２，８１２と線状電極１９３およびビアホール８０３，８１３が所定間隔で配置されることで、図１０の結合インダクタンスＭ２３が実現される。

線状電極１９３およびビアホール８０３，８１３と線状電極１９４およびビアホール８０４，８１４が所定間隔で配置されることで、図１０の結合インダクタンスＭ３４が実現される。

キャパシタ用電極１７１と内層グランド電極１６０との組合せ、キャパシタ用電極１５１と内層グランド電極１６０との組み合わせおよびキャパシタ電極１３１と内層グランド電極１２０が、図１０の共振用キャパシタＣｒ１となる。キャパシタ用電極１７２と内層グランド電極１６０との組合せが、図１０の共振用キャパシタＣｒ２となる。キャパシタ用電極１７３と内層グランド電極１６０との組合せが、図１０の共振用キャパシタＣｒ３となる。キャパシタ用電極１７４と内層グランド電極１６０との組合せ、キャパシタ用電極１５２と内層グランド電極１６０との組合せおよびキャパシタ用電極１３２と内層グランド電極１６０との組合せが、図１０の共振用キャパシタＣｒ４となる。

キャパシタ用電極１３１と内層グランド電極１２０との組合せ、およびキャパシタ用電極１５１と内層グランド電極１６０との組合せが、図１０のキャパシタＣ１となる。

キャパシタ用電極１３２と内層グランド電極１２０との組合せ、およびキャパシタ用電極１５２と内層グランド電極１６０との組合せが、図１０のキャパシタＣ２となる。

このように、本実施形態の積層体１０Ｃでは、上述の図９に示すような構造とすることで、図１０の等価回路に示すような４段のＬＣ共振器を備えたバンドパスフィルタを構成することができる。

このような構成であっても、上述の各実施形態と同様に、周波数特性を向上させることができる。さらに、本実施形態のように、グランド電極１１０に直接接続するビアホールの本数を変更することで、通過帯域近傍の減衰特性をさらに向上させることができる。

また、本実施形態の構造でも、共振用インダクタＬｒ１の線状電極１９１およびビアホール８０１，８１１、共振用インダクタＬｒ２の線状電極１９２およびビアホール８０２，８１２、共振用インダクタＬｒ３の線状電極１９３およびビアホール８０３，８１３、共振用インダクタＬｒ４の線状電極１９４およびビアホール８０４，８１４と、飛び結合用キャパシタのキャパシタ用電極１４０との間には、内層グランド電極１６０が配設されている。これにより、飛び結合用キャパシタのキャパシタ用電極１４０が、共振用インダクタＬｒ１、Ｌｒ２，Ｌｒ３，Ｌｒ４の電磁界結合に作用しない。これにより、共振用インダクタＬｒ１，Ｌｒ２，Ｌｒ３，Ｌｒ４による結合時の損失を抑制し、フィルタとしての挿入損失を低下することができる。これにより、優れた帯域特性の積層型高周波フィルタを実現することができる。

次に、第４の実施形態に係る高周波積層部品について、図を参照して説明する。図１１は本実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。

本実施形態の高周波積層部品の積層体１０Ｄは、第３の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｃに対して、ＬＣ共振器のインダクタの形状が異なるものである。他の構成は上述の第３の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｃと同じであるので、変更箇所のみを説明し、同じ箇所の説明は省略する。

本実施形態の積層体１０Ｄは、インダクタ用の線状電極を形成した絶縁体層を三層にしている。引き回し電極１８１，１８２が形成された絶縁体層９０８の上層には、絶縁体層９０９Ｃが配設される。絶縁体層９０９Ｃには、インダクタ用の線状電極１９１Ｃ，１９２Ｃ，１９３Ｃ，１９４Ｃが形成されている。線状電極１９１Ｃ，１９２Ｃ，１９３Ｃ，１９４Ｃは、端面に沿う方向に延びる形状からなる。線状電極１９１Ｃ，１９２Ｃ，１９３Ｃ，１９４Ｃは、所定間隔で離間して形成されている。

絶縁体層９０９Ｃの上層には、絶縁体層９０９Ｂが配設されている。絶縁体層９０９Ｂには、インダクタ用の線状電極１９１Ｂ，１９２Ｂ，１９３Ｂ，１９４Ｂが形成されている。絶縁体層９０９Ｂの線状電極１９１Ｂ，１９２Ｂ，１９３Ｂ，１９４Ｂは、絶縁体層９０９Ｃの線状電極１９１Ｃ，１９２Ｃ，１９３Ｃ，１９４Ｃと、積層方向に沿って見た状態で、重なり合うように形成されている。

絶縁体層９０９Ｂの上層には、絶縁体層９０９Ａが配設されている。絶縁体層９０９Ａには、インダクタ用の線状電極１９１Ａ，１９２Ａ，１９３Ａ，１９４Ａが形成されている。絶縁体層９０９Ａの線状電極１９１Ａ，１９２Ａ，１９３Ａ，１９４Ａは、絶縁体層９０９Ｂ，Ｃの線状電極１９１Ｂ，１９２Ｂ，１９３Ｂ，１９４Ｂ，１９１Ｃ，１９２Ｃ，１９３Ｃ，１９４Ｃと、積層方向に沿って見た状態で、重なり合うように形成されている。

ビアホール８０１、８１１は、線状電極１９１Ａ，１９１Ｂ，１９１Ｃを導通するように形成されている。ビアホール８０２、８１２は、線状電極１９２Ａ，１９２Ｂ，１９２Ｃを導通するように形成されている。ビアホール８０３、８１３は、線状電極１９３Ａ，１９３Ｂ，１９３Ｃを導通するように形成されている。ビアホール８０４，８１４は、線状電極１９４Ａ，１９２４，１９４Ｃを導通するように形成されている。

このような構成とすることで、共振用インダクタＬｒ１，Ｌｒ２，Ｌｒ３，Ｌｒ４が三層構造となり、一層構造の時よりも共振用インダクタ間の結合度が向上する。これにより、挿入損失が低下し、通過特性が向上する。図１２（Ａ）はインダクタの層数に応じた挿入損失の変化を示す表であり、図１２（Ｂ）は通過帯域の通過特性を拡大した図である。図１２からも分かるように、インダクタの層数を増加させることで、挿入損失および通過特性を向上させることができる。これにより、高周波積層部品としての特性を、さらに向上することができる。

次に、第５の実施形態に係る高周波積層部品について、図を参照して説明する。図１３は本実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。

本実施形態の高周波積層部品の積層体１０Ｅは、第３の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｃに対して、回路機能部に相当する層の構成が異なるものである。他の構成は上述の第３の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｃと同じであるので、変更箇所のみを説明し、同じ箇所の説明は省略する。

絶縁体層９０１，９１１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０６および最上層の絶縁体層９１０の構造は、第３の実施形態の高周波積層部品の積層体１０Ｃと同じである。なお、本実施形態の構成では、最上層の絶縁体層９１０に入出力用電極２０１，２０２が形成されている。この入出力用電極２０１，２０２は、上述の各実施形態とともに、形成しても形成しなくてもよい。

内層グランド電極１６０が形成された絶縁体層９０６の上層には、絶縁体層９１２が配設される。絶縁体層９１２には、入出力用電極２０１，２０２を導通する所定幅で直線状の線状電極１９５が形成されている。この線状電極１９５がインダクタとして機能する。

図１４は、積層体１０Ｅからなる高周波積層部品の等価回路図である。図１４に示すように、積層体１０Ｅからなる高周波積層部品は、入出力端子Ｐｉｏ１，Ｐｉｏ２間にインダクタＬａが直列接続され、当該インダクタＬａにグランドインピーダンス調整回路が並列接続された低域通過フィルタ（ローパスフィルタＬＰＦ）として機能する。

図１５は、積層体１０Ｅからなる低域通過フィルタの通過特性図である。図１５に示すように、本実施形態の構造を用いることで、高域側の減衰特性が向上し、優れた周波数特性の低域通過フィルタを構成することができる。

次に、第６の実施形態に係る高周波積層部品について、図を参照して説明する。図１６は本実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。

本実施形態の高周波積層部品の積層体１０Ｆは、第５の実施形態の積層体１０Ｅに対して、回路機能部に相当する層の構成が異なるものである。他の構成は上述の第５の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｅと同じであるので、変更箇所のみを説明し、同じ箇所の説明は省略する。

絶縁体層９０１，９１１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０６および最上層の絶縁体層９１０の構造は、積層体１０Ｅと同じである。

内層グランド電極１６０が形成された絶縁体層９０６の上層には、絶縁体層９１３Ｂが配設される。絶縁体層９１３Ｂには、上層側から見て反時計回りで外側から内側へ巻く、巻回形の線状電極１９６Ｂが形成されている。巻回形の線状電極１９６Ｂの最外周端付近は、入出力用電極２０１を接続されている。

絶縁体層９１３Ｂの上層には、絶縁体層９１３Ａが配設されている。絶縁体層９１３Ａには、上層側から見て、前記巻回形の線状電極１９６Ｂに繋がって巻回するような形状の線状電極１９６Ａが形成されている。線状電極１９６Ａの一方端付近は、ビアホール８２０により、絶縁体層９１３Ｂの線状電極１９６Ｂの最内周端付近に接続されている。線状電極１９６Ａの他方端は、入出力用電極２０１に接続されている。

このような構造であっても、上述の第５実施形態と同様に、周波数特性が優れるローパスフィルタを構成することができる。

次に、第７の実施形態に係る高周波積層部品について、図を参照して説明する。図１７は本実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。

本実施形態の高周波積層部品の積層体１０Ｇは、第５の実施形態の積層体１０Ｅに対して、回路機能部に相当する層の構成が異なるものである。他の構成は上述の第３の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｅと同じであるので、変更箇所のみを説明し、同じ箇所の説明は省略する。

内層グランド電極１６０が形成された絶縁体層９０６の上層には、絶縁体層９１４が配設される。絶縁体層９１４には、Ｔ字状電極１９７が形成されている。Ｔ字状電極１９７は、上層から見てそれぞれに略９０°をなす三方向に沿って延びる形状の電極である。Ｔ字状電極１９７における延びる方向が平行な二個の線状電極の一方が入出力用電極２０１に接続し、他方が入出力用電極２０２に接続している。Ｔ字状電極１９７における残りの一個の線状電極は、積層体の側面に露出しない所定の長さで形成され、ビアホール８２０を介して内層グランド電極１６０と接続されている。

図１８は、積層体１０Ｇからなる高周波積層部品の等価回路図である。図１８に示すように、積層体１０Ｇからなる高周波積層部品は、入出力端子Ｐｉｏ１，Ｐｉｏ２間にインダクタＬｂ，Ｌｃの直列回路が接続され、インダクタＬｂ，Ｌｃの接続点とグランドとの間にインダクタＬｄが接続されたＴ型の帯域通過フィルタ（バンドパスフィルタＢＰＦ）として機能する。

図１９は、積層体１０Ｇからなる帯域通過フィルタの通過特性図である。図１９に示すように、本実施形態の構造を用いることで、通過帯域の高域側の減衰特性が向上し、優れた周波数特性の帯域通過フィルタを構成することができる。さらに、本実施形態では、インダクタＬｂ，Ｌｃを直線状に形成できるため、低損失な帯域通過フィルタを構成することができる。このとき、ビアホール８２０の接続位置を変更することで、インダクタＬｂ，Ｌｃ間のインダクタンスを最適な値に調整できる。

次に、第８の実施形態に係る高周波積層部品について、図を参照して説明する。図２０は本実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。

本実施形態の高周波積層部品の積層体１０Ｈは、第７実施形態の積層体１０Ｇに対して、回路機能部に相当する層の構成が異なるものである。他の構成は上述の第７の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｇと同じであるので、変更箇所のみを説明し、同じ箇所の説明は省略する。

絶縁体層９０１，９１１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０６および最上層の絶縁体層９１０の構造は、積層体１０Ｇと同じである。

内層グランド電極１６０が形成された絶縁体層９０６の上層には、絶縁体層９１５が配設される。絶縁体層９１５には、クロス形状電極１９８が形成されている。クロス形状電極１９８は、上層から見てそれぞれに略９０°をなす四方向に沿って延びる形状（十字形状）の電極である。クロス形状電極１９８における延びる方向が平行なそれぞれ一対の線状電極の内、一方の対の線状電極が入出力用電極２０１，２０２に接続している。クロス形状電極１９８における残りの一対の線状電極は、それぞれ反対方向へ延びるように積層体の側面に露出しない所定の長さで形成されている。

図２１は、積層体１０Ｈからなる帯域通過フィルタの通過特性図である。図２１に示すように、本実施形態の構造を用いても、通過帯域の高域側の減衰特性が向上し、優れた周波数特性の帯域通過フィルタを構成することができる。さらに、本実施形態では、インダクタＬｂ，Ｌｃを直線状に形成できるため、低損失な帯域通過フィルタを構成することができる。このとき、ビアホール８２０の接続位置を変更することで、インダクタＬｂ，Ｌｃの間のインダクタンスを最適な値に調整できる。

次に、第９の実施形態に係る高周波積層部品について、図を参照して説明する。図２２は本実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。

本実施形態の高周波積層部品の積層体１０Ｉは、第５実施形態の積層体１０Ｅに対して、回路機能部に相当する層の構成が異なり、当該回路機能部が構成される絶縁体層が最上層となるものである。他の構成は上述の第５の実施形態に示した高周波積層部品の積層体１０Ｅと同じであるので、変更箇所のみを説明し、同じ箇所の説明は省略する。

絶縁体層９０１，９１１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０６の構造は、積層体１０Ｇと同じである。

内層グランド電極１６０が形成された絶縁体層９０６の上層には、絶縁体層９１６が配設される。絶縁体層９１６には、入出力用電極２０１，２０２にそれぞれ導通する所定幅で直線状の引き回し電極１９９Ａ，１９９Ｂが形成されている。この引き回し電極１９９Ａ，１９９Ｂの対向する端部に、チップインダクタ３００が実装されている。

このような構造であっても、上述の第５実施形態と同様に、優れた周波数特性の高周波積層部品を構成することができる。さらに、本実施形態の構成とすれば、チップインダクタ３００を、他の回路素子（他のインダクタンスのチップインダクタやフィルタ素子等）に置き換えることで、別の特性からなる優れた周波数特性の高周波積層部品を構成することができる。すなわち、複数種類の優れた周波数特性の高周波積層部品を容易に形成することができる。

なお、図２２では、第５の実施形態の構成を基礎に、他の回路素子を実装可能な構成にしたが、図２３に示すように、第７の実施形態の構成を基礎に、同様の他の回路素子を実装可能な構成からなる高周波積層部品を形成してもよい。図２３は本実施形態の高周波積層部品の他の積層構造（積層体１０Ｉ’）を示す図である。もちろん、第８の実施形態の構成を基礎に、同様の他の回路素子を実装可能な構成からなる高周波積層部品を形成してもよい。図２３のような構成であれば、実装回路素子と線状電極との組合せで回路機能部を構成することができる。

次に、第１０の実施形態に係る高周波積層部品について、図を参照して説明する。図２４は本実施形態の高周波積層部品の積層構造を示す図である。

上述の各実施形態では、グランドインピーダンス調整回路と回路機能部とを積層体に一体形成した例を示した。しかしながら、本実施形態に示すように、積層体にグランドインピーダンス調整回路のみを備えた構造であってもよい。

図２４に示すように、本実施形態の高周波積層部品の積層体１０Ｊは、第２の実施形態の図８に示した積層体１０Ｂの絶縁体層９０７，９０８，９０９を省いた構造からなる。

このような構造とすることで、グランドインピーダンス調整回路単体からなる高周波積層部品を形成することができる。そして、このような高周波積層部品を、別体のフィルタ素子部品に近接させて、回路基板上に実装する。これにより、別体のフィルタ素子部品の周波数特性を向上させることが可能になる。また、このグランドインピーダンス調整回路を回路基板内に形成し、部品全体を小型化することも可能である。

また、このようなグランドインピーダンス調整回路のみからなる高周波積層部品に対しても、上述の第３実施形態等に示したように、最下層の内層グランド電極１２０とグランド電極１１０との間と、内層グランド電極１２０よりも上層側とで、ビアホールの本数を異ならせてもよい。図２５は本実施形態の高周波積層部品の他の積層構造を示す図である。

なお、上述の回路機能部を備える実施形態では、ＬＣ共振器用のキャパシタとグランドインピーダンス調整回路のキャパシタとを個別に形成する例を示した。しかしながら、連続する複数のＬＣ共振器の両端のＬＣ共振器のキャパシタを、グランドインピーダンス調整回路の第１並列キャパシタＣ１および第２並列キャパシタＣ２で兼用するように構成してもよい。これにより、積層体の構成要素が少なくなり、積層体の構造をより簡素に且つ小型に形成することができる。

また、上述の回路機能部を備えるフィルタの実施形態においては、入出力端子Ｐｉｏ１，Ｐｉｏ２間に飛び結合用のキャパシタンスを設定することがある。この際、当該飛び結合用のキャパシタンスをグランドインピーダンス調整回路の直列キャパシタＣ１２で兼用することができる。これにより、積層体の構成要素が少なくなり、積層体の構造をより簡素に且つ小型に形成することができる。

また、上述の回路機能部を備える実施形態では、ＬＣ共振器用のキャパシタとグランドインピーダンス調整回路のキャパシタとを個別に形成する例を示した。しかしながら、連続する複数のＬＣ共振器の両端のＬＣ共振器のキャパシタを、グランドインピーダンス調整回路の第１並列キャパシタＣ１および第２並列キャパシタＣ２で兼用するように構成してもよい。これにより、積層体の構成要素が少なくなり、積層体の構造をより簡素に且つ小型に形成することができる。

また、上述の構造では、ＬＣ共振器のキャパシタ用の電極を所望のキャパシタンスが得られるように、適宜設定している。しかしながら、キャパシタンスに応じて、当該キャパシタ用の電極の形状を決定する際に、隣り合う線状電極の両方と、少なくとも同時には重ならないように形成するとよりよい。

１０Ａ〜１０Ｊ、１０Ｉ’，１０Ｊ’，１０Ｐ−積層体、９０１Ｐ〜９０５Ｐ，９０１〜９１６−絶縁体層、２０１，２０２−入出力用電極、１１０−グランド電極、１１１，１１２−入出力用底面電極、１２０，１６０−内層グランド電極、１３１，１３２、１５１，１５２，１７１，１７２，１７３，２１１，２１２−キャパシタ用電極、１８１，１８２−引き回し電極、１９１〜１９４，１９１Ａ〜１９４Ａ，１９１Ｂ〜１９４Ｂ，１９１Ｃ〜１９４Ｃ−線状電極、８００，８００Ａ，８００Ｂ，８０１，８０２，８０３，８０４，８１１，８１２，８１３，８１４，８２０−ビアホール

Claims (25)

1. 一対の入出力端子と、
   該一対の入出力端子間に接続された所定機能を実現する回路機能部と、
   前記一対の入出力端子間に接続された直列キャパシタと、該直列キャパシタの両端とグランドとの間にそれぞれ接続された第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタと、前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタをグランドに接続するグランド接続のインダクタと、を備えるグランドインピーダンス調整回路と、を有し、
   所定の電極パターンが形成された複数の絶縁体層を積層した積層体により、前記グランドインピーダンス調整回路を形成してなる高周波積層部品であって、
   前記積層体の異なる絶縁体層にそれぞれ形成された内層グランド電極を少なくとも備え、
   前記並列キャパシタを形成する電極は、前記内層グランド電極の間に配置されている、高周波積層部品。
2. 請求項１に記載の高周波積層部品であって、
   前記積層体の裏面には、外部接続用のグランド電極が形成されており、
   前記グランド接続のインダクタは、前記外部接続用のグランド電極と、該外部接続用のグランド電極に近い側の内装グランド電極とを接続する導電性のビアホールからなる、高周波積層部品。
3. 請求項１または請求項２に記載の高周波積層部品であって、
   前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタは、互いに対向する対向電極によって構成され、
   前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタの一方の対向電極を、前記内層グランド電極で形成し、
   前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタの他方の対向電極は、前記内層グランド電極の間に配置されている、高周波積層部品。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波積層部品であって、
   前記直列キャパシタは互いに対向する対向電極によって構成され、
   前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタの他方の対向電極は、前記直列キャパシタの一方の対向電極を兼用する、高周波積層部品。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波積層部品であって、
   前記回路機能部は、所定の周波数通過特性を有するフィルタである、高周波積層部品。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の高周波積層部品であって、
   前記回路機能部は、前記複数の絶縁体層に形成された電極パターンからなる、高周波積層部品。
7. 請求項６に記載の高周波積層部品であって、
   前記回路機能部にキャパシタを含み、該キャパシタを前記グランドインピーダンス調整回路を構成する前記直列キャパシタ、第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタの少なくとも一つで兼用する、高周波積層部品。
8. 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の高周波積層部品であって、
   前記回路機能部は、前記積層体に実装される実装部品からなり、
   前記積層体には、前記実装部品を実装する実装用ランドが形成されている、高周波積層部品。
9. 一対の入出力端子と、
   該一対の入出力端子間に接続された直列キャパシタと、該直列キャパシタの両端とグランドとの間にそれぞれ接続された第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタと、前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタをグランドに接続するグランド接続のインダクタと、を備えるグランドインピーダンス調整回路と、を有し、
   所定の電極パターンが形成された複数の絶縁体層を積層した積層体により、前記グランドインピーダンス調整回路を形成してなる高周波積層部品であって、
   前記積層体の異なる中間層にそれぞれ形成された二個の内層グランド電極を少なくとも備え、
   前記直列キャパシタを形成する電極は、前記二個の内層グランド電極の間に配置されている、高周波積層部品。
10. 請求項９に記載の高周波積層部品であって、
    前記積層体の裏面には、外部接続用のグランド電極が形成されており、
    前記グランド接続のインダクタは、前記外部接続用のグランド電極と、該外部接続用のグランド電極に近い側の内装グランド電極とを接続する導電性のビアホールからなる、高周波積層部品。
11. 請求項９または請求項１０に記載の高周波積層部品であって、
    前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタの一方の対向電極を、前記内層グランド電極で形成し、
    前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタの他方の対向電極は、前記二個の内層グランド電極の間に配置されている、高周波積層部品。
12. 請求項９乃至請求項１１のいずれかに記載の高周波積層部品であって、
    前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタの他方の対向電極は、前記直列キャパシタの一方の対向電極を兼用する、高周波積層部品。
13. 一対の入出力端子と、
    該一対の入出力端子間に高周波的に接続された複数段のＬＣ共振器と、
    前記一対の入出力端子間に直接接続される飛び結合用キャパシタと、
    前記一対の入出力端子間に接続された直列キャパシタと、該直列キャパシタの両端とグランドとの間にそれぞれ接続された第１並列キャパシタおよび第２並列キャパシタと、前記第１並列キャパシタおよび前記第２並列キャパシタをグランドに接続するグランド接続のインダクタと、を備えるグランドインピーダンス調整回路と、を備え、
    前記ＬＣ共振器を構成するインダクタおよびキャパシタと、前記飛び結合用キャパシタとを、所定の電極パターンが形成された複数の絶縁体層を積層した積層体により形成してなる積層型高周波フィルタであって、
    前記積層体は前記絶縁体層上に形成された内層グランド電極を含み、
    前記インダクタを構成する電極パターンと、前記飛び結合用キャパシタを構成する電極パターンとの間に、内層グランド電極が配設されている、積層型高周波フィルタ。
14. 請求項１３に記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記積層体の裏面には、外部接続用のグランド電極が形成されており、
    前記グランド接続のインダクタは、前記外部接続用のグランド電極と、該外部接続用のグランド電極に近い側の内装グランド電極とを接続する導電性のビアホールからなる、積層型高周波フィルタ。
15. 請求項１３または請求項１４に記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記一対の入出力端子とグランドとの間にそれぞれ接続される入出力用キャパシタを備え、
    該入出力用キャパシタを前記積層体の電極パターンにより形成し、
    少なくとも前記飛び結合用キャパシタが、異なる絶縁体層に形成された内層グランド電極により挟まれて配設されている、積層型高周波フィルタ。
16. 請求項１５に記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記入出力用キャパシタを形成する電極パターンも、前記異なる絶縁体層に形成された内層グランド電極により挟まれて配設されている、積層型高周波フィルタ。
17. 請求項１３乃至請求項１６のいずれかに記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記ＬＣ共振器のインダクタの電極パターンの両端には、前記ＬＣ共振器のキャパシタおよびグランドに接続するためのビアホールが形成され、インダクタは該インダクタの電極パターンと二つのビアホールとにより構成される、積層型高周波フィルタ。
18. 請求項１７に記載の積層型高周波フィルタであって、
    各インダクタの電極パターンに接続するビアホールは、前記積層体を側面から見て略重なる位置に形成されている、積層型高周波フィルタ。
19. 請求項１７または請求項１８に記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記インダクタを構成する電極パターンは、複数の絶縁体層に設けられ、
    該複数の絶縁体層に設けられた各電極パターンは、前記二つのビアホールに並列接続されている、積層型高周波フィルタ。
20. 請求項１７乃至請求項１９のいずれかに記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記インダクタの電極パターンが接続されるグランドは、積層体の底面とは異なる所定の絶縁体層に形成された内層グランド電極である、積層型高周波フィルタ。
21. 請求項２０に記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記インダクタの電極パターンが接続する内層グランド電極は、前記インダクタを構成する電極パターンと、前記飛び結合用キャパシタを構成する電極パターンとの間に配設された内層グランド電極である、積層型高周波フィルタ。
22. 請求項１７乃至請求項２１のいずれかに記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記複数のＬＣ共振器を構成するインダクタの内、任意の隣り合うインダクタの電極パターンの前記キャパシタと接続するビアホールの接続位置が異なる端部にある積層型高周波フィルタ。
23. 請求項１３乃至請求項２２のいずれかに記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記複数のＬＣ共振器を構成するインダクタの内、任意の隣り合うインダクタの電極パターンが同一の絶縁体層に形成されている、積層型高周波フィルタ。
24. 請求項１３乃至請求項２３のいずれかに記載の積層型高周波フィルタであって、
    外部グランドに接続するための外部グランド電極と、前記一対の入出力端子を形成する外部入出力端子とが、前記積層体の底面に配列形成されている、積層型高周波フィルタ。
25. 請求項１３乃至請求項２４のいずれかに記載の積層型高周波フィルタであって、
    前記直列キャパシタは、前記飛び結合用キャパシタを構成する電極パターンと兼用されている、積層型高周波フィルタ。

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