JP2000323901A - 積層型ｌｃフィルタ - Google Patents
積層型ｌｃフィルタInfo
- Publication number
- JP2000323901A JP2000323901A JP11127818A JP12781899A JP2000323901A JP 2000323901 A JP2000323901 A JP 2000323901A JP 11127818 A JP11127818 A JP 11127818A JP 12781899 A JP12781899 A JP 12781899A JP 2000323901 A JP2000323901 A JP 2000323901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductor
- patterns
- pattern
- capacitor
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＣ共振器のインダクタンスが大きく、か
つ、優れたＱ特性を有する積層型ＬＣフィルタを得る。 【解決手段】 インダクタパターン５４ａ，５４ｂは同
一形状であり、シート５２を介して積層され、２重構造
のインダクタＬ１を構成する。同様に、インダクタパタ
ーン５５ａ，５５ｂも、２重構造のインダクタＬ２を構
成する。コンデンサパターン５８ａ，５８ｂは、インダ
クタパターン５４ａ，５４ｂの幅広部５６ａ，５６ｂに
対向し、コンデンサＣ１を形成する。同様に、コンデン
サパターン５９ａ，５９ｂは、インダクタパターン５５
ａ，５５ｂの幅広部５７ａ，５７ｂに対向し、コンデン
サＣ２を形成する。結合コンデンサパターン６２はイン
ダクタパターン５４ａ，５５ａと５４ｂ，５５ｂとの間
に位置する。
つ、優れたＱ特性を有する積層型ＬＣフィルタを得る。 【解決手段】 インダクタパターン５４ａ，５４ｂは同
一形状であり、シート５２を介して積層され、２重構造
のインダクタＬ１を構成する。同様に、インダクタパタ
ーン５５ａ，５５ｂも、２重構造のインダクタＬ２を構
成する。コンデンサパターン５８ａ，５８ｂは、インダ
クタパターン５４ａ，５４ｂの幅広部５６ａ，５６ｂに
対向し、コンデンサＣ１を形成する。同様に、コンデン
サパターン５９ａ，５９ｂは、インダクタパターン５５
ａ，５５ｂの幅広部５７ａ，５７ｂに対向し、コンデン
サＣ２を形成する。結合コンデンサパターン６２はイン
ダクタパターン５４ａ，５５ａと５４ｂ，５５ｂとの間
に位置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣフィルタに関
し、特に、高周波で使用される積層型ＬＣフィルタに関
する。
し、特に、高周波で使用される積層型ＬＣフィルタに関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、特定の周波数帯の信号を通過さ
せるバンドパスフィルタは、複数のＬＣ共振器を備えて
いる。従来のバンドパスフィルタの一例の具体的な構成
を図１３に示す。図１３に示すように、バンドパスフィ
ルタ１は、セラミックシート３を積み重ねて構成した積
層体内に、第１段及び第２段のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２を
有したものである。
せるバンドパスフィルタは、複数のＬＣ共振器を備えて
いる。従来のバンドパスフィルタの一例の具体的な構成
を図１３に示す。図１３に示すように、バンドパスフィ
ルタ１は、セラミックシート３を積み重ねて構成した積
層体内に、第１段及び第２段のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２を
有したものである。
【０００３】ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のインダクタンス
は、それぞれインダクタパターン４ａ，４ｂ，５ａ，５
ｂにより形成される。ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のキャパシ
タンスは、それぞれコンデンサパターン６ａ〜６ｃ，７
ａ〜７ｃと、これらコンデンサパターン６ａ〜６ｃ，７
ａ〜７ｃにセラミックシート３を介して対向しているイ
ンダクタパターン４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂとで形成され
る。以上のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２は、電磁気的に相互に
結合される。
は、それぞれインダクタパターン４ａ，４ｂ，５ａ，５
ｂにより形成される。ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のキャパシ
タンスは、それぞれコンデンサパターン６ａ〜６ｃ，７
ａ〜７ｃと、これらコンデンサパターン６ａ〜６ｃ，７
ａ〜７ｃにセラミックシート３を介して対向しているイ
ンダクタパターン４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂとで形成され
る。以上のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２は、電磁気的に相互に
結合される。
【０００４】インダクタパターン４ａの先端部は、シー
ト３の左側に設けた入力引出しパターン１４に接続して
いる。インダクタパターン５ａの先端部は、シート３の
右側に設けた出力引出しパターン１５に接続している。
そして、交互に配置されたインダクタパターン４ａ，４
ｂ，５ａ，５ｂとコンデンサパターン６ａ〜６ｃ，７ａ
〜７ｃとを間に挟んで、シールドパターン１２ａ，１２
ｂが配置されている。
ト３の左側に設けた入力引出しパターン１４に接続して
いる。インダクタパターン５ａの先端部は、シート３の
右側に設けた出力引出しパターン１５に接続している。
そして、交互に配置されたインダクタパターン４ａ，４
ｂ，５ａ，５ｂとコンデンサパターン６ａ〜６ｃ，７ａ
〜７ｃとを間に挟んで、シールドパターン１２ａ，１２
ｂが配置されている。
【０００５】また、従来の積層型バンドパスフィルタの
別の一例として、図１４及び図１５に示すような構成の
ものもある。このバンドパスフィルタ２１は、セラミッ
クシート２３を積み重ねて構成した積層体４１内に、第
１段及び第２段のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２を有したもので
ある。
別の一例として、図１４及び図１５に示すような構成の
ものもある。このバンドパスフィルタ２１は、セラミッ
クシート２３を積み重ねて構成した積層体４１内に、第
１段及び第２段のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２を有したもので
ある。
【０００６】ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のインダクタンス
は、それぞれインダクタパターン２４，２５により形成
される。ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のキャパシタンスは、そ
れぞれコンデンサパターン２６，２７と、これらコンデ
ンサパターン２６，２７に対向しているインダクタパタ
ーン２４，２５の先端部２４ａ，２５ａとで形成され
る。以上のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２は、インダクタパター
ン２４，２５とこれらインダクタパターン２４，２５に
対向している結合コンデンサパターン２８とで形成する
結合コンデンサにて電気的に結合している。このＬＣ共
振器Ｑ１，Ｑ２はそれぞれ、入力引出しパターン２９及
び出力引出しパターン３０に容量結合している。そし
て、これらのパターン２４〜３０を間に挟んでシールド
パターン３２ａ，３２ｂが配置されている。
は、それぞれインダクタパターン２４，２５により形成
される。ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のキャパシタンスは、そ
れぞれコンデンサパターン２６，２７と、これらコンデ
ンサパターン２６，２７に対向しているインダクタパタ
ーン２４，２５の先端部２４ａ，２５ａとで形成され
る。以上のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２は、インダクタパター
ン２４，２５とこれらインダクタパターン２４，２５に
対向している結合コンデンサパターン２８とで形成する
結合コンデンサにて電気的に結合している。このＬＣ共
振器Ｑ１，Ｑ２はそれぞれ、入力引出しパターン２９及
び出力引出しパターン３０に容量結合している。そし
て、これらのパターン２４〜３０を間に挟んでシールド
パターン３２ａ，３２ｂが配置されている。
【０００７】積層体４１には、図１５に示すような入力
端子電極４２，出力端子電極４３及びシールド端子電極
４４，４５が形成されている。入力端子電極４２には入
力引出しパターン２９が接続され、出力端子電極４３に
は出力引出しパターン３０が接続される。シールド端子
電極４４には、インダクタパターン２４，２５の引出し
部とシールドパターン３２ａ，３２ｂの一方の端部が接
続される。シールド端子電極４５には、コンデンサパタ
ーン２６，２７の引出し部とシールドパターン３２ａ，
３２ｂの他方の端部が接続される。
端子電極４２，出力端子電極４３及びシールド端子電極
４４，４５が形成されている。入力端子電極４２には入
力引出しパターン２９が接続され、出力端子電極４３に
は出力引出しパターン３０が接続される。シールド端子
電極４４には、インダクタパターン２４，２５の引出し
部とシールドパターン３２ａ，３２ｂの一方の端部が接
続される。シールド端子電極４５には、コンデンサパタ
ーン２６，２７の引出し部とシールドパターン３２ａ，
３２ｂの他方の端部が接続される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１３
に示したバンドパスフィルタ１の場合、インダクタパタ
ーン４ａ〜５ｂがコンデンサパターン６ａ〜６ｃ，７ａ
〜７ｃの間に挟まれた状態で積層されているので、各イ
ンダクタパターン４ａ〜５ｂには、両側に配置された二
つのコンデンサパターンから電流が流れ込むことにな
る。従って、インダクタパターン４ａ〜５ｂを流れる電
流量（電流密度）が大きくなり、ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２
のＱ特性が比較的悪いという問題があった。
に示したバンドパスフィルタ１の場合、インダクタパタ
ーン４ａ〜５ｂがコンデンサパターン６ａ〜６ｃ，７ａ
〜７ｃの間に挟まれた状態で積層されているので、各イ
ンダクタパターン４ａ〜５ｂには、両側に配置された二
つのコンデンサパターンから電流が流れ込むことにな
る。従って、インダクタパターン４ａ〜５ｂを流れる電
流量（電流密度）が大きくなり、ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２
のＱ特性が比較的悪いという問題があった。
【０００９】また、図１４及び図１５に示したバンドパ
スフィルタ２１の場合、インダクタパターン２４，２５
の周囲に発生する磁界Ｈは、図１６において点線で囲ん
だ領域Ｓを磁路として有効に利用していない。このた
め、ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のインダクタンスが小さかっ
た。しかも、磁界Ｈはインダクタパターン２４，２５の
エッジ部に集中するため、渦電流損が大きく、Ｑ特性が
悪かった。さらに、図１７に示すように、結合コンデン
サパターン２８や入出力引出しパターン２９，３０によ
り、インダクタパターン２４，２５の周囲に発生する磁
界Ｈが遮られる。従って、これによっても、ＬＣ共振器
Ｑ１，Ｑ２のインダクタンスが低下する。
スフィルタ２１の場合、インダクタパターン２４，２５
の周囲に発生する磁界Ｈは、図１６において点線で囲ん
だ領域Ｓを磁路として有効に利用していない。このた
め、ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のインダクタンスが小さかっ
た。しかも、磁界Ｈはインダクタパターン２４，２５の
エッジ部に集中するため、渦電流損が大きく、Ｑ特性が
悪かった。さらに、図１７に示すように、結合コンデン
サパターン２８や入出力引出しパターン２９，３０によ
り、インダクタパターン２４，２５の周囲に発生する磁
界Ｈが遮られる。従って、これによっても、ＬＣ共振器
Ｑ１，Ｑ２のインダクタンスが低下する。
【００１０】そこで、本発明の目的は、ＬＣ共振器のイ
ンダクタンスが大きく、かつ、優れたＱ特性を有する積
層型ＬＣフィルタを提供することにある。
ンダクタンスが大きく、かつ、優れたＱ特性を有する積
層型ＬＣフィルタを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係る積層型ＬＣフィルタは、複数の
絶縁層と複数のインダクタパターンと複数のコンデンサ
パターンとを積み重ねて構成した積層体内部に、前記イ
ンダクタパターンにより形成される複数のインダクタ
と、前記コンデンサパターンが前記インダクタパターン
に対向して形成する複数のコンデンサとで複数のＬＣ共
振器を形成した積層型ＬＣフィルタにおいて、各々のＬ
Ｃ共振器の前記インダクタを、二つ以上の略同一形状の
前記インダクタパターンを前記絶縁層を介して積層して
多重構造とし、前記ＬＣ共振器間を容量結合するための
結合コンデンサパターンや入出力用コンデンサパターン
を前記インダクタのインダクタパターンの間に積層した
ことを特徴とする。
するため、本発明に係る積層型ＬＣフィルタは、複数の
絶縁層と複数のインダクタパターンと複数のコンデンサ
パターンとを積み重ねて構成した積層体内部に、前記イ
ンダクタパターンにより形成される複数のインダクタ
と、前記コンデンサパターンが前記インダクタパターン
に対向して形成する複数のコンデンサとで複数のＬＣ共
振器を形成した積層型ＬＣフィルタにおいて、各々のＬ
Ｃ共振器の前記インダクタを、二つ以上の略同一形状の
前記インダクタパターンを前記絶縁層を介して積層して
多重構造とし、前記ＬＣ共振器間を容量結合するための
結合コンデンサパターンや入出力用コンデンサパターン
を前記インダクタのインダクタパターンの間に積層した
ことを特徴とする。
【００１２】以上の構成により、各インダクタを構成す
る二つ以上の略同一形状のインダクタパターン間には磁
界が発生せず、インダクタパターンの間に配置された結
合コンデンサパターンや入出力用コンデンサパターンは
インダクタの磁界を殆ど遮断しない。
る二つ以上の略同一形状のインダクタパターン間には磁
界が発生せず、インダクタパターンの間に配置された結
合コンデンサパターンや入出力用コンデンサパターンは
インダクタの磁界を殆ど遮断しない。
【００１３】また、インダクタを多重構造とすることに
より、インダクタの周囲に発生する磁界がインダクタパ
ターンのエッジ部に集中するのが緩和される。さらに、
各ＬＣ共振器におけるインダクタパターンが、コンデン
サパターンと少なくとも１対１に対応することになり、
各インダクタパターンにコンデンサパターンから流れ込
む電流量が従来より小さくなる。従って、インダクタパ
ターンを流れる電流密度が低下し、各ＬＣ共振器のＱ特
性が向上する。
より、インダクタの周囲に発生する磁界がインダクタパ
ターンのエッジ部に集中するのが緩和される。さらに、
各ＬＣ共振器におけるインダクタパターンが、コンデン
サパターンと少なくとも１対１に対応することになり、
各インダクタパターンにコンデンサパターンから流れ込
む電流量が従来より小さくなる。従って、インダクタパ
ターンを流れる電流密度が低下し、各ＬＣ共振器のＱ特
性が向上する。
【００１４】さらに、本発明に係る積層型ＬＣフィルタ
は、ＬＣ共振器を少なくとも３個接続して３段以上のフ
ィルタを構成し、両端以外に位置するＬＣ共振器を構成
するインダクタパターンのパターン幅を、両端に位置す
るＬＣ共振器を構成するインダクタパターンのパターン
幅より広く設定している。通常、両端以外に位置するＬ
Ｃ共振器を構成するインダクタパターンは、両端に位置
するＬＣ共振器を構成するインダクタパターンと比較し
て、インダクタパターンのエッジ部での磁界集中が大き
い。そこで、両端以外に位置するＬＣ共振器のインダク
タパターンのパターン幅を広くすることにより、該イン
ダクタパターンのエッジ部での磁界を緩和することがで
きる。
は、ＬＣ共振器を少なくとも３個接続して３段以上のフ
ィルタを構成し、両端以外に位置するＬＣ共振器を構成
するインダクタパターンのパターン幅を、両端に位置す
るＬＣ共振器を構成するインダクタパターンのパターン
幅より広く設定している。通常、両端以外に位置するＬ
Ｃ共振器を構成するインダクタパターンは、両端に位置
するＬＣ共振器を構成するインダクタパターンと比較し
て、インダクタパターンのエッジ部での磁界集中が大き
い。そこで、両端以外に位置するＬＣ共振器のインダク
タパターンのパターン幅を広くすることにより、該イン
ダクタパターンのエッジ部での磁界を緩和することがで
きる。
【００１５】また、ポール調整用パターンを、さらに多
重構造のインダクタのインダクタパターン間に積層する
ことにより、インダクタの周囲に発生する磁界を遮るこ
となく、フィルタ特性におけるポール位置を自由に設定
できる。
重構造のインダクタのインダクタパターン間に積層する
ことにより、インダクタの周囲に発生する磁界を遮るこ
となく、フィルタ特性におけるポール位置を自由に設定
できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型ＬＣフ
ィルタの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態は、バンドパスフィルタを例にして説明
するが、バンドエルミネート（帯域阻止）フィルタ等で
あってもよい。
ィルタの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態は、バンドパスフィルタを例にして説明
するが、バンドエルミネート（帯域阻止）フィルタ等で
あってもよい。
【００１７】［第１実施形態、図１〜図４］図１に積層
型ＬＣバンドパスフィルタ５１の構成を示し、図２及び
図４にそれぞれ、ＬＣフィルタ５１の外観斜視図及び電
気等価回路図を示す。図４に示すように、ＬＣフィルタ
５１は二段のＬＣバンドパスフィルタであり、第１段の
ＬＣ共振器Ｑ１と第２段のＬＣ共振器Ｑ２とを結合コン
デンサＣｓ１により容量結合している。
型ＬＣバンドパスフィルタ５１の構成を示し、図２及び
図４にそれぞれ、ＬＣフィルタ５１の外観斜視図及び電
気等価回路図を示す。図４に示すように、ＬＣフィルタ
５１は二段のＬＣバンドパスフィルタであり、第１段の
ＬＣ共振器Ｑ１と第２段のＬＣ共振器Ｑ２とを結合コン
デンサＣｓ１により容量結合している。
【００１８】図１に示すように、ＬＣフィルタ５１は、
インダクタパターン５４ａ，５４ｂ，５５ａ，５５ｂを
それぞれ表面に設けたセラミックシート５２と、コンデ
ンサパターン５８ａ，５８ｂ，５９ａ，５９ｂをそれぞ
れ表面に設けたセラミックシート５２と、シールドパタ
ーン６０ａ，６０ｂをそれぞれ表面に設けたセラミック
シート５２と、結合コンデンサパターン６２を表面に設
けたセラミックシート５２等にて構成されている。セラ
ミックシート５２は、例えば、チタン酸バリウム等のセ
ラミック誘電体材料からなる四角形状のシートである。
インダクタパターン５４ａ，５４ｂ，５５ａ，５５ｂを
それぞれ表面に設けたセラミックシート５２と、コンデ
ンサパターン５８ａ，５８ｂ，５９ａ，５９ｂをそれぞ
れ表面に設けたセラミックシート５２と、シールドパタ
ーン６０ａ，６０ｂをそれぞれ表面に設けたセラミック
シート５２と、結合コンデンサパターン６２を表面に設
けたセラミックシート５２等にて構成されている。セラ
ミックシート５２は、例えば、チタン酸バリウム等のセ
ラミック誘電体材料からなる四角形状のシートである。
【００１９】インダクタパターン５４ａ，５４ｂは同一
形状であり、シート５２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ１を構成している。シート５２の左寄りの
位置に形成されたインダクタパターン５４ａ，５４ｂ
は、その一端がシート５２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン５４ａ，５４ｂの他端部５６
ａ，５６ｂは幅広になっており、この幅広部５６ａ，５
６ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン５４ａ，５４ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている入力引出しパターン６４ａ，６４ｂは、シート５
２の左辺に露出している。
形状であり、シート５２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ１を構成している。シート５２の左寄りの
位置に形成されたインダクタパターン５４ａ，５４ｂ
は、その一端がシート５２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン５４ａ，５４ｂの他端部５６
ａ，５６ｂは幅広になっており、この幅広部５６ａ，５
６ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン５４ａ，５４ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている入力引出しパターン６４ａ，６４ｂは、シート５
２の左辺に露出している。
【００２０】インダクタパターン５５ａ，５５ｂは同一
形状であり、シート５２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ２を構成している。シート５２の右寄りの
位置に形成されたインダクタパターン５５ａ，５５ｂ
は、その一端がシート５２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン５５ａ，５５ｂの他端部５７
ａ，５７ｂは幅広になっており、この幅広部５７ａ，５
７ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン５５ａ，５５ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン６５ａ，６５ｂは、シート５
２の右辺に露出している。
形状であり、シート５２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ２を構成している。シート５２の右寄りの
位置に形成されたインダクタパターン５５ａ，５５ｂ
は、その一端がシート５２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン５５ａ，５５ｂの他端部５７
ａ，５７ｂは幅広になっており、この幅広部５７ａ，５
７ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン５５ａ，５５ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン６５ａ，６５ｂは、シート５
２の右辺に露出している。
【００２１】コンデンサパターン５８ａ，５８ｂは、シ
ート５２の左寄りの位置に形成され、その一端はシート
５２の奥側の辺に露出している。シート５２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン５８ａと５８ｂの間
には、インダクタパターン５４ａ，５４ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ１が配置されている。このコ
ンデンサパターン５８ａ，５８ｂは、インダクタパター
ン５４ａ，５４ｂの幅広部５６ａ，５６ｂに対向し、コ
ンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサＣ１と２
重構造のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振回路を形成
し、第１段のＬＣ共振器Ｑ１を構成する。
ート５２の左寄りの位置に形成され、その一端はシート
５２の奥側の辺に露出している。シート５２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン５８ａと５８ｂの間
には、インダクタパターン５４ａ，５４ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ１が配置されている。このコ
ンデンサパターン５８ａ，５８ｂは、インダクタパター
ン５４ａ，５４ｂの幅広部５６ａ，５６ｂに対向し、コ
ンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサＣ１と２
重構造のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振回路を形成
し、第１段のＬＣ共振器Ｑ１を構成する。
【００２２】コンデンサパターン５９ａ，５９ｂは、シ
ート５２の右寄りの位置に形成され、その一端はシート
５２の奥側の辺に露出している。シート５２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン５９ａと５９ｂの間
には、インダクタパターン５５ａ，５５ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ２が配置されている。このコ
ンデンサパターン５９ａ，５９ｂは、インダクタパター
ン５５ａ，５５ｂの幅広部５７ａ，５７ｂに対向し、コ
ンデンサＣ２を形成する。そして、コンデンサＣ２と２
重構造のインダクタＬ２とでＬＣ並列共振回路を形成
し、第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成する。
ート５２の右寄りの位置に形成され、その一端はシート
５２の奥側の辺に露出している。シート５２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン５９ａと５９ｂの間
には、インダクタパターン５５ａ，５５ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ２が配置されている。このコ
ンデンサパターン５９ａ，５９ｂは、インダクタパター
ン５５ａ，５５ｂの幅広部５７ａ，５７ｂに対向し、コ
ンデンサＣ２を形成する。そして、コンデンサＣ２と２
重構造のインダクタＬ２とでＬＣ並列共振回路を形成
し、第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成する。
【００２３】結合コンデンサパターン６２は、シート５
２の奥側寄りの中央部に配設され、シート５２の積み重
ね方向において、インダクタパターン５４ａ，５５ａと
インダクタパターン５４ｂ，５５ｂとの間に位置する。
この結合コンデンサパターン６２は、幅広部５６ａ，５
６ｂ，５７ａ，５７ｂに対向し、結合コンデンサＣｓ１
を形成する。広面積のシールドパターン６０ａ，６０ｂ
は、それぞれの一端が手前側の辺に露出し、他端が奥側
の辺に露出している。
２の奥側寄りの中央部に配設され、シート５２の積み重
ね方向において、インダクタパターン５４ａ，５５ａと
インダクタパターン５４ｂ，５５ｂとの間に位置する。
この結合コンデンサパターン６２は、幅広部５６ａ，５
６ｂ，５７ａ，５７ｂに対向し、結合コンデンサＣｓ１
を形成する。広面積のシールドパターン６０ａ，６０ｂ
は、それぞれの一端が手前側の辺に露出し、他端が奥側
の辺に露出している。
【００２４】以上の構成からなる各シート５２は図１に
示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成されること
により、図２に示す積層体７０とされる。積層体７０の
左右の端面にはそれぞれ入力端子電極６６及び出力端子
電極６７が形成され、手前と奥の側面にはそれぞれシー
ルド端子電極６８，６９が形成されている。入力端子電
極６６には入力引出しパターン６４ａ，６４ｂが接続さ
れ、出力端子電極６７には出力引出しパターン６５ａ，
６５ｂが接続される。シールド端子電極６８には、イン
ダクタパターン５４ａ，５４ｂ，５５ａ，５５ｂの一端
とシールドパターン６０ａ，６０ｂの一端とが接続され
る。シールド端子電極６９には、コンデンサパターン５
８ａ，５８ｂ，５９ａ，５９ｂの一端とシールドパター
ン６０ａ，６０ｂの他端とが接続される。
示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成されること
により、図２に示す積層体７０とされる。積層体７０の
左右の端面にはそれぞれ入力端子電極６６及び出力端子
電極６７が形成され、手前と奥の側面にはそれぞれシー
ルド端子電極６８，６９が形成されている。入力端子電
極６６には入力引出しパターン６４ａ，６４ｂが接続さ
れ、出力端子電極６７には出力引出しパターン６５ａ，
６５ｂが接続される。シールド端子電極６８には、イン
ダクタパターン５４ａ，５４ｂ，５５ａ，５５ｂの一端
とシールドパターン６０ａ，６０ｂの一端とが接続され
る。シールド端子電極６９には、コンデンサパターン５
８ａ，５８ｂ，５９ａ，５９ｂの一端とシールドパター
ン６０ａ，６０ｂの他端とが接続される。
【００２５】このＬＣフィルタ５１において、図３に示
すように、各インダクタＬ１，Ｌ２を構成するインダク
タパターン５４ａと５４ｂの間、並びに、インダクタパ
ターン５５ａと５５ｂの間には、磁界Ｈが発生しない。
従って、インダクタパターン５４ａ，５５ａと５４ｂ，
５５ｂとの間に配置された結合コンデンサパターン６２
はインダクタＬ１，Ｌ２の磁界Ｈを殆ど遮断しない。こ
のため、均一な磁界Ｈが、インダクタパターン５４ａ，
５４ｂの周囲及びインダクタパターン５５ａ，５５ｂの
周囲にそれぞれ形成され、大きなインダクタンスが得ら
れる。
すように、各インダクタＬ１，Ｌ２を構成するインダク
タパターン５４ａと５４ｂの間、並びに、インダクタパ
ターン５５ａと５５ｂの間には、磁界Ｈが発生しない。
従って、インダクタパターン５４ａ，５５ａと５４ｂ，
５５ｂとの間に配置された結合コンデンサパターン６２
はインダクタＬ１，Ｌ２の磁界Ｈを殆ど遮断しない。こ
のため、均一な磁界Ｈが、インダクタパターン５４ａ，
５４ｂの周囲及びインダクタパターン５５ａ，５５ｂの
周囲にそれぞれ形成され、大きなインダクタンスが得ら
れる。
【００２６】また、インダクタＬ１，Ｌ２が２重構造で
あるため、インダクタパターン５４ａと５４ｂの間隔及
びインダクタパターン５５ａと５５ｂの間隔を調整する
ことにより、インダクタＬ１，Ｌ２のそれぞれの周囲に
発生する磁界Ｈの分布を最適化することができ、磁界Ｈ
がインダクタパターン５４ａ〜５５ｂのエッジ部に集中
するのを緩和することができる。これにより、渦電流損
を減少させることができる。
あるため、インダクタパターン５４ａと５４ｂの間隔及
びインダクタパターン５５ａと５５ｂの間隔を調整する
ことにより、インダクタＬ１，Ｌ２のそれぞれの周囲に
発生する磁界Ｈの分布を最適化することができ、磁界Ｈ
がインダクタパターン５４ａ〜５５ｂのエッジ部に集中
するのを緩和することができる。これにより、渦電流損
を減少させることができる。
【００２７】さらに、各ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２における
インダクタパターン５４ａ〜５５ｂが、それぞれコンデ
ンサパターン５８ａ〜５９ｂと１対１に対応するので、
コンデンサパターン５８ａ〜５９ｂからインダクタパタ
ーン５４ａ〜５５ｂに流れ込む電流量を従来より小さく
できる。従って、インダクタパターン５４ａ〜５５ｂを
流れる電流密度を低下させることができ、Ｑ特性の優れ
たＬＣフィルタ５１が得られる。
インダクタパターン５４ａ〜５５ｂが、それぞれコンデ
ンサパターン５８ａ〜５９ｂと１対１に対応するので、
コンデンサパターン５８ａ〜５９ｂからインダクタパタ
ーン５４ａ〜５５ｂに流れ込む電流量を従来より小さく
できる。従って、インダクタパターン５４ａ〜５５ｂを
流れる電流密度を低下させることができ、Ｑ特性の優れ
たＬＣフィルタ５１が得られる。
【００２８】［第２実施形態、図５〜図７］本発明に係
る積層型ＬＣフィルタの第２実施形態の構成を図５及び
図６に示す。第２実施形態のＬＣフィルタ７１は、前記
第１実施形態のＬＣフィルタ５１において、入出力引出
しパターン６４ａ，６４ｂ，６５ａ，６５ｂの替わり
に、入出力用コンデンサパターン７２，７３を用いたも
のである。なお、図５及び図６において、図１及び図２
に対応する部分には同一符号を付して示し、重複した説
明は省略する。
る積層型ＬＣフィルタの第２実施形態の構成を図５及び
図６に示す。第２実施形態のＬＣフィルタ７１は、前記
第１実施形態のＬＣフィルタ５１において、入出力引出
しパターン６４ａ，６４ｂ，６５ａ，６５ｂの替わり
に、入出力用コンデンサパターン７２，７３を用いたも
のである。なお、図５及び図６において、図１及び図２
に対応する部分には同一符号を付して示し、重複した説
明は省略する。
【００２９】入出力用コンデンサパターン７２，７３
は、結合コンデンサパターン６２を設けたセラミックシ
ート５２上に形成されている。入力用コンデンサパター
ン７２は、シート５２を介してインダクタパターン５４
ａ，５４ｂに対向しており、ＬＣ共振器Ｑ１に容量結合
している。入力用コンデンサパターン７２の一端は、シ
ート５２の左辺に露出して入力端子電極６６に電気的に
接続している。出力用コンデンサパターン７３は、シー
ト５２を介してインダクタパターン５５ａ，５５ｂに対
向しており、ＬＣ共振器Ｑ２に容量結合している。出力
用コンデンサパターン７３の一端は、シート５２の右辺
に露出して出力端子電極６７に電気的に接続している。
は、結合コンデンサパターン６２を設けたセラミックシ
ート５２上に形成されている。入力用コンデンサパター
ン７２は、シート５２を介してインダクタパターン５４
ａ，５４ｂに対向しており、ＬＣ共振器Ｑ１に容量結合
している。入力用コンデンサパターン７２の一端は、シ
ート５２の左辺に露出して入力端子電極６６に電気的に
接続している。出力用コンデンサパターン７３は、シー
ト５２を介してインダクタパターン５５ａ，５５ｂに対
向しており、ＬＣ共振器Ｑ２に容量結合している。出力
用コンデンサパターン７３の一端は、シート５２の右辺
に露出して出力端子電極６７に電気的に接続している。
【００３０】以上の構成からなるＬＣフィルタ７１は、
図７に示すように、シート５２の積み重ね方向におい
て、インダクタパターン５４ａ，５５ａと５４ｂ，５５
ｂの間に、結合コンデンサパターン６２及び入出力用コ
ンデンサパターン７２，７３を配置している。従って、
結合コンデンサパターン６２及び入出力用コンデンサパ
ターン７２，７３はインダクタＬ１，Ｌ２の磁界Ｈを殆
ど遮断しない。このため、均一な磁界Ｈが形成され、大
きなインダクタンスが得られる。
図７に示すように、シート５２の積み重ね方向におい
て、インダクタパターン５４ａ，５５ａと５４ｂ，５５
ｂの間に、結合コンデンサパターン６２及び入出力用コ
ンデンサパターン７２，７３を配置している。従って、
結合コンデンサパターン６２及び入出力用コンデンサパ
ターン７２，７３はインダクタＬ１，Ｌ２の磁界Ｈを殆
ど遮断しない。このため、均一な磁界Ｈが形成され、大
きなインダクタンスが得られる。
【００３１】［第３実施形態、図８〜図１２］図８に積
層ＬＣバンドパスフィルタ８１の構成を示し、図９及び
図１１にそれぞれＬＣフィルタ８１の外観斜視図及び電
気等価回路図を示す。図１１に示すように、ＬＣフィル
タ８１は三段のＬＣバンドパスフィルタであり、第１段
（初段）のＬＣ共振器Ｑ１と第２段のＬＣ共振器Ｑ２と
第３段（終段）のＬＣ共振器Ｑ３とを結合コンデンサＣ
ｓ１，Ｃｓ２を介して縦続接続している。
層ＬＣバンドパスフィルタ８１の構成を示し、図９及び
図１１にそれぞれＬＣフィルタ８１の外観斜視図及び電
気等価回路図を示す。図１１に示すように、ＬＣフィル
タ８１は三段のＬＣバンドパスフィルタであり、第１段
（初段）のＬＣ共振器Ｑ１と第２段のＬＣ共振器Ｑ２と
第３段（終段）のＬＣ共振器Ｑ３とを結合コンデンサＣ
ｓ１，Ｃｓ２を介して縦続接続している。
【００３２】図８に示すように、ＬＣフィルタ８１は、
インダクタパターン８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂ，
８５ａ，８５ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシー
ト８２と、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂ，９０
ａ，９０ｂ，９１ａ，９１ｂをそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート８２と、シールドパターン９２ａ，９２
ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシート８２と、結
合コンデンサパターン９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ
を表面に設けたセラミックシート８２と、ポール調整用
パターン９５を取り付けたセラミックシート８２等にて
構成されている。
インダクタパターン８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂ，
８５ａ，８５ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシー
ト８２と、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂ，９０
ａ，９０ｂ，９１ａ，９１ｂをそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート８２と、シールドパターン９２ａ，９２
ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシート８２と、結
合コンデンサパターン９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ
を表面に設けたセラミックシート８２と、ポール調整用
パターン９５を取り付けたセラミックシート８２等にて
構成されている。
【００３３】インダクタパターン８３ａ，８３ｂは同一
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ１を構成している。シート８２の左寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８３ａ，８３ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８３ａ，８３ｂの他端部８６
ａ，８６ｂは幅広になっており、この幅広部８６ａ，８
６ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８３ａ，８３ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている入力引出しパターン９６ａ，９６ｂは、シート８
２の左辺に露出している。
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ１を構成している。シート８２の左寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８３ａ，８３ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８３ａ，８３ｂの他端部８６
ａ，８６ｂは幅広になっており、この幅広部８６ａ，８
６ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８３ａ，８３ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている入力引出しパターン９６ａ，９６ｂは、シート８
２の左辺に露出している。
【００３４】インダクタパターン８４ａ，８４ｂは同一
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ２を構成している。インダクタパターン８
４ａ，８４ｂのパターン幅は、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂのパターン幅と比較して約
１０％以上広く設定されている。シート８２の中央位置
に形成されたインダクタパターン８４ａ，８４ｂは、そ
の一端がシート８２の手前側の辺に露出している。イン
ダクタパターン８４ａ，８４ｂの他端部８７ａ，８７ｂ
は幅広になっており、この幅広部８７ａ，８７ｂはコン
デンサパターンとしても機能する。
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ２を構成している。インダクタパターン８
４ａ，８４ｂのパターン幅は、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂのパターン幅と比較して約
１０％以上広く設定されている。シート８２の中央位置
に形成されたインダクタパターン８４ａ，８４ｂは、そ
の一端がシート８２の手前側の辺に露出している。イン
ダクタパターン８４ａ，８４ｂの他端部８７ａ，８７ｂ
は幅広になっており、この幅広部８７ａ，８７ｂはコン
デンサパターンとしても機能する。
【００３５】インダクタパターン８５ａ，８５ｂは同一
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ３を構成している。シート８２の右寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８５ａ，８５ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８５ａ，８５ｂの他端部８８
ａ，８８ｂは幅広になっており、この幅広部８８ａ，８
８ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８５ａ，８５ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン９７ａ，９７ｂは、シート８
２の右辺に露出している。
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ３を構成している。シート８２の右寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８５ａ，８５ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８５ａ，８５ｂの他端部８８
ａ，８８ｂは幅広になっており、この幅広部８８ａ，８
８ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８５ａ，８５ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン９７ａ，９７ｂは、シート８
２の右辺に露出している。
【００３６】コンデンサパターン８９ａ，８９ｂは、シ
ート８２の左寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。シート８２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂの間
には、インダクタパターン８３ａ，８３ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ１が配置されている。このコ
ンデンサパターン８９ａ，８９ｂは、インダクタパター
ン８３ａ，８３ｂの幅広部８６ａ，８６ｂに対向し、コ
ンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサＣ１と２
重構造のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振回路を形成
し、第１段のＬＣ共振器Ｑ１を構成する。
ート８２の左寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。シート８２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂの間
には、インダクタパターン８３ａ，８３ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ１が配置されている。このコ
ンデンサパターン８９ａ，８９ｂは、インダクタパター
ン８３ａ，８３ｂの幅広部８６ａ，８６ｂに対向し、コ
ンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサＣ１と２
重構造のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振回路を形成
し、第１段のＬＣ共振器Ｑ１を構成する。
【００３７】コンデンサパターン９０ａ，９０ｂは、シ
ート８２の中央位置に形成され、その一端はシート８２
の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９０ａ
と９０ｂの間には、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ
にて構成された２重構造のインダクタＬ２が配置されて
いる。このコンデンサパターン９０ａ，９０ｂはインダ
クタパターン８４ａ，８４ｂの幅広部８７ａ，８７ｂに
対向し、コンデンサＣ２を形成する。そして、コンデン
サＣ２と２重構造のインダクタＬ２とでＬＣ並列共振回
路を形成し、第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成する。
ート８２の中央位置に形成され、その一端はシート８２
の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９０ａ
と９０ｂの間には、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ
にて構成された２重構造のインダクタＬ２が配置されて
いる。このコンデンサパターン９０ａ，９０ｂはインダ
クタパターン８４ａ，８４ｂの幅広部８７ａ，８７ｂに
対向し、コンデンサＣ２を形成する。そして、コンデン
サＣ２と２重構造のインダクタＬ２とでＬＣ並列共振回
路を形成し、第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成する。
【００３８】コンデンサパターン９１ａ，９１ｂは、シ
ート８２の右寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９
１ａと９１ｂの間には、インダクタパターン８５ａ，８
５ｂにて構成された２重構造のインダクタＬ３が配置さ
れている。このコンデンサパターン９１ａ，９１ｂは、
インダクタパターン８５ａ，８５ｂの幅広部８８ａ，８
８ｂに対向し、コンデンサＣ３を形成する。そして、コ
ンデンサＣ３と２重構造のインダクタＬ３とでＬＣ並列
共振回路を形成し、第３段のＬＣ共振器Ｑ３を構成す
る。
ート８２の右寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９
１ａと９１ｂの間には、インダクタパターン８５ａ，８
５ｂにて構成された２重構造のインダクタＬ３が配置さ
れている。このコンデンサパターン９１ａ，９１ｂは、
インダクタパターン８５ａ，８５ｂの幅広部８８ａ，８
８ｂに対向し、コンデンサＣ３を形成する。そして、コ
ンデンサＣ３と２重構造のインダクタＬ３とでＬＣ並列
共振回路を形成し、第３段のＬＣ共振器Ｑ３を構成す
る。
【００３９】結合コンデンサパターン９３ａ，９３ｂ，
９４ａ，９４ｂはシート８２の奥側寄りに配設され、シ
ート８２の積み重ね方向において、インダクタパターン
８３ａ，８４ａ，８５ａとインダクタパターン８３ｂ，
８４ｂ，８５ｂとの間に位置する。この結合コンデンサ
パターン９３ａ，９３ｂは、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂに対向し、結合コンデンサ
Ｃｓ１を形成する。結合コンデンサパターン９４ａ，９
４ｂは、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ，８５ａ，
８５ｂに対向し、結合コンデンサＣｓ２を形成する。
９４ａ，９４ｂはシート８２の奥側寄りに配設され、シ
ート８２の積み重ね方向において、インダクタパターン
８３ａ，８４ａ，８５ａとインダクタパターン８３ｂ，
８４ｂ，８５ｂとの間に位置する。この結合コンデンサ
パターン９３ａ，９３ｂは、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂに対向し、結合コンデンサ
Ｃｓ１を形成する。結合コンデンサパターン９４ａ，９
４ｂは、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ，８５ａ，
８５ｂに対向し、結合コンデンサＣｓ２を形成する。
【００４０】ポール調整用パターン９５は、結合コンデ
ンサパターン９３ａ，９４ａと９３ｂ，９４ｂの間に配
置されている。このポール調整用パターン９５は、結合
コンデンサパターン９３ａ，９４ａ，９３ｂ，９４ｂに
対向して静電容量を発生する。広面積のシールドパター
ン９２ａ，９２ｂは、それぞれの一端が手前側の辺に露
出し、他端が奥側の辺に露出している。
ンサパターン９３ａ，９４ａと９３ｂ，９４ｂの間に配
置されている。このポール調整用パターン９５は、結合
コンデンサパターン９３ａ，９４ａ，９３ｂ，９４ｂに
対向して静電容量を発生する。広面積のシールドパター
ン９２ａ，９２ｂは、それぞれの一端が手前側の辺に露
出し、他端が奥側の辺に露出している。
【００４１】以上の構成からなる各シート８２は図８に
示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成されること
により、図９に示す積層体１０１とされる。積層体１０
１の左右の端面にはそれぞれ入力端子電極１０６及び出
力端子電極１０７が形成され、手前と奥の側面にはそれ
ぞれシールド端子電極１０８，１０９が形成されてい
る。入力端子電極１０６には入力引出しパターン９６
ａ，９６ｂが接続され、出力端子電極１０７には出力引
出しパターン９７ａ，９７ｂが接続される。シールド端
子電極１０８には、インダクタパターン８３ａ〜８５ｂ
の一端とシールドパターン９２ａ，９２ｂの一端とが接
続される。シールド端子電極１０９には、コンデンサパ
ターン８９ａ〜９１ｂの一端とシールドパターン９２
ａ，９２ｂの他端とが接続される。
示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成されること
により、図９に示す積層体１０１とされる。積層体１０
１の左右の端面にはそれぞれ入力端子電極１０６及び出
力端子電極１０７が形成され、手前と奥の側面にはそれ
ぞれシールド端子電極１０８，１０９が形成されてい
る。入力端子電極１０６には入力引出しパターン９６
ａ，９６ｂが接続され、出力端子電極１０７には出力引
出しパターン９７ａ，９７ｂが接続される。シールド端
子電極１０８には、インダクタパターン８３ａ〜８５ｂ
の一端とシールドパターン９２ａ，９２ｂの一端とが接
続される。シールド端子電極１０９には、コンデンサパ
ターン８９ａ〜９１ｂの一端とシールドパターン９２
ａ，９２ｂの他端とが接続される。
【００４２】このＬＣフィルタ８１は、前記第１実施形
態のＬＣフィルタ５１と同様の作用効果を奏する。この
ＬＣフィルタ８１において、図１０に示すように、各イ
ンダクタＬ１〜Ｌ３を構成するインダクタパターン８３
ａと８３ｂの間、インダクタパターン８４ａと８４ｂの
間、並びに、インダクタパターン８５ａと８５ｂの間に
は、磁界Ｈが発生しない。従って、インダクタパターン
８３ａ，８４ａ，８５ａと８３ｂ，８４ｂ，８５ｂとの
間に配置された結合コンデンサパターン９３ａ〜９４ｂ
及びポール調整用パターン９５はインダクタＬ１〜Ｌ３
の磁界を殆ど遮断しない。このため、均一な磁界Ｈが形
成され、大きなインダクタンスが得られる。
態のＬＣフィルタ５１と同様の作用効果を奏する。この
ＬＣフィルタ８１において、図１０に示すように、各イ
ンダクタＬ１〜Ｌ３を構成するインダクタパターン８３
ａと８３ｂの間、インダクタパターン８４ａと８４ｂの
間、並びに、インダクタパターン８５ａと８５ｂの間に
は、磁界Ｈが発生しない。従って、インダクタパターン
８３ａ，８４ａ，８５ａと８３ｂ，８４ｂ，８５ｂとの
間に配置された結合コンデンサパターン９３ａ〜９４ｂ
及びポール調整用パターン９５はインダクタＬ１〜Ｌ３
の磁界を殆ど遮断しない。このため、均一な磁界Ｈが形
成され、大きなインダクタンスが得られる。
【００４３】また、ポール調整用パターン９５と結合コ
ンデンサパターン９３ａ〜９４ｂとの対向面積を変える
ことにより、ＬＣフィルタ８１のポール間隔を調整する
ことができる。例えば、対向面積が大きい場合、ポール
調整用パターン９５と結合コンデンサパターン９３ａ〜
９４ｂとの間に発生する静電容量が大きくなり、図１２
の実線Ａで示すように、ポール間隔が大きい減衰特性と
なる。逆に、対向面積が小さい場合、図１２の点線Ｂで
示すように、ポール間隔が小さい減衰特性となる。
ンデンサパターン９３ａ〜９４ｂとの対向面積を変える
ことにより、ＬＣフィルタ８１のポール間隔を調整する
ことができる。例えば、対向面積が大きい場合、ポール
調整用パターン９５と結合コンデンサパターン９３ａ〜
９４ｂとの間に発生する静電容量が大きくなり、図１２
の実線Ａで示すように、ポール間隔が大きい減衰特性と
なる。逆に、対向面積が小さい場合、図１２の点線Ｂで
示すように、ポール間隔が小さい減衰特性となる。
【００４４】また、フィルタ８１の中央に位置する第２
段のＬＣ共振器Ｑ２を構成するインダクタパターン８４
ａ，８４ｂは、両端に位置する第１段及び第３段のＬＣ
共振器Ｑ１，Ｑ３を構成するインダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂと比較して、そのパターン
幅を約１０％以上広くしている。従って、インダクタパ
ターン８４ａ，８４ｂのエッジ部での磁界Ｈを緩和する
ことができる。こうしてＱ特性の優れたＬＣフィルタ８
１を得ることができる。
段のＬＣ共振器Ｑ２を構成するインダクタパターン８４
ａ，８４ｂは、両端に位置する第１段及び第３段のＬＣ
共振器Ｑ１，Ｑ３を構成するインダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂと比較して、そのパターン
幅を約１０％以上広くしている。従って、インダクタパ
ターン８４ａ，８４ｂのエッジ部での磁界Ｈを緩和する
ことができる。こうしてＱ特性の優れたＬＣフィルタ８
１を得ることができる。
【００４５】［他の実施形態］なお、本発明に係る積層
型ＬＣフィルタは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、積層型ＬＣフィルタが有するＬＣ共振器は四つ
以上であってもよい。また、前記第１及び第２実施形態
は、図１３に示した従来の積層型ＬＣフィルタに本発明
を適用した例であるが、図１４に示した従来の積層型Ｌ
Ｃフィルタに本発明を適用してもよいことは言うまでも
ない。
型ＬＣフィルタは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、積層型ＬＣフィルタが有するＬＣ共振器は四つ
以上であってもよい。また、前記第１及び第２実施形態
は、図１３に示した従来の積層型ＬＣフィルタに本発明
を適用した例であるが、図１４に示した従来の積層型Ｌ
Ｃフィルタに本発明を適用してもよいことは言うまでも
ない。
【００４６】さらに、前記実施形態は、それぞれパター
ンが形成されたセラミックシートを積み重ねた後、一体
的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されな
い。セラミックシートは予め焼成されたものを用いても
よい。また、以下に説明する製法によってＬＣフィルタ
を作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状のセ
ラミック材料にてセラミック層を形成した後、そのセラ
ミック層の表面にペースト状の導電性パターン材料を塗
布して任意のパターンを形成する。次に、ペースト状の
セラミック材料を前記パターンの上から塗布してパター
ンが内蔵されたセラミック層とする。同様にして、順に
重ね塗りすることにより積層構造を有するＬＣフィルタ
が得られる。
ンが形成されたセラミックシートを積み重ねた後、一体
的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されな
い。セラミックシートは予め焼成されたものを用いても
よい。また、以下に説明する製法によってＬＣフィルタ
を作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状のセ
ラミック材料にてセラミック層を形成した後、そのセラ
ミック層の表面にペースト状の導電性パターン材料を塗
布して任意のパターンを形成する。次に、ペースト状の
セラミック材料を前記パターンの上から塗布してパター
ンが内蔵されたセラミック層とする。同様にして、順に
重ね塗りすることにより積層構造を有するＬＣフィルタ
が得られる。
【００４７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、各インダクタを、二つ以上の略同一形状のイン
ダクタパターンからなる多重構造としたので、インダク
タの周囲に発生する磁界がインダクタパターンのエッジ
部に集中するのを緩和することができる。さらに、各Ｌ
Ｃ共振器におけるインダクタパターンが、コンデンサパ
ターンと少なくとも１対１に対応することになり、各イ
ンダクタパターンにコンデンサパターンから流れ込む電
流量が従来より小さくなる。従って、インダクタパター
ンを流れる電流密度が低下し、各ＬＣ共振器のＱ特性を
向上させることができる。
よれば、各インダクタを、二つ以上の略同一形状のイン
ダクタパターンからなる多重構造としたので、インダク
タの周囲に発生する磁界がインダクタパターンのエッジ
部に集中するのを緩和することができる。さらに、各Ｌ
Ｃ共振器におけるインダクタパターンが、コンデンサパ
ターンと少なくとも１対１に対応することになり、各イ
ンダクタパターンにコンデンサパターンから流れ込む電
流量が従来より小さくなる。従って、インダクタパター
ンを流れる電流密度が低下し、各ＬＣ共振器のＱ特性を
向上させることができる。
【００４８】さらに、各インダクタを構成する二つ以上
の略同一形状のインダクタパターン間には磁界が発生せ
ず、インダクタパターンの間に配置された結合コンデン
サパターンや入出力用コンデンサパターンはインダクタ
の磁界を殆ど遮断しない。従って、均一な磁界が形成さ
れ、大きなインダクタンスを得ることができる。
の略同一形状のインダクタパターン間には磁界が発生せ
ず、インダクタパターンの間に配置された結合コンデン
サパターンや入出力用コンデンサパターンはインダクタ
の磁界を殆ど遮断しない。従って、均一な磁界が形成さ
れ、大きなインダクタンスを得ることができる。
【００４９】また、ＬＣ共振器を少なくとも３個接続し
て３段以上のフィルタを構成し、両端以外に位置するＬ
Ｃ共振器を構成するインダクタパターンのパターン幅
を、両端に位置するＬＣ共振器を構成するインダクタパ
ターンのパターン幅より広くしたことを特徴とする。こ
れにより、両端以外に位置するＬＣ共振器のインダクタ
パターンのエッジ部での磁界を緩和することができ、低
損失のＬＣフィルタが得られる。
て３段以上のフィルタを構成し、両端以外に位置するＬ
Ｃ共振器を構成するインダクタパターンのパターン幅
を、両端に位置するＬＣ共振器を構成するインダクタパ
ターンのパターン幅より広くしたことを特徴とする。こ
れにより、両端以外に位置するＬＣ共振器のインダクタ
パターンのエッジ部での磁界を緩和することができ、低
損失のＬＣフィルタが得られる。
【００５０】また、ポール調整用パターンをインダクタ
のインダクタパターンの間に積層することにより、イン
ダクタの周囲に発生する磁界を遮ることなく、フィルタ
特性におけるポール位置を自由に設定できる。従って、
高減衰のＬＣフィルタが得られ、優れたデュプレクサの
製造が可能となる。
のインダクタパターンの間に積層することにより、イン
ダクタの周囲に発生する磁界を遮ることなく、フィルタ
特性におけるポール位置を自由に設定できる。従って、
高減衰のＬＣフィルタが得られ、優れたデュプレクサの
製造が可能となる。
【図１】本発明に係る積層型ＬＣフィルタの第１実施形
態の構成を示す分解斜視図。
態の構成を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜視
図。
図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩから見た磁界の状態を示
す模式図。
す模式図。
【図４】図２に示した積層型ＬＣフィルタの電気等価回
路図。
路図。
【図５】本発明に係る積層型ＬＣフィルタの第２実施形
態の構成を示す分解斜視図。
態の構成を示す分解斜視図。
【図６】図５に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜視
図。
図。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩから見た磁界の状態を示
す模式図。
す模式図。
【図８】本発明に係る積層型ＬＣフィルタの第３実施形
態の構成を示す分解斜視図。
態の構成を示す分解斜視図。
【図９】図８に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜視
図。
図。
【図１０】図９のＸ−Ｘから見た模式図。
【図１１】図９に示した積層型ＬＣフィルタの電気等価
回路図。
回路図。
【図１２】図９に示した積層型ＬＣフィルタの減衰特性
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図１３】従来の積層型ＬＣフィルタの構成を示す分解
斜視図。
斜視図。
【図１４】従来の別の積層型ＬＣフィルタの構成を示す
分解斜視図。
分解斜視図。
【図１５】図１４に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜
視図。
視図。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩから見た磁界の状態
を示す模式図。
を示す模式図。
【図１７】図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩから見た磁界の
状態を示す模式図。
状態を示す模式図。
５１，７１，８１…ＬＣフィルタ ５２，８２…セラミックシート ５４ａ，５４ｂ，５５ａ，５５ｂ…インダクタパターン ５６ａ，５６ｂ，５７ａ，５７ｂ…幅広部 ５８ａ，５８ｂ，５９ａ，５９ｂ…コンデンサパターン ６０ａ，６０ｂ…シールドパターン ６２…結合コンデンサパターン ７０…積層体 ７２…入力用コンデンサパターン ７３…出力用コンデンサパターン ８３ａ〜８５ａ，８３ｂ〜８５ｂ…インダクタパターン ８６ａ〜８８ａ，８６ｂ〜８８ｂ…幅広部 ８９ａ〜９１ａ，８９ｂ〜９１ｂ…コンデンサパターン ９２ａ，９２ｂ…シールドパターン ９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ…結合コンデンサパタ
ーン ９５…ポール調整用パターン １０１…積層体 Ｈ…磁界 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ Ｃｓ１，Ｃｓ２…結合コンデンサ Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…ＬＣ共振器
ーン ９５…ポール調整用パターン １０１…積層体 Ｈ…磁界 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ Ｃｓ１，Ｃｓ２…結合コンデンサ Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…ＬＣ共振器
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 7/01 Ｈ０１Ｆ 15/00 Ｄ 7/09 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ａ Ｆターム(参考） 5E070 AA05 AB04 CB03 CB13 5E082 AA01 AB03 BB01 BC14 DD08 5J006 HA35 HB05 HB17 HB21 JA01 JA11 JA31 LA02 LA03 NA03 NB07 NC02 NC03 NE14 NF03 5J024 AA01 BA18 CA03 DA04 DA21 DA28 DA29 DA32 DA35 EA03
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の絶縁層と複数のインダクタパター
ンと複数のコンデンサパターンとを積み重ねて構成した
積層体内部に、前記インダクタパターンにより形成され
る複数のインダクタと、前記コンデンサパターンが前記
インダクタパターンに対向して形成する複数のコンデン
サとで複数のＬＣ共振器を形成した積層型ＬＣフィルタ
において、 各々のＬＣ共振器の前記インダクタを、二つ以上の略同
一形状の前記インダクタパターンを前記絶縁層を介して
積層して多重構造とし、前記ＬＣ共振器間を容量結合す
るための結合コンデンサパターンを前記インダクタのイ
ンダクタパターンの間に積層したことを特徴とする積層
型ＬＣフィルタ。 - 【請求項２】 入出力用コンデンサパターンを前記イン
ダクタのインダクタパターンの間に積層したことを特徴
とする請求項１記載の積層型ＬＣフィルタ。 - 【請求項３】 ＬＣ共振器を少なくとも３個接続して３
段以上のフィルタを構成し、両端以外に位置するＬＣ共
振器を構成するインダクタパターンのパターン幅を、両
端に位置するＬＣ共振器を構成するインダクタパターン
のパターン幅より広くしたことを特徴とする請求項１又
は請求項２記載の積層型ＬＣフィルタ。 - 【請求項４】 ポール調整用パターンを前記インダクタ
のインダクタパターンの間に積層したことを特徴とする
請求項１ないし請求項３記載の積層型ＬＣフィルタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11127818A JP2000323901A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 積層型ｌｃフィルタ |
| EP00401251A EP1050960A3 (en) | 1999-05-07 | 2000-05-05 | Laminated LC filter |
| US09/566,323 US6437665B1 (en) | 1999-05-07 | 2000-05-08 | Laminated LC filter with coplanar input/output capacitor patterns and coupling capacitor patterns |
| US10/186,609 US6784762B2 (en) | 1999-05-07 | 2002-07-02 | Laminated LC filter where the pattern widths of the central portion air is greater than the end portions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11127818A JP2000323901A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 積層型ｌｃフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323901A true JP2000323901A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14969432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11127818A Pending JP2000323901A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 積層型ｌｃフィルタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6437665B1 (ja) |
| EP (1) | EP1050960A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000323901A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696903B1 (en) | 1999-08-05 | 2004-02-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated dielectric filter, and antenna duplexer and communication equipment using the same |
| US6714100B2 (en) | 2001-10-01 | 2004-03-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic electronic device |
| JP2007235465A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 積層型誘電体共振器およびバンドパスフィルタ |
| JP2010021321A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Murata Mfg Co Ltd | Ｌｃ複合部品この発明は、複数の誘電体層の積層体内にインダクタ及びキャパシタを構成してなる、例えば帯域通過フィルタ等のｌｃ複合部品に関するものである。 |
| KR101345887B1 (ko) | 2005-12-06 | 2013-12-30 | 티디케이가부시기가이샤 | 인덕터-캐패시터 공진기들을 이용하는 박막 대역통과 필터 |
| WO2023090039A1 (ja) * | 2021-11-17 | 2023-05-25 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器および誘電体フィルタ |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597259B1 (en) * | 2000-01-11 | 2003-07-22 | James Michael Peters | Selective laminated filter structures and antenna duplexer using same |
| JP2002252534A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波フィルタ |
| EP1307941B1 (en) * | 2001-03-02 | 2008-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric filter and antenna duplexer |
| CN1220328C (zh) * | 2001-06-21 | 2005-09-21 | 株式会社村田制作所 | 噪声滤波器 |
| US6798317B2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-09-28 | Motorola, Inc. | Vertically-stacked filter employing a ground-aperture broadside-coupled resonator device |
| JP2004303947A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合電子部品 |
| JP2004328615A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Alps Electric Co Ltd | チェビシェフ型ハイパスフィルタ |
| JP2005109951A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sony Corp | 共振器および誘電体フィルタ |
| US7012484B2 (en) * | 2004-04-26 | 2006-03-14 | Integrated System Solution Corp. | Filter using multilayer ceramic technology and structure thereof |
| KR100616674B1 (ko) * | 2005-02-16 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 저지대역 감쇄특성을 개선한 적층형 필터 |
| US20070120627A1 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Kundu Arun C | Bandpass filter with multiple attenuation poles |
| US7321284B2 (en) * | 2006-01-31 | 2008-01-22 | Tdk Corporation | Miniature thin-film bandpass filter |
| CN102647165B (zh) * | 2006-04-14 | 2015-04-01 | 株式会社村田制作所 | 分层带通滤波器 |
| US20080017043A1 (en) * | 2006-06-01 | 2008-01-24 | The Coca-Cola Company | Tea Stick Brewing Package and Method |
| US7532092B2 (en) * | 2006-06-20 | 2009-05-12 | Tdk Corporation | Grounding strategy for filter on planar substrate |
| JP4618441B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-01-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型フィルタ |
| US7538653B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-05-26 | Intel Corporation | Grounding of magnetic cores |
| WO2009028691A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Kyocera Corporation | バンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器 |
| US7786839B2 (en) * | 2008-12-28 | 2010-08-31 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Passive electrical components with inorganic dielectric coating layer |
| JP5609968B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-10-22 | 株式会社村田製作所 | 高周波積層部品および積層型高周波フィルタ |
| CN102064368A (zh) * | 2010-08-12 | 2011-05-18 | 华东交通大学 | 一种ltcc宽阻带带通滤波器 |
| JP5621823B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-11-12 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ |
| US9876513B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-01-23 | Qualcomm Incorporated | LC filter layer stacking by layer transfer to make 3D multiplexer structures |
| KR20190116147A (ko) * | 2019-08-08 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| KR20190116171A (ko) * | 2019-09-17 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2682282B2 (ja) * | 1991-08-21 | 1997-11-26 | 株式会社村田製作所 | 積層チップｌｃフィルタ |
| US5404118A (en) * | 1992-07-27 | 1995-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band pass filter with resonator having spiral electrodes formed of coil electrodes on plurality of dielectric layers |
| US5892415A (en) * | 1995-11-20 | 1999-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated resonator and laminated band pass filter using same |
| JPH09214274A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-15 | Murata Mfg Co Ltd | Ｌｃ複合部品 |
| DE69708104T2 (de) * | 1996-07-31 | 2002-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mehrschichtiger zweiband-bandpassfilter |
| JP3438859B2 (ja) * | 1996-11-21 | 2003-08-18 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型電子部品とその製造方法 |
| JPH1141004A (ja) | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型誘電体フィルタ |
| JPH1155003A (ja) | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Kyocera Corp | 積層型誘電体フィルタ |
| US6294967B1 (en) * | 1998-03-18 | 2001-09-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Laminated type dielectric filter |
| JP3371812B2 (ja) * | 1998-07-02 | 2003-01-27 | 株式会社村田製作所 | 積層型インダクタアレイ |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP11127818A patent/JP2000323901A/ja active Pending
-
2000
- 2000-05-05 EP EP00401251A patent/EP1050960A3/en not_active Withdrawn
- 2000-05-08 US US09/566,323 patent/US6437665B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-02 US US10/186,609 patent/US6784762B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696903B1 (en) | 1999-08-05 | 2004-02-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated dielectric filter, and antenna duplexer and communication equipment using the same |
| US6714100B2 (en) | 2001-10-01 | 2004-03-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic electronic device |
| KR101345887B1 (ko) | 2005-12-06 | 2013-12-30 | 티디케이가부시기가이샤 | 인덕터-캐패시터 공진기들을 이용하는 박막 대역통과 필터 |
| JP2007235465A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 積層型誘電体共振器およびバンドパスフィルタ |
| JP4640218B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-03-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型誘電体共振器およびバンドパスフィルタ |
| JP2010021321A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Murata Mfg Co Ltd | Ｌｃ複合部品この発明は、複数の誘電体層の積層体内にインダクタ及びキャパシタを構成してなる、例えば帯域通過フィルタ等のｌｃ複合部品に関するものである。 |
| JP4650530B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2011-03-16 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃ複合部品 |
| US8026778B2 (en) | 2008-07-10 | 2011-09-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC composite component |
| WO2023090039A1 (ja) * | 2021-11-17 | 2023-05-25 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器および誘電体フィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1050960A3 (en) | 2002-07-17 |
| US6784762B2 (en) | 2004-08-31 |
| US20030016098A1 (en) | 2003-01-23 |
| US6437665B1 (en) | 2002-08-20 |
| EP1050960A2 (en) | 2000-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000323901A (ja) | 積層型ｌｃフィルタ | |
| EP1083621B1 (en) | Monolithic LC resonator and monolithic LC filter | |
| JP4356803B2 (ja) | 積層帯域通過フィルタ | |
| US6529101B2 (en) | Multilayered LC filter | |
| JP2001053502A (ja) | 誘電体積層フィルタ | |
| JP3570361B2 (ja) | 積層型ｌｃ複合部品 | |
| KR20010007016A (ko) | Ｌｃ 필터 | |
| JP2000323908A (ja) | 積層型ｌｃフィルタ | |
| JP3417340B2 (ja) | バンドパスフィルタ | |
| US6437666B1 (en) | Monolithic LC resonator and monolithic LC filter with tubular inductor | |
| JP3444230B2 (ja) | 積層型ｌｃフィルタ | |
| JP2000201001A (ja) | バンドパスフィルタ | |
| JP4487500B2 (ja) | 積層型ｌｃフィルタ | |
| JP2002076807A (ja) | 積層型ｌｃ複合部品 | |
| JP2000151324A (ja) | 積層型ノイズフィルタ | |
| JP4759812B2 (ja) | 積層型ｌｃフィルタ | |
| JP2890951B2 (ja) | バンドパスフィルタ | |
| JP2890952B2 (ja) | 共振器 | |
| JP2000059168A (ja) | 積層型ｌｃノイズフィルタ | |
| JP2890953B2 (ja) | バンドパスフィルタおよびその周波数特性調整方法 | |
| JPH08335803A (ja) | フィルタ | |
| JP3191560B2 (ja) | 共振器およびフィルタ | |
| JPH05299962A (ja) | 高周波用ローパスフィルタ | |
| JP2002100947A (ja) | 積層型ｌｃノイズフィルタ | |
| JPH11162784A (ja) | 積層型ｌｃ複合部品 |