JPH05299962A - 高周波用ローパスフィルタ - Google Patents
高周波用ローパスフィルタInfo
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- JPH05299962A JPH05299962A JP4124178A JP12417892A JPH05299962A JP H05299962 A JPH05299962 A JP H05299962A JP 4124178 A JP4124178 A JP 4124178A JP 12417892 A JP12417892 A JP 12417892A JP H05299962 A JPH05299962 A JP H05299962A
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- coil
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- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタとして用いられるコイル電極を有
する高周波用ローパスフィルタを提供する。 【構成】 高周波用ローパスフィルタは第１の誘電体層
１２を含み、第１の誘電体層１２上には、第２，第３，
第４および第５の誘電体層１８，２６，３２および３８
が積層される。第１の誘電体層１２上には、アース電極
１４が形成される。第２の誘電体層１８上には、第１，
第２および第３のコンデンサ電極２０，２２および２４
が形成される。第３の誘電体層２６上には、ミアンダラ
インからなる第１および第２のコイル電極２８および３
０が形成される。第１および第２のコイル電極２８およ
び３０は、それらの長さが短く形成され、それらに関与
する浮遊容量が小さくされる。第４の誘電体層３２上に
は、シールド電極３６が形成される。
する高周波用ローパスフィルタを提供する。 【構成】 高周波用ローパスフィルタは第１の誘電体層
１２を含み、第１の誘電体層１２上には、第２，第３，
第４および第５の誘電体層１８，２６，３２および３８
が積層される。第１の誘電体層１２上には、アース電極
１４が形成される。第２の誘電体層１８上には、第１，
第２および第３のコンデンサ電極２０，２２および２４
が形成される。第３の誘電体層２６上には、ミアンダラ
インからなる第１および第２のコイル電極２８および３
０が形成される。第１および第２のコイル電極２８およ
び３０は、それらの長さが短く形成され、それらに関与
する浮遊容量が小さくされる。第４の誘電体層３２上に
は、シールド電極３６が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高周波用ローパスフィ
ルタに関し、特に、インダクタとして用いられるコイル
電極を有する高周波用ローパスフィルタに関する。
ルタに関し、特に、インダクタとして用いられるコイル
電極を有する高周波用ローパスフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】図９はこの発明の背景となりかつこの発
明が適用される高周波用ローパスフィルタの一例を示す
等価回路図である。この高周波用ローパスフィルタは、
入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを有する。入力端子Ｉ
Ｎと出力端子ＯＵＴとの間には、第１および第２のイン
ダクタＬ1 およびＬ2 が直列に接続される。さらに、入
力端子ＩＮは第１のコンデンサＣ1 で接地され、第１お
よび第２のインダクタＬ1 およびＬ2 の接続点は第２の
コンデンサＣ2 で接地され、出力端子ＯＵＴは第３のコ
ンデンサＣ3 で接地される。
明が適用される高周波用ローパスフィルタの一例を示す
等価回路図である。この高周波用ローパスフィルタは、
入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを有する。入力端子Ｉ
Ｎと出力端子ＯＵＴとの間には、第１および第２のイン
ダクタＬ1 およびＬ2 が直列に接続される。さらに、入
力端子ＩＮは第１のコンデンサＣ1 で接地され、第１お
よび第２のインダクタＬ1 およびＬ2 の接続点は第２の
コンデンサＣ2 で接地され、出力端子ＯＵＴは第３のコ
ンデンサＣ3 で接地される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、インダクタとし
て用いられるコイル電極を誘電体層上に形成し、これと
他の誘電体層，アース電極およびコンデンサ電極などと
を積層すれば、コイル電極とアース電極などの他の電極
との間やコイル電極において２つの部分間に電磁波の飛
び込みや浮遊容量が生じ、スプリアス特性を劣化させる
不要な通過帯域が発生するので、上述の高周波用ローパ
スフィルタの構成には不向きであると理解されていた。
て用いられるコイル電極を誘電体層上に形成し、これと
他の誘電体層，アース電極およびコンデンサ電極などと
を積層すれば、コイル電極とアース電極などの他の電極
との間やコイル電極において２つの部分間に電磁波の飛
び込みや浮遊容量が生じ、スプリアス特性を劣化させる
不要な通過帯域が発生するので、上述の高周波用ローパ
スフィルタの構成には不向きであると理解されていた。
【０００４】それゆえに、この発明は、インダクタとし
てコイル電極が用いられ、スプリアス特性のよい、高周
波用ローパスフィルタを提供することである。
てコイル電極が用いられ、スプリアス特性のよい、高周
波用ローパスフィルタを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、インダクタ
として用いられるコイル電極を有する高周波用ローパス
フィルタであって、コイル電極に関与する浮遊容量を小
さくした、高周波用ローパスフィルタである。
として用いられるコイル電極を有する高周波用ローパス
フィルタであって、コイル電極に関与する浮遊容量を小
さくした、高周波用ローパスフィルタである。
【０００６】
【作用】コイル電極に関与する浮遊容量を小さくしたの
で、コイル電極に関与する浮遊容量によって生じる不要
な通過帯域が高周波側に移動する。そのため、スプリア
ス特性が改善される。
で、コイル電極に関与する浮遊容量によって生じる不要
な通過帯域が高周波側に移動する。そのため、スプリア
ス特性が改善される。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば、インダクタとしてコ
イル電極が用いられているにもかかわらず、スプリアス
特性のよい、高周波用ローパスフィルタが得られる。ま
た、この発明にかかる高周波用ローパスフィルタは、イ
ンダクタとしてコイル電極が用いられるため、積層型に
形成することができ、そのため、小型化が可能であると
ともに、面実装部品として製造することができる。
イル電極が用いられているにもかかわらず、スプリアス
特性のよい、高周波用ローパスフィルタが得られる。ま
た、この発明にかかる高周波用ローパスフィルタは、イ
ンダクタとしてコイル電極が用いられるため、積層型に
形成することができ、そのため、小型化が可能であると
ともに、面実装部品として製造することができる。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
る。この高周波用ローパスフィルタ１０は、たとえば横
５．７ｍｍ，縦５．０ｍｍ，厚さ２．０ｍｍの積層体１
１を含む。
る。この高周波用ローパスフィルタ１０は、たとえば横
５．７ｍｍ，縦５．０ｍｍ，厚さ２．０ｍｍの積層体１
１を含む。
【００１０】積層体１１は、図２に示すように、第１の
誘電体層１２を含む。第１の誘電体層１２上には、その
周辺部を除く全面にアース電極１４が形成される。アー
ス電極１４から第１の誘電体層１２の端部に向かって、
４つの引出端子１６ａ，１６ｂ，１６ｃおよび１６ｄが
形成される。２つの引出端子１６ａおよび１６ｂは、第
１の誘電体層１２の一端側に向かって形成され、互いに
間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子１６ｃお
よび１６ｄは、第１の誘電体層１２の他端側に向かって
形成され、その中央付近で近接した位置に形成される。
誘電体層１２を含む。第１の誘電体層１２上には、その
周辺部を除く全面にアース電極１４が形成される。アー
ス電極１４から第１の誘電体層１２の端部に向かって、
４つの引出端子１６ａ，１６ｂ，１６ｃおよび１６ｄが
形成される。２つの引出端子１６ａおよび１６ｂは、第
１の誘電体層１２の一端側に向かって形成され、互いに
間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子１６ｃお
よび１６ｄは、第１の誘電体層１２の他端側に向かって
形成され、その中央付近で近接した位置に形成される。
【００１１】アース電極１４上には、第２の誘電体層１
８が積層される。第２の誘電体層１８上には、第１，第
２および第３のコンデンサ電極２０，２２および２４が
形成される。第２のコンデンサ電極２２は、第２の誘電
体層１８の一端寄りにおいて、ほぼ中央付近に形成され
る。また、第１および第３のコンデンサ電極２０および
２４は、第２の誘電体層１８の他端寄りにおいて、両側
に間隔を隔てて形成される。第１〜第３のコンデンサ電
極２０〜２４は、アース電極１４に対向するように形成
される。さらに、第２のコンデンサ電極２２から第２の
誘電体層１８の一端に向かって、２つの接続端子２２ａ
および２２ｂが形成される。これらの接続端子２２ａお
よび２２ｂは、第２の誘電体層１８の一端側の中央部付
近で、互いに近接して形成される。また、第１および第
３のコンデンサ電極２０および２４から第２の誘電体層
１８の他端に向かって、接続端子２０ａおよび２４ａ
が、それぞれ形成される。これらの接続端子２０ａおよ
び２４ａは、互いに間隔を隔てて形成される。
８が積層される。第２の誘電体層１８上には、第１，第
２および第３のコンデンサ電極２０，２２および２４が
形成される。第２のコンデンサ電極２２は、第２の誘電
体層１８の一端寄りにおいて、ほぼ中央付近に形成され
る。また、第１および第３のコンデンサ電極２０および
２４は、第２の誘電体層１８の他端寄りにおいて、両側
に間隔を隔てて形成される。第１〜第３のコンデンサ電
極２０〜２４は、アース電極１４に対向するように形成
される。さらに、第２のコンデンサ電極２２から第２の
誘電体層１８の一端に向かって、２つの接続端子２２ａ
および２２ｂが形成される。これらの接続端子２２ａお
よび２２ｂは、第２の誘電体層１８の一端側の中央部付
近で、互いに近接して形成される。また、第１および第
３のコンデンサ電極２０および２４から第２の誘電体層
１８の他端に向かって、接続端子２０ａおよび２４ａ
が、それぞれ形成される。これらの接続端子２０ａおよ
び２４ａは、互いに間隔を隔てて形成される。
【００１２】第１〜第３のコンデンサ電極２０〜２４上
には、第３の誘電体層２６が積層される。第３の誘電体
層２６上には、第１および第２のコイル電極２８および
３０が形成される。第１および第２のコイル電極２８お
よび３０は、それぞれ、第３の誘電体層２６の一端から
他端に向かって蛇行するミアンダラインとして形成され
る。この場合、第１および第２のコイル電極２８および
３０は、それらに関与する浮遊容量を小さくするため
に、それぞれ、たとえば形成される領域において許容さ
れる最大長さよりも長さが短く形成される。また、第１
のコイル電極２８の一端部２８ａは第２のコンデンサ電
極２２の接続端子２２ａに対応する位置に形成され、他
端部２８ｂは第１のコンデンサ電極２０の接続端子２０
ａに対応する位置に形成される。さらに、第２のコイル
電極３０の一端部３０ａは第２のコンデンサ電極２２の
接続端子２２ｂに対応する位置に形成され、他端部３０
ｂは第３のコンデンサ電極２４の接続端子２４ａに対応
する位置に形成される。
には、第３の誘電体層２６が積層される。第３の誘電体
層２６上には、第１および第２のコイル電極２８および
３０が形成される。第１および第２のコイル電極２８お
よび３０は、それぞれ、第３の誘電体層２６の一端から
他端に向かって蛇行するミアンダラインとして形成され
る。この場合、第１および第２のコイル電極２８および
３０は、それらに関与する浮遊容量を小さくするため
に、それぞれ、たとえば形成される領域において許容さ
れる最大長さよりも長さが短く形成される。また、第１
のコイル電極２８の一端部２８ａは第２のコンデンサ電
極２２の接続端子２２ａに対応する位置に形成され、他
端部２８ｂは第１のコンデンサ電極２０の接続端子２０
ａに対応する位置に形成される。さらに、第２のコイル
電極３０の一端部３０ａは第２のコンデンサ電極２２の
接続端子２２ｂに対応する位置に形成され、他端部３０
ｂは第３のコンデンサ電極２４の接続端子２４ａに対応
する位置に形成される。
【００１３】第１および第２のコイル電極２８および３
０上には、第４の誘電体層３２が積層される。第４の誘
電体層３２上には、その周辺部を除く全面に、シールド
電極３６が形成される。シールド電極３６から第４の誘
電体層３２の端部に向かって、４つの引出端子３６ａ，
３６ｂ，３６ｃおよび３６ｄが形成される。２つの引出
端子３６ａおよび３６ｂは、第４の誘電体層３２の一端
側に向かって形成され、互いに間隔を隔てて形成され
る。別の２つの引出端子３６ｃおよび３６ｄは、第４の
誘電体層３２の他端側に向かって形成され、その中央付
近で近接した位置に形成される。さらに、シールド電極
３６上には、第５の誘電体層３８が積層される。
０上には、第４の誘電体層３２が積層される。第４の誘
電体層３２上には、その周辺部を除く全面に、シールド
電極３６が形成される。シールド電極３６から第４の誘
電体層３２の端部に向かって、４つの引出端子３６ａ，
３６ｂ，３６ｃおよび３６ｄが形成される。２つの引出
端子３６ａおよび３６ｂは、第４の誘電体層３２の一端
側に向かって形成され、互いに間隔を隔てて形成され
る。別の２つの引出端子３６ｃおよび３６ｄは、第４の
誘電体層３２の他端側に向かって形成され、その中央付
近で近接した位置に形成される。さらに、シールド電極
３６上には、第５の誘電体層３８が積層される。
【００１４】この積層体１１の側面には、８つの外部電
極４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，４０ｆ，
４０ｇおよび４０ｈが形成される。これらの外部電極４
０ａ〜４０ｈのうち、４つの外部電極４０ａ〜４０ｄは
積層体１１の一端側に形成され、他の４つの外部電極４
０ｅ〜４０ｈは積層体１１の他端側に形成される。これ
らの外部電極４０ａ〜４０ｈは、積層体１１の上面から
側面を経て、下面に達するように形成される。
極４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，４０ｆ，
４０ｇおよび４０ｈが形成される。これらの外部電極４
０ａ〜４０ｈのうち、４つの外部電極４０ａ〜４０ｄは
積層体１１の一端側に形成され、他の４つの外部電極４
０ｅ〜４０ｈは積層体１１の他端側に形成される。これ
らの外部電極４０ａ〜４０ｈは、積層体１１の上面から
側面を経て、下面に達するように形成される。
【００１５】外部電極４０ａ，４０ｄ，４０ｆおよび４
０ｇは、それぞれアース電極１４の引出端子１６ａ，１
６ｂ，１６ｃおよび１６ｄに接続される。同時に、外部
電極４０ａ，４０ｄ，４０ｆおよび４０ｇは、それぞれ
シールド電極３６の引出端子３６ａ，３６ｂ，３６ｃお
よび３６ｄに接続される。また、外部電極４０ｂは、第
１のコイル電極２８の一端部２８ａと第２のコンデンサ
電極２２の接続端子２２ａとに接続される。さらに、外
部電極４０ｅは、第１のコイル電極２８の他端部２８ｂ
と第１のコンデンサ電極２０の接続端子２０ａとに接続
される。また、外部電極４０ｃは、第２のコイル電極３
０の一端部３０ａと第２のコンデンサ電極２２の接続端
子２２ｂとに接続される。さらに、外部電極４０ｈは、
第２のコイル電極３０の他端部３０ｂと第３のコンデン
サ電極２４の接続端子２４ａとに接続される。
０ｇは、それぞれアース電極１４の引出端子１６ａ，１
６ｂ，１６ｃおよび１６ｄに接続される。同時に、外部
電極４０ａ，４０ｄ，４０ｆおよび４０ｇは、それぞれ
シールド電極３６の引出端子３６ａ，３６ｂ，３６ｃお
よび３６ｄに接続される。また、外部電極４０ｂは、第
１のコイル電極２８の一端部２８ａと第２のコンデンサ
電極２２の接続端子２２ａとに接続される。さらに、外
部電極４０ｅは、第１のコイル電極２８の他端部２８ｂ
と第１のコンデンサ電極２０の接続端子２０ａとに接続
される。また、外部電極４０ｃは、第２のコイル電極３
０の一端部３０ａと第２のコンデンサ電極２２の接続端
子２２ｂとに接続される。さらに、外部電極４０ｈは、
第２のコイル電極３０の他端部３０ｂと第３のコンデン
サ電極２４の接続端子２４ａとに接続される。
【００１６】この高周波用ローパスフィルタ１０は、た
とえば誘電体セラミックグリーンシート上に各電極およ
び各端子の形状に電極ペーストを塗布し、積層して焼成
することにより形成される。このとき、各誘電体層の厚
みにしたがって、積層するセラミックグリーンシートの
枚数が調整される。なお、外部電極を形成するには、積
層体を焼成する前に電極ペーストを塗布し、一体的に焼
成してもよいし、積層体を焼成した後に電極ペーストを
塗布して焼き付けてもよい。
とえば誘電体セラミックグリーンシート上に各電極およ
び各端子の形状に電極ペーストを塗布し、積層して焼成
することにより形成される。このとき、各誘電体層の厚
みにしたがって、積層するセラミックグリーンシートの
枚数が調整される。なお、外部電極を形成するには、積
層体を焼成する前に電極ペーストを塗布し、一体的に焼
成してもよいし、積層体を焼成した後に電極ペーストを
塗布して焼き付けてもよい。
【００１７】この高周波用ローパスフィルタ１０は、図
３に示すように、第１および第２のインダクタンスＬ1
およびＬ2 と第１，第２および第３のコンデンサＣ1 ，
Ｃ2およびＣ3 とが、π型接続された等価回路を有す
る。
３に示すように、第１および第２のインダクタンスＬ1
およびＬ2 と第１，第２および第３のコンデンサＣ1 ，
Ｃ2およびＣ3 とが、π型接続された等価回路を有す
る。
【００１８】また、この高周波用ローパスフィルタ１０
では、第１のインダクタＬ1 および接地間に、直列に接
続される浮遊容量Ｃ01および浮遊リアクタンスＬ01が発
生し、第２のインダクタＬ2 および接地間に、直列に接
続される浮遊容量Ｃ02および浮遊リアクタンスＬ02が発
生する。浮遊容量Ｃ01は、第１のコイル電極２８と、特
にアース電極１４およびシールド電極３６などの他の電
極との対向面積が大きくなったり距離が短くなるに従っ
て大きくなる。同様に、浮遊容量Ｃ02は、第２のコイル
電極３０と、特にアース電極１４およびシールド電極３
６などの他の電極との対向面積が大きくなったり距離が
短くなるに従って大きくなる。また、これらの浮遊容量
Ｃ01およびＣ02は、浮遊リアンタンスＬ01およびＬ02と
のそれぞれの共振周波数において、スプリアス特性を劣
化させる不要な通過帯域を発生させようとする。ところ
が、この実施例では、第１および第２のコイル電極２８
および３０のそれぞれの長さが、第３の誘電体層２６上
の各コイル電極２８，３０がそれぞれ形成される領域に
おいて許容される最大長さよりも短く形成されていて、
第１および第２のコイル電極２８および３０の表面積が
小さく、第１および第２のコイル電極２８および３０と
アース電極１４およびシールド電極３６などの他の電極
との対向面積が小さくなる。そのため、それらの浮遊容
量Ｃ01およびＣ02も小さくなり、その結果、不要な通過
帯域が高周波側に移動する。したがって、この実施例で
は、コイル電極と他の電極との間に浮遊容量が発生して
いるにもかかわらず、スプリアス特性がよい。
では、第１のインダクタＬ1 および接地間に、直列に接
続される浮遊容量Ｃ01および浮遊リアクタンスＬ01が発
生し、第２のインダクタＬ2 および接地間に、直列に接
続される浮遊容量Ｃ02および浮遊リアクタンスＬ02が発
生する。浮遊容量Ｃ01は、第１のコイル電極２８と、特
にアース電極１４およびシールド電極３６などの他の電
極との対向面積が大きくなったり距離が短くなるに従っ
て大きくなる。同様に、浮遊容量Ｃ02は、第２のコイル
電極３０と、特にアース電極１４およびシールド電極３
６などの他の電極との対向面積が大きくなったり距離が
短くなるに従って大きくなる。また、これらの浮遊容量
Ｃ01およびＣ02は、浮遊リアンタンスＬ01およびＬ02と
のそれぞれの共振周波数において、スプリアス特性を劣
化させる不要な通過帯域を発生させようとする。ところ
が、この実施例では、第１および第２のコイル電極２８
および３０のそれぞれの長さが、第３の誘電体層２６上
の各コイル電極２８，３０がそれぞれ形成される領域に
おいて許容される最大長さよりも短く形成されていて、
第１および第２のコイル電極２８および３０の表面積が
小さく、第１および第２のコイル電極２８および３０と
アース電極１４およびシールド電極３６などの他の電極
との対向面積が小さくなる。そのため、それらの浮遊容
量Ｃ01およびＣ02も小さくなり、その結果、不要な通過
帯域が高周波側に移動する。したがって、この実施例で
は、コイル電極と他の電極との間に浮遊容量が発生して
いるにもかかわらず、スプリアス特性がよい。
【００１９】さらに、この高周波用ローパスフィルタ１
０では、第１のインダクタＬ1 と並列に浮遊容量Ｃ11が
発生し、第２のインダクタＬ2 と並列に浮遊容量Ｃ12が
発生する。浮遊容量Ｃ11は、第１のコイル電極２８にお
いて、接近する２つの部分の長さが長くなるに従って大
きくなり、接近する２つの部分間の間隔が狭くなるに従
って大きくなる。同様に、浮遊容量Ｃ12は、第２のコイ
ル電極３０において、接近する２つの部分の長さが長く
なるに従って大きくなり、接近する２つの部分間の間隔
が狭くなるに従って大きくなる。また、これらの浮遊容
量Ｃ11およびＣ12は、第１および第２のインダクタＬ1
およびＬ2 とのそれぞれの共振周波数において、スプリ
アス特性を劣化させる不要な通過帯域を発生させようと
する。ところが、この実施例では、第１および第２のコ
イル電極２８および３０の長さがそれぞれ短く形成され
ていて、第１のコイル電極２８において接近する２つの
部分の長さが短いとともに、第２のコイル電極３０にお
いて接近する２つの部分の長さが短い。そのため、それ
らの浮遊容量Ｃ11およびＣ12は小さくなり、その結果、
不要な通過帯域が高周波側に移動する。したがって、こ
の実施例では、コイル電極に並列に浮遊容量が発生して
いるにもかかわらず、スプリアス特性がよい。
０では、第１のインダクタＬ1 と並列に浮遊容量Ｃ11が
発生し、第２のインダクタＬ2 と並列に浮遊容量Ｃ12が
発生する。浮遊容量Ｃ11は、第１のコイル電極２８にお
いて、接近する２つの部分の長さが長くなるに従って大
きくなり、接近する２つの部分間の間隔が狭くなるに従
って大きくなる。同様に、浮遊容量Ｃ12は、第２のコイ
ル電極３０において、接近する２つの部分の長さが長く
なるに従って大きくなり、接近する２つの部分間の間隔
が狭くなるに従って大きくなる。また、これらの浮遊容
量Ｃ11およびＣ12は、第１および第２のインダクタＬ1
およびＬ2 とのそれぞれの共振周波数において、スプリ
アス特性を劣化させる不要な通過帯域を発生させようと
する。ところが、この実施例では、第１および第２のコ
イル電極２８および３０の長さがそれぞれ短く形成され
ていて、第１のコイル電極２８において接近する２つの
部分の長さが短いとともに、第２のコイル電極３０にお
いて接近する２つの部分の長さが短い。そのため、それ
らの浮遊容量Ｃ11およびＣ12は小さくなり、その結果、
不要な通過帯域が高周波側に移動する。したがって、こ
の実施例では、コイル電極に並列に浮遊容量が発生して
いるにもかかわらず、スプリアス特性がよい。
【００２０】実験例として、比較例と、この比較例より
第１および第２のコイル電極２８および３０の長さを
０．６ｍｍ短くした実施例１と、第１および第２のコイ
ル電極２８および３０の長さを１．２ｍｍ短くした実施
例２と、第１および第２のコイル電極２８および３０の
長さを１．８ｍｍ短くした実施例３と、第１および第２
のコイル電極２８および３０の長さを２．４ｍｍ短くし
た実施例４とについて、それぞれ、周波数に対する減衰
量および反射損失を測定した。それらの周波数特性を図
４，図５，図６，図７および図８にそれぞれ示した。
第１および第２のコイル電極２８および３０の長さを
０．６ｍｍ短くした実施例１と、第１および第２のコイ
ル電極２８および３０の長さを１．２ｍｍ短くした実施
例２と、第１および第２のコイル電極２８および３０の
長さを１．８ｍｍ短くした実施例３と、第１および第２
のコイル電極２８および３０の長さを２．４ｍｍ短くし
た実施例４とについて、それぞれ、周波数に対する減衰
量および反射損失を測定した。それらの周波数特性を図
４，図５，図６，図７および図８にそれぞれ示した。
【００２１】図４〜図８に示すグラフより、比較例，実
施例１，実施例２，実施例３および実施例４では、いず
れも、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×２．０ｍｍという超小
型でありながら、１．６ＧＨｚ以下に挿入損失が０．６
ｄＢ以下の通過帯域を有することがわかる。また、図４
〜図８の減衰量においてＡで示すように、比較例では約
７．５ＧＨｚにおいてスプリアス特性を劣化させる不要
な通過帯域を有するが、実施例１，実施例２，実施例３
および実施例４では、いずれも、そのような不要な通過
帯域が高周波側に移動し、スプリアス特性がよくなって
いることがわかる。特に、実施例４では、約８．５ＧＨ
ｚ以下の帯域に、２０ｄＢ以上の減衰量を確保できるこ
とがわかる。
施例１，実施例２，実施例３および実施例４では、いず
れも、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×２．０ｍｍという超小
型でありながら、１．６ＧＨｚ以下に挿入損失が０．６
ｄＢ以下の通過帯域を有することがわかる。また、図４
〜図８の減衰量においてＡで示すように、比較例では約
７．５ＧＨｚにおいてスプリアス特性を劣化させる不要
な通過帯域を有するが、実施例１，実施例２，実施例３
および実施例４では、いずれも、そのような不要な通過
帯域が高周波側に移動し、スプリアス特性がよくなって
いることがわかる。特に、実施例４では、約８．５ＧＨ
ｚ以下の帯域に、２０ｄＢ以上の減衰量を確保できるこ
とがわかる。
【００２２】以上のように、インダクタとして用いられ
るコイル電極を有する高周波用ローパスフィルタにおい
て、コイル電極に関与する浮遊容量を小さくすることに
よって、通過帯域付近に減衰量を確保することができ、
しかもスプリアス特性がよくなることがわかる。
るコイル電極を有する高周波用ローパスフィルタにおい
て、コイル電極に関与する浮遊容量を小さくすることに
よって、通過帯域付近に減衰量を確保することができ、
しかもスプリアス特性がよくなることがわかる。
【００２３】なお、上述の実施例では、第１および第２
コイル電極２８および３０と他の電極との間に発生する
浮遊容量Ｃ01およびＣ02を小さくするために、第１およ
び第２のコイル電極２８および３０の長さを短く形成し
ているが、第１および第２のコイル電極２８および３０
の幅を狭く、たとえば４００μｍ以下で形成することに
よって、第１および第２のコイル電極２８および３０の
表面積を小さくし、第１および第２のコイル電極２８お
よび３０と他の電極との対向面積を小さくしても、第１
および第２のコイル電極２８および３０と他の電極との
間に発生する浮遊容量Ｃ01およびＣ02を小さくすること
ができる。このようにコイル電極の幅を狭く形成するこ
とによって、コイル電極と他の電極との間に発生する浮
遊容量を小さくしてもよい。なお、コイル電極の長さを
短く形成すれば、インダクタが小さくなってカットオフ
周波数が変動するが、コイル電極の長さを短く形成する
代わりにコイル電極の幅を狭く形成すれば、そのような
カットオフ周波数の変動を防ぐことができる。
コイル電極２８および３０と他の電極との間に発生する
浮遊容量Ｃ01およびＣ02を小さくするために、第１およ
び第２のコイル電極２８および３０の長さを短く形成し
ているが、第１および第２のコイル電極２８および３０
の幅を狭く、たとえば４００μｍ以下で形成することに
よって、第１および第２のコイル電極２８および３０の
表面積を小さくし、第１および第２のコイル電極２８お
よび３０と他の電極との対向面積を小さくしても、第１
および第２のコイル電極２８および３０と他の電極との
間に発生する浮遊容量Ｃ01およびＣ02を小さくすること
ができる。このようにコイル電極の幅を狭く形成するこ
とによって、コイル電極と他の電極との間に発生する浮
遊容量を小さくしてもよい。なお、コイル電極の長さを
短く形成すれば、インダクタが小さくなってカットオフ
周波数が変動するが、コイル電極の長さを短く形成する
代わりにコイル電極の幅を狭く形成すれば、そのような
カットオフ周波数の変動を防ぐことができる。
【００２４】また、上述の実施例において、第２の誘電
体層１８，第３の誘電体層２６あるいは第４の誘電体層
３２の厚みを厚く形成して、第１および第２のコイル電
極２８および３０と他の電極との間隔を広げるようにし
ても、第１および第２のコイル電極２８および３０と他
の電極との間に生じる浮遊容量Ｃ01およびＣ02を小さく
することができる。好ましくは、各コイル電極２８，３
０とアース電極１４、シールド電極３６との間隔が４０
０μｍ以上となるような厚みが選ばれる。また、この場
合、各コイル電極２８，３０とアース電極１４間の厚み
よりも、各コイル電極２８，３０とシールド電極３６間
の厚みを厚くする方が特性上好ましい。このようにコイ
ル電極と他の電極との間の誘電体層の厚みを厚く形成し
ても、コイル電極と他の電極との間に発生する浮遊容量
を小さくすることができる。
体層１８，第３の誘電体層２６あるいは第４の誘電体層
３２の厚みを厚く形成して、第１および第２のコイル電
極２８および３０と他の電極との間隔を広げるようにし
ても、第１および第２のコイル電極２８および３０と他
の電極との間に生じる浮遊容量Ｃ01およびＣ02を小さく
することができる。好ましくは、各コイル電極２８，３
０とアース電極１４、シールド電極３６との間隔が４０
０μｍ以上となるような厚みが選ばれる。また、この場
合、各コイル電極２８，３０とアース電極１４間の厚み
よりも、各コイル電極２８，３０とシールド電極３６間
の厚みを厚くする方が特性上好ましい。このようにコイ
ル電極と他の電極との間の誘電体層の厚みを厚く形成し
ても、コイル電極と他の電極との間に発生する浮遊容量
を小さくすることができる。
【００２５】さらに、上述の実施例では第１および第２
のコイル電極２８および３０にそれぞれ並列に発生する
浮遊容量Ｃ11およびＣ12を小さくするために第１および
第２のコイル電極２８および３０の長さを短く形成して
いるが、第１および第２のコイル電極２８および３０の
幅をそれぞれ狭く形成することなどによって、各コイル
電極において接近する２つの部分間の間隔を広げても、
各コイル電極に並列に発生する浮遊容量を小さくするこ
とができる。
のコイル電極２８および３０にそれぞれ並列に発生する
浮遊容量Ｃ11およびＣ12を小さくするために第１および
第２のコイル電極２８および３０の長さを短く形成して
いるが、第１および第２のコイル電極２８および３０の
幅をそれぞれ狭く形成することなどによって、各コイル
電極において接近する２つの部分間の間隔を広げても、
各コイル電極に並列に発生する浮遊容量を小さくするこ
とができる。
【００２６】また、上述の実施例では第１および第２の
コイル電極２８および３０が誘電体層上に形成されてい
るが、それらのコイル電極は誘電体層に代えて磁性体層
上に形成されてもよい。
コイル電極２８および３０が誘電体層上に形成されてい
るが、それらのコイル電極は誘電体層に代えて磁性体層
上に形成されてもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す高周波ローパパスフィルタの積層体
の分解斜視図である。
の分解斜視図である。
【図３】図１に示す高周波用ローパスフィルタの等価回
路図である。
路図である。
【図４】比較例の周波数特性を示すグラフである。
【図５】第１および第２のコイル電極の長さを６００μ
ｍ短くした実施例１の周波数特性を示すグラフである。
ｍ短くした実施例１の周波数特性を示すグラフである。
【図６】第１および第２のコイル電極の長さを１２００
μｍ短くした実施例２の周波数特性を示すグラフであ
る。
μｍ短くした実施例２の周波数特性を示すグラフであ
る。
【図７】第１および第２のコイル電極の長さを１８００
μｍ短くした実施例３の周波数特性を示すグラフであ
る。
μｍ短くした実施例３の周波数特性を示すグラフであ
る。
【図８】第１および第２のコイル電極の長さを２４００
μｍ短くした実施例４の周波数特性を示すグラフであ
る。
μｍ短くした実施例４の周波数特性を示すグラフであ
る。
【図９】この発明の背景となりかつこの発明が適用され
る高周波用ローパスフィルタの一例を示す等価回路図で
ある。
る高周波用ローパスフィルタの一例を示す等価回路図で
ある。
１０ 高周波用ローパスフィルタ １１ 積層体 １２ 第１の誘電体層 １４ アース電極 １８ 第２の誘電体層 ２０ 第１のコンデンサ電極 ２２ 第２のコンデンサ電極 ２４ 第３のコンデンサ電極 ２６ 第３の誘電体層 ２８ 第１のコイル電極 ３０ 第２のコイル電極 ３２ 第４の誘電体層 ３６ シールド電極 ３８ 第５の誘電体層
Claims (1)
- 【請求項１】 インダクタとして用いられるコイル電極
を有する高周波用ローパスフィルタであって、 前記コイル電極に関与する浮遊容量を小さくした、高周
波用ローパスフィルタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4124178A JP3023939B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 高周波用ローパスフィルタ |
| DE69320521T DE69320521T2 (de) | 1992-04-16 | 1993-04-16 | Tiefpass-Hochfrequenzfilter |
| US08/048,381 US5357227A (en) | 1992-04-16 | 1993-04-16 | Laminated high-frequency low-pass filter |
| EP93106243A EP0566145B1 (en) | 1992-04-16 | 1993-04-16 | High-frequency low-pass filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4124178A JP3023939B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 高周波用ローパスフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299962A true JPH05299962A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3023939B2 JP3023939B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=14878909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4124178A Expired - Lifetime JP3023939B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 高周波用ローパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3023939B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100744908B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2007-08-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 대역 통과 필터 |
| US7982557B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-07-19 | Tdk Corporation | Layered low-pass filter capable of producing a plurality of attenuation poles |
| US7999634B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-08-16 | Tdk Corporation | Layered low-pass filter having a conducting portion that connects a grounding conductor layer to a grounding terminal |
| WO2020196522A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
-
1992
- 1992-04-16 JP JP4124178A patent/JP3023939B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100744908B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2007-08-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 대역 통과 필터 |
| US7982557B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-07-19 | Tdk Corporation | Layered low-pass filter capable of producing a plurality of attenuation poles |
| US7999634B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-08-16 | Tdk Corporation | Layered low-pass filter having a conducting portion that connects a grounding conductor layer to a grounding terminal |
| WO2020196522A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3023939B2 (ja) | 2000-03-21 |
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