JPH08316035A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 インダクタンス電極を内蔵する積層型の電子
部品において、インダクタンス電極間の磁気結合の小さ
い電子部品を得る。 【構成】 誘電体層１４，３０，４６に、グランド電極
１６，３２，４８を形成する。誘電体層１８，２６に、
コンデンサ電極２０ａ，２０ｂ，２８ａ，２８ｂを形成
する。誘電体層２２に、共通電極２４を形成する。シー
ルド電極３６を形成した複数の誘電体層３４，４４の間
に、インダクタンス電極４０ａ，４０ｂを形成した誘電
体層３８を配置する。インダクタンス電極４０ａ，４０
ｂ間にシールド電極３６を形成し、インダクタンス電極
４０ａ，４０ｂから入出力電極４２ａ，４２ｂを引き出
す。グランド電極１６，３２，４８とインダクタンス電
極４０ａ，４０ｂを接続する。コンデンサ電極２０ａ，
２８ａを接続し、コンデンサ電極２０ｂ，２８ｂを接続
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は電子部品に関し、特に
たとえば、積層型インダクタンスを含む電子部品に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図９は従来の電子部品の一例としてのバ
ンドパスフィルタを示す分解斜視図である。フィルタ１
は、複数の誘電体層２を含む。３つの誘電体層２上に
は、それぞれグランド電極３ａ，３ｂ，３ｃが形成され
る。２つのグランド電極３ａ，３ｂ間において、２つの
誘電体層２上に、コンデンサ電極４ａ，４ｂおよびコン
デンサ電極５ａ，５ｂが形成される。コンデンサ電極４
ａ，４ｂとコンデンサ電極５ａ，５ｂとの間の誘電体層
２上には、共通電極６が形成される。共通電極６は、コ
ンデンサ電極４ａ，４ｂおよびコンデンサ電極５ａ，５
ｂの全てに対向するように形成される。

【０００３】さらに、２つのグランド電極３ｂ，３ｃ間
の誘電体層２上には、２つのインダクタンス電極７ａ，
７ｂが形成される。インダクタンス電極７ａ，７ｂは、
誘電体層２の一端から内側に向かって、約１ターンのコ
イル状に形成される。これらのインダクタンス電極７
ａ，７ｂの中間部から、入出力電極８ａ，８ｂが引き出
される。これらの誘電体層２が積層された積層体の外側
面には、外部電極が形成される。これらの外部電極によ
って、インダクタンス素子７ａ，７ｂの一端が、グラン
ド電極３ａ，３ｂ，３ｃに接続される。また、外部電極
によって、コンデンサ電極４ａ，５ａが接続され、コン
デンサ電極４ｂ，５ｂが接続される。

【０００４】このバンドパスフィルタ１は、図１０に示
す等価回路を有する。この等価回路からわかるように、
バンドパスフィルタ１には、インダクタンスとキャパシ
タンスとからなる２つの共振器が、別のキャパシタンス
を介して結合している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このようなバンドパス
フィルタでは、インダクタンス電極が隣接して形成され
ているため、インダクタンス電極間に磁気結合が生じ
る。同じ数の共振器を有するバンドパスフィルタで比べ
ると、図１１に示すように、通常、共振器が磁気結合し
ているものより、容量結合しているもののほうが、通過
帯域外の減衰量が大きい。したがって、良好な特性を有
するフィルタを得るためには、インダクタンス電極間の
磁気結合を小さくすることが望ましい。

【０００６】インダクタンス電極間の磁気結合を小さく
するために、インダクタンス電極の周囲にグランド電極
を形成することが考えられる。しかしながら、積層型フ
ィルタの場合、セラミックグリーンシートを積層圧着
し、焼成することによって形成されるため、各電極は各
誘電体層に平行に形成され、誘電体層と直交する向きの
電極を形成することは困難である。また、複数のインダ
クタンス電極を積層体の厚み方向に形成し、インダクタ
ンス電極間にグランド電極を形成することが考えられ
る。しかしながら、このような方法では、インダクタン
ス電極で発生した磁界がグランド電極で邪魔され、イン
ダクタンスのＱ特性が悪くなるなどの問題がある。この
ようなグランド電極の影響を小さくするために、インダ
クタンス電極とグランド電極との間隔を大きくすれば、
素子が大型化していまう。

【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、イ
ンダクタンス電極を内蔵する積層型の電子部品におい
て、インダクタンス電極間の磁気結合の小さい電子部品
を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明は、複数の誘電
体層と、少なくとも１つの誘電体層に形成される複数の
インダクタンス電極とを含む積層型の電子部品であっ
て、複数のインダクタンス電極の間において誘電体層上
にシールド電極の層を形成した、電子部品である。この
電子部品において、さらに、複数の前記誘電体層に形成
され、互いに対向するように配置される複数のコンデン
サ電極を付加してもよい。

【０００９】

【作用】インダクタンス電極の間にシールド電極の層を
形成することにより、隣接するインダクタンス電極に影
響を及ぼす磁界が吸収される。そのため、隣接するイン
ダクタンス電極で発生する磁界が、互いに影響し合わな
い。また、複数のコンデンサ電極を形成することによ
り、キャパシタンスが形成される。したがって、インダ
クタンス電極とコンデンサ電極とによって、フィルタな
どの電子部品が形成される。

【００１０】

【発明の効果】この発明によれば、インダクタンス電極
間の磁気結合を小さくすることができるため、たとえば
バンドパスフィルタなどに応用した場合、通過帯域外の
減衰量を大きくすることができる。フィルタ以外の積層
型の電子部品においても、インダクタンス電極間の磁気
結合を小さくすることにより、良好な特性を得ることが
できる。

【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【００１２】

【実施例】図１はこの発明を応用したバンドパスフィル
タの一例を示す斜視図である。バンドパスフィルタ１０
は、積層体１２を含む。積層体１２は、図２に示すよう
に、第１の誘電体層１４を含む。第１の誘電体層１４上
には、第１のグランド電極１６が形成される。第１のグ
ランド電極１６は、第１の誘電体層１４のほぼ全面に形
成され、第１の誘電体層１４の一端に向かって引出部１
６ａ，１６ｂが形成される。

【００１３】第１のグランド電極１６上には、第２の誘
電体層１８が形成される。第２の誘電体層１８上には、
２つの第１のコンデンサ電極２０ａ，２０ｂが形成され
る。第１のコンデンサ電極２０ａ，２０ｂは、第２の誘
電体層１８上で並んで形成され、第１のグランド電極１
６と逆の端部に引き出される。第１のコンデンサ電極２
０ａ，２０ｂの上には、第３の誘電体層２２が形成され
る。第３の誘電体層２２上には、共通電極２４が形成さ
れる。共通電極２４は、２つの第１のコンデンサ電極２
０ａ，２０ｂの両方に対向するように形成される。

【００１４】共通電極２４上には、第４の誘電体層２６
が形成される。第４の誘電体層２６上には、第２のコン
デンサ電極２８ａ，２８ｂが形成される。第２のコンデ
ンサ電極２８ａ，２８ｂは、共通電極２４に対向するよ
うに形成される。第２のコンデンサ電極２８ａ，２８ｂ
は、第１のコンデンサ電極２０ａ，２０ｂと同じ側の端
部に引き出される。

【００１５】第２のコンデンサ電極２８ａ，２８ｂの上
には、第５の誘電体層３０が形成される。第５の誘電体
層３０上には、第２のグランド電極３２が形成される。
第２のグランド電極３２は、第１のグランド電極１６と
ほぼ同じ形状に形成される。したがって、第２のグラン
ド電極３２には、第１のグランド電極１６の引出部１６
ａ，１６ｂに対向する位置に、引出部３２ａ，３２ｂが
形成される。第２のグランド電極３２上には、複数の第
６の誘電体層３４が形成される。これらの第６の誘電体
層３４上の中央部には、帯状のシールド電極３６が形成
される。

【００１６】さらに、第６の誘電体層３６上には、第７
の誘電体層３８が形成される。第７の誘電体層３８上の
中央部には、帯状のシールド電極３６が形成される。そ
して、シールド電極３６の両側に、インダクタンス電極
４０ａ，４０ｂが形成される。インダクタンス電極４０
ａ，４０ｂは、第１のグランド電極１６の引出部１６
ａ，１６ｂと同じ側の端部から中央部に向かって、約１
ターンのコイル状に形成される。インダクタンス電極４
０ａ，４０ｂの中間部から、第７の誘電体層３８の対向
する端部に向かって、入出力電極４２ａ，４２ｂが形成
される。

【００１７】インダクタンス電極４０ａ，４０ｂなどの
上には、複数の第８の誘電体層４４が形成される。第８
の誘電体層４４上の中央部には、帯状のシールド電極３
６が形成される。さらに、第８の誘電体層４４上には、
第９の誘電体層４６が形成される。第９の誘電体層４６
上には、第３のグランド電極４８が形成される。第３の
グランド電極４８は、第１および第２のグランド電極１
６，３２とほぼ同じ形状に形成される。したがって、第
３のグランド電極４８は、第１および第２のグランド電
極１６，３２と同様に、引出部４８ａ，４８ｂを有す
る。第３のグランド電極４８上には、第１０の誘電体層
５０が形成される。

【００１８】これらの誘電体層が積層一体化されること
によって、積層体１２が形成される。積層体１２の外側
面には、外部電極５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，５
２ｅおよび５２ｆが形成される。外部電極５２ａは入出
力電極４２ａに接続され、外部電極５２ｂは入出力電極
４２ｂに接続される。また、外部電極５２ｃは、第１，
第２および第３のグランド電極１６，３２，４８の引出
部１６ａ，３２ａ，４８ａおよびインダクタンス電極４
０ａの一端に接続される。さらに、外部電極５２ｄは、
第１，第２および第３のグランド電極１６，３２，４８
の引出部１６ｂ，３２ｂ，４８ｂおよびインダクタンス
電極４０ｂの一端に接続される。したがって、第１，第
２および第３のグランド電極１６，３２，４８とインダ
クタンス電極４０ａ，４０ｂが接続される。また、外部
電極５２ｅは第１および第２のコンデンサ電極２０ａ，
２８ａに接続され、外部電極５２ｆは第１および第２の
コンデンサ電極２０ｂ，２８ｂに接続される。

【００１９】このバンドパスフィルタ１０を作製する場
合、複数の誘電体セラミックグリーンシート上に各電極
の形状に導電ペーストが印刷される。これらのセラミッ
クグリーンシートを積層圧着し、焼成することによっ
て、積層体１２が形成される。そして、積層体１２の外
側面に導電ペーストを焼き付けることにより、外部電極
５２ａ〜５２ｆが形成される。なお、セラミックグリー
ンシートを積層一体化したのち、焼成前に導電ペースト
を塗布し、一体焼成することによって作製してもよい。

【００２０】このバンドパスフィルタ１０は、図３に示
すような等価回路を有する。図３からわかるように、イ
ンダクタンスとキャパシタンスとからなる２つの共振器
が形成され、これらの共振器がキャパシタンスを介して
結合することによって、バンドパスフィルタ１０が形成
される。このバンドパスフィルタ１０では、インダクタ
ンス電極４０ａ，４０ｂの間にシールド電極３６が形成
されているため、インダクタンス電極４０ａ，４０ｂで
形成された磁界が、シールド電極３６で吸収される。一
方のインダクタンス電極４０ａで発生した磁界とシール
ド電極３６との関係について、有限要素法によるシミュ
レーションにより解析し、その結果を図４に示した。

【００２１】図４からわかるように、インダクタンス電
極４０ａで発生した磁界は、シールド電極３６で吸収さ
れ、隣接するインダクタンス電極４０ｂ側に届かない。
図４には示されていないが、インダクタンス電極４０ｂ
で発生した磁界も、シールド電極３６で吸収され、イン
ダクタンス電極４０ａ側に届かない。したがって、イン
ダクタンス電極４０ａ，４０ｂは磁気結合せず、良好な
特性を有するバンドパスフィルタ１０を得ることができ
る。この発明のバンドパスフィルタ１０と、シールド電
極を形成していない従来のバンドパスフィルタとの特性
を測定し、その結果を図５に示した。図５からわかるよ
うに、従来のものに比べて、この発明のバンドパスフィ
ルタ１０では、通過帯域外における減衰量を大きくする
ことができた。

【００２２】上述の実施例では、インダクタンス電極４
０ａ，４０ｂで発生した磁界が、第２および第３のグラ
ンド電極３２，４８で邪魔されないように、複数の第６
の誘電体層３４および第８の誘電体層４４を配置し、そ
れらにシールド電極３６が形成されている。そのため、
インダクタンス電極４０ａ，４０ｂ間に複数のシールド
電極３６が形成されており、良好なシールド効果を得る
ことができる。しかしながら、図６に示すように、イン
ダクタンス電極４０ａ，４０ｂが形成された誘電体層３
８と、その厚み方向に積層された誘電体層の１つにシー
ルド電極を形成するだけでも、シールド効果を得ること
ができる。

【００２３】このように、インダクタンス電極４０ａ，
４０ｂの間に、シールド電極３６を形成することによ
り、インダクタンス電極間の磁気結合を小さくすること
ができる。このとき、インダクタンス電極４０ａ，４０
ｂと、その上下のグランド電極３２，４８との間隔は、
第６および第８の誘電体層３４，４４によって十分に確
保されているため、インダクタンス電極４０ａ，４０ｂ
のインダクタンス特性がほとんど劣化しない。実験で
は、シールド電極が形成されていない場合に比べて、イ
ンダクタンス特性をほとんど劣化させることなく、イン
ダクタンス電極間の磁気結合を１％以下にすることがで
きた。これにより、従来のフィルタと同一形状でありな
がら、従来より高性能なフィルタを得ることができる。

【００２４】従来のバンドパスフィルタなどでは、イン
ダクタンス電極間の磁気結合の程度がわからないため、
完成品を得るまでに数回の試作が必要であった。しかし
ながら、この発明によれば、インダクタンス電極間の磁
気結合を考慮せずに回路設計を行うことができるので、
回路シミュレーションによる設計が容易である。

【００２５】なお、上述の実施例では、１つの積層体内
に、インダクタンス電極およびコンデンサ電極を形成し
たが、インダクタンス電極のみを形成した積層体上に別
部品としてのチップ型コンデンサなどを取り付けてもよ
い。さらに、コンデンサ以外の電子素子を取り付けて、
フィルタ以外の電子部品を形成することも可能である。
いずれの場合においても、インダクタンス電極間にシー
ルド電極を形成することにより、磁気結合を小さくする
ことができ、良好な特性の電子部品を得ることができ
る。

【００２６】また、インダクタンス電極４０ａ，４０ｂ
の形状としては、図７に示すように、蛇行した形状に形
成したものや、図８に示すように、誘電体層にビアホー
ル５４を形成し、このビアホール５４を介して、複数の
誘電体層３８上に形成した渦巻状のインダクタンス電極
４０ａ，４０ｂを接続してもよい。このように、インダ
クタンス電極の形状は任意に変更可能であり、どのよう
な形状のインダクタンス電極を採用しても、シールド電
極３６を形成することによって、インダクタンス電極間
の磁気結合を抑えることができる。なお、シールド電極
はグランド電極などに接続してもよいし、このシールド
電極を用いてコンデンサなどの磁気の影響を受けない素
子を形成してもよい。

【００２７】さらに、誘電体層上に形成されるインダク
タンス電極の数は２つに限らず、３つ以上のインダクタ
ンス電極を形成してもよい。その場合、各インダクタン
ス電極間に、シールド電極が形成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。

【図２】図１に示すバンドパスフィルタに用いられる積
層体の分解斜視図である。

【図３】図１に示すバンドパスフィルタの等価回路図で
ある。

【図４】インダクタンス電極によって発生する磁界とシ
ールド電極との関係を示す図解図である。

【図５】この発明のフィルタと従来のフィルタの周波数
特性を示すグラフである。

【図６】インダクタンス電極によって発生する磁界とシ
ールド電極との別の関係を示す図解図である。

【図７】インダクタンス電極の他の例を示す分解斜視図
である。

【図８】インダクタンス電極のさらに他の例を示す分解
斜視図である。

【図９】従来のバンドパスフィルタの一例を示す分解斜
視図である。

【図１０】図９に示す従来のバンドパスフィルタの等価
回路図である。

【図１１】磁気結合型バンドパスフィルタと容量結合型
バンドパスフィルタの周波数特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１０ バンドパスフィルタ １２ 積層体 １４ 第１の誘電体層 １６ 第１のグランド電極 １８ 第２の誘電体層 ２０ａ，２０ｂ 第１のコンデンサ電極 ２２ 第３の誘電体層 ２４ 共通電極 ２６ 第４の誘電体層 ２８ａ，２８ｂ 第２のコンデンサ電極 ３０ 第５の誘電体層 ３２ 第２のグランド電極 ３４ 第６の誘電体層 ３６ シールド電極 ３８ 第７の誘電体層 ４０ａ，４０ｂ インダクタンス電極 ４４ 第８の誘電体層 ４６ 第９の誘電体層 ４８ 第３のグランド電極 ５０ 第１０の誘電体層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の誘電体層と、少なくとも１つの前
   記誘電体層に形成される複数のインダクタンス電極とを
   含む積層型の電子部品であって、 複数の前記インダクタンス電極の間において前記誘電体
   層上にシールド電極の層を形成した、電子部品。
2. 【請求項２】 さらに、複数の前記誘電体層に形成さ
   れ、互いに対向するように配置される複数のコンデンサ
   電極を含む、請求項１に記載の電子部品。