JP2890953B2 - バンドパスフィルタおよびその周波数特性調整方法 - Google Patents

バンドパスフィルタおよびその周波数特性調整方法

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JP2890953B2
JP2890953B2 JP3150992A JP3150992A JP2890953B2 JP 2890953 B2 JP2890953 B2 JP 2890953B2 JP 3150992 A JP3150992 A JP 3150992A JP 3150992 A JP3150992 A JP 3150992A JP 2890953 B2 JP2890953 B2 JP 2890953B2
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口 哲 夫 谷
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はバンドパスフィルタお
よびその周波数特性調整方法に関し、特に3段の共振器
を有するバンドパスフィルタおよびその周波数特性調整
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の従来のバンドパスフィルタとし
ては、1枚の層上に複数のストリップラインを形成して
構成したものがあった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来のバンドパスフィルタでは、その周波数特性が中心
周波数の両側でなだらかとなっており、中心周波数に対
称なポールが存在せず、中心周波数近傍の減衰量が不十
分であった。
【0004】それゆえに、この発明の目的は、中心周波
数の両側にポールが存在する周波数特性として十分な減
衰量を確保することができる、バンドパスフィルタを提
供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるバンド
パスフィルタは、並列に接続される第1のインダクタお
よび第1のコンデンサを有する第1の共振器と、並列に
接続される第2のインダクタおよび第2のコンデンサを
有し第2のインダクタが第1のインダクタに磁気結合さ
れる第2の共振器と、並列に接続される第3のインダク
タおよび第3のコンデンサを有し第3のインダクタが第
2のインダクタに磁気結合される第3の共振器と、第1
の入出力用コンデンサを介して第1の共振器の一端に接
続される第1の入出力端子と、第2の入出力用コンデン
サを介して第3の共振器の一端に接続される第2の入出
力端子と、第1の共振器の他端に接続される第1のアー
ス端子と、第3の共振器の他端に接続される第2のアー
ス端子と、第1の共振器の他端および第3の共振器の他
端の間に接続されるポール形成用インダクタとを含む、
バンドパスフィルタであって、各共振器は、複数の誘電
体層が積層された積層体内に形成されており、ポール形
成用インダクタを誘電体層上のシールド電極により形成
したことを特徴とする、バンドパスフィルタである。
【0006】上述のバンドパスフィルタにおいて、第1
の層と、第1の層の一方主面に形成され、第1,第2お
よび第3のインダクタとなる第1,第2および第3のコ
イル電極と、第1の層の他方主面側に形成され、ポール
形成用インダクタとして機能させるシールド電極と、コ
イル電極を挟むようにして、第1の層の一方主面側に形
成される第2の層と、第2の層の表面に形成される第1
および第2の入出力用コンデンサ電極と、入出力用コン
デンサ電極を挟むようにして、第2の層の表面側に形成
される第1の誘電体層と、第1の誘電体層の表面に形成
される第1,第2および第3のコンデンサ電極と、コン
デンサ電極を挟むようにして、第1の誘電体層の表面側
に形成される第2の誘電体層と、第2の誘電体層の表面
に形成される第1,第2および第3のアース電極とを含
み、第1の入出力用コンデンサ電極、第1の誘電体層お
よび第1のコンデンサ電極で、第1の入出力用コンデン
サが構成され、第2の入出力用コンデンサ電極、第1の
誘電体層および第3のコンデンサ電極で、第2の入出力
用コンデンサが構成され、第1のコンデンサ電極、第2
の誘電体層および第1のアース電極で、第1のコンデン
サが構成され、第2のコンデンサ電極、第2の誘電体層
および第2のアース電極で、第2のコンデンサが構成さ
れ、第3のコンデンサ電極、第2の誘電体層および第3
のアース電極で、第3のコンデンサが構成されてもよ
い。
【0007】この発明にかかるバンドパスフィルタの周
波数特性調整方法は、上述のバンドパスフィルタにおい
て、ポール形成用インダクタを形成するシールド電極
インダクタンスを変えることによって、フィルタの減衰
極の周波数を調整するようにした、バンドパスフィルタ
の周波数特性調整方法である。
【0008】
【作用】第1の共振回路の他端および第3の共振回路の
他端の間に接続されるポール形成用インダクタを形成す
るシールド電極のインダクタンスを変えれば、バンドパ
スフィルタの減衰極の周波数が変わる。その結果、所望
の周波数での減衰量を減衰極移動によって確保すること
ができる。
【0009】
【発明の効果】この発明によれば、中心周波数の両側に
ポールが存在する周波数特性として中心周波数の近傍に
十分な減衰量を確保することができる、バンドパスフィ
ルタが得られる。
【0010】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【0011】
【実施例】図1はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図2はその実施例の分解斜視図である。このバンド
パスフィルタ10は、たとえば誘電体からなる矩形シー
ト状の第1の層12を含む。この第1の層12は、たと
えば多数の誘電体層12a,12a,・・・を積層する
ことによって形成される。
【0012】第1の層12の一方主面には、第1,第2
および第3のコイル電極14a,14bおよび14cが
形成される。これらのコイル電極14a〜14cは、第
1の層12の幅方向の一端から他端に渡って斜めに形成
される。第1,第2および第3のコイル電極14a,1
4bおよび14cは、それぞれ、第1,第2および第3
の共振器Q1,Q2およびQ3(図3)の第1,第2の
第3のインダクタL1,L2およびL3(図3)として
働く。さらに、第2のコイル電極14bは、第1のコイ
ル電極14aおよび第3のコイル電極14cにそれぞれ
磁気結合度Mで結合される。
【0013】また、第1の層12の他方主面側において
縁部を除いた部分には、シールド電極16が形成され
る。このシールド電極16は、コイル電極14a〜14
cなどを外部から磁気的にシールドするためのシールド
材として働くとともに、ポール形成用インダクタLg
(図3)として働く。また、このシールド電極16は第
1の層12の一端に延びる引出部と他端に延びる引出部
とを有し、これらの引出部はそれぞれ平面的に見て第1
のコイル電極14aの一端部および第3のコイル電極1
4cの他端部に対応する。
【0014】さらに、第1の層12の他方主面側には、
シールド電極16を挟むようにして、たとえば誘電体か
らなる第1の保護層18が形成される。
【0015】一方、第1の層12の一方主面側には、コ
イル電極14a〜14cを挟むようにして、たとえば誘
電体からなる第2の層20が形成される。この第2の層
20は、たとえば多数の誘電体層20a,20a,・・
・を積層することによって形成される。
【0016】第2の層20の上面において縁部を除いた
部分には、第1および第2の入出力用コンデンサ電極2
2aおよび22bが形成される。この場合、第1の入出
力用コンデンサ電極22aは、第2の層20の幅方向の
他端側おいてその長手方向の一端側に形成される。第2
の入出力用コンデンサ電極22bは、第2の層20の幅
方向の一端側においてその長手方向の他端側に形成され
る。また、第1の入出力用コンデンサ電極22aは第2
の層20の幅方向の他端に延びる引出部を有する。第2
の入出力用コンデンサ電極22bは第2の層20の幅方
向の一端に延びる引出部を有する。
【0017】さらに、第2の層20の上面側には、入出
力用コンデンサ電極22aおよひ22bを挟むようにし
て、第1の誘電体層24が形成される。第1の誘電体層
24の上面において縁部を除いた部分には、第1,第2
および第3のコンデンサ電極26a,26bおよび26
cが、第1の誘電体層24の長手方向に間隔を隔てて形
成される。また、第1および第3のコンデンサ電極26
aおよび26cは、それぞれ、平面的に見て第1および
第2の入出力用コンデンサ電極22aおよび22bに対
向する。したがって、第1および第2の入出力用コンデ
ンサ電極22aおよび22bと第1の誘電体層24と第
1および第3のコンデンサ電極26aおよび26cと
で、第1および第2の入出力用コンデンサC4およびC
5(図3)が形成される。
【0018】また、第1のコンデンサ電極26aは、第
1の誘電体層24の他端に延びかつ第1のコイル電極1
4aの他端部に対応する引出部を有し、第2のコンデン
サ電極26bは、第1の誘電体層24の一端に延びかつ
第2のコイル電極14bの一端部に対応する引出部を有
し、第3のコンデンサ電極26cは、第1の誘電体層2
4の一端に延びかつ第3のコイル電極14cの一端部に
対応する引出部を有する。
【0019】さらに、第1の誘電体層24の上面側に
は、コンデンサ電極26a〜26cを挟むようにして、
第2の誘電体層28が形成される。第2のの誘電体層2
8の上面において縁部を除いた部分には、第1,第2お
よび第3のアース電極30a,30bおよび30cが形
成される。第1〜第3のアース電極30a〜30cは、
それぞれ、平面的に見て第1〜第3のコンデンサ電極2
6a〜26cに対向する。したがって、第1〜第3のコ
ンデンサ電極26a〜26cと第2の誘電体層28と第
1〜第3のアース電極30a〜30cとで、第1,第2
および第3の共振器Q1,Q2およびQ3の第1,第2
および第3のコンデンサC1,C2およびC3が(図
3)が形成される。
【0020】また、第1のアース電極30aは、第2の
誘電体層28の一端に延びかつ第1のコイル電極14a
の一端部に対応する引出部を有し、第2のアース電極3
0bは、第2の誘電体層28の他端に延びかつ第2のコ
イル電極14bの他端部に対応する引出部を有し、第3
のアース電極30cは、第2の誘電体層28の他端に延
びかつ第3のコイル電極14cの他端部に対応する引出
部を有する。
【0021】さらに、第2の誘電体層28の上面側に
は、第1〜第3のアース電極30a〜30cを挟むよう
にして、たとえば2層の第3の誘電体層32が形成され
る。第3の誘電体層32の上面には、第1,第2および
第3のトリミング用電極34a,34bおよび34cが
形成される。第1〜第3のトリミング用電極34a〜3
4cは、それぞれ、平面的に見て第1〜第3のアース電
極30a〜30cに対向するように形成される。したが
って、第1〜第3のアース電極30a〜30cと第3の
誘電体層32と第1〜第3のトリミング用電極34a〜
34cとで、第1,第2および第3のトリミング用コン
デンサC1x,C2xおよびC3x(図3)が形成され
る。
【0022】また、第1のトリミング用電極34aは、
第3の誘電体層32の他端に延びかつ第1のコイル電極
14aの他端部に対応する引出部を有し、第2のトリミ
ング用電極34bは、第3の誘電体層32の一端に延び
かつ第2のコイル電極14bの一端部に対応する引出部
を有し、第3のトリミング用電極34cは、第3の誘電
体層32の一端に延びかつ第3のコイル電極14cの一
端部に対応する引出部を有する。したがって、これらの
トリミング用電極34a〜34cを分断したりすること
によって、これらのトリミング用電極34a〜34cの
有効面積が変わり、それによって、第1,第2および第
3のトリミング用コンデンサC1x,C2xおよびC3
xの静電容量を調整することができる。すなわち、これ
らのトリミング用電極34a〜34cは、共振器Q1,
Q2およびQ3の共振周波数を調整するためのものであ
る。
【0023】さらに、第3の誘電体層32の上面側に
は、第1〜第3のトリミング用電極34a〜34cを挟
むようにして、たとえば誘電体からなる第2の保護層3
6が形成される。
【0024】また、このバンドパスフィルタ10には、
幅方向における一方側面に、たとえば断面コ字形の4つ
の外部電極38a,38b,38cおよび38dが形成
され、その他方側面にも、たとえば断面コ字形の4つの
外部電極38e,38f,38gおよび38hが形成さ
れる。
【0025】そして、外部電極38aによって、第1の
コイル電極14aの一端部とシールド電極16の一方の
引出部と第1のアース電極30aの引出部とが接続され
る。同様に、外部電極38eによって、第3のコイル電
極14cの他端部とシールド電極16の他方の引出部と
第3のアース電極30cの引出部とが接続される。これ
らの外部電極38aおよび38eは、それぞれ、第1お
よび第2のアース端子として用いられる。
【0026】また、外部電極38hは第1の入出力用コ
ンデンサ電極22aの引出部に接続され、外部電極38
dは第2の入出力用コンデンサ電極22bの引出部に接
続される。これらの外部電極38hおよび38dは、そ
れぞれ、第1および第2の入出力用端子として用いられ
る。
【0027】さらに、外部電極38gによって、第1の
コイル電極14aの他端部と第1のコンデンサ電極26
aの引出部と第1のトリミング用電極34aの引出部と
が接続される。同様に、外部電極38cによって、第3
のコイル電極14cの一端部と第3のコンデンサ電極2
6cの引出部と第3のトリミング用電極34cの引出部
とが接続される。
【0028】また、外部電極38bによって、第2のコ
イル電極14bの一端部と第2のコンデンサ電極26b
の引出部と第2のトリミング用電極34bの引出部とが
接続される。さらに、外部電極38fによって、第2の
コイル電極14bの他端部と第2のアース電極30bの
引出部とが接続される。
【0029】このバンドパスフィルタ10は、図3に示
す等価回路を有する。すなわち、このバンドパスフィル
タ10は、第1,第2および第3の共振器Q1,Q2お
よびQ3を有する。
【0030】第1の共振器Q1は、並列に接続される第
1のインダクタL1および第1のコンデンサC1を有す
る。第2の共振器Q2も、並列に接続される第2のイン
ダクタL2および第2のコンデンサC2を有し、第3の
共振器Q3も、並列に接続される第3のインダクタL3
および第3のコンデンサC3を有する。また、第2の共
振器Q2のインダクタL2は、第1の共振器Q1のイン
ダクタL1および第3の共振器Q3のインダクタL3に
それぞれ磁気結合度Mで結合される。さらに、これらの
共振器Q1,Q2およびQ3のコンデンサC1,C2お
よびC3には、第1,第2および第3のトリミング用コ
ンデンサC1x,C2xおよびC3xがそれぞれ並列に
接続される。
【0031】また、第1の共振器Q1の一端は、第1の
入出力用コンデンサC4を介して、第1の入出力用端子
として用いられる外部電極38hに接続される。同様
に、第3の共振器Q3の一端は、第2の入出力用コンデ
ンサC5を介して、第2の入出力用端子として用いられ
る外部電極38dに接続される。
【0032】さらに、第2の共振器Q2の一端は、第1
の共振器Q1の一端および第3の共振器Q3の一端に、
それぞれ浮遊容量Cpを介して接続される。
【0033】また、第1の共振器Q1の他端は第1のア
ース端子として用いられる外部電極38aに接続され、
第3の共振器Q3の他端は第2のアース端子として用い
られる外部電極38eに接続される。
【0034】さらに、第1の共振器Q1の他端と第3の
共振器Q3の他端との間には、ポール形成用インダクタ
Lgが接続される。このポール形成用インダクタLg
は、このバンドパスフィルタ10の周波数特性において
通過帯域の両側を規定するポールを形成するためのもの
であって、そのインダクタンスは、シールド電極16の
幅A,厚み,実効長等を変えることによって調整するこ
とができる。
【0035】図3に示す回路において、ポール形成用イ
ンダクタLgのインダクタンスを5nH,2nHおよび
0.5nHとした場合のシミュレーションによる周波数
特性を図4に示す。
【0036】図4に示す周波数特性より、図3に示す回
路では、中心周波数の両側にポールが存在し、十分な減
衰量を確保することができることがわかる。しかも、ポ
ール形成用インダクタLgのインダクタンスを大きくす
るに従って、中心周波数の両側のポールにおける減衰量
が大きくなることがわかる。
【0037】さらに、図4に示す周波数特性より、図3
に示す回路では、通過帯域の両側を規定する両ポールを
含む周波数特性が中心周波数を中心にしてほぼ対称にな
っていることがわかる。しかも、ポール形成用インダク
タLgのインダクタンスを小さくするに従って、ポール
が中心周波数に近づくことがわかる。
【0038】また、図3に示す等価回路を有する図1に
示すバンドパスフィルタ10において、ポール形成用イ
ンダクタLgとして働くシールド電極16の幅Aを1.
0mm,3.0mmおよび4.0mmにした場合、つま
りシールド電極16の幅を変えてそのインダクタンスを
変えた場合の周波数特性を図5に示す。
【0039】図5に示す周波数特性より、このバンドパ
スフィルタ10でも、中心周波数の両側にポールが存在
し、十分な減衰量を確保することができることがわか
る。
【0040】さらに、図5に示す周波数特性より、この
バンドパスフィルタ10でも、通過帯域の両側を規定す
る両ポールを含む周波数特性が中心周波数を中心にして
ほぼ対称になっていることがわかる。しかも、シールド
電極16の幅Aを広くしてポール形成用インダクタLg
のインダクタンスを小さくするに従って、ポールが中心
周波数に近づくことがわかる。なお、シールド電極16
の幅Aを1.0mmから3.0mへ広くした場合には、
ポールは中心周波数に6MHz近づき、シールド電極1
6の幅Aを3.0mmから4.0mmへ広くした場合に
は、ポールは中心周波数に3MHz近づいた。
【0041】上述の実施例ではポール形成用インダクタ
Lgをシールド電極16で構成しているが、第1のアー
ス端子となる外部電極38aと第2のアース端子となる
外部電極38eとの間に接続される別のコイル電極を形
成し、そのコイル電極でポール形成用インダクタを構成
してもよい。この場合、そのコイル電極の幅,厚み,実
効長を変えることによって、ポール形成用インダクタの
インダクタンスを変えることができる。
【0042】さらに、上述の実施例において、ポール形
成用インダクタLgのインダクタンスを大きくするため
にシールド電極16の面積を狭くする場合には、別のシ
ールド電極が形成されてもよい。
【0043】また、ポール形成用インダクタを構成する
シールド電極やコイル電極は、矩形や帯形に限らずたと
えば波形など他の形状に形成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図2】図1に示す実施例の分解斜視図である。
【図3】図1に示す実施例の等価回路図である。
【図4】図3に示す回路においてシミュレーションによ
る周波数特性を示すグラフである。
【図5】図1に示す実施例の周波数特性を示すグラフで
ある。
【符号の説明】
10 バンドパスフィルタ 12 第1の層 14a,14b,14c コイル電極 16 シールド電極 20 第2の層 22a,22b 入出力用コンデンサ電極 24 第1の誘電体層 26a,26b,26c コンデンサ電極 28 第2の誘電体層 30a,30b,30c アース電極 38a,38e アース端子として用いられる外部電極 38d,38h 入出力用端子として用いられる外部電
極 Q1,Q2,Q3 共振器 L1,L2,L3 インダクタ C1,C2,C3 コンデンサ C4,C5 入出力用コンデンサ Lg ポール形成用インダクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−262313(JP,A) 特開 昭63−171011(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01P 1/20 - 1/219 H01P 7/00 - 7/10 H03H 7/00 - 7/13

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 並列に接続される第1のインダクタおよ
    び第1のコンデンサを有する第1の共振器、 並列に接続される第2のインダクタおよび第2のコンデ
    ンサを有し前記第2のインダクタが前記第1のインダク
    タに磁気結合される第2の共振器、 並列に接続される第3のインダクタおよび第3のコンデ
    ンサを有し前記第3のインダクタが前記第2のインダク
    タに磁気結合される第3の共振器、 第1の入出力用コンデンサを介して前記第1の共振器の
    一端に接続される第1の入出力端子、 第2の入出力用コンデンサを介して前記第3の共振器の
    一端に接続される第2の入出力端子、 前記第1の共振器の他端に接続される第1のアース端
    子、 前記第3の共振器の他端に接続される第2のアース端
    子、および前記第1の共振器の他端および前記第3の共
    振器の他端の間に接続されるポール形成用インダクタを
    含む、バンドパスフィルタであって、 各共振器は、複数の誘電体層が積層された積層体内に形
    成されており、 ポール形成用インダクタを誘電体層上のシールド電極に
    より形成したことを特徴とする 、バンドパスフィルタ。
  2. 【請求項2】 第1の層、 前記第1の層の一方主面に形成され、前記第1,第2お
    よび第3のインダクタとなる第1,第2および第3のコ
    イル電極、 前記第1の層の他方主面側に形成され、前記ポール形成
    用インダクタとなるシールド電極、 前記コイル電極を挟むようにして、前記第1の層の一方
    主面側に形成される第2の層、 前記第2の層の表面に形成される第1および第2の入出
    力用コンデンサ電極、前記入出力用コンデンサ電極を挟
    むようにして、前記第2の層の表面側に形成される第1
    の誘電体層、 前記第1の誘電体層の表面に形成される第1,第2およ
    び第3のコンデンサ電極、 前記コンデンサ電極を挟むようにして、前記第1の誘電
    体層の表面側に形成される第2の誘電体層、および前記
    第2の誘電体層の表面に形成される第1,第2および第
    3のアース電極を含み、 前記第1の入出力用コンデンサ電極、前記第1の誘電体
    層および前記第1のコンデンサ電極で、前記第1の入出
    力用コンデンサが構成され、 前記第2の入出力用コンデンサ電極、前記第1の誘電体
    層および前記第3のコンデンサ電極で、前記第2の入出
    力用コンデンサが構成され、 前記第1のコンデンサ電極、前記第2の誘電体層および
    前記第1のアース電極で、前記第1のコンデンサが構成
    され、 前記第2のコンデンサ電極、前記第2の誘電体層および
    前記第2のアース電極で、前記第2のコンデンサが構成
    され、 前記第3のコンデンサ電極、前記第2の誘電体層および
    前記第3のアース電極で、前記第3のコンデンサが構成
    される、請求項1のバンドパスフィルタ。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2のバンドパスフ
    ィルタにおいて、前記ポール形成用インダクタを形成す
    るシールド電極のインダクタンスを変えることによっ
    て、フィルタの減衰極の周波数を調整するようにした、
    バンドパスフィルタの周波数特性調整方法。
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