JP2000323908A - 積層型ｌｃフィルタ - Google Patents
積層型ｌｃフィルタInfo
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- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
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- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
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- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 減衰特性におけるポール位置を容易に調整す
ることができる積層型ＬＣフィルタを得る。 【解決手段】 ＬＣフィルタ３１は、三つのＬＣ共振器
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を備えている。隣接するＬＣ共振器Ｑ
１とＱ２並びにＬＣ共振器Ｑ２とＱ３は、コンデンサパ
ターン３９〜４１とこれらコンデンサパターン３９〜４
１に対向している結合コンデンサパターン４２，４３と
で形成する結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２にて結合して
いる。ポール調整用パターン４７は結合コンデンサ４
２，４３に対向し、両者間に静電容量が発生している。
ることができる積層型ＬＣフィルタを得る。 【解決手段】 ＬＣフィルタ３１は、三つのＬＣ共振器
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を備えている。隣接するＬＣ共振器Ｑ
１とＱ２並びにＬＣ共振器Ｑ２とＱ３は、コンデンサパ
ターン３９〜４１とこれらコンデンサパターン３９〜４
１に対向している結合コンデンサパターン４２，４３と
で形成する結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２にて結合して
いる。ポール調整用パターン４７は結合コンデンサ４
２，４３に対向し、両者間に静電容量が発生している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣフィルタに関
し、特に、高周波で使用される積層型ＬＣフィルタに関
する。
し、特に、高周波で使用される積層型ＬＣフィルタに関
する。
【０００２】
【従来の技術】特定の周波数帯の信号を通過させる３段
以上のバンドパスフィルタとして、例えば、図８に示す
回路構成のものが提案されている。該バンドパスフィル
タは第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３からなる３段
のバンドパスフィルタである。これらＬＣ共振器Ｑ１〜
Ｑ３は互いに隣接するものが結合コンデンサＣｓ１，Ｃ
ｓ２により電気的に結合されている。
以上のバンドパスフィルタとして、例えば、図８に示す
回路構成のものが提案されている。該バンドパスフィル
タは第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３からなる３段
のバンドパスフィルタである。これらＬＣ共振器Ｑ１〜
Ｑ３は互いに隣接するものが結合コンデンサＣｓ１，Ｃ
ｓ２により電気的に結合されている。
【０００３】従来より、前記のような回路構成を有する
積層型バンドパスフィルタとしては、例えば図９〜図１
１に示すような構成を有するものがある。該ＬＣフィル
タ１は、四角形状のセラミックシート２を積層してなる
積層体２１内に、第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
を形成し、これらＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３により、図８に
示す等価回路を構成したものである。
積層型バンドパスフィルタとしては、例えば図９〜図１
１に示すような構成を有するものがある。該ＬＣフィル
タ１は、四角形状のセラミックシート２を積層してなる
積層体２１内に、第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
を形成し、これらＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３により、図８に
示す等価回路を構成したものである。
【０００４】ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３のインダクタンスＬ
１〜Ｌ３は、それぞれインダクタパターン３，４，５に
より形成される。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３のコンデンサＣ
１〜Ｃ３は、それぞれコンデンサパターン９，１０，１
１と、これらコンデンサパターン９，１０，１１に対向
しているインダクタパターン３，４，５の先端部６，
７，８とで形成される。以上のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
は、コンデンサパターン９〜１１とこれらコンデンサパ
ターン９〜１１に対向している結合コンデンサパターン
１２，１３とで形成する結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２
にて電気的に結合している。このＬＣ共振器Ｑ１とＱ３
はそれぞれ、入力用コンデンサパターン１４及び出力用
コンデンサパターン１５に容量結合している。そして、
これらのパターン３〜５，９〜１５を間に挟んでシール
ドパターン１６ａ，１６ｂが配置されている。
１〜Ｌ３は、それぞれインダクタパターン３，４，５に
より形成される。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３のコンデンサＣ
１〜Ｃ３は、それぞれコンデンサパターン９，１０，１
１と、これらコンデンサパターン９，１０，１１に対向
しているインダクタパターン３，４，５の先端部６，
７，８とで形成される。以上のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
は、コンデンサパターン９〜１１とこれらコンデンサパ
ターン９〜１１に対向している結合コンデンサパターン
１２，１３とで形成する結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２
にて電気的に結合している。このＬＣ共振器Ｑ１とＱ３
はそれぞれ、入力用コンデンサパターン１４及び出力用
コンデンサパターン１５に容量結合している。そして、
これらのパターン３〜５，９〜１５を間に挟んでシール
ドパターン１６ａ，１６ｂが配置されている。
【０００５】積層体２１には、図１０に示すような入力
端子電極２６、出力端子電極２７及びシールド端子電極
２８，２９が形成されている。入力端子電極２６には入
力用コンデンサパターン１４が接続され、出力端子電極
２７には出力用コンデンサパターン１５が接続される。
シールド端子電極２８には、インダクタパターン３，
４，５の引出し部とシールドパターン１６ａ，１６ｂの
一方の端部が接続される。シールド端子電極２９には、
コンデンサパターン９〜１１の引出し部とシールドパタ
ーン１６ａ，１６ｂの他方の端部が接続される。
端子電極２６、出力端子電極２７及びシールド端子電極
２８，２９が形成されている。入力端子電極２６には入
力用コンデンサパターン１４が接続され、出力端子電極
２７には出力用コンデンサパターン１５が接続される。
シールド端子電極２８には、インダクタパターン３，
４，５の引出し部とシールドパターン１６ａ，１６ｂの
一方の端部が接続される。シールド端子電極２９には、
コンデンサパターン９〜１１の引出し部とシールドパタ
ーン１６ａ，１６ｂの他方の端部が接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＬＣ
フィルタ１は、減衰特性におけるポール位置を簡単に調
整することができなかった。ポール位置を変更するため
には、インダクタパターン３〜５、コンデンサパターン
９〜１１及び結合コンデンサパターン１２，１３の形状
等を変更しなければならず、殆ど全てのパターンの設計
を新たにする必要があった。
フィルタ１は、減衰特性におけるポール位置を簡単に調
整することができなかった。ポール位置を変更するため
には、インダクタパターン３〜５、コンデンサパターン
９〜１１及び結合コンデンサパターン１２，１３の形状
等を変更しなければならず、殆ど全てのパターンの設計
を新たにする必要があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、減衰特性におけ
るポール位置を容易に調整することができる積層型ＬＣ
フィルタを提供することにある。
るポール位置を容易に調整することができる積層型ＬＣ
フィルタを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係る積層型ＬＣフィルタは、複数の
絶縁層と複数のインダクタパターンと複数のコンデンサ
パターンとを積み重ねて構成した積層体内部に、前記イ
ンダクタパターンにより形成される複数のインダクタ
と、前記コンデンサパターンが前記インダクタパターン
に対向して形成する複数のコンデンサとで少なくとも３
個のＬＣ共振器を形成した積層型ＬＣフィルタにおい
て、前記積層体内部に、前記ＬＣ共振器間を結合するた
めの少なくとも二つの結合コンデンサパターンと、少な
くとも二つの前記結合コンデンサパターンに対向するポ
ール調整用パターンとを積層したことを特徴とする。
するため、本発明に係る積層型ＬＣフィルタは、複数の
絶縁層と複数のインダクタパターンと複数のコンデンサ
パターンとを積み重ねて構成した積層体内部に、前記イ
ンダクタパターンにより形成される複数のインダクタ
と、前記コンデンサパターンが前記インダクタパターン
に対向して形成する複数のコンデンサとで少なくとも３
個のＬＣ共振器を形成した積層型ＬＣフィルタにおい
て、前記積層体内部に、前記ＬＣ共振器間を結合するた
めの少なくとも二つの結合コンデンサパターンと、少な
くとも二つの前記結合コンデンサパターンに対向するポ
ール調整用パターンとを積層したことを特徴とする。
【０００９】少なくとも二つの結合コンデンサパターン
に対向するポール調整用パターンを設けることにより、
減衰特性におけるポール位置が容易に調整される。例え
ば、結合コンデンサパターンとポール調整用パターンと
の対向面積を大きくすると、ポール調整用パターンと結
合コンデンサパターンとの間に発生する静電容量が大き
くなり、ポール間隔が広がる。逆に、対向面積を小さく
すると、ポール間隔が狭くなる。
に対向するポール調整用パターンを設けることにより、
減衰特性におけるポール位置が容易に調整される。例え
ば、結合コンデンサパターンとポール調整用パターンと
の対向面積を大きくすると、ポール調整用パターンと結
合コンデンサパターンとの間に発生する静電容量が大き
くなり、ポール間隔が広がる。逆に、対向面積を小さく
すると、ポール間隔が狭くなる。
【００１０】また、インダクタを多重構造とすることに
より、インダクタの周囲に発生する磁界がインダクタパ
ターンのエッジ部に集中するのが緩和される。
より、インダクタの周囲に発生する磁界がインダクタパ
ターンのエッジ部に集中するのが緩和される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型ＬＣフ
ィルタの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態はバンドパスフィルタを例にして説明す
るが、バンドエルミネート（帯域阻止）フィルタ等であ
ってもよい。
ィルタの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態はバンドパスフィルタを例にして説明す
るが、バンドエルミネート（帯域阻止）フィルタ等であ
ってもよい。
【００１２】［第１実施形態、図１〜図４］本発明に係
るＬＣフィルタの一つの実施形態を図１〜図３に示す。
該ＬＣフィルタ３１は、図８で説明した第１〜第３段の
ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３にて構成されたバンドパスフィル
タに本発明を適用したものである。本第１実施形態のＬ
Ｃフィルタ３１はチタン酸バリウム等のセラミック誘電
体材料からなる四角形状のセラミックシート６０〜６９
を積層し、一体的に焼成してなる積層体５１内に、第１
〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３を配置したものであ
る。
るＬＣフィルタの一つの実施形態を図１〜図３に示す。
該ＬＣフィルタ３１は、図８で説明した第１〜第３段の
ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３にて構成されたバンドパスフィル
タに本発明を適用したものである。本第１実施形態のＬ
Ｃフィルタ３１はチタン酸バリウム等のセラミック誘電
体材料からなる四角形状のセラミックシート６０〜６９
を積層し、一体的に焼成してなる積層体５１内に、第１
〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３を配置したものであ
る。
【００１３】第１段（初段）のＬＣ共振器Ｑ１のインダ
クタンスＬ１は、図１に示すように、帯状インダクタパ
ターン３３自身が有するインダクタンスにより形成され
る。また、ＬＣ共振器Ｑ１のコンデンサＣ１は、コンデ
ンサパターン３９と、該コンデンサパターン３９にシー
ト６５を介して対向しているインダクタパターン３３の
先端部３６とで構成されている。
クタンスＬ１は、図１に示すように、帯状インダクタパ
ターン３３自身が有するインダクタンスにより形成され
る。また、ＬＣ共振器Ｑ１のコンデンサＣ１は、コンデ
ンサパターン３９と、該コンデンサパターン３９にシー
ト６５を介して対向しているインダクタパターン３３の
先端部３６とで構成されている。
【００１４】第２段のＬＣ共振器Ｑ２のインダクタンス
Ｌ２は、帯状インダクタパターン３４自身が有するイン
ダクタンスにより形成される。また、ＬＣ共振器Ｑ２の
コンデンサＣ２は、コンデンサパターン４０と、該コン
デンサパターン４０に対向しているインダクタパターン
３４の先端部３７とで構成されている。
Ｌ２は、帯状インダクタパターン３４自身が有するイン
ダクタンスにより形成される。また、ＬＣ共振器Ｑ２の
コンデンサＣ２は、コンデンサパターン４０と、該コン
デンサパターン４０に対向しているインダクタパターン
３４の先端部３７とで構成されている。
【００１５】第３段のＬＣ共振器Ｑ３のインダクタンス
Ｌ３は、帯状インダクタパターン３５自身が有するイン
ダクタンスにより形成される。また、ＬＣ共振器Ｑ３の
コンデンサＣ３は、コンデンサパターン４１と、該コン
デンサパターン４１に対向しているインダクタパターン
３５の先端部３８とで構成されている。
Ｌ３は、帯状インダクタパターン３５自身が有するイン
ダクタンスにより形成される。また、ＬＣ共振器Ｑ３の
コンデンサＣ３は、コンデンサパターン４１と、該コン
デンサパターン４１に対向しているインダクタパターン
３５の先端部３８とで構成されている。
【００１６】以上の第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ
３は、隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２並びにＬＣ共振器
Ｑ２とＱ３が、コンデンサパターン３９〜４１とこれら
コンデンサパターン３９〜４１にシート６４を介して対
向している結合コンデンサパターン４２，４３とで形成
する結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２にて電気的に結合し
ている。
３は、隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２並びにＬＣ共振器
Ｑ２とＱ３が、コンデンサパターン３９〜４１とこれら
コンデンサパターン３９〜４１にシート６４を介して対
向している結合コンデンサパターン４２，４３とで形成
する結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２にて電気的に結合し
ている。
【００１７】ポール調整用パターン４７は結合コンデン
サパターン４２，４３に対向し、両者間に静電容量を発
生させる。さらに、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ３はそれぞれ、
入力用コンデンサパターン４４及び出力用コンデンサパ
ターン４５に容量結合している。
サパターン４２，４３に対向し、両者間に静電容量を発
生させる。さらに、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ３はそれぞれ、
入力用コンデンサパターン４４及び出力用コンデンサパ
ターン４５に容量結合している。
【００１８】シート６６の左寄り、中央及び右寄りの位
置にそれぞれ形成されたインダクタパターン３３，３４
及び３５は、その一端がシート６６の手前側の辺に露出
している。シート６５の左寄り、中央及び右寄りの位置
にそれぞれ形成されたコンデンサパターン３９，４０及
び４１は、その一端がシート６５の奥側の辺に露出して
いる。結合コンデンサパターン４２，４３は、シート６
４の奥側寄りに配置され、ポール調整用パターン４７は
シート６３の奥側寄りに配置されている。そして、これ
らのパターン３３〜３５，３９〜４５，４７を間に挟ん
でシールドパターン４６ａ，４６ｂが配置されている。
置にそれぞれ形成されたインダクタパターン３３，３４
及び３５は、その一端がシート６６の手前側の辺に露出
している。シート６５の左寄り、中央及び右寄りの位置
にそれぞれ形成されたコンデンサパターン３９，４０及
び４１は、その一端がシート６５の奥側の辺に露出して
いる。結合コンデンサパターン４２，４３は、シート６
４の奥側寄りに配置され、ポール調整用パターン４７は
シート６３の奥側寄りに配置されている。そして、これ
らのパターン３３〜３５，３９〜４５，４７を間に挟ん
でシールドパターン４６ａ，４６ｂが配置されている。
【００１９】積層体５１には、図２に示すような入力端
子電極５６、出力端子電極５７及びシールド端子電極５
８，５９が形成されている。入力端子電極５６には入力
用コンデンサパターン４４が接続され、出力端子電極５
７には出力用コンデンサパターン４５が接続される。シ
ールド端子電極５８には、インダクタパターン３３，３
４，３５の引出し部とシールドパターン４６ａ，４６ｂ
の一方の端部が接続される。シールド端子電極５９に
は、コンデンサパターン３９〜４１の引出し部とシール
ドパターン４６ａ，４６ｂの他方の端部が接続される。
子電極５６、出力端子電極５７及びシールド端子電極５
８，５９が形成されている。入力端子電極５６には入力
用コンデンサパターン４４が接続され、出力端子電極５
７には出力用コンデンサパターン４５が接続される。シ
ールド端子電極５８には、インダクタパターン３３，３
４，３５の引出し部とシールドパターン４６ａ，４６ｂ
の一方の端部が接続される。シールド端子電極５９に
は、コンデンサパターン３９〜４１の引出し部とシール
ドパターン４６ａ，４６ｂの他方の端部が接続される。
【００２０】以上の構成からなるＬＣフィルタ３１は、
ポール調整用パターン４７と結合コンデンサパターン４
２，４３との対向面積を変えることにより、ＬＣフィル
タ３１のポール間隔を調整することができる。例えば、
対向面積が大きい場合、ポール調整用パターン４７と結
合コンデンサパターン４２，４３との間に発生する静電
容量が大きくなり、図４の実線Ａで示すように、ポール
間隔が大きい減衰特性となる。逆に、対向面積が小さい
場合、図４の点線Ｂで示すように、ポール間隔が小さい
減衰特性となる。従って、減衰特性におけるポール位置
を容易に調整することができるＬＣフィルタ３１を得る
ことができる。
ポール調整用パターン４７と結合コンデンサパターン４
２，４３との対向面積を変えることにより、ＬＣフィル
タ３１のポール間隔を調整することができる。例えば、
対向面積が大きい場合、ポール調整用パターン４７と結
合コンデンサパターン４２，４３との間に発生する静電
容量が大きくなり、図４の実線Ａで示すように、ポール
間隔が大きい減衰特性となる。逆に、対向面積が小さい
場合、図４の点線Ｂで示すように、ポール間隔が小さい
減衰特性となる。従って、減衰特性におけるポール位置
を容易に調整することができるＬＣフィルタ３１を得る
ことができる。
【００２１】［第２実施形態、図５〜図７］図５にＬＣ
フィルタ８１の構成を示し、図６にＬＣフィルタ８１の
外観斜視図を示す。ＬＣフィルタ８１は３段のバンドパ
スフィルタであり、第１段（初段）のＬＣ共振器Ｑ１と
第２段のＬＣ共振器Ｑ２と第３段（終段）のＬＣ共振器
Ｑ３とを結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して縦続接
続している。
フィルタ８１の構成を示し、図６にＬＣフィルタ８１の
外観斜視図を示す。ＬＣフィルタ８１は３段のバンドパ
スフィルタであり、第１段（初段）のＬＣ共振器Ｑ１と
第２段のＬＣ共振器Ｑ２と第３段（終段）のＬＣ共振器
Ｑ３とを結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して縦続接
続している。
【００２２】図５に示すように、ＬＣフィルタ８１は、
インダクタパターン８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂ，
８５ａ，８５ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシー
ト８２と、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂ，９０
ａ，９０ｂ，９１ａ，９１ｂをそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート８２と、シールドパターン９２ａ，９２
ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシート８２と、結
合コンデンサパターン９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ
を表面に設けたセラミックシート８２と、ポール調整用
パターン９５を設けたセラミックシート８２等にて構成
されている。
インダクタパターン８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂ，
８５ａ，８５ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシー
ト８２と、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂ，９０
ａ，９０ｂ，９１ａ，９１ｂをそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート８２と、シールドパターン９２ａ，９２
ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシート８２と、結
合コンデンサパターン９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ
を表面に設けたセラミックシート８２と、ポール調整用
パターン９５を設けたセラミックシート８２等にて構成
されている。
【００２３】インダクタパターン８３ａ，８３ｂは同一
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ１を構成している。シート８２の左寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８３ａ，８３ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８３ａ，８３ｂの他端部８６
ａ，８６ｂは幅広になっており、この幅広部８６ａ，８
６ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８３ａ，８３ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている入力引出しパターン９６ａ，９６ｂは、シート８
２の左辺に露出している。
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ１を構成している。シート８２の左寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８３ａ，８３ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８３ａ，８３ｂの他端部８６
ａ，８６ｂは幅広になっており、この幅広部８６ａ，８
６ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８３ａ，８３ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている入力引出しパターン９６ａ，９６ｂは、シート８
２の左辺に露出している。
【００２４】インダクタパターン８４ａ，８４ｂは同一
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ２を構成している。インダクタパターン８
４ａ，８４ｂのパターン幅は、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂのパターン幅と比較して約
１０％以上広く設定されている。シート８２の中央位置
に形成されたインダクタパターン８４ａ，８４ｂは、そ
の一端がシート８２の手前側の辺に露出している。イン
ダクタパターン８４ａ，８４ｂの他端部８７ａ，８７ｂ
は幅広になっており、この幅広部８７ａ，８７ｂはコン
デンサパターンとしても機能する。
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ２を構成している。インダクタパターン８
４ａ，８４ｂのパターン幅は、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂのパターン幅と比較して約
１０％以上広く設定されている。シート８２の中央位置
に形成されたインダクタパターン８４ａ，８４ｂは、そ
の一端がシート８２の手前側の辺に露出している。イン
ダクタパターン８４ａ，８４ｂの他端部８７ａ，８７ｂ
は幅広になっており、この幅広部８７ａ，８７ｂはコン
デンサパターンとしても機能する。
【００２５】インダクタパターン８５ａ，８５ｂは同一
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ３を構成している。シート８２の右寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８５ａ，８５ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８５ａ，８５ｂの他端部８８
ａ，８８ｂは幅広になっており、この幅広部８８ａ，８
８ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８５ａ，８５ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン９７ａ，９７ｂは、シート８
２の右辺に露出している。
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ３を構成している。シート８２の右寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８５ａ，８５ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８５ａ，８５ｂの他端部８８
ａ，８８ｂは幅広になっており、この幅広部８８ａ，８
８ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８５ａ，８５ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン９７ａ，９７ｂは、シート８
２の右辺に露出している。
【００２６】コンデンサパターン８９ａ，８９ｂは、シ
ート８２の左寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。シート８２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂの間
には、インダクタパターン８３ａ，８３ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ１が配置されている。このコ
ンデンサパターン８９ａ，８９ｂは、インダクタパター
ン８３ａ，８３ｂの幅広部８６ａ，８６ｂに対向し、コ
ンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサＣ１と２
重構造のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振回路を形成
し、第１段のＬＣ共振器Ｑ１を構成する。
ート８２の左寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。シート８２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂの間
には、インダクタパターン８３ａ，８３ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ１が配置されている。このコ
ンデンサパターン８９ａ，８９ｂは、インダクタパター
ン８３ａ，８３ｂの幅広部８６ａ，８６ｂに対向し、コ
ンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサＣ１と２
重構造のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振回路を形成
し、第１段のＬＣ共振器Ｑ１を構成する。
【００２７】コンデンサパターン９０ａ，９０ｂは、シ
ート８２の中央位置に形成され、その一端はシート８２
の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９０ａ
と９０ｂの間には、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ
にて構成された２重構造のインダクタＬ２が配置されて
いる。このコンデンサパターン９０ａ，９０ｂはインダ
クタパターン８４ａ，８４ｂの幅広部８７ａ，８７ｂに
対向し、コンデンサＣ２を形成する。そして、コンデン
サＣ２と２重構造のインダクタＬ２とでＬＣ並列共振回
路を形成し、第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成する。
ート８２の中央位置に形成され、その一端はシート８２
の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９０ａ
と９０ｂの間には、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ
にて構成された２重構造のインダクタＬ２が配置されて
いる。このコンデンサパターン９０ａ，９０ｂはインダ
クタパターン８４ａ，８４ｂの幅広部８７ａ，８７ｂに
対向し、コンデンサＣ２を形成する。そして、コンデン
サＣ２と２重構造のインダクタＬ２とでＬＣ並列共振回
路を形成し、第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成する。
【００２８】コンデンサパターン９１ａ，９１ｂは、シ
ート８２の右寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９
１ａと９１ｂの間には、インダクタパターン８５ａ，８
５ｂにて構成された２重構造のインダクタＬ３が配置さ
れている。このコンデンサパターン９１ａ，９１ｂは、
インダクタパターン８５ａ，８５ｂの幅広部８８ａ，８
８ｂに対向し、コンデンサＣ３を形成する。そして、コ
ンデンサＣ３と２重構造のインダクタＬ３とでＬＣ並列
共振回路を形成し、第３段のＬＣ共振器Ｑ３を構成す
る。
ート８２の右寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９
１ａと９１ｂの間には、インダクタパターン８５ａ，８
５ｂにて構成された２重構造のインダクタＬ３が配置さ
れている。このコンデンサパターン９１ａ，９１ｂは、
インダクタパターン８５ａ，８５ｂの幅広部８８ａ，８
８ｂに対向し、コンデンサＣ３を形成する。そして、コ
ンデンサＣ３と２重構造のインダクタＬ３とでＬＣ並列
共振回路を形成し、第３段のＬＣ共振器Ｑ３を構成す
る。
【００２９】結合コンデンサパターン９３ａ，９３ｂ，
９４ａ，９４ｂはシート８２の奥側寄りに配設され、シ
ート８２の積み重ね方向において、インダクタパターン
８３ａ，８４ａ，８５ａとインダクタパターン８３ｂ，
８４ｂ，８５ｂとの間に位置する。この結合コンデンサ
パターン９３ａ，９３ｂは、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂに対向し、結合コンデンサ
Ｃｓ１を形成する。結合コンデンサパターン９４ａ，９
４ｂは、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ，８５ａ，
８５ｂに対向し、結合コンデンサＣｓ２を形成する。
９４ａ，９４ｂはシート８２の奥側寄りに配設され、シ
ート８２の積み重ね方向において、インダクタパターン
８３ａ，８４ａ，８５ａとインダクタパターン８３ｂ，
８４ｂ，８５ｂとの間に位置する。この結合コンデンサ
パターン９３ａ，９３ｂは、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂに対向し、結合コンデンサ
Ｃｓ１を形成する。結合コンデンサパターン９４ａ，９
４ｂは、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ，８５ａ，
８５ｂに対向し、結合コンデンサＣｓ２を形成する。
【００３０】ポール調整用パターン９５は、結合コンデ
ンサパターン９３ａ，９４ａと９３ｂ，９４ｂの間に配
置されている。このポール調整用パターン９５は、結合
コンデンサパターン９３ａ，９４ａ，９３ｂ，９４ｂに
対向して静電容量を発生する。広面積のシールドパター
ン９２ａ，９２ｂは、それぞれの一端が手前側の辺に露
出し、他端が奥側の辺に露出している。
ンサパターン９３ａ，９４ａと９３ｂ，９４ｂの間に配
置されている。このポール調整用パターン９５は、結合
コンデンサパターン９３ａ，９４ａ，９３ｂ，９４ｂに
対向して静電容量を発生する。広面積のシールドパター
ン９２ａ，９２ｂは、それぞれの一端が手前側の辺に露
出し、他端が奥側の辺に露出している。
【００３１】以上の構成からなる各シート８２は図５に
示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成されること
により、図６に示す積層体１０１とされる。積層体１０
１の左右の端面にはそれぞれ入力端子電極１０６及び出
力端子電極１０７が形成され、手前と奥の側面にはそれ
ぞれシールド端子電極１０８，１０９が形成されてい
る。入力端子電極１０６には入力引出しパターン９６
ａ，９６ｂが接続され、出力端子電極１０７には出力引
出しパターン９７ａ，９７ｂが接続される。シールド端
子電極１０８には、インダクタパターン８３ａ〜８５ｂ
の一端とシールドパターン９２ａ，９２ｂの一端とが接
続される。シールド端子電極１０９には、コンデンサパ
ターン８９ａ〜９１ｂの一端とシールドパターン９２
ａ，９２ｂの他端とが接続される。
示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成されること
により、図６に示す積層体１０１とされる。積層体１０
１の左右の端面にはそれぞれ入力端子電極１０６及び出
力端子電極１０７が形成され、手前と奥の側面にはそれ
ぞれシールド端子電極１０８，１０９が形成されてい
る。入力端子電極１０６には入力引出しパターン９６
ａ，９６ｂが接続され、出力端子電極１０７には出力引
出しパターン９７ａ，９７ｂが接続される。シールド端
子電極１０８には、インダクタパターン８３ａ〜８５ｂ
の一端とシールドパターン９２ａ，９２ｂの一端とが接
続される。シールド端子電極１０９には、コンデンサパ
ターン８９ａ〜９１ｂの一端とシールドパターン９２
ａ，９２ｂの他端とが接続される。
【００３２】このＬＣフィルタ８１は、前記第１実施形
態のＬＣフィルタ５１と同様の作用効果を奏する。ポー
ル調整用パターン９５と結合コンデンサパターン９３ａ
〜９４ｂとの対向面積を変えることにより、ＬＣフィル
タ８１の減衰特性のポール間隔を調整することができ
る。
態のＬＣフィルタ５１と同様の作用効果を奏する。ポー
ル調整用パターン９５と結合コンデンサパターン９３ａ
〜９４ｂとの対向面積を変えることにより、ＬＣフィル
タ８１の減衰特性のポール間隔を調整することができ
る。
【００３３】また、ＬＣフィルタ８１において、図７に
示すように、各インダクタＬ１〜Ｌ３を構成するインダ
クタパターン８３ａと８３ｂの間、インダクタパターン
８４ａと８４ｂの間、並びに、インダクタパターン８５
ａと８５ｂの間には、磁界Ｈが発生しない。従って、イ
ンダクタパターン８３ａ，８４ａ，８５ａと８３ｂ，８
４ｂ，８５ｂとの間に配置された結合コンデンサパター
ン９３ａ〜９４ｂ及びポール調整用パターン９５はイン
ダクタＬ１〜Ｌ３の磁界を殆ど遮断しない。このため、
均一な磁界Ｈが形成され、大きなインダクタンスが得ら
れる。
示すように、各インダクタＬ１〜Ｌ３を構成するインダ
クタパターン８３ａと８３ｂの間、インダクタパターン
８４ａと８４ｂの間、並びに、インダクタパターン８５
ａと８５ｂの間には、磁界Ｈが発生しない。従って、イ
ンダクタパターン８３ａ，８４ａ，８５ａと８３ｂ，８
４ｂ，８５ｂとの間に配置された結合コンデンサパター
ン９３ａ〜９４ｂ及びポール調整用パターン９５はイン
ダクタＬ１〜Ｌ３の磁界を殆ど遮断しない。このため、
均一な磁界Ｈが形成され、大きなインダクタンスが得ら
れる。
【００３４】また、インダクタＬ１〜Ｌ３が２重構造で
あるため、インダクタパターン８３ａと８３ｂの間隔、
インダクタパターン８４ａと８４ｂの間隔及びインダク
タパターン８５ａと８５ｂの間隔を調整することによ
り、インダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの周囲に発生する
磁界Ｈの分布を最適化することができ、磁界Ｈがインダ
クタパターン８３ａ〜８５ｂのエッジ部に集中するのを
緩和することができる。
あるため、インダクタパターン８３ａと８３ｂの間隔、
インダクタパターン８４ａと８４ｂの間隔及びインダク
タパターン８５ａと８５ｂの間隔を調整することによ
り、インダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの周囲に発生する
磁界Ｈの分布を最適化することができ、磁界Ｈがインダ
クタパターン８３ａ〜８５ｂのエッジ部に集中するのを
緩和することができる。
【００３５】また、フィルタ８１の中央に位置する第２
段のＬＣ共振器Ｑ２を構成するインダクタパターン８４
ａ，８４ｂは、両端に位置する第１段及び第３段のＬＣ
共振器Ｑ１，Ｑ３を構成するインダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂと比較して、そのパターン
幅を約１０％以上広くしている。従って、インダクタパ
ターン８４ａ，８４ｂのエッジ部での磁界Ｈを更に緩和
することができる。こうしてＱ特性の優れたＬＣフィル
タ８１を得ることができる。
段のＬＣ共振器Ｑ２を構成するインダクタパターン８４
ａ，８４ｂは、両端に位置する第１段及び第３段のＬＣ
共振器Ｑ１，Ｑ３を構成するインダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂと比較して、そのパターン
幅を約１０％以上広くしている。従って、インダクタパ
ターン８４ａ，８４ｂのエッジ部での磁界Ｈを更に緩和
することができる。こうしてＱ特性の優れたＬＣフィル
タ８１を得ることができる。
【００３６】［他の実施形態］なお、本発明に係る積層
型ＬＣフィルタは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、積層型ＬＣフィルタが有するＬＣ共振器は四つ
以上であってもよい。
型ＬＣフィルタは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、積層型ＬＣフィルタが有するＬＣ共振器は四つ
以上であってもよい。
【００３７】さらに、前記実施形態は、それぞれパター
ンが形成されたセラミックシートを積み重ねた後、一体
的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されな
い。セラミックシートは予め焼成されたものを用いても
よい。また、以下に説明する製法によってＬＣフィルタ
を作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状のセ
ラミック材料にてセラミック層を形成した後、そのセラ
ミック層の表面にペースト状の導電性パターン材料を塗
布して任意のパターンを形成する。次に、ペースト状の
セラミック材料を前記パターンの上から塗布してパター
ンが内蔵されたセラミック層とする。同様にして、順に
重ね塗りすることにより積層構造を有するＬＣフィルタ
が得られる。
ンが形成されたセラミックシートを積み重ねた後、一体
的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されな
い。セラミックシートは予め焼成されたものを用いても
よい。また、以下に説明する製法によってＬＣフィルタ
を作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状のセ
ラミック材料にてセラミック層を形成した後、そのセラ
ミック層の表面にペースト状の導電性パターン材料を塗
布して任意のパターンを形成する。次に、ペースト状の
セラミック材料を前記パターンの上から塗布してパター
ンが内蔵されたセラミック層とする。同様にして、順に
重ね塗りすることにより積層構造を有するＬＣフィルタ
が得られる。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、少なくとも二つの結合コンデンサパターンに対
向するポール調整用パターンを設けたので、減衰特性に
おけるポール位置を容易に調整することができる。従っ
て、高減衰の積層型ＬＣフィルタが得られ、優れたデュ
プレクサの製造が可能となる。
よれば、少なくとも二つの結合コンデンサパターンに対
向するポール調整用パターンを設けたので、減衰特性に
おけるポール位置を容易に調整することができる。従っ
て、高減衰の積層型ＬＣフィルタが得られ、優れたデュ
プレクサの製造が可能となる。
【００３９】また、インダクタを多重構造にすることに
より、磁界がインダクタパターンのエッジ部に集中する
のを緩和することができる。この結果、Ｑ特性の優れた
積層型ＬＣフィルタを得ることができる。
より、磁界がインダクタパターンのエッジ部に集中する
のを緩和することができる。この結果、Ｑ特性の優れた
積層型ＬＣフィルタを得ることができる。
【図１】本発明に係る積層型ＬＣフィルタの第１実施形
態の構成を示す分解斜視図。
態の構成を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜視
図。
図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩから見た模式図。
【図４】図２に示した積層型ＬＣフィルタの減衰特性を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図５】本発明に係る積層型ＬＣフィルタの第２実施形
態の構成を示す分解斜視図。
態の構成を示す分解斜視図。
【図６】図５に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜視
図。
図。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩから見た模式図。
【図８】積層型ＬＣフィルタの電気等価回路図。
【図９】従来の積層型ＬＣフィルタの構成を示す分解斜
視図。
視図。
【図１０】図９に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜視
図。
図。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩから見た模式図。
３１，８１…ＬＣフィルタ ６０〜６９，８２…セラミックシート ３３〜３５…インダクタパターン ３９〜４１…コンデンサパターン ４２，４３…結合コンデンサパターン ４６ａ，４６ｂ…シールドパターン ４７…ポール調整用パターン ５１…積層体 ８３ａ〜８５ａ，８３ｂ〜８５ｂ…インダクタパターン ８６ａ〜８８ａ，８６ｂ〜８８ｂ…幅広部 ８９ａ〜９１ａ，８９ｂ〜９１ｂ…コンデンサパターン ９２ａ，９２ｂ…シールドパターン ９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ…結合コンデンサパタ
ーン ９５…ポール調整用パターン １０１…積層体 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ Ｃｓ１，Ｃｓ２…結合コンデンサ Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…ＬＣ共振器
ーン ９５…ポール調整用パターン １０１…積層体 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ Ｃｓ１，Ｃｓ２…結合コンデンサ Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…ＬＣ共振器
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の絶縁層と複数のインダクタパター
ンと複数のコンデンサパターンとを積み重ねて構成した
積層体内部に、前記インダクタパターンにより形成され
る複数のインダクタと、前記コンデンサパターンが前記
インダクタパターンに対向して形成する複数のコンデン
サとで少なくとも３個のＬＣ共振器を形成した積層型Ｌ
Ｃフィルタにおいて、 前記積層体内部に、前記ＬＣ共振器間を結合するための
少なくとも二つの結合コンデンサパターンと、少なくと
も二つの前記結合コンデンサパターンに対向するポール
調整用パターンとを積層したことを特徴とする積層型Ｌ
Ｃフィルタ。 - 【請求項２】 各々のＬＣ共振器の前記インダクタが、
二つ以上の略同一形状の前記インダクタパターンを前記
絶縁層を介して積層してなる多重構造であることを特徴
とする請求項１記載の積層型ＬＣフィルタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11127820A JP2000323908A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 積層型ｌｃフィルタ |
| EP00401249A EP1050958B1 (en) | 1999-05-07 | 2000-05-05 | Stacked LC filter |
| DE60037774T DE60037774T2 (de) | 1999-05-07 | 2000-05-05 | Gestapeltes LC-Filter |
| US09/566,568 US6424236B1 (en) | 1999-05-07 | 2000-05-08 | Stacked LC filter with a pole-adjusting electrode facing resonator coupling patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11127820A JP2000323908A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 積層型ｌｃフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323908A true JP2000323908A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14969483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11127820A Pending JP2000323908A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 積層型ｌｃフィルタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6424236B1 (ja) |
| EP (1) | EP1050958B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000323908A (ja) |
| DE (1) | DE60037774T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010100997A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子装置 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20030092443A (ko) * | 2002-05-29 | 2003-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 고주파용 대역통과필터 |
| US6898070B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-05-24 | Avx Corporation | Transmission line capacitor |
| US7312676B2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-12-25 | Tdk Corporation | Multilayer band pass filter |
| US20070120627A1 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Kundu Arun C | Bandpass filter with multiple attenuation poles |
| US7321284B2 (en) * | 2006-01-31 | 2008-01-22 | Tdk Corporation | Miniature thin-film bandpass filter |
| JP4618441B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-01-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型フィルタ |
| US7786839B2 (en) * | 2008-12-28 | 2010-08-31 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Passive electrical components with inorganic dielectric coating layer |
| TWI643454B (zh) * | 2016-10-05 | 2018-12-01 | 日商村田製作所股份有限公司 | Multilayer LC filter |
| TWI648949B (zh) * | 2016-11-18 | 2019-01-21 | 日商村田製作所股份有限公司 | LC filter |
| WO2019244481A1 (ja) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 株式会社村田製作所 | 積層複合フィルタ装置 |
| US20220077553A1 (en) | 2019-01-15 | 2022-03-10 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Miniature filter design for antenna systems |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2725439B2 (ja) * | 1990-05-17 | 1998-03-11 | 株式会社 村田製作所 | 電子部品の周波数調整方法 |
| JP2682282B2 (ja) * | 1991-08-21 | 1997-11-26 | 株式会社村田製作所 | 積層チップｌｃフィルタ |
| US5404118A (en) * | 1992-07-27 | 1995-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band pass filter with resonator having spiral electrodes formed of coil electrodes on plurality of dielectric layers |
| JPH09214274A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-15 | Murata Mfg Co Ltd | Ｌｃ複合部品 |
| JP3438859B2 (ja) * | 1996-11-21 | 2003-08-18 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型電子部品とその製造方法 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP11127820A patent/JP2000323908A/ja active Pending
-
2000
- 2000-05-05 EP EP00401249A patent/EP1050958B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-05 DE DE60037774T patent/DE60037774T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-08 US US09/566,568 patent/US6424236B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010100997A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子装置 |
| CN102342021A (zh) * | 2009-03-02 | 2012-02-01 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件及电子装置 |
| JP5516572B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2014-06-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子装置 |
| CN102342021B (zh) * | 2009-03-02 | 2014-07-23 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件及电子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60037774D1 (de) | 2008-03-06 |
| EP1050958A3 (en) | 2002-07-17 |
| US6424236B1 (en) | 2002-07-23 |
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