TWI489775B - High frequency laminated parts and laminated high frequency filter - Google Patents

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Description

高頻積層零件及積層型高頻濾波器
本發明係關於一種在複數個絕緣體層以既定圖案形成電極以實現所欲電路功能之高頻積層零件及利用該高頻積層零件之構成之積層型高頻濾波器。
一直以來，各種高頻積層零件係利用於行動電話等之無線機器。高頻積層零件，例如專利文獻1所示，由積層有複數個絕緣體層之構造構成。
在高頻積層零件，對複數個絕緣體層形成既定電極圖案，藉此形成電感器或電容器。此外，將由此等電極圖案構成之電感器或電容器以另一電極圖案連接，藉此實現例如帶通濾波器等之電路功能。
由於此種高頻積層零件係構裝於另一電路基板來使用，因此具有構裝用之端子電極。端子電極，一般而言，形成在高頻積層零件之端面(側面)或底面。是以，具有設置將構成上述電感器或電容器等之電路功能部之電極圖案與端子電極加以連接之繞設用電極之必要。例如，在專利文獻1，為了將既定層之電極圖案連接於底面之地電極，在積層體之端面(側面)形成有將此等連接之電極。
然而，在例如專利文獻1記載之積層構造，構成電路功能部之電極與地電極之繞設電極變長，寄生電感器Lg之影響變大。若存在寄生電感器Lg，則在高頻帶之衰減特性劣化。因此，即使構成例如帶通濾波器等之濾波器，亦無法獲得所欲通過特性。
作為解決此種寄生電感器Lg之問題之方法，有圖1所示之地阻抗調整電路。圖1係顯示包含地阻抗調整電路之高頻積層零件的等效電路。
如圖1所示，高頻積層零件具備第1、第2輸出入埠Pio1,Pio2、電路功能部、寄生電感器Lg，且具備將三個電容器C1,C2,C12連接成π型之地阻抗調整電路。藉由具備此種地阻抗調整電路，可在所欲之頻帶形成衰減極，因此可防止寄生電感器Lg造成之在高頻帶之衰減特性劣化。
又，同樣地，作為由積層有複數個絕緣體層之高頻積層零件構成之積層型高頻濾波器，有例如專利文獻2記載之構造。
在專利文獻2記載之積層型高頻濾波器，對複數個絕緣體層形成既定電極圖案，藉此形成電感器或電容器。從由此等電極圖案構成之電感器或電容器形成複數個LC諧振器。在複數個LC諧振器，兩端之LC諧振器分別連接於輸出入端子，相鄰之LC諧振器之電感器彼此電磁耦合，藉此形成具備由複數段構成之LC諧振器之濾波器電路。
在此種濾波器電路，藉由具備跳越過複數段LC諧振器、用以將兩端之輸出入端子電容耦合之跳躍耦合用電容器，可獲得所欲特性。
此外，構成跳躍耦合用電容器之電極，如專利文獻2之圖42之160所示之電極或圖45之260所示之電極般，係以在連結形成作為輸出入端子之輸出入用電極之積層體之兩端部之方向較長延伸之形狀形成。
專利文獻1：日本特開平8-46401號公報
專利文獻2：WO2007-119356號公報
然而，將上述地阻抗調整電路形成於積層基板之情形，產生如下所示之問題。圖2係顯示習知地阻抗調整電路之積層體10P的圖。圖3係顯示圖2之構造之地阻抗調整電路之通過特性的圖。圖4(A)係具備3段LC諧振器之帶通濾波器的等效電路圖，圖4(B)係使用習知構造之地阻抗調整電路構成圖4(A)所示之帶通濾波器之情形的通過特性圖。
如圖2所示，地阻抗調整電路之積層體10P係積層有5層絕緣體層901P～905P之構造。在最下層(第1層)之絕緣體層901P形成有輸出入用電極201,202及地電極110。地電極110係形成於絕緣體層901P之底面，出入用電極201,202係以從絕緣體層901P之對向兩端面朝向底面之方式分別形成。此外，輸出入用電極201,202係形成在最上層(第5層)之絕緣體層905P以外之各層之端面。
在第2層之絕緣體層902P形成有內層地電極120。內層地電極120係藉由地電極110與導電性導通孔連接。
在第3層之絕緣體層903P形成有電容器用電極131,132，且形成有將電容器用電極131與未圖示之輸出入用電極201加以連接之繞設電極、及將電容器用電極132與輸出入用電極202加以連接之繞設電極。
在第4層之絕緣體層904P形成有電容器用電極140。
藉由上述構造，電容器用電極131與內層地電極120之對向區域成為圖1之電容器C1。電容器用電極132與內層地電極120之對向區域成為圖1之電容器C2。電容器用電極140與電容器用電極131,132之對向區域成為圖1之電容器C12。此外，將具備此地阻抗調整電路之元件構裝於印刷基板等時，印刷基板之地電位與地阻抗調整電路之地電位之電位差成為寄生電感器Lg。因此，在上述構成，在寄生電感器Lg成為包含導通孔形成之電感器之構成。
在上述構造，如圖3所示，構成地阻抗調整電路之電容器，在高頻帶尤其會產生電容器C1,C2之自諧振點，因藉由電容器C12耦合而使應該已改善之通過特性局部劣化。例如，在電容器C1，藉由電容器用電極131之殘留電感與構成在電容器用電極131與地電極120之間之電容產生自諧振。
因此，即使使用此種地阻抗調整電路構成圖4(A)所示之帶通濾波器，亦會如圖4(B)所示在衰減帶產生諧振點，無法獲得良好頻率特性。
又，如專利文獻2所示，形成各LC諧振器之電感器之電極係沿著連結上述兩端部之方向以既定間隔配置。是以，構成跳躍耦合用電容器之電極若為上述形狀，則配置成從積層方向觀察橫越複數個電感器用之電極。
在此種構造，構成跳躍耦合用電容器之電極對電感器間之耦合造成大的影響，增加插入損耗。因此，作為濾波器之特性(通過特性或衰減特性)劣化。
有鑑於上述各種課題，本發明之目的在於實現藉由抑制諧振點之產生或抑制插入損耗之增加原因而具有優異特性之高頻積層零件及積層型高頻濾波器。
本發明之高頻積層零件，具有：一對輸出入端子；連接於該一對輸出入端子間之實現既定功能之電路功能部；以及地阻抗調整電路，係由連接於一對輸出入端子間之串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器之兩端與地之間之第1並聯電容器及第2並聯電容器構成。該高頻積層零件，藉由積層有形成有既定電極圖案之複數個絕緣體層之積層體形成至少地阻抗調整電路。
此高頻積層零件，進一步至少具備分別形成在積層體之不同絕緣體層之內層地電極。形成並聯電容器之電極係配置在內層地電極之間。
此構成中，藉由使並聯電容器挾持於二個內層地電極間，可抑制該並聯電容器之自諧振。藉此，可抑制圖4(B)所示之諧振點。
又，本發明之高頻積層零件中，以內層地電極形成第1並聯電容器及第2並聯電容器之一方之對向電極，該第1並聯電容器及第2並聯電容器係分別以彼此對向之對向電極構成。第1並聯電容器及第2並聯電容器之另一方之對向電極係配置在二個內層地電極之間。
此構成中，第1並聯電容器及第2並聯電容器之一方之對向電極直接成為地電極，且此等電容器亦挾持於內層地電極間。藉此，可進一步提升頻率特性。
又，本發明之高頻積層零件中，第1並聯電容器及第2並聯電容器之另一方之對向電極兼用為以彼此對向之對向電極構成之串聯電容器之一方之對向電極。
此構成中，可省略串聯電容器與第1並聯電容器及第2並聯電容器之繞設電極。藉此，可進一步使頻率特性優異且更小型化。
又，本發明之高頻積層零件中，電路功能部係具有既定頻率通過特性之濾波器。此構成中，顯示電路功能部之具體例，如上述藉由使電路功能部為濾波器，本申請之構成能更有效地作用。
又，本發明之高頻積層零件中，電路功能部係由形成在複數個積層體之電極圖案構成。此構成中，顯示電路功能部之具體形狀。如上述，藉由使電路功能部形成在積層體內，能僅以單一積層體實現高頻積層零件。
又，本發明之高頻積層零件中，在電路功能部包含電容器，以構成地阻抗調整電路之串聯電容器、第1並聯電容器及第2並聯電容器之至少一個兼用該電容器。
此構成中，顯示在電路功能部包含電容器之情形之具體形狀。如上述，藉由使電路功能部與地阻抗調整電路至少一部分兼用，可小型化。
又，本發明之高頻積層零件中，電路功能部係由構裝於積層體之構裝零件構成。在積層體形成有將構裝零件構裝之構裝用焊墊。
此構成中，顯示電路功能部之具體形狀。如上述，藉由使電路功能部為構裝零件，可視需要輕易變更構成電路功能部之各電路元件，變更後亦可實現優異之頻率特性。
又，本發明之高頻積層零件，具有：一對輸出入端子；以及地阻抗調整電路，係由連接於該一對輸出入端子間之串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器之兩端與地之間之第1並聯電容器及第2並聯電容器構成。該高頻積層零件，藉由積層有形成有既定電極圖案之複數個絕緣體層之積層體形成地阻抗調整電路。
此高頻積層零件，進一步至少具備分別形成在積層體之不同中間層之二個內層地電極。形成串聯電容器之電極係配置在二個內層地電極之間。
此構成中，作為高頻積層零件，係顯示僅由地阻抗調整電路構成之情形。藉由使用此種構成之高頻積層零件，能使連接於該零件之其他電路功能部之頻率特性提升。
又，本發明之高頻積層零件中，以內層地電極形成第1並聯電容器及第2並聯電容器之一方之對向電極。第1並聯電容器及第2並聯電容器之另一方之對向電極係配置在二個內層地電極之間。
此構成中，在僅由地阻抗調整電路構成之高頻積層零件，第1並聯電容器及第2並聯電容器之一方之對向電極直接成為地電極，且此等電容器亦挾持於內層地電極間。藉此，可進一步提升頻率特性。
又，本發明之高頻積層零件中，第1並聯電容器及第2並聯電容器之另一方之對向電極兼用為串聯電容器之一方之對向電極。
此構成中，在僅由地阻抗調整電路構成之高頻積層零件，可省略串聯電容器與第1並聯電容器及第2並聯電容器之繞設電極。藉此，可進一步使頻率特性優異且更小型化。
又，本發明關於積層型高頻濾波器。積層型高頻濾波器，具備：一對輸出入端子；複數段LC諧振器，係高頻連接於該一對輸出入端子間；以及跳躍耦合用電容器，係直接連接於一對輸出入端子間。積層型高頻濾波器，藉由積層有形成有既定電極圖案之複數個絕緣體層之積層體形成構成LC諧振器之電感器及電容器、與跳躍耦合用電容器。
此外，本發明之積層型高頻濾波器中，在構成電感器之電極圖案與構成跳躍耦合用電容器之電極圖案之間配置有內層地電極。
此構成中，構成跳躍耦合用電容器之電極圖案不會對複數個LC諧振器之電感器間之耦合造成影響。藉此，可在電感器間獲得所欲耦合，可抑制插入損耗之增加。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，具備分別連接於一對輸出入端子與地之間之輸出入用電容器。積層型高頻濾波器，藉由積層體之電極圖案形成輸出入用電容器，至少跳躍耦合用電容器係藉由形成在不同絕緣體層之內層地電極挾持配置。
此構成中，以輸出入用電容器與跳躍耦合用電容器構成π型電路。藉由構成此種π型電路，能使衰減特性提升。尤其是，將π型之並聯電容器挾持於內層地電極間，可抑制並聯電容器之自諧振。藉此，能使衰減特性進一步提升。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，形成輸出入用電容器之電極圖案亦藉由形成在不同絕緣體層之內層地電極挾持配置。
此構成中，將所有電容器挾持於內層地電極間，能使衰減特性進一步提升。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，在LC諧振器之電感器之電極圖案之兩端形成用以連接於LC諧振器之電容器及地之導通孔，電感器係藉由該電感器之電極圖案與二個導通孔構成。
此構成中，電感器係由電極圖案與連接於該電極圖案之二個導通孔構成。藉此，電感器之電極環狀延伸，能使電感器間之耦合變強。再者，藉由將電感器之電極形成環狀，可提升電感器之Q值，改善濾波器之插入損耗。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，連接於各電感器之電極圖案之導通孔，係形成在從側面觀察積層體時大致重疊之位置。
此構成中，能使構成相鄰電感器之導通孔之間隔接近。藉此，能使電感器間之耦合變強。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，構成電感器之電極圖案係設在複數個絕緣體層。設在複數個絕緣體層之各電極圖案係並聯於二個導通孔。
此構成中，藉由使電極圖案存在複數個，能進一步使電感器間之耦合變強。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，連接有電感器之電極圖案之地，係形成在與積層體之底面不同之既定絕緣體層之內層地電極。
此構成中，由於電感器不直接連接於外部連接用之地電極，因此可減少起因於該地電極之渦電流損耗。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，連接有電感器之電極圖案之內層地電極，係配置在構成電感器之電極圖案與構成跳躍耦合用電容器之電極圖案之間之內層地電極。
此構成中，連接有電感器之地係以區分上述電感器與跳躍耦合用電容器之內層地電極兼用，因此可減少積層體之構成元件。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，構成複數個LC諧振器之電感器之內之任意相鄰之電感器之電極圖案之與電容器連接之導通孔之連接位置位於不同之端部。
此構成中，能以相鄰之電感器使電流之流動方向相反。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，構成複數個LC諧振器之電感器之內之任意相鄰之電感器之電極圖案係形成在相同之絕緣體層。
此構成中，相鄰之電感器之電極圖案接近，能使電感器間之耦合變強。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，用以連接於外部地之外部地電極與形成一對輸出入端子之外部輸出入端子係排列形成在積層體之底面。
此構成中，由於用以將積層型高頻濾波器構裝於外部之電路基板之電極位在積層體之底面，因此能使構裝面積變小。
又，本發明之積層型高頻濾波器中，具備地阻抗調整電路，該地阻抗調整電路係由連接於一對輸出入端子間之串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器之兩端與地之間之第1並聯電容器及第2並聯電容器構成。串聯電容器係與構成跳躍耦合用電容器之電極圖案兼用。
此構成中，由於地阻抗調整電路之串聯電容器與跳躍耦合用電容器兼用，因此能將積層型高頻濾波器形成為更小型。
根據本發明，即使使用由電容器之π型電路構成之地阻抗調整電路，亦可抑制諧振點之產生。又，根據本發明，可抑制積層體內之電極圖案間之不要之耦合，可抑制插入損耗之增加原因。藉此，可實現優異特性之高頻積層零件及積層型高頻濾波器。
針對本發明第1實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。本實施形態中，作為高頻積層零件以帶通濾波器(band pass filter：BPF)為例進行說明。圖5(A)係本實施形態之高頻積層零件的外觀立體圖，圖5(B)係本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。此外，圖5所示之高頻積層零件10A係具備三段LC並聯電路之帶通濾波器，等效電路與上述圖4(A)相同。
高頻積層零件係由積層有10層之絕緣體層901～910之積層體10A構成。構成積層體10A之各絕緣體層901～910係由既定厚度(微米等級)之平板構成。在積層體10A之一端面形成有輸出入用電極201，在對向之另一端面形成有輸出入用電極202。又，以下，將形成有輸出入用電極201,202之側面稱為「端面」，將與其正交之側面稱為「側面」。
在最下層(第1層)之絕緣體層901形成有輸出入用電極201,202及地電極110。地電極110係形成在絕緣體層901之底面，輸出入用電極201,202係從絕緣體層901之對向二端面朝向底面分別形成。此外，圖5中，輸出入用電極201,202係形成在最上層(第10層)之絕緣體層910以外之各層之端面。在最上層之絕緣體層910形成輸出入用電極201,202亦可。
在第2層之絕緣體層902形成有內層地電極120。內層地電極120係遍布絕緣體層902之大致整面形成。
在第3層之絕緣體層903形成有由既定面積構成之電容器用電極131,132。在第3層之絕緣體層903形成有將電容器用電極131與一端面之未圖示之輸出入用電極201加以連接之繞設電極。在第3層之絕緣體層903形成有將電容器用電極132與另一端面之輸出入用電極202加以連接之繞設電極。
在第4層之絕緣體層904形成有電容器用電極140。電容器用電極140係以與第3層之絕緣體層903之電容器用電極131,132一部分對向之方式形成。
在第5層之絕緣體層905，與第3層之絕緣體層903之電容器用電極131,132同樣地，形成有電容器用電極151,152。電容器用電極151係形成為沿著積層方向觀察與電容器用電極131對向。電容器用電極152係形成為沿著積層方向觀察與電容器用電極132對向。在第5層之絕緣體層905形成有將電容器用電極151與一端面之未圖示之輸出入用電極201加以連接之繞設電極。在第5層之絕緣體層905形成有將電容器用電極152與另一端面之輸出入用電極202加以連接之繞設電極。
在第6層之絕緣體層906形成有內層地電極160。內層地電極160係遍布絕緣體層906之大致整面形成。
在第7層之絕緣體層907形成有由既定面積構成之電容器用電極171,172,173。
在第8層之絕緣體層908形成有輸出入用之繞設電極181,182。繞設電極181係連接於一端面之未圖示之輸出入用電極201。繞設電極182係連接於另一端面之輸出入用電極202。
在第9層之絕緣體層909形成有電感器用之線狀電極191,192,193。線狀電極191,192,193係由在沿著端面之方向延伸之形狀構成。線狀電極191,192,193係以既定間隔分離形成。
在最上層即第10層之絕緣體層910未形成任何東西，為作用為積層體10A之蓋之層。
在積層體10A進一步形成有如下所示之導電性之導通孔群。各導通孔，如圖5所示，係由在積層方向延伸之形狀構成。
導通孔800係形成為將絕緣體層901之地電極110、絕緣體層902之內層地電極120、絕緣體層906之內層地電極160加以連接。導通孔800係形成在接近各層之對向之各側面之位置之二個部位。
導通孔801係形成為將絕緣體層908之繞設電極181、絕緣體層907之電容器用電極171、線狀電極191加以連接。導通孔801係連接於線狀電極191之延伸方向之一端附近。
導通孔811係形成為將絕緣體層906之內層地電極160、線狀電極191加以連接。導通孔811係連接於線狀電極191之延伸方向之另一端附近。
導通孔812係形成為將絕緣體層906之內層地電極160、線狀電極192加以連接。導通孔812係連接於線狀電極192之延伸方向之一端附近。
導通孔802係形成為將絕緣體層907之電容器用電極172、線狀電極192加以連接。導通孔802係連接於線狀電極192之延伸方向之另一端附近。
導通孔803係形成為將絕緣體層908之繞設電極182、絕緣體層907之電容器用電極173、線狀電極193加以連接。導通孔803係連接於線狀電極193之延伸方向之一端附近。
導通孔813係形成為將絕緣體層906之內層地電極160、線狀電極193加以連接。導通孔813係連接於線狀電極193之延伸方向之另一端附近。
藉由以上之構成，輸出入用電極201成為圖4(A)之第1輸出入埠Pio1，輸出入用電極202成為圖4(A)之第2輸出入埠Pio2。
電容器用電極131與內層地電極120之組合及電容器用電極151與內層地電極160之組合成為圖4(A)之電容器C1(相當於本發明之「第1並聯電容器」)。
電容器用電極132與內層地電極120之組合及電容器用電極152與內層地電極160之組合成為圖4(A)之電容器C2(相當於本發明之「第2並聯電容器」)。
電容器用電極140與電容器用電極131,132之組合及電容器用電極140與電容器用電極151,152之組合成為圖4(A)之電容器C12(相當於本發明之「串聯電容器」)。此電容器C12亦兼用本發明之「跳躍耦合用電容器」。
藉由上述構成，可構成電容器C12,C1,C2呈π型連接之地阻抗調整電路。此外，可實現將此地阻抗調整電路之所有電容器C12,C1,C2以二個內層地電極120,160沿著積層方向挾持之構造。
電容器用電極171與內層地電極160之組合、電容器用電極131與內層地電極120之組合、及電容器用電極151與內層地電極160之組合成為圖4(A)之諧振用電容器Cr1。電容器用電極173與內層地電極160之組合、電容器用電極132與內層地電極130之組合、及電容器用電極152與內層地電極160之組合成為圖4(A)之諧振用電容器Cr2。電容器用電極172與內層地電極160之組合成為圖4(A)之諧振用電容器Cr3。
線狀電極191與導通孔801,811成為圖4(A)之諧振用電感器Lr1。此諧振用電感器Lr1成為以連接於內層地電極160之側為基點、從積層體10A之輸出入用電容器202側之端面觀察時逆時針旋轉之環形狀。
線狀電極192與導通孔802,812成為圖4(A)之諧振用電感器Lr2。此諧振用電感器Lr2成為以連接於內層地電極160之側為基點、從積層體10A之輸出入用電容器202側之端面觀察時順時針旋轉之環形狀。
線狀電極193與導通孔803,813成為圖4(A)之諧振用電感器Lr3。此諧振用電感器Lr3成為以連接於內層地電極160之側為基點、從積層體10A之輸出入用電容器202側之端面觀察時逆時針旋轉之環形狀。
又，藉由線狀電極191及導通孔801,811與線狀電極192及導通孔802,812以既定間隔配置，可實現圖4(A)之耦合電感M12，藉由線狀電極192及導通孔802,812與線狀電極193及導通孔803,813以既定間隔配置，可實現圖4(A)之耦合電感M23。
又，導通孔800之地電極110與內層地電極120之間之部分成為寄生電感器Lg。
如上述，藉由使用本實施形態之積層構造，可實現將3段LC諧振器與包含寄生電感器Lg之地阻抗調整電路一體具備之積層型高頻濾波器之高頻積層零件。
此構成中，如上述，藉由將構成地阻抗調整電路之電容器C12,C1,C2以內層地電極挾持，可抑制此等電容器之自諧振。尤其是，在本實施形態般以具有對稱性之方式形成有電極圖案之情形，雖容易產生自諧振，但藉由以內層地電極挾持，可抑制自諧振。
圖6係具備由本實施形態之構造構成之3段LC諧振器之帶通濾波器的通過特性圖。如圖6所示，藉由使用本實施形態之構造，可抑制習知構造之圖4(B)所示之諧振點之產生。藉此，能使較通帶更高頻側之衰減特性提升。亦即，能使帶通濾波器之頻率特性提升。
又，在諧振用電感器Lr1之線狀電極191及導通孔801,811、諧振用電感器Lr2之線狀電極192及導通孔802,812、諧振用電感器Lr3之線狀電極193及導通孔803,813、跳躍耦合用電容器之電容器用電極140之間配置有內層地電極160。藉此，跳躍耦合用電容器之電容器用電極140不會作用於諧振用電感器Lr1,Lr2,Lr3之電磁耦合。藉此，可抑制諧振用電感器Lr1,Lr2,Lr3導致之耦合時之損耗，能使作為濾波器之插入損耗降低。藉此，可實現優異頻帶特性之積層型高頻濾波器。
圖7(A)係由本實施形態之構造構成之帶通濾波器的通過特性圖，圖7(B)係成為相同等效電路之習知構成之帶通濾波器的通過特性圖。
如圖7所示，藉由本實施形態之構成，可在習知構造無法形成之通帶之低頻側附近之衰減帶(2.2GHz附近)設置衰減極。藉此，能改善濾波器之通過特性及衰減特性，可實現優異頻帶特性之積層型高頻濾波器。
又，如上述，以電容器用電極140構成之電容器C12與電容器C1,C2一起作用為連接於輸出入端子Pio1,Pio2間之π型電路。藉此，可實現改善通帶之高頻側之衰減特性之地阻抗調整電路。其結果，可實現更優異頻帶特性之積層型高頻濾波器。
又，再者，如上述，由於構成此等電容器C12,C1,C2之電容器用電極挾持於內層地電極120,160間，因此可抑制此等電容器之自諧振、尤其是亦作用為並聯電容器之電容器C1,C2之自諧振。藉此，可實現更優異頻帶特性之積層型高頻濾波器。
又，構成諧振用電感器Lr1,Lr2,Lr3之各線狀電極191,192,193皆形成在相同之絕緣體層909。因此，相較於此等線狀電極分別形成在不同之絕緣體層之情形，可縮短線狀電極間。藉此，亦可加強電感器間之耦合。
又，連接於各線狀電極191,192,193之導通孔係形成為從積層體10A之形成有輸出入用電極201,202之端面側觀察時重疊。此構成中，可縮短導通孔間之距離。藉此，亦可加強電感器間之耦合。
又，相鄰之諧振用電感器Lr1與諧振用電感器Lr2係以內層地電極160為基點為相反之捲繞方向。又，相鄰之諧振用電感器Lr2與諧振用電感器Lr3係以內層地電極160為基點為相反之捲繞方向。藉由實現此種諧振用電感器間之耦合，可抑制濾波器之通帶之漣波。
又，構成電感器之線狀電極191,192,193及導通孔801,811,802,812,803,813係直接連接於內層地電極160，未直接連接於形成在積層體10A之底面之外部地電極110。藉此，可抑制起因於該外部地電極110之渦電流損耗。其結果，可改善各LC諧振器之Q。
又，藉由使用上述構造，電容器C12兼用跳躍耦合用電容器與地阻抗調整電路之串聯電容器。是以，相較於個別形成此等之情形可減少積層體10A之構成元件。藉此，能更小型形成具有上述優異頻帶特性之積層型高頻濾波器。
又，配置在構成諧振用電感器Lr1,Lr2,Lr3之電極圖案與構成電容器C12之電極圖案之間之內層地電極160兼用構成諧振用電感器Lr1,Lr2,Lr3之線狀電極191,192,193及導通孔801,811,802,812,803,813直接連接之內層地電極。藉此，相較於個別形成之情形可減少積層體10A之構成元件。藉此，能更小型形成具有上述優異頻帶特性之積層型高頻濾波器。
接著，針對第2實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。圖8係顯示本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
本實施形態之高頻積層零件，在積層體10B之底面形成有輸出入用電極111,112。又，在積層體10B之最下層之絕緣體層901與積層體內部中具有最下位置之內層地電極120之絕緣體層902之間具備另一層絕緣體層911。其他構成與上述第1實施形態所示之高頻積層零件相同，因此省略說明。
在最下層之絕緣體層901之底面形成有地電極110及輸出入用底面電極111,112。此等輸出入用底面電極111,112係形成為挾持地電極110。輸出入用底面電極111係連接於端面之輸出入用電極201，輸出入用底面電極112係連接於端面之輸出入用電極202。
在最下層之上面配置有絕緣體層911。在絕緣體層911形成有由既定面積構成之電容器用電極211,212。電容器用電極211係形成為與絕緣體層901之輸出入用底面電極111對向。電容器用電極212係形成為與絕緣體層901之輸出入用底面電極112對向。在絕緣體層911形成有將電容器用電極211與一端面之未圖示之輸出入用電極201加以連接之繞設電極。在絕緣體層911形成有將電容器用電極212與另一端面之輸出入用電極202加以連接之繞設電極。
藉由上述構造，與上述第1實施形態同樣地，可抑制地阻抗調整電路之電容之自諧振，可實現頻率特性提升之高頻積層零件。亦即，可實現具有優異頻帶特性之積層型高頻濾波器。再者，藉由使用本實施形態之構造，可抑制在輸出入用底面電極111,112與內層地電極120之間產生之寄生電容，可進一步提升頻率特性。
接著，針對第3實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。圖9係顯示本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
本實施形態之高頻積層零件之積層體10C，相對於第2實施形態所示之高頻積層零件之積層體10B，LC諧振器成為4個，將內層地電極120與地電極110加以連接之導通孔之構造不同。其他構成與上述第2實施形態所示之高頻積層零件之積層體10B相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位之說明。
在絕緣體層907形成有由既定面積構成之電容器用電極171,172,173,174。
在絕緣體層909形成有電感器用之線狀電極191,192,193,194。線狀電極191,192,193,194係由在沿著端面之方向延伸之形狀構成。線狀電極191,192,193,194係以既定間隔分離形成。
導通孔800係由導通孔800A,800B構成。導通孔800A係形成為將絕緣體層901之地電極110、絕緣體層902之內層地電極120加以連接。導通孔800A係形成在一個部位。導通孔800B係形成為將絕緣體層902之內層地電極120、絕緣體層906之內層地電極160加以連接。導通孔800B係形成在接近各層之對向之各側面之位置之二個部位。
導通孔801係形成為將絕緣體層908之繞設電極181、絕緣體層907之電容器用電極171、線狀電極191加以連接。導通孔801係連接於線狀電極191之延伸方向之一端附近。
導通孔811係形成為將絕緣體層906之內層地電極160、線狀電極191加以連接。導通孔811係連接於線狀電極191之延伸方向之另一端附近。
導通孔812係形成為將絕緣體層906之內層地電極160、線狀電極192加以連接。導通孔812係連接於線狀電極192之延伸方向之一端附近。
導通孔802係形成為將絕緣體層907之電容器用電極172、線狀電極192加以連接。導通孔802係連接於線狀電極192之延伸方向之另一端附近。
導通孔813係形成為將絕緣體層906之內層地電極160、線狀電極193加以連接。導通孔813係連接於線狀電極193之延伸方向之一端附近。
導通孔803係形成為將絕緣體層907之電容器用電極173、線狀電極193加以連接。導通孔803係連接於線狀電極193之延伸方向之另一端附近。
導通孔804係形成為將絕緣體層908之繞設電極182、絕緣體層907之電容器用電極174、線狀電極194加以連接。導通孔804係連接於線狀電極194之延伸方向之一端附近。
導通孔814係形成為將絕緣體層906之內層地電極160、線狀電極194加以連接。導通孔814係連接於線狀電極194之延伸方向之另一端附近。
圖10係第3實施形態之積層型高頻濾波器的等效電路圖。
輸出入用電極201成為圖10之第1輸出入埠Pio1，輸出入用電極202成為圖10之第2輸出入埠Pio2。
電容器用電極140與電容器用電極131,132之組合及電容器用電極140與電容器用電極151,152之組合成為圖10之跳躍耦合用電容器C12。此電容器C12亦與上述實施形態相同，兼用地阻抗調整電路之串聯電容器。
線狀電極191與導通孔801,811成為圖10之諧振用電感器Lr1。此諧振用電感器Lr1成為以連接於內層地電極160之側為基點、從積層體10C之輸出入用電容器202側之端面觀察時逆時針旋轉之環形狀。
線狀電極192與導通孔802,812成為圖10之諧振用電感器Lr2。此諧振用電感器Lr2成為以連接於內層地電極160之側為基點、從積層體10C之輸出入用電容器202側之端面觀察時順時針旋轉之環形狀。
線狀電極193與導通孔803,813成為圖10之諧振用電感器Lr3。此諧振用電感器Lr3成為以連接於內層地電極160之側為基點、從積層體10C之輸出入用電容器202側之端面觀察時順時針旋轉之環形狀。
線狀電極194與導通孔804,814成為圖10之諧振用電感器Lr4。此諧振用電感器Lr4成為以連接於內層地電極160之側為基點、從積層體10C之輸出入用電容器202側之端面觀察時逆時針旋轉之環形狀。
藉由線狀電極191及導通孔801,811與線狀電極192及導通孔802,812以既定間隔配置，可實現圖10之耦合電感M12。
藉由線狀電極192及導通孔802,812與線狀電極193及導通孔803,813以既定間隔配置，可實現圖10之耦合電感M23。
藉由線狀電極193及導通孔803,813與線狀電極194及導通孔804,814以既定間隔配置，可實現圖10之耦合電感M34。
電容器用電極171與內層地電極160之組合、電容器用電極151與內層地電極160之組合、及電容器用電極131與內層地電極120之組合成為圖10之諧振用電容器Cr1。電容器用電極172與內層地電極160之組合成為圖10之諧振用電容器Cr2。電容器用電極173與內層地電極160之組合成為圖10之諧振用電容器Cr3。電容器用電極174與內層地電極160之組合、電容器用電極152與內層地電極160之組合、及電容器用電極132與內層地電極160之組合成為圖10之諧振用電容器Cr4。
電容器用電極131與內層地電極120之組合及電容器用電極151與內層地電極160之組合成為圖10之電容器C1。
電容器用電極132與內層地電極120之組合及電容器用電極152與內層地電極160之組合成為圖10之電容器C2。
如上述，本實施形態之積層體10C中，藉由構成如上述圖9所示之構造，可構成圖10之等效電路所示之具備4段LC諧振器之帶通濾波器。
根據上述構成，與上述各實施形態相同，能使頻率特性提升。再者，如本實施形態般，藉由變更直接連接於地電極110之導通孔之個數，能進一步使通帶附近之衰減特性提升。
又，本實施形態之構造，在諧振用電感器Lr1之線狀電極191及導通孔801,811、諧振用電感器Lr2之線狀電極192及導通孔802,812、諧振用電感器Lr3之線狀電極193及導通孔803,813、諧振用電感器Lr4之線狀電極194及導通孔804,814、跳躍耦合用電容器之電容器用電極140之間配置有內層地電極160。藉此，跳躍耦合用電容器之電容器用電極140不會作用於諧振用電感器Lr1,Lr2,Lr3,Lr4之電磁耦合。藉此，可抑制諧振用電感器Lr1,Lr2,Lr3,Lr4導致之耦合時之損耗，能使作為濾波器之插入損耗降低。藉此，可實現優異頻帶特性之積層型高頻濾波器。
接著，針對第4實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。圖11係顯示本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
本實施形態之高頻積層零件之積層體10D，相對於第3實施形態所示之高頻積層零件之積層體10C，LC諧振器之電感器之形狀不同。其他構成與上述第3實施形態所示之高頻積層零件之積層體10C相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位之說明。
本實施形態之積層體10D，將形成有電感器用之線狀電極之絕緣體層構成為三層。在形成有繞設電極181,182之絕緣體層908之上層配置有絕緣體層909C。在絕緣體層909C形成有電感器用之線狀電極191C,192C,193C,194C。線狀電極191C,192C,193C,194C係由在沿著端面之方向延伸之形狀構成。線狀電極191C,192C,193C,194C係以既定間隔分離形成。
在絕緣體層909C之上層配置有絕緣體層909B。在絕緣體層909B形成有電感器用之線狀電極191B,192B,193B,194B。緣體層909B之線狀電極191B,192B,193B,194B係形成為在沿著積層方向觀察之狀態下與絕緣體層909C之線狀電極191C,192C,193C,194C重疊。
在絕緣體層909B之上層配置有絕緣體層909A。在絕緣體層909A形成有電感器用之線狀電極191A,192A,193A,194A。緣體層909A之線狀電極191A,192A,193A,194A係形成為在沿著積層方向觀察之狀態下與絕緣體層909B,909C之線狀電極191B,192B,193B,194B,191C,192C,193C,194C重疊。
導通孔801,811係形成為將線狀電極191A,191B,191C導通。導通孔802,812係形成為將線狀電極192A,192B,192C導通。導通孔803,813係形成為將線狀電極193A,193B,193C導通。導通孔804,814係形成為將線狀電極194A,194B,194C導通。
藉由上述構成，諧振用電感器Lr1,Lr2,Lr3,Lr4成為三層構造，相較於單層構造時更提升諧振用電感器間之耦合度。藉此，插入損耗降低，通過特性提升。圖12(A)係顯示與電感器之層數對應之插入損耗之變化的表，圖12(B)係將通帶之通過特性放大的圖。從圖12可知，藉由使電感器之層數增加，可提升插入損耗及通過特性。藉此，能使作為高頻積層零件之特性進一步提升。
接著，針對第5實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。圖13係顯示本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
本實施形態之高頻積層零件之積層體10E，相對於第3實施形態所示之高頻積層零件之積層體10C，相當於電路功能部之層之構成不同。其他構成與上述第3實施形態所示之高頻積層零件之積層體10C相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位之說明。
絕緣體層901,911,902,903,904,905,906及最上層之絕緣體層910之構造與第3實施形態之高頻積層零件之積層體10C相同。此外，本實施形態之構成中，在最上層之絕緣體層910形成有輸出入用電極201,202。此輸出入用電極201,202，與上述實施形態相同，形成亦可不形成亦可。
在形成有內層地電極160之絕緣體層906之上層配置有絕緣體層912。在絕緣體層912，以將輸出入用電極201,202導適之既定寬度形成有直線狀之線狀電極195。此線狀電極195作用為電感器。
圖14係由積層體10E構成之高頻積層零件的等效電路圖。如圖14所示，由積層體10E構成之高頻積層零件，在輸出入端子Pio1,Pio2間串聯有電感器La，作用為在該電感器La並聯有地阻抗調整電路之低通濾波器(LPF)。
圖15係由積層體10E構成之低通濾波器的通過特性圖。如圖15所示，藉由使用本實施形態之構造，可提升高頻側之衰減特性，構成優異頻率特性之低通濾波器。
接著，針對第6實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。圖16係顯示本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
本實施形態之高頻積層零件之積層體10F，相對於第5實施形態所示之高頻積層零件之積層體10E，相當於電路功能部之層之構成不同。其他構成與上述第5實施形態所示之高頻積層零件之積層體10E相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位之說明。
絕緣體層901,911,902,903,904,905,906及最上層之絕緣體層910之構造與積層體10E相同。
在形成有內層地電極160之絕緣體層906之上層配置有絕緣體層913B。在絕緣體層913B形成有從上層側觀察時以逆時針旋繞從外側捲繞至內側之捲繞形之線狀電極196B。捲繞形之線狀電極196B之最外周端附近連接有輸出入用電極201。
在絕緣體層913B之上層配置有絕緣體層913A。在絕緣體層913A形成有從上層側觀察時捲繞連接於上述捲繞形之線狀電極196B之形狀之線狀電極196A。線狀電極196A之一端附近係藉由導通孔820連接於絕緣體層913B之線狀電極196B之最內周端附近。線狀電極196A之另一端係連接於輸出入用電極201。
上述構造，與上述第5實施形態相同，可構成頻率特性優異之低通濾波器。
接著，針對第7實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。圖17係顯示本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
本實施形態之高頻積層零件之積層體10G，相對於第5實施形態所示之高頻積層零件之積層體10E，相當於電路功能部之層之構成不同。其他構成與上述第5實施形態所示之高頻積層零件之積層體10E相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位之說明。
在形成有內層地電極160之絕緣體層906之上層配置有絕緣體層914。在絕緣體層914形成有T字狀電極197。T字狀電極197係從上層觀察時沿著分別夾大致90°之三方向延伸形狀之電極。T字狀電極197中延伸方向平行之二個線狀電極之一方連接於輸出入用電極201，另一方連接於輸出入用電極202。T字狀電極197中剩餘之一個線狀電極，係以在積層體之側面不露出之既定長度形成，透過導通孔820與內層地電極160連接。
圖18係由積層體10G構成之高頻積層零件的等效電路圖。如圖18所示，由積層體10G構成之高頻積層零件，在輸出入端子Pio1,Pio2間連接有電感器Lb,Lc之串聯電路，作用為在電感器Lb,Lc之連接點與地之間連接有電感器Ld之T型帶通濾波器(BPF)。
圖19係由積層體10G構成之帶通濾波器的通過特性圖。如圖19所示，藉由使用本實施形態之構造，可提升通帶之高頻側之衰減特性，構成優異頻率特性之帶通濾波器。再者，本實施形態中，由於將電感器Lb,Lc形成為直線狀，因此可構成低損耗之帶通濾波器。此時，藉由變更導通孔820之連接位置，可將電感器Lb,Lc間之電感調整成最適值。
接著，針對第8實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。圖20係顯示本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
本實施形態之高頻積層零件之積層體10H，相對於第7實施形態所示之高頻積層零件之積層體10G，相當於電路功能部之層之構成不同。其他構成與上述第7實施形態所示之高頻積層零件之積層體10G相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位之說明。
絕緣體層901,911,902,903,904,905,906及最上層之絕緣體層910之構造與積層體10G相同。
在形成有內層地電極160之絕緣體層906之上層配置有絕緣體層915。在絕緣體層915形成有十字形狀電極198。十字形狀電極198係從上層觀察時沿著分別夾大致90°之四方向延伸形狀(十字形狀)之電極。十字形狀電極198中延伸方向平行之各一對線狀電極之內，一方之對之線狀電極連接於輸出入用電極201,202。十字形狀電極198中剩餘之一對線狀電極，係以在積層體之側面不露出之既定長度形成為分別往相反方向延伸。
圖21係由積層體10H構成之帶通濾波器的通過特性圖。如圖21所示，藉由使用本實施形態之構造，可提升通帶之高頻側之衰減特性，構成優異頻率特性之帶通濾波器。再者，本實施形態中，由於將電感器Lb,Lc形成為直線狀，因此可構成低損耗之帶通濾波器。此時，藉由變更導通孔820之連接位置，可將電感器Lb,Lc間之電感調整成最適值。
接著，針對第9實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。圖22係顯示本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
本實施形態之高頻積層零件之積層體10I，相對於第5實施形態所示之高頻積層零件之積層體10E，相當於電路功能部之層之構成不同，構成有該電路功能部之絕緣體層成為最上層。其他構成與上述第5實施形態所示之高頻積層零件之積層體10E相同，因此僅說明變更部位，省略相同部位之說明。
絕緣體層901,911,902,903,904,905,906之構造與積層體10G相同。
在形成有內層地電極160之絕緣體層906之上層配置有絕緣體層916。在絕緣體層916形成有分別導通於輸出入用電極201,202之既定寬度且直線狀之繞設電極199A,199B。在此繞設電極199A,199B之對向端部構裝有晶片電感器300。
上述構造，與上述第5實施形態相同，可構成優異頻率特性之高頻積層零件。再者，若為本實施形態之構成，藉由將晶片電感器300置換為其他電路元件(其他電感之晶片電感器或濾波器元件等)，可構成由另一特性構成之優異頻率特性之高頻積層零件。亦即，可容易形成複數種類之優異頻率特性之高頻積層零件。
此外，圖22中，以第5實施形態之構成為基礎，作成可構裝其他電路元件之構成，但如圖23所示，以第7實施形態之構成為基礎，形成可構裝同樣之其他電路元件之構成之高頻積層零件亦可。圖23係顯示本實施形態之高頻積層零件之另一積層構成(積層體10I’)的圖。當然，以第8實施形態之構成為基礎，形成可構裝同樣之其他電路元件之構成之高頻積層零件亦可。若為圖23之構成，能以構裝電路元件與線狀電極之組合構成電路功能部。
接著，針對第10實施形態之高頻積層零件，參照圖式進行說明。圖24係顯示本實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
上述各實施形態中，例示將地阻抗調整電路與電路功能部一體形成在積層體。然而，如本實施形態所示，為在積層體僅具備地阻抗調整電路之構造亦可。
如圖24所示，本實施形態之高頻積層零件之積層體10J係由省略第2實施形態之圖8所示之積層體10B之絕緣體層907,908,909之構造構成。
藉由上述構造，可形成由地阻抗調整電路單體構成之高頻積層零件。此外，使此種高頻積層零件接近另一濾波器元件零件，構裝於電路基板上。藉此，可提升另一濾波器元件零件之頻率特性。又，將此地阻抗調整電路形成在電路基板內，能使零件整體小型化。
又，對此種僅由地阻抗調整電路構成之高頻積層零件，亦可如上述第3實施形態等所示，在最下層之內層地電極120與地電極110之間與較內層地電極120更上層側使導通孔之個數不同亦可。圖25係顯示本實施形態之高頻積層零件之另一積層構成的圖。
此外，具備上述電路功能部之實施形態中，例示將LC諧振用之電容器與地阻抗調整電路之電容器個別形成。然而，構成為以地阻抗調整電路之第1並聯電容器C1及第2並聯電容器C2兼用連續之複數個LC諧振器之兩端之LC諧振器之電容器亦可。藉此，積層體之構成元件變少，可將積層體之構造形成為更簡單且小型。
又，具備上述電路功能部之濾波器之實施形態中，有在輸出入端子Pio1,Pio2間設定跳躍耦合用之電容之情形。此時，能以地阻抗調整電路之串聯電容器C12兼用該跳躍耦合用之電容。藉此，積層體之構成元件變少，可將積層體之構造形成為更簡單且小型。
又，具備上述電路功能部之實施形態中，例示將LC諧振用之電容器與地阻抗調整電路之電容器個別形成。然而，構成為以地阻抗調整電路之第1並聯電容器C1及第2並聯電容器C2兼用連續之複數個LC諧振器之兩端之LC諧振器之電容器亦可。藉此，積層體之構成元件變少，可將積層體之構造形成為更簡單且小型。
又，上述構造中，將LC諧振器之電容器用之電極適當設定成可獲得所欲之電容。然而，根據電容，在決定該電容器用之電極之形狀時，形成為與相鄰之線狀電極之兩方至少在同時不重疊更佳。
10A~10J,10I’,10J’,10P．．．積層體
901P~905P,901~916．．．絕緣體層
201,202．．．輸出入用電極
110．．．地電極
111,112．．．輸出入用底面電極
120,160．．．內層地電極
131,132,151,152,171,172,173,211,212．．．電容器用電極
181,182．．．繞設電極
191~194,191A~194A,191B~194B,191C~194C．．．線狀電極
800,800A,800B,801,802,803,804,811,812,813,814,820．．．導通孔
圖1係顯示包含地阻抗調整電路之高頻積層零件的等效電路。
圖2係顯示習知地阻抗調整電路之積層構造的圖。
圖3係顯示圖2之構造之地阻抗調整電路之通過特性的圖。
圖4(A)、(B)係具備3段LC諧振器之帶通濾波器的等效電路圖、及使用習知構造之地阻抗調整電路構成帶通濾波器之情形的通過特性圖。
圖5(A)、(B)係顯示第1實施形態之高頻積層零件之外觀立體圖及積層構成的圖。
圖6係具備由第1實施形態之構造構成之3段LC諧振器之帶通濾波器的通過特性圖。
圖7(A)、(B)係第1實施形態之高頻積層零件即積層型高頻濾波器的通過特性圖及習知構造的通過特性圖。
圖8係顯示第2實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
圖9係顯示第3實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
圖10係第3實施形態之高頻積層零件即積層型高頻濾波器的等效電路圖。
圖11係顯示第4實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
圖12(A)、(B)係顯示與電感器之層數對應之插入損耗之變化的表，係將通帶之通過特性放大的圖。
圖13係顯示第5實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
圖14係由積層體10E構成之高頻積層零件的等效電路圖。
圖15係由積層體10E構成之低通濾波器的通過特性圖。
圖16係顯示第6實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
圖17係顯示第7實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
圖18係由積層體10G構成之高頻積層零件的等效電路圖。
圖19係由積層體10G構成之帶通濾波器的通過特性圖。
圖20係顯示第8實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
圖21係由積層體10G構成之帶通濾波器的通過特性圖。
圖22係顯示第9實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
圖23係顯示第9實施形態之高頻積層零件之另一積層構成(積層體10I’)的圖。
圖24係顯示第10實施形態之高頻積層零件之積層構成的圖。
圖25係顯示第10實施形態之高頻積層零件之另一積層構成的圖。
10A．．．積層體
901~910．．．絕緣體層
201,202．．．輸出入用電極
110．．．地電極
120,160．．．內層地電極
131,132,140,151,152,171,172,173．．．電容器用電極
181,182．．．繞設電極
191~193．．．線狀電極
800,801,802,803,811,812,813．．．導通孔

Claims (22)

  1. 一種高頻積層零件，具有：一對輸出入端子；連接於該一對輸出入端子間之實現既定功能之電路功能部；以及地阻抗調整電路，係由連接於該一對輸出入端子間之串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器之兩端與地之間之第1並聯電容器及第2並聯電容器構成；藉由積層有形成有既定電極圖案之複數個絕緣體層之積層體形成該地阻抗調整電路，其特徵在於：至少具備分別形成在該積層體之不同絕緣體層之內層地電極；形成該並聯電容器之電極係配置在該內層地電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之高頻積層零件，其中，該第1並聯電容器及該第2並聯電容器係藉由彼此對向之對向電極構成；以該內層地電極形成該第1並聯電容器及該第2並聯電容器之一方之對向電極；該第1並聯電容器及該第2並聯電容器之另一方之對向電極係配置在該內層地電極之間。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之高頻積層零件，其中，該串聯電容器係藉由彼此對向之對向電極構成；該第1並聯電容器及該第2並聯電容器之另一方之對 向電極兼用為該串聯電容器之一方之對向電極。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之高頻積層零件，其中，該電路功能部係具有既定頻率通過特性之濾波器。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之高頻積層零件，其中，該電路功能部係由形成在該複數個絕緣體層之電極圖案構成。
  6. 如申請專利範圍第5項之高頻積層零件，其中，在該電路功能部包含電容器，以構成該地阻抗調整電路之該串聯電容器、該第1並聯電容器及該第2並聯電容器之至少一個兼用該電容器。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之高頻積層零件，其中，該電路功能部係由構裝於該積層體之構裝零件構成；在該積層體形成有將該構裝零件構裝之構裝用焊墊。
  8. 一種高頻積層零件，具有：一對輸出入端子；以及地阻抗調整電路，係由連接於該一對輸出入端子間之串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器之兩端與地之間之第1並聯電容器及第2並聯電容器構成；藉由積層有形成有既定電極圖案之複數個絕緣體層之積層體形成該地阻抗調整電路，其特徵在於：至少具備分別形成在該積層體之不同中間層之二個內層地電極；形成該串聯電容器之電極係配置在該二個內層地電極之間。
  9. 如申請專利範圍第8項之高頻積層零件，其中，以該內層地電極形成該第1並聯電容器及該第2並聯電容器之一方之對向電極；該第1並聯電容器及該第2並聯電容器之另一方之對向電極係配置在該二個內層地電極之間。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之高頻積層零件，其中，該第1並聯電容器及該第2並聯電容器之另一方之對向電極兼用為該串聯電容器之一方之對向電極。
  11. 一種積層型高頻濾波器，具備：一對輸出入端子；複數段LC諧振器，係高頻連接於該一對輸出入端子間；以及跳躍耦合用電容器，係直接連接於該一對輸出入端子間；藉由積層有形成有既定電極圖案之複數個絕緣體層之積層體形成構成該LC諧振器之電感器及電容器、與該跳躍耦合用電容器，其特徵在於：該積層體包含形成在該絕緣體層上之內層地電極；在構成該電感器之電極圖案與構成該跳躍耦合用電容器之電極圖案之間配置有內層地電極。
  12. 如申請專利範圍第11項之積層型高頻濾波器，其具備分別連接於該一對輸出入端子與地之間之輸出入用電容器；藉由該積層體之電極圖案形成該輸出入用電容器； 至少該跳躍耦合用電容器係藉由形成在不同絕緣體層之內層地電極挾持配置。
  13. 如申請專利範圍第12項之積層型高頻濾波器，其中，形成該輸出入用電容器之電極圖案亦藉由形成在該不同絕緣體層之內層地電極挾持配置。
  14. 如申請專利範圍第11至13項中任一項之積層型高頻濾波器，其中，在該LC諧振器之電感器之電極圖案之兩端形成用以連接於該LC諧振器之電容器及地之導通孔，電感器係藉由該電感器之電極圖案與二個導通孔構成。
  15. 如申請專利範圍第14項之積層型高頻濾波器，其中，連接於各電感器之電極圖案之導通孔，係形成在從側面觀察該積層體時大致重疊之位置。
  16. 如申請專利範圍第14項之積層型高頻濾波器，其中，構成該電感器之電極圖案係設在複數個絕緣體層；設在該複數個絕緣體層之各電極圖案係並聯於該二個導通孔。
  17. 如申請專利範圍第14項之積層型高頻濾波器，其中，連接有該電感器之電極圖案之地，係形成在與積層體之底面不同之既定絕緣體層之內層地電極。
  18. 如申請專利範圍第17項之積層型高頻濾波器，其中，連接有該電感器之電極圖案之內層地電極，係配置在構成該電感器之電極圖案與構成該跳躍耦合用電容器之電極圖案之間之內層地電極。
  19. 如申請專利範圍第14項之積層型高頻濾波器，其 中，構成該複數個LC諧振器之電感器之內之任意相鄰之電感器之電極圖案之與該電容器連接之導通孔之連接位置位於不同之端部。
  20. 如申請專利範圍第11至13項中任一項之積層型高頻濾波器，其中，構成該複數個LC諧振器之電感器之內之任意相鄰之電感器之電極圖案係形成在相同之絕緣體層。
  21. 如申請專利範圍第11至13項中任一項之積層型高頻濾波器，其中，用以連接於外部地之外部地電極與形成該一對輸出入端子之外部輸出入端子係排列形成在該積層體之底面。
  22. 如申請專利範圍第11至13項中任一項之積層型高頻濾波器，其具備地阻抗調整電路，該地阻抗調整電路係由連接於該一對輸出入端子間之串聯電容器、及分別連接於該串聯電容器之兩端與地之間之第1並聯電容器及第2並聯電容器構成；該串聯電容器係與構成該跳躍耦合用電容器之電極圖案兼用。
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