WO2014156720A1

WO2014156720A1 - Ｌｃフィルタ素体およびｌｃフィルタ

Info

Publication number: WO2014156720A1
Application number: PCT/JP2014/056876
Authority: WO
Inventors: 博志増田; 松井　則文
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2013-03-28
Filing date: 2014-03-14
Publication date: 2014-10-02
Also published as: CN104756403B; JPWO2014156720A1; JP5776862B2; CN104756403A

Abstract

　飛び越し結合により形成される減衰極の特性を種々に変化させたＬＣフィルタの設計コストを低減する。ＬＣフィルタ素体（１００）は、複数のセラミック層（１１～６１）が積層されたセラミック積層体（１０）と、セラミック積層体（１０）の内部に形成されたＬＣフィルタ回路と、セラミック積層体（１０）の表面に形成された入力端子と、出力端子と、グランド端と、を備える。ＬＣフィルタ回路に接続されることにより減衰極を形成する飛び越し結合を構成する回路素子として、外付けのインダクタ、コンデンサおよびＳＡＷ共振子の少なくとも１つを実装するための実装用電極（６４ａ、６４ｂ）が、セラミック積層体（１０）の表面に形成されている。

Description

ＬＣフィルタ素体およびＬＣフィルタ

　本発明は、飛び越し結合を構成する回路素子を接続して使用されるＬＣフィルタ素体およびＬＣフィルタに関する。

　従来から、移動体通信機器等の電子機器において、ＬＣフィルタが、特定の周波数帯の信号を通過させる電子部品として広く使用されている。

　例えば特許文献１（特開２０１２－２３７５２号公報）には、セラミック積層体の内部に、内部電極により回路パターンを形成したＬＣフィルタが開示されている。この回路パターンは、飛び越し結合を構成する回路素子が接続され、所定の周波数位置に減衰極を有する、ＬＣフィルタ回路として機能している。

特開２０１２－２３７５２号公報

　ＬＣフィルタにおいては、用途に応じて、種々の通過特性を備えることが求められている。そして、ＬＣフィルタの通過特性にバリエーションを持たせる１つの方法として、ＬＣフィルタ回路の所定の箇所に飛び越し結合（「飛び越し結合」とは、１段または複数段の回路構成をまたいで電気的に結合させることをいう）を構成する回路素子を接続することにより形成する減衰極の減衰特性を変更する方法がある。

　しかしながら、上述した従来のＬＣフィルタにおいて、飛び越し結合を構成する回路素子を接続することにより形成する減衰極の減衰特性を変更するためには、個々のＬＣフィルタごとに、セラミック積層体の内部の内部電極のパターン形状やビア電極の位置等を変更しなければならず、ＬＣフィルタの設計コストが高くなってしまうという問題があった。

　本発明の目的は、飛び越し結合により形成される減衰極の特性を種々に変化させたＬＣフィルタの設計コストを低減することである。

　本発明は、ＬＣフィルタ素体および、当該ＬＣフィルタ素体を使用するＬＣフィルタに向けられる。

　本発明のＬＣフィルタ素体は、複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部に形成されたＬＣフィルタ回路と、前記セラミック積層体の表面に形成された入力端子と、出力端子と、グランド端子と、を備え、前記ＬＣフィルタ回路に接続されることにより減衰極を形成する飛び越し結合を構成する回路素子として、外付けのインダクタ、コンデンサおよびＳＡＷ共振子（ＳＡＷ:　Surface　Acoustic　Wave）の少なくとも１つを実装するための実装用電極が、前記セラミック積層体の表面に形成されていることを特徴としている。

　本発明のＬＣフィルタは、前記ＬＣフィルタ素体の前記実装用電極に、前記外付けのインダクタ、コンデンサおよびＳＡＷ共振子の少なくとも１つが実装されていることを特徴としている。

　本発明によれば、上述したＬＣフィルタ素体を所定の特性となるように準備し、当該ＬＣフィルタ素体に接続されることにより飛び越し結合として機能する、適切な種類の外付けのインダクタおよびコンデンサの少なくとも一方を実装することのみで、様々な特性のＬＣフィルタを得ることができるため、ＬＣフィルタの設計コストを低減することができる。

本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００の分解斜視図である。本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００の外観斜視図である。本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００および、ＬＣフィルタ１１００の等価回路を説明するための図である。本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ１１００の外観斜視図である。本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ１１００の通過特性を示すグラフである。外付けＳＡＷ共振子を実装した、本発明の第１の実施の形態にかかるＬＣフィルタ１１００の外観斜視図である。外付けＳＡＷ共振子を実装した、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ１１００の通過特性を示すグラフである。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体２００の分解斜視図である。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体２００の外観斜視図である。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体２００および、ＬＣフィルタ１２００の等価回路を説明するための図である。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ１２００の外観斜視図である。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ１２００の通過特性を示すグラフである。本発明の第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体３００の分解斜視図である。本発明の第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体３００の外観斜視図である。本発明の第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体３００および、ＬＣフィルタ１３００の等価回路を説明するための図である。本発明の第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ１３００の外観斜視図である。本発明の第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ１３００の通過特性を示すグラフである。外付けＳＡＷ共振子を実装した、本発明の第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ１３００の外観斜視図である。外付けＳＡＷ共振子を実装した、本発明の第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ１３００の通過特性を示すグラフである。本発明のその他の実施形態にかかるＬＣフィルタ１４００の等価回路を説明するための図である。本発明のその他の実施形態にかかるＬＣフィルタ１４００の通過特性を示すグラフである。本発明のその他の実施形態にかかるＬＣフィルタ１５００の等価回路を説明するための図である。本発明のその他の実施形態にかかるＬＣフィルタ１５００の通過特性を示すグラフである。本発明のその他の実施形態にかかるＬＣフィルタ１６００の等価回路を説明するための図である。本発明のその他の実施形態にかかるＬＣフィルタ１６００の通過特性を示すグラフである。本発明のその他の実施形態にかかるＬＣフィルタ１７００の等価回路を説明するための図である。本発明のその他の実施形態にかかるＬＣフィルタ１７００の通過特性を示すグラフである。

　（第１の実施形態）
　以下、図面とともに、本発明の第１の実施形態について説明する。

　図１に、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００の分解斜視図を示す。図２に、ＬＣフィルタ素体１００の外観斜視図を示す。図３に、ＬＣフィルタ素体１００および、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ１１００の等価回路を示す。図４に、ＬＣフィルタ１１００の外観斜視図を示す。なお、ＬＣフィルタ１１００は、バンドパスフィルタとして用いられる。

　ＬＣフィルタ素体１００は、図１に示すように、複数のセラミック層からなるセラミック積層体１０を備えている。セラミック積層体１０の材質は特に限定されないが、例えば、チタン酸バリウムを用いることができる。

　セラミック積層体１０は、６つのセラミック層１１、２１、３１、４１、５１、６１が、下から順に積層された構造からなる。

　セラミック層１１の表面には、３つの矩形の内部電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃが形成されている。２つの内部電極１２ａ、１２ｃはそれぞれ、セラミック層１１の対向する２つの短辺から積層体１０の側面に引き出されている。

　セラミック層２１の表面には、２つの矩形の内部電極２２ａ、２２ｂが形成されている。また、セラミック層２１を貫通して、２つのビア電極２３ａ、２３ｂが形成されている。ビア電極２３ａは、内部電極１２ａおよび内部電極２２ａと導通している。ビア電極２３ｂは、内部電極１２ｃおよび内部電極２２ｂと導通している。

　セラミック層３１の表面には、１つのグランド電極３５ａが形成されている。グランド電極３５ａは、セラミック層３１の対向する２つの長辺からそれぞれ、積層体１０の側面に引き出されている。また、セラミック層３１を貫通して、２つのビア電極３３ａ、３３ｂが形成されている。ビア電極３３ａは、ビア電極２３ａと導通している。ビア電極３３ｂは、ビア電極２３ｂと導通している。

　セラミック層４１の表面には、１つの長方形の内部電極４２ａが形成されている。また、セラミック層４１を貫通して、５つのビア電極４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅが形成されている。ビア電極４３ａは、グランド電極３５ａと導通している。ビア電極４３ｂは、グランド電極３５ａと導通している。ビア電極４３ｃは、ビア電極３３ｂと導通している。ビア電極４３ｄは、グランド電極３５ａと導通している。ビア電極４３ｅは、ビア電極３３ａと導通している。

　セラミック層５１の表面には、３つの長方形の内部電極５２ａ、５２ｂ、５２ｃが形成されている。また、セラミック層５１を貫通して、６つのビア電極５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ、５３ｅ、５３ｆが形成されている。ビア電極５３ａは、ビア電極４３ａおよび内部電極５２ａの一端と導通している。ビア電極５３ｂは、内部電極４２ａの一端および内部電極５２ｂの一端と導通している。ビア電極５３ｃは、ビア電極４３ｂおよび内部電極５２ｃの一端と導通している。ビア電極５３ｄは、ビア電極４３ｃおよび内部電極５２ｃの他端と導通している。ビア電極５３ｅは、ビア電極４３ｄおよび内部電極５２ｂの他端と導通している。ビア電極５３ｆは、ビア電極４３ｅおよび内部電極５２ａの他端と導通している。

　セラミック層６１の表面には、２つの長方形の実装用電極６４ａ、６４ｂが形成されている。また、セラミック層６１を貫通して、２つのビア電極６３ａ、６３ｂが形成されている。ビア電極６３ａは、実装用電極６４ａおよびビア電極５３ｆと導通している。ビア電極６３ｂは、実装用電極６４ｂおよびビア電極５３ｄと導通している。

　セラミック積層体１０の短辺側の対向する側面には、図２に示すように、入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴが形成されている。ただし、入力端子ＩＮは、セラミック積層体１０に隠れており図示されていない。入力端子ＩＮは内部電極１２ａに接続されている。出力端子ＯＵＴは内部電極１２ｃに接続されている。

　セラミック積層体１０の長辺側の対向する側面には、１対のグランド端子ＧＮＤが形成されている。ただし、１対のグランド端子ＧＮＤの一方は、セラミック積層体１０に隠れており図示されていない。１対のグランド端子ＧＮＤ、ＧＮＤはそれぞれ、グランド電極３５ａに接続されている。

　内部電極１２ａ～１２ｃ、２２ａ、２２ｂ、４２ａ、５２ａ～５２ｃ、グランド電極３５ａ、ビア電極２３ａ、２３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ～４３ｅ、５３ａ～５３ｆ、６３ａ、６３ｂ、実装用電極６４ａ、６４ｂ、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、グランド端子ＧＮＤ、ＧＮＤの材質は特に限定されないが、例えば、Ｃｕ（銅）を含む導体ペーストなどを用いることができる。

　以上の構造からなるＬＣフィルタ素体１００は、図３に示す等価回路において、点線で囲われた部分からなる。

　ＬＣフィルタ素体１００においては、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路とグランド端子ＧＮＤの間に、インダクタＬ１とコンデンサＣ１が並列に挿入され、ＬＣ共振回路Ｑ１が構成されている。インダクタＬ１は、主に、内部電極１２ａ、ビア電極２３ａ、ビア電極３３ａ、ビア電極４３ｅ、ビア電極５３ｆ、内部電極５２ａ、ビア電極５３ａ、ビア電極４３ａ、グランド電極３５ａからなるループ形状で構成されている。コンデンサＣ１は、主に、セラミック層３１を挟んで内部電極２２ａとグランド電極３５ａとの間で形成される容量で構成されている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路とグランド端子ＧＮＤの間に、ＬＣ共振回路Ｑ１の後段として、インダクタＬ２とコンデンサＣ２が並列に挿入され、ＬＣ共振回路Ｑ２が構成されている。インダクタＬ２は、主に、グランド電極３５ａ、ビア電極４３ｄ、ビア電極５３ｅ、内部電極５２ｂ、ビア電極５３ｂ、内部電極４２ａからなるループ形状で構成されている。コンデンサＣ２は、主に、セラミック層４１を挟んで内部電極４２ａとグランド電極３５ａとの間で形成される容量で構成されている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路とグランド端子ＧＮＤの間に、ＬＣ共振回路Ｑ２の後段として、インダクタＬ３とコンデンサＣ３が並列に挿入され、ＬＣ共振回路Ｑ３が構成されている。インダクタＬ３は、主に、内部電極１２ｃ、ビア電極２３ｂ、ビア電極３３ｂ、ビア電極４３ｄ、ビア電極５３ｄ、内部電極５２ｃ、ビア電極５３ｃ、ビア電極４３ｂ、グランド電極３５ａからなるループ形状で構成されている。コンデンサＣ３は、主に、セラミック層３１を挟んでグランド電極３５ａと内部電極２２ｂとの間で形成される容量で構成されている。

　インダクタＬ１とインダクタＬ２との間に相互インダクタンスＭ１が形成されることにより、ＬＣ共振回路Ｑ１およびＬＣ共振回路Ｑ２が電磁気的に結合されている。インダクタＬ２とインダクタＬ３との間に相互インダクタンスＭ２が形成されることにより、ＬＣ共振回路Ｑ２およびＬＣ共振回路Ｑ３が電磁気的に結合されている。このように、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路に、複数のＬＣ共振回路Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３が順次電磁気的に結合するように設けられている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路に、飛び越し結合Ｃ１３ａ（本願において、「飛び越し結合」は、１段または複数段の回路構成をまたいで電気的に結合させることをいう）を構成する回路素子が挿入されている。飛び越し結合Ｃ１３ａは、主に、セラミック層２１を挟んで内部電極２２ａと内部電極１２ｂとの間で形成される容量と、セラミック層２１を挟んで内部電極１２ｂと内部電極２２ｂとの間で形成される容量の直列接続による合成容量で構成されている。

　以上の構造からなるＬＣフィルタ素体１００において、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間は、実装用電極６４ａ、６４ｂにより２つの開放端が設けられている。この２つの開放端間に、飛び越し結合Ｃ１３ｂとして機能するコンデンサ（図３中に点線で記載）を接続することで、ＬＣフィルタ１１００として使用することができる。

　具体的には、飛び越し結合Ｃ１３ｂとして、外付けのコンデンサ８０を、図４に示すように、実装用電極６４ａ、６４ｂに実装することによって、ＬＣフィルタ１１００が完成する。外付けのコンデンサ８０は、両端に端子電極８０ａ、８０ｂが形成されたチップコンデンサであり、両端の端子電極８０ａ、８０ｂは、実装用電極６４ａ、６４ｂに、それぞれはんだ付けされている。ただし、図４においては、はんだの図示を省略している。

　以上の実装の結果、ＬＣフィルタ回路には、飛び越し結合Ｃ１３ａおよび飛び越し結合Ｃ１３ｂで飛び越し結合Ｃ１３が構成され、所望の周波数領域に減衰極を形成することができる。

　本発明によれば、ＬＣフィルタ素体１００を所定の特性となるように準備し、当該ＬＣフィルタ素体１００に接続されることにより飛び越し結合Ｃ１３ｂとして機能する、適切な種類の外付けのコンデンサ８０を実装することのみで、様々な特性のＬＣフィルタ１１００を得ることができるため、ＬＣフィルタの設計コストを低減することができる。

　また、本発明によれば、飛び越し結合の一部Ｃ１３ａをセラミック積層体１０の内部に形成することにより、飛び越し結合Ｃ１３ｂとして機能する所定の外付けのコンデンサ８０を実装した場合に実現される、減衰極の特性の範囲等を制御することができる。

　また、本発明においては、実装用電極６４ａに接続されたビア電極６３ａを、内部電極５２ａのうち入力端子ＩＮに回路上近い部分、すなわち、内部電極５２ａのビア電極５３ｆと接続されている部分と接続している。同様に、ビア電極６３ｂを、内部電極５２ｃのうち出力端子ＯＵＴに回路上近い部分、すなわち、内部電極５２ｃのビア電極５３ｄと接続されている部分と接続している。これは、飛び越し結合Ｃ１３ｂの両端の接続位置を、図３の等価回路の位置にできる限り近づけるためである。

　次に、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００の製造方法の一例について説明する。

　まず、セラミック層１１、２１、３１、４１、５１、６１を形成するためのセラミックグリーンシートを準備する。セラミックグリーンシートは、従来からセラミック積層電子部品の製造工程において広く用いられている公知の方法により製造することができる。

　次に、セラミックグリーンシートに、ビア電極２３ａ、２３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ～４３ｅ、５３ａ～５３ｆ、６３ａ、６３ｂを形成するための孔を形成する。孔は、パンチングや、レーザ光の照射等により形成することができる。

　次に、セラミックグリーンシートの表面にそれぞれ、所望の形状に導電性ペーストを塗布して、内部電極１２ａ～１２ｃ、２２ａ、２２ｂ、４２ａ、５２ａ～５２ｃ、グランド電極３５ａおよび実装用電極６４ａ、６４ｂを形成する。このとき、同時に、ビア電極を形成するための孔にも導電性ペーストを充填し、ビア電極２３ａ、２３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ～４３ｅ、５３ａ～５３ｆ、６３ａ、６３ｂを形成する。

　次に、下から順番に、セラミックグリーンシートを積層し、圧着して、未焼成のセラミック積層体１０を作製する。

　次に、未焼成のセラミック積層体１０の表面に、導電性ペーストを所定の形状に塗布して、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、１対のグランド端子ＧＮＤ、ＧＮＤを形成する。

　最後に、セラミック積層体１０を所定のプロファイルで焼成すると同時に、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、１対のグランド端子ＧＮＤ、ＧＮＤをセラミック積層体１０に焼き付けて、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００を完成させる。
（第１の実施形態の第１実験例）
　本発明の有効性を確認するために、次のシミュレーションによる実験を行った。

　まず、上述した本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ１１００を想定し、実験例１として通過特性を回路シミュレータ（ＡＤＳ：Advanced　Design　System(Agilent　Technology　Inc.)）にてシミュレーションした。次に、実験例１における外付けのコンデンサ８０（チップコンデンサ）の容量の値のみを変化させたＬＣフィルタ１１００を想定し、実験例２として通過特性をシミュレーションした。なお、実験例１の方が実験例２に対して、容量の値が大きい外付けのコンデンサ８０を実装していると想定した。

　図５に、上記のシミュレーションにより得られたＬＣフィルタ１１００の通過特性を示す。実線は実験例１の通過特性であり、破線は実験例２の通過特性である。

　図５から分かるように、実験例１および実験例２はそれぞれ、約２．３～２．６ＧＨｚに通過帯域を有するバンドパスフィルタとして機能している。また、通過帯域の高周波側に１つの減衰極が生じており、通過帯域の低周波側に２つの減衰極が生じている。実験例１と実験例２を比較すると、容量の値が大きい外付けのコンデンサ８０を実装することにより、飛び越し結合を構成する回路素子が接続されることにより形成された３つの減衰極の減衰特性（周波数位置、減衰量）を変化させることができていることが分かる。具体的には、通過帯域の高周波側に形成された減衰極および、通過帯域の低周波側に形成された減衰極（約２ＧＨｚ付近）の周波数位置を、高周波側に移動させることができている。また、通過帯域の低周波側に形成された減衰極（約１ＧＨｚ付近）の周波数位置を、低周波側に移動させることができている。

　実験例では、２種類のＬＣフィルタを作製したが、実装する外付けのコンデンサの容量値を変更することによって、より多くの種類のＬＣフィルタを、設計コストの負担を少なく、得ることができる。

　第１の実施形態において、セラミック積層体１０の表面に、コンデンサ以外の素子、たとえばＳＡＷ共振子を実装することもできる。ＳＡＷ共振子は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface　Acoustic　Wave）を利用する共振子である。

　すなわち、図３に示す飛び越し結合Ｃ１３ｂとして、外付けのＳＡＷ共振子８３を、図６に示すように、実装用電極６４ａ、６４ｂに実装することによっても、ＬＣフィルタ１１００が完成する。ＳＡＷ共振子８３は、両端に端子電極８３ａ、８３ｂが形成された共振素子であり、両端の端子電極８３ａ、８３ｂは、実装用電極６４ａ、６４ｂに、それぞれはんだ付けされている。ただし、図６においては、はんだの図示を省略している。
（第１の実施形態の第２実験例）
　図７は、外付けＳＡＷ共振子を実装したＬＣフィルタ１１００の通過特性の一例を説明するための図である。図７において、実線は実験例１Ａの通過特性のシミュレーション結果を、破線は実験例２Ａの通過特性のシミュレーション結果をそれぞれ示す。図７の実験例１Ａは、図３の実験例１と同様に、図３に示す飛び越し結合Ｃ１３ｂとして、外付けのコンデンサ８０（図４）を実装した場合の通過特性を示す。実験例１（図３）と実験例１Ａ（図７）とでは、ＬＣフィルタ１１００の各素子（図３のＬ１、Ｃ１など）の定数の値およびコンデンサ８０の容量値は異なっていてもよい。図７の実験例２Ａは、図３に示す飛び越し結合Ｃ１３ｂとして、外付けのＳＡＷ共振子８３（図６）を実装した場合の通過特性を示す。

　実験例１Ａと実験例２Ａを比較すると、外付けＳＡＷ共振子８３を実装することにより、減衰極が形成されることが分かる。具体的には、通過特性の高周波側に減衰極が形成されている。これにより、通過特性の高周波側において、ＳＡＷ共振子８３を利用した急峻な減衰特性が実現される。ＳＡＷ共振子８３の特性によっては、通過特性の低周波側において減衰極を形成することもできる。その場合、通過特性の低周波側において、ＳＡＷ共振子８３を利用した急峻な減衰特性が実現される。
（第２の実施形態）
　以下、図面とともに、本発明の第２の実施形態について説明する。

　図８に、本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体２００の分解斜視図を示す。図９に、ＬＣフィルタ素体２００の外観斜視図を示す。図１０に、ＬＣフィルタ素体２００および、本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ１２００の等価回路を示す。図１１に、ＬＣフィルタ１２００の外観斜視図を示す。なお、ＬＣフィルタ１１００はバンドパスフィルタに用いられるが、ＬＣフィルタ１２００はローパスフィルタとして用いられる。

　ＬＣフィルタ素体２００は、図８に示すように、複数のセラミック層からなるセラミック積層体１０を備えている。セラミック積層体１０は、１２つのセラミック層１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１、９１、１０１、１１１、１２１が、下から順に積層された構造からなる。

　セラミック層１１の裏面には、セラミック層１１の短辺側の対向する２辺に接して、２つの矩形の入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴが形成されている。また、セラミック層１１の長辺側の対向する２辺に接して、１対のグランド端子ＧＮＤが形成されている。

　セラミック層２１の表面には、グランド電極２５ａが形成されている。グランド電極２５ａは、セラミック層２１の対向する２つの長辺からセラミック積層体１０の側面に引き出されている。

　セラミック層４１の表面には、２つの矩形の内部電極４２ａ、４２ｂが形成されている。２つの内部電極４２ａ、４２ｂがそれぞれ、対向する２つの短辺からセラミック積層体１０の側面に引き出されている。

　セラミック層５１の表面には、１つの矩形の内部電極５２ａが形成されている。
　セラミック層６１の表面には、２つの矩形の内部電極６２ａ、６２ｂが形成されている。２つの内部電極６２ａ、６２ｂがそれぞれ、対向する２辺からセラミック積層体１０の側面に引き出されている。

　セラミック層８１の表面には、１つの螺旋状の内部電極８２ａが形成されている。内部電極８２ａの一端は、セラミック層８１における短辺側の１辺から、セラミック積層体１０の側面に引き出されている。

　セラミック層９１の表面には、１つのコ字状の内部電極９２ａが形成されている。また、セラミック層９１を貫通して、１つのビア電極９３ａが形成されている。ビア電極９３ａは、内部電極９２ａの一端および内部電極８２ａの他端と導通している。

　セラミック層１０１の表面には、１つの螺旋状の内部電極１０２ａが形成されている。内部電極１０２ａの他端は、セラミック層１０１における短辺側の１辺から、セラミック積層体１０の側面に引き出されている。また、セラミック層１０１を貫通して、１つのビア電極１０３ａが形成されている。ビア電極１０３ａは、内部電極１０２ａの一端および内部電極９２ａの他端と導通している。

　セラミック層１２１の表面には、２つの長方形の実装用電極１２１ａ、１２１ｂが形成されている。２つの実装用電極１２１ａ、１２１ｂはそれぞれ、セラミック積層体１０の対向する側面まで延びて形成されている。また、セラミック層１２１の長辺側の対向する２辺に接して、１対のグランド端子ＧＮＤ、ＧＮＤが形成されている。

　セラミック積層体１０の短辺側の対向する側面には、図９に示すように、入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴが形成されている。ただし、入力端子ＩＮは、セラミック積層体１０に隠れており図示されていない。入力端子ＩＮは、内部電極４２ａ、内部電極６２ａ、内部電極１０２ａ、実装用電極１２１ａに接続されている。出力端子ＯＵＴは、内部電極４２ｂ、内部電極６２ｂ、内部電極８２ａ、実装用電極１２１ｂに接続されている。

　セラミック積層体１０の長辺側の対向する側面には、１対のグランド端子ＧＮＤが形成されている。ただし、１対のグランド端子ＧＮＤの一方は、セラミック積層体１０に隠れており図示されていない。１対のグランド端子ＧＮＤの一方は、グランド電極２５ａと接続されている。１対のグランド端子ＧＮＤの他方は、グランド電極２５ａと接続されている。

　以上の構造からなるＬＣフィルタ素体２００は、図１０に示す等価回路において、点線で囲われた部分からなる。

　ＬＣフィルタ素体２００においては、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路には、１つのインダクタＬ１が挿入されている。インダクタＬ１は、主に、内部電極１０２ａ、ビア電極１０３ａ、内部電極９２ａ、ビア電極９３ａ、内部電極８２ａからなるループ形状で構成されている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路には、インダクタＬ１と並列に、飛び越し結合Ｃ１２ａを構成する回路素子が挿入されている。飛び越し結合Ｃ１２ａは、主に、セラミック層５１を挟んで内部電極４２ａ、４２ｂと内部電極５２ａとの間で形成される容量と、セラミック層６１を挟んで内部電極６２ａ、６２ｂと内部電極５２ａとの間で形成される容量の合成容量で構成されている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路とグランド端子ＧＮＤとの間には、コンデンサＣ１が挿入されている。コンデンサＣ１の一端は入力端子ＩＮおよびインダクタＬ１の一端と接続され、他端はグランド端子ＧＮＤに接続されている。コンデンサＣ１は、主に、セラミック層３１、４１を挟んで内部電極４２ａとグランド電極２５ａとの間で形成される容量で構成されている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路とグランド端子ＧＮＤとの間には、コンデンサＣ２が挿入されている。コンデンサＣ２の一端は出力端子ＯＵＴおよびインダクタＬ２の他端と接続され、他端はグランド端子ＧＮＤに接続されている。コンデンサＣ２は、主に、セラミック層３１、４１を挟んで内部電極４２ｂとグランド電極２５ａとの間で形成される容量で構成されている。

　以上に示すように、ＬＣフィルタ素体２００においては、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路に挿入されたインダクタＬ１と、この経路とグランド端子ＧＮＤとの間に挿入されたコンデンサＣ１、Ｃ２とを有する１段のＬＣ回路を備えている。

　以上の構造からなるＬＣフィルタ素体２００において、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路には、実装用電極１２１ａ、１２１ｂにより２つの開放端が設けられている。この２つの開放端に、飛び越し結合Ｃ１２ｂとして機能するコンデンサ（図１０中に点線で記載）を接続することで、１段のＬＣ回路をまたぐように飛び越し結合Ｃ１２ｂが接続され、ＬＣフィルタ１２００として使用することができる。

　具体的には、飛び越し結合Ｃ１２ｂを構成する回路素子として、外付けのコンデンサ１３０を、図１１に示すように、実装用電極１２１ａ、１２１ｂに実装することによって、ＬＣフィルタ１２００が完成する。

　以上の実装の結果、ＬＣフィルタ回路には、飛び越し結合Ｃ１２ａおよび飛び越し結合Ｃ１２ｂで飛び越し結合Ｃ１２が構成され、所望の周波数領域に減衰極を形成することができる。

　第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、ＬＣフィルタ素体２００を所定の特性となるように準備し、当該ＬＣフィルタ素体２００に接続されることにより飛び越し結合Ｃ１２ｂとして機能する、適切な種類の外付けのコンデンサ１３０を実装することのみで、様々な特性のＬＣフィルタ１２００を得ることができるため、ＬＣフィルタの設計コストを低減することができる。
（第２の実施形態の実験例）
　本発明の有効性を確認するために、第２の実施形態のＬＣフィルタ１２００に対して、第１の実施形態と同様に、通過特性についてのシミュレーションによる実験を行った。

　まず、上述した本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ１２００を想定し、実験例３として通過特性をシミュレーションした。次に、実験例３における外付けのコンデンサ１３０（チップコンデンサ）の容量の値のみを変化させたＬＣフィルタ１２００を想定し、実験例４として通過特性をシミュレーションした。なお、実験例３の方が実験例４に対して、容量の値が大きい外付けのコンデンサ１３０を実装していると想定した。

　図１２に、上記のシミュレーションにより得られたＬＣフィルタ１２００の通過特性を示す。実線は実験例３の通過特性であり、破線は実験例４の通過特性である。

　図１２から分かるように、実験例３および実験例４はそれぞれ、約１ＧＨｚより低周波側に通過帯域を有するローパスフィルタとして機能している。通過帯域より高周波側の約２ＧＨｚ付近において、飛び越し結合が接続されることにより形成された１つの減衰極ができている。また、実験例３および実験例４を比較すると、容量の値が大きい外付けのコンデンサを実装することにより、飛び越し結合が接続されることにより形成された減衰極の周波数位置を低周波側に移動させることができるとともに、減衰極の減衰量や、通過帯域の帯域幅を変化させることができることが分かる。

　なお、第２の実施形態においても、第１の実施の形態と同様に、積層体１０の表面に、コンデンサ以外の素子、たとえばＳＡＷ共振子を実装することもできる。
（第３の実施形態）
　以下、図面とともに、本発明の第３の実施形態について説明する。

　図１３に、本発明の第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体３００の分解斜視図を示す。図１４に、ＬＣフィルタ素体３００の外観斜視図を示す。図１５に、ＬＣフィルタ素体３００および、第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ１３００の等価回路を示す。図１６に、ＬＣフィルタ１３００の外観斜視図を示す。なお、ＬＣフィルタ素体３００およびＬＣフィルタ１３００は、ＬＣフィルタ１２００と同様に、ローパスフィルタとして用いられる。

　ＬＣフィルタ素体３００は、図１３に示すように、複数のセラミック層からなるセラミック積層体１０を備えている。セラミック積層体１０は、７つのセラミック層１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１が、下から順に積層された構造からなる。

　セラミック層１１の裏面には、矩形の入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、１対のグランド端子ＧＮＤ、ＧＮＤが形成されている。

　セラミック層３１の表面には、４つの矩形の内部電極３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄが形成されている。２つの内部電極３２ａ、３２ｄはそれぞれ、セラミック層３１の対向する２つの短辺からセラミック積層体１０の側面に引き出されている。

　セラミック層４１の表面には、２つの線状の内部電極４２ａ、４２ｂが形成されている。また、セラミック層４１を貫通して、２つのビア電極４３ａ、４３ｂが形成されている。ビア電極４３ａは、内部電極３２ｂの一端および内部電極４２ａの中間部と導通している。ビア電極４３ｂは、内部電極３２ｃの一端および内部電極４２ｂの一端と導通している。

　セラミック層５１の表面には、３つの線状の内部電極５２ａ、５２ｂ、５２ｃが形成されている。また、セラミック層５１を貫通して、４つのビア電極５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄが形成されている。ビア電極５３ａは、内部電極４２ａの一端および内部電極５２ａの一端と導通している。ビア電極５３ｂは、内部電極４２ａの他端および内部電極５２ｂの一端と導通している。ビア電極５３ｃは、ビア電極４３ｂおよび内部電極４２ｂの一端と導通している。ビア電極５３ｄは、内部電極４２ｂの他端および内部電極５２ｃの一端と導通している。

　セラミック層６１の表面には、３つの線状の内部電極６２ａ、６２ｂ、６２ｃが形成されている。また、セラミック層６１を貫通して、４つのビア電極６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄが形成されている。ビア電極６３ａは、内部電極５２ａの他端および内部電極６２ａの一端と導通している。ビア電極６３ｂは、内部電極５２ｂの他端および内部電極６２ｂの一端と導通している。ビア電極６３ｃは、ビア電極５３ｃおよび内部電極６２ｂの他端と導通している。ビア電極６３ｄは、内部電極５２ｃの他端および内部電極６２ｃの一端と導通している。内部電極６２ａの他端はセラミック層６１の短辺側から積層体１０の側面に引き出されている。内部電極６２ｃの他端は内部電極６２ａが引き出されている短辺とは反対側の短辺から積層体１０の側面に引き出されている。

　セラミック層７１の表面には、２つの実装用電極７４ａ、７４ｂが形成されている。２つの実装用電極７４ａ、７４ｂはそれぞれ、セラミック積層体１０の短辺側の対向する側面まで延びて形成されている。　セラミック積層体１０の短辺側の対向する側面には、図９Ｂに示すように、入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴが形成されている。ただし、入力端子ＩＮは、セラミック積層体１０に隠れており図示されていない。入力端子ＩＮは、内部電極３２ａ、６２ａおよび実装用電極７４ａに接続されている。出力端子ＯＵＴは、内部電極３２ｄ、６２ｃおよび実装用電極７４ｂに接続されている。

　セラミック積層体１０の別の対向する側面には、１対のグランド端子ＧＮＤ、ＧＮＤが形成されている。ただし、１対のグランド端子ＧＮＤ、ＧＮＤの一方は、セラミック積層体１０に隠れており図示されていない。１対のグランド端子ＧＮＤ、ＧＮＤはそれぞれ、グランド電極２５ａに接続されている。

　以上の構造からなるＬＣフィルタ素体３００は、図１５に示す等価回路において、点線で囲われた部分からなる。

　ＬＣフィルタ素体３００においては、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路に、３つのインダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ３が直列に挿入されている。インダクタＬ１は、主に、内部電極６２ａ、ビア電極６３ａ、内部電極５２ａ、ビア電極５３ａ、内部電極４２ａからなるループ形状で構成されている。インダクタＬ２は、主に、内部電極４２ａ、ビア電極５３ｂ、内部電極５２ｂ、ビア電極６３ｂ、内部電極６２ｂ、ビア電極６３ｃ、ビア電極５３ｃ、内部電極４２ｂからなるループ形状で構成されている。インダクタＬ３は、主に、内部電極４２ｂ、ビア電極５３ｄ、内部電極５２ｃ、ビア電極６３ｄ、内部電極６２ｃからなるループ形状で構成されている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路とグランド端子ＧＮＤとの間には、コンデンサＣ１が挿入されている。コンデンサＣ１の一端は入力端子ＩＮおよびインダクタＬ１の一端と接続され、他端はグランド端子ＧＮＤに接続されている。コンデンサＣ１は、主に、セラミック層３１を挟んで内部電極３２ａとグランド電極２５ａとの間で形成される容量で構成されている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路とグランド端子ＧＮＤとの間には、コンデンサＣ２が挿入されている。コンデンサＣ２の一端はインダクタＬ１およびインダクタＬ２の一端と接続され、他端はグランド端子ＧＮＤに接続されている。コンデンサＣ２は、主に、セラミック層３１を挟んで内部電極３２ｂとグランド電極２５ａとの間で形成される容量で構成されている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路とグランド端子ＧＮＤとの間には、コンデンサＣ３が挿入されている。コンデンサＣ３の一端はインダクタＬ２およびインダクタＬ３の一端と接続され、他端はグランド端子ＧＮＤに接続されている。コンデンサＣ３は、主に、セラミック層３１を挟んで内部電極３２ｃとグランド電極２５ａとの間で形成される容量で構成されている。

　入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路と、グランド端子ＧＮＤとの間には、コンデンサＣ４が挿入されている。コンデンサＣ４の一端はインダクタＬ３および出力端子ＯＵＴの一端と接続され、他端はグランド端子ＧＮＤに接続されている。コンデンサＣ４は、主に、セラミック層３１を挟んで内部電極３２ｄとグランド電極２５ａとの間で形成される容量で構成されている。

　以上に示すように、ＬＣフィルタ素体３００においては、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路に挿入されたインダクタＬ１と、経路とグランド端子ＧＮＤとの間に挿入されたコンデンサＣ１、Ｃ２からなる第１のＬＣ回路と、経路に挿入されたインダクタＬ２と、経路とグランド端子ＧＮＤとの間に挿入されたコンデンサＣ２、Ｃ３からなる第２のＬＣ回路と、経路に挿入されたインダクタＬ３と、経路とグランド端子ＧＮＤとの間に挿入されたコンデンサＣ３、Ｃ４からなる第３のＬＣ回路を含む３段のＬＣ回路が縦続接続するように設けられている。

　以上の構造からなるＬＣフィルタ素体３００において、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路には、実装用電極７４ａ、７４ｂにより２つの開放端が設けられている。この２つの開放端間に、飛び越し結合Ｃ１４として機能するコンデンサ（図１５中に点線で記載）を接続することで、３段のＬＣ回路をまたぐように飛び越し結合Ｃ１４が接続され、ＬＣフィルタ１３００として使用することができる。

　具体的には、飛び越し結合Ｃ１４を構成する回路素子として、外付けのコンデンサ８０を、図１６に示すように、実装用電極７４ａ、７４ｂに実装することによって、所望の周波数領域に減衰極を形成することができ、ＬＣフィルタ１３００が完成する。

　本発明によれば、ＬＣフィルタ素体３００を所定の特性となるように準備し、当該ＬＣフィルタ素体３００に接続されることにより飛び越し結合Ｃ１４として機能する、適切な容量の外付けのコンデンサ８０を実装することのみで、様々な特性のＬＣフィルタ１３００を得ることができるため、ＬＣフィルタの設計コストを低減することができる。

　また、第１、第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００、２００では、飛び越し結合の一部を外付けのコンデンサで構成しているが、第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体３００のように、飛び越し結合の全部を外付けのコンデンサで構成しても良い。すなわち、セラミック積層体内に、飛び越し結合として機能する回路パターンを形成せず、回路パターンに外付けのコンデンサを接続するための実装用電極を、セラミック積層体の表面に形成しても良い。

　また、第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ１２００では、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路には１つのインダクタが挿入されているが、第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ１３００では、３つのインダクタが直列に挿入されている。以上のように、本発明においては、入力端子と出力端子とを結ぶ経路に挿入されるインダクタの数を、所望の特性に応じて変更することができる。
（第３の実施形態の第１実験例）
　本発明の有効性を確認するために、第３の実施形態のＬＣフィルタ１３００に対して、第１、第２の実施形態と同様に、通過特性についてのシミュレーションによる実験を行った。

　まず、上述した本発明の第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ１３００を想定し、実験例５として通過特性をシミュレーションした。次に、実験例５における外付けのコンデンサ８０（チップコンデンサ）の容量の値のみを変化させたＬＣフィルタ１２００を想定し、実験例６として通過特性をシミュレーションした。なお、実験例５の方が実験例６に対して、容量の値が大きい外付けのコンデンサ８０を実装していると想定した。

　図１７に、上記のシミュレーションにより得られたＬＣフィルタ１３００の通過特性を示す。実線は実験例５の通過特性であり、破線は実験例６の通過特性である。

　図１７から分かるように、実験例５および実験例６はそれぞれ、約１．１ＧＨｚより低周波側に通過帯域を有するローパスフィルタとして機能している。通過帯域より高周波側の約１．５～１．７ＧＨｚ付近において、飛び越し結合が接続されることにより形成された１つの減衰極ができている。また、実験例５および実験例６を比較すると、容量の値が大きい外付けのコンデンサを実装することにより、飛び越し結合が接続されることにより形成された減衰極の周波数位置を低周波側に移動させることができるとともに、減衰量を変化させることができることが分かる。

　第３の実施形態においても、第１の実施の形態と同様に、積層体１０の表面に、コンデンサ以外の素子、たとえばＳＡＷ共振子を実装することもできる。

　すなわち、図１５に示す飛び越し結合Ｃ１４として、外付けのＳＡＷ共振子８４を、図１８に示すように、実装用電極７４ａ、７４ｂに実装することによっても、ＬＣフィルタ１３００が完成する。ＳＡＷ共振子８４は、両端に端子電極８４ａ、８４ｂが形成された共振子であり、両端の端子電極８４ａ、８４ｂは、実装用電極７４ａ、７４ｂに、それぞれはんだ付けされている。ただし、図１８においては、はんだの図示を省略している。
（第３の実施形態の第２実験例）
　図１９は、外付けＳＡＷ共振子を実装したＬＣフィルタ１３００の通過特性の一例を説明するための図である。図１９において、実線は実験例５Ａの通過特性のシミュレーション結果を、破線は実験例６Ａの通過特性のシミュレーション結果をそれぞれ示す。図１９の実験例５Ａは、図１７の実験例５と同様に、図１５に示す飛び越し結合Ｃ１４として、外付けのコンデンサ８０（図１６）を実装した場合の通過特性を示す。実験例５（図１７）と実験例５Ａ（図１９）とでは、ＬＣフィルタ１３００の回路素子（図１５のＬ１、Ｃ１など）の定数の値およびコンデンサ８０の容量値は異なっていてもよい。図１９の実験例６Ａは、図１５に示す飛び越し結合Ｃ１４として、外付けのＳＡＷ共振子８４（図１８）を実装した場合の通過特性を示す。

　図１９から分かるように、実験例５Ａおよび実験例６Ａはそれぞれ、約２．０ＧＨｚより低周波数側に通過帯域を有するローパスフィルタとして機能している。通過帯域より高周波側の約２．７ＧＨｚ付近および３．０ＧＨｚ付近において、２つの減衰極ができている。また、実験例５Ａおよび実験例６Ａを比較すると、外付けのＳＡＷ共振子８４を実装することにより、約２．４ＧＨｚ付近にも減衰極ができることが分かる。これにより、通過特性の高周波側において、ＳＡＷ共振子８４の特性を利用した急峻な減衰特性が実現される。
（その他の実施形態）
　以上、本発明の第１、第２、第３の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００、２００、３００およびＬＣフィルタ１１００、１２００、１３００の構造および、その製造方法の一例について説明した。しかしながら、本発明のＬＣフィルタ素体およびＬＣフィルタがこれらの内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。

　また、ＬＣフィルタ１１００はバンドパスフィルタとして機能し、ＬＣフィルタ１２００、１３００はローパスフィルタとして機能しているが、本発明にかかるＬＣフィルタは、ハイパスフィルタとして機能するものであっても良い。

　具体的には、図２０の等価回路で示すように、ハイパスフィルタとして機能するＬＣフィルタ１４００において、飛び越し結合Ｃ１３を構成する回路素子として、外付けのコンデンサを用いても良い。図２１の通過特性（実線の方が破線の方よりも、外付けのコンデンサＣ１３の容量が大きい）に示すように、ＬＣフィルタ１４００によれば、外付けのコンデンサＣ１３の容量を変化させることによって、種々の減衰特性を得られている。

　また、ＬＣフィルタ１１００、１２００、１３００では、飛び越し結合を構成する回路素子としてコンデンサＣ１３ｂ、Ｃ１２ｂ、Ｃ１４を用いているが、以下に示すように、コンデンサの代わりにインダクタを用いても良い。

　具体的には、図２２の等価回路で示すように、ＬＣフィルタ１５００では、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路には、飛び越し結合を構成する回路素子として、外付けのインダクタＬ１４が挿入されている。図２３の通過特性（実線の方が破線の方よりも、外付けのインダクタＬ１４のインダクタンス成分が小さい）に示すように、ＬＣフィルタ１５００によれば、外付けのインダクタＬ１４のインダクタンス成分を変化させることによって、種々の減衰特性が得られている。

　また、図２４の等価回路で示すように、ＬＣフィルタ１６００では、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路には、飛び越し結合を構成する回路素子として、外付けのインダクタＬ１３が挿入されている。図２５の通過特性（実線の方が破線の方よりも、外付けのインダクタＬ１３のインダクタンス成分が小さい）に示すように、ＬＣフィルタ１６００によれば、外付けのインダクタＬ１３のインダクタンス成分を変化させることによって、種々の減衰特性が得られている。

　また、図２６の等価回路で示すように、ＬＣフィルタ１７００では、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路には、飛び越し結合を構成する回路素子として、外付けのインダクタＬ１３が挿入されている。図２７の通過特性（破線の方が実線の方よりも、外付けのインダクタＬ１３のインダクタンス成分が小さい）に示すように、ＬＣフィルタ１７００によれば、外付けのインダクタＬ１３のインダクタンス成分を変化させることによって、種々の減衰特性が得られている。

　なお、以上に示した等価回路（図２４）から分かるように、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路に挿入されたインダクタＬ１と、経路とグランド端子ＧＮＤとの間に挿入されたコンデンサＣ１およびコンデンサＣ２とを有する第１のＬＣ回路と、経路に挿入されたインダクタＬ２と、経路とグランド端子ＧＮＤとの間に挿入されたコンデンサＣ２およびコンデンサＣ３とを有する第２のＬＣ回路を含む２段のローパスフィルタにおいて、第１のＬＣ回路と第２のＬＣ回路の計２段のＬＣ回路をまたぐ飛び越し結合は、インダクタとなっている。このように、飛び越し結合がまたぐＬＣ回路の段数が偶数の場合には、インダクタを飛び越し結合を構成する回路素子として接続すると良い。また、等価回路（図１０、図１５）から明らかなように、飛び越し結合がまたぐＬＣ回路の段数が奇数の場合には、インダクタではなく、コンデンサを飛び越し結合を構成する回路素子として接続すると良い。

　一方、以上に示した等価回路（図２０）から明らかなように、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ経路に挿入されたコンデンサと、この経路とグランド端子ＧＮＤとの間に挿入されたインダクタとを有するＬＣ回路が、偶数段縦続接続してなるハイパスフィルタにおいては、飛び越し結合がまたぐＬＣ回路の段数が偶数の場合には、コンデンサを飛び越し結合を構成する回路素子として接続すると良い。また、等価回路（図２２）から明らかなように、飛び越し結合がまたぐＬＣ回路の段数が奇数の場合には、コンデンサではなく、インダクタを飛び越し結合を構成する回路素子として接続すると良い。

　なお、上述したように飛び越し結合としてインダクタを接続すべき場合に、インダクタの代わりにコンデンサを接続した場合には、飛び越し結合を接続することによる減衰極は形成されない。コンデンサを接続すべき場合に、コンデンサの代わりにインダクタを接続した場合も同様である。

　１０　（セラミック）積層体、１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１、９１、１０１、１１１，１２１　セラミック層、１２ａ～１２ｃ、２２ａ、２２ｂ、３２ａ～３２ｄ、４２ａ、４２ｂ、５２ａ～５２ｃ、６２ａ～６２ｃ、８２ａ、９２ａ、１０２ａ　内部電極、２３ａ、２３ｂ、３３ａ～３３ｂ、４３ａ～４３ｅ、５３ａ～５３ｆ、６３ａ～６３ｄ、９３ａ、１０３ａ　ビア電極、６４ａ、６４ｂ、７４ａ、７４ｂ、１２１ａ、１２１ｂ　実装用電極、２５ａ、３５ａ　グランド電極、８０、１３０　外付けのコンデンサ、８３、８４　外付けのＳＡＷ共振子、８０ａ、８０ｂ、８３ａ、８３ｂ、８４ａ、８４ｂ、１３０ａ、１３０ｂ　端子電極、ＩＮ　入力端子、ＯＵＴ　出力端子、ＧＮＤ　グランド端子、１００、２００、３００　ＬＣフィルタ素体、１１００、１２００、１３００、１４００、１５００、１６００　ＬＣフィルタ、Ｍ１、Ｍ２　相互インダクタンス、Ｌ１～Ｌ３　インダクタ、Ｃ１～Ｃ４　コンデンサ、Ｃ１２ａ、Ｃ１２ｂ、Ｃ１２、Ｃ１３ａ、Ｃ１３ｂ、Ｃ１３、Ｃ１４、Ｌ１３、Ｌ１４　
飛び越し結合、Ｑ１～Ｑ３　ＬＣ共振回路。

Claims

　複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、
　前記セラミック積層体の内部に形成されたＬＣフィルタ回路と、
　前記セラミック積層体の表面に形成された入力端子と、出力端子と、グランド端子と、を備え、
　前記ＬＣフィルタ回路に接続されることにより減衰極を形成する飛び越し結合を構成する回路素子として、外付けのインダクタ、コンデンサおよびＳＡＷ共振子の少なくとも１つを実装するための実装用電極が、前記セラミック積層体の表面に形成されていることを特徴とするＬＣフィルタ素体。
　前記外付けのインダクタ、コンデンサおよびＳＡＷ共振子の少なくとも１つに加えて、前記飛び越し結合を構成する回路素子として、インダクタおよびコンデンサの少なくとも一方が、前記セラミック積層体の内部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載されたＬＣフィルタ素体。
　前記ＬＣフィルタ回路は、ローパスフィルタであって、
　前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ経路に挿入されたインダクタと、前記経路と前記グランド端子との間に挿入されたコンデンサとを有するＬＣ回路が、複数段縦続接続するように設けられており、
　前記複数段のＬＣ回路のうちの奇数段のＬＣ回路をまたぐように、前記飛び越し結合が接続され、
　前記飛び越し結合は、コンデンサで構成されることを特徴とする請求項１または２に記載されたＬＣフィルタ素体。
　前記ＬＣフィルタ回路は、ローパスフィルタであって、
　前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ経路に挿入されたインダクタと、前記経路と前記グランド端子との間に挿入されたコンデンサとを有するＬＣ回路が、複数段縦続接続するように設けられており、
　前記複数段のＬＣ回路のうちの偶数段のＬＣ回路をまたぐように、前記飛び越し結合が接続され、
　前記飛び越し結合は、インダクタで構成されることを特徴とする請求項１または２に記載されたＬＣフィルタ素体。
　前記ＬＣフィルタ回路は、ハイパスフィルタであって、
　前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ経路に挿入されたコンデンサと、前記経路と前記グランド端子との間に挿入されたインダクタとを有するＬＣ回路が、複数段縦続接続するように設けられており、
　前記複数段のＬＣ回路のうちの奇数段のＬＣ回路をまたぐように、前記飛び越し結合が接続され、
　前記飛び越し結合は、インダクタで構成されることを特徴とする請求項１または２に記載されたＬＣフィルタ素体。
　前記ＬＣフィルタ回路は、ハイパスフィルタであって、
　前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ経路に挿入されたコンデンサと、前記経路と前記グランド端子との間に挿入されたインダクタとを有するＬＣ回路が、複数段縦続接続するように設けられており、
　前記複数段のＬＣ回路のうちの偶数段のＬＣ回路をまたぐように、前記飛び越し結合が接続され、
　前記飛び越し結合は、コンデンサで構成されることを特徴とする請求項１または２に記載されたＬＣフィルタ素体。
　前記ＬＣフィルタ回路は、バンドパスフィルタであって、
　前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ経路に、複数のＬＣ共振回路が順次電磁気的に結合するように設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載されたＬＣフィルタ素体。
　請求項１ないし７のいずれか１項に記載された前記ＬＣフィルタ素体の前記実装用電極に、前記外付けのインダクタ、コンデンサおよびＳＡＷ共振子の少なくとも１つが実装されていることを特徴とするＬＣフィルタ。