CN102842425B - 层叠型电子元器件及其制造方法 - Google Patents

层叠型电子元器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种可以容易调整电感器彼此之间的磁场耦合度的层叠型电子元器件及其制造方法。通孔导体(54、62)在层叠体(12)内沿层叠方向延伸而形成，起到作为第一电感器的作用。通孔导体(56、64)在层叠体(12)内沿层叠方向延伸而形成，起到作为第二电感器的作用。第一电容器及第一电感器形成第一谐振电路，并且第二电容器及第二电感器形成第二谐振电路。通孔导体(54、56)在离开第一距离D1的状态下形成于第一绝缘体层，通孔导体(62、64)在离开第二距离D2的状态下形成于第二绝缘体层。

Description

层叠型电子元器件及其制造方法
本发明申请是国际申请号为PCT/JP2008/066439，国际申请日为2008年9月11日，进入中国国家阶段的申请号为200880112330.2，名称为“层叠型电子元器件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及层叠型电子元器件及其制造方法，更特定而言，涉及含有谐振电路的层叠型电子元器件及其制造方法。
背景技术
在专利文献1及专利文献2中，分别披露了将通孔导体用作电感器的内置电感器电子元器件及层叠型LC元器件。在这些内置电感器电子元器件及层叠型LC元器件中，通过调整多个通孔导体间的距离，或追加新的通孔导体，来调整电感器彼此之间的磁场耦合度。据此，在内置电感器电子元器件及层叠型LC元器件中，得到期望的特性。
然而，在调整通孔导体间的距离或者追加新的通孔导体时，需要再设计内置电感器电子元器件及层叠型LC元器件，需要非常麻烦的操作。更详细而言，需要变更用于在构成内置电感器电子元器件及层叠型LC元器件的陶瓷生片(greensheet)形成通孔导体的开孔用程序，或重新设定用于在陶瓷生片进行开孔的装置，或重新制作用于在陶瓷生片穿孔的金属模。
专利文献1：日本专利特开平09－35936号公报
专利文献2：日本专利特开2002－57543号公报
发明内容
本发明要解决的问题
因此，本发明的目的在于提供一种可以容易调整电感器彼此之间的磁场耦合度的层叠型电子元器件及其制造方法。
用于解决问题的方法
本发明的特征在于，包括：层叠含有第一绝缘体层及第二绝缘体层的多个绝缘体层而形成的层叠体；形成于所述层叠体内的第一电容器及第二电容器；在所述层叠体内沿层叠方向延伸而形成、起到作为第一电感器的作用的第一层间连接导体及第二层间连接导体；以及在所述层叠体内沿层叠方向延伸而形成、起到作为与所述第一电感器进行磁场耦合的第二电感器的作用的第三层间连接导体及第四层间连接导体，所述第一电容器及所述第一电感器形成第一谐振电路，并且所述第二电容器及所述第二电感器形成第二谐振电路，所述第一层间连接导体及所述第三层间连接导体在离开第一距离的状态下形成于所述第一绝缘体层，所述第二层间连接导体及所述第四层间连接导体在离开与所述第一距离不同的第二距离的状态下形成于所述第二绝缘体层。
根据本发明，由于层间连接导体间的距离存在2种，因此通过使第一层间连接导体及第二层间连接导体的长度、第三层间连接导体及第四层间连接导体的长度变化，可以调整第一电感器与第二电感器的平均距离。其结果是，可以调整第一电感器与第二电感器的磁场耦合度。
在本发明中，也可以在所述第一绝缘体层内，仅形成所述第一层间连接导体及所述第三层间连接导体，在所述第二绝缘体层内，仅形成所述第二层间连接导体及所述第四层间连接导体。
在本发明中，也可以还包括形成于所述层叠体内的接地电极，所述第一电容器及所述第二电容器，在层叠方向位于所述第一电感器及所述第二电感器、与所述接地电极之间。
在本发明中，也可以还包括形成于所述层叠体内的公共电极，所述第一层间连接导体与所述第二层间连接导体电连接，所述第三层间连接导体与所述第四层间连接导体电连接，所述第一层间连接导体对所述第一电容器连接，所述第三层间连接导体对所述第二电容器连接，所述第二层间连接导体及所述第四层间连接导体通过所述公共电极电连接。
本发明对于层叠型电子元器件的制造方法也可以适用。具体而言，本发明是含有由第一电容器及第一电感器构成的第一谐振电路和由第二电容器及第二电感器构成的第二谐振电路的层叠型电子元器件的制造方法，其特征在于，包括：将起到作为所述第一电感器的作用的第一层间连接导体和起到作为所述第二电感器的作用的第三层间连接导体、离开第一距离而形成于第一绝缘体层的第一工序；将起到作为所述第一电感器的作用的第二层间连接导体和起到作为所述第二电感器的作用的第四层间连接导体、离开与所述第一距离不同的第二距离而形成于第二绝缘体层的第二工序；以及层叠所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层的第三工序。
在本发明中，也可以在所述第三工序中，为了调整所述层叠型电子元器件的特性，而调整所述第一绝缘体层的片数与所述第二绝缘体层的片数来进行层叠。
发明的效果
根据本发明，由于层间连接导体间的距离存在2种，因此通过使第一层间连接导体及第二层间连接导体的长度、第三层间连接导体及第四层间连接导体的长度变化，可以调整第一电感器与第二电感器的磁场耦合度。
附图说明
图1(a)是从上表面侧观察第一实施方式所涉及的层叠型电子元器件的图，图1(b)是从下表面侧观察该层叠型电子元器件的图。
图2是图1所示的层叠型电子元器件的层叠体的分解立体图。
图3是层叠型电子元器件的等效电路图。
图4是图1所示的层叠型电子元器件的A-A的截面构造图。
图5(a)是表示第一模式的层叠型电子元器件的损耗特性的曲线图。图5(b)是表示第二模式的层叠型电子元器件的损耗特性的曲线图。图5(c)是表示第三模式的层叠型电子元器件的损耗特性的曲线图。
图6是表示作为绝缘体层使用的陶瓷生片的图。
图7是表示层叠型电子元器件的损耗特性的曲线图。
图8是变形例所涉及的层叠型电子元器件的截面构造图。
图9(a)是从上表面侧观察第二实施方式所涉及的层叠型电子元器件的图，图9(b)是从下表面侧观察该层叠型电子元器件的图。
图10是图9所示的层叠型电子元器件的层叠体的分解立体图。
图11是图9所示的层叠型电子元器件的A-A的截面构造图。
具体实施方式
下面说明本发明的实施方式所涉及的层叠型电子元器件及其制造方法。
(实施方式1)
(关于层叠型电子元器件的结构)
下面，参照附图说明本发明的第一实施方式所涉及的层叠型电子元器件。图1是第一实施方式所涉及的层叠型电子元器件10的外观立体图。更详细而言，图1(a)是从上表面侧观察层叠型电子元器件10的图，图1(b)是从下表面侧观察层叠型电子元器件10的图。图2是层叠型电子元器件10的层叠体12的分解立体图。图3是层叠型电子元器件10的等效电路图。图4是图1所示的层叠型电子元器件10的A-A的截面构造图。下面，如图1所示，以层叠型电子元器件10的上表面的短边方向作为x轴方向，以层叠型电子元器件10的上表面的长边方向作为y轴方向，以层叠型电子元器件10的层叠方向作为z轴方向。
首先，参照图1说明层叠型电子元器件10的外观。层叠型电子元器件10包括：层叠体12及输入用外部电极14a、输出用外部电极14b、接地用外部电极16a、16b及方向识别标记18。层叠体12是层叠有多个绝缘体层而形成，具有长方体状。在层叠体12内，形成有多个电容器(未图示)及电感器(未图示)。输入用外部电极14a形成于层叠体12的位于y轴方向的端部的端面，起到作为信号输入的端子的作用。输出用外部电极14b形成于与形成有输入用外部电极14a的端面相对的端面，起到作为信号输出的端子的作用。
接地用外部电极16a形成于层叠体12的位于x轴方向的端部的侧面。接地用外部电极16b形成于与形成有接地用外部电极16a的侧面相对的侧面。方向识别标记18形成于下表面，是为了识别层叠型电子元器件10的方向而形成。
接下来，参照图2至图4说明层叠体12的内部构造。层叠体12如图2所示，从上层到下层依次排列层叠有绝缘体层20a、20b、22、24、26、28、30a至30g、32、34a至34f、36、38、40，从而形成层叠体(绝缘体层30d至30f、34d、34e未图示)。另外，在表示个别的绝缘体层30a至30g、34a至34f时，记为绝缘体层30a至30g、34a至34f；在总称绝缘体层30a至30g、34a至34f时，记为绝缘体层30、34。
绝缘体层20a、20b是在主面上什么也不形成的层。在绝缘体层22的主面上形成有内部电极42。内部电极42含有电容器电极42a及引出电极42b、42c。电容器电极42a是在绝缘体层22的主面上形成为长方形的电极，如图3及图4所示，作为电容器C1、C2的一个电极作用。引出电极42b的一端与电容器电极42a连接，并且另一端与图1所示的接地用外部电极16a连接。引出电极42c的一端与电容器电极42a连接，并且另一端与图1所示的接地用外部电极16b连接。因此，内部电极42也作为接地电极作用。
在绝缘体层24的主面上，形成有内部电极44、46。内部电极44含有电容器电极44a及引出电极44b。电容器电极44a是在绝缘体层24的主面上与电容器电极42a相对而形成为长方形的电极，如图3及图4所示，起到作为电容器C1的另一电极的作用。再有，电容器电极44a也起到作为电容器C3的一个电极的作用。引出电极44b的一端与电容器电极44a连接，并且另一端与图1所示的输出用外部电极14b连接。
另外，内部电极46含有电容器电极46a及引出电极46b。电容器电极46a是在绝缘体层24的主面上与电容器电极42a相对而形成为长方形的电极，如图3及图4所示，起到作为电容器C2的另一电极的作用。再有，电容器电极46a也起到作为电容器C3的另一电极的作用。即，电容器电极44a、46a构成电容器C3。引出电极46b的一端与电容器电极46a连接，并且另一端与图1所示的输入用外部电极14a连接。
在绝缘体层26的主面上，形成有内部电极(电容器电极)48。电容器电极48是在绝缘体层26的主面上分别与电容器电极44a、46a相对而形成为长方形的电极，如图3及图4所示，构成电容器C3的一部分。
在绝缘体层28的主面上，形成有内部电极50、52。内部电极50含有电容器电极50a及引出电极50b。电容器电极50a是在绝缘体层28的主面上形成为长方形的电极，如图3及图4所示，起到作为电容器C3的一个电极的作用。引出电极50b的一端与电容器电极50a连接，并且另一端与图1所示的输出用外部电极14b连接。
另外，内部电极52含有电容器电极52a及引出电极52b。电容器电极52a是在绝缘体层28的主面上形成为长方形的电极，如图3及图4所示，起到作为电容器C3的另一电极的作用。即，电容器电极50a、52a构成电容器C3。引出电极52b的一端与电容器电极52a连接，并且另一端与图1所示的输入用外部电极14a连接。
再有，在绝缘体层28，形成有通孔导体51、53。通孔导体51、53分别对电容器电极50a、52a直接连接。
另外，在绝缘体层30a至30g，分别形成有通孔导体54a至54g、56a至56g(通孔导体54b至54g、56b至56g未图示)。绝缘体层30a至30g是具有相同结构的部件。通过层叠绝缘体层28、30a至30g，通孔导体51、54a至54g形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第一层间连接导体，如图3及图4所示，起到作为电感器L1A的作用。通过层叠绝缘体层28、30a至30g，通孔导体53、56a至56g形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第三层间连接导体，如图3及图4所示，起到作为电感器L2A的作用。下面，在所指的是形成于各绝缘体层30a至30g的通孔导体时，记为通孔导体54a至54g、56a至56g；在所指的是连接有通孔导体51、54a至54g、53、56a至56g的通孔导体时，记为通孔导体54、56。
再有，关于通孔导体51、54a至54g与通孔导体53、56a至56g，是在离开第一距离D1的状态下形成于绝缘体层28、30a至30g。另外，在绝缘体层30a至30g内，仅形成通孔导体54a至54g、56a至56g。
在绝缘体层32的主面上，形成有内部电极58、60。内部电极58是在绝缘体层32的主面上形成为长方形的电极，连接有通孔导体54。内部电极60是在绝缘体层32的主面上形成为长方形的电极，连接有通孔导体56。
再有，在绝缘体层32，形成有通孔导体59、61。通孔导体59、61分别与内部电极58、60连接。内部电极58、60如图3及图4所示，起到使与电感器L1A、L2A电连接的电感器L1C、L2C相对于电感器L1A、L2A在xy平面内错开的作用。另外，内部电极58、60分别如图3及图4所示，还起到作为电感器L1B、L2B的作用。
另外，在绝缘体层34a至34f，分别形成有通孔导体62a至62f、64a至64f(通孔导体62b至62f、64b至64f未图示)。绝缘体层34a至34f是具有相同结构的部件。通过层叠绝缘体层32、34a至34f，通孔导体59、62a至62f形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第二层间连接导体，起到作为电感器L1C的作用。通过层叠绝缘体层32、34a至34f，通孔导体61、64a至64f形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第四层间连接导体，起到作为电感器L2C的作用。下面，在所指的是形成于各绝缘体层34a至34f的通孔导体时，记为通孔导体62a至62f、64a至64f；在所指的是连接有通孔导体59、62a至62f、61、64a至64f的通孔导体时，记为通孔导体62、64。
再有，关于通孔导体59、62a至62f与通孔导体61、64a至64f，是在离开小于第一距离的第二距离D2的状态下形成于绝缘体层32、34a至34f。另外，在绝缘体层34a至34f内，仅形成通孔导体62a至62f、64a至64f。
在绝缘体层36的主面上，形成有内部电极66、68。内部电极66含有电感器电极66a、66b及引出电极66c，起到作为公共电极的作用。电感器电极66a、66b分别是在绝缘体层36的主面上形成为长方形的电极，与接地用外部电极16b一起起到作为电感器L3的作用。电感器电极66a、66b的一端分别与通孔导体62、64连接。引出电极66c的一端与电感器电极66a、66b连接，另一端与接地用外部电极16a连接。据此，电感器L1C与电感器L2C通过内部电极66电连接。
另外，内部电极68沿着与形成有引出电极66c的边相对的边形成。该内部电极68从电感器电极66a、66b离开预定的间隔而形成，其一端与接地用外部电极16b连接。
绝缘体层38是在主面上什么也不形成的层。绝缘体层40在下层侧的主面，形成有输入用外部电极14a、输出用外部电极14b、接地用外部电极16a、16b的各一部分及方向识别标记18。
通过层叠如上所述构成的绝缘体层20a、20b、22、24、26、28、30a至30g、32、34a至34f、36、38、40，构成具有图3所示的等效电路、具有图4所示的截面构造的层叠型电子元器件10。
此处，说明图3所示的等效电路。层叠型电子元器件10的等效电路包括电容器C1、C2、C3、电感器L1A、L1B、L1C、L2A、L2B、L2C、L3、输入端子P1及输出端子P2，构成带通滤波器。另外，输入端子P1相当于图1的输入用外部电极14a，输出端子P2相当于图1的输出用外部电极14b。
电容器C1与电感器L1A、L1B、L1C并联连接，形成谐振电路LC1。电容器C2与电感器L2A、L2B、L2C并联连接，形成谐振电路LC2。谐振电路LC1的一端与输入端子P1连接，谐振电路LC1的另一端与电感器L3连接。另外，谐振电路LC2的一端与输出端子P2连接，谐振电路LC2的另一端与电感器L3连接。电感器L3的一端接地。即，电感器L3的另一端相当于接地用外部电极16a、16b。再有，在输入端子P1与输出端子P2之间，设有用于使各谐振电路LC1、LC2耦合的电容器C3。
在如上所述构成的层叠型电子元器件10中，通过在电感器L1A与电感器L2A之间形成互感M1，并且在电感器L1C与电感器L2C之间形成互感M2，谐振电路LC1与谐振电路LC2进行磁场耦合。谐振电路LC1与谐振电路LC2的磁场耦合度取决于图2及图4的通孔导体54、56、62、64的各长度、以及距离D1、D2的大小。因此，在层叠型电子元器件10中，通过调整绝缘体层30及绝缘体层34的各自片数，可以得到具有期望特性的带通滤波器。另外，关于绝缘体层30、34的片数的调整，将后述。
(关于层叠型电子元器件的制造方法)
接下来，参照图1及图2说明层叠型电子元器件10的制造方法。
首先，制作作为绝缘体层20a、20b、22、24、26、28、30a至30g、32、34a至34f、36、38、40使用的陶瓷生片。例如，称量适当比率的氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化钡(BaO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化硼(B2O3)等，以得到期望的磁导率、介电常数等特性，将各材料作为原材料投入球磨机，进行湿法搅拌。将得到的混合物干燥后粉碎，将得到的粉末在800至900℃下预烧1至2小时。将得到的预烧粉末用球磨机进行湿法粉碎后，干燥后破碎，得到陶瓷粉末。
对该陶瓷粉末添加粘合剂（乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等）和增塑剂、湿润剂、分散剂，用球磨机进行混合，之后，利用减压进行脱泡。利用刮刀法将得到的陶瓷浆料形成为片状使其干燥，制作具有期望膜厚的陶瓷生片。
接下来，对于作为绝缘体层28、30a至30g使用的陶瓷生片，形成图2所示的通孔导体51、54a至54g与通孔导体53、56a至56g，使它们离开第一距离D1。更详细而言，对陶瓷生片使用激光束等来形成贯穿孔，通过对该贯穿孔利用印刷涂布等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等的导电糊料，形成通孔导体51、54a至54g、53、56a至56g。
接下来，对于作为绝缘体层32、34a至34f使用的陶瓷生片，形成图2所示的通孔导体59、62a至62f与通孔导体61、64a至64f，使它们离开第二距离D2。另外，由于通孔导体59、61、62a至62f、64a至64f的形成方法的细节与通孔导体51、53、54a至54g、56a至56g的形成方法的细节相同，因此省略说明。
接下来，通过在用于绝缘体层22、24、26、28、32、36的陶瓷生片的主面上，用丝网印刷法或光刻法等方法涂布导电性糊料，形成内部电极42、44、46、48、50、52、58、60、66、68。再有，利用同样的方法，在用于绝缘体层40的陶瓷生片的主面上，形成输入用外部电极14a、输出用外部电极14b、接地用外部电极16a、16b的一部分及方向识别标记18。
接下来，层叠陶瓷生片，形成未烧成的母板层叠体。此时，调整绝缘体层30、34的各自的片数，调整通孔导体54、56、62、64的长度，以得到期望特性(频带宽度及衰减特性)的带通滤波器。然后，分别重叠预定片数的陶瓷生片，进行预压接。若完成所有的预压接，则利用静液压等对母板层叠体进行正式压接。
接下来，将未烧成的母板层叠体，利用切割机等切割为各个层叠体。据此，得到长方体状的层叠体。
接下来，对该层叠体实施脱粘合剂处理及烧成。据此，得到烧成的层叠体12。
接下来，通过在层叠体12的表面，例如利用浸渍法等已知的方法涂布及烧接主成分为银、铜、钯等的电极糊料，形成具有图1所示的形状的银电极、铜电极、钯电极等。
最后，通过在烧接的银电极、铜电极、钯电极等的表面，实施镀镍及镀锡或者镀镍及焊料镀覆，完成输入用外部电极14a、输出用外部电极14b、接地用外部电极16a、16b及方向识别标记18。经过以上的工序，完成图1所示的层叠型电子元器件10。
另外，作为层叠型电子元器件10的制造方法，说明了片材层叠法，但层叠型电子元器件10的制造方法不限于此。例如，也可以利用逐次印刷层叠法或转印层叠法来制造层叠型电子元器件10。
(效果)
根据上述层叠型电子元器件10及其制造方法，可以使电感器L1A、L1C与电感器L2A、L2C的耦合度容易变化，可以容易得到具有多种特性的层叠型电子元器件10。下面详细说明。
在专利文献1及专利文献2披露的内置电感器电子元器件及层叠型LC元器件中，为了得到具有多种特性的内置电感器电子元器件及层叠型LC元器件，利用调整通孔导体间的距离的方法或者追加通孔导体的方法，来使电感器彼此之间的磁场耦合度变化。然而，在这些方法中，需要再设计内置电感器电子元器件及层叠型LC元器件，需要非常麻烦的操作。更详细而言，需要变更用于在构成内置电感器电子元器件及层叠型LC元器件的陶瓷生片(greensheet)形成通孔导体的开孔用程序，或重新设定用于在陶瓷生片进行开孔的装置，或重新制作用于在陶瓷生片穿孔的金属模。
与之不同的是，根据层叠型电子元器件10及其制造方法，只需调整绝缘体层30、34的各自层叠的片数，就可以调整通孔导体54、56、62、64的长度，可以调整电感器L1A、L1C与电感器L2A、L2C的磁场耦合度。因此，只要设计1种层叠型电子元器件10，若调整绝缘体层30、34的片数，就可以得到具有多种特性的层叠型电子元器件10。下面，使用表1及图5说明其一个例子。
[表1]
表1是不使绝缘体层的合计片数变化而使绝缘体层30、34的片数以3种模式变化时的、电感器L1A、L1C与电感器L2A、L2C的磁场耦合度的比较的表。具体而言，在第一模式的层叠型电子元器件10中，层叠11片绝缘体层30、2片绝缘体层34。在第二模式的层叠型电子元器件10中，层叠7片绝缘体层30、6片绝缘体层34。另外，图2所示的层叠型电子元器件10相当于该第二模式的层叠型电子元器件10。在第三模式的层叠型电子元器件10中，层叠3片绝缘体层30、10片绝缘体层34。另外，图5(a)是表示第一模式的层叠型电子元器件10的损耗特性的曲线图。图5(b)是表示第二模式的层叠型电子元器件10的损耗特性的曲线图。图5(c)是表示第三模式的层叠型电子元器件10的损耗特性的曲线图。纵轴表示损耗，横轴表示频率。
在以第二模式的层叠型电子元器件10的通孔导体54、56、62、64的长度为标准时，在第一模式的层叠型电子元器件10中，间隔相对较大的通孔导体54、56相对较长，间隔相对较小的通孔导体62、64相对较短。因此，第一模式的层叠型电子元器件10的电感器L1A、L1C与电感器L2A、L2C之间的平均距离，大于第二模式的层叠型电子元器件10的电感器L1A、L1C与电感器L2A、L2C之间的平均距离。其结果是，如表1所示，第一模式的层叠型电子元器件10的磁场耦合度，小于第二模式的层叠型电子元器件10的磁场耦合度。据此，如图5(a)及图5(b)所示，第一模式的层叠型电子元器件10成为具有比第二模式的层叠型电子元器件10的频带要窄的滤波器特性的带通滤波器。
另一方面，在第三模式的层叠型电子元器件10中，间隔相对较大的通孔导体54、56相对较短，间隔相对较小的通孔导体62、64相对较长。因此，第三模式的层叠型电子元器件10的电感器L1A、L1C与电感器L2A、L2C之间的平均距离，小于第二模式的层叠型电子元器件10的电感器L1A、L1C与电感器L2A、L2C之间的平均距离。其结果是，如表1所示，第三模式的层叠型电子元器件10的磁场耦合度，大于第二模式的层叠型电子元器件10的磁场耦合度。据此，如图5(b)及图5(c)所示，第三模式的层叠型电子元器件10成为具有比第二模式的层叠型电子元器件10的频带要宽的滤波器特性的带通滤波器。
另外，在层叠型电子元器件10中，如图2所示，由于设有内部电极68，因此可以抑制电感器电极66a、66b的电位偏离。下面，参照图6进行说明。图6是表示作为绝缘体层36使用的陶瓷生片的图。
在没有内部电极68时，电感器电极66a、66b的电位受到最接近配置的接地用外部电极16b的电位的影响最强。该接地用外部电极16b由于是利用丝网印刷等形成的，因此在制造误差的范围内，接地用外部电极16b的形成位置会出现偏离。另外，在制造误差的范围内，电感器电极66a、66b的形成位置也会出现偏离。其结果是，接地用外部电极16b与电感器电极66a、66b的距离会出现偏离，电感器电极66a、66b的电位受到接地用外部电极16b的电位的影响也产生偏差。
因此，在层叠型电子元器件10中，在从电感器电极66a、66b离开预定距离的位置，形成施加接地电位的内部电极68。据此，电感器电极66a、66b的电位受到内部电极68的电位的影响最强。因此，电感器电极66a、66b难以受到来自接地用外部电极16a、16b的影响。
再有，内部电极68如图6所示，在陶瓷生片上，在与内部电极66相连的状态下隔开预定距离利用丝网印刷等形成。之后，通过切割该陶瓷生片，切断内部电极66与内部电极68。因此，即使陶瓷生片的切割位置偏离，内部电极66(电感器电极66a、66b)与内部电极68的距离也不会偏离。其结果是，内部电极66的电位受到内部电极68的电位的影响难以产生偏差。
另外，根据层叠型电子元器件10，形成有电容器C3。这样，通过形成电容器C3，如表示图7所示的层叠型电子元器件10的损耗特性的曲线图所示，可以使损耗特性的两端陡峭变化(产生衰减极)。其结果是，可以得到具有窄频带的滤波器特性的层叠型电子元器件10。
再有，根据层叠型电子元器件10，形成有电感器L3。通过调整该电感器L3的电感量，可以将图7所示的曲线图的损耗特性的高频侧的衰减极的频率从虚线调整为实线。
再有，根据层叠型电子元器件10，电容器C1、C2在z轴方向位于电感器L1A至L1C、L2A至L2C、与接地电极即内部电极42之间。据此，从下面说明可知，抑制滤波器的插入损耗的下降。更详细而言，在将层叠型电子元器件10安装在基板上，使得电容器电极44a、46a与内部电极42相比位于基板侧时，由于电容器电极44a、46a隐藏在内部电极42的下侧，因此不会起到作为天线的作用。因而，抑制从电容器44a、46a辐射信号，抑制滤波器的插入损耗的下降。
(变形例)
另外，本发明所涉及的层叠型电子元器件10不限于上述实施方式，在其要点的范围内可以进行各种变更。
作为层叠型电子元器件10，除带通滤波器之外，有低通滤波器、高通滤波器等。再有，作为层叠型电子元器件10，也可以是将带通滤波器组合而构成的双工器、或者将低通滤波器、高通滤波器、陷波电路或这些不同种类的电路组合的双工器。再有，除双工器以外，也可以是三工器(triplexer)、多工器(multiplexer)等那样的含有在1个层叠体内内置多个滤波器的器件，也含有内置有滤波器及其他电路的器件。再有，也可以是与由通孔导体构成的电感器一起、将耦合线形成于绝缘体层的层叠方向的内置带通滤波器的耦合器。
另外，在层叠型电子元器件10中，通过调整绝缘体层30、34的片数，来调整通孔导体54、56、62、64的长度，但通孔导体54、56、62、64的长度的调整方法不限于此。例如，也可以通过调整绝缘体层30、34的厚度，来调整通孔导体54、56、62、64的长度。
图8是变形例所涉及的层叠型电子元器件10a的截面构造图。如图8所示的层叠型电子元器件10a那样，通孔导体54与通孔导体62可以相连为1条。此时，不需要内部电极58。在层叠型电子元器件10a中，由于不必使用内部电极58使通孔导体54与通孔导体62错开，因此它们之间的断线问题不复存在。
(实施方式2)
(关于层叠型电子元器件的结构)
下面，参照附图说明本发明的第二实施方式所涉及的层叠型电子元器件。图9是第二实施方式所涉及的层叠型电子元器件10b的外观立体图。更详细而言，图9(a)是从上表面侧观察层叠型电子元器件10b的图，图9(b)是从下表面侧观察层叠型电子元器件10b的图。图10是层叠型电子元器件10b的层叠体12的分解立体图。图11是图9所示的层叠型电子元器件10b的A-A的截面构造图。下面，如图9所示，以层叠型电子元器件10b的上表面的短边方向作为x轴方向，以层叠型电子元器件10b的上表面的长边方向作为y轴方向，以层叠型电子元器件10b的层叠方向作为z轴方向。另外，层叠型电子元器件10b的等效电路图引用图3。
首先，参照图9说明层叠型电子元器件10b的外观。层叠型电子元器件10b包括：层叠体12及输入用外部电极14a、输出用外部电极14b、接地用外部电极16a、16b及方向识别标记18。层叠体12是层叠有多个绝缘体层而形成，具有长方体状。在层叠体12内，形成有多个电容器(未图示)及电感器(未图示)。输入用外部电极14a形成于层叠体12的位于y轴方向的端部的端面，起到作为信号输入的端子的作用。输出用外部电极14b形成于与形成有输入用外部电极14a的端面相对的端面，起到作为信号输出的端子的作用。
接地用外部电极16a形成于层叠体12的位于x轴方向的端部的侧面。接地用外部电极16b形成于与形成有接地用外部电极16a的侧面相对的侧面。方向识别标记18形成于上表面，是为了识别层叠型电子元器件10b的方向而形成。
接下来，参照图10及图11说明层叠体12的内部构造。层叠体12如图10所示，从上层到下层依次排列层叠有绝缘体层140、136、134a至134f、132、130a至130g、128、126、124、122、120a、120b，从而形成层叠体(绝缘体层130d至130f、134d、134e未图示)。另外，在表示个别的绝缘体层130a至130g、134a至134f时，记为绝缘体层130a至130g、134a至134f；在总称绝缘体层130a至130g、134a至134f时，记为绝缘体层130、134。
绝缘体层120a、120b是在主面上什么也不形成的层。在绝缘体层122的主面上，形成有内部电极142。内部电极142含有电容器电极142a及引出电极142b、142c。电容器电极142a是在绝缘体层122的主面上形成为长方形的电极，如图3及图11所示，起到作为电容器C1、C2的一个电极的作用。引出电极142b的一端与电容器电极142a连接，并且另一端与图9所示的接地用外部电极16a连接。引出电极142c的一端与电容器电极142a连接，并且另一端与图9所示的接地用外部电极16b连接。因此，内部电极142也起到作为接地电极的作用。
在绝缘体层124的主面上，形成有内部电极144、146。内部电极144含有电容器电极144a及引出电极144b。电容器电极144a是在绝缘体层124的主面上与电容器电极142a相对而形成为长方形的电极，如图3及图11所示，起到作为电容器C1的另一电极的作用。再有，电容器电极144a也起到作为电容器C3的一个电极的作用。引出电极144b的一端与电容器电极144a连接，并且另一端与图9所示的输出用外部电极14b连接。
另外，内部电极146含有电容器电极146a及引出电极146b。电容器电极146a是在绝缘体层124的主面上与电容器电极142a相对而形成为长方形的电极，如图3及图11所示，起到作为电容器C2的另一电极的作用。再有，电容器电极146a也起到作为电容器C3的另一电极的作用。即，电容器电极144a、146a构成电容器C3。引出电极146b的一端与电容器电极146a连接，并且另一端与图9所示的输入用外部电极14a连接。
在绝缘体层126的主面上，形成有内部电极(电容器电极)148。电容器电极148是在绝缘体层126的主面上分别与电容器电极144a、146a相对而形成为长方形的电极，如图3及图11所示，构成电容器C3的一部分。
在绝缘体层128的主面上，形成有内部电极150、152。内部电极150含有电容器电极150a及引出电极150b。电容器电极150a是在绝缘体层128的主面上形成为长方形的电极，如图3及图11所示，起到作为电容器C3的一个电极的作用。引出电极150b的一端与电容器电极150a连接，并且另一端与图9所示的输出用外部电极14b连接。
另外，内部电极152含有电容器电极152a及引出电极152b。电容器电极152a是在绝缘体层128的主面上形成为长方形的电极，如图3及图11所示，起到作为电容器C3的另一电极的作用。即，电容器电极150a、152a构成电容器C3。引出电极152b的一端与电容器电极152a连接，并且另一端与图9所示的输入用外部电极14a连接。
在绝缘体层130a至130g，分别形成有通孔导体154a至154g、156a至156g(通孔导体154b至154g、156b至156g未图示)。另外，在绝缘体层132，形成有通孔导体159、161。通过层叠绝缘体层130a至130g、132，通孔导体154a至154g、159形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第一层间连接导体，如图3及图11所示，起到作为电感器L1A的作用。通过层叠绝缘体层130a至130g、132，通孔导体156a至156g、161形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第三层间连接导体，如图3及图11所示，起到作为电感器L2A的作用。另外，通过层叠绝缘体层128、130g，通孔导体154g、156g分别与电容器电极150a、152a直接连接。下面，在所指的是形成于各绝缘体层130a至130g的通孔导体时，记为通孔导体154a至154g、156a至156g；在所指的是连接有通孔导体154a至154g、159、156a至156g、161的通孔导体时，记为通孔导体154、156。
再有，关于通孔导体154a至154g、159与通孔导体156a至156g、161，是在离开第一距离D1的状态下形成于绝缘体层130a至130g、132。另外，在绝缘体层130a至130g内，仅形成通孔导体154a至154g、156a至156g。绝缘体层130a至130g是具有相同结构的部件。
在绝缘体层132的主面上，形成有内部电极158、160。内部电极158是在绝缘体层132的主面上形成为长方形的电极，连接有通孔导体159。内部电极160是在绝缘体层132的主面上形成为长方形的电极，连接有通孔导体161。内部电极158、160如图3及图11所示，起到使与电感器L1A、L2A电连接的电感器L1C、L2C相对于电感器L1A、L2A在xy平面内错开的作用。另外，内部电极158、160分别如图3及图11所示，还起到作为电感器L1B、L2B的作用。
另外，在绝缘体层134a至134f，分别形成有通孔导体162a至162f、164a至164f(通孔导体162b至162f、164b至164f未图示)。另外，在绝缘体层136，形成有通孔导体167、169。绝缘体层134a至134f是具有相同结构的部件。通过层叠绝缘体层134a至134f、136，通孔导体162a至162f、167形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第二层间连接导体，起到作为电感器L1C的作用。通过层叠绝缘体层134a至134f、136，通孔导体164a至164f、169形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第四层间连接导体，起到作为电感器L2C的作用。另外，通过层叠绝缘体层134f、132，通孔导体162f、164f分别与内部电极158、161连接。下面，在所指的是形成于各绝缘体层134a至134f的通孔导体时，记为通孔导体162a至162f、164a至164f；在所指的是连接有通孔导体162a至162f、167、164a至164f、169的通孔导体时，记为通孔导体162、164。
再有，关于通孔导体162a至162f、167与通孔导体164a至164f、169，是在离开小于第一距离的第二距离D2的状态下形成于绝缘体层134a至134f、136。另外，在绝缘体层134a至134f内，仅形成通孔导体162a至162f、164a至164f。
在绝缘体层136的主面上，形成有内部电极166、168。内部电极166含有电感器电极166a、166b及引出电极166c，起到作为公共电极的作用。电感器电极166a、166b分别是在绝缘体层136的主面上形成为长方形的电极，与接地用外部电极16b一起起到作为电感器L3的作用。电感器电极166a、166b的一端分别与通孔导体167、169连接。据此，电感器L1C与电感器L2C通过内部电极166电连接。引出电极166c的一端与电感器电极166a、166b连接，另一端与接地用外部电极16a连接。
另外，内部电极168沿着与形成有引出电极166c的边相对的边形成。该内部电极168从电感器电极166a、166b离开预定的间隔而形成，其一端与接地用外部电极16b连接。
绝缘体层140形成有输入用外部电极14a、输出用外部电极14b、接地用外部电极16a、16b的各一部分及方向识别标记18。
通过层叠如上所述构成的绝缘体层120a、120b、122、124、126、128、130a至130g、132、134a至134f、136、140，构成具有图3所示的等效电路、具有图11所示的截面构造的层叠型电子元器件10b。根据如上所述构成的层叠型电子元器件10b，可以取得与层叠型电子元器件10a相同的作用效果。
另外，由于层叠型电子元器件10b的等效电路与层叠型电子元器件10的等效电路相同，因此省略说明。另外，由于层叠型电子元器件10b的制造方法基本上也与层叠型电子元器件10相同，因此省略说明。
工业上的实用性
如上所述，本发明对于层叠型电子元器件及其制造方法是有用的，特别是在可以容易调整电感器彼此之间的磁场耦合度这一点较优。

Claims (7)

1.一种层叠型电子元器件，其特征在于，
包括：
层叠含有第一绝缘体层及第二绝缘体层的多个绝缘体层而形成的层叠体；
形成于所述层叠体内的第一电容器及第二电容器；
在所述层叠体内沿层叠方向延伸而形成、起到作为第一电感器的作用的第一层间连接导体及第二层间连接导体；以及
在所述层叠体内沿层叠方向延伸而形成、起到作为与所述第一电感器进行磁场耦合的第二电感器的作用的第三层间连接导体及第四层间连接导体，
所述第一电容器及所述第一电感器形成第一谐振电路，并且所述第二电容器及所述第二电感器形成第二谐振电路，
所述第一层间连接导体及所述第三层间连接导体在离开第一距离的状态下形成于所述第一绝缘体层，
所述第二层间连接导体及所述第四层间连接导体在离开与所述第一距离不同的第二距离的状态下形成于所述第二绝缘体层，并且分别与外部接地电极电连接，
通过分别调整所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层所包含的片数，从而调整所述第一谐振电路与所述第二谐振电路之间的磁场耦合度。
2.如权利要求1所述的层叠型电子元器件，其特征在于，
在所述第一绝缘体层内，仅形成所述第一层间连接导体及所述第三层间连接导体，
在所述第二绝缘体层内，仅形成所述第二层间连接导体及所述第四层间连接导体。
3.如权利要求1或2所述的层叠型电子元器件，其特征在于，
还包括形成于所述层叠体内的接地电极，
所述第一电容器及所述第二电容器，在层叠方向位于所述第一电感器及所述第二电感器、与所述接地电极之间。
4.如权利要求1或2所述的层叠型电子元器件，其特征在于，
还包括形成于所述层叠体内的公共电极，
所述第一层间连接导体与所述第二层间连接导体电连接，
所述第三层间连接导体与所述第四层间连接导体电连接，
所述第一层间连接导体与所述第一电容器连接，
所述第三层间连接导体与所述第二电容器连接，
所述第二层间连接导体及所述第四层间连接导体通过所述公共电极电连接。
5.如权利要求3所述的层叠型电子元器件，其特征在于，
还包括形成于所述层叠体内的公共电极，
所述第一层间连接导体与所述第二层间连接导体电连接，
所述第三层间连接导体与所述第四层间连接导体电连接，
所述第一层间连接导体与所述第一电容器连接，
所述第三层间连接导体与所述第二电容器连接，
所述第二层间连接导体及所述第四层间连接导体通过所述公共电极电连接。
6.如权利要求1所述的层叠型电子元器件，其特征在于，
所述第一距离大于所述第二距离。
7.一种层叠型电子元器件的制造方法，所述层叠型电子元器件含有由第一电容器及第一电感器构成的第一谐振电路和由第二电容器及第二电感器构成的第二谐振电路，所述制造方法的特征在于，
包括：
将起到作为所述第一电感器的作用的第一层间连接导体和起到作为所述第二电感器的作用的第三层间连接导体、离开第一距离而形成于第一绝缘体层的第一工序；
将起到作为所述第一电感器的作用的第二层间连接导体和起到作为所述第二电感器的作用的第四层间连接导体、离开与所述第一距离不同的第二距离而形成于第二绝缘体层的第二工序；以及
层叠所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层的第三工序，
在所述第三工序中，为了调整所述层叠型电子元器件所包含的所述第一谐振电路与所述第二谐振电路之间的磁场耦合度，而调整所述第一绝缘体层的片数与所述第二绝缘体层的片数来进行层叠，
其中所述第一层间连接导体、所述第二层间连接导体、所述第三层间连接导体和所述第四层间连接导体沿所述层叠型电子元器件的层叠方向延伸。
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