JP4720940B2 - 積層型電子部品及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、積層型電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、共振回路を含む積層型電子部品及びその製造方法に関する。
特許文献１及び特許文献２にはそれぞれ、ビアホール導体をインダクタとして用いたインダクタ内蔵電子部品及び積層型ＬＣ部品が記載されている。これらのインダクタ内蔵電子部品及び積層型ＬＣ部品では、複数のビアホール導体間の距離を調整したり、新たなビアホール導体を追加したりして、インダクタ同士の磁界結合度を調整している。これにより、インダクタ内蔵電子部品及び積層型ＬＣ部品において、所望の特性を得ている。
しかしながら、ビアホール導体間の距離を調整する又は新たなビアホール導体を追加する場合には、インダクタ内蔵電子部品及び積層型ＬＣ部品を再設計する必要があり、非常に煩雑な作業が必要となる。より詳細には、インダクタ内蔵電子部品及び積層型ＬＣ部品を構成するセラミックグリーンシートにビアホール導体を形成するための孔あけ用プログラムを変更したり、セラミックグリーンシートに孔あけを行うための装置を設定しなおしたり、セラミックグリーンシートにパンチングするための金型を新たに製作したりする必要がある。
特開平０９−３５９３６号公報 特開２００２−５７５４３号公報
そこで、本発明の目的は、インダクタ同士の磁界結合度を容易に調整できる積層型電子部品及びその製造方法を提供することである。
本発明は、第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層されて形成された積層体と、前記積層体内に形成された第１のコンデンサ及び第２のコンデンサと、前記積層体内において積層方向に延びるように形成され、直列に接続されることにより第１のインダクタとして機能する第１の層間接続導体及び第２の層間接続導体と、前記積層体内において積層方向に延びるように形成され、直列に接続されることにより前記第１のインダクタと磁界結合した第２のインダクタとして機能する第３の層間接続導体及び第４の層間接続導体と、第１のインダクタ電極及び第２のインダクタ電極と、を備え、前記第１のコンデンサ及び前記第１のインダクタは、第１の共振回路を形成していると共に、前記第２のコンデンサ及び前記第２のインダクタは、第２の共振回路を形成しており、前記第１の層間接続導体及び前記第３の層間接続導体は、第１の距離だけ離された状態で前記第１の絶縁体層に形成されており、前記第２の層間接続導体及び前記第４の層間接続導体は、前記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離された状態で前記第２の絶縁体層に形成されており、前記第２の層間接続導体は、前記第１のインダクタ電極に接続されており、前記第４の層間接続導体は、前記第２のインダクタ電極に接続されていること、を特徴とする。
本発明によれば、層間接続導体間の距離が２種類存在するので、第１の層間接続導体及び第２の層間接続導体の長さと、第３の層間接続導体及び第４の層間接続導体の長さとを変化させることにより、第１のインダクタと第２のインダクタとの平均距離を調整できる。その結果、第１のインダクタと第２のインダクタとの磁界結合度を調整することができる。
本発明において、前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層はそれぞれ、複数ずつ設けられており、前記複数の第１の絶縁体層の内の一部の前記第１の絶縁体層の主面上には、内部電極が形成されておらず、前記複数の第２の絶縁体層の内の一部の前記第２の絶縁体層の主面上には、内部電極が形成されていなくてもよい。
本発明において、前記第１のコンデンサは、前記積層体内に形成された第１のコンデンサ電極及びグランド電極により構成されており、前記第２のコンデンサは、前記積層体内に形成された第２のコンデンサ電極及び前記グランド電極により構成されており、前記第１のコンデンサ電極及び前記第２のコンデンサ電極は、積層方向において、前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタと、前記グランド電極との間に位置していてもよい。
本発明において、前記積層体内に形成された引き出し電極を、更に備え、前記第１の層間接続導体及び前記第２の層間接続導体は、電気的に接続されており、前記第３の層間接続導体及び前記第４の層間接続導体は、電気的に接続されており、前記第１の層間接続導体は、前記第１のコンデンサに対して接続されており、前記第３の層間接続導体は、前記第２のコンデンサに対して接続されており、前記第１のインダクタ電極と前記第２のインダクタ電極とは、前記引き出し電極を介して電気的に接続されていてもよい。
本発明は、積層型電子部品の製造方法に対しても適用可能である。具体的には、本発明は、第１のコンデンサ及び第１のインダクタからなる第１の共振回路と第２のコンデンサ及び第２のインダクタからなる第２の共振回路と第１のインダクタ電極及び第２のインダクタ電極とを含んだ積層型電子部品の製造方法において、前記第１のインダクタとして機能する第１の層間接続導体と、前記第２のインダクタとして機能する第３の層間接続導体とを、第１の距離だけ離して第１の絶縁体層を積層方向に貫通するように形成する第１の工程と、前記第１のインダクタとして機能する第２の層間接続導体と、前記第２のインダクタとして機能する第４の層間接続導体とを、前記第１の距離と異なる第２の距離だけ離して第２の絶縁体層を積層方向に貫通するように形成する第２の工程と、前記第１のインダクタ電極及び前記第２のインダクタ電極を絶縁体層上に形成する第３の工程と、前記第１の層間接続導体と前記第２の層間接続導体とが直列に接続され、前記第３の層間接続導体と前記第４の層間接続導体とが直列に接続され、前記第２の層間接続導体と前記第１のインダクタ電極とが接続され、前記第４の層間接続導体と前記第２のインダクタ電極とが接続されるように、前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層と前記絶縁体層とを積層する第４の工程と、を備えることを特徴とする。
本発明において、前記第３の工程では、前記積層型電子部品の特性を調整するために、前記第１の絶縁体層の枚数と前記第２の絶縁体層の枚数とを調整して積層してもよい。
本発明によれば、層間接続導体間の距離が２種類存在するので、第１の層間接続導体及び第２の層間接続導体の長さと、第３の層間接続導体及び第４の層間接続導体の長さとを変化させることにより、第１のインダクタと第２のインダクタとの磁界結合度を調整することができる。
図１（ａ）は、第１の実施形態に係る積層型電子部品を上面側から見た図であり、図１（ｂ）は、該積層型電子部品を下面側から見た図である。 図１に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。 積層型電子部品の等価回路図である。 図１に示す積層型電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図５（ａ）は、第１のパターンの積層型電子部品の損失特性を示したグラフである。図５（ｂ）は、第２のパターンの積層型電子部品の損失特性を示したグラフである。図５（ｃ）は、第３のパターンの積層型電子部品の損失特性を示したグラフである。 絶縁体層として用いられるセラミックグリーンシートを示した図である。 積層型電子部品の損失特性を示したグラフである。 変形例に係る積層型電子部品の断面構造図である。 図９（ａ）は、第２の実施形態に係る積層型電子部品を上面側から見た図であり、図９（ｂ）は、該積層型電子部品を下面側から見た図である。 図９に示す積層型電子部品の積層体の分解斜視図である。 図９に示す積層型電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。
以下に本発明の実施形態に係る積層型電子部品及びその製造方法について説明する。
（第１の実施形態）
（積層型電子部品の構成について）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る積層型電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る積層型電子部品１０の外観斜視図である。より詳細には、図１（ａ）は、積層型電子部品１０を上面側から見た図であり、図１（ｂ）は、積層型電子部品１０を下面側から見た図である。図２は、積層型電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、積層型電子部品１０の等価回路図である。図４は、図１に示す積層型電子部品１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。以下では、図１に示すように、積層型電子部品１０の上面の短辺方向をｘ軸方向とし、積層型電子部品１０の上面の長辺方向をｙ軸方向とし、積層型電子部品１０の積層方向をｚ軸方向とする。
まず、図１を参照しながら、積層型電子部品１０の外観について説明する。積層型電子部品１０は、積層体１２及び入力用外部電極１４ａ、出力用外部電極１４ｂ、グランド用外部電極１６ａ，１６ｂ及び方向認識マーク１８を備える。積層体１２は、複数の絶縁体層が積層されて形成されており、直方体状を有する。積層体１２内には、複数のコンデンサ（図示せず）及びインダクタ（図示せず）が形成されている。入力用外部電極１４ａは、積層体１２のｙ軸方向の端部に位置する端面に形成され、信号が入力する端子としての役割を果たす。出力用外部電極１４ｂは、入力用外部電極１４ａが形成された端面と対向する端面に形成され、信号が出力する端子としての役割を果たす。
グランド用外部電極１６ａは、積層体１２のｘ軸方向の端部に位置する側面に形成されている。グランド用外部電極１６ｂは、グランド用外部電極１６ａが形成された側面と対向する側面に形成されている。方向認識マーク１８は、下面に形成され、積層型電子部品１０の方向を認識するために形成されるものである。
次に、積層体１２の内部構造について図２ないし図４を参照しながら説明する。積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層２０ａ，２０ｂ，２２，２４，２６，２８，３０ａ〜３０ｇ，３２，３４ａ〜３４ｆ，３６，３８，４０がこの順に上層から下層へと並ぶように積層されて形成されている（絶縁体層３０ｄ〜３０ｆ，３４ｄ，３４ｅについては図示せず）。なお、個別の絶縁体層３０ａ〜３０ｇ，３４ａ〜３４ｆを示す場合には、絶縁体層３０ａ〜３０ｇ，３４ａ〜３４ｆと記載し、絶縁体層３０ａ〜３０ｇ，３４ａ〜３４ｆを総称する場合には、絶縁体層３０，３４と記載する。
絶縁体層２０ａ，２０ｂは、主面上に何も形成されていない層である。絶縁体層２２の主面上には、内部電極４２が形成されている。内部電極４２は、コンデンサ電極４２ａ及び引き出し電極４２ｂ，４２ｃを含む。コンデンサ電極４２ａは、絶縁体層２２の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図４に示すように、コンデンサＣ１，Ｃ２の一方の電極として機能する。引き出し電極４２ｂは、その一端がコンデンサ電極４２ａに接続されていると共に、他端が図１に示すグランド用外部電極１６ａに接続されている。引き出し電極４２ｃは、その一端がコンデンサ電極４２ａに接続されていると共に、他端が図１に示すグランド用外部電極１６ｂに接続されている。そのため、内部電極４２は、グランド電極としても機能する。
絶縁体層２４の主面上には、内部電極４４，４６が形成されている。内部電極４４は、コンデンサ電極４４ａ及び引き出し電極４４ｂを含む。コンデンサ電極４４ａは、コンデンサ電極４２ａと対向するように絶縁体層２４の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図４に示すように、コンデンサＣ１の他方の電極として機能する。更に、コンデンサ電極４４ａは、コンデンサＣ３の一方の電極としても機能する。引き出し電極４４ｂは、その一端がコンデンサ電極４４ａに接続されていると共に、他端が図１に示す出力用外部電極１４ｂに接続されている。
また、内部電極４６は、コンデンサ電極４６ａ及び引き出し電極４６ｂを含む。コンデンサ電極４６ａは、コンデンサ電極４２ａと対向するように絶縁体層２４の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図４に示すように、コンデンサＣ２の他方の電極として機能する。更に、コンデンサ電極４６ａは、コンデンサＣ３の他方の電極としても機能する。すなわち、コンデンサ電極４４ａ，４６ａは、コンデンサＣ３を構成する。引き出し電極４６ｂは、その一端がコンデンサ電極４６ａに接続されていると共に、他端が図１に示す入力用外部電極１４ａに接続されている。
絶縁体層２６の主面上には、内部電極（コンデンサ電極）４８が形成されている。コンデンサ電極４８は、コンデンサ電極４４ａ，４６ａのそれぞれに対向するように絶縁体層２６の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図４に示すように、コンデンサＣ３の一部を構成する。
絶縁体層２８の主面上には、内部電極５０，５２が形成されている。内部電極５０は、コンデンサ電極５０ａ及び引き出し電極５０ｂを含む。コンデンサ電極５０ａは、絶縁体層２８の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図４に示すように、コンデンサＣ３の一方の電極として機能する。引き出し電極５０ｂは、その一端がコンデンサ電極５０ａに接続されていると共に、他端が図１に示す出力用外部電極１４ｂに接続されている。
また、内部電極５２は、コンデンサ電極５２ａ及び引き出し電極５２ｂを含む。コンデンサ電極５２ａは、絶縁体層２８の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図４に示すように、コンデンサＣ３の他方の電極として機能する。すなわち、コンデンサ電極５０ａ，５２ａは、コンデンサＣ３を構成する。引き出し電極５２ｂは、その一端がコンデンサ電極５２ａに接続されていると共に、他端が図１に示す入力用外部電極１４ａに接続されている。
更に、絶縁体層２８には、ビアホール導体５１，５３が形成されている。ビアホール導体５１，５３はそれぞれ、コンデンサ電極５０ａ，５２ａに対して直接に接続されている。
また、絶縁体層３０ａ〜３０ｇのそれぞれには、ビアホール導体５４ａ〜５４ｇ，５６ａ〜５６ｇが形成されている（ビアホール導体５４ｂ〜５４ｇ，５６ｂ〜５６ｇについては図示せず）。絶縁体層３０ａ〜３０ｇは、同じ構成を有する部材である。ビアホール導体５１，５４ａ〜５４ｇは、絶縁体層２８，３０ａ〜３０ｇが積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第１の層間接続導体として形成され、図３及び図４に示すように、インダクタＬ１Ａとして機能する。ビアホール導体５３，５６ａ〜５６ｇは、絶縁体層２８，３０ａ〜３０ｇが積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第３の層間接続導体として形成され、図３及び図４に示すように、インダクタＬ２Ａとして機能する。以下では、各絶縁体層３０ａ〜３０ｇに形成されたビアホール導体を指す場合には、ビアホール導体５４ａ〜５４ｇ，５６ａ〜５６ｇと記載し、ビアホール導体５１，５４ａ〜５４ｇ，５３，５６ａ〜５６ｇが接続されたビアホール導体を指す場合には、ビアホール導体５４，５６と記載する。
更に、ビアホール導体５１，５４ａ〜５４ｇとビアホール導体５３，５６ａ〜５６ｇとは、第１の距離Ｄ１だけ離された状態で絶縁体層２８，３０ａ〜３０ｇに形成されている。また、絶縁体層３０ａ〜３０ｇの主面内には、ビアホール導体５４ａ〜５４ｇ，５６ａ〜５６ｇのみが形成されている。
絶縁体層３２の主面上には、内部電極５８，６０が形成されている。内部電極５８は、絶縁体層３２の主面上において長方形状に形成された電極であり、ビアホール導体５４が接続されている。内部電極６０は、絶縁体層３２の主面状において長方形状に形成された電極であり、ビアホール導体５６が接続されている。
更に、絶縁体層３２には、ビアホール導体５９，６１が形成されている。ビアホール導体５９，６１はそれぞれ、内部電極５８，６０に接続されている。内部電極５８，６０は、図３及び図４に示すように、インダクタＬ１Ａ，Ｌ２Ａに電気的に接続されているインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃを、インダクタＬ１Ａ，Ｌ２Ａに対してｘｙ平面内においてずらす役割を果たしている。また、内部電極５８，６０はそれぞれ、図３及び図４に示すように、インダクタＬ１Ｂ，Ｌ２Ｂとしても機能している。
また、絶縁体層３４ａ〜３４ｆのそれぞれには、ビアホール導体６２ａ〜６２ｆ，６４ａ〜６４ｆが形成されている（ビアホール導体６２ｂ〜６２ｆ，６４ｂ〜６４ｆについては図示せず）。絶縁体層３４ａ〜３４ｆは、同じ構成を有する部材である。ビアホール導体５９，６２ａ〜６２ｆは、絶縁体層３２，３４ａ〜３４ｆが積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第２の層間接続導体として形成され、インダクタＬ１Ｃとして機能する。ビアホール導体６１，６４ａ〜６４ｆは、絶縁体層３２，３４ａ〜３４ｆが積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第４の層間接続導体として形成され、インダクタＬ２Ｃとして機能する。以下では、各絶縁体層３４ａ〜３４ｆに形成されたビアホール導体を指す場合には、ビアホール導体６２ａ〜６２ｆ，６４ａ〜６４ｆと記載し、ビアホール導体５９，６２ａ〜６２ｆ，６１，６４ａ〜６４ｆが接続されたビアホール導体を指す場合には、ビアホール導体６２，６４と記載する。
更に、ビアホール導体５９，６２ａ〜６２ｆとビアホール導体６１，６４ａ〜６４ｆとは、第１の距離よりも小さな第２の距離Ｄ２だけ離された状態で絶縁体層３２，３４ａ〜３４ｆに形成されている。また、絶縁体層３４ａ〜３４ｆの主面内には、ビアホール導体６２ａ〜６２ｆ，６４ａ〜６４ｆのみが形成されている。
絶縁体層３６の主面上には、内部電極６６，６８が形成されている。内部電極６６は、インダクタ電極６６ａ，６６ｂ及び引き出し電極６６ｃを含んでおり、共通電極として機能している。インダクタ電極６６ａ，６６ｂはそれぞれ、絶縁体層３６の主面上において長方形状に形成された電極であり、グランド用外部電極１６ｂと共にインダクタＬ３として機能する。インダクタ電極６６ａ，６６ｂの一端はそれぞれ、ビアホール導体６２，６４に接続されている。引き出し電極６６ｃは、その一端がインダクタ電極６６ａ，６６ｂに接続され、他端がグランド用外部電極１６ａに接続されている。これにより、インダクタＬ１ＣとインダクタＬ２Ｃとは、内部電極６６を介して電気的に接続されている。
また、内部電極６８は、引き出し電極６６ｃが形成された辺に対向する辺に沿って形成されている。該内部電極６８は、インダクタ電極６６ａ，６６ｂから所定の間隔だけ離れて形成され、その一端は、グランド用外部電極１６ｂに接続されている。
絶縁体層３８は、主面上に何も形成されていない層である。絶縁体層４０は、下層側の主面に、入力用外部電極１４ａ、出力用外部電極１４ｂ、グランド用外部電極１６ａ，１６ｂ及び方向認識マーク１８のそれぞれの一部が形成されている。
以上のように構成された絶縁体層２０ａ，２０ｂ，２２，２４，２６，２８，３０ａ〜３０ｇ，３２，３４ａ〜３４ｆ，３６，３８，４０が積層されることにより、図３に示すような等価回路を有し、図４に示すような断面構造を有する積層型電子部品１０が構成される。
ここで、図３に示す等価回路について説明する。積層型電子部品１０の等価回路は、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３、インダクタＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３、入力端子Ｐ１及び出力端子Ｐ２を備え、バンドパスフィルタを構成している。なお、入力端子Ｐ１は、図１の入力用外部電極１４ａに相当し、出力端子Ｐ２は、図１の出力用外部電極１４ｂに相当する。
コンデンサＣ１とインダクタＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃとは、並列接続されており、共振回路ＬＣ１を形成している。コンデンサＣ２とインダクタＬ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃとは、並列接続されており、共振回路ＬＣ２を形成している。共振回路ＬＣ１の一端は、入力端子Ｐ１に接続され、共振回路ＬＣ１の他端は、インダクタＬ３に接続されている。また、共振回路ＬＣ２の一端は、出力端子Ｐ２に接続され、共振回路ＬＣ２の他端は、インダクタＬ３に接続されている。インダクタＬ３は、その一端が接地されている。すなわち、インダクタＬ３の他端は、グランド用外部電極１６ａ，１６ｂに相当する。更に、入力端子Ｐ１と出力端子Ｐ２との間には、各共振回路ＬＣ１，ＬＣ２を結合させるためのコンデンサＣ３が設けられている。
以上のように構成された積層型電子部品１０では、インダクタＬ１ＡとインダクタＬ２Ａとの間に相互インダクタンスＭ１が形成されると共に、インダクタＬ１ＣとインダクタＬ２Ｃとの間に相互インダクタンスＭ２が形成されることにより、共振回路ＬＣ１と共振回路ＬＣ２とが磁界結合している。共振回路ＬＣ１と共振回路ＬＣ２との磁界結合度は、図２及び図４のビアホール導体５４，５６，６２，６４のそれぞれの長さと、距離Ｄ１，Ｄ２の大きさに依存している。そこで、積層型電子部品１０では、絶縁体層３０及び絶縁体層３４のそれぞれの枚数を調整することにより、所望の特性を有するバンドパスフィルタが得られる。なお、絶縁体層３０，３４の枚数の調整については後述する。
（積層型電子部品の製造方法について）
次に、積層型電子部品１０の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。
まず、絶縁体層２０ａ，２０ｂ，２２，２４，２６，２８，３０ａ〜３０ｇ，３２，３４ａ〜３４ｆ，３６，３８，４０として用いられるセラミックグリーンシートを作製する。例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化バリウム（ＢａＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）等を所望の透磁率、誘電率といった特性が得られるよう、適切な比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００〜９００℃で１〜２時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕し、セラミック粉末を得る。
このセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、所望の膜厚のセラミックグリーンシートを作製する。
次に、絶縁体層２８，３０ａ〜３０ｇとして用いられるセラミックグリーンシートに対して、図２に示すビアホール導体５１，５４ａ〜５４ｇとビアホール導体５３，５６ａ〜５６ｇとを第１の距離Ｄ１だけ離して形成する。より詳細には、セラミックグリーンシートにレーザビームなどを用いて貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電ペーストを印刷塗布などの方法により充填することによって、ビアホール導体５１，５４ａ〜５４ｇ，５３，５６ａ〜５６ｇを形成する。
次に、絶縁体層３２，３４ａ〜３４ｆとして用いられるセラミックグリーンシートに対して、図２に示すビアホール導体５９，６２ａ〜６２ｆとビアホール導体６１，６４ａ〜６４ｆとを第２の距離Ｄ２だけ離して形成する。なお、ビアホール導体５９，６１，６２ａ〜６２ｆ，６４ａ〜６４ｆの形成方法の詳細は、ビアホール導体５１，５３，５４ａ〜５４ｇ，５６ａ〜５６ｇの形成方法の詳細と同じであるので説明を省略する。
次に、絶縁体層２２，２４，２６，２８，３２，３６に用いられるセラミックグリーンシートの主面上に、導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、内部電極４２，４４，４６，４８，５０，５２，５８，６０，６６，６８を形成する。更に、同様の手法により、絶縁体層４０に用いられるセラミックグリーンシートの主面上に、入力用外部電極１４ａ、出力用外部電極１４ｂ、グランド用外部電極１６ａ，１６ｂ及び方向認識マーク１８の一部を形成する。
次に、セラミックグリーンシートを積層して、未焼成のマザー積層体を形成する。この際、所望の特性（帯域幅及び減衰特性）のバンドパスフィルタが得られるように、絶縁体層３０，３４のそれぞれの枚数を調整して、ビアホール導体５４，５６，５９，６１の長さを調整する。そして、セラミックグリーンシートは、所定枚数ずつ重ねて仮圧着される。全ての仮圧着が完了すると、静水圧などを利用してマザー積層体の本圧着を行う。
次に、未焼成のマザー積層体を、個々の積層体にダイサー等によりカットする。これにより、直方体状の積層体を得る。
次に、この積層体に、脱バインダー処理及び焼成を施す。これにより、焼成された積層体１２を得る。
次に、積層体１２の表面に、例えば、浸漬法などの公知の方法により主成分が銀、銅、パラジウム等である電極ペーストを塗布及び焼き付けすることにより、図１に示すような形状を有する銀電極、銅電極、パラジウム電極等を形成する。
最後に、焼き付けられた銀電極、銅電極、パラジウム電極等の表面に、Ｎｉめっき及びＳｎめっき又はＮｉめっき及び半田めっきを施すことにより、入力用外部電極１４ａ、出力用外部電極１４ｂ、グランド用外部電極１６ａ，１６ｂ及び方向認識マーク１８が完成する。以上の工程を経て、図１に示すような積層型電子部品１０が完成する。
なお、積層型電子部品１０の製造方法として、シート積層法について説明を行ったが、積層型電子部品１０の製造方法はこれに限らない。例えば、逐次印刷積層法や転写積層法によって積層型電子部品１０を製造してもよい。
（効果）
前記積層型電子部品１０及びその製造方法によれば、インダクタＬ１Ａ，Ｌ１ＣとインダクタＬ２Ａ，Ｌ２Ｃとの結合度を容易に変化させることができ、多種類の特性を有する積層型電子部品１０を容易に得ることができる。以下に、詳しく説明する。
特許文献１及び特許文献２に記載のインダクタ内蔵電子部品及び積層型ＬＣ部品において、多種類の特性を有するインダクタ内蔵電子部品及び積層型ＬＣ部品を得るために、ビアホール導体間の距離を調整する方法又はビアホール導体を追加する方法によりインダクタ同士の磁界結合度を変化させていた。しかしながら、これらの方法では、インダクタ内蔵電子部品及び積層型ＬＣ部品を再設計する必要があり、非常に煩雑な作業が必要となる。より詳細には、インダクタ内蔵電子部品及び積層型ＬＣ部品を構成するセラミックグリーンシートにビアホール導体を形成するための孔あけ用プログラムを変更したり、セラミックグリーンシートに孔あけを行うための装置を設定しなおしたり、セラミックグリーンシートにパンチングするための金型を新規に製作したりする必要がある。
これに対して、積層型電子部品１０及びその製造方法によれば、絶縁体層３０，３４のそれぞれの積層する枚数を調整するだけで、ビアホール導体５４，５６，６２，６４の長さを調整することができ、インダクタＬ１Ａ，Ｌ１ＣとインダクタＬ２Ａ，Ｌ２Ｃとの磁界結合度を調整することができる。従って、積層型電子部品１０を１種類設計するだけで、絶縁体層３０，３４の枚数を調整すれば、複数種類の特性を有する積層型電子部品１０を得ることができる。以下に、その一例について表１及び図５を用いて説明する。
Figure 0004720940
表１は、絶縁体層の合計枚数を変化させることなく、絶縁体層３０，３４の枚数を３通りに変化させたときの、インダクタＬ１Ａ，Ｌ１ＣとインダクタＬ２Ａ，Ｌ２Ｃとの磁界結合度を比較した表である。具体的には、第１パターンの積層型電子部品１０では、絶縁体層３０を１１枚、絶縁体層３４を２枚積層した。第２パターンの積層型電子部品１０では、絶縁体層３０を７枚、絶縁体層３４を６枚積層した。なお、図２に示す積層型電子部品１０は、この第２パターンの積層型電子部品１０に相当する。第３のパターンの積層型電子部品１０では、絶縁体層３０を３枚、絶縁体層３４を１０枚積層した。また、図５（ａ）は、第１のパターンの積層型電子部品１０の損失特性を示したグラフである。図５（ｂ）は、第２のパターンの積層型電子部品１０の損失特性を示したグラフである。図５（ｃ）は、第３のパターンの積層型電子部品１０の損失特性を示したグラフである。縦軸は損失を示し、横軸は周波数を示す。
第２パターンの積層型電子部品１０におけるビアホール導体５４，５６，６２，６４の長さを標準とした場合、第１パターンの積層型電子部品１０では、相対的に間隔が大きいビアホール導体６２，６４が相対的に長く、相対的に間隔が小さいビアホール導体５９，６１が相対的に短い。従って、第１パターンの積層型電子部品１０におけるインダクタＬ１Ａ，Ｌ１ＣとインダクタＬ２Ａ，Ｌ２Ｃとの間の平均距離は、第２パターンの積層型電子部品１０におけるインダクタＬ１Ａ，Ｌ１ＣとインダクタＬ２Ａ，Ｌ２Ｃとの間の平均距離よりも大きくなる。その結果、表１に示すように、第１パターンの積層型電子部品１０の磁界結合度は、第２パターンの積層型電子部品１０の磁界結合度よりも小さくなる。これにより、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１のパターンの積層型電子部品１０は、第２のパターンの積層型電子部品１０よりも狭帯域のフィルタ特性を有するバンドパスフィルタとなる。
一方、第３パターンの積層型電子部品１０では、相対的に間隔が大きいビアホール導体５４，５６が相対的に短く、相対的に間隔が小さいビアホール導体６２，６４が相対的に長い。従って、第３パターンの積層型電子部品１０におけるインダクタＬ１Ａ，Ｌ１ＣとインダクタＬ２Ａ，Ｌ２Ｃとの間の平均距離は、第２パターンの積層型電子部品１０におけるインダクタＬ１Ａ，Ｌ１ＣとインダクタＬ２Ａ，Ｌ２Ｃとの間の平均距離よりも小さくなる。その結果、表１に示すように、第３パターンの積層型電子部品１０の磁界結合度は、第２パターンの積層型電子部品１０の磁界結合度よりも大きくなる。これにより、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示すように、第３のパターンの積層型電子部品１０は、第２のパターンの積層型電子部品１０よりも広帯域のフィルタ特性を有するバンドパスフィルタとなる。
また、積層型電子部品１０では、図２に示すように、内部電極６８が設けられているので、インダクタ電極６６ａ，６６ｂの電位がばらつくことを抑制できる。以下に、図６を参照しながら説明する。図６は、絶縁体層３６として用いられるセラミックグリーンシートを示した図である。
内部電極６８がない場合には、インダクタ電極６６ａ，６６ｂの電位は、最も近くに配置されたグランド用外部電極１６ｂの電位の影響を最も強く受ける。このグランド用外部電極１６ｂは、スクリーン印刷等により形成されるため、製造誤差の範囲内においてグランド用外部電極１６ｂの形成位置は、ばらついてしまう。また、製造誤差の範囲内においてインダクタ電極６６ａ，６６ｂの形成位置もばらついてしまう。その結果、グランド用外部電極１６ｂとインダクタ電極６６ａ，６６ｂとの距離がばらついてしまい、インダクタ電極６６ａ，６６ｂの電位がグランド用外部電極１６ｂの電位から受ける影響にもばらつきが発生してしまう。
そこで、積層型電子部品１０では、インダクタ電極６６ａ，６６ｂから所定距離だけ離れた位置に、接地電位が印加される内部電極６８を形成している。これにより、インダクタ電極６６ａ，６６ｂの電位は、内部電極６８の電位の影響を最も強く受けるようになる。そのため、インダクタ電極６６ａ，６６ｂは、グランド用外部電極１６ａ，１６ｂからの影響を受けにくくなる。
更に、内部電極６８は、図６に示すように、セラミックグリーンシート上において、内部電極６６とつながった状態で所定距離おきにスクリーン印刷等により形成される。その後、このセラミックグリーンシートがカットされることにより、内部電極６６と内部電極６８とが切り離される。そのため、セラミックグリーンシートのカット位置がばらついたとしても、内部電極６６（インダクタ電極６６ａ，６６ｂ）と内部電極６８との距離はばらつかない。その結果、内部電極６６の電位が内部電極６８の電位から受ける影響にばらつきが発生しにくくなる。
また、積層型電子部品１０によれば、コンデンサＣ３が形成されている。このように、コンデンサＣ３が形成されることにより、図７に示す積層型電子部品１０の損失特性を示したグラフのように、損失特性の両端を急峻に変化させること（減衰極を発生させること）が可能となる。その結果、狭帯域のフィルタ特性を有する積層型電子部品１０が得られる。
更に、積層型電子部品１０によれば、インダクタＬ３が形成されている。このインダクタＬ３のインダクタンスを調整することにより、図７に示すグラフの損失特性の高周波側の減衰極の周波数を、点線から実線のように調整することができるようになる。
更に、積層型電子部品１０によれば、コンデンサＣ１，Ｃ２は、ｚ軸方向において、インダクタＬ１Ａ〜Ｌ１Ｃ，Ｌ２Ａ〜Ｌ２Ｃと、グランド電極である内部電極４２との間に位置している。これにより、以下に説明するように、フィルタの挿入損失の低下が抑制される。より詳細には、コンデンサ電極４４ａ，４６ａが内部電極４２よりも基板側に位置するように積層型電子部品１０を基板上に実装した場合には、コンデンサ電極４４ａ，４６ａは、内部電極４２の下側に隠れるので、アンテナとして機能することがなくなる。そのため、コンデンサ４４ａ，４６ａから信号が輻射されることが抑制され、フィルタの挿入損失の低下が抑制されるようになる。
（変形例）
なお、本発明に係る積層型電子部品１０は、前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
積層型電子部品１０としては、バンドパスフィルタの他に、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ等がある。更に、積層型電子部品１０としては、バンドパスフィルタを組み合わせて構成したデュプレクサ、あるいは、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ及びトラップ回路やこれら異なる種類の回路を組み合わせたデュプレクサであってもよい。更に、デュプレクサ以外に、トリプレクサ、マルチプレクサ等のように、一つの積層体内に複数個のフィルタが内蔵されたものを含み、フィルタと他の回路が内蔵されたものも含む。更に、ビアホール導体にて構成されたインダクタに合わせて、結合線を絶縁体層の積層方向に形成している、バンドパスフィルタを内蔵したカプラであってもよい。
なお、積層型電子部品１０では、絶縁体層３０，３４の枚数を調整することにより、ビアホール導体５４，５６，５９，６１の長さを調整しているが、ビアホール導体５４，５６，５９，６１の長さの調整方法はこれに限らない。例えば、絶縁体層３０，３４の厚みを調整することによって、ビアホール導体５４，５６，５９，６１の長さを調整してもよい。
図８は、変形例に係る積層型電子部品１０ａの断面構造図である。図８に示す積層型電子部品１０ａのように、ビアホール導体５４とビアホール導体６２とが１本につながっていてもよい。この場合、内部電極５８は不要である。積層型電子部品１０ａでは、ビアホール導体５４とビアホール導体６２とを内部電極５８を用いてずらす必要がないので、これらの間における断線の問題がなくなる。
（第２の実施形態）
（積層型電子部品の構成について）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る積層型電子部品について図面を参照しながら説明する。図９は、第２の実施形態に係る積層型電子部品１０ｂの外観斜視図である。より詳細には、図９（ａ）は、積層型電子部品１０ｂを上面側から見た図であり、図９（ｂ）は、積層型電子部品１０ｂを下面側から見た図である。図１０は、積層型電子部品１０ｂの積層体１２の分解斜視図である。図１１は、図９に示す積層型電子部品１０ｂのＡ−Ａにおける断面構造図である。以下では、図９に示すように、積層型電子部品１０ｂの上面の短辺方向をｘ軸方向とし、積層型電子部品１０ｂの上面の長辺方向をｙ軸方向とし、積層型電子部品１０ｂの積層方向をｚ軸方向とする。なお、積層型電子部品１０ｂの等価回路図は、図３を援用する。
まず、図９を参照しながら、積層型電子部品１０ｂの外観について説明する。積層型電子部品１０ｂは、積層体１２及び入力用外部電極１４ａ、出力用外部電極１４ｂ、グランド用外部電極１６ａ，１６ｂ及び方向認識マーク１８を備える。積層体１２は、複数の絶縁体層が積層されて形成されており、直方体状を有する。積層体１２内には、複数のコンデンサ（図示せず）及びインダクタ（図示せず）が形成されている。入力用外部電極１４ａは、積層体１２のｙ軸方向の端部に位置する端面に形成され、信号が入力する端子としての役割を果たす。出力用外部電極１４ｂは、入力用外部電極１４ａが形成された端面と対向する端面に形成され、信号が出力する端子としての役割を果たす。
グランド用外部電極１６ａは、積層体１２のｘ軸方向の端部に位置する側面に形成されている。グランド用外部電極１６ｂは、グランド用外部電極１６ａが形成された側面と対向する側面に形成されている。方向認識マーク１８は、上面に形成され、積層型電子部品１０ｂの方向を認識するために形成されるものである。
次に、積層体１２の内部構造について図１０及び図１１を参照しながら説明する。積層体１２は、図１０に示すように、絶縁体層１４０，１３６，１３４ａ〜１３４ｆ，１３２，１３０ａ〜１３０ｇ、１２８，１２６，１２４，１２２，１２０ａ，１２０ｂがこの順に上層から下層へと並ぶように積層されて形成されている（絶縁体層１３０ｄ〜３０ｆ，１３４ｄ，１３４ｅについては図示せず）。なお、個別の絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇ，１３４ａ〜１３４ｆを示す場合には、絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇ，１３４ａ〜１３４ｆと記載し、絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇ，１３４ａ〜１３４ｆを総称する場合には、絶縁体層１３０，１３４と記載する。
絶縁体層１２０ａ，１２０ｂは、主面上に何も形成されていない層である。絶縁体層１２２の主面上には、内部電極１４２が形成されている。内部電極１４２は、コンデンサ電極１４２ａ及び引き出し電極１４２ｂ，１４２ｃを含む。コンデンサ電極１４２ａは、絶縁体層１２２の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図１１に示すように、コンデンサＣ１，Ｃ２の一方の電極として機能する。引き出し電極１４２ｂは、その一端がコンデンサ電極１４２ａに接続されていると共に、他端が図９に示すグランド用外部電極１６ａに接続されている。引き出し電極１４２ｃは、その一端がコンデンサ電極１４２ａに接続されていると共に、他端が図９に示すグランド用外部電極１６ｂに接続されている。そのため、内部電極１４２は、グランド電極としても機能する。
絶縁体層１２４の主面上には、内部電極１４４，１４６が形成されている。内部電極１４４は、コンデンサ電極１４４ａ及び引き出し電極１４４ｂを含む。コンデンサ電極１４４ａは、コンデンサ電極１４２ａと対向するように絶縁体層１２４の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図１１に示すように、コンデンサＣ１の他方の電極として機能する。更に、コンデンサ電極１４４ａは、コンデンサＣ３の一方の電極としても機能する。引き出し電極１４４ｂは、その一端がコンデンサ電極１４４ａに接続されていると共に、他端が図９に示す出力用外部電極１４ｂに接続されている。
また、内部電極１４６は、コンデンサ電極１４６ａ及び引き出し電極１４６ｂを含む。コンデンサ電極１４６ａは、コンデンサ電極１４２ａと対向するように絶縁体層１２４の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図１１に示すように、コンデンサＣ２の他方の電極として機能する。更に、コンデンサ電極１４６ａは、コンデンサＣ３の他方の電極としても機能する。すなわち、コンデンサ電極１４４ａ，１４６ａは、コンデンサＣ３を構成する。引き出し電極１４６ｂは、その一端がコンデンサ電極１４６ａに接続されていると共に、他端が図９に示す入力用外部電極１４ａに接続されている。
絶縁体層１２６の主面上には、内部電極（コンデンサ電極）１４８が形成されている。コンデンサ電極１４８は、コンデンサ電極１４４ａ，１４６ａのそれぞれに対向するように絶縁体層１２６の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図１１に示すように、コンデンサＣ３の一部を構成する。
絶縁体層１２８の主面上には、内部電極１５０，１５２が形成されている。内部電極１５０は、コンデンサ電極１５０ａ及び引き出し電極１５０ｂを含む。コンデンサ電極１５０ａは、絶縁体層１２８の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図１１に示すように、コンデンサＣ３の一方の電極として機能する。引き出し電極１５０ｂは、その一端がコンデンサ電極１５０ａに接続されていると共に、他端が図９に示す出力用外部電極１４ｂに接続されている。
また、内部電極１５２は、コンデンサ電極１５２ａ及び引き出し電極１５２ｂを含む。コンデンサ電極１５２ａは、絶縁体層１２８の主面上において長方形状に形成された電極であり、図３及び図１１に示すように、コンデンサＣ３の他方の電極として機能する。すなわち、コンデンサ電極１５０ａ，１５２ａは、コンデンサＣ３を構成する。引き出し電極１５２ｂは、その一端がコンデンサ電極１５２ａに接続されていると共に、他端が図９に示す入力用外部電極１４ａに接続されている。
絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇのそれぞれには、ビアホール導体１５４ａ〜１５４ｇ，１５６ａ〜１５６ｇが形成されている（ビアホール導体１５４ｂ〜１５４ｇ，１５６ｂ〜１５６ｇについては図示せず）。また、絶縁体層１３２には、ビアホール導体１５９，１６１が形成されている。ビアホール導体１５４ａ〜１５４ｇ，１５９は、絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇ，１３２が積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第１の層間接続導体として形成され、図３及び図１１に示すように、インダクタＬ１Ａとして機能する。ビアホール導体１５６ａ〜１５６ｇ，１６１は、絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇ，１３２が積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第３の層間接続導体として形成され、図３及び図１１に示すように、インダクタＬ２Ａとして機能する。また、ビアホール導体１５４ｇ，１５６ｇはそれぞれ、絶縁体層１２８，１３０ｇが積層されることにより、コンデンサ電極１５０ａ，１５２ａに対して直接に接続されている。以下では、各絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇに形成されたビアホール導体を指す場合には、ビアホール導体１５４ａ〜１５４ｇ，１５６ａ〜１５６ｇと記載し、ビアホール導体１５４ａ〜１５４ｇ，１５９，１５６ａ〜１５６ｇ，１６１が接続されたビアホール導体を指す場合には、ビアホール導体１５４，１５６と記載する。
更に、ビアホール導体１５４ａ〜１５４ｇ，１５９とビアホール導体１５６ａ〜１５６ｇ，１６１とは、第１の距離Ｄ１だけ離された状態で絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇ，１３２に形成されている。また、絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇの主面内には、ビアホール導体１５４ａ〜１５４ｇ，１５６ａ〜１５６ｇのみが形成されている。絶縁体層１３０ａ〜１３０ｇは、同じ構成を有する部材である。
絶縁体層１３２の主面上には、内部電極１５８，１６０が形成されている。内部電極１５８は、絶縁体層１３２の主面上において長方形状に形成された電極であり、ビアホール導体１５９が接続されている。内部電極１６０は、絶縁体層１３２の主面状において長方形状に形成された電極であり、ビアホール導体１６１が接続されている。内部電極１５８，１６０は、図３及び図１１に示すように、インダクタＬ１Ａ，Ｌ２Ａに電気的に接続されているインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃを、インダクタＬ１Ａ，Ｌ２Ａに対してｘｙ平面内においてずらす役割を果たしている。また、内部電極１５８，１６０はそれぞれ、図３及び図１１に示すように、インダクタＬ１Ｂ，Ｌ２Ｂとしても機能している。
また、絶縁体層１３４ａ〜１３４ｆのそれぞれには、ビアホール導体１６２ａ〜１６２ｆ，１６４ａ〜１６４ｆが形成されている（ビアホール導体１６２ｂ〜１６２ｆ，１６４ｂ〜１６４ｆについては図示せず）。また、絶縁体層１３６には、ビアホール導体１６７，１６９が形成されている。絶縁体層１３４ａ〜１３４ｆは、同じ構成を有する部材である。ビアホール導体１６２ａ〜１６２ｆ，１６７は、絶縁体層１３４ａ〜１３４ｆ，１３６が積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第２の層間接続導体として形成され、インダクタＬ１Ｃとして機能する。ビアホール導体１６４ａ〜１６４ｆ，１６９は、絶縁体層１３４ａ〜１３４ｆ，１３６が積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第４の層間接続導体として形成され、インダクタＬ２Ｃとして機能する。また、ビアホール導体１６２ｆ，１６４ｆはそれぞれ、絶縁体層１３４ｆ，１３２が積層されることにより、内部電極１５８，１６１に接続されている。以下では、各絶縁体層１３４ａ〜１３４ｆに形成されたビアホール導体を指す場合には、ビアホール導体１６２ａ〜１６２ｆ，１６４ａ〜１６４ｆと記載し、ビアホール導体１６２ａ〜１６２ｆ，１６７，１６４ａ〜１６４ｆ，１６９が接続されたビアホール導体を指す場合には、ビアホール導体１６２，１６４と記載する。
更に、ビアホール導体１６２ａ〜１６２ｆ，１６７とビアホール導体１６４ａ〜１６４ｆ，１６９とは、第１の距離よりも小さな第２の距離Ｄ２だけ離された状態で絶縁体層１３４ａ〜１３４ｆ，１３６に形成されている。また、絶縁体層１３４ａ〜１３４ｆの主面内には、ビアホール導体１６２ａ〜１６２ｆ，１６４ａ〜１６４ｆのみが形成されている。
絶縁体層１３６の主面上には、内部電極１６６，１６８が形成されている。内部電極１６６は、インダクタ電極１６６ａ，１６６ｂ及び引き出し電極１６６ｃを含んでおり、共通電極として機能している。インダクタ電極１６６ａ，１６６ｂはそれぞれ、絶縁体層１３６の主面上において長方形状に形成された電極であり、グランド用外部電極１６ｂと共にインダクタＬ３として機能する。インダクタ電極１６６ａ，１６６ｂの一端はそれぞれ、ビアホール導体１６７，１６９に接続されている。これにより、インダクタＬ１ＣとインダクタＬ２Ｃとは、内部電極１６６を介して電気的に接続されている。引き出し電極１６６ｃは、その一端がインダクタ電極１６６ａ，１６６ｂに接続され、他端がグランド用外部電極１６ａに接続されている。
また、内部電極１６８は、引き出し電極１６６ｃが形成された辺に対向する辺に沿って形成されている。該内部電極１６８は、インダクタ電極１６６ａ，１６６ｂから所定の間隔だけ離れて形成され、その一端は、グランド用外部電極１６ｂに接続されている。
絶縁体層１４０は、入力用外部電極１４ａ、出力用外部電極１４ｂ、グランド用外部電極１６ａ，１６ｂ及び方向認識マーク１８のそれぞれの一部が形成されている。
以上のように構成された絶縁体層１２０ａ，１２０ｂ，１２２，１２４，１２６，１２８，１３０ａ〜１３０ｇ，１３２，１３４ａ〜１３４ｆ，１３６，１４０が積層されることにより、図３に示すような等価回路を有し、図１１に示すような断面構造を有する積層型電子部品１０ｂが構成される。以上のように構成された積層型電子部品１０ｂによれば、積層型電子部品１０ａと同じ作用効果を奏することができる。
なお、積層型電子部品１０ｂの等価回路は、積層型電子部品１０の等価回路と同じであるので、説明を省略する。また、積層型電子部品１０ｂの製造方法も、基本的には積層型電子部品１０と同じであるので、説明を省略する。
以上のように、本発明は、積層型電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、インダクタ同士の磁界結合度を容易に調整できる点で優れている。

Claims (6)

  1. 第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層されて形成された積層体と、
    前記積層体内に形成された第１のコンデンサ及び第２のコンデンサと、
    前記積層体内において積層方向に延びるように形成され、直列に接続されることにより第１のインダクタとして機能する第１の層間接続導体及び第２の層間接続導体と、
    前記積層体内において積層方向に延びるように形成され、直列に接続されることにより前記第１のインダクタと磁界結合した第２のインダクタとして機能する第３の層間接続導体及び第４の層間接続導体と、
    第１のインダクタ電極及び第２のインダクタ電極と、
    を備え、
    前記第１のコンデンサ及び前記第１のインダクタは、第１の共振回路を形成していると共に、前記第２のコンデンサ及び前記第２のインダクタは、第２の共振回路を形成しており、
    前記第１の層間接続導体及び前記第３の層間接続導体は、第１の距離だけ離された状態で前記第１の絶縁体層に形成されており、
    前記第２の層間接続導体及び前記第４の層間接続導体は、前記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離された状態で前記第２の絶縁体層に形成されており、
    前記第２の層間接続導体は、前記第１のインダクタ電極に接続されており、
    前記第４の層間接続導体は、前記第２のインダクタ電極に接続されていること、
    を特徴とする積層型電子部品。
  2. 前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層はそれぞれ、複数ずつ設けられており、
    前記複数の第１の絶縁体層の内の一部の前記第１の絶縁体層の主面上には、内部電極が形成されておらず、
    前記複数の第２の絶縁体層の内の一部の前記第２の絶縁体層の主面上には、内部電極が形成されていないこと、
    を特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
  3. 前記第１のコンデンサは、前記積層体内に形成された第１のコンデンサ電極及びグランド電極により構成されており、
    前記第２のコンデンサは、前記積層体内に形成された第２のコンデンサ電極及び前記グランド電極により構成されており、
    前記第１のコンデンサ電極及び前記第２のコンデンサ電極は、積層方向において、前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタと、前記グランド電極との間に位置していること、
    を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の積層型電子部品。
  4. 前記積層体内に形成された引き出し電極を、
    更に備え、
    前記第１の層間接続導体及び前記第２の層間接続導体は、電気的に接続されており、
    前記第３の層間接続導体及び前記第４の層間接続導体は、電気的に接続されており、
    前記第１の層間接続導体は、前記第１のコンデンサに対して接続されており、
    前記第３の層間接続導体は、前記第２のコンデンサに対して接続されており、
    前記第１のインダクタ電極と前記第２のインダクタ電極とは、前記引き出し電極を介して電気的に接続されていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層型電子部品。
  5. 第１のコンデンサ及び第１のインダクタからなる第１の共振回路と第２のコンデンサ及び第２のインダクタからなる第２の共振回路と第１のインダクタ電極及び第２のインダクタ電極とを含んだ積層型電子部品の製造方法において、
    前記第１のインダクタとして機能する第１の層間接続導体と、前記第２のインダクタとして機能する第３の層間接続導体とを、第１の距離だけ離して第１の絶縁体層を積層方向に貫通するように形成する第１の工程と、
    前記第１のインダクタとして機能する第２の層間接続導体と、前記第２のインダクタとして機能する第４の層間接続導体とを、前記第１の距離と異なる第２の距離だけ離して第２の絶縁体層を積層方向に貫通するように形成する第２の工程と、
    前記第１のインダクタ電極及び前記第２のインダクタ電極を絶縁体層上に形成する第３の工程と、
    前記第１の層間接続導体と前記第２の層間接続導体とが直列に接続され、前記第３の層間接続導体と前記第４の層間接続導体とが直列に接続され、前記第２の層間接続導体と前記第１のインダクタ電極とが接続され、前記第４の層間接続導体と前記第２のインダクタ電極とが接続されるように、前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層と前記絶縁体層とを積層する第４の工程と、
    を備えることを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
  6. 前記第４の工程では、前記積層型電子部品の特性を調整するために、前記第１の絶縁体層の枚数と前記第２の絶縁体層の枚数とを調整して積層すること、
    を特徴とする請求項５に記載の積層型電子部品の製造方法。
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