JP2010147701A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】コイルを含む２つのフィルタを内蔵している電子部品の小型化を図る。
【解決手段】入力信号に含まれている所定の周波数を有する信号のみを出力信号として出力する電子部品。ローパスフィルタは、所定の周波数を有する信号を通過させるフィルタであって、コイルＬ１，Ｌ３を含んでいる。ハイパスフィルタは、所定の周波数以外の周波数を有する信号を通過させるフィルタであって、コイルＬ１と容量結合しているコイルＬ２を含んでいる。積層体１２−１は、ハイパスフィルタ及びローパスフィルタを内蔵し、かつ、複数の絶縁層１８ａ〜１８ｄ，２０ａ〜２０ｉが積層されてなる。コイルＬ２は、コイルＬ１及びコイルＬ３からなるコイルよりも高い抵抗値を有している。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、コイルを含むフィルタからなる電子部品に関する。

従来の電子部品として、例えば、特許文献１に記載のフィルタ回路が知られている。該フィルタ回路は、ローパスフィルタとハイパスフィルタとを内蔵している積層型電子部品である。該電子部品では、ローパスフィルタは、必要な信号のみを通過させ、ノイズ（高調波等）を通過させない。ハイパスフィルタは、ローパスフィルタに並列接続され、ノイズを通過させる。また、ハイパスフィルタの後段には、抵抗が設けられている。ハイパスフィルタを通過したノイズは、抵抗において消費されて熱として発散する。以上のようなフィルタ回路によれば、高調波等のノイズを必要な信号から除去することができる。

しかしながら、特許文献１に記載のフィルタ回路では、素子が大型化するという問題がある。より詳細には、ハイパスフィルタの後段には、ノイズを消費するための抵抗を設ける必要がある。そのため、積層型電子部品内に、ハイパスフィルタと別に抵抗を設けるスペースを確保する必要がある。
特開２０００−２６１２７０号公報

そこで、本発明の目的は、コイルを含む２つのフィルタを内蔵している電子部品の小型化を図ることである。

本発明の一形態に係る電子部品は、入力信号に含まれている所定の周波数を有する信号を出力信号として出力する電子部品であって、前記所定の周波数を有する信号を通過させ、かつ、第１のコイルを含む第１のフィルタと、前記所定の周波数以外の周波数を有する信号を通過させ、かつ、前記第１のコイルに容量結合している第２のコイルを含む第２のフィルタと、前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタを内蔵し、かつ、複数の絶縁層が積層されてなる積層体と、を備え、前記第２のコイルは、前記第１のコイルよりも高い抵抗値を有していること、を特徴とする。

本発明によれば、コイルを含む２つのフィルタを内蔵している電子部品の小型化を図ることができる。

以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。該電子部品は、入力信号に含まれている所定の周波数を有する信号のみを出力信号として出力するノイズフィルタである。

（第１の実施形態）
（電子部品の構成について）
図１は、実施形態に係る電子部品１０−１〜１０−４の外観斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る積層体１２−１の分解斜視図である。図３は、電子部品１０−１の等価回路図である。以下、電子部品１０−１の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０−１の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０−１の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

図１に示す電子部品１０−１は、積層体１２−１及び外部電極１４ａ，１４ｂ、１６ａ，１６ｂを備えている。また、積層体１２−１は、図１には図示していないローパスフィルタ及びハイパスフィルタを内蔵しており、図２に示すように、積層体１２ａと積層体１２ｂとが積層されて構成されている。

積層体１２ｂは、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板であり、内部にコンデンサＣ１を内蔵している。以下に、積層体１２ｂについて、図２を参照しながら詳細に説明する。

積層体１２ｂは、コンデンサＣ１を内蔵しており、絶縁層２０ａ〜２０ｉ及びコンデンサ導体３０ａ〜３０ｃが積層されて構成されている。

絶縁層２０ａ〜２０ｉは、Ｂａを含有しＳｉＯ₂を主成分としている誘電体材料（本実施形態では、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系の結晶化ガラス、ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系のセラミック、又は、Ａｌ₂Ｏ₃−Ｂａ₂Ｔｉ₄Ｏ₁₂−ＣｅＯ₂系のセラミック）からなる矩形状の層である。なお、絶縁層２０ａ〜２０ｉは、９枚記載されているが、９枚以上であってもよいし９枚以下であってもよい。

コンデンサ導体３０ａ〜３０ｃはそれぞれ、絶縁層２０ｄ〜２０ｆの主面上に、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｃｕ合金、Ｃｕ又はＡｕ等の低融点金属により形成されている。コンデンサ導体３０ａ，３０ｃはそれぞれ、容量部３１ａ，３１ｃ及び引き出し部３２ａ，３２ｃを有している。また、コンデンサ導体３０ｂは、容量部３１ｂを有している。容量部３１ａ〜３１ｃは、矩形状を有している。容量部３１ａ〜３１ｃは、絶縁層２０ａ〜２０ｉがｚ軸方向の上からこの順に積層されることにより、ｚ軸方向の上からこの順に積層され、ｚ軸方向に対向するもの同士で図３に示すコンデンサＣ１を構成している。引き出し部３２ａ，３２ｃはそれぞれ、一端が容量部３１ａ，３１ｃに接続されていると共に、他端がｙ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。また、容量部３１ａには、切り欠き部３４が設けられている。切り欠き部３４は、後述するビアホール導体ｂ７とコンデンサ導体３０ａとが短絡することを防止するために設けられている。

次に、積層体１２ａについて、図２を参照しながら詳細に説明する。積層体１２ａは、絶縁層１８ａ〜１８ｄが積層されて構成され、積層体１２ｂ上に設けられ、３つのコイルＬ１〜Ｌ３を内蔵している。

絶縁層１８ａ〜１８ｄは、例えば、ポリイミド樹脂等の絶縁性材料からなる矩形状の層である。

コイルＬ１は、コイル導体２２ｂ，２２ｄ及びビアホール導体ｂ１により構成されている。コイルＬ２は、コイル導体２２ａにより構成されている。コイルＬ３は、コイル導体２２ｃ，２２ｅ及びビアホール導体ｂ２により構成されている。コイルＬ２は、コイルＬ１及びコイルＬ３からなるコイルよりも高い抵抗値を有している。

コイル導体２２ａは、絶縁層１８ｂの主面上に、導電性材料により形成されている。コイル導体２２ｂ，２２ｃは、絶縁層１８ｃの主面上においてｘ軸方向に隣り合って並ぶように、導電性材料により形成されている。また、コイル導体２２ｄ，２２ｅは、絶縁層１８ｄの主面上においてｘ軸方向に隣り合って並ぶように、導電性材料により形成されている。ここで、コイル導体２２ｂ〜２２ｅは、例えば、抵抗率が１０^-8Ωｍ程度であるＡｇ，Ｃｕにより作製される。一方、コイル導体２２ａは、コイル導体２２ｂ〜２２ｅよりも高い抵抗率を有する材料により作製され、例えば、抵抗率が１０^-5Ωｍ程度であるＮｉＣｒや、抵抗率が１０^-6Ωｍ程度であるＴａ₂Ｎ等により作製される。

コイル導体２２ａは、コイル部２４ａ及び引き出し部２６ａを有している。コイル導体２２ｂ，２２ｃはそれぞれ、コイル部２４ｂ，２４ｃ、引き出し部２６ｂ，２６ｃ及び接続部２８ｂ，２８ｃを有している。コイル導体２２ｄ，２２ｅはそれぞれ、コイル部２４ｄ，２４ｅ及び接続部２８ｄ，２８ｅを有している。

コイル部２４ａ〜２４ｅはそれぞれ、線状導体が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。引き出し部２６ａ〜２６ｃはそれぞれ、コイル部２４ａ〜２４ｃの一端に設けられている。引き出し部２６ａは、絶縁層１８ｂのｙ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。引き出し部２６ｂ，２６ｃはそれぞれ、絶縁層１８ｃのｘ軸方向の負方向側及び正方向側の辺に引き出されている。

接続部２８ｂ〜２８ｅはそれぞれ、コイル部２４ｂ〜２４ｅの他端に設けられている。接続部２８ｂと接続部２８ｄとは、ｚ軸方向から平面視したときに互いに重なっており、接続部２８ｃと接続部２８ｅとは、ｚ軸方向から平面視したときに互いに重なっている。

ビアホール導体ｂ１，ｂ２はそれぞれ、絶縁層１８ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１は、接続部２８ｂと接続部２８ｄとを接続している。これにより、コイル導体２２ｂとコイル導体２２ｄとがビアホール導体ｂ１により接続されて、コイルＬ１を構成するようになる。また、ビアホール導体ｂ２は、接続部２８ｃと接続部２８ｅとを接続している。これにより、コイル導体２２ｃとコイル導体２２ｅとがビアホール導体ｂ２により接続されて、コイルＬ３を構成するようになる。

ここで、コイル導体２２ａとコイル導体２２ｂとは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なるように設けられている。これにより、コイルＬ１とコイルＬ２とは、容量結合し、図３に示す寄生容量Ｃｐを形成している。よって、コイルＬ２及び寄生容量Ｃｐは、図３に示すようなハイパスフィルタＨＰＦを構成するようになる。

また、コイル部２４ｄの一端とコイル部２４ｅの一端とは、絶縁層１８ｄ上において互いに接続されている。これにより、コイルＬ１とコイルＬ３とは、図３に示すように直列に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ３〜ｂ７はそれぞれ、絶縁層１８ｄ，２０ａ〜２０ｄをｚ軸方向に貫通するように設けられている。ビアホール導体ｂ３の一端は、コイル導体２２ｄとコイル導体２２ｅとの間に接続されており、ビアホール導体ｂ７の一端は、コンデンサ導体３０ｂに接続されている。これにより、コンデンサＣ１は、図３に示すように、コイルＬ１とコイルＬ３との間に接続されるようになる。すなわち、コイルＬ１，Ｌ３及びコンデンサＣ１は、図３に示すようなＴ型のローパスフィルタＬＰＦを構成するようになる。

外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、図１に示すように、積層体１２−１のｘ軸方向の負方向側及び正方向側の側面に形成され、図２に示す引き出し部２６ｂ，２６ｃと電気的に接続されている。外部電極１６ａは、図１に示すように、積層体１２−１のｙ軸方向の正方向側の側面に形成され、図２に示す引き出し部２６ａと電気的に接続されている。外部電極１６ｂは、図１に示すように、積層体１２−１のｙ軸方向の負方向側の側面に形成され、図２に示す引き出し部３２ａ，３２ｃと電気的に接続されている。

電子部品１０−１では、外部電極１４ａは、入力信号が入力する入力端子として用いられ、外部電極１４ｂは、出力信号が出力する出力端子として用いられる。外部電極１６ａ，１６ｂは、接地電位が印加される接地端子として用いられる。これにより、ローパスフィルタＬＰＦは、入力信号に含まれている所定の周波数よりも低い周波数を有する信号を通過させる。また、ハイパスフィルタＨＰＦは、入力信号に含まれている所定の周波数よりも高い周波数を有する信号（すなわち、高調波等のノイズ）を通過させる。更に、ハイパスフィルタＨＰＦを構成しているコイルＬ２は、コイルＬ１を構成している材料よりも高い抵抗率を有する材料により作製されている。そのため、ハイパスフィルタＨＰＦを通過するノイズは、コイルＬ２において熱として消費される。その結果、外部電極１４ｂからは、ノイズが除去された所定の周波数を有する出力信号が出力されるようになる。

（効果）
以上のような電子部品１０−１によれば、ハイパスフィルタＨＰＦに含まれているコイルＬ２は、ローパスフィルタＬＰＦに含まれているコイルＬ１及びコイルＬ３からなるコイルよりも高い抵抗値を有している。そのため、ハイパスフィルタＨＰＦを通過するノイズは、コイルＬ２において熱として消費される。すなわち、コイルＬ２は、ハイパスフィルタＨＰＦの一部を構成していると共に、ノイズを消費するための抵抗としても機能している。よって、電子部品１０−１では、特許文献１に記載のフィルタ回路のように、ハイパスフィルタとは別に抵抗を設ける必要がない。その結果、電子部品１０−１の積層体１２−１内に抵抗を設けるためのスペースを確保する必要がなくなり、電子部品１０−１の小型化が図られる。

また、電子部品１０−１では、ｚ軸方向から平面視したときに、コイルＬ１とコイルＬ２とが重なっているので、コイルＬ１とコイルＬ２との間に寄生容量Ｃｐが形成されている。この寄生容量Ｃｐは、コイルＬ２と共にハイパスフィルタＨＰＦを構成している。よって、電子部品１０−１では、ハイパスフィルタＨＰＦのためのコンデンサを設ける必要がない。その結果、電子部品１０−１の小型化を図ることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る電子部品１０−２について図面を参照しながら説明する。図４は、第２の実施形態に係る積層体１２−２の分解斜視図である。図５は、電子部品１０−２の等価回路図である。電子部品１０−２の外観斜視図については、図１を援用する。以下、電子部品１０−２の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０−２の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０−２の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

電子部品１０−１と電子部品１０−２との相違点は、図３及び図５の等価回路図に示すように、コンデンサＣ１の接続位置である。より詳細には、電子部品１０−１では、図３に示すように、コンデンサＣ１は、コイルＬ１とコイルＬ３との間に接続されている。一方、電子部品１０−２では、図５に示すように、コンデンサＣ１は、外部電極１４ｂとコイルＬ３との間に接続されている。以下に該相違点を中心に電子部品１０−２について説明する。

電子部品１０−２では、コンデンサＣ１は、コイルＬ１とコイルＬ３との間に接続されていない。よって、図２に示したビアホール導体ｂ３〜ｂ７は、電子部品１０−２には設けられていない。その代わり、電子部品１０−２では、図４に示すように、コンデンサ導体３０ｂが引き出し部３３を有している。引き出し部３３は、一端が容量部３１ｂに接続され、他端が絶縁層２０ｅのｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。これにより、コンデンサ導体３０ｂは、外部電極１４ｂと接続されるようになる。すなわち、コンデンサＣ１は、外部電極１４ｂとコイルＬ３との間に接続されるようになる。そして、コイルＬ１，Ｌ３及びコンデンサＣ１は、Ｌ型のローパスフィルタＬＰＦを形成するようになる。なお、電子部品１０−２のその他の構成は、電子部品１０−１のその他の構成と同じであるので説明を省略する。

以上のように構成された電子部品１０−２においても、電子部品１０−１と同様に、素子の小型化を図ることができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る電子部品１０−３について図面を参照しながら説明する。図６は、第３の実施形態に係る積層体１２−３の分解斜視図である。図７は、電子部品１０−３の等価回路図である。電子部品１０−３の外観斜視図については、図１を援用する。以下、電子部品１０−３の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０−３の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０−３の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

電子部品１０−１と電子部品１０−３との相違点は、図３及び図７の等価回路図に示すように、コンデンサＣ１の有無である。より詳細には、電子部品１０−１では、図３に示すように、コンデンサＣ１が設けられているのに対して、電子部品１０−３では、図７に示すように、コンデンサＣ１が設けられていない。以下に該相違点を中心に電子部品１０−３について説明する。

電子部品１０−３では、コンデンサＣ１が設けられていない。よって、図６に示すように、積層体１２ｂの代わりに基板１２'ｂを用いることができる。基板１２'ｂは、例えば、セラミックス基板により構成される。このように、コンデンサＣ１が設けられないことにより、電子部品１０−３では、コイルＬ１，Ｌ３は、トラップ型のローパスフィルタＬＰＦを構成するようになる。

以上のように構成された電子部品１０−３においても、電子部品１０−１と同様に、素子の小型化を図ることができる。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る電子部品１０−４について図面を参照しながら説明する。図８は、第４の実施形態に係る積層体１２−４の分解斜視図である。図９は、電子部品１０−４の等価回路図である。電子部品１０−４の外観斜視図については、図１を援用する。以下、電子部品１０−４の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０−４の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０−４の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

電子部品１０−１と電子部品１０−４との相違点は、コイルＬ３及びコンデンサＣ１の有無である。より詳細には、電子部品１０−１では、図３に示すように、コイルＬ１とコイルＬ３とが直列に接続されているのに対して、電子部品１０−４では、図９に示すように、コイルＬ３が設けられていない。また、電子部品１０−１では、図３に示すように、コンデンサＣ１が設けられているのに対して、電子部品１０−４では、図９に示すように、コンデンサＣ１が設けられていない。以下に該相違点を中心に電子部品１０−４について説明する。

コイルＬ１は、図８に示すように、コイル導体１２２ｂ，１２２ｃ及びビアホール導体ｂ１１により構成されている。コイル導体１２２ｂ，１２２ｃはそれぞれ、コイル部１２４ｂ，１２４ｃ、引き出し部１２６ｂ，１２６ｃ及び接続部１２８ｂ，１２８ｃを有している。

コイル部１２４ｂ，１２４ｃはそれぞれ、線状導体が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。引き出し部１２６ｂ，１２６ｃはそれぞれ、コイル部１２４ｂ，１２４ｃの一端に設けられている。引き出し部１２６ｂは、絶縁層１８ｃのｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。引き出し部１２６ｃは、絶縁層１８ｄのｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。

接続部１２８ｂ，１２８ｃはそれぞれ、コイル部１２４ｂ，１２４ｃの他端に設けられている。接続部１２８ｂと接続部１２８ｃとは、ｚ軸方向から平面視したときに互いに重なっている。

ビアホール導体ｂ１１は、絶縁層１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、接続部１２８ｂと接続部１２８ｃとを接続している。これにより、コイル導体１２２ｂとコイル導体１２２ｃとがビアホール導体ｂ１１により接続されて、コイルＬ１を構成するようになる。

コイルＬ２は、図８に示すように、コイル導体１２２ａにより構成されている。コイル導体１２２ａは、コイル部１２４ａ及び引き出し部１２６ａを有している。

コイル部１２４ａは、線状導体が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。更に、コイル部１２４ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル部１２４ｂと重なるように設けられている。よって、コイルＬ１とコイルＬ２とは、図９に示すように、寄生容量Ｃｐを形成している。

引き出し部１２６ａは、コイル部１２４ａの一端に設けられ、絶縁層１８ｂのｙ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。

ここで、電子部品１０−４における外部電極１４ａ，１４ｂ、１６ａ，１６ｂの構成は、電子部品１０−１における外部電極１４ａ，１４ｂ、１６ａ，１６ｂと同じである。よって、外部電極１４ａは、引き出し部１２６ｂに接続され、外部電極１４ｂは、引き出し部１２６ｃに接続されている。また、外部電極１６ａは、引き出し部１２６ａに接続されている。以上のような構成を有する電子部品１０−４によれば、図９に示すように、コイルＬ１は、トラップ型のローパスフィルタＬＰＦを構成する。

以上のように構成された電子部品１０−４においても、電子部品１０−１と同様に、素子の小型化を図ることができる。

（製造方法）
以上のように構成された電子部品１０−１〜１０−４の製造方法について、以下に説明する。ここでは、電子部品１０−１〜１０−４の製造方法の一例として、電子部品１０−１の製造方法について説明する。以下では、１個分の電子部品１０−１の製造工程が示されているが、実際には、複数の電子部品１０−１がマトリクス状に配置された状態で一括して製造されている。

まず、図２に示すような積層体１２ｂを作製する。より詳細には、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｅＯ₃とＢａ₂Ｔｉ₄Ｏ₁₂とＣａ−Ａｌ−Ｂ−Ｓｉ系ガラス粉末とを原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、セラミック粉末を得る。

このセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、絶縁層２０ａ〜２０ｉとなるべきセラミックグリーンシートを得る。

次に、絶縁層２０ａ〜２０ｄとなるべきセラミックグリーンシートに対してビームを照射することにより、ビアホール導体ｂ４〜ｂ7が形成されるべき位置にビアホールを形成する。

次に、絶縁層２０ｄ〜２０ｆとなるべきセラミックグリーンシート上には、Ａｇ，Ｃｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストがスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布されることにより、コンデンサ導体３０ａ〜３０ｃが形成される。このとき、ビアホール導体ｂ７も形成される。また、絶縁層２０ａ〜２０ｃに形成したビアホールに対して導電性ペーストを充填することにより、ビアホール導体ｂ４〜ｂ６を形成する。

次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、上から順に絶縁層２０ａ〜２０ｉを重ねて静水圧プレスなどにより圧着を行う。この後、１０００℃以下の温度で焼成を施して、積層体１２ｂのマザー積層体が得られる。

次に、図２に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁層１８ｄを、積層体１２ｂ上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、絶縁層１８ｄのビアホール導体ｂ３が形成されるべき位置に、ビアホールを形成する。

次に、絶縁層１８ｄ上に、Ａｇ又はＣｕを主成分とした導電性材料からなる導電層をスパッタリングや蒸着等のドライめっき法により形成する。この際、ビアホールに導電性材料が充填され、ビアホール導体ｂ３が形成される。次に、導電層上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所定の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、導電層の不要な部分が露出した形状を有するレジストパターンを形成する。

次に、露出した部分の導電層をエッチングにて除去した後、レジストパターンを除去することにより、図２に示すようなコイル導体２２ｄ，２２ｅを形成する。

次に、ポリイミド樹脂からなる絶縁層１８ｃを、絶縁層１８ｄ及びコイル導体２２ｄ，２２ｅ上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、絶縁層１８ｃのビアホール導体ｂ１，ｂ２が形成されるべき位置に、ビアホールを形成する。

次に、絶縁層１８ｃ上に、導電層をドライめっき法により形成する。この際、ビアホールに導電性材料が充填され、ビアホール導体ｂ１，ｂ２が形成される。この後、この導電層には、レジストパターンの形成、エッチング及びレジストパターンの除去が施されるが、これらの処理は既に説明を行ったのでこれ以上の説明を省略する。これにより、コイル導体２２ｂ，２２ｃ及び絶縁層１８ｃが、絶縁層１８ｄ上に形成される。更に、同様の処理が繰り返されて、絶縁層１８ａ，１８ｂ及びコイル導体２２ａが形成される。

次に、積層体１２−１のマザー積層体がダイサーによりカットされて、個々の積層体１２−１に切り離される。更に、カットした積層体１２−１に対してバレルを施す。これにより、積層体１２−１の角の面取りが行われる。

最後に、外部電極１４ａ，１４，１６ａ，１６ｂを形成する。具体的には、Ａｇ及び樹脂からなる導電性ペーストを塗布し、硬化させて銀電極を形成する。次に、銀電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきを施して、外部電極１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂが形成される。以上の工程を経て、電子部品１０−１が完成する。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記実施形態に示された電子部品１０−１〜１０−４に限らず、その要旨の範囲内において変更されてもよい。

なお、電子部品１０−１〜１０−４において、コイルＬ１とコイルＬ２とは、ｚ軸方向から平面視したときに、略一致した状態で重なっている。しかしながら、コイルＬ１とコイルＬ２とは、必ずしも、ｚ軸方向から平面視したときに、略一致した状態で重なっていなくてもよい。すなわち、コイルＬ１とコイルＬ２との重なりの量を調整することによって、寄生容量Ｃｐの大きさを調整し、ハイパスフィルタＨＰＦのカットオフ周波数を調整してもよい。

また、コイル導体２２ａ〜２２ｅ，１２２ａ〜１２２ｃは、例示した材料によって作製される必要はない。ただし、コイル導体２２ａ〜２２ｅ，１２２ａ〜１２２ｃの材料は、フォトリソグラフィにより加工可能な材料であることが好ましい。

なお、コイル導体２２の線幅や巻き数を調整することによって、コイルＬ２の抵抗値をコイルＬ１，Ｌ３の抵抗値よりも大きくしてもよい。

実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 第１の実施形態に係る積層体の分解斜視図である。 図２の電子部品の等価回路図である。 第２の実施形態に係る積層体の分解斜視図である。 図４の電子部品の等価回路図である。 第３の実施形態に係る積層体の分解斜視図である。 図６の電子部品の等価回路図である。 第４の実施形態に係る積層体の分解斜視図である。 図８の電子部品の等価回路図である。

符号の説明

Ｃ１ コンデンサ
Ｃｐ 寄生容量
ＨＰＦ ハイパスフィルタ
Ｌ１〜Ｌ３ コイル
ＬＰＦ ローパスフィルタ
ｂ１〜ｂ７，ｂ１１ ビアホール導体
１０−１〜１０−４ 電子部品
１２−１〜１２−４，１２ａ，１２ｂ 積層体
１２’ｂ 基板
１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ 外部電極
１８ａ〜１８ｄ，２０ａ〜２０ｉ 絶縁層
２２ａ〜２２ｅ，１２２ａ〜１２２ｃ コイル導体
２４ａ〜２４ｅ，１２４ａ〜１２４ｃ コイル部
２６ａ〜２６ｃ，３２ａ，３２ｃ，３３，１２６ａ〜１２６ｃ 引き出し部
２８ｂ〜２８ｅ，１２８ｂ，１２８ｃ 接続部
３０ａ〜３０ｃ コンデンサ導体
３１ａ〜３１ｃ 容量部
３４ 切り欠き部

Claims (3)

1. 入力信号に含まれている所定の周波数を有する信号を出力信号として出力する電子部品であって、
   前記所定の周波数を有する信号を通過させ、かつ、第１のコイルを含む第１のフィルタと、
   前記所定の周波数以外の周波数を有する信号を通過させ、かつ、前記第１のコイルに容量結合している第２のコイルを含む第２のフィルタと、
   前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタを内蔵し、かつ、複数の絶縁層が積層されてなる積層体と、
   を備え、
   前記第２のコイルは、前記第１のコイルよりも高い抵抗値を有していること、
   を特徴とする電子部品。
2. 前記第２のコイルは、前記第１のコイルよりも抵抗率の高い材料により作製されていること、
   を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第１のフィルタは、ローパスフィルタであり、
   前記第２のフィルタは、ハイパスフィルタであること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。

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