WO2019102830A1 - バンドパスフィルタ - Google Patents

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谷口　哲夫
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a band pass filter comprising a plurality of LC resonators.
  • a band pass filter comprising a plurality of LC resonators.
  • WO 2011/114851 discloses a band pass filter including a three-stage LC resonator and a ground impedance adjustment circuit. According to the band pass filter, an attenuation pole can be provided in the attenuation band near the low frequency side of the pass band.
  • Patent Document 1 does not specifically disclose a configuration for forming an attenuation pole in the vicinity of a desired frequency higher than the pass band of the band pass filter.
  • the present invention has been made to solve the problems as described above, and an object thereof is to form an attenuation pole near a desired frequency lower than the pass band of a band pass filter and to make the desired higher than the pass band. Form an attenuation pole near the frequency of.
  • the signal input to the first terminal is transmitted in order of the first LC resonator and the second LC resonator and output from the second terminal.
  • the first LC resonator includes a first inductor and a first capacitor. The first capacitor is connected in parallel with the first inductor.
  • the second LC resonator includes a second inductor and a second capacitor. The second capacitor is connected in parallel with the second inductor.
  • the band pass filter includes a third inductor and a third capacitor. One end of the third inductor is grounded. The third capacitor is connected between the other end of the third inductor and the connection point of the first and second LC resonators.
  • the third capacitor connected between the other end of the third inductor whose one end is grounded and the connection point of the first and second LC resonators
  • An attenuation pole can be formed near a desired frequency lower than the band, and an attenuation pole can be formed near a desired frequency higher than the passband.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a band pass filter according to a first embodiment.
  • FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a band pass filter according to a comparative example of the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing the insertion loss of the band pass filter of FIG. 1 and the insertion loss of the band pass filter of FIG. 2 together.
  • 5 is another equivalent circuit diagram of the band pass filter according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a band pass filter according to a second embodiment. It is a figure which shows the insertion loss of the band pass filter of FIG.
  • FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of a band pass filter according to a third embodiment. It is a figure which shows the insertion loss of the band pass filter of FIG.
  • FIG. 16 is an equivalent circuit diagram of a band pass filter according to a first modification of the third embodiment.
  • FIG. 16 is an equivalent circuit diagram of a band pass filter according to a second modification of the third embodiment.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100 according to the first embodiment.
  • the band pass filter 100 includes terminals P1 and P2, LC resonators 101 and 102, an inductor 13 and a capacitor 23.
  • the LC resonators 101 and 102 are connected at a connection point CP.
  • the LC resonator 101 includes an inductor 11 and a capacitor 21.
  • the inductor 11 and the capacitor 21 are connected in parallel between the terminal P1 and the connection point CP.
  • the LC resonator 102 includes an inductor 12 and a capacitor 22.
  • the inductor 12 and the capacitor 22 are connected in parallel between the terminal P2 and the connection point CP.
  • the inductor 11 is magnetically coupled to the inductor 12. Magnetic coupling is coupling via magnetic flux in which the magnetic flux between the inductors changes in accordance with a change in current flowing through one of the inductors, and an induced electromotive force is generated in the other inductor.
  • the capacitor 23 is connected between the other end of the inductor 13 and the connection point CP.
  • the signal input to the terminal P1 is transmitted in the order of the LC resonator 101 and the LC resonator 102 and output from the terminal P2.
  • the signal input to the terminal P2 is transmitted to the LC resonator 102 and the LC resonator 101 in this order and output from the terminal P1.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 900 according to the comparative example of the first embodiment.
  • the equivalent circuit diagram of the band pass filter 900 of FIG. 2 is an equivalent circuit diagram in which the capacitor 23 is removed from the equivalent circuit diagram of the band pass filter 100 of FIG.
  • the other configuration is the same, so the description will not be repeated.
  • FIG. 3 is a diagram showing the insertion loss IL10 of the band pass filter 100 of FIG. 1 and the insertion loss IL90 of the band pass filter 900 of FIG.
  • the pass bands of the band pass filters 100 and 900 are both in the frequency band f41 to f42 (> f41).
  • the attenuation (dB) on the vertical axis is a negative value.
  • the insertion loss is an index indicating the ratio of the signal transmitted to the other terminal of the electronic component out of the signals input to the certain terminal of the electronic component.
  • an attenuation pole may be required near a desired frequency other than the pass band.
  • a sufficient attenuation pole is not formed as shown by the insertion loss IL90.
  • attenuation poles are formed at the frequency f51 ( ⁇ f41), the frequency f52 (> f42), and the frequency f53 (> f52).
  • the curve showing the insertion loss IL10 is steeper than the curve showing IL90, with regard to the aspect of the change in attenuation in the frequency bands f51 to f41 and f42 to f52.
  • the band pass filter 100 can form an attenuation pole at the frequency of division of the pass frequency (for example, the center frequency of the pass band) and the frequency of multiplication.
  • summary of the mechanism in which an attenuation pole is formed in desired frequency vicinity is demonstrated.
  • the impedance (L ⁇ 2 ⁇ f) of the inductor of the inductance L increases.
  • the impedance (1 / (C ⁇ 2 ⁇ f)) of the capacitor of the capacitor C decreases as the frequency f of the signal to be passed increases.
  • the impedance of the inductor is relatively smaller than the frequency of the pass band as compared to the impedance of the capacitor.
  • the impedance of the inductor becomes relatively larger than the impedance of the capacitor than the frequency of the pass band.
  • the signal path passing through the inductor 11 is more dominant than the signal path passing through the capacitor 21, the capacitor 23 and the inductor 13.
  • the signal path passing through the inductor 12, the capacitor 23 and the inductor 13 is more dominant than the signal path passing through the capacitor 22, the capacitor 23 and the inductor 13.
  • the frequency f51 By setting the resonance frequency of the series resonator formed by the inductor 11, the capacitor 23, and the inductor 13 and the resonance frequency of the series resonator formed by the inductor 12, the capacitor 23, and the inductor 13 near the frequency f51, the frequency f51 An attenuation pole is formed in the vicinity.
  • the signal path via the capacitor 21, the capacitor 23 and the inductor 13 is more dominant than the signal path via the inductor 11, the capacitor 23 and the inductor 13. Similarly, the signal path passing through the capacitor 22, the capacitor 23 and the inductor 13 is more dominant than the signal path passing through the inductor 12, the capacitor 23 and the inductor 13.
  • the capacitor 23 and the inductor 13 By setting the resonance frequency of the series resonator formed by the capacitor 21, the capacitor 23 and the inductor 13 and the resonance frequency of the series resonator formed by the capacitor 22, the capacitor 23 and the inductor 13 near the frequency f53, the frequency f53 An attenuation pole is formed in the vicinity.
  • the inductors 11 and 12 magnetically coupled in FIG. 1 are replaced with the inductors 11A, 12A and 112 shown in FIG.
  • the inductor 112 is connected in series with the inductor 11A between the terminal P1 and the connection point CP.
  • the inductor 112 is connected in series with the inductor 12A between the terminal P2 and the connection point CP.
  • Capacitor 21 is connected in parallel with inductors 11A and 112.
  • Capacitor 22 is connected in parallel with inductors 12A and 112.
  • the LC resonators 101 and 102 share an inductor 112.
  • the frequency f51 is, for example, 1/2 frequency division of the center frequency of the pass bands f41 to f42 of the band pass filter 100.
  • the frequencies f52 and f53 are, for example, multiplications such as twice and three times the center frequency.
  • the attenuation pole can be formed in the vicinity of the desired frequency lower than the passband, and the attenuation pole is formed in the vicinity of the desired frequency higher than the passband. be able to.
  • FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 200 according to the second embodiment.
  • the equivalent circuit diagram of the band pass filter 200 of FIG. 5 has the inductor 14 added to the equivalent circuit diagram of the band pass filter 100 of FIG. 1, and the LC resonators 101 and 102 are replaced with LC resonators 201 and 202, respectively.
  • FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of FIG. The other configuration is similar to that of the band pass filter 100, and therefore the description will not be repeated.
  • the inductor 14 is connected in series with the inductor 11 between the terminal P1 and the connection point CP.
  • the inductor 14 is connected in series with the inductor 12 between the terminal P2 and the connection point CP.
  • Capacitor 21 is connected in parallel with inductors 11 and 14.
  • Capacitor 22 is connected in parallel with inductors 12 and 14.
  • the inductors 11 and 12 do not have to be magnetically coupled.
  • FIG. 6 is a diagram showing the respective insertion losses IL24 to IL26 when the inductance of the inductor 14 is changed in three steps in the band pass filter 200 of FIG.
  • the inductance of the inductor 14 in each of the insertion losses IL24 to IL26 increases in the order of the insertion losses IL24 to IL26.
  • the frequencies f60 to f66 at which the attenuation pole is formed are higher in the order of the frequencies f60 to f66.
  • the pass band of the band pass filter 200 is a frequency band f43 to f44 (> f43).
  • the insertion losses IL24 to IL26 all have an attenuation pole in the vicinity of the frequency f60 ( ⁇ f43).
  • the insertion loss IL24 has attenuation poles at frequencies f61 and f66.
  • the insertion loss IL25 attenuation poles are formed at frequencies f62 and f65.
  • the insertion loss IL26 attenuation poles are formed at frequencies f63 and f64.
  • Changing the inductance of the inductor 14 corresponds to changing the strength of the magnetic coupling between the inductors 11 and 12 in FIG. 1 of the first embodiment, as described with reference to FIG. Changing the inductance of the inductor 14 forming a physical connection is more stable and easier than changing the strength of the magnetic coupling not forming a physical connection. According to the band pass filter of the second embodiment, the frequency of the attenuation pole can be stably and easily changed.
  • the attenuation pole can be formed in the vicinity of the desired frequency lower than the passband, and the attenuation pole is formed in the vicinity of the desired frequency higher than the passband. be able to.
  • FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 300 according to the third embodiment.
  • the equivalent circuit diagram of the band pass filter 300 of FIG. 7 is an equivalent circuit diagram in which the inductors 15 and 16 are added to the equivalent circuit diagram of the band pass filter 200 of FIG.
  • the other configuration is similar to that of the band pass filter 200, so the description will not be repeated.
  • the inductor 15 is connected in series with the capacitor 21 between the terminal P1 and the connection point CP.
  • the capacitor 21 is connected between the inductor 15 and the connection point CP.
  • the inductor 16 is connected in series with the capacitor 22 between the terminal P2 and the connection point CP.
  • the capacitor 22 is connected between the inductor 16 and the connection point CP.
  • the inductance of the inductor 15 is equal to the inductance of the inductor 16.
  • the inductance of the inductor 15 may not be equal to the inductance of the inductor 16.
  • FIG. 8 is a diagram collectively showing the insertion losses IL31 and IL32 of the band pass filter 300 of FIG. 7 when the inductances of the inductors 15 and 16 are changed in two steps.
  • the inductances of the inductors 15 and 16 in each of the insertion losses IL31 and IL32 decrease in the order of the insertion losses IL31 and IL32.
  • the frequency at which the attenuation pole is formed is higher in the order of the frequencies f91 to f95.
  • the pass band of the insertion loss IL31 is a frequency band f71 to f72 (> f71).
  • the pass band of the insertion loss IL32 is a frequency band f81 to f82 (> f81).
  • the frequency f81 is higher than the frequency f71, and the frequency f82 is higher than the frequency f72.
  • the pass band of the insertion loss IL32 has moved to a frequency band higher than the pass band of the insertion loss IL31.
  • Attenuation poles are formed around the frequency f91 in both of the insertion losses IL31 and IL32.
  • attenuation poles are formed in the insertion loss IL31 at frequencies f92 (> f72) and f94.
  • attenuation poles are formed at frequencies f93 (> f83) and f95.
  • the attenuation poles formed at the frequencies f92 and f94 of the insertion loss IL31 are respectively moved to the attenuation poles formed at the higher frequencies f93 and f95 at the insertion loss IL32 There is.
  • inductor 15 and capacitor 21 are connected in series in this order between terminal P1 and connection point CP, and between terminal P2 and connection point CP.
  • the case where the inductor 16 and the capacitor 22 are connected in series in this order has been described.
  • the order in which the inductor 15 and the capacitor 21 and the inductor 16 and the capacitor 22 are connected in series is the same as the equivalent circuit diagram of the band pass filter 310 according to the first modification of the third embodiment shown in FIG. And may be reversed.
  • the design circuit can be obtained by adopting the equivalent circuit shown in FIG. 7 rather than the equivalent circuit shown in FIG.
  • the band pass filter can be miniaturized because it can be used efficiently.
  • an inductor for adjusting the frequency of the attenuation pole is added to the band pass filter according to the second embodiment.
  • An inductor for adjusting the frequency of the attenuation pole may be added to the band pass filter according to the first embodiment as in the band pass filter 320 according to the second modification of the third embodiment shown in FIG. it can.
  • the attenuation pole can be formed in the vicinity of a desired frequency lower than the passband, and the vicinity of the desired frequency higher than the passband Can form an attenuation pole.

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Abstract

バンドパスフィルタの通過帯域よりも低い所望の周波数付近に減衰極を形成するとともに、通過帯域よりも高い所望の周波数付近において減衰極を形成する。本発明の一実施形態によるバンドパスフィルタ（１００）においては、第１端子（Ｐ１）に入力された信号が、第１ＬＣ共振器（１０１）、および第２ＬＣ共振器（１０２）の順に伝達されて、第２端子（Ｐ２）から出力される。バンドパスフィルタ（１００）は、第３インダクタ（１３）と、第３キャパシタ（２３）とを備える。第３インダクタ（１３）の一方端は接地されている。第３キャパシタ（２３）は、第３インダクタ（１３）の他方端と、第１ＬＣ共振器（１０１）および第２ＬＣ共振器（１０２）の接続点（ＣＰ）との間に接続されている。

Description

バンドパスフィルタ
　本発明は、複数のＬＣ共振器を備えるバンドパスフィルタに関する。
　従来、複数のＬＣ共振器を備えるバンドパスフィルタが知られている。たとえば、国際公開第２０１１／１１４８５１号（特許文献１）には、３段のＬＣ共振器、およびグランドインピーダンス調整回路を備えるバンドパスフィルタが開示されている。当該バンドパスフィルタによれば、通過帯域の低周波数側近傍の減衰帯域に減衰極を設けることができる。
国際公開第２０１１／１１４８５１号
　バンドパスフィルタに求められる周波数特性によっては、通過帯域よりも高い所望の周波数付近において減衰極が必要になる場合がある。しかし、特許文献１には、バンドパスフィルタの通過帯域よりも高い所望の周波数付近において減衰極を形成するための構成については具体的に開示されていない。
　本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、バンドパスフィルタの通過帯域よりも低い所望の周波数付近に減衰極を形成するとともに、通過帯域よりも高い所望の周波数付近において減衰極を形成することである。
　本発明の一実施形態によるバンドパスフィルタにおいては、第１端子に入力された信号が、第１ＬＣ共振器、および第２ＬＣ共振器の順に伝達されて、第２端子から出力される。第１ＬＣ共振器は、第１インダクタと、第１キャパシタとを含む。第１キャパシタは、第１インダクタと並列に接続されている。第２ＬＣ共振器は、第２インダクタと、第２キャパシタとを含む。第２キャパシタは、第２インダクタと並列に接続されている。バンドパスフィルタは、第３インダクタと、第３キャパシタとを備える。第３インダクタの一方端は、接地されている。第３キャパシタは、第３インダクタの他方端と、第１および第２ＬＣ共振器の接続点との間に接続されている。
　本発明に係るバンドパスフィルタによれば、一方端が接地されている第３インダクタの他方端と、第１および第２ＬＣ共振器の接続点との間に接続されている第３キャパシタにより、通過帯域よりも低い所望の周波数付近に減衰極を形成することができるとともに、通過帯域よりも高い所望の周波数付近において減衰極を形成することができる。
実施の形態１に係るバンドパスフィルタの等価回路図である。 実施の形態１の比較例に係るバンドパスフィルタの等価回路図である。 図１のバンドパスフィルタの挿入損失、および図２のバンドパスフィルタの挿入損失を併せて示す図である。 実施の形態１に係るバンドパスフィルタの他の等価回路図である。 実施の形態２に係るバンドパスフィルタの等価回路図である。 図５のバンドパスフィルタの挿入損失を示す図である。 実施の形態３に係るバンドパスフィルタの等価回路図である。 図７のバンドパスフィルタの挿入損失を示す図である。 実施の形態３の変形例１に係るバンドパスフィルタの等価回路図である。 実施の形態３の変形例２に係るバンドパスフィルタの等価回路図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は原則として繰り返さない。
　［実施の形態１］
　図１は、実施の形態１に係るバンドパスフィルタ１００の等価回路図である。図１に示されるように、バンドパスフィルタ１００は、端子Ｐ１，Ｐ２と、ＬＣ共振器１０１，１０２と、インダクタ１３と、キャパシタ２３とを備える。
　ＬＣ共振器１０１および１０２は、接続点ＣＰにおいて接続されている。ＬＣ共振器１０１は、インダクタ１１と、キャパシタ２１とを含む。インダクタ１１とキャパシタ２１とは、端子Ｐ１と接続点ＣＰとの間で並列に接続されている。ＬＣ共振器１０２は、インダクタ１２と、キャパシタ２２とを含む。インダクタ１２とキャパシタ２２とは、端子Ｐ２と接続点ＣＰとの間で並列に接続されている。インダクタ１１は、インダクタ１２と磁気結合している。なお、磁気結合とは、一方のインダクタに流れる電流の変化に伴ってインダクタ間の磁束が変化し、他方のインダクタに誘導起電力が生じるという、磁束を介した結合である。
　インダクタ１３の一方端は、接地されている。キャパシタ２３は、インダクタ１３の他方端と接続点ＣＰとの間に接続されている。
　端子Ｐ１に入力された信号は、ＬＣ共振器１０１、およびＬＣ共振器１０２の順に伝達されて、端子Ｐ２から出力される。端子Ｐ２に入力された信号は、ＬＣ共振器１０２、およびＬＣ共振器１０１の順に伝達されて、端子Ｐ１から出力される。
　図２は、実施の形態１の比較例に係るバンドパスフィルタ９００の等価回路図である。図２のバンドパスフィルタ９００の等価回路図は、図１のバンドパスフィルタ１００の等価回路図からキャパシタ２３が除かれた等価回路図である。それ以外の構成は同様であるため、説明を繰り返さない。
　図３は、図１のバンドパスフィルタ１００の挿入損失ＩＬ１０、および図２のバンドパスフィルタ９００の挿入損失ＩＬ９０を併せて示す図である。バンドパスフィルタ１００および９００の通過帯域は、いずれも周波数帯ｆ４１～ｆ４２（＞ｆ４１）である。
　図３において縦軸の減衰量（ｄＢ）はマイナスの値である。減衰量の絶対値が大きいほど挿入損失は大きい。挿入損失とは、電子部品の或る端子に入力された信号のうち、電子部品の他の端子に伝達された信号の割合を示す指標である。挿入損失が大きい程、電子部品に入力された信号のうち当該電子部品の内部で失われた信号の割合が大きいことを意味する。実施の形態２の図６、および実施の形態３の図８においても同様である。
　バンドパスフィルタに求められる周波数特性によっては、通過帯域以外の所望の周波数付近において減衰極が必要になる場合がある。しかし、図３に示される周波数帯においては、挿入損失ＩＬ９０に示されるように、十分な減衰極が形成されていない。一方、挿入損失ＩＬ１０に示されるように、周波数ｆ５１（＜ｆ４１）、周波数ｆ５２（＞ｆ４２）、および周波数ｆ５３（＞ｆ５２）において減衰極が形成されている。
　周波数帯ｆ５１～ｆ４１およびｆ４２～ｆ５２における減衰量の変化の態様に関して、挿入損失ＩＬ１０を示す曲線カーブの方がＩＬ９０を示す曲線カーブよりも急峻である。バンドパスフィルタ１００によれば、通過周波数（たとえば通過帯域の中心周波数）の分周の周波数、および逓倍の周波数において減衰極を形成することができる。
　以下では、実施の形態に係るバンドパスフィルタにおいて、所望の周波数付近に減衰極が形成されるメカニズムの概要を説明する。通過する信号の周波数ｆが高くなるほど、インダクタンスＬのインダクタのインピーダンス（Ｌ・２πｆ）は増加する。一方、通過する信号の周波数ｆが高くなるほど、容量Ｃのキャパシタのインピーダンス（１／（Ｃ・２πｆ））は減少する。バンドパスフィルタの通過帯域よりも周波数を低くすると、通過帯域の周波数よりもインダクタのインピーダンスはキャパシタのインピーダンスと比較して相対的に小さくなる。一方、バンドパスフィルタの通過帯域よりも周波数を高くすると、通過帯域の周波数よりもインダクタのインピーダンスはキャパシタのインピーダンスと比較して相対的に大きくなる。
　接地点ＧＮＤに至る周波数ｆ５１における信号経路に関して、キャパシタ２１，キャパシタ２３，インダクタ１３を経由する信号経路よりもインダクタ１１，キャパシタ２３，インダクタ１３を経由する信号経路の方が支配的な信号経路となる。同様に、キャパシタ２２，キャパシタ２３，インダクタ１３を経由する信号経路よりもインダクタ１２，キャパシタ２３，インダクタ１３を経由する信号経路の方が支配的な信号経路となる。
　インダクタ１１，キャパシタ２３、およびインダクタ１３によって形成される直列共振器の共振周波数およびインダクタ１２，キャパシタ２３、およびインダクタ１３によって形成される直列共振器の共振周波数を周波数ｆ５１付近とすることにより、周波数ｆ５１付近に減衰極が形成される。
　接地点ＧＮＤに至る周波数ｆ５３における信号経路に関して、インダクタ１１，キャパシタ２３，インダクタ１３を経由する信号経路よりもキャパシタ２１，キャパシタ２３，インダクタ１３を経由する信号経路の方が支配的な信号経路となる。同様に、インダクタ１２，キャパシタ２３，インダクタ１３を経由する信号経路よりもキャパシタ２２，キャパシタ２３，インダクタ１３を経由する信号経路の方が支配的な信号経路となる。
　キャパシタ２１，キャパシタ２３、およびインダクタ１３によって形成される直列共振器の共振周波数およびキャパシタ２２，キャパシタ２３、およびインダクタ１３によって形成される直列共振器の共振周波数を周波数ｆ５３付近とすることにより、周波数ｆ５３付近に減衰極が形成される。
　図１および図４を参照しながら、図１において磁気結合しているインダクタ１１と１２とは、図４に示されるインダクタ１１Ａ，１２Ａ，１１２に置き換えられる。インダクタ１１２は、端子Ｐ１と接続点ＣＰとの間でインダクタ１１Ａと直列に接続されている。インダクタ１１２は、端子Ｐ２と接続点ＣＰとの間でインダクタ１２Ａと直列に接続されている。キャパシタ２１は、インダクタ１１Ａおよび１１２と並列に接続されている。キャパシタ２２は、インダクタ１２Ａおよび１１２と並列に接続されている。ＬＣ共振器１０１および１０２は、インダクタ１１２を共有している。インダクタ１１Ａ，１２Ａ，キャパシタ２１，２２によってそれぞれ形成される並列共振器の共振周波数を周波数ｆ５２付近とすることにより、周波数ｆ５２付近に減衰極が形成される。
　周波数ｆ５１は、たとえばバンドパスフィルタ１００の通過帯域ｆ４１～ｆ４２の中心周波数の１／２倍などの分周である。周波数ｆ５２，ｆ５３は、たとえば中心周波数の２倍、および３倍などの逓倍である。
　以上、実施の形態１に係るバンドパスフィルタによれば、通過帯域よりも低い所望の周波数付近に減衰極を形成することができるとともに、通過帯域よりも高い所望の周波数付近において減衰極を形成することができる。
　［実施の形態２］
　図５は、実施の形態２に係るバンドパスフィルタ２００の等価回路図である。図５のバンドパスフィルタ２００の等価回路図は、図１のバンドパスフィルタ１００の等価回路図にインダクタ１４が加えられているとともに、ＬＣ共振器１０１，１０２がＬＣ共振器２０１，２０２にそれぞれ置き換えられた等価回路図である。それ以外の構成はバンドパスフィルタ１００と同様であるため、説明を繰り返さない。
　図５に示されるように、インダクタ１４は、端子Ｐ１と接続点ＣＰとの間でインダクタ１１と直列に接続されている。インダクタ１４は、端子Ｐ２と接続点ＣＰとの間でインダクタ１２と直列に接続されている。キャパシタ２１は、インダクタ１１および１４と並列に接続されている。キャパシタ２２は、インダクタ１２および１４と並列に接続されている。
　実施の形態２においては、ＬＣ共振器２０１および２０２がインダクタ１４を共有しているため、磁気結合よりも物理的な接続を介した信号伝達が支配的となる。そのため、インダクタ１１とインダクタ１２とが磁気結合していなくてもよい。
　図６は、図５のバンドパスフィルタ２００において、インダクタ１４のインダクタンスを３段階に変化させた場合の、それぞれの挿入損失ＩＬ２４～ＩＬ２６を併せて示す図である。挿入損失ＩＬ２４～ＩＬ２６の各場合のインダクタ１４のインダクタンスは、挿入損失ＩＬ２４～ＩＬ２６の順に大きい。減衰極が形成されている周波数ｆ６０～ｆ６６は、周波数ｆ６０～ｆ６６の順に高い。バンドパスフィルタ２００の通過帯域は、周波数帯ｆ４３～ｆ４４（＞ｆ４３）である。
　図６に示されるように、通過帯域ｆ４３～ｆ４４よりも低い周波数帯において、挿入損失ＩＬ２４～ＩＬ２６は、いずれも周波数ｆ６０（＜ｆ４３）付近において減衰極が発生している。通過帯域ｆ４３～ｆ４４よりも高い周波数帯において、挿入損失ＩＬ２４には、周波数ｆ６１およびｆ６６に減衰極が形成されている。挿入損失ＩＬ２５には、周波数ｆ６２およびｆ６５に減衰極が形成されている。挿入損失ＩＬ２６には、周波数ｆ６３およびｆ６４に減衰極が形成されている。インダクタ１４のインダクタンスを変化させることにより、バンドパスフィルタ２００の通過帯域よりも高い周波数帯に形成される減衰極の周波数を変化させることができる。
　インダクタ１４のインダクタンスを変化させることは、図４を用いて説明したように、実施の形態１の図１のインダクタ１１と１２との間の磁気結合の強さを変化させることに相当する。物理的な接続を形成しているインダクタ１４のインダクタンスを変化させる方が、物理的な接続を形成していない磁気結合の強さを変化させるよりも、安定的かつ容易である。実施の形態２に係るバンドパスフィルタによれば、減衰極の周波数を安定的かつ容易に変化させることができる。
　以上、実施の形態２に係るバンドパスフィルタによれば、通過帯域よりも低い所望の周波数付近に減衰極を形成することができるとともに、通過帯域よりも高い所望の周波数付近において減衰極を形成することができる。
　［実施の形態３］
　図７は、実施の形態３に係るバンドパスフィルタ３００の等価回路図である。図７のバンドパスフィルタ３００の等価回路図は、図５のバンドパスフィルタ２００の等価回路図にインダクタ１５，１６が追加された等価回路図である。それ以外の構成はバンドパスフィルタ２００と同様であるため、説明を繰り返さない。
　インダクタ１５は、端子Ｐ１と接続点ＣＰとの間でキャパシタ２１と直列に接続されている。キャパシタ２１は、インダクタ１５と接続点ＣＰとの間に接続されている。インダクタ１６は、端子Ｐ２と接続点ＣＰとの間でキャパシタ２２と直列に接続されている。キャパシタ２２は、インダクタ１６と接続点ＣＰとの間に接続されている。インダクタ１５のインダクタンスは、インダクタ１６のインダクタンスに等しい。インダクタ１５のインダクタンスは、インダクタ１６のインダクタンスと等しくなくともよい。
　図８は、インダクタ１５および１６のインダクタンスを２段階に変化させた場合の、図７のバンドパスフィルタ３００の挿入損失ＩＬ３１およびＩＬ３２を併せて示す図である。挿入損失ＩＬ３１，ＩＬ３２の各場合のインダクタ１５および１６のインダクタンスは、挿入損失ＩＬ３１，ＩＬ３２の順に小さい。減衰極が形成されている周波数は、周波数ｆ９１～ｆ９５の順に高い。
　図８に示されるように、挿入損失ＩＬ３１の通過帯域は、周波数帯ｆ７１～ｆ７２（＞ｆ７１）である。挿入損失ＩＬ３２の通過帯域は、周波数帯ｆ８１～ｆ８２（＞ｆ８１）である。周波数ｆ８１は、周波数ｆ７１よりも高く、周波数ｆ８２は、周波数ｆ７２よりも高い。挿入損失ＩＬ３２の通過帯域は、挿入損失ＩＬ３１の通過帯域よりも高い周波帯へ移動している。
　通過帯域より低い周波数帯において、挿入損失ＩＬ３１およびＩＬ３２においては、いずれも周波数ｆ９１付近で減衰極が形成されている。通過帯域より高い周波数帯において、挿入損失ＩＬ３１には、周波数ｆ９２（＞ｆ７２），ｆ９４において減衰極が形成されている。挿入損失ＩＬ３２には、周波数ｆ９３（＞ｆ８３），ｆ９５において減衰極が形成されている。通過帯域よりも高い周波数帯において、挿入損失ＩＬ３１の周波数ｆ９２，ｆ９４に形成されている減衰極は、挿入損失ＩＬ３２においては、より高い周波数ｆ９３，ｆ９５に形成されている減衰極にそれぞれ移動している。
　実施の形態３においては、図７に示されるように、端子Ｐ１と接続点ＣＰとの間においてインダクタ１５およびキャパシタ２１がこの順に直列に接続されているとともに、端子Ｐ２と接続点ＣＰとの間においてインダクタ１６およびキャパシタ２２がこの順に直列に接続されている場合について説明した。インダクタ１５およびキャパシタ２１、ならびにインダクタ１６およびキャパシタ２２が直列に接続される順序は、図９に示される実施の形態３の変形例１に係るバンドパスフィルタ３１０の等価回路図のように、図７とは逆であっても構わない。
　ただし、図７に示される等価回路図のように、キャパシタ２１～２３が接続点ＣＰで接続される場合、接続点ＣＰに接続されているキャパシタ２１～２３の各一方電極を、同一のキャパシタ導体パターンによって実現することができる。そのため、実施の形態に係るバンドパスフィルタを複数の誘電体層の積層体として構成する場合、図９に示される等価回路よりも、図７に示される等価回路を採用した方が、設計空間を効率的に活用することができるため、バンドパスフィルタを小型化することができる。
　実施の形態３においては、実施の形態２に係るバンドパスフィルタに減衰極の周波数を調整するためのインダクタが追加される場合について説明した。減衰極の周波数を調整するためのインダクタは、図１０に示される実施の形態３の変形例２に係るバンドパスフィルタ３２０のように、実施の形態１に係るバンドパスフィルタに追加されることもできる。
　以上、実施の形態３および変形例１，２に係るバンドパスフィルタによれば、通過帯域よりも低い所望の周波数付近に減衰極を形成することができるとともに、通過帯域よりも高い所望の周波数付近において減衰極を形成することができる。
　今回開示された各実施の形態は、矛盾しない範囲で適宜組み合わされて実施されることも予定されている。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１１～１６，１１Ａ，１２Ａ，１１２　インダクタ、２１～２３　キャパシタ、１００，２００，３００，３１０，３２０，９００　バンドパスフィルタ、１０１，１０２，２０１，２０２　ＬＣ共振器、Ｐ１，Ｐ２　端子。

Claims (5)

  1. 　第１端子に入力された信号が、第１ＬＣ共振器、および第２ＬＣ共振器の順に伝達されて、第２端子から出力されるバンドパスフィルタであって、
    　前記第１ＬＣ共振器は、第１インダクタと、前記第１インダクタと並列に接続された第１キャパシタとを含み、
    　前記第２ＬＣ共振器は、第２インダクタと、前記第２インダクタと並列に接続された第２キャパシタとを含み、
    　前記バンドパスフィルタは、
    　一方端が接地された第３インダクタと、
    　前記第３インダクタの他方端と、前記第１および第２ＬＣ共振器の接続点との間に接続された第３キャパシタとを備える、バンドパスフィルタ。
  2. 　前記第１インダクタと前記第１キャパシタは、前記第１端子と前記接続点との間で並列に接続され、
    　前記第２インダクタと前記第２キャパシタは、前記第２端子と前記接続点との間で並列に接続され、
    　前記第１インダクタは、前記第２インダクタと磁気結合している、請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
  3. 　前記第１および第２ＬＣ共振器は、第４インダクタを共有し、
    　前記第４インダクタは、前記第１端子と前記接続点との間で前記第１インダクタと直列に接続されているとともに、前記第２端子と前記接続点との間で前記第２インダクタと直列に接続され、
    　前記第１キャパシタは、前記第１および第４インダクタと並列に接続され、
    　前記第２キャパシタは、前記第２および第４インダクタと並列に接続されている、請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
  4. 　前記第１ＬＣ共振器は、前記第１端子と前記接続点との間で前記第１キャパシタと直列に接続された第５インダクタをさらに含み、
    　前記第２ＬＣ共振器は、前記第２端子と前記接続点との間で前記第２キャパシタと直列に接続された第６インダクタをさらに含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  5. 　前記第１キャパシタは、前記第５インダクタと前記接続点との間に接続され、
    　前記第２キャパシタは、前記第６インダクタと前記接続点との間に接続されている、請求項４に記載のバンドパスフィルタ。
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