JP7078915B2 - 共振素子、フィルタ、およびダイプレクサ - Google Patents

Description

本発明は、共振素子、フィルタ、およびダイプレクサに関する。

従来、誘電体の内部に複数の電極が形成された共振素子が知られている。たとえば、特開２０００－１６５１７１号公報（特許文献１）には、インダクタを形成する２つのグランド導体およびビアホール、ならびにコンデンサ電極が誘電体の内部に形成されたＬＣ共振器部品が開示されている。当該構成により、良好なＱ特性を有する小型で安価なＬＣ共振器部品を提供することができる。

特開２０００－１６５１７１号公報

特許文献１に開示されているＬＣ共振器部品において２つのグランド導体は、ビアホールと同程度の幅を有する壁形状に形成されている。通常、誘電体の強度よりも導電性ペーストから形成された電極の強度の方が低い。そのため、特許文献１に開示されているＬＣ共振器部品のように誘電体の内部にビア電極と同程度の幅を有する壁形状の電極が形成されると、ＬＣ共振器部品に占める誘電体の割合が低下し、共振素子の強度が低下し得る。

本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は共振素子の強度を向上させることである。

本発明の一実施形態に係る共振素子においては、誘電体の内部に複数の電極が形成されている。共振素子は、少なくとも１つの第１平面電極と、第２平面電極と、第３平面電極と、第１インダクタを形成する第１ビア電極と、第２インダクタと、第３インダクタとを備える。第２平面電極は、少なくとも１つの第１平面電極の法線方向において少なくとも１つの第１平面電極に対向する。第１ビア電極は、少なくとも１つの第１平面電極および第２平面電極を接続する。第３平面電極は、第２平面電極とともに第１キャパシタを形成する。第２インダクタは、少なくとも１つの第１平面電極および第３平面電極を接続する。第３インダクタは、少なくとも１つの第１平面電極および第３平面電極を接続する。第２インダクタは、各々が少なくとも１つの第１平面電極および第３平面電極を接続する少なくとも１つの第２ビア電極から形成されている。第３インダクタは、各々が少なくとも１つの第１平面電極および第３平面電極を接続する少なくとも１つの第３ビア電極から形成されている。少なくとも１つの第２ビア電極および少なくとも１つの第３ビア電極の各々は、第１ビア電極の延在方向に延在する柱状の導体である。

本発明の一実施形態に係る共振素子によれば、第２ビア電極および第３ビア電極の各々が第１ビア電極の延在方向に延在する柱状の導体であることにより、共振素子の強度を向上させることができる。

実施の形態１に係る共振素子の等価回路図である。 図１の共振素子の外観斜視図である。 図２の積層体の内部に形成された複数の電極の斜視図である。 図３に示される複数の電極をＸ軸方向から平面視した図である。 図３に示される複数の電極をＺ軸方向から平面視した図である。 実施の形態１の変形例１に係る共振素子の誘電体の内部に形成された複数の電極の斜視図である。 実施の形態１の変形例２に係る共振素子の誘電体の内部に形成された複数の電極の斜視図である。 実施の形態１の変形例３に係る共振素子の等価回路図である。 実施の形態１の変形例３に係る共振素子の誘電体の内部に形成された複数の電極の斜視図である。 実施の形態２に係るダイプレクサの等価回路図である。 図１０のダイプレクサの外観斜視図である。 図１１の積層体２００の内部に形成された複数の電極の斜視図である。 図１１および図１２のダイプレクサのローパスフィルタの積層構造の一例を示す分解斜視図である。 図１１および図１２のダイプレクサのハイパスフィルタの積層構造の一例を示す分解斜視図である。 図１０のダイプレクサの通過特性を示す図である。 実施の形態２の変形例に係るダイプレクサの等価回路図である。 図１０のダイプレクサのインピーダンスの周波数特性および図１６のダイプレクサのインピーダンスの周波数特性を併せて示すスミスチャートである。 実施の形態３に係るダイプレクサの等価回路図である。 図１８のダイプレクサの外観斜視図である。 図１９の積層体の内部に形成された複数の電極をＺ軸方向から平面視した図である。 図２０に示されるローパスフィルタを構成する複数の電極の積層構造の一例を示す分解斜視図である。 図２０に示されるバンドパスフィルタのフィルタ部を構成する複数の電極の積層構造の一例を示す分解斜視図である。 図２０に示されるバンドパスフィルタの他方のフィルタ部を構成する複数の電極の積層構造の一例を示す分解斜視図である。 図１８のバンドパスフィルタの通過特性および反射特性を示す図である。

以下、実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は原則として繰り返さない。

［実施の形態１］
図１は、実施の形態１に係る共振素子１の等価回路図である。なお、図１に示される等価回路は、実施の形態２，３において説明する共振素子１Ｌ、および実施の形態２において説明する共振素子１Ｈの等価回路と同様である。すなわち、図１のインダクタＬ１～Ｌ３、キャパシタＣ１、入出力部Ｐ１，Ｐ２は、共振素子１ＬのインダクタＬＬ１～ＬＬ３、キャパシタＣＬ１、および入出力部ＰＬ１，ＰＬ２にそれぞれ対応するとともに、共振素子１ＨのインダクタＬＨ１～ＬＨ３、キャパシタＣＨ１、および入出力部ＰＨ１，ＰＨ２にそれぞれ対応する。

図１に示されるように、共振素子１は、インダクタＬ１（第１インダクタ）と、インダクタＬ２（第２インダクタ）と、インダクタＬ３（第３インダクタ）とキャパシタＣ１（第１キャパシタ）と、入出力部Ｐ１（第１入出力部）と、入出力部Ｐ２（第２入出力部）とを備える。インダクタＬ１の一方端は、入出力部Ｐ１に接続されている。インダクタＬ２，Ｌ３は、インダクタＬ１の他方端と入出力部Ｐ２との間において並列に接続されている。キャパシタＣ１は、入出力部Ｐ１とＰ２との間に接続されている。共振素子１は、ＬＣ並列共振器を形成している。

図２は、図１の共振素子１の外観斜視図である。図２に示されるＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸は互いに直交している。図２～図７，図９，図１１～図１４，図１９～図２３においても同様である。図２に示されるように、共振素子１においては、複数の誘電体層をＺ軸方向に積層することによって形成された積層体１００（誘電体）の内部に、図１に示される等価回路を形成する複数の電極が形成されている。なお、共振素子１においては、他の誘電体層とは誘電率が異なる誘電体層ＬｙＤがキャパシタＣ１を形成する２つの平面電極の間に形成されている。誘電体層ＬｙＤによってキャパシタＣ１の容量が調整されている。

図３は、図２の積層体１００の内部に形成された複数の電極の斜視図である。図４は、図３に示される複数の電極をＸ軸方向から平面視した図である。図５は、図３に示される複数の電極をＺ軸方向から平面視した図である。図３～図５においては複数の電極の接続関係を見易くするために、図２の積層体１００は図示していない。

図３～図５に示されるように、共振素子１は、平面電極１０１（第１平面電極）と、平面電極１０２（第２平面電極）と、平面電極１０３（第３平面電極）と、ビア電極１１０（第１ビア電極）と、ビア電極１２１（第２ビア電極）と、ビア電極１２２（第２ビア電極）と、ビア電極１２３（第２ビア電極）と、ビア電極１３１（第３ビア電極）と、ビア電極１３２（第３ビア電極）と、ビア電極１３３（第３ビア電極）と、ビア電極１４０とを備える。平面電極１０１～１０３の各々の法線方向は、Ｚ軸方向である。平面電極１０１，１０３は、長方形状である。ビア電極１１０，１２１～１２３，１３１～１３３，１４０は、Ｚ軸方向に延在する柱状の導体である。

平面電極１０２は、平面電極１０１の法線方向（Ｚ軸方向）において平面電極１０１と対向している。ビア電極１１０は、平面電極１０１および１０２を接続している。ビア電極１１０は、インダクタＬ１を形成している。

平面電極１０３は、Ｚ軸方向において平面電極１０２と対向し、平面電極１０２ともにキャパシタＣ１を形成している。なお、図２の誘電体層ＬｙＤは、平面電極１０２および１０３の間に形成されている。

再び図３～図５を参照しながら、ビア電極１２１～１２３の各々は、平面電極１０１および１０３を接続している。ビア電極１２１～１２３は、インダクタＬ２を形成している。ビア電極１３１～１３３の各々は、平面電極１０１および１０３を接続している。ビア電極１３１～１３３は、インダクタＬ３を形成している。

共振素子１においては、インダクタＬ２およびＬ３がＺ軸方向に延在するビア電極によって形成されている。共振素子１によれば、インダクタＬ２およびＬ３の各々がビア電極と同程度の幅を有する壁状の電極から形成される場合よりも、共振素子１に占める誘電体の割合を増加させることができる。

通常、誘電体の強度よりも導電性ペーストから形成された電極の強度の方が低い。そのため、共振素子１は、インダクタＬ２およびＬ３の各々がビア電極と同程度の幅を有する壁状の電極から形成される場合よりも強度が高い。

図５を参照しながら、ビア電極１２１～１２３は、Ｘ軸方向（第１方向）に平行な平面電極１０１の一辺に沿って並置されている。ビア電極１３１～１３３は、ビア電極１２１～１２３からＹ軸方向（第２方向）に離間してＸ軸方向に平行な平面電極１０１の他の辺に沿って並置されている。平面電極１０２は、ビア電極１２１～１２３とビア電極１３１～１３３との間に配置されている。

平面電極１０２は、入出力部Ｐ１が形成されている突出部１０２Ｐを有する。Ｚ軸方向から平面電極１０１を平面視したとき、入出力部Ｐ１が形成されている突出部１０２Ｐの部分は、平面電極１０２および１０３と重なっていない。

図４を参照しながら、ビア電極１４０は、平面電極１０３から平面電極１０２が配置されている側とは反対側に向かって延在している。平面電極１０２およびビア電極１４０の接続部分には、入出力部Ｐ２が形成されている。

共振素子１においては、インダクタＬ１～Ｌ３，キャパシタＣ１が平面電極１０１と１０３との間の領域に含まれている。一方、入出力部Ｐ１およびＰ２は、当該領域に含まれていない。他の回路要素との接続に際して、他の回路要素によるインダクタＬ１～Ｌ３，キャパシタＣ１への不要な接触を避けることができるため、共振素子と他の回路要素との接続が容易である。

再び図５を参照しながら、ビア電極１１０（インダクタＬ１）とビア電極１２１～１２３（インダクタＬ２）との距離Ｗ１は、インダクタＬ２とビア電極１３１～１３３（インダクタＬ３）との距離Ｗ２よりも小さい。インダクタＬ１とインダクタＬ３との距離Ｗ３は、距離Ｗ２よりも小さい。共振素子１においては、インダクタＬ１から平面電極１０１に導かれた電流がインダクタＬ２，Ｌ３に分散される。その結果、インダクタＬ１～Ｌ３による抵抗成分が低減されるため、共振素子１のＱ値を向上させることができる。また、インダクタＬ２，Ｌ３の各々が平面電極１０１と１０３との間において並列に接続された複数のビア電極によって形成されている。インダクタＬ２，Ｌ３の各々の抵抗成分が低減されるため、共振素子１のＱ値をさらに向上させることができる。

［実施の形態１の変形例１］
実施の形態１においては、インダクタＬ２，Ｌ３の各々が複数のビア電極から形成されている場合について説明した。図６に示される実施の形態１の変形例１に係る共振素子１Ａのように、インダクタＬ２は１つのビア電極１２０（第２ビア電極）から形成されていてもよいし、インダクタＬ３は１つのビア電極１３０（第３ビア電極）から形成されていてもよい。

［実施の形態１の変形例２］
実施の形態１および変形例１においては、１つの第１平面電極を備える共振素子について説明した。実施の形態に係る共振素子が備える第１平面電極の数は、２以上であってもよい。実施の形態１の変形例２においては、２つの第１平面電極を備える共振素子について説明する。

図７は、実施の形態１の変形例２に係る共振素子１Ｂの誘電体の内部に形成された複数の電極の斜視図である。共振素子１Ｂの構成は、図６に示される共振素子１Ａの平面電極１０１が平面電極１０１Ａ（第１平面電極）および平面電極１０１Ｂ（第１平面電極）に置き換えられているとともに、共振素子１Ａのビア電極１３０がビア電極１３０Ｂ（第３ビア電極）に置き換えられた構成である。これ以外は同様であるため説明を繰り返さない。

図７に示されるように、平面電極１０１Ａ，１０１Ｂは、ビア電極１１０によって互いに接続されている。なお、平面電極１０１Ａ，１０１Ｂは、互いに接続されていればよく、たとえばビア電極１１０，１２０，１３０Ｂ以外のビア電極によって互いに接続されてもよい。ビア電極１２０は、平面電極１０１Ａおよび１０３を接続する。ビア電極１３０Ｂは、平面電極１０１Ｂおよび１０３を接続する。

［実施の形態１の変形例３］
実施の形態１および変形例１，２においては、第２入出力部が第３平面電極に形成されている場合について説明した。実施の形態１の変形例３においては、第２入出力部が第１平面電極に形成されている場合について説明する。

図８は、実施の形態１の変形例３に係る共振素子１Ｃの等価回路図である。共振素子１Ｃの等価回路の構成は、図１に示される共振素子１の等価回路の入出力部Ｐ２がインダクタＬ１～Ｌ３の接続点に接続された構成である。これ以外は同様であるため、説明を繰り返さない。なお、図８に示される等価回路は、実施の形態３において説明する共振素子３Ｌ，３Ｈの等価回路と同様である。すなわち、図８のインダクタＬ１～Ｌ３、キャパシタＣ１、入出力部Ｐ１，Ｐ２は、共振素子３ＬのインダクタＬＬ６～ＬＬ８、キャパシタＣＬ４、および入出力部ＰＬ３，ＰＬ４にそれぞれ対応するとともに、共振素子３ＨのインダクタＬＨ６～ＬＨ８、キャパシタＣＨ４、および入出力部ＰＨ３，ＰＨ４にそれぞれ対応する。

図９は、実施の形態１の変形例３に係る共振素子１Ｃの誘電体の内部に形成された複数の電極の斜視図である。共振素子１Ｃの構成は、図３に示される共振素子１のビア電極１４０が平面電極１０１に接続された構成である。これ以外は同様であるため説明を繰り返さない。入出力部Ｐ２は、平面電極１０１とビア電極１４０との接続部分に形成されている。

以上、実施の形態１および変形例１～３に係る共振素子によれば、共振素子の強度を向上させることができる。また、当該共振素子によれば、他の回路要素との接続が容易である。さらに、当該共振素子によれば、Ｑ値を向上させることができる。

［実施の形態２］
実施の形態２においては、実施の形態１において説明した共振素子を含むダイプレクサについて説明する。

図１０は、実施の形態２に係るダイプレクサ２の等価回路図である。図１０に示されるように、ダイプレクサ２は、共通端子Ｐｃｏｍと、入出力端子Ｐ２１（第１入出力端子）と、入出力端子Ｐ２２（第２入出力端子）と、ローパスフィルタ２ＬＢと、ハイパスフィルタ２ＨＢとを備える。

ローパスフィルタ２ＬＢは、共通端子Ｐｃｏｍと入出力端子Ｐ２１との間に接続されている。ローパスフィルタ２ＬＢは、インダクタＬＬ５と、キャパシタＣＬ２と、共振素子１Ｌと、インダクタＬＬ４（第４インダクタ）とを含む。

インダクタＬＬ５は、共通端子Ｐｃｏｍと入出力部ＰＬ１との間に接続されている。キャパシタＣＬ２は、接地端子Ｇ１（接地点）とインダクタＬＬ５および入出力部ＰＬ１の接続点との間に接続されている。インダクタＬＬ４は、入出力部ＰＬ２と入出力端子Ｐ２１との間に接続されている。

ハイパスフィルタ２ＨＢは、共通端子Ｐｃｏｍと入出力端子Ｐ２２との間に接続されている。ハイパスフィルタ２ＨＢは、キャパシタＣＨ３と、インダクタＬＨ５と、共振素子１Ｈと、インダクタＬＨ４（第４インダクタ）と、キャパシタＣＨ２（第２キャパシタ）とを含む。

キャパシタＣＨ３は、共通端子Ｐｃｏｍと入出力部ＰＨ１との間に接続されている。インダクタＬＨ５は、接地端子Ｇ２（接地点）とキャパシタＣＨ３および入出力部ＰＨ１の接続点との間に接続されている。入出力部ＰＨ２は、入出力端子Ｐ２２に接続されている。インダクタＬＨ４およびキャパシタＣＨ２は、接地端子Ｇ２と、入出力部ＰＨ２および入出力端子Ｐ２２の接続点との間において並列に接続されている。インダクタＬＨ４およびキャパシタＣＨ２によって形成されるＬＣ並列共振器によってハイパスフィルタ２ＨＢの通過帯域の挿入損失が低減される。

図１１は、図１０のダイプレクサ２の外観斜視図である。図１２は、図１１の積層体２００の内部に形成された複数の電極の斜視図である。図１１および図１２に示されるように、ダイプレクサ２においては、複数の誘電体層をＺ軸方向に積層することによって形成された積層体２００（誘電体）の内部に、図１０に示される等価回路を形成する複数の電極が形成されている。

図１１を参照しながら、ダイプレクサ２の上面には、方向識別マークＤＭが形成されている。ダイプレクサ２の底面には、共通端子Ｐｃｏｍと、入出力端子Ｐ２１，Ｐ２２、端子Ｐ２０、および接地端子Ｇ１，Ｇ２が形成されている。共通端子Ｐｃｏｍ、入出力端子Ｐ２１，Ｐ２２、端子Ｐ２０、および接地端子Ｇ１，Ｇ２は、たとえば底面に平面電極が規則的に配置されたＬＧＡ（Land Grid Array）端子である。ダイプレクサ２の底面は、不図示の回路基板に接続される。

図１３および図１４は、図１１および図１２のダイプレクサ２の積層構造の一例を示す分解斜視図である。積層構造における各電極の接続関係を見易くするため、図１３を用いて図１０のローパスフィルタ２ＬＢを形成する複数の電極の接続関係を説明し、図１４を用いて図１０のハイパスフィルタ２ＨＢを形成する複数の電極の接続関係を説明する。

図１３に示されるように、ダイプレクサ２においては、複数の誘電体層Ｌｙ１～Ｌｙ１６がＺ軸方向に積層されている。誘電体層Ｌｙ１には、共通端子Ｐｃｏｍ、入出力端子Ｐ２１，Ｐ２２、端子Ｐ２０、および接地端子Ｇ１，Ｇ２が形成されている。

誘電体層Ｌｙ２には、平面電極２１～２３が形成されている。平面電極２１は、ビア電極２０３，２０４の各々によって接地端子Ｇ１に接続されている。平面電極２２は、ビア電極２０１によって共通端子Ｐｃｏｍに接続されている。

誘電体層Ｌｙ３には、平面電極３１，３２が形成されている。平面電極２１，３１はキャパシタＣＬ２を形成している。誘電体層Ｌｙ４には、線路電極４１が巻回するように形成されている。線路電極４１の一方端は、ビア電極２０２によって入出力端子Ｐ２１に接続されている。線路電極４１は、インダクタＬＬ４を形成している。誘電体層Ｌｙ５には、平面電極５１が形成されている。

誘電体層Ｌｙ６には、平面電極６１（第３平面電極）、および平面電極６２（第３平面電極）が形成されている。平面電極６１は、ビア電極２０７によって線路電極４１の他方端に接続されている。平面電極６１およびビア電極２０７の接続部分に入出力部ＰＬ２が形成されている。

誘電体層Ｌｙ７には、平面電極７１（第２平面電極）、および平面電極７２（第２平面電極）が形成されている。平面電極７１は、ビア電極２０６によって平面電極３１に接続されている。平面電極７１の突出部に入出力部ＰＬ１が形成され、入出力部ＰＬ１にビア電極２０６が接続されている。平面電極６１，７１は、キャパシタＣＬ１を形成している。誘電体層Ｌｙ８には、平面電極８１が形成されている。誘電体層Ｌｙ９には、平面電極９１が形成されている。

誘電体層Ｌｙ１０には、線路電極１０４，１０５の各々が巻回するように形成されている。線路電極１０４の一方端は、ビア電極２０６によって平面電極３１に接続されている。誘電体層Ｌｙ１１には、線路電極１１１，１１２の各々が巻回するように形成されている。線路電極１１１の一方端は、ビア電極２０６によって線路電極１０４の一方端に接続されている。線路電極１１１の他方端は、ビア電極２０８によって線路電極１０４の他方端に接続されている。

誘電体層Ｌｙ１２には、線路電極１２４，１２５の各々が巻回するように形成されている。線路電極１２４の一方端は、ビア電極２０８によって線路電極１１１の他方端に接続されている。線路電極１２４の他方端は、ビア電極２０５によって平面電極２２に接続されている。

誘電体層Ｌｙ１３には、線路電極１３４，１３５の各々が巻回するように形成されている。線路電極１３４の一方端は、ビア電極２０８によって線路電極１２４の一方端に接続されている。線路電極１３４の他方端は、ビア電極２０５によって線路電極１２４の他方端に接続されている。線路電極１０４，１１１，１２４，１３４、およびビア電極２０５，２０８は、インダクタＬＬ５を形成している。誘電体層Ｌｙ１４には、線路電極１４１が形成されている。誘電体層Ｌｙ１５には、線路電極１５１が形成されている。

誘電体層Ｌｙ１６には、平面電極１６１（第１平面電極）、および平面電極１６２（第１平面電極）が形成されている。平面電極１６１は、ビア電極２１０（第１ビア電極）によって平面電極７１に接続されている。ビア電極２１０は、インダクタＬＬ１を形成している。

平面電極１６１は、ビア電極２２１（第２ビア電極）、ビア電極２２２（第２ビア電極）、およびビア電極２２３（第２ビア電極）の各々によって、平面電極６１に接続されている。ビア電極２２１～２２３は、インダクタＬＬ２を形成している。平面電極１６１は、ビア電極２３１（第３ビア電極）、ビア電極２３２（第３ビア電極）、およびビア電極２３３（第３ビア電極）の各々によって、平面電極６１に接続されている。ビア電極２３１～２３３は、インダクタＬＬ３を形成している。

次に図１４を参照しながら、誘電体層Ｌｙ２に形成された平面電極２３は、ビア電極２４２，２４３の各々によって接地端子Ｇ２に接続されている。誘電体層Ｌｙ５に形成された平面電極５１は、ビア電極２４４によって平面電極２３に接続されている。

誘電体層Ｌｙ６に形成された平面電極６２は、ビア電極２４１によって入出力端子Ｐ２２に接続されている。平面電極６２およびビア電極２４１の接続部分に入出力部ＰＨ２が形成されている。平面電極６２は、ビア電極２４６によって平面電極３２に接続されている。平面電極２３，３２，５１は、キャパシタＣＨ２を形成している。

誘電体層Ｌｙ８に形成された平面電極８１は、ビア電極２４５によって平面電極２２に接続されている。誘電体層Ｌｙ９に形成された平面電極９１は、ビア電極２４９によって平面電極７２に接続されている。平面電極７２の突出部に入出力部ＰＨ１が形成され、入出力部ＰＨ１にビア電極２４９が接続されている。平面電極８１，９１は、キャパシタＣＨ３を形成している。

誘電体層Ｌｙ１０に形成された線路電極１０５の一方端は、ビア電極２４４によって平面電極５１に接続されている。誘電体層Ｌｙ１１に形成された線路電極１１２の一方端は、ビア電極２４４によって線路電極１０５の一方端に接続されている。線路電極１１２の他方端は、ビア電極２５１によって線路電極１０５の他方端に接続されている。

誘電体層Ｌｙ１２に形成された線路電極１２５の一方端は、ビア電極２５０によって平面電極９１に接続されている。線路電極１２５の他方端は、ビア電極２５１によって線路電極１１２の他方端に接続されている。誘電体層Ｌｙ１３に形成された線路電極１３５の一方端は、ビア電極２５０によって線路電極１２５の一方端に接続されている。線路電極１３５の他方端は、ビア電極２５１によって線路電極１２５の他方端に接続されている。線路電極１０５，１１２，１２５，１３５、およびビア電極２５０，２５１は、インダクタＬＨ５を形成している。

誘電体層Ｌｙ１４に形成された線路電極１４１の一方端は、ビア電極２４８によって平面電極６２に接続されている。線路電極１４１の他方端は、ビア電極２４７によって平面電極５１に接続されている。誘電体層Ｌｙ１５に形成された線路電極１５１の一方端は、ビア電極２４８によって線路電極１４１の一方端に接続されている。線路電極１５１の他方端は、ビア電極２４７によって線路電極１４１の他方端に接続されている。線路電極１４１，１５１、およびビア電極２４７，２４８は、インダクタＬＨ４を形成している。

誘電体層Ｌｙ１６に形成された平面電極１６２は、ビア電極２６０（第１ビア電極）によって平面電極７２に接続されている。ビア電極２６０は、インダクタＬＨ１を形成している。平面電極１６２は、ビア電極２７１（第２ビア電極）、ビア電極２７２（第２ビア電極）、およびビア電極２７３（第２ビア電極）の各々によって平面電極６２に接続されている。ビア電極２７１～２７３は、インダクタＬＨ２を形成している。平面電極１６２は、ビア電極２８１（第３ビア電極）、ビア電極２８２（第３ビア電極）、およびビア電極２８３（第３ビア電極）の各々によって平面電極６２に接続されている。ビア電極２８１～２８３は、インダクタＬＨ３を形成している。平面電極６２，７２は、キャパシタＣＨ１を形成している。

図１５は、図１０のダイプレクサ２の通過特性（挿入損失の周波数特性）を示す図である。図１５（ａ）は、ダイプレクサ２の通過帯域のうち低域側を形成するローパスフィルタ２ＬＢの通過特性を示し、図１５（ｂ）は、ダイプレクサ２の通過帯域のうち高域側を形成するハイパスフィルタ２ＨＢの通過特性を示している。なお、挿入損失とは、電子部品の或る端子に入力された信号のうち、電子部品の他の端子に伝達された信号の割合を示す指標である。挿入損失が大きい程、電子部品に入力された信号のうち当該電子部品の内部で失われた信号の割合が大きいことを意味する。

図１５（ａ）に示されるように、ダイプレクサ２の低域側の通過特性においては、減衰極が形成されている周波数ｆ２１より低域側の周波数帯において挿入損失が急減に減少している。周波数ｆ２１における減衰極は、共振素子１Ｌによって形成された減衰極である。当該減衰極によって、低域側の挿入損失と高域側の挿入損失とに大きな隔たりが形成されて低域側の挿入損失が小さくなる。その結果、通過可能な信号の周波数を低域側の周波数帯に限定するというローパスフィルタ２ＬＢの機能が改善されている。

図１５（ｂ）に示されるように、ダイプレクサ２の高域側の通過特性においては、減衰極が形成されている周波数ｆ２２より高域側の周波数帯において挿入損失が急減に減少している。周波数ｆ２２における減衰極は、共振素子１Ｈによって形成された減衰極である。当該減衰極によって、低域側の挿入損失と高域側の挿入損失とに大きな隔たりが形成されて高域側の挿入損失が小さくなる。その結果、通過可能な信号の周波数を高域側の周波数帯に限定するというハイパスフィルタ２ＨＢの機能が改善されている。

実施の形態２においては、実施の形態１に係る共振素子の第２入出力部に、インダクタが接続されている場合について説明した。図１６に示される実施の形態２の変形例に係るダイプレクサ２Ａのように、実施の形態１に係る共振素子の第２入出力部にインダクタが接続されていなくてもよい。

図１７は、図１０のダイプレクサ２のインピーダンスの周波数特性Ｓｍ２および図１６のダイプレクサ２Ａのインピーダンスの周波数特性Ｓｍ２Ａを併せて示すスミスチャートである。図１６において、周波数の範囲は０．５ＧＨｚ～８．５ＧＨｚの範囲である。また、インピーダンスＺｃは、特性インピーダンス（たとえば５０Ω）を表す。

図１６に示されるように、ダイプレクサ２のインピーダンスは、ダイプレクサ２Ａのインピーダンスよりも特性インピーダンスに整合されている。これは、ダイプレクサ２Ａにおける浮遊容量によるインピーダンスの不整合がダイプレクサ２においてはインダクタＬＬ４によって解消されているためである。

以上、実施の形態２および変形例に係るダイプレクサによれば、フィルタリング機能を改善することができる。

［実施の形態３］
図１８は、実施の形態３に係るダイプレクサ３の等価回路図である。ダイプレクサ３の構成は、図１０に示されるダイプレクサ２のハイパスフィルタ２ＨＢ、および入出力端子Ｐ２２が、バンドパスフィルタ３ＨＢおよび入出力端子Ｐ３２（第２入出力端子）にそれぞれ置き換えられた構成である。これら以外は同様であるため、説明を繰り返さない。

バンドパスフィルタ３ＨＢは、共通端子Ｐｃｏｍと入出力端子Ｐ３２との間に接続されている。バンドパスフィルタ３ＨＢは、フィルタ部３１Ｈ，３２Ｈを含む。フィルタ部３１Ｈは、キャパシタＣＨ５と、インダクタＬＨ９と、キャパシタＣＨ６（第３キャパシタ）と、共振素子３Ｈ（第２共振素子）とを含む。共振素子３Ｈはハイパスフィルタとして機能する。フィルタ部３２Ｈは、共振素子３Ｌ（第３共振素子）と、キャパシタＣＨ７と、インダクタＬＨ１０とを含む。共振素子３Ｌは、ローパスフィルタとして機能する。

キャパシタＣＨ５は、共通端子Ｐｃｏｍと入出力部ＰＨ３との間に接続されている。インダクタＬＨ９は、接地端子Ｇ３２（接地点）とキャパシタＣＨ５および入出力部ＰＨ３の接続点との間に接続されている。入出力部ＰＨ４は、入出力部ＰＬ３に接続されている。キャパシタＣＨ６は、入出力部ＰＨ４および接地端子Ｇ３３（接地点）の間に接続されている。キャパシタＣＨ７およびインダクタＬＨ１０は、入出力部ＰＬ４と入出力端子Ｐ３２との間において並列に接続されている。

図１９は、図１８のダイプレクサ３の外観斜視図である。図２０は、図１９の積層体３００の内部に形成された複数の電極をＺ軸方向から平面視した図である。図１９および図２０に示されるように、ダイプレクサ３においては、誘電体層Ｌｙ３１，Ｌｙ３２を含む複数の誘電体層がＺ軸方向に積層されることによって形成された積層体３００（誘電体）の内部に、図１８に示される等価回路を形成する複数の電極が形成されている。誘電体層Ｌｙ３１，Ｌｙ３２各々の誘電率は、当該複数の誘電体層における誘電体層Ｌｙ３１，Ｌｙ３２以外の誘電体層の誘電率よりも大きい。

図１９を参照しながら、ダイプレクサ３の底面には、共通端子Ｐｃｏｍと、入出力端子Ｐ２１，Ｐ３２、端子Ｐ３３～Ｐ３５、および接地端子Ｇ１，Ｇ３２，Ｇ３３が形成されている。これらの端子は、たとえば底面に平面電極が規則的に配置されたＬＧＡ（Land Grid Array）端子である。接地端子Ｇ３３は、ダイプレクサ３の底面の中央部分に配置されている。接地端子Ｇ３３のＹ軸方向の幅は、他の端子よりも広い。ダイプレクサ３の底面は、不図示の回路基板に接続される。

図２１～図２３は、図１９および図２０のダイプレクサ３の積層構造の一例を示す分解斜視図である。図２１～図２３をそれぞれ用いて、図１８のローパスフィルタ２ＬＢ、フィルタ部３１Ｈ、およびフィルタ部３２Ｈを形成する複数の電極の接続関係を説明する。また、積層構造における各電極の接続関係を見易くするため、図２１～図２３においては、積層体３００を形成する複数の誘電体層のうち、誘電体層Ｌｙ３１，Ｌｙ３２以外の誘電体層を示していない。

図２１は、図２０に示されるローパスフィルタ２ＬＢを構成する複数の電極の積層構造の一例を示す分解斜視図である。図２１に示されるように、線路電極３０１は、ビア電極３４０によって共通端子Ｐｃｏｍに接続されている。線路電極３０１は、ビア電極３３３によって線路電極３１４に接続されている。線路電極３１４は、ビア電極３３３によって線路電極３１５に接続されている。線路電極３１５は、ビア電極３３３によって線路電極３１６に接続されている。線路電極３１６は、ビア電極３２９によって線路電極３１５に接続されている。線路電極３１５は、ビア電極３２９によって線路電極３１４に接続されている。線路電極３１４～３１６は、Ｚ軸方向に延在する巻回軸（不図示）を中心に巻回するように形成されている。線路電極３１４は、ビア電極３２９によって線路電極３１３に接続されている。線路電極３１３は、ビア電極３２９によって線路電極３１２に接続されている。線路電極３１３は、ビア電極３３０によって線路電極３１２に接続されている。線路電極３１２は、ビア電極３３０によって線路電極３１１に接続されている。線路電極３１２，３１３は、Ｚ軸方向に延在する巻回軸（不図示）を中心に巻回するように形成されている。線路電極３１２～３１６、およびビア電極３２９，３３０，３３３は、インダクタＬＬ５を形成している。

線路電極３１１は、ビア電極３３０によって平面電極３１０（第２平面電極）に接続されている。ビア電極３３０と平面電極３１０との接続部分（平面電極３１０の突出部）に入出力部ＰＬ１が形成されている。平面電極３１０は、ビア電極３３０によって平面電極３０３に接続されている。平面電極３０２は、ビア電極３３６によって接地端子Ｇ１に接続されている。平面電極３０２，３０３は、キャパシタＣＬ２を形成している。

平面電極３１０は、ビア電極３２１（第１ビア電極）およびビア電極３２２（第１ビア電極）によって線路電極３１１に接続されている。線路電極３１１は、ビア電極３２１，３２２によって平面電極３１７（第１平面電極）に接続されている。平面電極３１７は、ビア電極３２１，３２２によって平面電極３１８（第１平面電極）に接続されている。ビア電極３２１，３２２は、インダクタＬＬ１を形成している。

平面電極３１８は、ビア電極３２３（第２ビア電極）、ビア電極３２４（第２ビア電極）、およびビア電極３２５（第２ビア電極）によって、平面電極３１７に接続されている。平面電極３１８は、ビア電極３２６（第３ビア電極）、ビア電極３２７（第３ビア電極）、およびビア電極３２８（第３ビア電極）によって、平面電極３１７に接続されている。平面電極３１７は、ビア電極３２３～３２８によって、平面電極３０９（第３平面電極）に接続されている。

ビア電極３２３～３２５は、インダクタＬＬ２を形成している。ビア電極３２６～３２８は、インダクタＬＬ３を形成している。平面電極３０９，３１０は、キャパシタＣＬ１を形成している。誘電体層Ｌｙ３１は、平面電極３０９と３１０との間に配置されている。誘電体層Ｌｙ３１によって、キャパシタＣＬ１の容量が所望の値に調整されている。Ｌｙ３２は、平面電極３１０と３１７との間に配置されている。平面電極３１０は、誘電体層Ｌｙ３１とＬｙ３２との間に配置されている。

平面電極３０９は、ビア電極３３８によって線路電極３０８に接続されている。平面電極３０９とビア電極３３８との接続部分に入出力部ＰＬ２が形成されている。線路電極３０８は、ビア電極３３９によって線路電極３０７に接続されている。線路電極３０７，３０８は、Ｚ軸方向に延在する巻回軸（不図示）を巻回するように形成されている。線路電極３０７，３０８、およびビア電極３３９は、インダクタＬＬ４を形成している。

線路電極３０７は、ビア電極３３１によって線路電極３０６に接続されている。線路電極３０６は、ビア電極３３１によって線路電極３０５に接続されている。線路電極３０５は、ビア電極３３２によって線路電極３０４に接続されている。線路電極３０４は、ビア電極３３５によって入出力端子Ｐ２１に接続されている。

図２２は、図２０に示されるバンドパスフィルタ３ＨＢのフィルタ部３１Ｈを構成する複数の電極の積層構造の一例を示す分解斜視図である。図２２に示されるように、線路電極３０１は、ビア電極３７３によって平面電極３４５に接続されている。平面電極３４６は、ビア電極３７０によって線路電極３４７に接続されている。平面電極３４６は、ビア電極３７２によって線路電極３４４に接続されている。平面電極３４５，３４６は、キャパシタＣＨ５を形成している。

線路電極３４７は、ビア電極３７０によって線路電極３４８に接続されている。線路電極３４８は、ビア電極３７１によって線路電極３４７に接続されている。線路電極３４７は、ビア電極３７１によって線路電極３４１に接続されている。線路電極３４１は、ビア電極３７４によって接地端子Ｇ３２に接続されている。線路電極３４７，３４８は、インダクタＬＨ９を形成している。

線路電極３４４は、ビア電極３７２によって平面電極３４３（第２平面電極）に接続されている。ビア電極３７２と平面電極３４３との接続部分（平面電極３４３の突出部）に入出力部ＰＨ３が形成されている。平面電極３４３は、ビア電極３６１（第１ビア電極）およびビア電極３６２（第１ビア電極）によって線路電極３４４に接続されている。線路電極３４４は、ビア電極３６１，３６２によって平面電極３４９（第１平面電極）に接続されている。平面電極３４９は、ビア電極３６１，３６２によって平面電極３５０（第１平面電極）に接続されている。ビア電極３６１，３６２は、インダクタＬＨ６を形成している。

平面電極３５０は、ビア電極３６４（第２ビア電極）、ビア電極３６５（第２ビア電極）、およびビア電極３６６（第２ビア電極）によって、平面電極３４９に接続されている。平面電極３５０は、ビア電極３６７（第３ビア電極）、ビア電極３６８（第３ビア電極）、およびビア電極３６９（第３ビア電極）によって、平面電極３４９に接続されている。平面電極３５０は、ビア電極３６３によって平面電極３４９に接続されている。平面電極３４９は、ビア電極３６３によって平面電極３５１（第２平面電極）に接続されている。ビア電極３６３と平面電極３４９との接続部分に入出力部ＰＨ４が形成されている。ビア電極３６３と平面電極３５１との接続部分（平面電極３５１の突出部）に入出力部ＰＬ３が形成されている。平面電極３４９は、ビア電極３６４～３６９によって、平面電極３４２（第３平面電極）に接続されている。

ビア電極３６４～３６６は、インダクタＬＨ７を形成している。ビア電極３６７～３６９は、インダクタＬＨ８を形成している。平面電極３４２，３４３は、キャパシタＣＨ４を形成している。平面電極３４２および接地端子Ｇ３３は、キャパシタＣＨ６を形成している。誘電体層Ｌｙ３１は、平面電極３４２と３４３との間に配置されている。誘電体層Ｌｙ３１によって、キャパシタＣＨ４の容量が所望の値に調整されている。Ｌｙ３２は、平面電極３４９と３５１との間に配置されている。平面電極３４３は、誘電体層Ｌｙ３１とＬｙ３２との間に配置されている。

図２３は、図２０に示されるバンドパスフィルタ３ＨＢのフィルタ部３２Ｈを構成する複数の電極の積層構造の一例を示す分解斜視図である。図２３に示されるように、平面電極３５１は、ビア電極３９１（第１ビア電極）によって平面電極３８５（第１平面電極）に接続されている。平面電極３８５は、ビア電極３９１によって平面電極３８４（第１平面電極）に接続されている。ビア電極３９１は、インダクタＬＬ６を形成する。平面電極３８６（第３平面電極）は、ビア電極３９２（第２ビア電極）によって平面電極３８５に接続されている。ビア電極３９２は、インダクタＬＬ７を形成している。ビア電極３９２と平面電極３８５との接続部分に入出力部ＰＬ４が形成されている。平面電極３８６は、ビア電極３９３（第３ビア電極）によって平面電極３８４に接続されている。ビア電極３９３は、インダクタＬＬ８を形成している。

平面電極３５１，３８６は、キャパシタＣＬ４を形成している。誘電体層Ｌｙ３２は、平面電極３５１と３８６との間に配置されている。誘電体層Ｌｙ３２によって、キャパシタＣＬ４の容量が所望の値に調整されている。誘電体層Ｌｙ３１は、平面電極３８４と３８５との間に配置されている。平面電極３５１は、誘電体層Ｌｙ３１とＬｙ３２との間に配置されている。

平面電極３８５は、ビア電極３９２によって線路電極３８３に接続されている。線路電極３８３は、Ｚ軸方向に延在する巻回軸（不図示）を中心に巻回するように形成されている。線路電極３８３は、インダクタＬＨ１０を形成している。線路電極３８３は、ビア電極３９２によって平面電極３８２に接続されている。線路電極３８３は、ビア電極３９４によって平面電極３８１に接続されている。平面電極３８１，３８２は、キャパシタＣＨ７を形成している。平面電極３８１は、ビア電極３９４によって線路電極３８０に接続されている。線路電極３８０は、ビア電極３９５によって入出力端子Ｐ３２に接続されている。

通常、積層された複数の誘電体が焼成されることにより積層体が形成される。複数の誘電体層各々の焼成時の収縮率は、各誘電体層の誘電率の大きさに応じて異なる。誘電率が比較的大きい誘電体層が積層体の上面側あるいは底面側に偏って配置されると、積層体の上面側の誘電体の収縮率と底面側の誘電体の収縮率との差が大きくなり、焼成後の積層体に反りが生じ得る。積層体に反りが生じると、ダイプレクサの強度が低下し得るとともに、ダイプレクサの特性が所望の特性から乖離し得る。

積層体３００においては、共振素子３ＨのキャパシタＣＨ４を積層体３００の底面側に配置するとともに、共振素子３ＬのキャパシタＣＬ４を積層体３００の上面側にそれぞれ形成することにより、他の誘電体層よりも誘電率が大きい誘電体層Ｌｙ３１，Ｌｙ３２が積層体３００の底面側および上面側にそれぞれ配置される。積層体３００の底面側の誘電体の収縮率と上面側の誘電体の収縮率との差が低減されるため、積層体３００の反りが抑制される。その結果、ダイプレクサ３の強度の低下を抑制することができるとともに、ダイプレクサ３の特性が所望の特性から乖離することを抑制することができる。

図２４は、図１８のバンドパスフィルタ３ＨＢの通過特性ＩＬおよび反射特性ＲＬ（反射損失の周波数特性）を示す図である。図２４に示されるように、周波数ｆ３１において反射特性ＲＬは極小となる。その結果、通過特性ＩＬは、周波数ｆ３１付近まで、比較的小さな減衰量を維持することができる。周波数ｆ３１付近における反射損失の急峻な減少は、キャパシタＣＨ６および共振素子３Ｌから形成される回路のインピーダンスの周波数特性に起因する。共振素子３Ｈの通過帯域がキャパシタＣＨ６および共振素子３Ｌによって広げられることにより、バンドパスフィルタ３ＨＢの通過帯域を広帯域化することができる。

以上、実施の形態３に係るダイプレクサによれば、フィルタリング機能を改善することができる。また、ダイプレクサの強度の低下を抑制することができるとともに、ダイプレクサの特性が所望の特性から乖離することを抑制することができる。さらに、ダイプレクサの通過帯域を広帯域化することができる。

今回開示された各実施の形態は、矛盾しない範囲で適宜組み合わされて実施されることも予定されている。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１，１Ａ～１Ｃ，１Ｈ，１Ｌ，３Ｈ，３Ｌ 共振素子、２，２Ａ，３ ダイプレクサ、２Ｌ ローパスフィルタ、２ＨＢ ハイパスフィルタ、３ＨＢ バンドパスフィルタ、２１～２３，３１，３２，５１，６１，６２，７１，７２，８１，９１，１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ，１０２，１０３，１６１，１６２，３０２，３０３，３０９，３１０，３１７，３１８，３４２，３４３，３４５，３４６，３４９，３５０，３５１，３８１，３８２，３８４，３８５，３８６ 平面電極、３１Ｈ，３２Ｈ フィルタ部、４１，１０４，１０５，１１１，１１２，１２４，１２５，１３４，１３５，１４１，１５１，３０１，３０４，３０５，３０６～３０８，３１１～３１６，３４１，３４４，３４７，３４８，３８０，３８３ 線路電極、１００，２００，３００ 積層体、１０２Ｐ 突出部、１１０，１２０，１２１～１２３，１３０～１３３，１３０Ｂ，１４０，２０１～２０８，２１０，２２１～２２３，２３１～２３３，２４１～２５１，２６０，２７１～２７３，２８１～２８３，３２１～３３３，３３５，３３６，３３８，３３９，３４０，３６１～３７４，３９１～３９５ ビア電極、Ｃ１，ＣＨ１～ＣＨ７，ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ４ キャパシタ、ＤＭ 方向識別マーク、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３２，Ｇ３３ 接地端子、Ｌ１～Ｌ３，ＬＨ１～ＬＨ１０，ＬＬ１～ＬＬ８ インダクタ、Ｌｙ１～Ｌｙ１６，Ｌｙ３１，Ｌｙ３２，ＬｙＤ 誘電体層、Ｐ１，Ｐ２，ＰＨ１～ＰＨ４，ＰＬ１～ＰＬ４ 入出力部、Ｐ２０，Ｐ３３，Ｐ３５ 端子、Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ３２ 入出力端子、Ｐｃｏｍ 共通端子。

Claims (13)

1. 誘電体の内部に複数の電極が形成された共振素子であって、
   前記誘電体の内部に設けられた少なくとも１つの第１平面電極と、
   前記少なくとも１つの第１平面電極の法線方向において前記少なくとも１つの第１平面電極に対向する第２平面電極と、
   前記少なくとも１つの第１平面電極および前記第２平面電極を接続し、第１インダクタを形成する第１ビア電極と、
   前記第２平面電極とともに第１キャパシタを形成する第３平面電極と、
   前記少なくとも１つの第１平面電極および前記第３平面電極を接続する第２インダクタと、
   前記少なくとも１つの第１平面電極および前記第３平面電極を接続する第３インダクタとを備え、
   前記第２インダクタは、各々が前記少なくとも１つの第１平面電極および前記第３平面電極を接続する複数の第２ビア電極から形成され、
   前記第３インダクタは、各々が前記少なくとも１つの第１平面電極および前記第３平面電極を接続する複数の第３ビア電極から形成され、
   前記複数の第２ビア電極および前記複数の第３ビア電極の各々は、前記第１ビア電極の延在方向に延在する円柱状の導体のみからなる、共振素子。
2. 前記第１インダクタと前記第２インダクタとの第１距離は、前記第２インダクタと前記第３インダクタとの第２距離よりも短く、
   前記第１インダクタと前記第３インダクタとの第３距離は、前記第２距離よりも短い、請求項１に記載の共振素子。
3. 前記第２平面電極には、第１入出力部が形成され、
   前記少なくとも１つの第１平面電極または前記第３平面電極には、第２入出力部が形成され、
   前記第１入出力部および前記第２入出力部の各々は、外部からの信号の入力および外部への信号の出力が可能なように構成されている、請求項１または２に記載の共振素子。
4. 前記第２入出力部に一方端が接続された第４インダクタをさらに備える、請求項３に記載の共振素子。
5. 前記共振素子は、ローパスフィルタを形成し、
   前記第１入出力部および前記第４インダクタの他方端の各々は、前記ローパスフィルタの入出力端子を形成する、請求項４に記載の共振素子。
6. 前記共振素子は、ハイパスフィルタを形成し、
   前記第１入出力部および前記第２入出力部の各々は、前記ハイパスフィルタの入出力端子を形成し、
   前記第４インダクタの他方端は、接地点に接続されている、請求項４に記載の共振素子。
7. 前記複数の第２ビア電極は、複数の第２ビア電極であり、
   前記複数の第３ビア電極は、複数の第３ビア電極であり、
   前記複数の第２ビア電極は、第１方向に沿って並置され、
   前記複数の第３ビア電極は、前記第１方向に直交する第２方向に前記複数の第２ビア電極から離間して、前記第１方向に沿って並置され、
   前記第２平面電極は、前記複数の第２ビア電極と前記複数の第３ビア電極との間に配置され、
   前記第２平面電極は、前記第１方向に突出し、前記第１入出力部を形成する突出部を有し、
   前記法線方向から前記少なくとも１つの第１平面電極を平面視したとき、前記突出部の少なくとも一部は、前記少なくとも１つの第１平面電極および前記第３平面電極と重なっていない、請求項３～６のいずれか１項に記載の共振素子。
8. 前記少なくとも１つの第１平面電極の数は、１つである、請求項３～７のいずれか１項に記載の共振素子。
9. 前記少なくとも１つの第１平面電極の数は、２つであり、
   前記少なくとも１つの第１平面電極は、互いに接続され、
   前記複数の第２ビア電極は、前記少なくとも１つの第１平面電極のうちの一方の第１平面電極および前記第３平面電極を接続し、
   前記複数の第３ビア電極は、前記少なくとも１つの第１平面電極のうちの他方の第１平面電極および前記第３平面電極を接続する、請求項３～７のいずれか１項に記載の共振素子。
10. 請求項１～９のいずれか１項に記載の共振素子を含む、フィルタ。
11. 共通端子と、
    第１入出力端子と、
    第２入出力端子と、
    前記共通端子および前記第１入出力端子の間に接続されたローパスフィルタと、
    前記共通端子および前記第２入出力端子の間に接続されたハイパスフィルタとを備え、
    前記ローパスフィルタは、請求項５に記載の第１共振素子を含み、
    前記第１共振素子の第１入出力部は、前記共通端子に電気的に接続され、
    前記第１共振素子の第４インダクタは、前記第１共振素子の第２入出力部および前記第１入出力端子の間に接続され、
    前記ハイパスフィルタは、
    請求項６に記載の第２共振素子と、
    前記第２共振素子の第２入出力部および前記接地点の間において前記第２共振素子の第４インダクタに対して並列に接続された第２キャパシタとを含み、
    前記第２共振素子の第１入出力部は、前記共通端子に電気的に接続され、
    前記第２共振素子の第２入出力部は、前記第２入出力端子に電気的に接続されている、ダイプレクサ。
12. 第１誘電体層と第２誘電体層とを含む複数の誘電体層が積層されたフィルタであって、
    請求項３～９のいずれか１項に記載の第２共振素子および第３共振素子を備え、
    前記第２共振素子の第２入出力部は、前記第３共振素子の第１入出力部に接続され、
    前記第１誘電体層および前記第２誘電体層の各々の誘電率は、前記第１誘電体層および前記第２誘電体層以外の前記複数の誘電体層の各々の誘電率よりも大きく、
    前記第１誘電体層は、前記第２共振素子の第２平面電極と前記第２共振素子の第３平面電極との間に配置され、
    前記第２誘電体層は、前記第３共振素子の第２平面電極と前記第３共振素子の第３平面電極との間に配置され、
    前記第２共振素子の第２平面電極および前記第３共振素子の第２平面電極は、前記第１誘電体層と前記第２誘電体層との間に配置されている、フィルタ。
13. 共通端子と、
    第１入出力端子と、
    第２入出力端子と、
    前記共通端子および前記第１入出力端子の間に接続されたローパスフィルタと、
    前記共通端子および前記第２入出力端子の間に接続された請求項１２に記載のフィルタであるバンドパスフィルタとを備え、
    前記ローパスフィルタは、請求項５に記載の第１共振素子を含み、
    前記第１共振素子の第１入出力部は、前記共通端子に電気的に接続され、
    前記第１共振素子の第４インダクタは、前記第１共振素子の第２入出力部および前記第１入出力端子の間に接続され、
    前記バンドパスフィルタは、
    前記第２共振素子の第２入出力部および接地点の間に接続された第３キャパシタとを含み、
    前記第２共振素子の第１入出力部は、前記共通端子に電気的に接続され、
    前記第３共振素子の第２入出力部は、前記第２入出力端子に電気的に接続され、
    前記第１誘電体層は、前記第１共振素子の第２平面電極と前記第１共振素子の第３平面電極の間に配置されている、ダイプレクサ。

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