JP6638740B2 - ダイプレクサ - Google Patents

Description

本発明は、第１フィルタと、第２フィルタとを備えたダイプレクサに関し、さらに詳しくは、第１フィルタと、第２フィルタとが十分にアイソレーションされた、優れた周波数特性を有するダイプレクサに関する。

無線通信において、１つのアンテナで送信と受信の両方をおこなうために、ダイプレクサが利用される場合がある。

また、ケーブルテレビの回線を利用した高速データ通信においても、１つのケーブル回線で送信と受信の両方をおこなうために、ダイプレクサが利用される場合がある。なお、ケーブルテレビの回線を利用した高速データ通信の規格としては、たとえば、ＤＯＣＳＩＳ（登録商標）（Data Over Cable Service Interface Specifications）に基づくデータ通信サービスがある。

そのような用途に使用し得るダイプレクサが、特許文献１（特開２０１４-１７９９６７号公報）に開示されている。

特許文献１に開示されたダイプレクサは、複数の基材層が積層された多層基板（積層体）を備える。多層基板の層間には、キャパシタ電極、線路電極（パターン導体）、グランド電極（グランド導体）、配線電極が積層されている。また、基材層の両主面間を貫通して、電気的接続をはかるためのビア導体が形成されている。さらに、多層基板の非実装面（上側主面）には、インダクタが搭載されている。

特許文献１に開示されたダイプレクサは、キャパシタ電極どうし、またはキャパシタ電極とグランド電極とでキャパシタが構成されている。また、線路電極によりインダクタが構成されている。そして、これらのキャパシタ、インダクタと、さらに多層基板の非実装面に搭載されたインダクタとを使って、ローパスフィルタとハイパスフィルタとが構成されている。

しかしながら、特許文献１に開示されたダイプレクサは、多層基板の内部に、ローパスフィルタとハイパスフィルタとが隣接して形成されているにもかかわらず、ローパスフィルタとハイパスフィルタとの間をアイソレーションする手段が講じられていなかった。そのため、ローパスフィルタの内部電極パターンとハイパスフィルタの内部電極パターンとの間で、線間容量や、電磁界結合により、ハイパスフィルタを通る受信信号がローパスフィルタに回り込んだり、ローパスフィルタを通る送信信号がハイパスフィルタに回り込んだりし、周波数特性を劣化させてしまうという問題があった。

なお、特許文献１に開示されたダイプレクサは、ローパスフィルタとハイパスフィルタとを備えたダイプレクサであるが、ローパスフィルタとバンドパスフィルタとを備えたダイプレクサにおいても同じ問題がある。

上述した問題を解決するために、特許文献２（特開２００６-１４０８６２号公報）に開示されたダイプレクサ（高周波モジュール）では、多層基板（積層基板）の内部において、フィルタとフィルタとの間にシールド用グランド電極（グランド用導体層）が形成され、フィルタとフィルタとのアイソレーションの向上がはかられている。なお、特許文献２に開示されたダイプレクサは、複数のローパスフィルタと複数のバンドパスフィルタとを備え、また、複数の送信信号経路と複数の受信信号経路とを備え、必要なフィルタをスイッチで切り替えて使用する複合化されたダイプレクサである。

図１１（Ａ）〜（Ｃ）に、特許文献２に開示されたダイプレクサ１１００を示す。ただし、図１１（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、ダイプレクサ１１００の多層基板（図示せず）を構成する１９層の基材層（誘電体層）のうち、説明に必要な３層の基材層１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃを抜き出し、その上側主面を示したものである。図１１（Ａ）は、上から７層目に積層された基材層１０１ａを示している。図１１（Ｂ）は、上から８層目に積層された基材層１０１ｂを示している。図１１（Ｃ）は、上から１８層目に積層された基材層１０１ｃを示している。

ダイプレクサ１１００は、図１１（Ａ）、（Ｂ）における、左半分の領域に受信用フィルタが形成され、右半分の領域に送信用フィルタが形成されている。

ダイプレクサ１１００の多層基板の複数の層間には、図１１（Ａ）に示す、シールド用グランド電極（グランド用導体層）１０２が形成されている。異なる層間に形成されたシールド用グランド電極１０２は、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す、ビア導体（スルーホール）１０３により相互に接続されている。ダイプレクサ１１００は、シールド用グランド電極１０２とビア導体１０３とによって、受信用フィルタと送信用フィルタとのアイソレーションがはかられている。

なお、ダイプレクサ１１００は、受信用フィルタのグランドと、送信用フィルタのグランドと、シールド用グランド電極１０２とが、図１１（Ｃ）に示す、１８層目の基材層１０１ｃに形成された１つのグランド電極（導体層）１０４にまとめられたうえで、グランド電極１０４が６つのグランド端子Ｇ１〜Ｇ６に接続されている。

特開２０１４-１７９９６７号公報 特開２００６-１４０８６２号公報

ダイプレクサ１１００は、全てのグランドが、いったん、１つのグランド電極１０４にまとめられたうえで、グランド電極１０４が６つのグランド端子Ｇ１〜Ｇ６に接続され、システム（ダイプレクサ１１００が組込まれる通信機器）のグランドに接続される。そのため、システム側から見たダイプレクサ１１００の実際の特性は、内部のグランド電極１０４と、システムのグランドとの間に、小さなインダクタンス成分Ｌや浮遊容量が付与された特性として現れる。このため、グランドが内部のグランド電極で共通となることにより、フィルタ間のアイソレーションに限界が生じるという問題があった。また、各フィルタのグランドが共通となるため、フィルタとシステムとの間に形成されるインダクタンス成分や浮遊容量を個別に調整することができず、各フィルタの特性を最大限に活かすことができないという問題があった。

以下の実験をおこない、フィルタとグランド端子との間に形成されるインダクタンス成分の大きさが、周波数特性に与える影響を調べた。具体的には、フィルタのグランド電極とグランド端子との間の長さが異なり、この部分に形成されるインダクタンス成分の大きさが異なる、試料１および試料２にかかるダイプレクサを作製した。そして、試料１と試料２の周波数特性を比較した。

試料１および試料２にかかるダイプレクサは、いずれも、内部にキャパシタ電極やグランド電極が積層された多層基板を備え、その多層基板の上側主面に複数のインダクタが搭載されている。また、多層基板の下側主面には、第１端子、第２端子、第３端子、グランド端子が形成されている。そして、多層基板内部のキャパシタ電極により構成されたキャパシタと、搭載したインダクタとで、第１端子と第２端子との間にローパスフィルタが構成され、第１端子と第３端子との間にハイパスフィルタが構成されている。なお、ローパスフィルタのグランドと、ハイパスフィルタのグランドは、いったん、多層基板の内部で共通のグランド電極にまとめられ、その共通のグランド電極が多層基板の表面に形成された各グランド端子に接続されている。

試料２のダイプレクサの共通のグランド電極からグランド端子までの線路の長さを、試料１のダイプレクサの共通のグランド電極からグランド端子までの線路の長さよりも長くした。したがって、試料２のダイプレクサにおいて共通のグランド電極からグランド端子に形成されるインダクタンス成分は、試料１のダイプレクサにおいて共通のグランド電極からグランド端子に形成されるインダクタンス成分よりも大きい。

図１２に、試料１および試料２のダイプレクサの周波数特性を、それぞれ示す。なお、破線が試料１のダイプレクサの周波数特性であり、実線が試料２のダイプレクサの周波数特性である。試料２のダイプレクサのように、共通のグランド電極からグランド端子までの線路の長さを長くし、形成されるインダクタンス成分を大きくした方が、ローパスフィルタは、破線の楕円Ｖ-１で示すように、通過帯域よりも高周波側の減衰が大きくなっており好ましい。しかしながら、ハイパスフィルタは、逆に、破線の楕円Ｖ-２で示すように、通過帯域近傍の低周波側の減衰が小さくなってしまっており、好ましくない。

この実験からも分かるように、ローパスフィルタとグランド端子との間に形成されるインダクタンス成分と、ハイパスフィルタとグランド端子との間に形成されるインダクタンス成分とは、別々に調整できることが好ましい。

これに対し、特許文献２に開示されたダイプレクサ１１００は、全てのグランドを、いったん、グランド電極１０４にまとめたうえで、グランド電極１０４をグランド端子Ｇ１〜Ｇ６に接続しているため、フィルタごとに、フィルタとグランド端子との間に形成されるインダクタンス成分を調整することができなかった。また、フィルタとグランド端子との間に形成される浮遊容量も調整することができなかった。

本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として、本発明のダイプレクサは、複数の基材層が積層されてなる、実装面と非実装面と有する多層基板と、多層基板の実装面に形成された第１端子、第２端子、第３端子、グランド端子と、を備え、第１端子と第２端子との間に第１フィルタが構成され、第１端子と第３端子との間に第２フィルタが構成され、多層基板の層間に、相互に、物理的に分離して形成され、かつ、多層基板において直接に電気的に接続されていない、第１フィルタ用グランド電極と、第２フィルタ用グランド電極と、第１フィルタと第２フィルタとの間をシールドするためのシールド用グランド電極とを備え、グランド端子が、相互に、物理的に分離して形成され、かつ、多層基板において直接に電気的に接続されていない、第１フィルタ用グランド電極に接続された第１フィルタ用グランド端子と、第２フィルタ用グランド電極に接続された第２フィルタ用グランド端子と、シールド用グランド電極に接続されたシールド用グランド端子となからなるものとした。

第１フィルタは、たとえばローパスフィルタとして構成することができ、第２フィルタは、たとえばハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタして構成することができる。

第１端子が、多層基板の層間に積層された線路電極により形成された共通インダクタを介したうえで、第１フィルタと、第２フィルタとに接続されていることが好ましい。この場合には、共通インダクタにより、第１フィルタの周波数特性をさらに改善し、かつ、第２フィルタの周波数特性をさらに改善することができる。

シールド用グランド電極が、少なくとも、第１フィルタを構成する複数のインダクタの内の第１端子と第２端子との中間に配置されたものから第２端子側に配置されたものと、第２フィルタを構成する複数のインダクタの内の第１端子と第３端子との中間に配置されたものから第３端子側に配置されたものとの間をシールドしていることが好ましい。第１フィルタと、第２フィルタとは、後半部分において結合するほど、周波数特性を劣化させる影響が大きいことが知られている。上記の構成は、第１フィルタと、第２フィルタとが、後半部分において結合することを抑制したものであり、この場合には、周波数特性の劣化を効果的に抑制することができる。また、第１端子に共通インダクタが接続されている場合には、共通インダクタとシールド用グランド電極との間隔を大きく取ることができるため、共通インダクタとシールド用グランド電極とのアイソレーションが不十分になることによる周波数特性の劣化も抑制することができる。

シールド用グランド電極が、多層基板の内部において、第１フィルタ用グランド電極と、第２フィルタ用グランド電極との間に形成されていることが好ましい。この場合には、第１フィルタと、第２フィルタとのアイソレーションがより確実になる。

第１フィルタ用グランド電極と第１フィルタ用グランド端子との間、および、第２フィルタ用グランド電極と第２フィルタ用グランド端子との間が、それぞれ、ビア導体により接続され、第１フィルタ用グランド電極からビア導体を経由して第１フィルタ用グランド端子に形成されるインダクタンス成分が、第２フィルタ用グランド電極からビア導体を経由して第２フィルタ用グランド端子に形成されるインダクタンス成分よりも大きいことが好ましい。この場合には、第１フィルタと、第２フィルタとの両者において、それぞれ、さらに周波数特性を改善することができる。

この場合において第１フィルタ用グランド電極の外縁と第２フィルタ用グランド電極の外縁とを比較した場合、第２フィルタ用グランド電極の外縁の方が、第１フィルタ用グランド電極の外縁よりも、凹凸の数が多い、および／または、大きな凹凸を備えており、第１フィルタ用グランド電極と第１フィルタ用グランド端子との間を接続するビア導体の数が、第２フィルタ用グランド電極と第２フィルタ用グランド端子との間を接続するビア導体の数よりも少ないことが好ましい。この場合には、容易に、第１フィルタ用グランド電極からビア導体を経由して第１フィルタ用グランド端子に形成されるインダクタンス成分を、第２フィルタ用グランド電極からビア導体を経由して第２フィルタ用グランド端子に形成されるインダクタンス成分よりも大きくすることができる。

第１フィルタ用グランド電極とシールド用グランド電極とが電磁界結合し、かつ、第２フィルタ用グランド電極とシールド用グランド電極とが電磁界結合していることが好ましい。この場合には、第１フィルタ用グランド電極と、第２フィルタ用グランド電極とが電磁界結合することを抑制できるため、第１フィルタと、第２フィルタとのアイソレーションがより確実になる。

シールド用グランド電極が複数からなり、それらのシールド用グランド電極が多層基板の複数の層間に積層され、異なる層間に積層されたシールド用グランド電極どうしがビア導体により接続されていることが好ましい。この場合には、複数のシールド用グランド電極と、それらを接続するビア導体とにより、第１フィルタと、第２フィルタとをアイソレーションすることができるため、第１フィルタと、第２フィルタとのアイソレーションがより確実になる。

多層基板の非実装面に、さらに、シールド用グランド電極が形成され、多層基板の非実装面に形成されたシールド用グランド電極と、多層基板の層間に積層されたシールド用グランド電極とが、ビア導体によって接続されたものとしても良い。この場合には、多層基板の非実装面に形成されたシールド用グランド電極を、このダイプレクサを真空吸着する際のチャックマークとして利用したり、このダイプレクサの各端子の位置を示すためのピンマークとして利用したりすることができる。なお、チャックマークやピンマークを、他の配線に接続されていない、いわゆる浮き電極として形成した場合には、表面に電解めっきによる保護層を形成しにくいという問題があった。しかしながら、上記のように、チャックマークやピンマークとシールド用グランド電極とを兼用させ、そのシールド用グランド電極を多層基板の内部の他のシールド用グランド電極と接続させておけば、チャックマークやピンマークの表面に電解めっきによる保護層を容易に形成することができる。

第１フィルタ用グランド電極が複数からなり、それらの第１フィルタ用グランド電極が多層基板の複数の層間に積層され、異なる層間に積層された第１フィルタ用グランド電極どうしがビア導体により接続され、第２フィルタ用グランド電極が複数からなり、それらの第２フィルタ用グランド電極が多層基板の複数の層間に積層され、異なる層間に積層された第２フィルタ用グランド電極どうしがビア導体により接続され、シールド用グランド電極が複数からなり、それらのシールド用グランド電極が多層基板の複数の層間に積層され、異なる層間に積層されたシールド用グランド電極どうしがビア導体により接続され、多層基板の積層方向に、第１フィルタ用グランド電極と第２フィルタ用グランド電極とが、シールド用グランド電極を間に挟んで積層された多層基板の層間と、第１フィルタ用グランド電極、第２フィルタ用グランド電極、およびシールド用グランド電極が全く積層されていない多層基板の層間とが、交互に、複数回、繰り返して設けられたものとすることが好ましい。この場合には、第１フィルタ用グランド電極、第２フィルタ用グランド電極、およびシールド用グランド電極が全く積層されていない多層基板の層間に、キャパシタ電極を積層すれば、そのキャパシタ電極がグランド電極との間に不要な浮遊容量を持ちにくくなり、フィルタの周波数特性の劣化を抑制することができる。

多層基板は、たとえば、低温同時焼成セラミックスにより形成することができる。この場合には、本発明のダイプレクサに必要な多層基板を、容易に作製することができる。ただし、多層基板の材質は低温同時焼成セラミックスに限定されず、他の種類のセラミックスや、樹脂等であっても良い。

本発明のダイプレクサは、多層基板の内部に、第１フィルタ用グランド電極と、第２フィルタ用グランド電極と、シールド用グランド電極とが別々に設けられるとともに、多層基板の実装面（あるいは実装面および側面）に、第１フィルタ用グランド端子と、第２フィルタ用グランド端子と、シールド用グランド端子とが別々に設けられ、さらに、各グランド電極と各グランド端子が別々に接続されている。このため、第１フィルタと第２フィルタとが、確実にアイソレーションされており、周波数特性に優れている。

また、本発明のダイプレクサは、第１フィルタと第１フィルタ用グランド端子との間に形成される浮遊容量およびインダクタンス成分と、第２フィルタと第２フィルタ用グランド端子との間に形成される浮遊容量およびインダクタンス成分とを、相互に独立して調整することができるため、他のフィルタの影響を受けることなく第１フィルタの周波数特性の最適化をはかることができ、かつ、他のフィルタの影響を受けることなく第２フィルタの周波数特性の最適化をはかることができる。

図１（Ａ）は、第１実施形態にかかるダイプレクサ１００を示す平面図である。図１（Ｂ）は、ダイプレクサ１００を示す正面図である。図１（Ｃ）は、ダイプレクサ１００を示す底面図である。 ダイプレクサ１００の多層基板１に積層された基材層ＢＬ１〜ＢＬ８の各上側主面を示す平面図である。 ダイプレクサ１００の多層基板１に積層された基材層ＢＬ９〜ＢＬ１６の各上側主面を示す平面図である。 ダイプレクサ１００の多層基板１に積層された基材層ＢＬ１７〜ＢＬ２４の各上側主面を示す平面図である。 ダイプレクサ１００の多層基板１に積層された基材層ＢＬ２５〜ＢＬ３２の各上側主面を示す平面図である。 ダイプレクサ１００の多層基板１に積層された基材層ＢＬ３３〜ＢＬ３５の各上側主面を示す平面図である。ただし、基材層ＢＬ３５については、さらに別途、下側主面を透視して示している。 ダイプレクサ１００の等価回路図である。 図８（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、ダイプレクサ１００と、比較例にかかるダイプレクサの周波数特性を示すグラフである。図８（Ａ）、（Ｂ）において、実線がダイプレクサ１００の周波数特性を示し、破線が比較例にかかるダイプレクサの周波数特性を示している。なお、図８（Ａ）は、図８（Ｂ）の一部分を拡大して示したものである。 第２実施形態にかかるダイプレクサ２００の多層基板１に積層された基材層ＢＬ１〜ＢＬ５の各上側主面を示す平面図である。 第３実施形態にかかるダイプレクサ３００を示す説明図（簡略化した等価回路図）である。 図１１（Ａ）は、特許文献１に開示されたダイプレクサ１１００の多層基板に積層された、上から７層目の基材層１０１ａを示す平面図である。図１１（Ｂ）は、上から８層目の基材層１０１ｂを示す平面図である。図１１（Ｃ）は、上から１８層目の基材層１０１ｃを示す平面図である。 共通グランド電極と各グランド端子との間の長さ（インダクタンス成分の大きさ）が周波数特性に与える影響を調べるための実験における、試料１および試料２の周波数特性を示すグラフである。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。

また、図面は、実施形態の理解を助けるためのものであり、必ずしも厳密に描画されていない場合がある。たとえば、描画された構成要素ないし構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合等がある。

［第１実施形態］
図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２〜図７に、第１実施形態にかかるダイプレクサ１００を示す。

ただし、図１（Ａ）はダイプレクサ１００の平面図である。図１（Ｂ）はダイプレクサ１００の正面図である。図１（Ｃ）はダイプレクサ１００の底面図である。

図２〜図６は、ダイプレクサ１００の多層基板１を構成する３５層の基材層ＢＬ１〜ＢＬ３５の積図である。図２には、基材層ＢＬ１〜ＢＬ８の各上側主面を示している。図３には、基材層ＢＬ９〜ＢＬ１６の各上側主面を示している。図４には、基材層ＢＬ１７〜ＢＬ２４の各上側主面を示している。図５には、基材層ＢＬ２５〜ＢＬ３２の各上側主面を示している。図６には、基材層ＢＬ３３〜ＢＬ３５の各上側主面を示している。ただし、基材層ＢＬ３５については、さらに別途、下側主面を透視して示している。なお、基材層ＢＬ３５の下側主面には、ダイプレクサ１００を、ベース基板等に表面実装する際に使用する各端子が形成されている。

図７は、ダイプレクサ１００の等価回路図である。

ダイプレクサ１００は、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、多層基板１を備える。

本実施形態においては、多層基板１の材質に、低温同時焼成セラミックスを使用した。低温同時焼成セラミックスを使用すれば、電極や端子の形成と、多層基板１の焼成とを同時におこなうことができ、製造が容易になる。ただし、多層基板１の材質は任意であり、他の種類のセラミックスや、樹脂等であっても良い。

多層基板１の上側主面には、図１（Ａ）に示すように、１０個のインダクタＬ１１〜Ｌ１４、Ｌ２１〜Ｌ２６が搭載されている。

多層基板１の下側主面（底面）には、図１（Ｃ）に示すように、第１端子Ｔ１と、第２端子Ｔ２と、第３端子Ｔ３とが形成されている。また、多層基板１の下側主面には、２つのローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２（第1フィルタ用グランド端子）と、２つのハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２（第２フィルタ用グランド端子）と、１つのシールド用グランド端子ＳＧＴとが形成されている。さらに、多層基板１の下側主面の中心部近傍には、電気的な接続をおこなわない、実装強度を高めるための４つの浮遊端子ＦＴが形成されている。

詳しくは後述するが、ダイプレクサ１００は、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間に第１フィルタとしてローパスフィルタＬＰＦが構成され、第１端子Ｔ１と第３端子Ｔ３との間に第２フィルタとしてハイパスフィルタＨＰＦが構成されている。

多層基板１は、上から順に、３５層の基材層ＢＬ１〜ＢＬ３５が積層されたものからなる。上述したとおり、図２〜図６に各基材層ＢＬ１〜ＢＬ３５の上側主面を示すが、図２〜図６においては、煩雑になることを避けるために、ビア導体、配線電極、中継電極に符号を付すことを省略している。

なお、配線電極とは、多層基板１の層間において、平面方向に離れた２点間を接続するための電極である。また、中継電極とは、多層基板１の層間に設けられた、上側の基材層に設けられたビア導体と、下側の基材層に設けられたビア電極との接続を確実にするための電極である。

図２に示すように、１層目（最上層）の基材層ＢＬ１（の上側主面）には、インダクタを実装するための１０対のランド電極ＥＬ１１ａ〜ＥＬ１４ａ、ＥＬ１１ｂ〜ＥＬ１４ｂ、ＥＬ２１ａ〜ＥＬ２６ａ、ＥＬ２１ｂ〜ＥＬ２６ｂが形成されている。また、基材層ＢＬ１には、ダイプレクサ１００を真空吸着する際の目印となるチャックマークＣＭと、ダイプレクサ１００の各端子の位置を示すためのピンマークＰＭが形成されている。また、基材層ＢＬ１の両主面間を貫通して、複数のビア導体が形成されている。

図１（Ａ）に示すように、ランド電極ＥＬ１１ａ、ＥＬ１１ｂにインダクタＬ１１が実装されている。同様に、ランド電極ＥＬ１２ａ、ＥＬ１２ｂにインダクタＬ１２が実装されている。ランド電極ＥＬ１３ａ、ＥＬ１３ｂにインダクタＬ１３が実装されている。ランド電極ＥＬ１４ａ、ＥＬ１４ｂにインダクタＬ１４が実装されている。ランド電極ＥＬ２１ａ、ＥＬ２１ｂにインダクタＬ２１が実装されている。ランド電極ＥＬ２２ａ、ＥＬ２２ｂにインダクタＬ２２が実装されている。ランド電極ＥＬ２３ａ、ＥＬ２３ｂにインダクタＬ２３が実装されている。ランド電極ＥＬ２４ａ、ＥＬ２４ｂにインダクタＬ２４が実装されている。ランド電極ＥＬ２５ａ、ＥＬ２５ｂにインダクタＬ２５が実装されている。ランド電極ＥＬ２６ａ、ＥＬ２６ｂにインダクタＬ２６が実装されている。

再び図２を参照して、２層目〜３層目の基材層ＢＬ２〜ＢＬ３には、それぞれ、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

４層目の基材層ＢＬ４には、複数の配線電極が形成されている。また、基材層ＢＬ４には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

５層目の基材層ＢＬ５には、ローパスフィルタＬＰＦとハイパスフィルタＨＰＦとをシールドするためのシールド用グランド電極ＳＧが形成されている。また、基材層ＢＬ５には、線路電極Ｌ１５ａ（インダクタＬ１５）が形成されている。また、基材層ＢＬ５には、複数の配線電極が形成されている。また、基材層ＢＬ５には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

６層目の基材層ＢＬ６には、９個のキャパシタ電極Ｃ１１ｂ、Ｃ１２ａ、Ｃ１３ａ、Ｃ１４ａ、Ｃ２１ｂ、Ｃ２２ａ、Ｃ２３ｂ、Ｃ２４ａ、Ｃ２５ｂが形成されている。なお、キャパシタ電極Ｃ１１ｂとＣ１２ａ、キャパシタ電極Ｃ２１ｂとＣ２２ａ、キャパシタ電極Ｃ２３ｂとＣ２４ａは、それぞれ、配線電極により相互に接続されている。また、基材層ＢＬ６には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

７層目の基材層ＢＬ７には、シールド用グランド電極ＳＧが形成されている。また、基材層ＢＬ７には、１０個のキャパシタ電極Ｃ１１ａ、Ｃ１２ｂ、Ｃ１３ｂ、Ｃ１４ｂ、Ｃ２１ａ、Ｃ２２ｂ、Ｃ２３ａ、Ｃ２４ｂ、Ｃ２５ａ、Ｃ３０ａが形成されている。なお、キャパシタ電極Ｃ２２ｂとＣ２３ａ、キャパシタ電極Ｃ２４ｂとＣ２５ａは、それぞれ、配線電極により相互に接続されている。また、基材層ＢＬ７には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

８層目の基材層ＢＬ８には、１０個のキャパシタ電極Ｃ１１ｂ、Ｃ１２ａ、Ｃ１３ａ、Ｃ１４ａ、Ｃ２１ｂ、Ｃ２２ａ、Ｃ２３ｂ、Ｃ２４ａ、Ｃ２５ｂ、Ｃ３０ｂが形成されている。なお、キャパシタ電極Ｃ１１ｂとＣ１２ａ、キャパシタ電極Ｃ２１ｂとＣ２２ａ、キャパシタ電極Ｃ２３ｂとＣ２４ａは、それぞれ、配線電極により相互に接続されている。また、基材層ＢＬ８には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

図３に示すように、９層目の基材層ＢＬ９には、シールド用グランド電極ＳＧが形成されている。また、基材層ＢＬ９には、１０個のキャパシタ電極Ｃ１１ａ、Ｃ１２ｂ、Ｃ１３ｂ、Ｃ１４ｂ、Ｃ２１ａ、Ｃ２２ｂ、Ｃ２３ａ、Ｃ２４ｂ、Ｃ２５ａ、Ｃ３０ａが形成されている。なお、キャパシタ電極Ｃ２２ｂとＣ２３ａ、キャパシタ電極Ｃ２４ｂとＣ２５ａは、それぞれ、配線電極により相互に接続されている。また、基材層ＢＬ９には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

１０層目の基材層ＢＬ１０には、９個のキャパシタ電極Ｃ１１ｂ、Ｃ１２ａ、Ｃ１３ａ、Ｃ１４ａ、Ｃ２１ｂ、Ｃ２２ａ、Ｃ２３ｂ、Ｃ２４ａ、Ｃ２５ｂが形成されている。なお、キャパシタ電極Ｃ１１ｂとＣ１２ａ、キャパシタ電極Ｃ２１ｂとＣ２２ａ、キャパシタ電極Ｃ２３ｂとＣ２４ａは、それぞれ、配線電極により相互に接続されている。また、基材層ＢＬ１０には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

１１層目の基材層ＢＬ１１には、シールド用グランド電極ＳＧが形成されている。また、基材層ＢＬ１１には、８個のキャパシタ電極Ｃ１１ａ、Ｃ１３ｂ、Ｃ１４ｂ、Ｃ２１ａ、Ｃ２２ｂ、Ｃ２３ａ、Ｃ２４ｂ、Ｃ２５ａが形成されている。なお、キャパシタ電極Ｃ２２ｂとＣ２３ａ、キャパシタ電極Ｃ２４ｂとＣ２５ａは、それぞれ、配線電極により相互に接続されている。また、基材層ＢＬ１１には、配線電極が形成されている。また、基材層ＢＬ１１には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

１２層目の基材層ＢＬ１２には、６個のキャパシタ電極Ｃ１４ａ、Ｃ２１ｂ、Ｃ２２ａ、Ｃ２３ｂ、Ｃ２４ａ、Ｃ２５ｂが形成されている。なお、キャパシタ電極Ｃ２１ｂとＣ２２ａ、キャパシタ電極Ｃ２３ｂとＣ２４ａは、それぞれ、配線電極により相互に接続されている。また、基材層ＢＬ１２には、複数の配線電極が形成されている。また、基材層ＢＬ１２には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

１３層目の基材層ＢＬ１３には、シールド用グランド電極ＳＧが形成されている。また、基材層ＢＬ１３には、キャパシタ電極Ｃ２１ａが形成されている。また、基材層ＢＬ１３には、複数の配線電極が形成されている。また、基材層ＢＬ１３には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

図３および図４に示すように、１４層目〜２２層目の基材層ＢＬ１４〜ＢＬ２２には、それぞれ、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

２３層目の基材層ＢＬ２３には、シールド用グランド電極ＳＧが形成されている。また、基材層ＢＬ２３には、３個のキャパシタ電極Ｃ２７ａ、Ｃ２８ａ、Ｃ２９ａが形成されている。基材層ＢＬ２３には、複数の配線電極が形成されている。また、基材層ＢＬ２３には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

２４層目の基材層ＢＬ２４には、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧ（第２フィルタ用グランド電極）と、シールド用グランド電極ＳＧとが形成されている。また、基材層ＢＬ２４には、配線電極が形成されている。また、基材層ＢＬ２４には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

図５に示すように、２５層目の基材層ＢＬ２５には、２個のキャパシタ電極Ｃ１５ａ、Ｃ１８ａが形成されている。また、基材層ＢＬ２５には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

２６層目の基材層ＢＬ２６には、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧ（第１フィルタ用グランド電極）と、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧと、シールド用グランド電極ＳＧとが形成されている。また、基材層ＢＬ２６には、線路電極Ｌ０１ｄが形成されている。また、基材層ＢＬ２６には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

２７層目の基材層ＢＬ２７には、線路電極Ｌ０１ｃが形成されている。また、基材層ＢＬ２７には、８個のキャパシタ電極Ｃ１５ａ、Ｃ１６ａ、Ｃ１７ａ、Ｃ１８ａ、Ｃ２６ａ、Ｃ２７ａ、Ｃ２８ａ、Ｃ２９ａが形成されている。また、基材層ＢＬ２７には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

２８層目の基材層ＢＬ２８には、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧと、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧと、シールド用グランド電極ＳＧとが形成されている。また、基材層ＢＬ２８には、線路電極Ｌ０１ｂが形成されている。また、基材層ＢＬ２８には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

２９層目の基材層ＢＬ２９には、線路電極Ｌ０１ａが形成されている。また、基材層ＢＬ２９には、８個のキャパシタ電極Ｃ１５ａ、Ｃ１６ａ、Ｃ１７ａ、Ｃ１８ａ、Ｃ２６ａ、Ｃ２７ａ、Ｃ２８ａ、Ｃ２９ａが形成されている。また、基材層ＢＬ２９には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

３０層目の基材層ＢＬ３０には、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧと、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧと、シールド用グランド電極ＳＧとが形成されている。また、基材層ＢＬ３０には、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

３１層目、３２層目の基材層ＢＬ３１、ＢＬ３２には、それぞれ、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

図６に示すように、３３層目、３４層目の基材層ＢＬ３３、ＢＬ３４には、それぞれ、複数の中継電極が形成されている。また、基材層ＢＬ３３、ＢＬ３４には、それぞれ、両主面間を貫通して複数のビア導体が形成されている。

３５層目（最下層）の基材層ＢＬ３５の上側主面には、複数の中継電極が形成されている。また、基材層ＢＬ３５の下側主面には、すなわち、多層基板１の下側主面には、上述したとおり、第１端子Ｔ１と、第２端子Ｔ２と、第３端子Ｔ３と、２つのローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２と、２つのハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２と、１つのシールド用グランド端子ＳＧＴと、４つの浮遊端子ＦＴが形成されている。

なお、上述した各電極、各端子およびビア導体の材質には、銅、銀、アルミニウム等、あるいは、これらの合金を主成分として用いることができる。なお、各端子の表面には、さらに、めっき層を形成しても良い。

第１実施形態にかかるダイプレクサ１００は、以上のような３５層の基材層ＢＬ１〜ＢＬ３５が積層された多層基板１を備え、上述したとおり、多層基板１の上側主面に１０個のインダクタＬ１１〜Ｌ１４、Ｌ２１〜Ｌ２６が搭載された構造からなる。

以上の構造からなるダイプレクサ１００は、図７に示す等価回路を有する。

ダイプレクサ１００は、第１端子Ｔ１と、第２端子Ｔ２と、第３端子Ｔ３とを備える。また、ダイプレクサ１００は、第１フィルタとしてローパスフィルタＬＰＦと、第２フィルタとしてハイパスフィルタＨＰＦとを備える。

まず、第１端子Ｔ１に、共通インダクタＬ０１が接続されている。そして、共通インダクタＬ０１と第２端子Ｔ２との間に、ローパスフィルタＬＰＦが接続されている。また、共通インダクタＬ０１と第３端子Ｔ３との間に、ハイパスフィルタＨＰＦが接続されている。

ローパスフィルタＬＰＦは、共通インダクタＬ０１と第２端子Ｔ２とを繋ぐ信号ラインに、順に、インダクタＬ１１と、並列接続されたインダクタＬ１２およびキャパシタＣ１１と、並列接続されたインダクタＬ１３およびキャパシタＣ１２と、並列接続されたインダクタＬ１４およびキャパシタＣ１３と、並列接続されたインダクタＬ１５およびキャパシタＣ１４とが接続されている。また、インダクタＬ１１と、並列接続されたインダクタＬ１２およびキャパシタＣ１１との接続点と、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとの間に、キャパシタＣ１５が接続されている。並列接続されたインダクタＬ１２およびキャパシタＣ１１と、並列接続されたインダクタＬ１３およびキャパシタＣ１２との接続点と、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとの間に、キャパシタＣ１６が接続されている。並列接続されたインダクタＬ１３およびキャパシタＣ１２と、並列接続されたインダクタＬ１４およびキャパシタＣ１３との接続点と、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとの間に、キャパシタＣ１７が接続されている。並列接続されたインダクタＬ１４およびキャパシタＣ１３と、並列接続されたインダクタＬ１５およびキャパシタＣ１４との接続点と、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとの間に、キャパシタＣ１８が接続されている。そして、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧが、ローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２に接続されている。

また、ハイパスフィルタＨＰＦは、共通インダクタＬ０１と第３端子Ｔ３とを繋ぐ信号ラインに、順に、５個のキャパシタＣ２１〜Ｃ２５と、１個のインダクタＬ２１とが接続されている。また、キャパシタＣ２１とキャパシタＣ２２との接続点と、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとの間に、直列接続されたインダクタＬ２２およびキャパシタＣ２６が接続されている。キャパシタＣ２２とキャパシタＣ２３との接続点と、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとの間に、直列接続されたインダクタＬ２３およびキャパシタＣ２７が接続されている。キャパシタＣ２３とキャパシタＣ２４との接続点と、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとの間に、直列接続されたインダクタＬ２４およびキャパシタＣ２８が接続されている。キャパシタＣ２４とキャパシタＣ２５との接続点と、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとの間に、直列接続されたインダクタＬ２５およびキャパシタＣ２９が接続されている。さらに、インダクタＬ２１と第３端子Ｔ３との接続点と、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとの間に、並列接続されたキャパシタＣ３０およびインダクタＬ２６が接続されている。そして、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧが、ハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２に接続されている。

また、ローパスフィルタＬＰＦとハイパスフィルタＨＰＦとの間に、シールド用グランド電極ＳＧが配置されている。そして、シールド用グランド電極ＳＧは、シールド用グランド端子ＳＧＴに接続されている。

次に、図１〜図６に示したダイプレクサ１００の構造と、図７に示したダイプレクサ１００の等価回路との関係について説明する。

まず、線路電極Ｌ０１ａ〜Ｌ０１ｄがビア導体によって接続されて、共通インダクタＬ０１が構成されている。共通インダクタＬ０１は、一端が、ビア導体によって第１端子Ｔ１に接続されている。また、共通インダクタＬ０１は、他端が、ビア導体および配線電極によって、ローパスフィルタＬＰＦとハイパスフィルタＨＰＦとに、それぞれ接続されている。より具体的には、共通インダクタＬ０１の他端は、ビア導体および配線電極によって、ランド電極ＥＬ１１ａと、キャパシタ電極Ｃ２１ａとに、それぞれ接続されている。なお、ランド電極ＥＬ１１ａはローパスフィルタＬＰＦの一部分をなし、キャパシタ電極Ｃ２１ａはハイパスフィルタＨＰＦの一部分をなしている。

まず、ローパスフィルタＬＰＦは、図２に示すランド電極ＥＬ１１ａとランド電極ＥＬ１１ｂとの間に（電子部品の）インダクタＬ１１が実装されている。そして、ランド電極ＥＬ１１ｂが、ビア導体および配線電極によって、ランド電極ＥＬ１２ａおよびキャパシタ電極Ｃ１１ａに接続されている。

次に、ランド電極ＥＬ１２ａとランド電極ＥＬ１２ｂとの間にインダクタＬ１２が実装されている。また、キャパシタ電極Ｃ１１ａとキャパシタ電極Ｃ１１ｂとでキャパシタＣ１１が構成されている。そして、ランド電極ＥＬ１２ｂおよびキャパシタ電極Ｃ１１ｂが、ビア導体および配線電極によって、ランド電極ＥＬ１３ａおよびキャパシタ電極Ｃ１２ａに接続されている。

次に、ランド電極ＥＬ１３ａとランド電極ＥＬ１３ｂとの間にインダクタＬ１３が実装されている。また、キャパシタ電極Ｃ１２ａとキャパシタ電極Ｃ１２ｂとでキャパシタＣ１２が構成されている。そして、ランド電極ＥＬ１３ｂおよびキャパシタ電極Ｃ１２ｂが、ビア導体および配線電極によって、ランド電極ＥＬ１４ａおよびキャパシタ電極Ｃ１３ａに接続されている。

次に、ランド電極ＥＬ１４ａとランド電極ＥＬ１４ｂとの間にインダクタＬ１４が実装されている。また、キャパシタ電極Ｃ１３ａとキャパシタ電極Ｃ１３ｂとでキャパシタＣ１３が構成されている。そして、ランド電極ＥＬ１４ｂおよびキャパシタ電極Ｃ１３ｂが、ビア導体および配線電極によって、線路電極Ｌ１５ａの一端およびキャパシタ電極Ｃ１４ａに接続されている。

図２に示す線路電極Ｌ１５ａは、インダクタＬ１５を構成している。また、キャパシタ電極Ｃ１４ａとキャパシタ電極Ｃ１４ｂとでキャパシタＣ１４が構成されている。そして、線路電極Ｌ１５ａの他端およびキャパシタ電極Ｃ１４ｂが、ビア導体および配線電極によって、第２端子Ｔ２に接続されている。

また、ランド電極ＥＬ１１ｂと、ランド電極ＥＬ１２ａと、キャパシタ電極Ｃ１１ａとが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ１５ａに接続されている。そして、キャパシタ電極Ｃ１５ａとローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとでキャパシタＣ１５が構成されている。

また、ランド電極ＥＬ１２ｂと、ランド電極ＥＬ１３ａと、キャパシタ電極Ｃ１１ｂと、キャパシタ電極Ｃ１２ａとが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ１６ａに接続されている。そして、キャパシタ電極Ｃ１６ａとローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとでキャパシタＣ１６が構成されている。

また、ランド電極ＥＬ１３ｂと、ランド電極ＥＬ１４ａと、キャパシタ電極Ｃ１２ｂと、キャパシタ電極Ｃ１３ａとが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ１７ａに接続されている。そして、キャパシタ電極Ｃ１７ａとローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとでキャパシタＣ１７が構成されている。

また、ランド電極ＥＬ１４ｂと、線路電極Ｌ１５ａの一端と、キャパシタ電極Ｃ１３ｂと、キャパシタ電極Ｃ１４ａとが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ１８ａに接続されている。そして、キャパシタ電極Ｃ１８ａとローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとでキャパシタＣ１８が構成されている。

そして、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧが、ビア導体および中継電極によって、ローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２に接続されている。

一方、ハイパスフィルタＨＰＦは、共通インダクタＬ０１の他端に接続されキャパシタ電極Ｃ２１ａと、キャパシタ電極Ｃ２１ｂとでキャパシタＣ２１が構成されている。そして、キャパシタ電極Ｃ２１ｂが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ２２ａに接続されている。

次に、キャパシタ電極Ｃ２２ａとキャパシタ電極Ｃ２２ｂとでキャパシタＣ２２が構成されている。そして、キャパシタ電極Ｃ２２ｂが、キャパシタ電極Ｃ２３ａに接続されている。

次に、キャパシタ電極Ｃ２３ａとキャパシタ電極Ｃ２３ｂとでキャパシタＣ２３が構成されている。そして、キャパシタ電極Ｃ２３ｂが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ２４ａに接続されている。

次に、キャパシタ電極Ｃ２４ａとキャパシタ電極Ｃ２４ｂとでキャパシタＣ２４が構成されている。そして、キャパシタ電極Ｃ２４ｂが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ２５ａに接続されている。

次に、キャパシタ電極Ｃ２５ａとキャパシタ電極Ｃ２５ｂとでキャパシタＣ２５が構成されている。そして、キャパシタ電極Ｃ２５ｂが、ビア導体および配線電極によって、ランド電極ＥＬ２１ａに接続されている。

次に、ランド電極ＥＬ２１ａとランド電極ＥＬ２１ｂとの間にインダクタＬ２１が実装されている。さらにランド電極ＥＬ２１ｂが、ビア導体、配線電極および中継電極によって、第３端子Ｔ３に接続されている。

また、キャパシタ電極Ｃ２１ｂおよびキャパシタ電極Ｃ２２ａが、ビア導体および配線電極によって、ランド電極ＥＬ２２ａに接続されている。そして、ランド電極ＥＬ２２ａとランド電極ＥＬ２２ｂとの間にインダクタＬ２２が実装されている。さらにランド電極ＥＬ２２ｂが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ２６ａに接続されている。そして、キャパシタ電極Ｃ２６ａとハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとでキャパシタＣ２６が構成されている。

また、キャパシタ電極Ｃ２２ｂおよびキャパシタ電極Ｃ２３ａが、ビア導体および配線電極によって、ランド電極ＥＬ２３ａに接続されている。そして、ランド電極ＥＬ２３ａとランド電極ＥＬ２３ｂとの間にインダクタＬ２３が実装されている。さらにランド電極ＥＬ２３ｂが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ２７ａに接続されている。そして、キャパシタ電極Ｃ２７ａとハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとでキャパシタＣ２７が構成されている。

また、キャパシタ電極Ｃ２３ｂおよびキャパシタ電極Ｃ２４ａが、ビア導体および配線電極によって、ランド電極ＥＬ２４ａに接続されている。そして、ランド電極ＥＬ２４ａとランド電極ＥＬ２４ｂとの間にインダクタＬ２４が実装されている。さらにランド電極ＥＬ２４ｂが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ２８ａに接続されている。そして、キャパシタ電極Ｃ２８ａとハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとでキャパシタＣ２８が構成されている。

また、キャパシタ電極Ｃ２４ｂおよびキャパシタ電極Ｃ２５ａが、ビア導体および配線電極によって、ランド電極ＥＬ２５ａに接続されている。そして、ランド電極ＥＬ２５ａとランド電極ＥＬ２５ｂとの間にインダクタＬ２５が実装されている。さらにランド電極ＥＬ２５ｂが、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ２９ａに接続されている。そして、キャパシタ電極Ｃ２９ａとハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとでキャパシタＣ２９が構成されている。

また、ランド電極ＥＬ２１ｂおよび第３端子Ｔ３が、ビア導体および配線電極によって、キャパシタ電極Ｃ３０ａおよびランド電極ＥＬ２６ａに接続されている。そして、キャパシタ電極Ｃ３０ａとキャパシタ電極Ｃ３０ｂとでキャパシタＣ３０が構成されている。また、ランド電極ＥＬ２６ａとランド電極ＥＬ２６ｂとの間にインダクタＬ２６が実装されている。そして、キャパシタ電極Ｃ３０ｂおよびランド電極ＥＬ２６ｂが、ビア導体および配線電極によって、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧに接続されている。

そして、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧが、ビア導体および中継電極によって、ハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２に接続されている。

また、複数のシールド用グランド電極ＳＧが、複数のビア導体によって、相互に接続されている。そして、最も下側である基材層ＢＬ３０に設けられたシールド用グランド電極ＳＧが、複数のビア導体および中継電極によって、シールド用グランド端子ＳＧＴに接続されている。

以上の構造および等価回路からなる、本実施形態にかかるダイプレクサ１００は、従来から一般的に実施されているダイプレクサの製造方法により製造することができる。

以上の構造および等価回路からなる、本実施形態にかかるダイプレクサ１００は、次のような特徴を備えている。

ダイプレクサ１００は、多層基板１の内部に、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧと、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧと、シールド用グランド電極ＳＧとが別々に設けられている。また、多層基板１の表面に、ローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２と、ハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２と、シールド用グランド端子ＳＧＴとが別々に設けられている。そして、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２とが、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２とが、シールド用グランド電極ＳＧとシールド用グランド端子ＳＧＴとが、それぞれ、別々に接続されている。そのため、ダイプレクサ１００は、ローパスフィルタＬＰＦ（第１フィルタ）と、ハイパスフィルタＨＰＦ（第２フィルタ）とが確実にアイソレーションされており周波数特性に優れている。

また、ダイプレクサ１００は、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２との間に形成される浮遊容量、インダクタンス成分と、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２との間に形成される浮遊容量、インダクタンス成分とを相互に独立して調整することができる。そのため、ダイプレクサ１００は、他のフィルタの影響を受けることなくローパスフィルタＬＰＦ（第１フィルタ）の周波数特性の最適化をはかることができる。また、他のフィルタの影響を受けることなくハイパスフィルタＨＰＦ（第２フィルタ）の周波数特性の最適化をはかることができる。

また、ダイプレクサ１００は、第１端子Ｔ１と、ローパスフィルタＬＰＦおよびハイパスフィルタＨＰＦとの間に、線路電極Ｌ０１ａ〜Ｌ０１ｄによって共通インダクタＬ０１が形成されており、ローパスフィルタＬＰＦ（第１フィルタ）の周波数特性、および、ハイパスフィルタＨＰＦ（第２フィルタ）の周波数特性がさらに改善されている。

また、ダイプレクサ１００は、図７に示すように、シールド用グランド電極ＳＧが、ローパスフィルタＬＰＦの第２端子Ｔ２側の後半部分、すなわちローパスフィルタＬＰＦのインダクタＬ１３以降と、ハイパスフィルタＨＰＦの第３端子Ｔ３側の後半部分、すなわちハイパスフィルタＨＰＦのインダクタＬ２４以降との間をシールドしている。すなわち、結合してしまうと周波数特性を劣化させる影響が大きい後半部分をシールドしているため、周波数特性の劣化が効果的に抑制されている。また、ダイプレクサ１００は、同時に、多層基板１の内部において、共通インダクタＬ０１とシールド用グランド電極ＳＧとの距離が大きくなっており、共通インダクタＬ０１とシールド用グランド電極ＳＧとが不要な結合をすることによる周波数特性の劣化も抑制されている。

また、ダイプレクサ１００は、シールド用グランド電極ＳＧが、多層基板１の内部において、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧと、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとの間に形成されており、ローパスフィルタＬＰＦ（第１フィルタ）と、ハイパスフィルタＨＰＦ（第２フィルタ）とが確実にアイソレーションされている。

また、ダイプレクサ１００は、図４および図５に示すように、ローパスフィルタ用グランド電極（第１フィルタ用グランド電極）ＬＧの外縁とハイパスフィルタ用グランド電極（第２フィルタ用グランド電極）ＨＧの外縁とを比較した場合、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧの外縁の方が、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧの外縁よりも、凹凸の数が多く、かつ、大きな凹凸を備えている。また、図５の３０層目の基材層ＢＬ３０に、２つの破線の円Ｘ-１で示すように、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２との間をそれぞれ１つのビア導体で接続しているのに対し、２つの破線の円Ｘ-２で示すように、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２との間をそれぞれ２つのビア導体で接続している。この結果、ダイプレクサ１００は、相対的に、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧからビア導体を経由してローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２に形成されるインダクタンス成分が大きくなり、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧからビア導体を経由してハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２に形成されるインダクタンス成分が小さくなっている。このため、ダイプレクサ１００は、ローパスフィルタＬＰＦ（第１フィルタ）の周波数特性が改善され、かつ、ハイパスフィルタＨＰＦ（第２フィルタ）の周波数特性が改善されている。

また、ダイプレクサ１００は、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとシールド用グランド電極ＳＧとが電磁界結合し、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとシールド用グランド電極ＳＧとが電磁界結合している。この結果、ダイプレクサ１００は、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧとハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧとの電磁界結合が抑制されており、ローパスフィルタＬＰＦ（第１フィルタ）とハイパスフィルタＨＰＦ（第２フィルタ）とのアイソレーションがより確実になっている。

また、ダイプレクサ１００は、シールド用グランド電極ＳＧが多層基板１の複数の層間に設けられ、異なる層間に積層されたシールド用グランド電極ＳＧどうしがビア導体により接続されている。この結果、ダイプレクサ１００は、シールド用グランド電極ＳＧとビア導体とでシールドをおこなうため、ローパスフィルタＬＰＦ（第１フィルタ）とハイパスフィルタＨＰＦ（第２フィルタ）とのアイソレーションがより確実になっている。

また、ダイプレクサ１００は、たとえば、図５の基材層ＢＬ２６〜ＢＬ３０に示すように、シールド用グランド電極ＳＧが形成された基材層ＢＬ２６、ＢＬ２８、ＢＬ３０と、シールド用グランド電極ＳＧが形成されていない基材層ＢＬ２７、ＢＬ２９とが交互に積層されている。すなわち、シールド用グランド電極ＳＧは、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧおよびハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧが形成された基材層ＢＬ２６、ＢＬ２８、ＢＬ３０に形成されているが、キャパシタ電極Ｃ１５ａ〜Ｃ１８ａ、Ｃ２６ａ〜Ｃ２９ａが形成された基材層ＢＬ２７、ＢＬ２９には形成されていない。これは、シールド用グランド電極ＳＧと、キャパシタ電極Ｃ１５ａ〜Ｃ１８ａ、Ｃ２６ａ〜Ｃ２９ａとの間に、不要な浮遊容量が発生し、周波数特性が劣化するのを防ぐためである。ダイプレクサ１００は、シールド用グランド電極ＳＧを１層おきに形成することにより、周波数特性の劣化が抑制されている。

本実施形態にかかるダイプレクサ１００の周波数特性の優秀性を確認するために、比較例にかかるダイプレクサ（図示せず）を作製した。比較例にかかるダイプレクサは、３０層目の基材層ＢＬ３０において、ローパスフィルタ用グランド電極ＬＧと、ハイパスフィルタ用グランド電極ＨＧと、シールド用グランド電極ＳＧとをまとめて、１つの共通グランド電極を形成した。そして、その共通グランド電極を、多層基板１（基材層ＢＬ３５）の下側主面に形成された５つの共通グランド端子に接続した。なお、５つの共通グランド端子は、ダイプレクサ１００のローパスフィルタ用グランド端子ＬＧＴ１、ＬＧＴ２、ハイパスフィルタ用グランド端子ＨＧＴ１、ＨＧＴ２、シールド用グランド電極ＳＧと同じ位置に形成した。

図８（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかるダイプレクサ１００の周波数特性を実線で、比較例にかかるダイプレクサの周波数特性を破線で示す。なお、図８（Ａ）は、図８（Ｂ）の一部分を拡大して示したものである。

第１実施形態にかかるダイプレクサ１００は、比較例にかかるダイプレクサに比べて、破線の円Ｙ‐１で示すように、ハイパスフィルタＨＰＦの通過帯域近傍の減衰量が大きく改善されている。また、破線の円Ｙ‐２で示すように、ローパスフィルタＬＰＦの通過帯域近傍の減衰量も大きく改善されている。このように、ダイプレクサ１００は優れた周波数特性を備えている。

［第２実施形態］
図９に、第２実施形態にかかるダイプレクサ２００を示す。ただし、図９は、ダイプレクサ２００の多層基板１の１層目から５層目までの基材層ＢＬ１〜ＢＬ５の上側主面を示している。

図１〜図７に示した、第１実施形態にかかるダイプレクサ１００においては、多層基板１（基材層ＢＬ１）の上側主面にはシールド用グランド電極ＳＧは形成されておらず、チャックマークＣＭとピンマークＰＭとが形成されていた。

ダイプレクサ２００においては、図９に示すように、基材層ＢＬ１の上側主面に、チャックマークＣＭとピンマークＰＭとの機能を兼ねたシールド用グランド電極ＳＧを形成した。そして、基材層ＢＬ１〜ＢＬ４に、それぞれ、破線の楕円Ｚで囲んだ領域に複数のビア導体を形成することによって、基材層ＢＬ１に形成されたシールド用グランド電極ＳＧと、基材層ＢＬ５に形成されたシールド用グランド電極ＳＧとを接続した。ダイプレクサ２００の他の構成は、ダイプレクサ１００と同じにした。

ダイプレクサ１００のように、チャックマークＣＭやピンマークＰＭを、それぞれ、浮き電極で形成した場合には、電解めっきの際に必要な電位を得ることが難しく、表面に電解めっきによる保護層を形成することが難しかった。これに対し、ダイプレクサ２００は、チャックマークＣＭやピンマークＰＭを、シールド用グランド電極ＳＧと兼用させているため、表面に容易に電解めっきによる保護層を形成することができる。

［第３実施形態］
図１０に、第３実施形態にかかるダイプレクサ３００を示す。ただし、図１０は、ダイプレクサ３００を示す説明図（簡略化した等価回路図）である。

図１〜図７に示した、第１実施形態にかかるダイプレクサ１００は、第１フィルタとしてのローパスフィルタＬＰＦと、第２フィルタとしてのハイパスフィルタＨＰＦとを備えていた。

これに対し、ダイプレクサ３００は、第２フィルタとして、ハイパスフィルタＨＰＦに代えて、バンドパスフィルタＢＰＦを備えている。すなわち、ダイプレクサ３００は、ローパスフィルタＬＰＦとバンドパスフィルタＢＰＦとを備えている。そして、ダイプレクサ３００は、バンドパスフィルタ用グランド電極ＢＧと、バンドパスフィルタ用グランド端子ＢＧＴ１、ＢＧＴ２とを、ビア導体等により接続した。ダイプレクサ３００の他の構成は、ダイプレクサ１００と同じにした。

ダイプレクサ３００は、シールド用グランド電極ＳＧによりローパスフィルタＬＰＦ（第１フィルタ）とバンドパスフィルタＢＰＦ（第２フィルタ）とがアイソレーションされているため、優れた周波数特性を備えている。

以上、第１実施形態〜第３実施形態にかかるダイプレクサ１００〜３００について説明した。しかしながら、本発明のダイプレクサが上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。

たとえば、上述した実施形態では、多層基板１の非実装面（上側主面）にインダクタＬ１１〜Ｌ１４、Ｌ２１〜Ｌ２５を搭載しているが、これに加えて、多層基板１内においてキャパシタ電極によって形成していたキャパシタを、キャパシタ素子として多層基板１の非実装面に搭載させても良い。あるいは、多層基板１の非実装面に搭載している、インダクタＬ１１〜Ｌ１４、Ｌ２１〜Ｌ２５の一部を、多層基板１内において線路電極によるインダクタとして構成しても良い。

また、ダイプレクサの等価回路も任意であり、上述した内容には限定されない。

また、多層基板１を構成する基材層ＢＬ１〜ＢＬ３５の層数や、各基材層ＢＬ１〜ＢＬ３５に形成される電極の形状や数、ビア導体の形成位置や数も任意であり、上述した内容には限定されない。

１・・・多層基板
ＢＬ１〜ＢＬ３５・・・基材層
Ｌ０１ａ〜Ｌ０１ｄ、Ｌ１５ａ・・・線路電極
Ｌ１１〜Ｌ１４、Ｌ２１〜Ｌ２５・・・インダクタ
Ｃ１１ａ〜Ｃ１４ａ、Ｃ１１ｂ〜Ｃ１４ｂ、Ｃ２１ａ〜Ｃ３０ａ、Ｃ２１ｂ〜Ｃ３０ｂ・・・キャパシタ電極
ＬＰＦ・・・ローパスフィルタ（第１フィルタ）
ＨＰＦ・・・ハイパスフィルタ（第２フィルタ）
ＢＰＦ・・・バンドパスフィルタ（第２フィルタ）
ＬＧ・・・ローパスフィルタ用グランド電極
ＨＧ・・・ハイパスフィルタ用グランド電極
ＢＧ・・・バンドパスフィルタ用グランド電極
ＳＧ・・・シールド用グランド電極
Ｔ１・・・第１端子
Ｔ２・・・第２端子
Ｔ３・・・第３端子
ＬＧＴ・・・ローパスフィルタ用グランド端子
ＨＧＴ・・・ハイパスフィルタ用グランド端子
ＢＧＴ・・・バンドパスフィルタ用グランド端子
ＳＧＴ・・・シールド用グランド端子
１００、２００、３００・・・ダイプレクサ

Claims (11)

1. 複数の基材層が積層されてなる、実装面と非実装面と有する多層基板と、
   前記多層基板の前記実装面に形成された第１端子、第２端子、第３端子、グランド端子と、を備え、
   前記第１端子と前記第２端子との間に第１フィルタが構成され、前記第１端子と前記第３端子との間に第２フィルタが構成されたダイプレクサであって、
   前記多層基板の層間に、相互に、物理的に分離して形成され、かつ、前記多層基板において直接に電気的に接続されていない、第１フィルタ用グランド電極と、第２フィルタ用グランド電極と、前記第１フィルタと前記第２フィルタとの間をシールドするためのシールド用グランド電極とを備え、
   前記グランド端子が、相互に、物理的に分離して形成され、かつ、前記多層基板において直接に電気的に接続されていない、前記第１フィルタ用グランド電極に接続された第１フィルタ用グランド端子と、前記第２フィルタ用グランド電極に接続された第２フィルタ用グランド端子と、前記シールド用グランド電極に接続されたシールド用グランド端子とからなるダイプレクサ。
2. 前記第１フィルタがローパスフィルタからなり、前記第２フィルタがハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタからなる、請求項１に記載されたダイプレクサ。
3. 前記第１端子が、前記多層基板の層間に積層された線路電極により形成された共通インダクタを介したうえで、前記第１フィルタと、前記第２フィルタとに接続された、請求項１または２に記載されたダイプレクサ。
4. 前記シールド用グランド電極が、前記多層基板の内部において、
   前記第１フィルタ用グランド電極と、前記第２フィルタ用グランド電極との間に形成された、請求項１ないし３のいずれか１項に記載されたダイプレクサ。
5. 前記第1フィルタ用グランド電極と前記第１フィルタ用グランド端子との間、および、前記第２フィルタ用グランド電極と前記第２フィルタ用グランド端子との間が、それぞれ、ビア導体により接続され、
   前記第1フィルタ用グランド電極から前記ビア導体を経由して前記第1フィルタ用グランド端子に形成されるインダクタンス成分が、前記第２フィルタ用グランド電極から前記ビア導体を経由して前記第２フィルタ用グランド端子に形成されるインダクタンス成分よりも大きい、請求項１ないし４のいずれか１項に記載されたダイプレクサ。
6. 前記第１フィルタ用グランド電極の外縁と前記第２フィルタ用グランド電極の外縁とを比較した場合、前記第２フィルタ用グランド電極の外縁の方が、前記第１フィルタ用グランド電極の外縁よりも、凹凸の数が多い、および／または、大きな凹凸を備えており、
   前記第１フィルタ用グランド電極と前記第１フィルタ用グランド端子との間を接続する前記ビア導体の数が、前記第２フィルタ用グランド電極と前記第２フィルタ用グランド端子との間を接続する前記ビア導体の数よりも少ない、請求項５に記載されたダイプレクサ。
7. 前記第１フィルタ用グランド電極と前記シールド用グランド電極とが電磁界結合し、かつ、前記第２フィルタ用グランド電極と前記シールド用グランド電極とが電磁界結合している、請求項１ないし６のいずれか１項に記載されたダイプレクサ。
8. 前記シールド用グランド電極が複数からなり、当該シールド用グランド電極が前記多層基板の複数の層間に積層され、異なる層間に積層された前記シールド用グランド電極どうしがビア導体により接続されている、請求項１ないし７のいずれか１項に記載されたダイプレクサ。
9. 前記多層基板の前記非実装面に、さらに、前記シールド用グランド電極が形成され、
   前記多層基板の前記非実装面に形成された前記シールド用グランド電極と、前記多層基板の層間に積層された前記シールド用グランド電極とが、ビア導体によって接続されている、請求項１ないし８のいずれか１項に記載されたダイプレクサ。
10. 前記第１フィルタ用グランド電極が複数からなり、当該第１フィルタ用グランド電極が前記多層基板の複数の層間に積層され、異なる層間に積層された前記第１フィルタ用グランド電極どうしがビア導体により接続され、
    前記第２フィルタ用グランド電極が複数からなり、当該第２フィルタ用グランド電極が前記多層基板の複数の層間に積層され、異なる層間に積層された前記第２フィルタ用グランド電極どうしがビア導体により接続され、
    前記シールド用グランド電極が複数からなり、当該シールド用グランド電極が前記多層基板の複数の層間に積層され、異なる層間に積層された前記シールド用グランド電極どうしがビア導体により接続され、
    前記多層基板の積層方向に、前記第１フィルタ用グランド電極と前記第２フィルタ用グランド電極とが、前記シールド用グランド電極を間に挟んで積層された前記多層基板の層間と、前記第１フィルタ用グランド電極、前記第２フィルタ用グランド電極、および前記シールド用グランド電極が全く積層されていない前記多層基板の層間とが、交互に、複数回、繰り返して設けられた、請求項１ないし９のいずれか１項に記載されたダイプレクサ。
11. 前記多層基板が低温同時焼成セラミックスにより形成された、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載されたダイプレクサ。

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