WO2013002089A1

WO2013002089A1 - 高周波モジュール

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Publication number: WO2013002089A1
Application number: PCT/JP2012/065722
Authority: WO
Inventors: 上嶋孝紀
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2011-06-28
Filing date: 2012-06-20
Publication date: 2013-01-03
Also published as: US9319026B2; JP5708804B2; JPWO2013002089A1; CN103636136B; CN103636136A; US20140091877A1

Abstract

　誘電体層が積層されてなり、隔離した一対のグランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）とＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｒｘ）とを有している積層体と、積層体に設けられた、通信信号を入出力する共通端子と、積層体の表面に実装され、共通端子を介して入出力される通信信号を分波するデュプレクサとを備える。デュプレクサは、積層体の表面に実装され、グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）の一方に対して接地されたＳＡＷフィルタ（ＳＷｕｔ）、及び、積層体の表面にＳＡＷフィルタ（ＳＷｕｔ）と隔離して実装され、かつ、グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）に対して接地されたＳＡＷフィルタ（ＳＷｕｒ）を有する。これにより、分波器の送受信端子間のアイソレーション特性の劣化を回避することができる高周波モジュールを提供する。

Description

高周波モジュール

　本発明は、異なる周波数帯域の通信信号を送受信できる共通アンテナを有する高周波モジュールに関する。

　特許文献１には、異なる周波数帯域の通信信号を共通アンテナで送受信する高周波モジュールが開示されている。図１は特許文献１に記載の高周波モジュールの模式的なブロック図である。図１では、アンテナスイッチ回路を示している。

　特許文献１に記載の高周波モジュールは、スイッチＳＷと複数の分波器Ｄｉｐ１，Ｄｉｐ２とを備えている。スイッチＳＷは、分波器Ｄｉｐ１の送受信端子Ｔｘ，Ｒｘと、分波器Ｄｉｐ２の送受信端子Ｔｘ，Ｒｘとのいずれか一方を、アンテナ端子に切り替え接続する。これにより、異なる周波数帯域の通信信号を一のアンテナで送受信可能としている。

　このような高周波モジュールでは、携帯通信端末に用いる等の理由により、小型化されたものが多い。その一態様として、積層体の内部電極パターンと、該積層体に実装される実装型回路素子、例えば表面波デュプレクサ（以下、ＳＡＷデュプレクサという）とを組み合わせた高周波モジュールがある。

特開２００３－１５２５８８号公報

　しかしながら、小型化された高周波モジュールでは、送受信端子Ｔｘ，Ｒｘの間隔が狭くなり、互いに干渉が生じ易くなり、送受信端子Ｔｘ，Ｒｘ間のアイソレーション特性が劣化するといった問題が生じる。また、送受信端子Ｔｘ，Ｒｘが多層基板内の同じグランド電極を使用していることから、グランド電極を介して送受信端子Ｔｘ，Ｒｘの間を信号が回り込み、それによって送受信端子Ｔｘ，Ｒｘ間のアイソレーション特性が劣化するといった問題もある。

　そこで、本発明の目的は、分波器の送受信端子間のアイソレーション特性の劣化を回避することができる高周波モジュールを提供することにある。

　本発明に係る高周波モジュールは、誘電体層が積層されてなり、互いに分離された第１、第２のグランド導体を有している積層体と、該積層体に設けられた、通信信号を入出力する共通端子と、前記積層体の表面に実装され、前記共通端子を介して入出力される通信信号を分波する分波器と、を備え、前記分波器は、前記積層体の表面に実装され、前記第１のグランド導体に接地された送信用フィルタ、及び、前記積層体の表面に実装され、前記第２のグランド導体に接地された受信用フィルタ、を有する。

　この構成では、分波器の送信用フィルタおよび受信用フィルタが、物理的に異なる第１、第２のグランド導体にそれぞれ個別に接地しているため、グランド導体を介して送信用フィルタおよび受信用フィルタ間で信号が回り込むことを回避することができる。その結果、送信用フィルタおよび受信用フィルタのアイソレーション特性の劣化を回避することができる。

　また、分波器の送信用フィルタおよび受信用フィルタを隔離して実装することで、送信用フィルタおよび受信用フィルタ間の間隔を狭くなることで、アイソレーション特性が劣化するといった問題を回避できる。

　本発明に係る高周波モジュールは、前記積層体の表面に複数の前記分波器を実装しており、前記分波器のそれぞれの送信用フィルタは、同じ第１のグランド導体に接地され、前記分波器のそれぞれの受信用フィルタは、同じ第２のグランド導体に接地されている構成でもよい。

　この構成では、複数の分波器を実装している場合に、送信用フィルタおよび受信用フィルタそれぞれにおいてグランド導体を共通化することで、アイソレーション特性の劣化を回避しつつ、高周波モジュールの小型化を実現できる。

　本発明に係る高周波モジュールは、前記積層体の表面に複数の前記分波器を実装しており、前記積層体は、前記送信用フィルタ及び前記受信用フィルタが接地される、分離された第１と第２のグランド導体を、前記分波器毎に有している構成でもよい。

　この構成では、複数の分波器を実装している場合に、異なる分波器の送信用フィルタ間、または、受信用フィルタ間での信号の回り込みを回避できるため、アイソレーション特性が劣化しないようにできる。

　本発明に係る高周波モジュールにおいて、前記積層体は、前記分離された第１と第２のグランド導体それぞれに対して導通している、最下層近傍に形成された共通グランド導体を有する構成が好ましい。

　この構成では、グランド導体を第１と第２のグランド導体に分離することで、それぞれのグランド導体に寄生成分が発生し、送信用フィルタおよび受信用フィルタそれぞれのグランド電位が変化する場合があっても、より理想グランドに近い積層体の最下層近傍に共通グランド導体を形成し、第１と第２のグランド導体を導通させることで、グランド電位を変化させることなく、アイソレーションの劣化を回避することができる。

　本発明に係る高周波モジュールは、前記積層体の表面に複数の前記分波器を実装しており、前記分波器の何れかを前記共通端子に接続するスイッチ素子、をさらに備え、前記スイッチ素子は、前記送信用フィルタおよび前記受信用フィルタの間に介在するよう、前記積層体の表面に実装されている構成でもよい。

　この構成では、各送信用フィルタおよび各受信用フィルタの間にスイッチ素子が介在する位置関係とすることで、送信用フィルタおよび受信用フィルタの間の距離を、スイッチ素子を実装する分だけ隔離することができるため、アイソレーションの劣化を回避すると共に、スイッチ素子の実装領域を有効活用することができ、高周波モジュールを小型化することができる。

　本発明に係る高周波モジュールにおいて、前記積層体は、前記第１と第２のグランド導体とは分離して形成され、前記スイッチ素子が接地するスイッチ用グランド導体をさらに有する構成が好ましい。

　この構成では、スイッチ素子と分波器との間を、グランド導体を介して信号が回り込むことを回避できるため、アイソレーションの劣化を回避することができる。

　本発明に係る高周波モジュールにおいて、前記分波器のそれぞれの送信用フィルタと前記分波器のそれぞれの受信用フィルタとは、前記積層体の表面の対向する辺の近傍にそれぞれ配置されている構成が好ましい。

　この構成では、送信側フィルタと受信側フィルタとの間が、離間され、送信側フィルタと受信側フィルタとの間のアイソレーションを向上することができる。

　本発明によれば、分波器の送受信端子間のアイソレーション特性の劣化を回避することができる

特許文献１に記載の高周波モジュールの模式的なブロック図実施形態１に係る高周波モジュールの回路構成を示すブロック図実施形態１に係る高周波モジュールの構造を説明するための図であり、外観斜視図実施形態１に係る高周波モジュールの構造を説明するための図であり、天面実装図図３Ａ及び図３Ｂに示すスイッチ素子のランドパターンを示す図実施形態１の高周波モジュールの積み図実施形態１の高周波モジュールの積み図実施形態１の高周波モジュールの積層体の最上層の実装状態図最下層の外部接続用のポート電極の配列パターン図実施形態２の高周波モジュールの積み図実施形態２の高周波モジュールの積み図実施形態３の高周波モジュールの積み図実施形態３の高周波モジュールの積み図

　以下、本発明に係る高周波モジュールの好適な実施形態について図面を参照して説明する。以下に説明する実施形態では、ＧＳＭ（登録商標）（Global System for Mobile Communications）９００の通信信号、ＧＳＭ１８００の通信信号、ＧＳＭ１９００の通信信号、Ｗ－ＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）通信システムのバンドクラスＢａｎｄ１，Ｂａｎｄ２，Ｂａｎｄ５の通信信号の送受信、すなわち、六種類の通信信号の送受信を行う高周波モジュールについて説明する。

（実施形態１）
　図２は実施形態１に係る高周波モジュールの回路構成を示すブロック図である。

　スイッチ素子ＳＷＩＣは、単一の共通端子ＰＩＣ０と、八個の個別端子ＰＩＣ１１－ＰＩＣ１８を備えている。スイッチ素子ＳＷＩＣは、グランドＧＮＤに接続するためのグランド用端子ＰＧＮＤを備えている。グランド用端子ＰＧＮＤは、高周波モジュール１０の外部接続用のグランドポート電極ＰＭＧＮＤに接続している。

　スイッチ素子ＳＷＩＣは、駆動電圧印加用端子ＰＩＣＶｄｄ、および複数の制御電圧印加用端子ＰＩＣＶｃ１，ＰＩＣＶｃ２，ＰＩＣＶｃ３，ＰＩＣＶｃ４を備えている。駆動電圧印加用端子ＰＩＣＶｄｄは、高周波モジュール１０の外部接続用の電源系ポート電極ＰＭＶｄｄに接続している。制御電圧印加用端子ＰＩＣＶｃ１，ＰＩＣＶｃ２，ＰＩＣＶｃ３，ＰＩＣＶｃ４は、高周波モジュール１０の外部接続用の電源系ポート電極ＰＭＶｃ１，ＰＭＶｃ２，ＰＭＶｃ３，ＰＭＶｃ４にそれぞれ接続している。

　スイッチ素子ＳＷＩＣは、駆動電圧印加用端子ＰＩＣＶｄｄから印加される駆動電圧Ｖｄｄで駆動する。スイッチＩＣ素子ＳＷＩＣは、複数の制御電圧印加用端子ＰＩＣＶｃ１，ＰＩＣＶｃ２，ＰＩＣＶｃ３，ＰＩＣＶｃ４にそれぞれ印加される制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３，ＶＣ４の組み合わせにより、単一の共通端子ＰＩＣ０を、八個の個別端子ＰＩＣ１１－ＰＩＣ１８の何れか一つに接続する。

　共通端子ＰＩＣ０は、ＥＳＤ（Electro-Static Discharge）回路を兼ねるアンテナ側整合回路１１を介して高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭａｎに接続している。ポート電極ＰＭａｎは、外部のアンテナＡＮＴに接続している。

　第１個別端子ＰＩＣ１１は、送信側フィルタ１２Ａを介して、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｔＬに接続している。ポート電極ＰＭｔＬは、ＧＳＭ９００の送信信号が外部から入力されるポートである。送信側フィルタ１２Ａは、ＧＳＭ９００の送信信号の２倍高調波および３倍高調波を減衰させ、ＧＳＭ９００の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路である。

　第２個別端子ＰＩＣ１２は、送信側フィルタ１２Ｂを介して、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｔＨに接続している。ポート電極ＰＭｔＨは、ＧＳＭ１８００の送信信号またはＧＳＭ１９００の送信信号が外部から入力されるポートである。送信側フィルタ１２Ｂは、ＧＳＭ１８００の送信信号およびＧＳＭ１９００の送信信号の２倍高調波および３倍高調波を減衰させ、ＧＳＭ１８００の送信信号およびＧＳＭ１９００の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路である。

　第３個別端子ＰＩＣ１３は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１の一方端に接続している。第３個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ１とを接続する伝送線路とグラント電位との間には、整合用のインダクタＬ２が接続されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、ＧＳＭ９００の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、平衡－不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタＳＡＷ１の他方端は平衡端子であり、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｒＬに接続している。

　第４個別端子ＰＩＣ１４は、ダイプレクサＤＩＰ１のＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１の一方端に接続している。第４個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１とを接続する伝送線路とグランド電位との間には、整合用のインダクタＬ３が接続されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１は、ＧＳＭ１８００の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、平衡－不平衡変換機能を有する。

　第５個別端子ＰＩＣ１５は、ダイプレクサＤＩＰ１のＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ２の一方端に接続している。第５個別端子ＰＩＣ１５とＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ２とを接続する伝送線路とグランド電位との間には、整合用のインダクタＬ４が接続されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ２は、ＧＳＭ１９００の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、平衡－不平衡変換機能を有する。

　ＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１，ＳＡＷｉｒ２は一体形成され、一つのダイプレクサＤＩＰ１を形成している。ダイプレクサＤＩＰ１のＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１，ＳＡＷｉｒ２の平衡端子は共通化されている。この共通化された平衡端子は、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｒＨに接続している。ＧＳＭ１８００の受信信号およびＧＳＭ１９００の受信信号は、ポート電極ＰＭｒＨから外部へ出力される。

　第６個別端子ＰＩＣ１６は、デュプレクサＤＵＰ１に接続している。第６個別端子ＰＩＣ１６とデュプレクサＤＵＰ１との間には、キャパシタＣＢ１が接続され、当該キャパシタＣＢ１のデュプレクサＤＵＰ１側とグランド電位との間にはインダクタＬＢ１が接続されている。これらキャパシタＣＢ１とインダクタＬＢ１により整合回路が構成される。

　デュプレクサＤＵＰ１は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１とから構成されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１およびＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１は、それぞれ個別の筐体に形成されている。すなわち、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１およびＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１は、物理的に隔離している。このデュプレクサＤＵＰ１は一個の共通端子に対して二個の個別端子を備えている。

　ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１の他方端は、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｔ１に接続している。ポート電極ＰＭｃｔ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号が外部から入力されるポートである。

　ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１は、平衡－不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１の他方端は、平衡端子であり、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｒ１に接続している。ポート電極ＰＭｃｒ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信信号を外部へ出力するポートである。

　第７個別端子ＰＩＣ１７は、デュプレクサＤＵＰ２に接続している。第７個別端子ＰＩＣ１７とデュプレクサＤＵＰ２との間の伝送線路上の所定位置とグランド電位との間にはインダクタＬ５が接続されている。このインダクタＬ５により整合回路が構成される。

　デュプレクサＤＵＰ２は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２とから構成されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２とは、デュプレクサＤＵＰ１と同様に、それぞれ個別の筐体に形成されている。また、デュプレクサＤＵＰ２は一個の共通端子に対して二個の個別端子を備えている。

　ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の受信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２の他方端は、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｔ２に接続している。ポート電極ＰＭｃｔ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号が外部から入力されるポートである。

　ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の受信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２は、平衡－不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２の他方端は、平衡端子であり、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｒ２に接続している。ポート電極ＰＭｃｒ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の受信信号を外部へ出力するポートである。

　第８個別端子ＰＩＣ１８は、デュプレクサＤＵＰ３に接続している。第８個別端子ＰＩＣ１８とデュプレクサＤＵＰ３との間の伝送線路上の所定位置とグランド電位との間にはインダクタＬ６が接続されている。このインダクタＬ６により整合回路が構成される。

　デュプレクサＤＵＰ３は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３とから構成されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３とは、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２と同様に、それぞれ個別の筐体に形成されている。また、デュプレクサＤＵＰ３は一個の共通端子に対して二個の個別端子を備えている。

　ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３の他方端は、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｔ３に接続している。ポート電極ＰＭｃｔ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号が外部から入力されるポートである。

　ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３は、平衡－不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３の他方端は、平衡端子であり、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｒ３に接続している。ポート電極ＰＭｃｒ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信信号を外部へ出力するポートである。

　図３Ａは、本実施形態に係る高周波モジュール１０の構造を説明するための図であり、外観斜視図であり、図３Ｂは天面実装図である。

　高周波モジュール１０は積層体９００を備えている。積層体９００は、誘電体層を複数積層し、内層には電極が形成されており、高周波モジュール１０を形成する電極パターンを実現している。また、後に詳述するが、積層体９００の底面には、上述の外部接続用のポート電極がそれぞれ、所定配列で形成されている。

　この積層体９００の天面には、スイッチ素子ＳＷＩＣと、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１と、ダイプレクサＤＩＰ１と、デュプレクサＤＵＰ１を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１と、デュプレクサＤＵＰ２を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２と、デュプレクサＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３とが実装されている。

　デュプレクサＤＵＰ１を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１は、それぞれ個別筐体で実現された回路素子である。同様に、デュプレクサＤＵＰ２を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２も、それぞれ個別筐体で実現された回路素子である。デュプレクサＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３も、それぞれ個別筐体で実現された回路素子である。

　ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２、およびＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３は、積層体９００を平面視した、第２側辺（図３Ｂにおける紙面に向かって見た右側辺）に沿って、当該第２側辺の近傍に実装されている。また、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３との間に配置されている。

　ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）とは、送信信号の周波数帯域が近接する。このため、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２、およびＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３を上述の配置とすることで、使用周波数帯域が近接もしくは部分的に重なり合うために互いに影響を与えやすいＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信系回路とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信系回路との間のアイソレーションを高くすることができる。

　ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２、およびＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３は、積層体９００を平面視した、第２側辺に対向する第１側辺（図３Ｂにおける紙面に向かって見た左側辺）に沿って、当該第１側辺の近傍に実装されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２、およびＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１等と同様に、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２が、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３との間に配置されている。これにより、互いに影響を与えやすいＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信系回路とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信系回路との間のアイソレーションを高くすることができる。

　また、送信側のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３と、受信側のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３とは、離間されて配置されている。これにより、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１間の不要な電磁結合および静電結合を抑制し、アイソレーションを向上することができる。すなわち、ハイパワーのＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号が、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１側に漏洩することなく、デュプレクサＤＵＰ１としての特性を向上させることができる。特に、積層体９００の対向する辺の近傍に、受信側のフィルタと送信側のフィルタとを配置することで、さらにアイソレーションを向上することができる。

　同様に、デュプレクサＤＵＰ２構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２とは離間されて配置され、さらに、デュプレクサＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３とも離間されて配置されている。これにより、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２間、および、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３間の不要な電磁界結合を抑制し、アイソレーションを向上することができる。

　すなわち、ハイパワーのＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号が、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２側に漏洩することなく、デュプレクサＤＵＰ２としての特性を向上させることができる。また、ハイパワーのＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号が、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３側に漏洩することなく、デュプレクサＤＵＰ３としての特性を向上させることができる。

　さらに、スイッチ素子ＳＷＩＣは、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３の実装領域と、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３の実装領域との間に実装されている。

　これにより、デュプレクサＤＵＰ１を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１間の不要な電磁界結合をさらに抑制することができる。同様に、デュプレクサＤＵＰ２を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２間の不要な電磁結合および静電結合、およびデュプレクサＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３間の不要な電磁結合および静電結合をさらに抑制することができる。

　さらに、積層体９００の天面には、インダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４等が実装されている。これらインダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、積層体９００を平面視して、スイッチ素子ＳＷＩＣの実装位置と、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３の実装領域との間に、配列して実装されている。

　このような構成により、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３と、受信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３との間のアイソレーションをさらに向上させることができる。また、さらに、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３とスイッチ素子ＳＷＩＣとのアイソレーションもさらに向上させることができる。

　この場合、スイッチ素子ＳＷＩＣは、駆動電圧印加用端子ＰＩＣＶｄｄ、および複数の制御電圧印加用端子ＰＩＣＶｃ１，ＰＩＣＶｃ２，ＰＩＣＶｃ３，ＰＩＣＶｃ４からなる電源系端子群が、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３となっても、スイッチ素子ＳＷＩＣと送信側フィルタ群との間に介在するインダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４により、アイソレーションを確保することができる。このため、送信信号の駆動電圧および制御電圧への重畳を抑制することができる。

　さらに、インダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を実装する際に、送信側フィルタ群の実装領域側へ、インダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の外部接続用のポート電極に接続する側の端子が向くように、インダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を実装する。これにより、さらに確実にアイソレーションを向上させ、送信信号の駆動電圧および制御電圧への重畳を抑制することができる。

　なお、ダイプレクサＤＩＰ１およびＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、本実施形態では、上述の第１側辺および第２側辺に直交する他の端辺に沿って実装されているが、仕様に応じて、他の位置にあってもよい。

　また、好ましくは、スイッチ素子ＳＷＩＣは、電源系端子群が受信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３側となるように、積層体９００が実装さていればよい。図４は、図３Ａおよび図３Ｂに示すスイッチ素子ＳＷＩＣのランドパターンを示す図である。

　スイッチ素子ＳＷＩＣは、図４に示すように、駆動電圧印加用端子ＰＩＣＶｄｄ、および複数の制御電圧印加用端子ＰＩＣＶｃ１，ＰＩＣＶｃ２，ＰＩＣＶｃ３，ＰＩＣＶｃ４からなる電源系端子群が、受信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３側となっている。言い換えれば、これら電源系端子群が、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３側に対して、反対側となるように、スイッチ素子ＳＷＩＣは、積層体９００へ実装されている。

　この構成により、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３と電源系端子群とが離間されるので、インダクタＬｍが実装されていない場合であっても、これらの間のアイソレーションを高く確保できる。したがって、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３からハイパワーの送信信号が漏洩して電源系端子群に入力される駆動電圧および制御電圧に重畳されることを抑制できる。これにより、スイッチ素子ＳＷＩＣの高調波特性等の各スイッチ特性を向上させることができる。

　また、本実施形態の構成を用いれば、従来の送信側フィルタと受信側フィルタとが一体化されたデュプレクサと比較して、各送信側フィルタおよび受信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３の外形は小型化される。これにより、高周波モジュール１０に各回路素子を実装する際の配置自由度が向上し、より確実且つ容易に、高周波モジュール１０を小型化することができる。

　図５および図６は本実施形態の高周波モジュール１０の積み図である。なお、図５および図６は積層体９００の各誘電体層を底面側から見た電極パターンを示している。図７Ａは本実施形態の高周波モジュール１０の積層体９００の最上層の実装状態図であり、図７Ｂは最下層の外部接続用のポート電極の配列パターン図である。

　積層体９００は、１４層の誘電体層を積層してなり、各誘電体層には高周波モジュール１０を構成するための所定の電極パターンが形成されるとともに、層間を接続するビア電極が形成されている。ビア電極は、図５および図６の各層に示す丸印で表されている。なお、以下では、最上層を第１層ＰＬ１として、下層側になるほど数値が増加し、最下層を第１４層ＰＬ１４として説明する。

　最上層にある第１層の天面、すなわち積層体９００の天面には、上述のように、各回路素子を実装するための素子実装用電極が形成されている。第２層ＰＬ２および第３層ＰＬ３には引き回しパターン電極が形成されている。

　第４層ＰＬ４には、グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）と、グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｒｘ）と、グランド電極ＧＮＤ（ＳＷＩＣ）と、グランド電極ＧＮＤ（ＧＳＭ＿Ｒｘ）とがそれぞれ物理的に分離して形成されている。グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）は、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３それぞれのＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３用の内層グランド電極である。

　グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｒｘ）は、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３それぞれのＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３用の内層グランド電極である。グランド電極ＧＮＤ（ＳＷＩＣ）は、スイッチ素子ＳＷＩＣ用の内層グランド電極である。グランド電極ＧＮＤ（ＧＳＭ＿Ｒｘ）は、ダイプレクサＤＩＰ１およびＳＡＷフィルタＳＡＷ１用の内層グランド電極である。

　第５層ＰＬ５には引き回し電極が形成されている。

　第６層ＰＬ６には所定領域にグランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）およびグランド電極ＧＮＤ（ＳＷＩＣ）が形成されている。第４層ＰＬ４および第６層ＰＬ６のグランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）は、ビア電極を介して導通している。また、第４層ＰＬ４および第６層ＰＬ６のグランド電極ＧＮＤ（ＳＷＩＣ）は、ビア電極を介して導通している。

　第７層ＰＬ７、第８層ＰＬ８、第９層ＰＬ９、第１０層ＰＬ１０、第１１層ＰＬ１１、第１２層ＰＬ１２には、送信側フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、アンテナ側整合回路１１および各整合用素子の電極パターンが形成されている。

　第１３層ＰＬ１３には、第４層ＰＬ４と同様に、グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）と、グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｒｘ）と、グランド電極ＧＮＤ（ＳＷＩＣ）と、グランド電極ＧＮＤ（ＧＳＭ＿Ｒｘ）とがそれぞれ物理的に隔離して形成されている。第６層ＰＬ６および第１３層ＰＬ１３のグランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）は、ビア電極を介して導通している。また、第４層ＰＬ４および第１３層ＰＬ１３のグランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｒｘ）は、ビア電極を介して導通している。第６層ＰＬ６および第１３層ＰＬ１３のグランド電極ＧＮＤ（ＳＷＩＣ）は、ビア電極を介して導通している。第４層ＰＬ４および第１３層ＰＬ１３のグランド電極ＧＮＤ（ＧＳＭ＿Ｒｘ）は、ビア電極を介して導通している。

　最下層である第１４層ＰＬ１４の底面、すなわち積層体９００の底面には、外部接続用のポート電極が配列形成されている。図７Ａおよび図７Ｂに示すように、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３の実装側の第２側辺に対応する第１４層ＰＬ１４の第２側辺には、第１送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ１、第２送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ２、第３送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ３、および、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号入力用のポート電極ＰＭｔＨ、ＧＳＭ９００の送信信号入力用のポート電極ＰＭｔＬが配列形成されている。

　この際、第１送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ１と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１の送信信号入力端子用の実装電極Ｐｓｔ１とは、積層体９００を平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｔ１と実装電極Ｐｓｔ１とは、ビア電極ＶＨｔ１のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｔ１と実装電極Ｐｓｔ１とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。

　また、第２送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ２と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２の送信信号入力端子用の実装電極Ｐｓｔ２とは、積層体９００を平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｔ２と実装電極Ｐｓｔ２とは、ビア電極ＶＨｔ２のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｔ２と実装電極Ｐｓｔ２とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。

　また、第３送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ３と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３の送信信号入力端子用の実装電極Ｐｓｔ３とは、積層体９００を平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｔ３と実装電極Ｐｓｔ３とは、ビア電極ＶＨｔ３のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｔ３と実装電極Ｐｓｔ３とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。

　なお、これらのビア電極ＶＨｔ１，ＶＨｔ２，ＶＨｔ３は、比較的に近接し、平行に延びる電極となるが、これらの間には、図５の第４層ＰＬ４または図６の第１３層ＰＬ１３に示すように、ビア電極間に内層グランド電極が介在しているので、これらの間の不要な電磁結合および静電結合も抑制されている。

　図５の第４層ＰＬ４または図６の第１３層ＰＬ１３の各グランド電極は、同一層内でそれぞれが分離しているため、グランド電極を介して信号が回り込むことにより各素子が干渉することが抑制されている。この結果、スイッチング素子ＳＷＩＣ等の誤作動が回避されている。

　また、近接する周波数帯域となるＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の通信信号用のビア電極と、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の通信信号用のビア電極との間に、離間した周波数帯域となるＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の通信信号用のビア電極が存在するので、これら送信信号系のビア電極においてのアイソレーションを向上させることができる。

　また、受信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３の実装側の他方端辺に対応する第１４層ＰＬ１４の他方端辺には、第１受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ１、第２受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ２、第３受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ３が配列形成されている。

　この際、第１受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ１と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１の受信信号出力端子用の実装電極Ｐｓｒ１とは、積層体９００を平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｒ１と実装電極Ｐｓｒ１とは、ビア電極ＶＨｒ１のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｒ１と実装電極Ｐｓｒ１とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。

　そして、上述のＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号用に設けられたポート電極ＰＭｃｔ１と実装電極Ｐｓｔ１とがビア電極ＶＨｔ１のみを介して接続される構成と組み合わせることで、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信系回路と受信系回路とを大きく離間し、不要な電磁界結合を、より確実に抑制できる。これにより、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信系回路と受信系回路との間に高いアイソレーションを実現できる。

　また、第２受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ２と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２の受信信号出力端子用の実装電極Ｐｓｒ２とは、積層体９００を平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｒ２と実装電極Ｐｓｒ２とは、ビア電極ＶＨｒ２のみを介して接続されている。

　この構成により、ポート電極ＰＭｃｒ２と実装電極Ｐｓｒ２とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。そして、上述のＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号用に設けられたポート電極ＰＭｃｔ２と実装電極Ｐｓｔ２とがビア電極ＶＨｔ２のみを介して接続される構成と組み合わせることで、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信系回路と受信系回路とを大きく離間し、不要な電磁界結合をより確実に抑制できる。これにより、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信系回路と受信系回路との間に高いアイソレーションを実現できる。

　また、第３受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ３と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３の受信信号出力端子用の実装電極Ｐｓｒ３とは、積層体９００を平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｒ３と実装電極Ｐｓｒ３とは、ビア電極ＶＨｒ３のみを介して接続されている。

　この構成により、ポート電極ＰＭｃｒ３と実装電極Ｐｓｒ３とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。そして、上述のＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号用に設けられたポート電極ＰＭｃｔ３と実装電極Ｐｓｔ３とがビア電極ＶＨｔ３のみを介して接続される構成と組み合わせることで、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信系回路と受信系回路とを大きく離間し、不要な電磁結合および静電結合をより確実に抑制できる。これにより、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信系回路と受信系回路との間に高いアイソレーションを実現できる。

　また、ポート電極ＰＭｃｔ１、ポート電極ＰＭｃｔ２およびポート電極ＰＭｃｔ３と、ポート電極ＰＭｃｒ１、ポート電極ＰＭｃｒ２およびポート電極ＰＭｃｒ３との間となる、第１４層を平面視した中央領域には、グランドポート電極ＰＭＧＮＤが形成されている。これにより、実装面においても、送信系回路と受信系回路とのアイソレーションを高く確保することができる。

　なお、上述の実施形態では、接続すべきポート電極と実装電極とをビア電極のみで接続する例を示したが、例えば平面視したＳＡＷフィルタの実装領域に対応する程度の範囲内で、所定の内層電極により引き回しを行ってもよい。この構成でも、同じ通信信号の送信系回路と受信系回路との間のアイソレーションを高く確保することができる。

（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波モジュール１０は、積層体９００の第１３層ＰＬ１３が実施形態１と異なる。以下、その相違点についてのみ説明する。

　図８および図９は本実施形態の高周波モジュール１０の積み図である。なお、図８および図９は積層体９００の各誘電体層を底面側から見た電極パターンを示している。実施形態２に係る高周波モジュール１０は、積層体９００の第１３層ＰＬ１３が実施形態１と相違する。

　第１３層ＰＬ１３には、内層グランド電極ＧＮＤが略全面に形成されている。すなわち、第４層ＰＬ４に形成されているグランド電極ＧＮＤは分離しているが、これら各グランド電極ＧＮＤは、最下層に近い第１３層ＰＬ１３で共通の内層グランド電極ＧＮＤに接続している。共通の内層グランド電極ＧＮＤ最下層に近い層（実施形態２では第１３層ＰＬ１３）に形成することで、内層グランド電極ＧＮＤは、より理想に近いグランド電極となる。

　これにより、第４層ＰＬ４でグランド電極を分離することにより、グランド電位が変化する場合があっても、理想グランドに近い最下層で共通の内層グランド電極ＧＮＤに接続することで、グランド電位を変化させることなく、アイソレーションの劣化を回避することができる。

（実施形態３）
　実施形態３に係る高周波モジュール１０は、積層体９００の第４層ＰＬ４が実施形態２と異なる。以下、その相違点についてのみ説明する。

　図１０および図１１は本実施形態の高周波モジュール１０の積み図である。なお、図１０および図１１は積層体９００の各誘電体層を底面側から見た電極パターンを示している。実施形態３に係る高周波モジュール１０は、積層体９００の第４層ＰＬ４が実施形態２と相違する。

　第４層ＰＬ４には、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３それぞれに対して、グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）が形成されている。すなわち、第４層ＰＬ４には、三つのグランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）が形成されている。

　また、第４層ＰＬ４には、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３それぞれに対して、グランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｒｘ）が形成されている。すなわち、第４層ＰＬ４には、三つのグランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｒｘ）が形成されている。

　第４層ＰＬ４には、スイッチ素子ＳＷＩＣと、ダイプレクサＤＩＰ１およびＳＡＷフィルタＳＡＷ１とに共通の内層グランド電極ＧＮＤが形成されている。

　なお、本実施形態３では、第６層ＰＬ６にはグランド電極ＧＮＤ（ＤＵＰ＿Ｔｘ）が形成されていない。

　このように、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３毎に分離したグランド電極を形成することで、デュプレクサＤＰＵ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３それぞれのＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３間で信号がグランド電極を介して回り込み、誤作動が生じることを回避できる。同様に、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３それぞれのＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３間で信号がグランド電極を介して回り込み、誤作動が生じることを回避できる。

　さらに、実施形態２と同様に、第４層ＰＬ４でグランド電極を分離することにより、グランド電位が変化する場合があっても、理想グランドに近い最下層近傍（第１３層ＰＬ１３）で共通の内層グランド電極ＧＮＤに接続することで、グランド電位を変化させることなく、アイソレーションの劣化を回避することができる。

　なお、高周波モジュール１０の具体的構成などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。

１０－高周波モジュール
９００－積層体
ＳＷＩＣ－スイッチ素子
ＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３－デュプレクサ（分波器）
ＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３－ＳＡＷフィルタ（受信用フィルタ）
ＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３－ＳＡＷフィルタ（送信用フィルタ）
ＰＩＣ０－共通端子

Claims

　誘電体層が積層されてなり、互いに分離した第１および第２のグランド導体を有している積層体と、
　該積層体に設けられた、通信信号を入出力する共通端子と、
　前記積層体の表面に実装され、前記共通端子を介して入出力される通信信号を分波する分波器と、
　を備え、
　前記分波器は、
　前記積層体の表面に実装され、前記第１のグランド導体に接地された送信用フィルタ、及び、
　前記積層体の表面に実装され、前記第２のグランド導体に接地された受信用フィルタ、
　を有する高周波モジュール。
　前記積層体の表面に複数の前記分波器を実装しており、
　前記分波器のそれぞれの送信用フィルタは、前記第１のグランド導体に接地され、
　前記分波器のそれぞれの受信用フィルタは、前記第２のグランド導体に接地されている、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記積層体の表面に複数の前記分波器を実装しており、
　前記積層体は、
　前記送信用フィルタ及び前記受信用フィルタが接地される前記第１および第２のグランド導体を、前記分波器毎に有している、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記積層体は、
　前記第１および第２のグランド導体のそれぞれに対して導通している、共通グランド導体を有する、
　請求項１から３の何れか一つに記載の高周波モジュール。
　前記積層体の表面に複数の前記分波器を実装しており、
　前記分波器の何れかを前記共通端子に接続する、前記積層体の表面に実装されたスイッチ素子、
　をさらに備え、
　前記分波器および前記スイッチ素子は、
　複数の前記分波器それぞれの前記送信用フィルタと、複数の前記分波器それぞれの前記受信用フィルタとの間に前記スイッチ素子が介在するように実装されている、
　請求項１から４の何れか一つに記載の高周波モジュール。
　前記積層体は、
　前記第１及び第２のグランド導体とは分離して形成され、前記スイッチ素子が接地するスイッチ用グランド導体をさらに有する、
　請求項５に記載の高周波モジュール。
　前記分波器のそれぞれの送信用フィルタと前記分波器のそれぞれの受信用フィルタとは、前記積層体の表面の対向する辺の近傍にそれぞれ配置されている、請求項２から６の何れか一つに記載の高周波モジュール。