JP2012080160A - 高周波回路部品、及び通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の送受信系を取り扱う高周波部品において、多層基板を小型化しても干渉が生じ難く、優れた電気的特性が得られる高周波部品を提供する。
【解決手段】 複数の誘電体層からなる多層基板であり、第１の分波回路に繋がる伝送経路として、多層基板の誘電体層に形成された電極パターンにより、第１の通信システムの受信信号が流れる受信伝送経路と、第１の通信システムの送受信信号が流れる送受信伝送経路と、第１の通信システムの送信経路が流れる送信伝送経路が並んで形成され、各伝送経路のアイソレーションを高めるためのグランドパターンが少なくとも各伝送経路の間に形成されることを特徴とする高周波回路部品。
【選択図】 図１

Description

本発明は、複数の通信システムに対応した高周波回路に用いられ、前記通信システムの送受信信号の伝送経路を切り替えるスイッチ回路と、分波回路（デュプレクサ）を備えた高周波回路部品、およびそれを用いた通信装置に関する。

世界の携帯電話には種々のアクセス方式があり、またそれぞれの地域において複数のアクセス方式が混在している。たとえば、現在主流となっているアクセス方式の一つとして、ＴＤＭＡ （Ｔｉｍｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ、時分割多元接続）方式がある。このＴＤＭＡ方式を採用している主な通信方式として、日本のＰＤＣ （Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ）、欧州を中心としたＧＳＭ９００ （Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ） やＤＣＳ１８００ （Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ １８００）、米国を中心としたＧＳＭ８５０、ＤＣＳ１９００（ＰＣＳ （Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ Ｓｅｒｖｉｃｅ））等の方式（システム）がある。
その他に最近米国、韓国や日本で普及しつつあるアクセス方式にＣＤＭＡ （Ｃｏｄｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ、符号分割多元接続）方式がある。代表的な規格として米国を中心としたＩＳ−９５ （Ｉｎｔｅｒｉｍ Ｓｔａｎｄａｒｄ−９５） があり、高速データ伝送を実現し得る第三世代通信方式のＷ−ＣＤＭＡ （Ｗｉｄｅｂａｎｄ ＣＤＭＡ）も実用化されている。また欧州ではＩＭＴ―２０００準拠の通信方式の欧州標準で、ＵＭＴＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｍｏｂｉｌｅ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ Ｓｙｓｔｅｍ）と呼ばれる通信システムで、Ｗ―ＣＤＭＡとＴＤ−ＣＤＭＡの両方式から選択する方式もある。このように世界各国で様々な通信方式が利用されている。

従来の携帯電話は一つの通信方式に設計されていたが、近年の利用者数の増大及び使用者の利便性から、複数の通信方式やアクセス方式が利用可能なマルチバンド携帯電話が実用に供され、さらにクアトロバンド以上の携帯電話の要求もある。このようなマルチバンド携帯電話の高周波回路においては、単純に通信方式毎に高周波部品を設けると高周波回路が大型化してしまうので、小型化のために異なる通信方式の高周波部品の共通化と複合化が進められている。

上記ＣＤＭＡ方式やＵＭＴＳ方式は送受信を同時に行なう通信方式であり、この通信方式に用いる高周波部品は分波回路（以後、デュプレクサ）が用いられる。その一例として、特許文献１の図３には、複数の異なる通信システムの送信回路と受信回路を切り換えるスイッチモジュールが開示されている。このスイッチモジュールは、アンテナと、アンテナに接続された多重切換スイッチと、複数の送信端子、受信端子を備えており、多重切換スイッチのポートの一つがデュプレクサを介して一つの通信システムの送信端子と受信端子に接続されている。また、多重切換スイッチの他のポートは別の送信端子と別の受信端子につながれ、多重切換スイッチはアンテナとこれら３つの端子への接続を切換える構造を持つ。
特許文献２も同様に、ＣＤＭＡ方式とＴＤＭＡ方式の信号を切換える高周波複合部品が記載されている。特許文献２の高周波複合部品は、アンテナと、ＣＤＭＡ方式とＴＤＭＡ方式の送信信号をアンテナへ送出するダイプレクサと、ダイプレクサの後段に配置される２つのデュプレクサを配置しており、このデュプレクサで両方式の信号を送信部と受信部へ分離する構造を持つ。

また、特許文献３には、３つ以上の周波数帯域の通信システムの信号を誘電体による積層部品により切換えてアンテナと各通信システムの送信端子や受信端子と接続／非接続とするスイッチモジュールが記載され、図１には送受信端子の後段にデュプレクサを配置する構造が記載されている。このスイッチモジュールは、１台で複数の通信システムが利用可能な携帯電話（マルチバンド携帯電話）に用いられるが、デュプレクサを搭載するものではない。

特開２００２−１８５３５６（図３） 特開２００１−１７７４３３（図１） 特開２００８−２７１４２０（図１）

このような高周波回路部品は、多くの回路素子を多層基板に構成する必要がある。ただし、多層基板内の配線は複雑になりやすく、異なる回路素子を構成する電極パターン間での相互干渉が生じやすくなる。相互干渉により信号が他の経路に漏れて、挿入損失特性の劣化などの悪影響が発生する場合があった。
特にデュプレクサでは送信信号と受信信号を同時に扱うため、送信回路から受信回路へと漏洩した信号は受信感度劣化などの悪影響の原因となる。デュプレクサを搭載した多層基板では多層基板内の配線間のアイソレーションが特に求められる。
そこで本発明は、複数の送受信系を取り扱う高周波回路部品において、多層基板を小型化しても干渉が生じ難く、優れた電気的特性が得られる高周波回路部品、およびそれを用いた通信装置を提供することを目的とする。

本発明は、複数の通信システムに対応して前記通信システムの送受信信号が通過する伝送経路を切り替えるスイッチ回路と、前記スイッチ回路に接続された第１の通信システムの送信信号と受信信号を分波する第１の分波回路を備えた高周波回路部品であって、前記高周波回路部品は電極パターンが形成された複数の誘電体層からなる多層基板を備え、前記第１の分波回路に繋がる伝送経路として、多層基板の誘電体層に形成された電極パターンにより、第１の通信システムの受信信号が流れる受信伝送経路と、第１の通信システムの送受信信号が流れる送受信伝送経路と、第１の通信システムの送信信号が流れる送信伝送経路が形成され、前記各伝送径路の少なくとも一部が、前記受信伝送経路、前記送受信伝送経路、前記送信伝送経路の順に並んで一つの誘電体層上に形成されるとともに、各伝送経路のアイソレーションを高めるためのグランドパターンが少なくとも各伝送経路の間に形成されることを特徴とする高周波回路部品である。

高周波回路部品の外形寸法により規制される領域内で、デュプレクサに繋がる各信号伝送経路を、他の回路素子（ＦＥＴスイッチやスイッチモジュールの端子配置による接続線路の構成や、フィルタ回路、整合回路）等と多層基板の中で干渉しない程度に離して形成することは困難な場合が多い。そこで本発明者はデュプレクサに繋がる受信伝送経路、送受信伝送経路、送信伝送経路の並ぶ順序を特定し、かつその伝送経路間にグランドパターンを配置する事で各信号の漏洩を効果的に防げることを着想した。なお、請求項１において「前記受信伝送経路、前記送受信伝送経路、前記送信伝送経路の順に並ぶ」との記載は、各伝送経路の電極パターンが形成される領域がグランドパターンやグランドパターンにつながるビアホール以外の電極パターンを介さずに並んでいる状態を意味する。各伝送経路の素子が同じ形状であったり同方向に延びて平行であったりする必要は無い。

前記受信伝送経路は、前記多層基板の一辺に沿って形成された複数のビアホールを含むことが好ましい。

前記グランドパターンは、積層方向に重なるように複数層に渡って形成されていることが好ましい。

複数層に渡って形成された前記グランドパターンは、互いにビアホールで電気的に接続されることが好ましい。

前記高周波回路部品は、複数の通信システムとして、第１の通信システムの通過帯域よりも低い周波数の通過帯域を持つ第２の通信システムに対応し、
前記第２の通信システムの送信信号と受信信号を分波する第２の分波回路を備え、
前記第２の分波回路に繋がる複数の伝送経路間には前記グランドパターンが形成されない構成とすることが好ましい。

前記第１と第２の分波回路は前記多層基板に実装される同じ端子配置を持つ実装部品であり、前記第１と第２の分波回路の受信端子が前記積層基板の一辺に沿って並ぶよう配置することが好ましい。

前記第１と第２の分波回路の間には、前記第１と第２の分波回路に繋がれる前記伝送経路において用いられる回路用チップ素子が配置されていることが好ましい。

前記多層基板は、前記送受信伝送経路および前記送信伝送経路と積層方向に見て一体的に重なる第２のグランドパターンを備えた層が前記一つの誘電体層の上層側に形成され、第３のグランドパターンを備えた層が前記一つの誘電体層の下層側に形成されていることが好ましい。

前記第２のグランドパターンの上側の誘電体層には送受信伝送経路の少なくとも一部が形成されていることが好ましい。

前記高周波回路部品は、第３の通信システム用の受信端子及び送信端子、第４の通信システム用の受信端子及び送信端子、および第５の通信システムの送受信端子を備え、
前記スイッチ回路の複数のポートに、前記第１と第２の分波回路、第３の通信システム用の受信端子及び送信端子、前記第４の通信システム用の受信端子及び送信端子、前記第５の通信システムの送受信端子がそれぞれ接続され、
前記スイッチ回路はアンテナ端子と各ポートの接続／非接続を切換える構成を用いることができる。

これらの上記の高周波回路部品を用いて通信装置を得ることができる。

本発明によれば、複数の送受信系を取り扱う高周波部品において、多層基板を小型化しても干渉が生じにくく、優れた通信特性が得られる高周波部品を提供することができた。

本実施例に用いた積層基板の積層図である。 本実施例に用いた積層基板の積層図である。 本実施例の回路ブロック図である。 図３の等価回路である。 本実施例の高周波回路部品のアイソレーション特性を示す図である。

図３は無線通信器の高周波回路のブロック図であって、本発明の一実施例に係る高周波回路部品を用いて構成されたものである。但し、本発明の高周波回路部品はこのブロック図の高周波回路に限らず、他の回路構成であっても使用できるのは勿論である。
本発明の高周波回路部品はトリプルバンド、さらにはクワッドバンド以上の通信システムを扱う回路に用いることが好ましい。また、ＦＤＤ（周波数分割複信）方式の高周波回路に用いることが好ましい。
以下に、幾つかの通信方式を例示しながら説明するが、各通信方式の周波数帯域は表１に示す通りであって、送信・受信は無線通信器端末を基準にしている。なお、前記通信方式については周知であるので、その詳しい説明を省く。また、本発明が利用される通信方式は、例示した通信システムにのみに限定されるものではなく、ＧＰＳや、他のＣＤＭＡ方式等にも利用可能である。

この実施例の高周波回路は５つの通信方式に用いられる回路である。周波数帯域ｆ１の第１通信方式（例えばＵＭＴＳ２１００）、周波数帯域ｆ２の第２通信方式（例えばＵＭＴＳ８００）、周波数帯域ｆ３の第３通信方式（例えばＧＳＭ８５０）、周波数帯域ｆ４の第４通信方式（例えばＧＳＭ９００）、周波数帯域ｆ５の第５通信方式（例えばＵＭＴＳ １９００）、とに対応した高周波回路に用いられ、各通信方式の送受信信号の伝送線路を切り替えるスイッチ回路と、前記スイッチ回路に接続されるデュプレクサを少なくとも有する。

前記スイッチ回路は、少なくとも３つのポートを備えるＳＰｎＴ（ｎは２以上の自然数）の高周波スイッチを用いることができる。下記の実施例においては、９つのポートを備えるＳＰ８Ｔの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）スイッチＳＷを用いた。第１のポート（共通ポート）ａはアンテナ端子に接続されるポートである。第１のポート（共通ポート）ａとアンテナ端子の間には第１の整合回路ＭＮ１が配置される。また、第１の整合回路ＭＮ１とＦＥＴスイッチＳＷの間にはＥＳＤ（ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；静電気放電）対策回路が配置される。
第２のポートｂは第３の通信システムの送信端子Ｔｘ３に接続されるポートである。第２のポートｂと送信端子Ｔｘ３の間には第１のローパスフィルタ回路ＬＰＦ１が配置される。この第１のローパスフィルタ回路ＬＰＦ１は第３の通信システムの送信信号を通過させ、その高調波の通過を阻止することができる。第１のローパスフィルタ回路ＬＰＦ１の代わりにバンドパスフィルタを用いることもできる。第１のローパスフィルタ回路ＬＰＦ１の前段には第２の整合回路ＭＮ２が配置されている。
第３のポートｃは第４の通信システムの送信端子Ｔｘ４に接続されるポートである。第３のポートｃと送信端子Ｔｘ４の間には第２のローパスフィルタ回路ＬＰＦ２が配置される。この第２のローパスフィルタ回路ＬＰＦ２は第４通信システムの送信信号を通過させることができる。第２のローパスフィルタ回路ＬＰＦ２の代わりにバンドパスフィルタを用いることもできる。第２のローパスフィルタ回路ＬＰＦ２の前段には第３の整合回路ＭＮ３が配置されている。
第４のポートｄは第１の通信システムの高周波信号が通過するポートであり、第１のデュプレクサＤＵＰ１を介して第１の通信システムの送信端子Ｔｘ１および受信端子Ｒｘ１＋、Ｒｘ１−に接続される。デュプレクサＤＵＰ１は、第１の通信システムの送信信号の周波数帯域を通過帯域とし受信信号の周波数帯域を阻止帯域とする送信用のバンドパスフィルタ部と、第３の通信システムの送信信号の周波数帯域を阻止帯域とし受信信号の周波数帯域を通過帯域とする受信用のバンドパスフィルタ部とが並列に接続された構成になっている。この送信用のバンドパスフィルタ部は第１の通信システムの送信端子Ｔｘ１に接続され、受信用のバンドパスフィルタ部は第１の通信システムの受信端子Ｒｘ１＋、Ｒｘ１−に接続される。また、デュプレクサＤＵＰ１の前段には第４の整合回路ＭＮ４が配置される。
第５のポートｅは第２の通信システムの高周波信号を通過させるポートであり、第２のデュプレクサＤＵＰ２を介して第２の通信システムの送信端子および受信端子に接続される。デュプレクサＤＵＰ２は、第２の通信システムの送信信号の周波数帯域を通過帯域とし受信信号の周波数帯域を阻止帯域とする送信用のバンドパスフィルタ部と、第２の通信システムの送信信号の周波数帯域を阻止帯域とし受信信号の周波数帯域を通過帯域とする受信用のバンドパスフィルタ部とが並列に接続された構成になっている。送信用のバンドパスフィルタ部は第２の通信システムの送信端子Ｔｘ２に接続され、受信用のバンドパスフィルタ部は第２の通信システムの受信端子Ｒｘ２＋、Ｒｘ２−に接続される。また、第２のデュプレクサＤＵＰ２の前段には第５の整合回路ＭＮ５が配置される。
本実施例において第１と第２のデュプレクサＤＵＰ１，２は積層基板の上面又は下面に搭載するチップ素子であり、この２つのチップ素子の電極（スイッチに繋がる一つの電極、送信端子に繋がる一つの電極、受信端子に繋がる二つの電極）は、同じ位置に配置される。
第６のポートｆは第３の通信システムの受信端子Ｒｘ３＋、Ｒｘ３−に接続されるポートである。第６のポートｆと受信端子Ｒｘ３＋、Ｒｘ３−の間には第１のバンドパスフィルタ回路ＢＰＦ１が配置される。この第１のバンドパスフィルタ回路ＢＰＦ１は第３の通信システムの受信信号を通過させることができる。また、第１のバンドパスフィルタ回路ＢＰＦ１の前段には第６の整合回路ＭＮ６が配置される。
第７のポートｇと第８のポートｈは第４の通信システムの受信端子Ｒｘ４＋、Ｒｘ４−に接続されるポートである。第７のポートｇと受信端子Ｒｘ４の間には第２のバンドパスフィルタ回路ＢＰＦ２が配置される。この第２のバンドパスフィルタ回路ＢＰＦ２は第４の通信システムの受信信号を通過させることができる。また、第７のポートｇと第２のバンドパスフィルタ回路ＢＰＦ２の間には第７の整合回路ＭＮ７が配置される。
第８のポートｈは整合回路８を介してこの第２のバンドパスフィルタ回路ＢＰＦ２に接続されており、第７のポートｇと同様に、第４の通信システムの受信端子Ｒｘ４＋、Ｒｘ４−に接続される。
例えば、第７のポートｇはＤＣＳ用のポートとして、第８のポートはＰＣＳ用のポートとして使用できる。
本実施例において第１、第２のバンドパスフィルタ回路ＢＰＦ１、２は積層基板の上面又は下面に搭載する不平衡入力−平衡出力の表面弾性波フィルタ回路を用いている。弾性波フィルタとしてＢＡＷフィルタ、境界弾性波フィルタを用いることも出来る。
第９のポートｉは第５の通信システムの送受信端子ＴＲｘ５に接続されるポートである。

必要により、各送信端子、各受信端子、送受信端子の後段にＤＣカットコンデンサを配置する事もできる。

上記の各整合回路ＭＮ１〜ＭＮ８は、インダクタやコンデンサからなるものであって、多層基板内に電極パターンで形成することもできるし、チップインダクタ素子、チップコンデンサ素子などを用いても良い。整合回路は主としてインピーダンスマッチングのために用いられるが、高周波信号の位相調整のために用いられる場合もある。
これらの整合回路は、第１、第２のローパスフィルタ回路のインダクタ用電極パターンと、積層方向に重なり合わないように構成されることが好ましい。

また、デュプレクサは送信側のフィルタ回路と、受信側のフィルタ回路のインピーダンス特性によって、その入力側に、分波性能を向上するようにフェイズシフター（位相回路）を接続することもできる。位相回路を配置することで、他方の通信システムの周波数帯域で高インピーダンスが得られる。このフェイズシフターは伝送線路（インダクタ）や、インダクタとコンデンサで構成されるフィルタであって、そのインダクタとコンデンサの少なくとも一部は多層基板内に電極パターンで形成することができる。

スイッチ回路ＳＷはアンテナ側の１端子と回路側の８端子を切換える高周波スイッチであり、例えば特開平８−１４０１２４号に開示されるような既知のスイッチ回路を用いることができる。本実施例においては、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（ＧａＡｓ Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたＦＥＴスイッチを用いた。
このスイッチＳＷには、外部からの切替信号をデコードするデコーダ（図示せず）が組み込まれており、そのデコーダには制御端子Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３及び駆動電源端子Ｖｄｄが接続され、これら端子に所定電圧の切替信号が入力されることでアンテナ側の第１のポートａと各ポートｂ〜ｉの接続／非接続が行なわれる。

図４は、図３の高周波回路の等価回路である。
第１の整合回路ＭＮ１は、アンテナと第１のポートａの間に配置されるインダクタＬ２と、このインダクタＬ２とアンテナのノードと接地点との間のキャパシタｃａにより構成されている。また、この第１の整合回路ＭＮ１と第１のポートａのノードおよび接地点との間にはＥＳＤ対策回路用のインダクタＬ１が配置される。インダクタＬ１，Ｌ２は積層基板の上面または下面に搭載されるチップインダクタを用いている。

ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１は、伝送線路ｌｇ１ａ〜ｌｇ１ｄからなる伝送線路と、キャパシタｃｇ１，ｃｇ２，ｃｇ３からなる回路と、伝送線路ｌｇ２ｂ〜ｌｇ２ｄからなる伝送線路と、キャパシタｃｇ４，ｃｇ５からなる回路で多段のローパスフィルタ回路が形成されている。
また、伝送線路ｌｇ３とキャパシタｃｇ４で第２の整合回路ＭＮ２の役割を果たす。伝送線路ｌｇｏは位相調整用の伝送線路である。
また、第２のローパスフィルタ回路ＬＰＦ２、第３の整合回路ＭＮ３は、第１のローパスフィルタ回路ＬＰＦ１と第２の整合回路ＭＮ２と同様の構成からなる。各素子の説明は省略する。

第４の整合回路は、伝送線路ｌ１ｕ１ａ、ｌ１ｕ１ｂおよびインダクタＬ３により構成される。同様に第５の整合回路は、伝送線路ｌ８ｕａ１およびインダクタＬ４により構成される。
なお本実施例は、伝送線路ｌ１ｕ１ａ、ｌ１ｕ１ｂ、および伝送線路ｌ８ｕａ１は積層基板内の電極パターンで構成し、インダクタＬ３，Ｌ４は積層基板の上面または下面に搭載されるチップインダクタを用いている。
第６の整合回路は伝送線路ｌｇｒ５とインダクタＬ５により構成される。第７の整合回路は伝送線路ｌｄｒ３とインダクタＬ６により構成される。第８の整合回路は伝送線路ｌｐｒ１とインダクタＬ７により構成される。
インダクタＬ５〜Ｌ７は積層基板の上面または下面に搭載されるチップインダクタであり、伝送線路ｌｇｒ５、ｌｄｒ３は積層基板内の電極パターンで構成されるが、後述の図面への記載は省略する。

第１のデュプレクサＤＵＰ１と第１の通信システムの送信端子Ｔｘ１の間には伝送線路ｌ１ｕ２ａ〜ｅが形成される。また、第２のデュプレクサＤＵＰ２と第２の通信システムの送信端子Ｔｘ２の間には伝送線路ｌ８ｕ２ａ、ｌ８ｕ２ｂが形成される。これらの伝送線路は位相調整を行なうためのものである。

図１、図２は本実施例の高周波回路部品の積層図である。
積層基板を構成する誘電体セラミクスとしては、例えばＡｌ，Ｓｉ及びＳｒを主成分として、Ｔｉ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｋなどを副成分とするセラミクス、Ａｌ，Ｓｉ及びＳｒを主成分として、Ｃａ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｋなどを複成分とするセラミクス、Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ及びＧｄを含むセラミクス、Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ及びＭｇ含むセラミクスが挙げられる。誘電体の誘電率は５〜１５程度が好ましい。また誘電体セラミクスの他に、樹脂や、樹脂／セラミック複合材を用いて多層基板を構成することも可能である。さらにＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック）技術により、Ａｌ_２Ｏ_３を主体とする多層基板内に、タングステンやモリブデン等の高温焼結可能な金属導体により電極パターンを形成しても良い。
誘電体層は、例えば誘電体セラミクスを、ドクターブレード法などの周知のシート化方法によってグリーンシート化したものであり、積層後焼結して一体化される。
得られた積層基板を８５０℃〜１０００℃程度（焼成温度は用いる導体や誘電体セラミクスによる）で焼結して多層基板とし、これにＦＥＴスイッチやＳＡＷフィルタを実装して本発明に係る高周波回路部品とした。
図１、図２において、丸でくくられた番号は、実装面から数えたグリーンシートの積層数であり、以後一番上の誘電体層から順次、グリーンシート１、グリーンシート２と称する。

図１の左側の一番上に記載する図（（１））は、本実施例の積層基板の最上面に、第１と第２のデュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，スイッチ回路ＳＷ，およびチップインダクタＬ１〜Ｌ４を実装した状態を示す図である。
第１のデュプレクサＤＵＰ１は、スイッチ回路ＳＷと接続されるアンテナ電極ｔＡＮＴ（ｄ）、第１の通信システムの送信端子と接続される送信電極ｔＴｘ１、第１の通信システムの受信端子と接続される受信電極ｔＲｘ１＋、ｔＲｘ１−を備える。このデュプレクサＤＵＰ１は、アンテナ電極ｔＡＮＴ（ｄ）が実装面の電極ｐ１ｕ２に、送信電極ｔＴｘ１が電極ｐ１ｕ３に、受信電極ｔＲｘ１＋、ｔＲｘ１−が電極ｐ１ｕ４、ｐ１ｕ５に接続された状態で搭載される。
第２のデュプレクサＤＵＰ２は、上記と同様に、スイッチ回路ＳＷと接続されるアンテナ電極ｔＡＮＴ（ｅ）、第２の通信システムの送信端子と接続される送信電極ｔＴｘ２、第２の通信システムの受信端子と接続される受信電極ｔＲｘ２＋、ｔＲｘ２−を備える。この第２のデュプレクサＤＵＰ２は、アンテナ電極ｔＡＮＴ（ｅ）が実装面の電極ｐ８ｕ２に、送信電極ｔＴｘ２が電極ｐ８ｕ３に、受信電極ｔＲｘ２＋、ｔＲｘ２−が電極ｐ８ｕ４、ｐ８ｕ５に接続された状態で搭載される。
この実装面には、チップインダクタＬ３，Ｌ４が、第１のデュプレクサＤＵＰ１と第２のデュプレクサＤＵＰ２の間に配置される。インダクタＬ３，Ｌ４が第１と第２のデュプレクサの間に配置されることで、第１と第２のデュプレクサが離れて配置され、積層体内の各伝送線路も離れやすくなり、各伝送線路のアイソレーションが確保しやすくなる。
また、実装面の右下にはチップインダクタＬ１，Ｌ２が搭載され、その上側にＳＰ８Ｔのスイッチ回路ＳＷが配置される。
また、図面上、実装面の右上の部分には、図３に示すバンドパスＳＡＷフィルタＢＰＦ１，ＢＰ２や、第６〜第８の整合回路に用いられるチップインダクタＬ５〜Ｌ７が配置されるが、図１では省略する。

第１のデュプレクサＤＵＰ１、第２のデュプレクサＤＵＰ２とも、受信電極が実装面の１辺に配置されるようにすることが好ましい。積層基板の側面側に形成したビアホールを受信伝送経路として使用でき、グリーンシート平面内での引き回しが少なくてすむ。また、端部のビアホールを用いるので他の回路素子とのアイソレーションを取りやすく、ノイズの影響を低減することができる。また、他の回路素子との寄生容量等による電気長のばらつきを防ぎ、平衡出力される場合の受信信号のフェイズバランスやアンプリチュードバランスをとりやすい。受信伝送経路は、積層体中のグリーンシートの総数の半分以上の層において、ビアホールのみで形成されていることが好ましい。

第１のデュプレクサＤＵＰ１に接続される積層基板内の各伝送経路について説明する。まず第１のデュプレクサＤＵＰ１と受信端子Ｒｘ１の間の受信伝送経路について説明する。
第１のデュプレクサＤＵＰ１の受信電極ｔＲｘ１＋と接触する電極ｐ１ｕ４にはグリーンシート２に形成された伝送線路ｌ１ｕ３ａの一端が接続し、この伝送線路ｌ１ｕ３ａは積層基板の左上に引き回され、他端がこの位置に形成されたグリーンシート２〜グリーンシート１１のビアホール（破線で囲んだ部分）を介してグリーンシート１２の伝送線路ｌ１ｕ３ｃの一端に接続される。伝送線路ｌ１ｕ３ｃの他端はグリーンシート１２の裏面に形成された第１の通信システムの受信端子Ｒｘ１＋に接続される。
第１のデュプレクサＤＵＰ１の第１の通信システムの受信電極ｔＲｘ１−と接触する電極ｐ１ｕ５にはグリーンシート２のビアホールを介してグリーンシート３に形成された伝送線路ｌ１ｕ３ｂにより、図面上、積層基板の左上に引き回される。伝送線路ｌ１ｕ３ｂの他端はこの位置に形成されたグリーンシート３〜グリーンシート１２のビアホール（破線で囲んだ部分）を介してグリーンシート１２の裏面に形成された第３の通信システムの受信端子Ｒｘ１−に接続される。
なお、このビアホールからなる受信伝送経路は積層基板の側面に沿って並び、かつ、グリーンシート５、グリーンシート７、グリーンシート９に形成されたグランドパターンＧ５１、Ｇ７、Ｇ９によりその周囲を囲まれ、他の回路素子とのアイソレーションが高められている。

次に、第１のデュプレクサＤＵＰ１とスイッチ回路ＳＷの間の送受信伝送経路について説明する。この送受信伝送経路には、第１の通信システムの送信信号と受信信号の、両方の高周波信号が流れる。
第１のデュプレクサＤＵＰ１のアンテナ電極ｔＡＮＴ（ｄ）と接触する電極ｐ１ｕ２は、グリーンシート１〜グリーンシート６のビアホールを介してグリーンシート７の伝送線路ｌ１ｕ１ｂ（１点破線で囲んだ素子）と接続される。伝送線路ｌ１ｕ１ｂの一部または全体は、破線で囲まれた前記２本の受信伝送経路のビアホールが並ぶ方向に対して平行に形成される。この伝送線路ｌ１ｕ１ｂと２本の受信伝送経路のビアホールの間には、前記のグランドパターンＧ７が形成され、デュプレクサＤＵＰ１に繋がる受信伝送経路と送受信伝送経路のアイソレーションが高められている。伝送線路ｌ１ｕ１ｂが形成される第７層だけでなく、その上下の層においても積層方向に重なる前記のグランドパターンＧ５１とＧ９が形成され、各グランドパターンはビアホールにより相互に接続されて、複数層においてグランドパターンによる多段の壁ができるように構成される。
なお、グランドパターンＧ５１、Ｇ７、Ｇ９を、隣り合う層で形成されないように他の層を介して形成したのは、誘電体層の一枚の厚さが３０μ以下であったため、各誘電体層を圧着した時に積層剥がれが起きないようにしたものである。誘電体層の一層の厚みが比較的厚ければ、全ての層にこのグランドパターンを形成し、受信信号経路と送受信信号経路のアイソレーションをさらに確保するようにしてもよい。
グリーンシート７の伝送線路ｌ１ｕ１ｂは、その他端が、グリーンシート６〜グリーンシート２に形成されるビアホールを介してグリーンシート２の伝送線路ｌ１ｕ１ａの一端に接続される。伝送線路ｌ１ｕ１ａの他端は、図面上、スイッチ回路ＳＷの左上角の端子ｄに接続される。この伝送線路ｌ１ｕ１ａはグリーンシート３のほぼ全面を覆うグランドＧ３よりも上側の層で形成されているため、下層に形成されるフィルタ回路などへのノイズの影響を極力小さくできる。
また伝送線路ｌ１ｕ１ａの一端に接続されるビアホールは、グリーンシート１のビアホールを介してグリーンシート１の電極ｐｌｕ１にも接続される。電極ｐ１ｕ１にはインダクタＬ３が配置される。インダクタＬ３は、電極ｐ１ｕ１とは異なる電極とビアホールを介してグリーンシート３のグランドパターンに接地され、整合回路ＭＮ４を形成する。

次に、第１のデュプレクサＤＵＰ１と送信端子Ｔｘ１の間の送信伝送経路について説明する。この送信伝送経路には、第１の通信システムの送信信号の高周波信号が流れる。
デュプレクサＤＵＰ１の送信電極ｔＴｘ１と接触する電極ｐ１ｕ３はグリーンシート２〜グリーンシート５のビアホールを介してグリーンシート６の伝送線路ｌ１ｕ２ｃと接続される。伝送線路ｌ１ｕ２ｃは、グリーンシート７の伝送線路ｌ１ｕ２ａ（２点破線で囲んだ素子）、グリーンシート８の伝送線路ｌ１ｕ２ｄとともにインダクタ素子を形成し、位相調整回路の役割を持つ。
このインダクタ素子はグリーンシート７の伝送線路ｌ１ｕ２ｅの一端に接続される。伝送線路ｌ１ｕ２ｅの他端はグリーンシート８のビアホールを介してグリーンシート９の伝送線路ｌ１ｕ２ｂの一端に接続される。伝送線路ｌ１ｕ２ｂの他端はグリーンシート９〜グリーンシート１２のビアホールを介して裏面に形成される第１の通信システムの送信端子Ｔｘ１に接続される。
グリーンシート７において、送受信伝送経路のｌ１ｕ１ｂと、送信伝送経路であるｌ１ｕ２ａ、ｌ１ｕ２ｅの間にはグランドパターンＧ７が形成される。グランドパターンＧ７は、受信伝送経路の点線で囲まれたビアホールと送受信伝送経路ｌ１ｕ１ｂの間に形成される左側のグランド部と、この送受信伝送経路ｌ１ｕ１ｂと送信伝送経路であるｌ１ｕ２ａ、ｌ１ｕ２ｅの間のグランド部がほぼ平行に並べて形成され、この両方のグランド部の一端側同士は接続されて一体のグランドパターンＧ７となっている。なお、グランドパターンＧ７は送信伝送経路であるｌ１ｕ２ａの右側に延長して伸びる枝状のグランドパターンも形成され、他の回路素子とのアイソレーションを確保している。
また、グリーンシート５、グリーンシート９にも積層方向に重なる同様のグランドパターンＧ５１、Ｇ５２、Ｇ９が形成されており、複数層において高周波回路的に見てグランドの壁ができるように構成されている。グランドパターンＧ５１、Ｇ５２は他のグランドパターンＧ７，Ｇ９のように連結されていても良い。

第１のデュプレクサＤＵＰ１は、１ＧＨｚを超える高い周波数の高周波信号を分波するものであり、第１のデュプレクサＤＵＰ１に繋がる受信伝送経路、送受信伝送経路、送信伝送経路が隣接する構造である。そのため、高い周波数同士の伝送経路は互いの影響を受けやすく、低い周波数同士の伝送経路同士よりもノイズが発生しやすい。そのため上記のようにグランドパターンで互いを仕切り、各伝送経路のアイソレーションを確保することでノイズの発生を抑えた通信特性の良好な高周波回路部品を得ることができる。
また、送受信伝送経路ｌ１ｕ１ｂは、グリーンシート３のグランドパターンＧ３やグリーンシート１０のグランドパターンＧ１０から少なくとも他の層を介した内部側の層に形成することが好ましい。グランドパターンに送受信伝送経路が近づきすぎると伝送線路のインピーダンスが小さくなり、整合回路とのインピーダンスがずれて伝送ロスが増大しやすくなる。
なお、グリーンシート７において、受信伝送線路を並べた側面から見れば、積層基板の周囲側から順に、受信伝送経路、送受信伝送経路、送信伝送経路を配置することが好ましい。受信伝送経路は積層基板の周囲のビアホールとすることが好ましい。受信伝送経路は微弱な電流しか流れず、かつ平衡出力される受信信号のフェイズバランスやアンプリチュードバランスをとる必要があり、寄生容量等による電気長のばらつきを防ぎやすく、かつ他の回路素子と離しやすいよう、積層基板の側面側に配置されるビアホールを用いることが好ましい。

第２のデュプレクサＤＵＰ２に接続される積層基板内の各伝送経路について説明する。まず第２のデュプレクサＤＵＰ２と受信端子の間の受信伝送経路について説明する。
第２のデュプレクサＤＵＰ２の受信端子ｔＲｘ２＋と接触する電極ｐ８ｕ４にはグリーンシート２に形成された伝送線路ｌ８ｕ３ａの一端が接続し、この伝送線路ｌ８ｕ３ａはグリーンシート２上を図面左上方向に引き回され、その他端はグリーンシート２〜グリーンシート６のビアホールを介してグリーンシート７の伝送線路ｌ８ｕ３ｃの一端に接続される。伝送線路ｌ８ｕ３ｃの他端はグリーンシートの周囲に形成されたグリーンシート７〜グリーンシート１２のビアホールを介して裏面に形成された第２の通信システムの受信端子Ｒｘ２＋に接続される。
第２のデュプレクサＤＵＰ２の受信電極ｔＲｘ２−と接触する電極ｐ８ｕ５にはグリーンシート２に形成された伝送線路ｌ８ｕ３ｂの一端が接続し、この伝送線路ｌ８ｕ３ｂはグリーンシート２の図面左上に引き回され、その他端はグリーンシート２〜グリーンシート１２のビアホールを介して裏面に形成された第２の通信システムの受信端子Ｒｘ２−に接続される。
次に、第２のデュプレクサＤＵＰ２とスイッチ回路ＳＷの間の送受信伝送経路について説明する。この送受信伝送経路には、第２の通信システムの送信信号と受信信号の両方の高周波信号が流れる。第２のデュプレクサＤＵＰ２のアンテナ電極ｔＡＮＴ（ｅ）と接触する電極ｐ８ｕ２はグリーンシート２の伝送線路ｌ８ｕ３ａと接続される。伝送線路ｌ８ｕ３ａは、その他端がスイッチ回路ＳＷの図面上側中央の端子ｅに接続される。この伝送線路ｌ８ｕ３ａはグリーンシート３のほぼ全面を覆うグランドパターンＧ３よりも上側の層で形成されているため、下層に形成されるフィルタ回路などへのノイズの影響を極力小さくできる。また、伝送線路ｌ８ｕ３ａは途中で分岐し、グリーンシート１の電極ｐ８ｕ１に接続される。この電極ｐ８ｕ１上にはチップインダクタＬ４が搭載され、チップインダクタＬ４の他端はグリーンシート２のビアホールを介してグリーンシート３のグランドパターンＧ３に接地される。
次に、第２のデュプレクサＤＵＰ２と送信端子Ｔｘ２の間の送信伝送経路について説明する。この送信伝送経路には、第２の通信システムの送信信号の高周波信号が流れる。
デュプレクサＤＵＰ２の送信電極ｔＴｘ２と接触する電極ｐ８ｕ３はグリーンシート２の伝送線路ｌ８ｕ２ａ、グリーンシート３の伝送線路ｌ８ｕ２ｂに接続される。伝送線路ｌ８ｕ２ｂの他端は、グリーンシート３〜グリーンシート８のビアホールを介してグリーンシート９の伝送線路ｌ８ｕ２ｃに接続される。伝送線路ｌ８ｕ２ｃの他端は、グリーンシート９〜グリーンシート１２のビアホールを介して送信端子電極Ｔｘ２へ接続される。送信端子電極Ｔｘ２は、第１のデュプレクサＤＵＰ１の送信端子電極Ｔｘ１に隣接している。
この第２のデュプレクサＤＵＰ２に繋がる送信伝送経路は、グリーンシート９で、第１のデュプレクサＤＵＰ１に繋がる送信伝送経路と平行に、かつ、両者の間にビアなどの素子を介さず隣接した状態で並んでいる。両者の送信伝送経路を並べる事で小型化を図ることができる。またこの場合、第１の通信システムと第２の通信システムは使用する周波数帯域が５００Ｍｈｚ以上、さらには１０００ＭＨｚ以上離れていることが好ましい。一方の送信伝送経路を流れる信号の周波数帯域が他方の送信伝送経路に繋がるデュプレクサの阻止帯域になり、互いの影響を小さくできる。
第１のデュプレクサＤＵＰ１に接続される各伝送経路は並んだ状態で形成され、さらに伝送経路間にグランドパターンが形成されていたが、第２のデュプレクサＤＵＰ２に接続される各伝送経路（受信伝送経路、送受信伝送経路、送信伝送経路）は一つの層上で隣接して形成されておらず、それぞれの間にグランドパターンは必ずしも配置されていない。これは、第２のデュプレクサＤＵＰ２を通過する信号の周波数帯域は、第１のデュプレクサＤＵＰ１を通過する信号の周波数帯域よりも低いため、伝送経路同士によるノイズの発生が比較的少ないことが理由の一つである。

なお、積層方向に見て送受信伝送経路と送信伝送経路に重なる一体のグランドパターンが、これらの線路が形成される層の上下にそれぞれ形成されることが好ましい。この一体のグランドパターンはグリーンシートのほぼ全体を覆うものが好ましい。上下の層（グリーンシート３、グリーンシート１０）のグランドパターンＧ３、Ｇ１０で各伝送経路を挟む事で、受信伝送経路、送受信伝送経路、送信伝送経路のアイソレーションをさらに確保することができる。また、このグランドパターンＧ３のさらに上側や、Ｇ１０のさらに下側で伝送経路や電源線路を自由に引き回すことができるので、積層基板の設計が容易に行なえ、かつ電源線路の引き回しによりフィルタ回路などが自由に配置できるので小型化に寄与することができる。

図４に示す、第３の通信システムの送信端子Ｔｘ３に接続される第１のローパスフィルタ回路ＬＰＦ１や、第４の通信システムの送信端子Ｔｘ４に接続される第２のローパスフィルタ回路ＬＰＦ２が積層体内に形成される（図１，２中には図示せず）。これらフィルタ回路の素子は、誘電体層からなる多層基板に、電極パターンやチップ部品として構成される。第１、第２のローパスフィルタ回路ＬＰＦ１、ＬＰＦ２は、積層方向の上下にグリーンシート３のグランドパターンＧＮＤ３とグリーンシート１０のグランドパターンＧＮＤ１０が配置される。フィルタ回路の素子は、このグランドパターンと積層方向で重なるようにグリーンシート４〜グリーンシート９の図面右上側に形成される。このフィルタ回路の素子は、積層方向に見て第１、第２のデュプレクサＤＵＰ１、ＤＵＰ２の伝送経路と重ならない位置に形成されることが好ましい。
なお、接地されるキャパシタはグリーンシート３のグランドパターンＧ３かグリーンシート１０のグランドパターンＧ１０に隣接する層（グリーンシート４またはグリーンシート９）に配置されるが、その一部のキャパシタはグリーンシート１０のビアホールを介してグリーンシート１１に形成することもできる。
図４の第１のローパスフィルタ回路ＬＰＦ１の伝送線路ｌｇ１ａ〜ｌｇ１ｄ、ｌｇ２ｂ〜ｌｇ２ｄ、第２のローパスフィルタ回路ＬＰＦ２の伝送線路ｌｐ１ａ〜ｌｐ１ｃ、ｌｐ２ａ〜ｌｐ２ｃは、コイル状のインダクタとして積層基板内に形成される。
コイル用パターンはコンデンサ用パターンと比べて厚く形成され、断面積を大きくすることで抵抗を低減している。コイル用パターン等の周囲で層間に生じる空隙などの構造欠陥を防ぎながら抵抗低減の効果を得るには、コンデンサ用パターンは２μ〜１０μｍ、コイル用パターンは１５μｍ〜４０μｍに形成するのが好ましい。

最下層のグリーンシート１２には、ほぼ全面を覆うグランドパターンＧ１２が形成されており、裏面には回路基板に実装するための端子電極が周囲に沿って形成されている。なお、本実施例の要旨を分かりやすくするため、デュプレクサやアンテナに繋がる端子電極やその他いくつかの接地電極以外は省略する。
またこの端子電極の内側にはグランドパターンＧＲ１、ＧＲ２が形成されている。

グリーンシート１１は主にスイッチ回路ＳＷを駆動するための電源ラインや、整合回路やフィルタ回路のキャパシタが形成される層である。図２のグリーンシート１１の表記では、電源ライン、整合回路やフィルタ回路のキャパシタは省略する。隣接するグリーンシート１０には、ほぼ全面を覆うグランドパターンＧ１０が形成されている。グリーンシート１０の一部は、電極が形成されてない抜き部を有する。この抜き部には、制御信号用線路とＦＥＴスイッチの制御信号入力ポートとを接続するビアホールや、キャパシタ用電極パターンを他の層の電極パターンと接続するビアホールが形成されている。
グリーンシート１０とグリーンシート１２のグランドパターンにより電源線路が挟まれるので、電源ラインが引き回されても伝送経路にノイズが発生することを抑制でき、回路設計が容易になるとともに、優れた通信特性を得ることができる。

スイッチ回路ＳＷの制御端子Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖｄｄ、および、高周波端子のうち、受信端子Ｒｘ１＋，Ｒｘ１−、Ｒｘ２＋，Ｒｘ２−、Ｒｘ３＋，Ｒｘ３−、Ｒｘ４＋，Ｒｘ４−を裏面の一辺または２辺に、送信端子Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３、Ｔｘ４を裏面の異なる一辺に、それぞれ集めて配置することが好ましい。受信系端子の数が多い場合は２辺にまたがって配置することができる。
上記の端子配置とすることで、送信伝送経路と受信伝送経路のアイソレーションを確保しやすい。また、この端子配置にすることで高周波スイッチモジュールが回路基板に実装されたときに他の高周波回路との接続を短く出来る。特に上記の各受信端子を纏めて配置することで、他の信号端子や制御端子と距離を離せるので受信伝送経路への影響を低減することができるとともに、弾性波フィルタの平衡出力ポートとの接続を短くし、電気長のばらつきを低減することができる。
各受信伝送経路は、主にグリーンシートの周囲に形成されるビアホールにより形成される。各受信伝送経路は、少なくともグランドパターンにより上下で挟まれたグリーンシート４〜グリーンシート９においてはビアホールのみで形成されることが好ましい。このビアホールは、グランドパターンとは重ならないようにすることで、寄生容量等による電気長のばらつきを防ぎ、平衡出力される受信信号のフェイズバランスやアンプリチュードバランスをとりやすくできる。この実施例においては、多層基板においてグランドパターン以外の電極パターンとも重ならないように構成している。

積層基板の上面に搭載されたスイッチ回路やデュプレクサ、チップインダクタ、又はＳＡＷフィルタの内、グランド端子が有るものは、そのグランド端子がグリーンシート１上の電極とグリーンシート２のビアホールを介してグリーンシート３に形成されたグランドパターンＧ３と接続される。またグリーンシート３に形成されたグランドパターンＧ３は、グリーンシート５、７、９、１０、の各グランドパターンと複数のビアホールで接続されている。このような構成により、小型の多層基板であっても、グランドを分割する場合と比較し安定したグランド電位となり、またグランドで閉じた空間に、それぞれ制御信号用線路、インダクタ用電極パターンが形成されるため、制御信号用線路とインダクタ用電極パターンとが干渉することが無く、優れた電気的な特性を得ることが出来る。

図５に本実施例の高周波回路において、第１のデュプレクサＤＵＰ１の送信伝送経路と受信伝送経路とのアイソレーションを測定した結果を示す。また、参考として、グランドパターンＧ５１，Ｇ５２、Ｇ７、Ｇ９がないグリーンシートをそれぞれ作成し、積層基板として同様にアイソレーションの評価を行なった。本実施例の高周波回路部品は、高いアイソレーションが得られており、優れた通信特性が得られることがわかる。

以上説明したように、本発明によれば、複数の送受信系を取り扱う高周波回路部品において、多層基板を小型化しても回路相互の干渉が生じ難い高周波回路部品を提供することができる。

ＡＮＴ：アンテナ、
ＳＷ：スイッチ回路、
ＤＵＰ：分波回路（デュプレクサ）、
ＬＰＦ：ローパスフィルタ、
ＢＰＦ：バンドパスフィルタ、
ＭＮ：整合回路、
Ｒｘ：受信端子、
Ｔｘ：送信端子、
ＴＲｘ：送受信端子
ｖ１，ｖ２，ｖ３，ｖｄｄ：電源端子

Claims (11)

1. 複数の通信システムに対応して前記通信システムの送受信信号が通過する伝送経路を切り替えるスイッチ回路と、前記スイッチ回路に接続された第１の通信システムの送信信号と受信信号を分波する第１の分波回路を備えた高周波回路部品であって、
   前記高周波回路部品は電極パターンが形成された複数の誘電体層からなる多層基板を備え、
   前記第１の分波回路に繋がる伝送経路として、多層基板の誘電体層に形成された電極パターンにより、第１の通信システムの受信信号が流れる受信伝送経路と、第１の通信システムの送受信信号が流れる送受信伝送経路と、第１の通信システムの送信信号が流れる送信伝送経路が形成され、
   前記各伝送径路の少なくとも一部が、前記受信伝送経路、前記送受信伝送経路、前記送信伝送経路の順に並んで一つの誘電体層上に形成されるとともに、各伝送経路のアイソレーションを高めるためのグランドパターンが少なくとも各伝送経路の間に形成されることを特徴とする高周波回路部品。
2. 請求項１に記載の高周波回路部品であって、
   前記受信伝送経路は、前記多層基板の一辺に並んで形成された複数のビアホールを含むことを特徴とする高周波回路部品。
3. 請求項２に記載の高周波回路部品であって、
   前記グランドパターンは、積層方向に重なるように複数層に渡って形成されていることを特徴とする高周波回路部品。
4. 請求項３に記載の周波回路部品であって、
   複数層に渡って形成された前記グランドパターンは、互いにビアホールで電気的に接続されることを特徴とする高周波回路部品。
5. 請求項４に記載の高周波回路部品であって、
   前記高周波回路部品は、複数の通信システムとして、第１の通信システムの通過帯域よりも低い周波数の通過帯域を持つ第２の通信システムに対応し、
   前記第２の通信システムの送信信号と受信信号を分波する第２の分波回路を備え、
   前記第２の分波回路に繋がる複数の伝送経路間には前記グランドパターンが形成されないことを特徴とする高周波回路部品。
6. 請求項５に記載の高周波回路部品であって、
   前記第１と第２の分波回路は前記多層基板に実装される同じ端子配置を持つ実装部品であり、
   前記第１と第２の分波回路の受信端子が前記積層基板の一辺に沿って並ぶよう配置されることを特徴とする高周波回路部品。
7. 請求項６に記載の高周波回路部品であって、
   前記第１と第２の分波回路の間には、前記第１と第２の分波回路に繋がれる前記伝送経路において用いられる回路用チップ素子が配置されることを特徴とする高周波回路部品。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の高周波回路部品であって、
   前記多層基板は、前記送受信伝送経路および前記送信伝送経路と積層方向に見て一体的に重なる第２のグランドパターンを備えた層が前記一つの誘電体層の上層側に形成され、第３のグランドパターンを備えた層が前記一つの誘電体層の下層側に形成されていることを特徴とする高周波回路部品。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の高周波回路部品であって、
   前記第２のグランドパターンの上側の誘電体層には送受信伝送経路の少なくとも一部が形成されたことを特徴とするスイッチモジュール。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の高周波回路部品であって、
    前記高周波回路部品は、第３の通信システム用の受信端子及び送信端子、第４の通信システム用の受信端子及び送信端子、および第５の通信システムの送受信端子を備え、
    前記スイッチ回路の複数のポートに、前記第１と第２の分波回路、第３の通信システム用の受信端子及び送信端子、前記第４の通信システム用の受信端子及び送信端子、前記第５の通信システムの送受信端子がそれぞれ接続され、
    前記スイッチ回路はアンテナ端子と各ポートの接続／非接続を切換えることを特徴とする高周波回路部品。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の高周波回路部品を用いた通信装置。
    

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