JPWO2015156079A1 - 高周波モジュール - Google Patents

Abstract

高周波モジュール（１０）は、デュプレクサ（２１，２２）、および、位相回路（４１）を備える。デュプレクサ（２１）には第１送信信号入力端子（Ｐｔｘ１）が接続され、デュプレクサ（２２）には第２送信信号入力端子（Ｐｔｘ２）が接続されている。第１送信信号入力端子（Ｐｔｘ１）とデュプレクサ（２１）との間には、位相回路（４１）が接続されている。位相回路（４１）は、第１送信信号の基本周波数帯域では、第１送信信号入力端子（Ｐｔｘ１）とデュプレクサ（２１）との間でインピーダンス整合を実現するように位相調整されている。さらに、位相回路（４１）は、第１送信信号入力端子（Ｐｔｘ１）から位相回路（４１）を介してデュプレクサ（２１）につながる第１送信経路のインピーダンス特性における第２送信信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側に現れるように、位相調整されている。

Description

複数の通信バンドの高周波信号の送受信を行う高周波モジュールに関する。

従来、複数の通信バンドの高周波信号の送受信を行う高周波モジュールが各種考案されている。例えば、特許文献１に記載の高周波モジュールでは、スイッチＩＣを備えている。スイッチＩＣの共通端子にはアンテナが接続されており、複数の被選択端子には、複数の送信信号入力端子および複数の受信信号出力端子がそれぞれ接続されている。特許文献１に記載の高周波モジュールでは、スイッチＩＣによる接続切り替え制御によって、いずれか1つの送信信号入力端子または受信信号出力端子をアンテナに接続している。

このような高周波モジュールは、回路パターンが形成された誘電体層を積層してなる積層体と、該積層体に実装される実装型回路素子によって構成されている。

そして、送信信号入力端子や受信信号出力端子は、積層体の裏面に配列して形成された外部接続用ランドによって実現されている。また、スイッチＩＣは、積層体の表面に実装される実装型回路素子によって実現されている。

このような高周波モジュールは、近年、さらなる小型化が要求されており、積層体もさらに小型化が進んでいる。

特開２０１１−２５４５０５号公報

しかしながら、積層体の小型化が進むと、外部接続用ランド同士の間隔が狭くなる等によって、複数の高周波信号の伝送経路間、特に、高電力の送信信号を伝送する伝送経路と他の伝送経路との間のアイソレーションは低下しやすい。

したがって、本発明の目的は、積層体が小型化されても、送信信号の伝送経路に対するアイソレーションの低下を抑制することができる高周波モジュールを提供することにある。

この発明の高周波モジュールは、スイッチＩＣ、第１、第２送信信号入力端子、および、第１送信経路用の位相回路を備える。スイッチＩＣは、アンテナに接続する共通端子を複数の被選択端子から選択して接続する。第１送信信号入力端子は、複数の被選択端子のうちの第１被選択端子に対して第１送信経路を介して接続されている。第２送信信号入力端子は、複数の被選択端子のうちの第２被選択端子に対して第２送信経路を介して接続されている。第１送信経路用の位相回路は、第１送信経路に接続されており、次の位相を実現する。第１送信経路用の位相回路は、第１送信経路を伝送する第１高周波信号の周波数帯域でインピーダンス整合を維持する。第１送信経路用の位相回路は、第１送信経路のインピーダンス特性における第２送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側に変化するように、位相調整されている。

この構成では、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上する。

また、この発明の高周波モジュールは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、スイッチＩＣ、第１、第２送信信号入力端子、および、第２送信経路用の位相回路を備える。第２送信経路用の位相回路は、第２送信経路に接続されており、次の位相を実現する。第２送信経路用の位相回路は、第２送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域でインピーダンス整合を維持する。第２送信経路用の位相回路は、第２送信経路のインピーダンス特性における第１送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側に変化するように、位相調整されている。

この構成では、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上する。

また、この発明の高周波モジュールは、次の構成であることが好ましい。高周波モジュールは、第１送信経路に接続された第１送信経路用の位相回路と、第２送信経路に接続された第２送信経路用の位相回路を備える。第１送信経路用の位相回路は、第１送信経路を伝送する第１高周波信号の周波数帯域でインピーダンス整合を維持する。第１送信経路用の位相回路は、第１送信経路のインピーダンス特性における第２送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側にシフトするように、位相調整されている。第２送信経路用の位相回路は、第２送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域でインピーダンス整合を維持する。第２送信経路用の位相回路は、第２送信経路のインピーダンス特性における第１送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側に変化するように、位相調整されている。

この構成では、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションがさらに向上する。

また、この発明の高周波モジュールでは、第１送信経路と第２送信経路、または、第１送信信号入力端子と第２送信信号入力端子が電磁界結合する距離に配置されている場合に、より有効に作用する。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールでは、第１送信経路と第２送信経路とは、導体パターンが形成された誘電体層からなる積層体に形成されている。第１送信信号入力端子と第２送信信号入力端子は、積層体の裏面に形成されている。

この構成では、高周波モジュールの具体的な形状を示しており、このような形状からなる場合に、本願発明の構成がより有効に作用する。

また、この発明の高周波モジュールは次の構成であることが好ましい。高周波モジュールは、スイッチＩＣの複数の被選択端子のうちの第３被選択端子に接続する第３送信経路を有する。第１送信経路を伝送する第１高周波信号の送信信号の周波数と、第２送信経路に対応する第２受信経路を伝送する第２高周波信号の受信信号の周波数とが重なっている。高周波モジュールは、第１送信経路に送信端子が接続される第１分波器と、第２送信経路に送信端子が接続される第２分波器と、第３送信経路に送信端子が接続される第３分波器とを備える。第１分波器、第２分波器、第３分波器は、それぞれに積層体に実装される実装型部品である。第１分波器と第２分波器との間には、第３分波器が配置されている。

この構成では、利用する周波数帯域が重なる第１分波器と第２分波器との間隔が広くなるので、第１分波器と第２分波器との間の電磁界結合を抑制し、周波数帯域が重なっていても、アイソレーションの低下を抑制できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第１分波器、第２分波器、および第３分波器は、送信端子、受信端子およびアンテナ側端子からなる端子配列が同じであり、第１分波器、第２分波器、および第３分波器が実装された状態での端子配列が同じであることが好ましい。

この構成では、第１分波器と第２分波器との間でのアイソレーションの低下を、さらに抑制できる。

この発明の高周波モジュールでは、前記第３分波器の前記アンテナ側端子と前記第１分波器の前記受信端子との距離は、前記第３分波器の前記アンテナ側端子と前記第１分波器の前記送信端子との距離よりも大きいことが好ましい。

この構成では、第１分波器と第３分波器との間でのアイソレーション特性を向上させることができる。

この発明の高周波モジュールでは、前記第２分波器の前記アンテナ側端子と前記第３分波器の前記受信端子との距離は、前記第２分波器の前記アンテナ側端子と前記第３分波器の前記送信端子との距離よりも大きいことが好ましい。

この構成では、第２分波器と第３分波器との間でのアイソレーション特性を向上させることができる。

この発明によれば、小型化されても、送信信号の伝送経路に対するアイソレーションの低下を抑制することができる。

本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの主要構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの比較例である位相回路を備えない高周波モジュールのインピーダンス特性を示すスミスチャート、および、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールおよび比較例の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの外部接続用ランドの配置パターンを示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールを実現する積層体の構造を示す側面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールの主要構成を示す回路図である。 本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。 本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュールを構成する積層体の平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュールで伝送する複数の通信バンドの利用周波数帯域を表す表である。 通信バンドＢａｎｄ１の送信信号（第１送信信号）が通信バンドＢａｎｄ２の受信経路に与える影響を模式的に表した図である。 通信バンドＢａｎｄ２の送信信号（第２送信信号）が通信バンドＢａｎｄ３の受信経路に与える影響を模式的に表した図である。

本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの主要構成を示す回路図である。

図１に示すように、高周波モジュール１０は、スイッチＩＣ１１、デュプレクサ（分波器）２１，２２，２３、ＳＡＷフィルタ３１，３２，３３、位相回路４１、および、アンテナ整合回路６０を備える。なお、アンテナＡＮＴは、高周波モジュール１０に含んでもよく、省略することもできる。

スイッチＩＣ１１は、共通端子と複数の被選択端子とを備える。スイッチＩＣ１１は、外部からの制御信号に基づいて、共通端子を複数の被選択端子のいずれか１つに選択して接続する。共通端子は、アンテナ整合回路６０を介してアンテナＡＮＴに接続されている。アンテナ整合回路６０は、スイッチＩＣ１１とアンテナＡＮＴとのインピーダンス整合を行う。

第１被選択端子は、デュプレクサ２１および位相回路４１を介して第１送信信号入力端子Ｐｔｘ１に接続されている。また、第１被選択端子は、デュプレクサ２１およびＳＡＷフィルタ３１を介して第１受信信号出力端子Ｐｒｘ１に接続されている。

第２被選択端子は、デュプレクサ２２を介して第２送信信号入力端子Ｐｔｘ２に接続されている。また、第２被選択端子は、デュプレクサ２２およびＳＡＷフィルタ３２を介して第２受信信号出力端子Ｐｒｘ２に接続されている。

第３被選択端子は、デュプレクサ２３を介して第３送信信号入力端子Ｐｔｘ３に接続されている。また、第３被選択端子は、デュプレクサ２３およびＳＡＷフィルタ３３を介して第３受信信号出力端子Ｐｒｘ３に接続されている。

デュプレクサ２１は、第１送信信号入力端子Ｐｔｘ１から入力された第１送信信号（第１通信バンドの送信信号）を、スイッチＩＣ１１の第１被選択端子に伝送する。デュプレクサ２１は、第１被選択端子から入力された第１受信信号（第１通信バンドの受信信号）を、ＳＡＷフィルタ３１を介して第１受信信号出力端子Ｐｒｘ１に出力する。ＳＡＷフィルタ３１は、第１受信信号の基本周波数帯域が通過帯域内となり、他の周波数帯域が減衰域内となるように設定されている。

デュプレクサ２２は、第２送信信号入力端子Ｐｔｘ２から入力された第２送信信号（第２通信バンドの送信信号）を、スイッチＩＣ１１の第２被選択端子に伝送する。デュプレクサ２２は、第２被選択端子から入力された第２受信信号（第２通信バンドの受信信号）を、ＳＡＷフィルタ３２を介して第２受信信号出力端子Ｐｒｘ２に出力する。ＳＡＷフィルタ３２は、第２受信信号の基本周波数帯域が通過帯域内となり、他の周波数帯域が減衰域内となるように設定されている。

デュプレクサ２３は、第３送信信号入力端子Ｐｔｘ３から入力された第３送信信号（第３通信バンドの送信信号）を、スイッチＩＣ１１の第３被選択端子に伝送する。デュプレクサ２３は、第３被選択端子から入力された第３受信信号（第３通信バンドの受信信号）を、ＳＡＷフィルタ３３を介して第３受信信号出力端子Ｐｒｘ３に出力する。ＳＡＷフィルタ３３は、第３受信信号の基本周波数帯域が通過帯域内となり、他の周波数帯域が減衰域内となるように設定されている。なお、第１、第２、第３受信信号出力端子は、それぞれ平衡信号を出力するための平衡端子を備えている。

位相回路４１は、第１送信信号の基本周波数帯域では、第１送信信号入力端子Ｐｔｘ１とデュプレクサ２１との間でインピーダンス整合を実現するように位相調整されている。さらに、位相回路４１は、第１送信信号入力端子Ｐｔｘ１から位相回路４１を介してデュプレクサ２１につながる第１送信経路のインピーダンス特性における第２送信信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側に現れるように、位相調整されている。

図２（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの比較例である位相回路を備えない高周波モジュールのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。

図２（Ａ）に示すように、上述の位相回路４１を備えない場合、第１送信経路のインピーダンス特性における第２送信信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてショート側に現れる。

一方、図２（Ｂ）に示すように、上述の位相回路４１を備えた場合、第１送信経路のインピーダンス特性における第２送信信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側にシフトさせることができる。このような位相のオープン側へのシフトを実現することより、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが改善される。

図３は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールおよび比較例の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。

図３に示すように、本実施形態に示すように位相回路を備えることにより、挿入損失を改善することができる。

このように、本実施形態の構成を用いることで、第１送信経路と第２送信経路とのアイソレーションが改善された高周波モジュール１０を実現することができる。

このような構成は、高周波モジュール１０が次に示す構造であるときに、より有効に作用する。

図４は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの外部接続用ランドの配置パターンを示す図である。図５は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールを実現する積層体の構造を示す側面断面図である。

高周波モジュール１０は、略直方体形状の積層体９０を備える。積層体９０は、複数の誘電体層を積層してなる。所定の誘電体層には、導体パターンが形成されており、図１に示すスイッチＩＣ１１、デュプレクサ２１，２２，２３、ＳＡＷフィルタ３１，３２，３３等を構成する実装型部品以外の主たる回路パターンを構成している。

積層体９０の天面には、これらのスイッチＩＣ１１、デュプレクサ２１，２２，２３、ＳＡＷフィルタ３１，３２，３３等を構成する実装型部品が実装されており、必要に応じて、高周波モジュール１０を構成するキャパシタ、インダクタ等も実装されている。

積層体９０の裏面には、図１に示す第１送信信号入力端子Ｐｔｘ１、第２送信信号入力端子Ｐｔｘ２、第３送信信号入力端子Ｐｔｘ３、第１受信信号出力端子Ｐｒｘ１、第２受信信号出力端子Ｐｒｘ２、第３受信信号出力端子Ｐｒｘ３、図１に示されていないアンテナ接続端子ＰＡＮＴ（図４参照）を構成する複数の外部接続用ランドが配列形成されている。

第１送信信号入力端子Ｐｔｘ１と第２送信信号入力端子Ｐｔｘ２を構成する外部接続用ランドは互いに近接且つ隣接して配置されている。このように、第１送信信号入力端子Ｐｔｘ１と第２送信信号入力端子Ｐｔｘ２を構成する外部接続用ランドが近接且つ隣接して配置されている場合、これらの外部接続用ランドもしくはこれに接続する配線パターンが電磁界結合する、すなわち、第１送信経路と第２送信経路とが電磁界結合することがある。しかしながら、上述の位相回路４１を備えることにより、これら第１送信経路と第２送信経路とのアイソレーションを向上することができる。

なお、第１送信信号入力端子Ｐｔｘ１、第２送信信号入力端子Ｐｔｘ２（第３送信信号入力端子Ｐｔｘ３も）と、第１受信信号出力端子Ｐｒｘ１、第２受信信号出力端子Ｐｒｘ２（第３受信信号出力端子Ｐｒｘ３も）とは、図４に示すように離間し、且つ、グランドに接続する外部接続用ランドを間に配置するとよい。この構成により、送信経路と受信経路との間のアイソレーションも向上することができる。

さらに、図４に示すように、アンテナ接続端子ＰＡＮＴを、第１送信信号入力端子Ｐｔｘ１、第２送信信号入力端子Ｐｔｘ２、第３送信信号入力端子Ｐｔｘ３、第１受信信号出力端子Ｐｒｘ１、第２受信信号出力端子Ｐｒｘ２、第３受信信号出力端子Ｐｒｘ３から離間するとよい。この構成により、送信経路および受信経路と、アンテナＡＮＴとの間のアイソレーションも向上することができる。

なお、位相回路４１は、図５に示すように、積層体９０内に形成された導体パターンによって形成することもできるが、積層体９０の天面に実装する実装型部品を用いることも可能である。ただし、位相回路４１を積層体９０内に形成することにより、省スペースで位相回路４１を実現でき、高周波モジュール１０を、より小型に形成することができる。

次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールの主要構成を示す回路図である。

本実施形態に係る高周波モジュール１０Ａは、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０に対して、位相回路４１が位相回路４２に置き換わったものである。高周波モジュール１０Ａの他の構成は、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０と同じである。

位相回路４２は、第２送信信号入力端子Ｐｔｘ２とデュプレクサ２２との間に接続されている。

図７は、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。

図７に示すように、位相回路４２は、第２送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域でインピーダンス整合を維持し、且つ、第２送信経路のインピーダンス特性における第１高周波信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側にシフトするように、位相調整されている。

このような構成とすることで、第２送信信号入力端子Ｐｔｘ２から入力された第２送信信号が第１送信経路に漏洩して伝送することを抑制できる。

これにより、第１の実施形態と同様に、第１送信経路と第２送信経路とのアイソレーションが改善された高周波モジュール１０Ａを実現することができる。

なお、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０では位相回路４１のみを備え、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａでは位相回路４２のみを備える態様を示した。しかしながら、位相回路４１と位相回路４２の両方を備えるように高周波モジュールを構成してもよい。

次に、本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図８は、本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュールを構成する積層体の平面図である。本実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの基本的な回路は、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０と同じである。

高周波モジュール１０Ｂは、積層体９０Ｂを備える。積層体９０Ｂの天面には、スイッチＩＣ１１、および、３つのデュプレクサ２１，２２，２３が実装されている。なお、ＳＡＷフィルタや他の実装型部品も実装されているが、図示を省略している。

デュプレクサ２１，２２，２３は、アンテナ側端子ＰＡＮＴ１，ＰＡＮＴ２，ＰＡＮＴ３、送信端子ＰＴＸ１，ＰＴＸ２，ＰＴＸ３、および受信端子ＰＲＸ１，ＰＲＸ２，ＰＲＸ３の端子配置が同じである。デュプレクサ２１，２２，２３は、平面視して、この端子配列が同じになるように、積層体９０Ｂに実装されている。

デュプレクサ２１，２２，２３は、積層体９０Ｂの天面（実装面）の一方向に沿って、デュプレクサ２１、デュプレクサ２３、デュプレクサ２２の順に実装されている。このような構成とすることで、デュプレクサ２１とデュプレクサ２２との間に、デュプレクサ２３が配置され、デュプレクサ２１とデュプレクサ２２とを離間することができる。

ここで、図９は、本実施形態に係る高周波モジュールで伝送する複数の通信バンドの利用周波数帯域を示す表である。通信バンドＢａｎｄ１の信号は、デュプレクサ２１で分波され、通信バンドＢａｎｄ２の信号は、デュプレクサ２２で分波され、通信バンドＢａｎｄ３の信号は、デュプレクサ２３で分波される。

図９に示すように、通信バンドＢａｎｄ１の送信周波数帯域と通信バンドＢａｎｄ２の受信周波数帯域は重なっている。通信バンドＢａｎｄ２の送信周波数帯域と通信バンドＢａｎｄ３の受信周波数帯域は重なっている。

しかしながら、本実施形態の構成を備えることで、このような周波数帯域が重なっている信号を伝送する伝送経路間のアイソレーションを確保することができる。

図１０は、通信バンドＢａｎｄ１の送信信号（第１送信信号）が通信バンドＢａｎｄ２の受信経路に与える影響を模式的に表した図である。図１０に示すように、第１送信信号が通信バンドＢａｎｄ２の受信経路に漏洩する場合には、積層体９０Ｂの天面では、デュプレクサ２１の送信端子Ｐ_ＴＸ１およびアンテナ側端子Ｐ_ＡＮＴ１から、デュプレクサ２２のアンテナ側端子Ｐ_ＡＮＴ２および受信端子Ｐ_ＲＸ２に漏洩することが考えられる。

しかしながら、本実施形態の構成を用いることで、デュプレクサ２１の送信端子Ｐ_ＴＸ１およびアンテナ側端子Ｐ_ＡＮＴ１と、デュプレクサ２２のアンテナ側端子Ｐ_ＡＮＴ２および受信端子Ｐ_ＲＸ２との距離を離すことができるので、このような漏洩を抑制することができる。さらに、本実施形態の構成では、デュプレクサ２１とデュプレクサ２２との間に、デュプレクサ２３が配置されているので、第１送信信号の通信バンドＢａｎｄ２の受信経路への漏洩をさらに抑制することができる。

図１１は、通信バンドＢａｎｄ２の送信信号（第２送信信号）が通信バンドＢａｎｄ３の受信経路に与える影響を模式的に表した図である。図１１に示すように、第２送信信号が通信バンドＢａｎｄ３の受信経路に漏洩する場合には、積層体９０Ｂの天面では、デュプレクサ２２の送信端子Ｐ_ＴＸ２およびアンテナ側端子Ｐ_ＡＮＴ２から、デュプレクサ２３のアンテナ側端子Ｐ_ＡＮＴ３および受信端子Ｐ_ＲＸ３に漏洩することが考えられる。

しかしながら、本実施形態の構成、特に、端子配列が同じになるように配置する構成を用いることで、この構成を用いない場合よりも、デュプレクサ２２の送信端子Ｐ_ＴＸ２およびアンテナ側端子Ｐ_ＡＮＴ２と、デュプレクサ２３のアンテナ側端子Ｐ_ＡＮＴ３および受信端子Ｐ_ＲＸ３との距離を離すことができるので、このような漏洩を抑制することができる。

このように、周波数帯域が重なる信号を伝送する端子同士の距離を離間するようにデュプレクサを配置することで、積層体を小型化しても、周波数帯域が重なる信号を伝送する伝送経路間のアイソレーションの低下を抑制することができる。

さらに、本実施形態では、各デュプレクサ２１，２２，２３の送信端子Ｐ_ＴＸ１，Ｐ_ＴＸ２，Ｐ_ＴＸ３が第１、第２、第３送信信号入力端子Ｐ_ＴＸ１，Ｐ_ＴＸ２，Ｐ_ＴＸ３を構成する外部接続用ランド側となり、受信端子Ｐ_ＲＸ１，Ｐ_ＲＸ２，Ｐ_ＲＸ３が第１、第２、第３受信信号出力端子Ｐ_ＲＸ１，Ｐ_ＲＸ２，Ｐ_ＲＸ３を構成する外部接続用ランド側となるように、デュプレクサ２１，２２，２３が配置されている。このような構成とすることで、積層体９０Ｂ内において、送信経路と受信経路とが重なり合い難くなり、送信経路と受信経路との間のアイソレーションを高く確保することができる。さらに、送信経路を構成する導体パターンと受信経路を構成する導体パターンとの間に内部グランド導体を備えることにより、送信経路と受信経路との間のアイソレーションを、さらに高く確保することができる。

１０，１０Ａ，１０Ｂ：高周波モジュール
１１：スイッチＩＣ
２１，２２，２３：デュプレクサ（分波器）
３１，３２，３３：ＳＡＷフィルタ
４１，４２：位相回路
６０：アンテナ整合回路
９０，９０Ｂ：積層体
ＡＮＴ：アンテナ

Claims (9)

1. アンテナに接続する共通端子を複数の被選択端子から選択して接続するスイッチＩＣと、
   前記複数の被選択端子のうちの第１被選択端子に対して第１送信経路を介して接続される第１送信信号入力端子と、
   前記複数の被選択端子のうちの第２被選択端子に対して第２送信経路を介して接続される第２送信信号入力端子と、
   前記第１送信経路に接続された第１送信経路用の位相回路と、を備え、
   前記第１送信経路用の位相回路は、
   前記第１送信経路を伝送する第１高周波信号の周波数帯域でインピーダンス整合を維持し、
   前記第１送信経路のインピーダンス特性における前記第２送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側に変化するように、位相調整されている、
   高周波モジュール。
2. アンテナに接続する共通端子を複数の被選択端子から選択して接続するスイッチＩＣと、
   前記複数の被選択端子のうちの第１被選択端子に対して第１送信経路を介して接続される第１送信信号入力端子と、
   前記複数の被選択端子のうちの第２被選択端子に対して第２送信経路を介して接続される第２送信信号入力端子と、
   前記第２送信経路に接続された第２送信経路用の位相回路と、を備え、
   前記第２送信経路用の位相回路は、
   前記第２送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域でインピーダンス整合を維持し、
   前記第２送信経路のインピーダンス特性における前記第１送信経路を伝送する第１高周波信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側に変化するように、位相調整されている、
   高周波モジュール。
3. 前記第２送信経路に接続された第２送信経路用の位相回路と、を備え、
   前記第２送信経路用の位相回路は、
   前記第２送信経路を伝送する第２高周波信号の周波数帯域でインピーダンス整合を維持し、
   前記第２送信経路のインピーダンス特性における前記第１送信経路を伝送する第１高周波信号の周波数帯域の位相がスミスチャート上においてオープン側に変化するように、位相調整されている、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
4. 前記第１送信経路と前記第２送信経路、または、前記第１送信信号入力端子と前記第２送信信号入力端子は、電磁界結合する距離に配置されている、
   請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
5. 前記第１送信経路と前記第２送信経路とは、導体パターンが形成された誘電体層からなる積層体に形成されており、
   前記第１送信信号入力端子と前記第２送信信号入力端子は、前記積層体の裏面に形成されている、
   請求項４に記載の高周波モジュール。
6. 前記スイッチＩＣの前記複数の被選択端子のうちの第３被選択端子に接続する第３送信経路を有し、
   前記第１送信経路を伝送する第１高周波信号の送信信号の周波数と、前記第２送信経路に対応する第２受信経路を伝送する第２高周波信号の受信信号の周波数とが重なっており、
   前記第１送信経路に送信端子が接続される第１分波器と、
   前記第２送信経路に送信端子が接続される第２分波器と、
   前記第３送信経路に送信端子が接続される第３分波器と、
   を備え、
   前記第１分波器、前記第２分波器、前記第３分波器は、それぞれに前記積層体に実装される実装型部品であり、
   前記第１分波器と前記第２分波器との間には、前記第３分波器が配置されている、
   請求項５に記載の高周波モジュール。
7. 前記第１分波器、前記第２分波器、および前記第３分波器は、送信端子、受信端子およびアンテナ側端子からなる端子配列が同じであり、前記第１分波器、前記第２分波器、および前記第３分波器が実装された状態での端子配列が同じである、
   請求項６に記載の高周波モジュール。
8. 前記第３分波器の前記アンテナ側端子と前記第１分波器の前記受信端子との距離は、前記第３分波器の前記アンテナ側端子と前記第１分波器の前記送信端子との距離よりも大きい、
   請求項７に記載の高周波モジュール。
9. 前記第２分波器の前記アンテナ側端子と前記第３分波器の前記受信端子との距離は、前記第２分波器の前記アンテナ側端子と前記第３分波器の前記送信端子との距離よりも大きい、
   請求項７又は請求項８に記載の高周波モジュール。

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